JPH10340929A - 電子部品搭載用配線基板 - Google Patents
電子部品搭載用配線基板Info
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- JPH10340929A JPH10340929A JP10046382A JP4638298A JPH10340929A JP H10340929 A JPH10340929 A JP H10340929A JP 10046382 A JP10046382 A JP 10046382A JP 4638298 A JP4638298 A JP 4638298A JP H10340929 A JPH10340929 A JP H10340929A
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- hole
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
- H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3478—Application of solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品を搭載するための電子部品搭載用配
線基板において、外部へ接続する端子の電極パッドにバ
ンプを形成する平面的な面付実装技術では、多数の球形
状バンプを平面的に電極パッドの所定箇所に正確に位置
決めし、バンプの先端面の高さバラツキをなくすること
は非常に難しく、電気的接続の信頼性の確保が課題であ
った。 【解決手段】 上記、課題を解決するため、本発明では
凹形状の電極パッドの内部に球形状バンプをはめ込み、
治具により、この深さを調節して多数のバンプの配線基
板より突出するバンプ先端面の高さレベルを平坦化し、
電子部品搭載用配線基板と親配線基板とのバンプ接続に
よる実装を確実なものにできる。
線基板において、外部へ接続する端子の電極パッドにバ
ンプを形成する平面的な面付実装技術では、多数の球形
状バンプを平面的に電極パッドの所定箇所に正確に位置
決めし、バンプの先端面の高さバラツキをなくすること
は非常に難しく、電気的接続の信頼性の確保が課題であ
った。 【解決手段】 上記、課題を解決するため、本発明では
凹形状の電極パッドの内部に球形状バンプをはめ込み、
治具により、この深さを調節して多数のバンプの配線基
板より突出するバンプ先端面の高さレベルを平坦化し、
電子部品搭載用配線基板と親配線基板とのバンプ接続に
よる実装を確実なものにできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を搭載す
るための電子部品搭載用配線基板であって、特にバンプ
を形成する電極パッドを有する電子部品搭載用配線基板
に関する。
るための電子部品搭載用配線基板であって、特にバンプ
を形成する電極パッドを有する電子部品搭載用配線基板
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に基づいて従来の技術を説明する。
従来技術の電子部品搭載用の従来の配線基板３１は、こ
の従来の配線基板３１の上部表面に半導体回路部品、抵
抗、コンデンサあるいはモジュール部品などの電子部品
４０をリフローはんだ付けをして表面面付実装するか、
または電子部品４０と電子部品搭載面にある上面外層導
体３３のボンディング・ランドにボンディング・ワイヤ
４１で接続してワイヤ・ボンディング実装する。この電
子部品搭載面にある上面外層導体３３とバンプ形成側の
下面外層導体３５とは、貫通孔３２のスルーホールめっ
き層３４で電気的に導通されている。この下面外層導体
３５の所定箇所の２次元の格子上交点に多数の平面的な
電極パッド３６が設定配置されている。この電子部品４
０を搭載する従来の配線基板３１の外部へ接続するため
の端子である平面的な電極パッド３６の表面に突出接点
（以下、バンプと記す）を形成する。代表的なバンプ４
５として、球形状のはんだボール４５Ａが一般的に使用
されているがその他に、たまご形状、半球形状、長円球
形状などのバンプ４５も使用されている。前記バンプ４
５を平面的な電極パッド３６に取り付ける場合、電極パ
ッド３６に接するバンプ４５の先端面が球面形状となっ
ているため位置決めが非常に難しく問題となっている。
従来技術の電子部品搭載用の従来の配線基板３１は、こ
の従来の配線基板３１の上部表面に半導体回路部品、抵
抗、コンデンサあるいはモジュール部品などの電子部品
４０をリフローはんだ付けをして表面面付実装するか、
または電子部品４０と電子部品搭載面にある上面外層導
体３３のボンディング・ランドにボンディング・ワイヤ
４１で接続してワイヤ・ボンディング実装する。この電
子部品搭載面にある上面外層導体３３とバンプ形成側の
下面外層導体３５とは、貫通孔３２のスルーホールめっ
き層３４で電気的に導通されている。この下面外層導体
３５の所定箇所の２次元の格子上交点に多数の平面的な
電極パッド３６が設定配置されている。この電子部品４
０を搭載する従来の配線基板３１の外部へ接続するため
の端子である平面的な電極パッド３６の表面に突出接点
（以下、バンプと記す）を形成する。代表的なバンプ４
５として、球形状のはんだボール４５Ａが一般的に使用
されているがその他に、たまご形状、半球形状、長円球
形状などのバンプ４５も使用されている。前記バンプ４
５を平面的な電極パッド３６に取り付ける場合、電極パ
ッド３６に接するバンプ４５の先端面が球面形状となっ
ているため位置決めが非常に難しく問題となっている。
【０００３】従来は、ＩＣフラットパッケージ等の高密
度電子部品や電子部品を搭載したモジュール配線基板な
どの、いわゆる電子部品４０を搭載した従来の配線基板
３１の外部への接続端子と親配線基板（マザー・ボー
ド）２２の接続用ランド２６との接続には、導電性ペー
スト、例えばクリームはんだ２８を用いたリフローはん
だ付けが利用されていたが、近年、ＩＣフラットパッケ
ージ等の高密度化、小型化により接続端子数の増加、接
続端子間いわゆる端子ピッチ間隔が狭くなり、電子部品
４０のリード端子径が細く、かつ変形しやすくなって従
来のはんだ付け技術の限界に直面し、はんだ付け不良率
が高くなっていた。
度電子部品や電子部品を搭載したモジュール配線基板な
どの、いわゆる電子部品４０を搭載した従来の配線基板
３１の外部への接続端子と親配線基板（マザー・ボー
ド）２２の接続用ランド２６との接続には、導電性ペー
スト、例えばクリームはんだ２８を用いたリフローはん
だ付けが利用されていたが、近年、ＩＣフラットパッケ
ージ等の高密度化、小型化により接続端子数の増加、接
続端子間いわゆる端子ピッチ間隔が狭くなり、電子部品
４０のリード端子径が細く、かつ変形しやすくなって従
来のはんだ付け技術の限界に直面し、はんだ付け不良率
が高くなっていた。
【０００４】そこで注目を集めている接続技術として、
電子部品４０を搭載した従来の配線基板３１の下面に外
部へ接続するための端子として多数の平面的な電極パッ
ド３６に、はんだ等により形成された球形状のバンプ、
例えば、はんだボール４５Ａを２次元に配置しておい
て、このはんだボール４５Ａのバンプと親配線基板２２
の接続用ランド２６にクリームはんだ２８を塗布した接
続端子群とを突き合わせてから、リフローはんだ付けに
より平面的な面付実装を行なうことが多くなっている。
球形状バンプを２次元に配置する方式はＢＧＡ（ball・
grid・array）パッケージ方式と呼び電子部品の高密度
化、小型化および、はんだ付け不良率の低減による品質
の向上が望める。
電子部品４０を搭載した従来の配線基板３１の下面に外
部へ接続するための端子として多数の平面的な電極パッ
ド３６に、はんだ等により形成された球形状のバンプ、
例えば、はんだボール４５Ａを２次元に配置しておい
て、このはんだボール４５Ａのバンプと親配線基板２２
の接続用ランド２６にクリームはんだ２８を塗布した接
続端子群とを突き合わせてから、リフローはんだ付けに
より平面的な面付実装を行なうことが多くなっている。
球形状バンプを２次元に配置する方式はＢＧＡ（ball・
grid・array）パッケージ方式と呼び電子部品の高密度
化、小型化および、はんだ付け不良率の低減による品質
の向上が望める。
【０００５】通常、ＩＣフラットパッケージ等の高密度
化、小型化された電子部品４０を従来の配線基板３１に
実装する際、はんだ付け用のフラックス、はんだがスル
ーホールめっきの施こされている貫通孔３２を通じて電
子部品４０の搭載面に流出したり、また搭載した電子部
品４０やボンディング・ワイヤ４１をモールド樹脂で被
覆して保護する際にバンプ形成側へのモールド樹脂の流
出を防止するため、貫通孔３２に充填物３９を充填しな
ければならい。その後、外層導体表面の必要な接続ラン
ドや電極パッド３６以外にはソルダーレジスト１７を施
すことが一般的である。
化、小型化された電子部品４０を従来の配線基板３１に
実装する際、はんだ付け用のフラックス、はんだがスル
ーホールめっきの施こされている貫通孔３２を通じて電
子部品４０の搭載面に流出したり、また搭載した電子部
品４０やボンディング・ワイヤ４１をモールド樹脂で被
覆して保護する際にバンプ形成側へのモールド樹脂の流
出を防止するため、貫通孔３２に充填物３９を充填しな
ければならい。その後、外層導体表面の必要な接続ラン
ドや電極パッド３６以外にはソルダーレジスト１７を施
すことが一般的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のＢ
ＧＡパッケージ方式の一体化された電子部品搭載用配線
基板では球形状のバンプ４５を２次元の格子上交点に平
面的に設定された電極パッド３６に取り付ける場合、電
極パッド３６に接するバンプ４５の先端面が球面形状と
なっているため位置決めが非常に難しくなっている。さ
らに、球形状のバンプ４５を従来の配線基板３１の所定
箇所に２次元に配置されている平面的な電極パッド３６
に正確に位置決めをし、固定する必要があるだけでな
く、バンプ４５の先端面の高さのバラツキやバンプを形
成するはんだの量の多少で、親配線基板２２の接続用ラ
ンド２６へリフローはんだ付けする際に隣接バンプ４５
または接続用ランド２６とショートしたり、従来の配線
基板３１に形成されているバンプ４５と接続用ランド２
６のクリームはんだ２８との接続不良が生じたり、球形
状のバンプ４５を用いた平面的な面付接続による接続技
術は接続信頼性の確保が課題となっている。また、電子
部品４０を従来の配線基板３１に実装する際、はんだ付
け用のフラックス、はんだが貫通孔３２を通じて電子部
品４０の搭載面に流出したり、搭載した電子部品４０や
ボンディング・ワイヤ４１をモールド樹脂で被覆して保
護する際にバンプ４５形成側へのモールド樹脂の流出を
防止するため、貫通孔３２に充填物３９を充填しなけれ
ばならず、生産効率の低下となっている。
ＧＡパッケージ方式の一体化された電子部品搭載用配線
基板では球形状のバンプ４５を２次元の格子上交点に平
面的に設定された電極パッド３６に取り付ける場合、電
極パッド３６に接するバンプ４５の先端面が球面形状と
なっているため位置決めが非常に難しくなっている。さ
らに、球形状のバンプ４５を従来の配線基板３１の所定
箇所に２次元に配置されている平面的な電極パッド３６
に正確に位置決めをし、固定する必要があるだけでな
く、バンプ４５の先端面の高さのバラツキやバンプを形
成するはんだの量の多少で、親配線基板２２の接続用ラ
ンド２６へリフローはんだ付けする際に隣接バンプ４５
または接続用ランド２６とショートしたり、従来の配線
基板３１に形成されているバンプ４５と接続用ランド２
６のクリームはんだ２８との接続不良が生じたり、球形
状のバンプ４５を用いた平面的な面付接続による接続技
術は接続信頼性の確保が課題となっている。また、電子
部品４０を従来の配線基板３１に実装する際、はんだ付
け用のフラックス、はんだが貫通孔３２を通じて電子部
品４０の搭載面に流出したり、搭載した電子部品４０や
ボンディング・ワイヤ４１をモールド樹脂で被覆して保
護する際にバンプ４５形成側へのモールド樹脂の流出を
防止するため、貫通孔３２に充填物３９を充填しなけれ
ばならず、生産効率の低下となっている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明においては、配線基板の外部へ接続する端子にバ
ンプを形成する配線基板に、絶縁性基材と、絶縁性基材
を貫通する穴と、絶縁性基材を貫通する穴の一方の端面
を塞ぐ表面外層導体とからなる非貫通穴である凹形状の
電極パッドを有する電子部品搭載用配線基板とする。上
記の絶縁性基材を貫通する穴の一方の端面を塞ぐ表面外
層導体側には、通常は電子部品を搭載する。また、上記
の電子部品搭載用配線基板は、片面配線基板，両面配線
基板，多層配線基板のいずれでも非貫通穴である凹形状
の電極パッドを形成することにより目的を達成すること
ができる。
本発明においては、配線基板の外部へ接続する端子にバ
ンプを形成する配線基板に、絶縁性基材と、絶縁性基材
を貫通する穴と、絶縁性基材を貫通する穴の一方の端面
を塞ぐ表面外層導体とからなる非貫通穴である凹形状の
電極パッドを有する電子部品搭載用配線基板とする。上
記の絶縁性基材を貫通する穴の一方の端面を塞ぐ表面外
層導体側には、通常は電子部品を搭載する。また、上記
の電子部品搭載用配線基板は、片面配線基板，両面配線
基板，多層配線基板のいずれでも非貫通穴である凹形状
の電極パッドを形成することにより目的を達成すること
ができる。
【０００８】両面配線基板，多層配線基板では、閉孔し
ている非貫通穴内にメッキ法や蒸着法などで導体層を形
成し、電子部品搭載面にある上面外層導体とバンプ形成
側にある下面外層導体とを、非貫通穴内の導体層で電気
的に導通させる非貫通導通穴とする。つまり、電子部品
を搭載するための配線基板に外部へ接続する端子にバン
プを形成する配線基板において、絶縁性基材と、絶縁性
基材を貫通する穴と、絶縁性基材を貫通する穴の一方の
端面を塞ぐ表面外層導体と、閉孔している非貫通穴内の
導体層とからなる非貫通導通穴である凹形状の電極パッ
ドを有する電子部品搭載用配線基板とする。電子部品を
搭載するための配線基板で、バンプ形成側にある下面外
層導体に形成されている電極パッドを、配線基板の基板
表面から絶縁性基材側内部に、その表面中央部を凹形状
に陥没して形成し、球面形状のバンプを凹形状の電極パ
ッド内部にはめ込むことにより、正しい電極パッド位置
に容易に位置決めをすることができる。 また、凹形状
の電極パッド部は、電子部品搭載面の表面外層導体とバ
ンプ形成側の表面外層導体とが非貫通穴内の導体層で導
通され、穴の一方の端面を表面外層導体で塞ぐため従来
の貫通スルーホール穴の充填物による穴埋めを省略する
ことが可能となる。
ている非貫通穴内にメッキ法や蒸着法などで導体層を形
成し、電子部品搭載面にある上面外層導体とバンプ形成
側にある下面外層導体とを、非貫通穴内の導体層で電気
的に導通させる非貫通導通穴とする。つまり、電子部品
を搭載するための配線基板に外部へ接続する端子にバン
プを形成する配線基板において、絶縁性基材と、絶縁性
基材を貫通する穴と、絶縁性基材を貫通する穴の一方の
端面を塞ぐ表面外層導体と、閉孔している非貫通穴内の
導体層とからなる非貫通導通穴である凹形状の電極パッ
ドを有する電子部品搭載用配線基板とする。電子部品を
搭載するための配線基板で、バンプ形成側にある下面外
層導体に形成されている電極パッドを、配線基板の基板
表面から絶縁性基材側内部に、その表面中央部を凹形状
に陥没して形成し、球面形状のバンプを凹形状の電極パ
ッド内部にはめ込むことにより、正しい電極パッド位置
に容易に位置決めをすることができる。 また、凹形状
の電極パッド部は、電子部品搭載面の表面外層導体とバ
ンプ形成側の表面外層導体とが非貫通穴内の導体層で導
通され、穴の一方の端面を表面外層導体で塞ぐため従来
の貫通スルーホール穴の充填物による穴埋めを省略する
ことが可能となる。
【０００９】配線基板の基板表面から絶縁性基材側内部
に、その表面中央部を凹形状に陥没して形成し、球面形
状のバンプを凹形状の電極パッド内部にはめ込み、且つ
配線基板の外部へ接続するための端子となるバンプ形成
側にある下面外層導体に形成される電極パッドとして開
孔している穴端面の一部もしくは全周に接する表面外層
導体を設ける。つまり、電子部品を搭載するための配線
基板に外部へ接続するバンプを形成する配線基板におい
て、絶縁性基材と、絶縁性基材を貫通する穴と、絶縁性
基材を貫通する穴の一方の端面を塞ぐ表面外層導体と、
閉孔している非貫通穴内の導体層と、絶縁性基材を貫通
する穴の他方の開孔している穴端面の一部もしくは全周
に接して設けられた外層導体とからなる凹形状の電極パ
ッドを有する電子部品搭載用配線基板とする。
に、その表面中央部を凹形状に陥没して形成し、球面形
状のバンプを凹形状の電極パッド内部にはめ込み、且つ
配線基板の外部へ接続するための端子となるバンプ形成
側にある下面外層導体に形成される電極パッドとして開
孔している穴端面の一部もしくは全周に接する表面外層
導体を設ける。つまり、電子部品を搭載するための配線
基板に外部へ接続するバンプを形成する配線基板におい
て、絶縁性基材と、絶縁性基材を貫通する穴と、絶縁性
基材を貫通する穴の一方の端面を塞ぐ表面外層導体と、
閉孔している非貫通穴内の導体層と、絶縁性基材を貫通
する穴の他方の開孔している穴端面の一部もしくは全周
に接して設けられた外層導体とからなる凹形状の電極パ
ッドを有する電子部品搭載用配線基板とする。
【００１０】多層配線基板では、バンプを形成する側の
表面外層導体と、内層導体との間に形成するブラインド
スルーホール穴を、バンプを形成する非貫通穴である凹
形状の電極パッドとして使用する電子部品搭載用配線基
板とすることもできる。
表面外層導体と、内層導体との間に形成するブラインド
スルーホール穴を、バンプを形成する非貫通穴である凹
形状の電極パッドとして使用する電子部品搭載用配線基
板とすることもできる。
【００１１】さらに凹形状の電極パッドの深さを、この
凹設穴に挿入する球形状バンプの外径よりも小さくして
配線基板のバンプを形成する側の基板表面からバンプの
一部分が突出するようにし、この球面形状のバンプを挿
入し形成する深さを調節することにより２次元に配置さ
れる多数のバンプの突出する先端面の高さレベルを平坦
化でき、親配線基板の接続用ランドとの間隔が一定とな
り、リフローはんだ付け作業およびバンプの面接続によ
る位置決めと品質が安定化する。つまり、バンプを形成
する非貫通穴である凹形状の電極パッドにおいて、非貫
通穴の深さ（Ｓ）が上記バンプの外径（Ｄ）よりも若干
小さく形成する前記のいずれかに記載の電子部品搭載用
配線基板とする。
凹設穴に挿入する球形状バンプの外径よりも小さくして
配線基板のバンプを形成する側の基板表面からバンプの
一部分が突出するようにし、この球面形状のバンプを挿
入し形成する深さを調節することにより２次元に配置さ
れる多数のバンプの突出する先端面の高さレベルを平坦
化でき、親配線基板の接続用ランドとの間隔が一定とな
り、リフローはんだ付け作業およびバンプの面接続によ
る位置決めと品質が安定化する。つまり、バンプを形成
する非貫通穴である凹形状の電極パッドにおいて、非貫
通穴の深さ（Ｓ）が上記バンプの外径（Ｄ）よりも若干
小さく形成する前記のいずれかに記載の電子部品搭載用
配線基板とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。まず、図１の本発明の電子部品搭載
状態の配線基板断面図において、抵抗、コンデンサ、半
導体回路部品、ＩＣフラットパッケージあるいはモジュ
ール部品などの電子部品４０を配線基板１０の上面に形
成された電子部品搭載面の表面外層導体３の所定箇所に
ボンディング・ワイヤ４１でワイヤ・ボンディング実装
をして接続した状態を示している。この電子部品４０の
各電極端子と、配線基板１０の所定箇所に形成されてい
る各接続ランドとの接続はワイヤ・ボンディングだけに
限らず導電性ペ−スト８であるクリームはんだによる表
面面付実装や、あるいは溶接実装などでもよい。
基づいて説明する。まず、図１の本発明の電子部品搭載
状態の配線基板断面図において、抵抗、コンデンサ、半
導体回路部品、ＩＣフラットパッケージあるいはモジュ
ール部品などの電子部品４０を配線基板１０の上面に形
成された電子部品搭載面の表面外層導体３の所定箇所に
ボンディング・ワイヤ４１でワイヤ・ボンディング実装
をして接続した状態を示している。この電子部品４０の
各電極端子と、配線基板１０の所定箇所に形成されてい
る各接続ランドとの接続はワイヤ・ボンディングだけに
限らず導電性ペ−スト８であるクリームはんだによる表
面面付実装や、あるいは溶接実装などでもよい。
【００１３】電子部品搭載用の配線基板１０はガラスエ
ポキシ基材、フェノール基材、合成樹脂基材、テフロン
含有基材、ポリイミド樹脂基材、ＢＴレジン（ビスマレ
ィミド−トリアジン樹脂）基材、変性ＢＴレジン基材ま
たはセラミック等の絶縁性基材１であり、絶縁性基材１
の所定箇所にバンプを形成する側からレーザー加工を
し、電子部品搭載面の表面外層導体３に達する絶縁性基
材１を貫通する穴７を設ける。次に、めっきを施こし非
貫通穴内の導体層４と、絶縁性基材１の両方の表面の所
定箇所には所定の電子部品搭載面の表面外層導体３と、
バンプ形成側の表面外層体５とを印刷法や写真法により
形成し、電子部品搭載面の表面外層導体３とバンプ形成
側の表面外層導体５とを非貫通穴内の導体層４で電気的
に導通させる。上記に示すように配線基板１０の下部に
あるバンプ形成側の基板表面５Ａから絶縁性基材１の内
部に、その箇所の表面中央部がへこんだ非貫通穴となる
凹形状の電極パッド６を陥没して形成し、立体的（３次
元）な球面形状のバンプ４５取付用電極パッドとする。
ポキシ基材、フェノール基材、合成樹脂基材、テフロン
含有基材、ポリイミド樹脂基材、ＢＴレジン（ビスマレ
ィミド−トリアジン樹脂）基材、変性ＢＴレジン基材ま
たはセラミック等の絶縁性基材１であり、絶縁性基材１
の所定箇所にバンプを形成する側からレーザー加工を
し、電子部品搭載面の表面外層導体３に達する絶縁性基
材１を貫通する穴７を設ける。次に、めっきを施こし非
貫通穴内の導体層４と、絶縁性基材１の両方の表面の所
定箇所には所定の電子部品搭載面の表面外層導体３と、
バンプ形成側の表面外層体５とを印刷法や写真法により
形成し、電子部品搭載面の表面外層導体３とバンプ形成
側の表面外層導体５とを非貫通穴内の導体層４で電気的
に導通させる。上記に示すように配線基板１０の下部に
あるバンプ形成側の基板表面５Ａから絶縁性基材１の内
部に、その箇所の表面中央部がへこんだ非貫通穴となる
凹形状の電極パッド６を陥没して形成し、立体的（３次
元）な球面形状のバンプ４５取付用電極パッドとする。
【００１４】また、配線基板１０の外部へ接続するため
の端子となるバンプ形成側にある表面外層導体５に形成
される凹形状の電極パッド６として配線基板下面にある
開孔している穴端面の一部もしくは全周に接して表面外
層導体を設ける。しかし、高密度のパタ−ン設計をする
場合は、バンプ形成側にある表面外層導体５にはバンプ
形成用のランドを設けず、凹形状の非貫通穴の内壁のみ
に非貫通穴内の導体層４を形成する、いわゆるランドレ
ス形状とすることもできる。つまり、電子部品を搭載す
るための配線基板に外部へ接続する端子にバンプを形成
する配線基板１０において絶縁性基材１と、絶縁性基材
を貫通する穴７と、絶縁性基材を貫通する穴７の一方の
端面を塞ぐ電子部品搭載面の表面外層導体３と、閉孔し
ている非貫通穴内の導体層４とからなる非貫通導通穴で
ある凹形状の電極パッド６を有する電子部品搭載用配線
基板とする。また、この配線基板１０には貫通孔は設け
ず非貫通穴として、電子部品４０を配線基板１０に実装
する際、はんだ付け用のフラックス、はんだが貫通孔を
通じて電子部品４０の搭載面に流出したり、搭載した電
子部品４０やボンディング・ワイヤ４１をモールド樹脂
で被覆して保護する際にバンプ４５形成側へのモールド
樹脂が流出することを防止する。
の端子となるバンプ形成側にある表面外層導体５に形成
される凹形状の電極パッド６として配線基板下面にある
開孔している穴端面の一部もしくは全周に接して表面外
層導体を設ける。しかし、高密度のパタ−ン設計をする
場合は、バンプ形成側にある表面外層導体５にはバンプ
形成用のランドを設けず、凹形状の非貫通穴の内壁のみ
に非貫通穴内の導体層４を形成する、いわゆるランドレ
ス形状とすることもできる。つまり、電子部品を搭載す
るための配線基板に外部へ接続する端子にバンプを形成
する配線基板１０において絶縁性基材１と、絶縁性基材
を貫通する穴７と、絶縁性基材を貫通する穴７の一方の
端面を塞ぐ電子部品搭載面の表面外層導体３と、閉孔し
ている非貫通穴内の導体層４とからなる非貫通導通穴で
ある凹形状の電極パッド６を有する電子部品搭載用配線
基板とする。また、この配線基板１０には貫通孔は設け
ず非貫通穴として、電子部品４０を配線基板１０に実装
する際、はんだ付け用のフラックス、はんだが貫通孔を
通じて電子部品４０の搭載面に流出したり、搭載した電
子部品４０やボンディング・ワイヤ４１をモールド樹脂
で被覆して保護する際にバンプ４５形成側へのモールド
樹脂が流出することを防止する。
【００１５】銅張り積層板を用いる場合は、バンプを形
成する側の表面外層導体５を写真法や印刷法でエッチン
グレジスト膜を形成し、次にエッチング処理をして中央
部が所定の穴径となる非導体部を形成する。次に、前記
非導体部をレーザー加工用のマスクとして、バンプ形成
側からレーザー加工をして絶縁性基材１を穿孔し、電子
部品搭載面の表面外層導体３に達する絶縁性基材を貫通
する穴７を設けた後、無電解めっき、電解めっきを施こ
し非貫通穴内の導体層４を形成する。その次に、絶縁性
基材１の表面の所定箇所には所定の電子部品搭載面の表
面外層導体３と、バンプ形成側の表面外層体５とを印刷
法や写真法により形成する。電子部品搭載面の表面外層
導体３とバンプ形成側の表面外層導体５とをこの非貫通
穴内の導体層４で従来の貫通スルーホール穴と同様に両
面の表面外層導体が電気的に接続し導通をはかるように
する。なお、すべての導体回路を形成してから所定のソ
ルダーレジスト１７を施す。
成する側の表面外層導体５を写真法や印刷法でエッチン
グレジスト膜を形成し、次にエッチング処理をして中央
部が所定の穴径となる非導体部を形成する。次に、前記
非導体部をレーザー加工用のマスクとして、バンプ形成
側からレーザー加工をして絶縁性基材１を穿孔し、電子
部品搭載面の表面外層導体３に達する絶縁性基材を貫通
する穴７を設けた後、無電解めっき、電解めっきを施こ
し非貫通穴内の導体層４を形成する。その次に、絶縁性
基材１の表面の所定箇所には所定の電子部品搭載面の表
面外層導体３と、バンプ形成側の表面外層体５とを印刷
法や写真法により形成する。電子部品搭載面の表面外層
導体３とバンプ形成側の表面外層導体５とをこの非貫通
穴内の導体層４で従来の貫通スルーホール穴と同様に両
面の表面外層導体が電気的に接続し導通をはかるように
する。なお、すべての導体回路を形成してから所定のソ
ルダーレジスト１７を施す。
【００１６】次に、配線基板１０に形成されている凹形
状の電極パッド６の内部に、はんだ付用フラックスまた
は導電性ペースト８を塗布あるいは充填し、そこに球形
状のバンプ４５をはめ込んだ状態で接着して仮固定をす
る。導電性ペースト８としては、銀ペースト、銅ペース
ト、はんだペースト、カーボンペースト、銀−銅の混合
ペースト、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系の
ペーストなどがあるが一般的にはクリームはんだが使用
されている。なお、バンプ４５の材質として金、銅、黄
銅、軟銅、はんだ、鋼球に金属めっきをしたもの、樹脂
に金属めっきをしたものなどが用いられる。
状の電極パッド６の内部に、はんだ付用フラックスまた
は導電性ペースト８を塗布あるいは充填し、そこに球形
状のバンプ４５をはめ込んだ状態で接着して仮固定をす
る。導電性ペースト８としては、銀ペースト、銅ペース
ト、はんだペースト、カーボンペースト、銀−銅の混合
ペースト、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系の
ペーストなどがあるが一般的にはクリームはんだが使用
されている。なお、バンプ４５の材質として金、銅、黄
銅、軟銅、はんだ、鋼球に金属めっきをしたもの、樹脂
に金属めっきをしたものなどが用いられる。
【００１７】本発明のバンプ４５形成用の電極パッド
は、その表面中央部が凹形状に陥没しているため球形状
のバンプ４５（はんだボール４５Ａ）を、その内部には
め込むことは簡単にでき、また凹形状の電極パッド６は
２次元の格子交点の正しい電極パッド位置に設定されて
いるので容易に位置決めをすることができる。さらに、
凹形状の電極パッド６の非貫通穴の内径は挿入する球形
状のバンプ４５の外径Ｄより若干（０．０５〜０．２０
ｍｍ）大きくし、凹形状の電極パッド６の内径とバンプ
４５の外径Ｄとの間隙を少なくして平面的な位置決め精
度を高くする。
は、その表面中央部が凹形状に陥没しているため球形状
のバンプ４５（はんだボール４５Ａ）を、その内部には
め込むことは簡単にでき、また凹形状の電極パッド６は
２次元の格子交点の正しい電極パッド位置に設定されて
いるので容易に位置決めをすることができる。さらに、
凹形状の電極パッド６の非貫通穴の内径は挿入する球形
状のバンプ４５の外径Ｄより若干（０．０５〜０．２０
ｍｍ）大きくし、凹形状の電極パッド６の内径とバンプ
４５の外径Ｄとの間隙を少なくして平面的な位置決め精
度を高くする。
【００１８】さらに、この凹形状の電極パッド６の配線
基板１０のバンプ形成側の基板表面から凹設穴底面まで
の非貫通穴の深さＳは、この凹設穴にはめ込む球形状バ
ンプ４５の外径Ｄより若干小さくして配線基板１０のバ
ンプ形成側の基板表面から、バンプ４５の先端面が若干
（０．２０〜０．４０ｍｍ）突出するように、バンプ４
５の大きさを選定するか、または所定の非貫通穴の深さ
Ｓとなるように凹設穴を加工したり、配線基板１０の板
厚を選択して決めることもできる。
基板１０のバンプ形成側の基板表面から凹設穴底面まで
の非貫通穴の深さＳは、この凹設穴にはめ込む球形状バ
ンプ４５の外径Ｄより若干小さくして配線基板１０のバ
ンプ形成側の基板表面から、バンプ４５の先端面が若干
（０．２０〜０．４０ｍｍ）突出するように、バンプ４
５の大きさを選定するか、または所定の非貫通穴の深さ
Ｓとなるように凹設穴を加工したり、配線基板１０の板
厚を選択して決めることもできる。
【００１９】すなわち、図２に基づいて本発明による球
形状のバンプ４５を凹設する状態を説明する。配線基板
１０の凹形状の電極パッド６の内部に導電性ペースト８
を塗布してから球形状バンプ４５として例えば、球形状
のはんだボール４５Ａをはめ込み仮固定をした後、表面
がテフロン、セラミック、ガラスなどの非金属被膜で形
成されている平坦な治具４７に球形状のはんだボール４
５Ａの先端面が均一なレベルとなるように設定してリフ
ローはんだ付け等の熱処理によって、２次元に配置され
る多数の球形状のはんだボール４５Ａの突出する先端面
の高さが均一なレベルとなる。また、配線基板１０のバ
ンプ形成側の基板表面５Ａからバンプの先端面までの高
さＨを均一にするため治具４７には台座４８を設け、配
線基板１０の所定箇所を保持して熱処理を行なう。
形状のバンプ４５を凹設する状態を説明する。配線基板
１０の凹形状の電極パッド６の内部に導電性ペースト８
を塗布してから球形状バンプ４５として例えば、球形状
のはんだボール４５Ａをはめ込み仮固定をした後、表面
がテフロン、セラミック、ガラスなどの非金属被膜で形
成されている平坦な治具４７に球形状のはんだボール４
５Ａの先端面が均一なレベルとなるように設定してリフ
ローはんだ付け等の熱処理によって、２次元に配置され
る多数の球形状のはんだボール４５Ａの突出する先端面
の高さが均一なレベルとなる。また、配線基板１０のバ
ンプ形成側の基板表面５Ａからバンプの先端面までの高
さＨを均一にするため治具４７には台座４８を設け、配
線基板１０の所定箇所を保持して熱処理を行なう。
【００２０】なお、多層配線基板の凹設穴の一例として
図３に基づいて説明する。配線基板１０に形成する凹形
状の電極パッド６の形状として、配線基板１０の板厚が
厚い場合や多層配線基板である場合は配線基板１０のバ
ンプ形成側の基板表面５Ａから凹設穴底面までの非貫通
穴の深さＳは、この凹形状の電極パッド６にはめ込むバ
ンプ４５の大きさで決定される。従って電子部品搭載面
の表面外層導体３とバンプ形成側の表面外層導体５とは
必ずしも電気的に導通しているとは限らず、凹形状の電
極パッド６の絶縁性基材１内部や凹設穴の反対面に絶縁
樹脂や基材が存在することになる。多層配線基板では、
内層導体２のなかでもバンプ形成側の表面外層導体５
と、バンプ形成側に最も近い内層導体２Ａとの間に形成
されるブラインドスルーホール穴９を凹形状の電極パッ
ド６として利用することもできる。１７はソルダーレジ
ストを示す。
図３に基づいて説明する。配線基板１０に形成する凹形
状の電極パッド６の形状として、配線基板１０の板厚が
厚い場合や多層配線基板である場合は配線基板１０のバ
ンプ形成側の基板表面５Ａから凹設穴底面までの非貫通
穴の深さＳは、この凹形状の電極パッド６にはめ込むバ
ンプ４５の大きさで決定される。従って電子部品搭載面
の表面外層導体３とバンプ形成側の表面外層導体５とは
必ずしも電気的に導通しているとは限らず、凹形状の電
極パッド６の絶縁性基材１内部や凹設穴の反対面に絶縁
樹脂や基材が存在することになる。多層配線基板では、
内層導体２のなかでもバンプ形成側の表面外層導体５
と、バンプ形成側に最も近い内層導体２Ａとの間に形成
されるブラインドスルーホール穴９を凹形状の電極パッ
ド６として利用することもできる。１７はソルダーレジ
ストを示す。
【００２１】また、配線基板１０に形成される非貫通穴
の凹形状の電極パッド６の形状としては、非貫通穴の上
端縁と凹設穴の壁面とのなす断面角度が鈍角となる９０
゜〜１１０゜で形成することにより球形状のバンプ４５
を、凹形状の電極パッド６の一つである台形状の非貫通
穴内部に安定してはめ込むことは簡単にでき、台形状の
電極パッドの内径とバンプ４５の外径Ｄとの間隙が少な
くなり位置決め精度を高くすることができる。
の凹形状の電極パッド６の形状としては、非貫通穴の上
端縁と凹設穴の壁面とのなす断面角度が鈍角となる９０
゜〜１１０゜で形成することにより球形状のバンプ４５
を、凹形状の電極パッド６の一つである台形状の非貫通
穴内部に安定してはめ込むことは簡単にでき、台形状の
電極パッドの内径とバンプ４５の外径Ｄとの間隙が少な
くなり位置決め精度を高くすることができる。
【００２２】さらに、絶縁性基材１の薄い片面配線基板
について図４に基づいて説明する。すなわち、絶縁性基
材１の板厚が０．１０〜０．６０ｍｍと薄い片面配線基
板ではバンプ４５を形成する側の表面外層導体５を省略
し、絶縁性基材１と、絶縁性基材を貫通する穴７と、こ
の絶縁性基材を貫通する穴の一方の端面を塞ぐ表面外層
導体つまり、電子部品搭載面の表面外層導体３と、から
なる非貫通穴である凹形状の電極パッド６を有する電子
部品搭載用配線基板とする。電子部品を搭載するための
配線基板にバンプを形成する場合は、上記の絶縁性基材
を貫通する穴７の一方の端面を塞ぐ表面外層導体側に
は、通常は電子部品４０を搭載し、本発明では、この絶
縁性基材を貫通する穴７の内壁には導体層を形成せず、
球形状バンプ４５は電子部品搭載面の表面外層導体３の
反対面の非貫通穴内の導体層に、はんだ付用フラックス
または導電性ペースト８を塗布あるいは充填し、そこに
球形状のバンプ４５をはめ込んだ状態で接着して仮固定
をする。また、上記の電子部品搭載用配線基板は、片面
配線基板の他にフレキシブル配線基板でも非貫通穴であ
る凹形状の電極パッド６を形成することにより目的を達
成することができる。
について図４に基づいて説明する。すなわち、絶縁性基
材１の板厚が０．１０〜０．６０ｍｍと薄い片面配線基
板ではバンプ４５を形成する側の表面外層導体５を省略
し、絶縁性基材１と、絶縁性基材を貫通する穴７と、こ
の絶縁性基材を貫通する穴の一方の端面を塞ぐ表面外層
導体つまり、電子部品搭載面の表面外層導体３と、から
なる非貫通穴である凹形状の電極パッド６を有する電子
部品搭載用配線基板とする。電子部品を搭載するための
配線基板にバンプを形成する場合は、上記の絶縁性基材
を貫通する穴７の一方の端面を塞ぐ表面外層導体側に
は、通常は電子部品４０を搭載し、本発明では、この絶
縁性基材を貫通する穴７の内壁には導体層を形成せず、
球形状バンプ４５は電子部品搭載面の表面外層導体３の
反対面の非貫通穴内の導体層に、はんだ付用フラックス
または導電性ペースト８を塗布あるいは充填し、そこに
球形状のバンプ４５をはめ込んだ状態で接着して仮固定
をする。また、上記の電子部品搭載用配線基板は、片面
配線基板の他にフレキシブル配線基板でも非貫通穴であ
る凹形状の電極パッド６を形成することにより目的を達
成することができる。
【００２３】
【実施例】本発明における実施例として、配線基板１０
は板厚０．２ｍｍのＢＴレジン基材とし、ＢＧＡの端子
ピッチ１．０ｍｍで２次元のマトリクス状に配列できる
凹形状の電極パッド６を短パルスＣＯ2ガスレーザーで
穿孔し、銅めっきを施こし非貫通導通穴とした。バンプ
４５として、球形状のはんだボール４５Ａの外径φ０．
５０ｍｍを使用し、凹形状の電極パッド６の内径は０．
５５〜０．６５ｍｍとした。また、この凹形状の電極パ
ッド６の内部に、はんだボール４５Ａを仮固定する接着
剤として、はんだ付用フラックスを使用する場合には電
極パッド６の内径は０．５５〜０．６０ｍｍが良く、ク
リームはんだを使用する場合には０．６０〜０．６５ｍ
ｍが良好であった。
は板厚０．２ｍｍのＢＴレジン基材とし、ＢＧＡの端子
ピッチ１．０ｍｍで２次元のマトリクス状に配列できる
凹形状の電極パッド６を短パルスＣＯ2ガスレーザーで
穿孔し、銅めっきを施こし非貫通導通穴とした。バンプ
４５として、球形状のはんだボール４５Ａの外径φ０．
５０ｍｍを使用し、凹形状の電極パッド６の内径は０．
５５〜０．６５ｍｍとした。また、この凹形状の電極パ
ッド６の内部に、はんだボール４５Ａを仮固定する接着
剤として、はんだ付用フラックスを使用する場合には電
極パッド６の内径は０．５５〜０．６０ｍｍが良く、ク
リームはんだを使用する場合には０．６０〜０．６５ｍ
ｍが良好であった。
【００２４】上記の凹形状の電極パッド６のバンプ形成
側の基板表面５Ａから凹設穴底面までの非貫通穴の深さ
Ｓは約０．３８ｍｍとなり、バンプ４５（はんだボール
４５Ａ）の外径Ｄのφ０．５０ｍｍより０．１２ｍｍ小
さくしたが、この数値が０．１０mm未満ではバンプ４５
が凹設穴の内部に埋没してバンプ４５の先端面の露出高
さが不足し、０．３０ｍｍを越えるとバンプ４５の外径
Ｄの半分以上が露出して凹形状の電極パッド６の内部に
仮固定する２次元の位置決め精度が悪くなる。従って、
配線基板１０のバンプ形成側の基板表面から凹設穴底面
までの非貫通穴の深さＳはバンプの外径Ｄより０．１０
〜０．３０ｍｍ小さくし、配線基板１０のバンプ形成側
の基板表面からバンプの先端面までの高さＨが０．２０
〜０．４０ｍｍ突出するようにバンプを形成することが
良好である。
側の基板表面５Ａから凹設穴底面までの非貫通穴の深さ
Ｓは約０．３８ｍｍとなり、バンプ４５（はんだボール
４５Ａ）の外径Ｄのφ０．５０ｍｍより０．１２ｍｍ小
さくしたが、この数値が０．１０mm未満ではバンプ４５
が凹設穴の内部に埋没してバンプ４５の先端面の露出高
さが不足し、０．３０ｍｍを越えるとバンプ４５の外径
Ｄの半分以上が露出して凹形状の電極パッド６の内部に
仮固定する２次元の位置決め精度が悪くなる。従って、
配線基板１０のバンプ形成側の基板表面から凹設穴底面
までの非貫通穴の深さＳはバンプの外径Ｄより０．１０
〜０．３０ｍｍ小さくし、配線基板１０のバンプ形成側
の基板表面からバンプの先端面までの高さＨが０．２０
〜０．４０ｍｍ突出するようにバンプを形成することが
良好である。
【００２５】
【発明の効果】以上、図５で説明したように、従来の電
子部品４０を搭載した従来の配線基板３１の下面外層導
体３５に形成されている電極パッド３６は平面的で多数
の球形状バンプ４５を正確に位置決めをし、さらに球形
状バンプのバンプ形成側の基板表面５Ａから先端面の高
さまでのバラツキをなくして固定することは非常に難し
いが、本発明の図１〜図４で説明したように、従来の平
面的な電極パッドを配線基板１０の表面から絶縁性基材
１側内部に、その表面中央部を凹形状に陥没して非貫通
穴である凹形状の電極パッド６を形成し、凹形状の電極
パッド６内部に球形状バンプ４５を簡単にはめ込むこと
により、正しい電極パッド位置に容易に位置決めをする
ことができる。
子部品４０を搭載した従来の配線基板３１の下面外層導
体３５に形成されている電極パッド３６は平面的で多数
の球形状バンプ４５を正確に位置決めをし、さらに球形
状バンプのバンプ形成側の基板表面５Ａから先端面の高
さまでのバラツキをなくして固定することは非常に難し
いが、本発明の図１〜図４で説明したように、従来の平
面的な電極パッドを配線基板１０の表面から絶縁性基材
１側内部に、その表面中央部を凹形状に陥没して非貫通
穴である凹形状の電極パッド６を形成し、凹形状の電極
パッド６内部に球形状バンプ４５を簡単にはめ込むこと
により、正しい電極パッド位置に容易に位置決めをする
ことができる。
【００２６】また、本発明では凹形状の電極パッド６内
部に球形状バンプ４５を挿入形成する深さを治具４７に
より調節することにより、多数の球形状バンプ４５の突
出する先端面の高さレベルを平坦化でき、親配線基板２
２の接続用ランド２６との間隔が一定となり、電子部品
搭載用配線基板と親配線基板２２とのバンプ接続による
実装を簡単な構成によって確実に行い高い信頼性を確保
することができる。
部に球形状バンプ４５を挿入形成する深さを治具４７に
より調節することにより、多数の球形状バンプ４５の突
出する先端面の高さレベルを平坦化でき、親配線基板２
２の接続用ランド２６との間隔が一定となり、電子部品
搭載用配線基板と親配線基板２２とのバンプ接続による
実装を簡単な構成によって確実に行い高い信頼性を確保
することができる。
【図１】本発明を説明する電子部品搭載状態の配線基板
断面図。
断面図。
【図２】本発明による球形状のバンプを凹設する状態を
示した断面図。
示した断面図。
【図３】本発明の多層配線基板凹設穴の例を示す配線基
板断面図。
板断面図。
【図４】本発明の片面配線基板の電子部品搭載用配線基
板断面図。
板断面図。
【図５】従来の電子部品搭載用の配線基板断面図。
１…絶縁性基材 ２…内層導体 ３…電子部品搭
載面の表面外層導体 ４…非貫通穴内の導体層 ５…バンプ形成側
の表面外層導体 ５Ａ…バンプ形成側の基板表面 ６…凹形状の電極
パッド ７…絶縁性基材を貫通する穴 ８…導電性ペース
ト ９…ブラインドスルーホール穴 １０…配線基板 １
７…ソルダーレジスト ２２…親配線基板（マザーボード） ２６…接続用ラン
ド ２８…クリームはんだ ３１…従来の配線基板 ３
２…貫通孔 ３３…上面外層導体 ３４…スルーホールめっき層 ３５…下面外層導体 ３６…電極パッド ３９…充填物 ４０…電子部品 ４１…ボン
ディング・ワイヤ ４５…バンプ ４５Ａ…はんだボール ４７…治具
４８…台座 Ｄ…バンプの外径 Ｓ…非貫通
穴の深さ Ｈ…バンプ形成側の基板表面からバンプの先端面までの
高さ。
載面の表面外層導体 ４…非貫通穴内の導体層 ５…バンプ形成側
の表面外層導体 ５Ａ…バンプ形成側の基板表面 ６…凹形状の電極
パッド ７…絶縁性基材を貫通する穴 ８…導電性ペース
ト ９…ブラインドスルーホール穴 １０…配線基板 １
７…ソルダーレジスト ２２…親配線基板（マザーボード） ２６…接続用ラン
ド ２８…クリームはんだ ３１…従来の配線基板 ３
２…貫通孔 ３３…上面外層導体 ３４…スルーホールめっき層 ３５…下面外層導体 ３６…電極パッド ３９…充填物 ４０…電子部品 ４１…ボン
ディング・ワイヤ ４５…バンプ ４５Ａ…はんだボール ４７…治具
４８…台座 Ｄ…バンプの外径 Ｓ…非貫通
穴の深さ Ｈ…バンプ形成側の基板表面からバンプの先端面までの
高さ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｌ
Claims (5)
- 【請求項１】 配線基板の外部へ接続する端子にバンプ
を形成する配線基板において、絶縁性基材と、絶縁性基
材を貫通する穴と、絶縁性基材を貫通する穴の一方の端
面を塞ぐ表面外層導体と、からなる凹形状の電極パッド
を有することを特徴とする電子部品搭載用配線基板。 - 【請求項２】 配線基板の外部へ接続する端子にバンプ
を形成する配線基板において、絶縁性基材と、絶縁性基
材を貫通する穴と、絶縁性基材を貫通する穴の一方の端
面を塞ぐ表面外層導体と、閉孔している非貫通穴内の導
体層と、からなる凹形状の電極パッドを有することを特
徴とする電子部品搭載用配線基板。 - 【請求項３】 配線基板の外部へ接続する端子にバンプ
を形成する配線基板において、絶縁性基材と、絶縁性基
材を貫通する穴と、絶縁性基材を貫通する穴の一方の端
面を塞ぐ表面外層導体と、閉孔している非貫通穴内の導
体層と、絶縁性基材を貫通する穴の他方の開孔している
穴端面の一部もしくは全周に接して設けられた外層導体
と、からなる凹形状の電極パッドを有することを特徴と
する電子部品搭載用配線基板。 - 【請求項４】 配線基板の外部へ接続する端子にバンプ
を形成する多層配線基板において、バンプを形成する側
の表面外層導体と、内層導体との間に形成するブライン
ドスルーホール穴を、バンプを形成する凹形状の電極パ
ッドとして使用することを特徴とする電子部品搭載用配
線基板。 - 【請求項５】 前記凹形状の電極パッドにおいて、非貫
通穴の深さ（Ｓ）が上記バンプの外径（Ｄ）よりも若干
小さく形成されていることを特徴とする請求項１から請
求項４のいずれかに記載の電子部品搭載用配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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