JPH10340935A - 検査装置 - Google Patents
検査装置Info
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- JPH10340935A JPH10340935A JP9149231A JP14923197A JPH10340935A JP H10340935 A JPH10340935 A JP H10340935A JP 9149231 A JP9149231 A JP 9149231A JP 14923197 A JP14923197 A JP 14923197A JP H10340935 A JPH10340935 A JP H10340935A
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- JP
- Japan
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- defect
- unit
- inspection apparatus
- stage
- learning
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- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 自動的に欠陥を確実且つ効率良く検査する検
査装置を提供する。 【解決手段】 予備検査機8によっておおよその位置を
把握された欠陥を有するウェーハ2は、ステージ1上に
載置される。学習部11cは、欠陥を撮像するカメラ3
の焦点に欠陥が位置するように、ステージ制御部6に指
示してウェーハ2を移動させる。この移動とカメラ3の
倍率の引き上げとは交互に行われ、欠陥の位置が高精度
に補正される。位置が高精度に補正された欠陥に対し
て、分析部12による成分分析及び加工機16によるレ
ーザー加工が行われる。カメラ3によって得られた画像
と成分分析の結果とレーザー加工の効果の有無とは互い
に対応付けられ、学習部11cによって学習される。こ
の学習結果に基づき、学習部11cはウェーハ2に存在
する新たな欠陥に対して成分分析及びレーザー加工を行
うか否かを決定する。
査装置を提供する。 【解決手段】 予備検査機8によっておおよその位置を
把握された欠陥を有するウェーハ2は、ステージ1上に
載置される。学習部11cは、欠陥を撮像するカメラ3
の焦点に欠陥が位置するように、ステージ制御部6に指
示してウェーハ2を移動させる。この移動とカメラ3の
倍率の引き上げとは交互に行われ、欠陥の位置が高精度
に補正される。位置が高精度に補正された欠陥に対し
て、分析部12による成分分析及び加工機16によるレ
ーザー加工が行われる。カメラ3によって得られた画像
と成分分析の結果とレーザー加工の効果の有無とは互い
に対応付けられ、学習部11cによって学習される。こ
の学習結果に基づき、学習部11cはウェーハ2に存在
する新たな欠陥に対して成分分析及びレーザー加工を行
うか否かを決定する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板に存在
する欠陥の検査装置に関する。
する欠陥の検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイス又はディスプレイ基板等
の欠陥を検査する前には、まず欠陥の存在する位置を知
らなければならない。この位置に基づいて観察、分析又
は断面の加工等を行うことによって、欠陥の検査がなさ
れる。
の欠陥を検査する前には、まず欠陥の存在する位置を知
らなければならない。この位置に基づいて観察、分析又
は断面の加工等を行うことによって、欠陥の検査がなさ
れる。
【0003】欠陥の位置は、従来の検査装置によって探
索され情報として出力される。断面の加工等を行う場合
には、欠陥の位置に関する情報は正確でなければならな
い。しかし、従来の検査装置によって得られる情報は正
確性に欠けている。そこで、情報によって示されている
位置を中心に、手動で実際の欠陥の位置を探さねばなら
なかった。
索され情報として出力される。断面の加工等を行う場合
には、欠陥の位置に関する情報は正確でなければならな
い。しかし、従来の検査装置によって得られる情報は正
確性に欠けている。そこで、情報によって示されている
位置を中心に、手動で実際の欠陥の位置を探さねばなら
なかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】手動によって欠陥の位
置を探すことは非常に手間及び時間のかかる作業であ
り、検査の効率が悪くなってしまうという問題点があ
る。また、検査の効率が悪いために、検査を行うことが
できる製品の数が限られてしまう。これによって、開発
試作品又は製作治具等の特に重要である製品のみしか検
査することができず、販売目的又は使用目的の為に量産
される製品に対して欠陥の検査を行うことができないと
いう制約を受けるという問題点がある。
置を探すことは非常に手間及び時間のかかる作業であ
り、検査の効率が悪くなってしまうという問題点があ
る。また、検査の効率が悪いために、検査を行うことが
できる製品の数が限られてしまう。これによって、開発
試作品又は製作治具等の特に重要である製品のみしか検
査することができず、販売目的又は使用目的の為に量産
される製品に対して欠陥の検査を行うことができないと
いう制約を受けるという問題点がある。
【0005】本発明は以上の問題点に鑑み、欠陥を自動
的に、確実且つ効率良く検査する検査装置を提供するこ
とを目的とする。
的に、確実且つ効率良く検査する検査装置を提供するこ
とを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の検査装
置は、被検査体である半導体基板が有する欠陥の位置を
抽出する抽出手段と、前記欠陥の拡大及び観察を行う観
察手段と、抽出された前記位置を前記観察手段の観察視
野に収める収納動作を、前記半導体基板と該観察手段と
の相対的な移動によって、前記拡大に並行して遂行する
制御手段と、前記相対的な移動の学習を行い、学習済の
該相対的な移動を新たな欠陥に対して再現することを前
記制御手段に指示する学習手段とを備える。
置は、被検査体である半導体基板が有する欠陥の位置を
抽出する抽出手段と、前記欠陥の拡大及び観察を行う観
察手段と、抽出された前記位置を前記観察手段の観察視
野に収める収納動作を、前記半導体基板と該観察手段と
の相対的な移動によって、前記拡大に並行して遂行する
制御手段と、前記相対的な移動の学習を行い、学習済の
該相対的な移動を新たな欠陥に対して再現することを前
記制御手段に指示する学習手段とを備える。
【0007】請求項2に記載の検査装置は、請求項1に
記載の検査装置であって、前記学習は、前記相対的な移
動の向き及び量を記憶することによってなされる。
記載の検査装置であって、前記学習は、前記相対的な移
動の向き及び量を記憶することによってなされる。
【0008】請求項3に記載の検査装置は、請求項2に
記載の検査装置であって、前記向き及び前記量は、前記
検査装置の電源が切られているときにも続けて記憶され
る。
記載の検査装置であって、前記向き及び前記量は、前記
検査装置の電源が切られているときにも続けて記憶され
る。
【0009】請求項4に記載の検査装置は、請求項1、
請求項2または請求項3に記載の検査装置であって、前
記欠陥の成分を分析して分析結果を得る分析手段を更に
備え、前記観察手段は、前記欠陥の画像情報を取り込
み、前記学習手段は、前記分析結果と前記画像情報との
対応付けによる学習に基づき、新たな画像情報を与える
前記新たな欠陥の種別を判別し、前記新たな欠陥に対し
て前記分析手段が稼動するか否かを決定する。
請求項2または請求項3に記載の検査装置であって、前
記欠陥の成分を分析して分析結果を得る分析手段を更に
備え、前記観察手段は、前記欠陥の画像情報を取り込
み、前記学習手段は、前記分析結果と前記画像情報との
対応付けによる学習に基づき、新たな画像情報を与える
前記新たな欠陥の種別を判別し、前記新たな欠陥に対し
て前記分析手段が稼動するか否かを決定する。
【0010】請求項5に記載の検査装置は、請求項4に
記載の検査装置であって、前記新たな欠陥の補修を行う
補修手段を更に備え、前記学習手段は、前記対応付けに
よって判別された前記種別に応じて、前記補修手段が稼
動するか否かを決定する。
記載の検査装置であって、前記新たな欠陥の補修を行う
補修手段を更に備え、前記学習手段は、前記対応付けに
よって判別された前記種別に応じて、前記補修手段が稼
動するか否かを決定する。
【0011】請求項6に記載の検査装置は、請求項5に
記載の検査装置であって、前記半導体基板はディスプレ
イ用の基板である。
記載の検査装置であって、前記半導体基板はディスプレ
イ用の基板である。
【0012】請求項7に記載の検査装置は、請求項1に
記載の検査装置であって、前記抽出手段と前記観察手段
とは、互いに別個であり、前記半導体基板は、前記半導
体基板における相対的な位置の基準となる第1及び第2
のポインタそれぞれの位置である第1及び第2の位置を
前記抽出手段によって抽出され、前記第1及び第2の位
置を前記抽出手段によって抽出された後に、前記制御手
段によって動きを制御されるステージ上に載置され、前
記観察手段は、前記ステージ上に載置された前記半導体
基板に関して、前記第1及び第2の位置を抽出し、前記
学習手段は、前記半導体基板が前記ステージ上に正しく
載置されている場合の仮想的な前記第1及び第2の位置
と、前記観察手段によって抽出された前記第1及び第2
の位置とをそれぞれ比較することによって、該半導体基
板と該ステージとの位置関係のズレを認識し、前記ズレ
が解消される前記ステージの移動を前記制御手段に指示
する。
記載の検査装置であって、前記抽出手段と前記観察手段
とは、互いに別個であり、前記半導体基板は、前記半導
体基板における相対的な位置の基準となる第1及び第2
のポインタそれぞれの位置である第1及び第2の位置を
前記抽出手段によって抽出され、前記第1及び第2の位
置を前記抽出手段によって抽出された後に、前記制御手
段によって動きを制御されるステージ上に載置され、前
記観察手段は、前記ステージ上に載置された前記半導体
基板に関して、前記第1及び第2の位置を抽出し、前記
学習手段は、前記半導体基板が前記ステージ上に正しく
載置されている場合の仮想的な前記第1及び第2の位置
と、前記観察手段によって抽出された前記第1及び第2
の位置とをそれぞれ比較することによって、該半導体基
板と該ステージとの位置関係のズレを認識し、前記ズレ
が解消される前記ステージの移動を前記制御手段に指示
する。
【0013】請求項8に記載の検査装置は、請求項1に
記載の検査装置であって、前記学習手段は、前記欠陥が
前記観察視野内にて観察不可能であることを検知する
と、前記観察手段には倍率の引き下げを指示し、前記制
御手段には、前記半導体基板における相対的な位置の基
準となるポインタが前記引き下げ後の前記観察視野に収
納されることを指示し、前記観察手段は、前記観察視野
に収納された前記ポインタの位置である基準位置を抽出
し、前記学習手段は、前記抽出手段によって得られてい
る前記ポインタの位置と前記欠陥の位置との間の相対的
な位置の分の移動を、前記基準位置を始点として行うこ
とを前記制御手段に指示する。
記載の検査装置であって、前記学習手段は、前記欠陥が
前記観察視野内にて観察不可能であることを検知する
と、前記観察手段には倍率の引き下げを指示し、前記制
御手段には、前記半導体基板における相対的な位置の基
準となるポインタが前記引き下げ後の前記観察視野に収
納されることを指示し、前記観察手段は、前記観察視野
に収納された前記ポインタの位置である基準位置を抽出
し、前記学習手段は、前記抽出手段によって得られてい
る前記ポインタの位置と前記欠陥の位置との間の相対的
な位置の分の移動を、前記基準位置を始点として行うこ
とを前記制御手段に指示する。
【0014】請求項9に記載の検査装置は、請求項8に
記載の検査装置であって、前記学習手段は、前記基準位
置が抽出された後であり、前記基準位置を始点として前
記相対的な位置の分の移動を行うことを指示するよりも
前に、前記観察手段に前記倍率の引き上げを指示する。
記載の検査装置であって、前記学習手段は、前記基準位
置が抽出された後であり、前記基準位置を始点として前
記相対的な位置の分の移動を行うことを指示するよりも
前に、前記観察手段に前記倍率の引き上げを指示する。
【0015】
実施の形態1.本実施の形態においては、欠陥を自動的
に検査する検査装置の構成を示す。図1は、本実施の形
態に従う検査装置の構成を例示するブロック図である。
本実施の形態の検査装置は、ウェーハ2が有する表面的
な又は内部的な欠陥の有無の検査を散乱光を用いて行う
装置である。図2は、本実施の形態の検査装置の処理動
作を順に例示するフローチャートである。欠陥の検査
は、ステップS1において開始される。
に検査する検査装置の構成を示す。図1は、本実施の形
態に従う検査装置の構成を例示するブロック図である。
本実施の形態の検査装置は、ウェーハ2が有する表面的
な又は内部的な欠陥の有無の検査を散乱光を用いて行う
装置である。図2は、本実施の形態の検査装置の処理動
作を順に例示するフローチャートである。欠陥の検査
は、ステップS1において開始される。
【0016】次にステップS2において、被検査体であ
るウェーハ2の欠陥の位置を表す座標を抽出する。本実
施の形態の検査装置には図1に例示されるように、ウェ
ーハ2の欠陥の位置に関する座標を抽出する、予備検査
機8が備えられている。まず、検査者自身がウェーハ2
を予備検査機8へと持ち込む。予備検査機8は周知の構
成をしており、持ち込まれたウェーハ2に存在する欠陥
を自動的に捜し当て、欠陥の座標を抽出する。存在する
欠陥が複数である場合にも、全ての欠陥に関して座標の
抽出が行われる。
るウェーハ2の欠陥の位置を表す座標を抽出する。本実
施の形態の検査装置には図1に例示されるように、ウェ
ーハ2の欠陥の位置に関する座標を抽出する、予備検査
機8が備えられている。まず、検査者自身がウェーハ2
を予備検査機8へと持ち込む。予備検査機8は周知の構
成をしており、持ち込まれたウェーハ2に存在する欠陥
を自動的に捜し当て、欠陥の座標を抽出する。存在する
欠陥が複数である場合にも、全ての欠陥に関して座標の
抽出が行われる。
【0017】抽出された座標は、座標用信号線9を介し
て学習部11へと伝達され、学習部11に備わる図示を
省略されている記憶回路において保持される。予備検査
機8による座標の抽出が完了された後に、検査者はウェ
ーハ2を予備検査機8から移動させ、X−Yステージ1
上に載置する。X−Yステージ1は、ステージ制御部6
によって動きを制御されており、ウェーハ2が載置され
る面内において互いに直交するX方向及びY方向を含む
平面方向における動きと、この平面方向に直交する、ウ
ェーハ2を観察するカメラ3に接近したり離れたりする
上下方向であるZ方向における動きと、Z軸を中心とし
て回転する動きと、X−YステージとZ軸とがなす角度
を変更する動き(X−Yステージを傾ける動き)とが可
能となっている。
て学習部11へと伝達され、学習部11に備わる図示を
省略されている記憶回路において保持される。予備検査
機8による座標の抽出が完了された後に、検査者はウェ
ーハ2を予備検査機8から移動させ、X−Yステージ1
上に載置する。X−Yステージ1は、ステージ制御部6
によって動きを制御されており、ウェーハ2が載置され
る面内において互いに直交するX方向及びY方向を含む
平面方向における動きと、この平面方向に直交する、ウ
ェーハ2を観察するカメラ3に接近したり離れたりする
上下方向であるZ方向における動きと、Z軸を中心とし
て回転する動きと、X−YステージとZ軸とがなす角度
を変更する動き(X−Yステージを傾ける動き)とが可
能となっている。
【0018】次に、図2のステップS3においては、学
習部11は自身に備わる記憶回路において保持されてい
る欠陥の座標のうちの1つを読み出す。引き続くステッ
プS4においては、学習部11は、読み出された座標に
よって表される位置がウェーハ2の欠陥を観察するカメ
ラ3の焦点に一致するように、移動用信号線10bを介
してステージ制御部6にX−Yステージ1の移動を指示
する。移動後のX−Yステージ1の位置は、学習部11
に備わる記憶回路にて保持される。尚、カメラ3の焦点
は、X−Yステージ1の平面方向(X方向及びY方向を
含む方向)においてはカメラ3の視野の中心に位置す
る。
習部11は自身に備わる記憶回路において保持されてい
る欠陥の座標のうちの1つを読み出す。引き続くステッ
プS4においては、学習部11は、読み出された座標に
よって表される位置がウェーハ2の欠陥を観察するカメ
ラ3の焦点に一致するように、移動用信号線10bを介
してステージ制御部6にX−Yステージ1の移動を指示
する。移動後のX−Yステージ1の位置は、学習部11
に備わる記憶回路にて保持される。尚、カメラ3の焦点
は、X−Yステージ1の平面方向(X方向及びY方向を
含む方向)においてはカメラ3の視野の中心に位置す
る。
【0019】以上のような移動によって、カメラ3の焦
点と、欠陥が存在する位置とは、互いに一致するはずで
ある。しかし、予備検査機8によって抽出された座標の
精度は、ステップS4における移動によって欠陥の位置
と焦点とが完全に一致するほどには高くない。また、予
備検査機8とステージ制御部6との間には、固有のズレ
が存在している。これらの理由によって、焦点と欠陥の
実際の位置とはどうしてもずれてしまう。従って、ステ
ップS4におけるX−Yステージ1の移動のすぐ後に欠
陥を観察しようとしてカメラ3を高倍率にすると、ズレ
によって欠陥がカメラ3の視野から外れてしまう。
点と、欠陥が存在する位置とは、互いに一致するはずで
ある。しかし、予備検査機8によって抽出された座標の
精度は、ステップS4における移動によって欠陥の位置
と焦点とが完全に一致するほどには高くない。また、予
備検査機8とステージ制御部6との間には、固有のズレ
が存在している。これらの理由によって、焦点と欠陥の
実際の位置とはどうしてもずれてしまう。従って、ステ
ップS4におけるX−Yステージ1の移動のすぐ後に欠
陥を観察しようとしてカメラ3を高倍率にすると、ズレ
によって欠陥がカメラ3の視野から外れてしまう。
【0020】そこで、このズレを補正するために、引き
続くステップS5においてカメラ3によって欠陥の撮像
を行う。撮像の際のカメラ3の倍率は、欠陥を確実に視
野内に収めるために、視野の中心から予想されるズレの
分だけずれた欠陥が視野の中に入る程度に低く設定して
おく。
続くステップS5においてカメラ3によって欠陥の撮像
を行う。撮像の際のカメラ3の倍率は、欠陥を確実に視
野内に収めるために、視野の中心から予想されるズレの
分だけずれた欠陥が視野の中に入る程度に低く設定して
おく。
【0021】撮像によって得られた画像は、図1の画像
信号線5を介して画像処理部4へと送られる。画像処理
部4においては、ステップS6における動作として、受
け取った画像に処理を施し、背景からの分離によって欠
陥を抽出する。そして、抽出された欠陥に関して、欠陥
の座標、シルエット、大きさ、表面粗さ及び背景に対す
るコントラスト等の情報を収集する。欠陥の座標は、座
標用信号線10aを介して学習部11に送られる。
信号線5を介して画像処理部4へと送られる。画像処理
部4においては、ステップS6における動作として、受
け取った画像に処理を施し、背景からの分離によって欠
陥を抽出する。そして、抽出された欠陥に関して、欠陥
の座標、シルエット、大きさ、表面粗さ及び背景に対す
るコントラスト等の情報を収集する。欠陥の座標は、座
標用信号線10aを介して学習部11に送られる。
【0022】カメラ3の精度は予備検査機8よりも高い
ものであり、ステップS6において得られた欠陥の座標
はステップS2において得られた座標よりも正確であ
る。尚、ステップS6において得られる欠陥のシルエッ
ト等の情報は、カメラ3の倍率の不足及びカメラ3の焦
点と欠陥の位置との不一致によって、欠陥の種類等を把
握するには不十分である。
ものであり、ステップS6において得られた欠陥の座標
はステップS2において得られた座標よりも正確であ
る。尚、ステップS6において得られる欠陥のシルエッ
ト等の情報は、カメラ3の倍率の不足及びカメラ3の焦
点と欠陥の位置との不一致によって、欠陥の種類等を把
握するには不十分である。
【0023】そこで、高倍率に欠陥の撮像を行うために
ステップS6において得られた欠陥の座標とカメラ3の
焦点とが一致するように、欠陥の座標を入力された学習
部11はステップS4と同様のX−Yステージ1の移動
を再度行うようにステージ制御部6に指示する。この移
動によって達成される欠陥の位置の高精度な補正(ステ
ップS7)によって、カメラ3とステージ制御部6との
間の固有のズレによって生じてしまう、カメラ3の倍率
を引き上げた際に欠陥が視野から外れてしまうという問
題が解消される。
ステップS6において得られた欠陥の座標とカメラ3の
焦点とが一致するように、欠陥の座標を入力された学習
部11はステップS4と同様のX−Yステージ1の移動
を再度行うようにステージ制御部6に指示する。この移
動によって達成される欠陥の位置の高精度な補正(ステ
ップS7)によって、カメラ3とステージ制御部6との
間の固有のズレによって生じてしまう、カメラ3の倍率
を引き上げた際に欠陥が視野から外れてしまうという問
題が解消される。
【0024】次に、ステップS8においては、倍率が十
分に高いか否かを判断する。“NO”と判断された場合
には、ステップS9においてカメラ3の倍率を引き上
げ、この後にステップS5に引き返す。このような構成
によって、十分に高い倍率となるまで、ステップS9に
おける倍率の引き上げ及びステップS7における欠陥の
位置の高精度な補正が交互に繰り返されることになる。
従って、欠陥の情報が十分詳細に得られる倍率となる以
前に欠陥が視野から外れてしまうことはない。
分に高いか否かを判断する。“NO”と判断された場合
には、ステップS9においてカメラ3の倍率を引き上
げ、この後にステップS5に引き返す。このような構成
によって、十分に高い倍率となるまで、ステップS9に
おける倍率の引き上げ及びステップS7における欠陥の
位置の高精度な補正が交互に繰り返されることになる。
従って、欠陥の情報が十分詳細に得られる倍率となる以
前に欠陥が視野から外れてしまうことはない。
【0025】ステップS8において倍率が十分に高いと
して“YES”と判断された場合には、ステップS10
に移行する。ステップS10においては、フラグが立っ
ているか否かを判断する。フラグを立てることについて
はステップS15において説明を行うが、現時点ではフ
ラグは立てられておらず、“NO”と判断される。
して“YES”と判断された場合には、ステップS10
に移行する。ステップS10においては、フラグが立っ
ているか否かを判断する。フラグを立てることについて
はステップS15において説明を行うが、現時点ではフ
ラグは立てられておらず、“NO”と判断される。
【0026】次に、ステップS11においては、ステッ
プS5〜ステップS9において複数回処理が繰り返され
ることに応じてステップS7において複数回行われた、
高精度補正をなすためのX−Yステージ1の移動の積分
を行う。移動の積分は、ステップS4における移動後の
X−Yステージ1の位置と、ステップS11の時点にお
けるX−Yステージ1の位置との座標の差異を減算によ
って求めることによって行われる。積分の際には、3成
分の座標(X座標、Y座標及びZ座標)についてそれぞ
れ減算がなされる。
プS5〜ステップS9において複数回処理が繰り返され
ることに応じてステップS7において複数回行われた、
高精度補正をなすためのX−Yステージ1の移動の積分
を行う。移動の積分は、ステップS4における移動後の
X−Yステージ1の位置と、ステップS11の時点にお
けるX−Yステージ1の位置との座標の差異を減算によ
って求めることによって行われる。積分の際には、3成
分の座標(X座標、Y座標及びZ座標)についてそれぞ
れ減算がなされる。
【0027】ステップS7における高精度な補正のため
に複数回行われたX−Yステージ1の移動は、予備検査
機8及びカメラ3それぞれとステージ制御部6との間の
固有のズレを、ステップS9における倍率の引き上げと
ステップS7における高精度な補正との繰り返しによっ
て修正するために行われたものである。従って、ステッ
プS11における積分によって得られた積分値とは即
ち、検査機8及びカメラ3それぞれとステージ制御部6
との間の固有のズレ自体を表すものである。積分値とし
て学習された固有のズレは、学習部11に備わる記憶回
路において保持される。
に複数回行われたX−Yステージ1の移動は、予備検査
機8及びカメラ3それぞれとステージ制御部6との間の
固有のズレを、ステップS9における倍率の引き上げと
ステップS7における高精度な補正との繰り返しによっ
て修正するために行われたものである。従って、ステッ
プS11における積分によって得られた積分値とは即
ち、検査機8及びカメラ3それぞれとステージ制御部6
との間の固有のズレ自体を表すものである。積分値とし
て学習された固有のズレは、学習部11に備わる記憶回
路において保持される。
【0028】次に、ステップS12においては、欠陥の
観察が行われる。欠陥の観察は、図1に例示される画像
処理部4において収集された、欠陥の座標、シルエッ
ト、大きさ、表面粗さ及び背景に対するコントラスト等
の情報に基づいて行われる。画像処理部4には図示を省
略されたモニタが接続されており、検査者はモニタによ
って欠陥の情報を確認できる。
観察が行われる。欠陥の観察は、図1に例示される画像
処理部4において収集された、欠陥の座標、シルエッ
ト、大きさ、表面粗さ及び背景に対するコントラスト等
の情報に基づいて行われる。画像処理部4には図示を省
略されたモニタが接続されており、検査者はモニタによ
って欠陥の情報を確認できる。
【0029】次に、ステップS13においては、画像処
理部4内にステップS12における観察の済んでいない
欠陥が残っているか、即ち、観察すべき欠陥が有るか否
かを判断する。欠陥が無いとして“NO”と判断された
場合には、ステップS14において欠陥の検査を終了す
る。“YES”と判断された場合には、ステップS15
に移行する。
理部4内にステップS12における観察の済んでいない
欠陥が残っているか、即ち、観察すべき欠陥が有るか否
かを判断する。欠陥が無いとして“NO”と判断された
場合には、ステップS14において欠陥の検査を終了す
る。“YES”と判断された場合には、ステップS15
に移行する。
【0030】ステップS15においては、ステップS1
2において欠陥の観察が少なくとも1回は行われた合図
として、フラグが立てられる。フラグは、検査機8及び
カメラ3それぞれとステージ制御部6との間の固有のズ
レがステップS11における移動の積分によって学習済
であることを示すために立てられるものである。
2において欠陥の観察が少なくとも1回は行われた合図
として、フラグが立てられる。フラグは、検査機8及び
カメラ3それぞれとステージ制御部6との間の固有のズ
レがステップS11における移動の積分によって学習済
であることを示すために立てられるものである。
【0031】観察が済んでいない他の欠陥の観察を行う
ためには、図1に例示されるカメラ3の倍率を引き下げ
ておかなければならない。そこで、ステップS16にお
いて倍率の引き下げが行われる。ただし、引き下げ後の
倍率は、ステップS3において欠陥の座標の読み出しが
行われたときの倍率よりも高くて良い。このように倍率
を比較的高めに設定しておける理由については、後に説
明を行う。
ためには、図1に例示されるカメラ3の倍率を引き下げ
ておかなければならない。そこで、ステップS16にお
いて倍率の引き下げが行われる。ただし、引き下げ後の
倍率は、ステップS3において欠陥の座標の読み出しが
行われたときの倍率よりも高くて良い。このように倍率
を比較的高めに設定しておける理由については、後に説
明を行う。
【0032】次に、ステップS3における欠陥の座標の
読み出しと同様の読み出しが、観察されていない欠陥に
対してステップS3aにおいて行われる。引き続きステ
ップS4aにおいて、ステップS4におけるX−Yステ
ージ1の移動と同様の移動が、新たに座標が読み出され
た欠陥に対して行われる。しかし、同様とはいっても、
この際のX−Yステージ1の移動は、読み出された座標
がカメラ3の焦点に位置する移動に、更にステップS1
1において得られた移動の積分値が足されたものであ
る。このような移動は、学習部11がステージ制御部6
に指示を行うことによってなされる。
読み出しと同様の読み出しが、観察されていない欠陥に
対してステップS3aにおいて行われる。引き続きステ
ップS4aにおいて、ステップS4におけるX−Yステ
ージ1の移動と同様の移動が、新たに座標が読み出され
た欠陥に対して行われる。しかし、同様とはいっても、
この際のX−Yステージ1の移動は、読み出された座標
がカメラ3の焦点に位置する移動に、更にステップS1
1において得られた移動の積分値が足されたものであ
る。このような移動は、学習部11がステージ制御部6
に指示を行うことによってなされる。
【0033】既述のように、移動の積分値は、検査機8
及びカメラ3それぞれとステージ制御部6との間の固有
のズレを表すものである。従って、ステップS11にお
いて得られた積分値を付加してX−Yステージ1の移動
を行うことによって、既に行われた固有のズレに対する
補正が再現される。これによって、座標を焦点に位置さ
せる移動を行うことに並行して固有のズレに対する補正
が行われることになり、ズレが補正済の状態にて新たな
欠陥がカメラ3の焦点に位置することになる。
及びカメラ3それぞれとステージ制御部6との間の固有
のズレを表すものである。従って、ステップS11にお
いて得られた積分値を付加してX−Yステージ1の移動
を行うことによって、既に行われた固有のズレに対する
補正が再現される。これによって、座標を焦点に位置さ
せる移動を行うことに並行して固有のズレに対する補正
が行われることになり、ズレが補正済の状態にて新たな
欠陥がカメラ3の焦点に位置することになる。
【0034】固有のズレの補正を上述の如き付加によっ
て予め行っておくことによって、ステップS9における
倍率の引き上げを低倍率から繰り返すことに並行して行
わなければならない複数回のステップS7における高精
度な補正を省くことが可能となる。従って、ステップS
5〜ステップS9において複数回処理が繰り返される分
だけ、欠陥の検査に要する時間が短縮されることにな
る。また、ステップS16における引き下げ後の倍率が
ステップS3における倍率よりも高く設定されていて
も、固有のズレの補正が予め行われていることによっ
て、欠陥はカメラ3の視野から外れてしまうことはな
い。
て予め行っておくことによって、ステップS9における
倍率の引き上げを低倍率から繰り返すことに並行して行
わなければならない複数回のステップS7における高精
度な補正を省くことが可能となる。従って、ステップS
5〜ステップS9において複数回処理が繰り返される分
だけ、欠陥の検査に要する時間が短縮されることにな
る。また、ステップS16における引き下げ後の倍率が
ステップS3における倍率よりも高く設定されていて
も、固有のズレの補正が予め行われていることによっ
て、欠陥はカメラ3の視野から外れてしまうことはな
い。
【0035】本実施の検査装置においては、予備検査機
8及びカメラ3それぞれとステージ制御部6との間の固
有のズレは、移動の積分値である移動前後の座標の差と
して記憶及び読み出しされる。成分毎の座標の差の集合
はベクトルであり、このベクトルによって移動の向き及
び量が表される。固有のズレがベクトルを表す値として
認識されることによって、補正の再現は精度良く確実に
行われる。
8及びカメラ3それぞれとステージ制御部6との間の固
有のズレは、移動の積分値である移動前後の座標の差と
して記憶及び読み出しされる。成分毎の座標の差の集合
はベクトルであり、このベクトルによって移動の向き及
び量が表される。固有のズレがベクトルを表す値として
認識されることによって、補正の再現は精度良く確実に
行われる。
【0036】ステップS4aの後にはステップS5へと
移行し、カメラ3の倍率が十分高いと判断される(ステ
ップS8)まで、ステップS5〜ステップS9の処理が
繰り返される。ステップS8において倍率が十分高いと
判断された後には、ステップS10においてフラグが立
っているか否かが判断される。フラグがたっっている場
合には、既にステップS11において移動の積分によっ
て固有のズレが学習済であるので、ステップS11を飛
ばしてステップS12へと移行する。ステップS12に
おいて欠陥の観察が行われた後にステップS13におい
て観察すべき欠陥が有ると判断された場合には、ステッ
プS15以降の処理が引き続き行われる。
移行し、カメラ3の倍率が十分高いと判断される(ステ
ップS8)まで、ステップS5〜ステップS9の処理が
繰り返される。ステップS8において倍率が十分高いと
判断された後には、ステップS10においてフラグが立
っているか否かが判断される。フラグがたっっている場
合には、既にステップS11において移動の積分によっ
て固有のズレが学習済であるので、ステップS11を飛
ばしてステップS12へと移行する。ステップS12に
おいて欠陥の観察が行われた後にステップS13におい
て観察すべき欠陥が有ると判断された場合には、ステッ
プS15以降の処理が引き続き行われる。
【0037】この場合にも、上述の理由によって、ステ
ップS3における倍率よりも高い倍率から処理を開始す
ることができ、更に、ステップS11における移動の積
分が再び行われてしまうことを回避できる。従って、欠
陥の検査が迅速に行われる。
ップS3における倍率よりも高い倍率から処理を開始す
ることができ、更に、ステップS11における移動の積
分が再び行われてしまうことを回避できる。従って、欠
陥の検査が迅速に行われる。
【0038】一方、ステップS13において全ての欠陥
に対して観察が行われたとして観察すべき欠陥が無いと
判断された場合には、ステップS14において検査を終
了する。
に対して観察が行われたとして観察すべき欠陥が無いと
判断された場合には、ステップS14において検査を終
了する。
【0039】上述の説明においては、X−Yステージ1
がステージ制御部6によって移動を制御される例が用い
られている。しかし、カメラ3をX−Yステージ1上の
ウェーハ2に対して移動させる構成を採用しても良い。
がステージ制御部6によって移動を制御される例が用い
られている。しかし、カメラ3をX−Yステージ1上の
ウェーハ2に対して移動させる構成を採用しても良い。
【0040】予備検査機8及びカメラ3それぞれとステ
ージ制御部6との間の固有のズレは、これらの組み合わ
せ毎に定まっている。従って、本実施の形態の検査装置
の電源がオフされたときにも、学習部11に備わる記憶
回路が、ステップS11において得られた積分値とステ
ップS15におけるフラグが立てられている状態とを記
憶したままにしておけばよい。このような構成によっ
て、電源がオフされる前に学習された固有のズレをその
まま活かして、電源が新たにオンされた後に迅速に欠陥
の検査を行うことが可能となる。
ージ制御部6との間の固有のズレは、これらの組み合わ
せ毎に定まっている。従って、本実施の形態の検査装置
の電源がオフされたときにも、学習部11に備わる記憶
回路が、ステップS11において得られた積分値とステ
ップS15におけるフラグが立てられている状態とを記
憶したままにしておけばよい。このような構成によっ
て、電源がオフされる前に学習された固有のズレをその
まま活かして、電源が新たにオンされた後に迅速に欠陥
の検査を行うことが可能となる。
【0041】この場合には、図2のフローチャートに例
示される処理動作に対して、図3に例示されるようにス
テップS17を付け加えれば良い。ステップS17はス
テップS2に引き続いて行われる処理であり、ステップ
S17においてはステップS10と同様に、フラグが立
っているか否かが判断される。フラグが立っていない場
合には“NO”と判断され、ステップS3へと移行す
る。この場合には、ステップS3以降の処理がなされ、
ステップS11において移動の積分が行われることによ
って固有のズレが把握される。
示される処理動作に対して、図3に例示されるようにス
テップS17を付け加えれば良い。ステップS17はス
テップS2に引き続いて行われる処理であり、ステップ
S17においてはステップS10と同様に、フラグが立
っているか否かが判断される。フラグが立っていない場
合には“NO”と判断され、ステップS3へと移行す
る。この場合には、ステップS3以降の処理がなされ、
ステップS11において移動の積分が行われることによ
って固有のズレが把握される。
【0042】一方、ステップS17において、学習部1
1の記憶回路に保持されているフラグに基づき“YE
S”と判断されたときには、ステップS3aへと移行す
る。この場合には、電源がオフされる前に学習された固
有のズレが活かされ、比較的高い倍率から処理が開始さ
れる。
1の記憶回路に保持されているフラグに基づき“YE
S”と判断されたときには、ステップS3aへと移行す
る。この場合には、電源がオフされる前に学習された固
有のズレが活かされ、比較的高い倍率から処理が開始さ
れる。
【0043】尚、カメラ3としては、光学顕微鏡を用い
ることが可能である。しかし、レーザー顕微鏡、電子顕
微鏡又はAFM(原子間力顕微鏡)をカメラ3の代わり
に用いることも可能である。また、画像としては、暗視
野画像を撮影しても、明視野画像を撮影しても良い。
ることが可能である。しかし、レーザー顕微鏡、電子顕
微鏡又はAFM(原子間力顕微鏡)をカメラ3の代わり
に用いることも可能である。また、画像としては、暗視
野画像を撮影しても、明視野画像を撮影しても良い。
【0044】実施の形態2.以下、既に説明の行われた
ものと同一の構成には同一の参照符号を付し、説明は省
略する。本実施の形態においては、欠陥の成分の分析を
行う分析手段を備えており、分析結果と画像情報を結び
付けることによって迅速に欠陥の観察を行う検査装置を
示す。
ものと同一の構成には同一の参照符号を付し、説明は省
略する。本実施の形態においては、欠陥の成分の分析を
行う分析手段を備えており、分析結果と画像情報を結び
付けることによって迅速に欠陥の観察を行う検査装置を
示す。
【0045】図4は、本実施の形態に従う検査装置の構
成を例示するブロック図である。同図に示される検査装
置は、図1に例示される実施の形態1の検査装置に備わ
る学習部11が学習部11aに置き換えられ、更に成分
分析部12が取り付けられたものである。その他の部分
の構成は、そのままである。学習部11aは、実施の形
態1の学習部11の有する機能はそのままに、更に本実
施の形態の機能が加えられたものである。
成を例示するブロック図である。同図に示される検査装
置は、図1に例示される実施の形態1の検査装置に備わ
る学習部11が学習部11aに置き換えられ、更に成分
分析部12が取り付けられたものである。その他の部分
の構成は、そのままである。学習部11aは、実施の形
態1の学習部11の有する機能はそのままに、更に本実
施の形態の機能が加えられたものである。
【0046】図5は、本実施の形態の検査装置が行う処
理動作を例示するフローチャートである。同図に示され
るステップS18〜ステップS20は、図2に例示され
るステップS8とステップS10との間に挿入される処
理である。以下、実施の形態1との相違点について説明
を行う。
理動作を例示するフローチャートである。同図に示され
るステップS18〜ステップS20は、図2に例示され
るステップS8とステップS10との間に挿入される処
理である。以下、実施の形態1との相違点について説明
を行う。
【0047】ステップS8において倍率が十分であると
判断された後に、学習部11aはステップS18におい
て、図2のステップS6において収集した欠陥のシルエ
ット、大きさ、表面粗さ及び背景に対するコントラスト
等の情報の組み合わせが既知のものであるか、即ち欠陥
が既知であるか否かを判断する。欠陥が既知であるかど
うかの判断は、学習部11aにおいて、後述のステップ
S20における対応付けの結果が記憶されているか否か
に基づいて判断される。尚、欠陥が既知であるか否かの
判断は、欠陥の種類が既知であるか否かを基準としてい
る。
判断された後に、学習部11aはステップS18におい
て、図2のステップS6において収集した欠陥のシルエ
ット、大きさ、表面粗さ及び背景に対するコントラスト
等の情報の組み合わせが既知のものであるか、即ち欠陥
が既知であるか否かを判断する。欠陥が既知であるかど
うかの判断は、学習部11aにおいて、後述のステップ
S20における対応付けの結果が記憶されているか否か
に基づいて判断される。尚、欠陥が既知であるか否かの
判断は、欠陥の種類が既知であるか否かを基準としてい
る。
【0048】ステップS18において既知の欠陥ではな
い(“NO”)と判断された場合には、ステップS19
に移行する。ステップS19においては、図4に例示さ
れる成分分析部12を用いて、欠陥の成分の分析を行
う。成分分析器12の構成は周知であり、例えばエネル
ギー分散型X線(EDX)分析を行う機器を用いること
ができる。成分分析の結果は、分析結果用信号線10c
を介して学習部11aへと与えられる。
い(“NO”)と判断された場合には、ステップS19
に移行する。ステップS19においては、図4に例示さ
れる成分分析部12を用いて、欠陥の成分の分析を行
う。成分分析器12の構成は周知であり、例えばエネル
ギー分散型X線(EDX)分析を行う機器を用いること
ができる。成分分析の結果は、分析結果用信号線10c
を介して学習部11aへと与えられる。
【0049】学習部11aは、ステップS20におい
て、受け取った成分分析の結果と、シルエット等に関す
る図2のステップS6において収集した欠陥の情報とを
対応付ける。換言すると、ある特定の情報を与える欠陥
が、どのような成分からなっているかを学習していく。
このようにしてなされた学習(対応付け)の結果は、学
習部11a内に記憶され、ため込まれていく。ステップ
S20における処理が終了すると、図2に例示されるス
テップS10へと移行し、既述の処理が以降行われる。
ステップS12においては、図4においては図示を省略
されているモニタに、欠陥の情報と成分分析の結果とが
表示される。
て、受け取った成分分析の結果と、シルエット等に関す
る図2のステップS6において収集した欠陥の情報とを
対応付ける。換言すると、ある特定の情報を与える欠陥
が、どのような成分からなっているかを学習していく。
このようにしてなされた学習(対応付け)の結果は、学
習部11a内に記憶され、ため込まれていく。ステップ
S20における処理が終了すると、図2に例示されるス
テップS10へと移行し、既述の処理が以降行われる。
ステップS12においては、図4においては図示を省略
されているモニタに、欠陥の情報と成分分析の結果とが
表示される。
【0050】次に、図2に例示されるステップS13に
おいて観察すべき欠陥有りと判断され、ステップS15
以降の処理が新たな欠陥に対して行われる場合について
説明を行う。この新たな欠陥は、図5のステップS20
における分析結果と欠陥の情報との対応付けが既に行わ
れており、シルエット等の情報によって成分が把握でき
る既知の欠陥であるとする。
おいて観察すべき欠陥有りと判断され、ステップS15
以降の処理が新たな欠陥に対して行われる場合について
説明を行う。この新たな欠陥は、図5のステップS20
における分析結果と欠陥の情報との対応付けが既に行わ
れており、シルエット等の情報によって成分が把握でき
る既知の欠陥であるとする。
【0051】図2のステップS15〜ステップS8の処
理が行われた後に図5のステップS18に移行したとき
には、新たな欠陥は学習部11aによって学習済の既知
の欠陥である(“YES”)と判断される。学習済の欠
陥に対しては、成分と情報とを学習する必要はない。そ
こで、学習済であるので不要であるステップS19及び
ステップS20の処理を飛ばし、すぐさま図2のステッ
プS10へと移行する。ステップS12においては、図
4においては図示を省略されているモニタに、欠陥の情
報と、成分分析の結果のうちこの欠陥の情報と対応付け
られているものとが表示される。
理が行われた後に図5のステップS18に移行したとき
には、新たな欠陥は学習部11aによって学習済の既知
の欠陥である(“YES”)と判断される。学習済の欠
陥に対しては、成分と情報とを学習する必要はない。そ
こで、学習済であるので不要であるステップS19及び
ステップS20の処理を飛ばし、すぐさま図2のステッ
プS10へと移行する。ステップS12においては、図
4においては図示を省略されているモニタに、欠陥の情
報と、成分分析の結果のうちこの欠陥の情報と対応付け
られているものとが表示される。
【0052】上述の如き処理動作によって、学習済の欠
陥に対してはステップS19及びステップS20におい
てそれぞれ行われる成分分析及び対応付けを行うこと無
く欠陥の観察を行うことが可能である。これによって、
欠陥の検査が迅速に行われる。更に、学習済の欠陥に対
しては成分分析を行わないため、エネルギー分散型X線
分析によってウェーハ2にダメージが与えられてしまう
ことが回避される。
陥に対してはステップS19及びステップS20におい
てそれぞれ行われる成分分析及び対応付けを行うこと無
く欠陥の観察を行うことが可能である。これによって、
欠陥の検査が迅速に行われる。更に、学習済の欠陥に対
しては成分分析を行わないため、エネルギー分散型X線
分析によってウェーハ2にダメージが与えられてしまう
ことが回避される。
【0053】従来の検査装置においては、検査の前に予
め学習部に検査者が対応付けを学習させておくという構
成がとられていた。しかし、この従来の検査装置は予め
学習させられた対応付けに対してのみ有効であり、検査
者が学習させなかった成分分析の結果と情報との組み合
わせに対しては、欠陥に関して有効な情報を提供するこ
とができない。
め学習部に検査者が対応付けを学習させておくという構
成がとられていた。しかし、この従来の検査装置は予め
学習させられた対応付けに対してのみ有効であり、検査
者が学習させなかった成分分析の結果と情報との組み合
わせに対しては、欠陥に関して有効な情報を提供するこ
とができない。
【0054】一方、本実施の形態の検査装置において
は、未学習の欠陥に対しては成分分析及び対応付けが行
われ、この結果が記憶される。即ち、学習部11aの能
力は検査装置を使用すればするほど向上していく。ま
た、検査者が予め学習部に学習を行わなければならない
という煩わしさが無く、検査者の負担が軽減される。
は、未学習の欠陥に対しては成分分析及び対応付けが行
われ、この結果が記憶される。即ち、学習部11aの能
力は検査装置を使用すればするほど向上していく。ま
た、検査者が予め学習部に学習を行わなければならない
という煩わしさが無く、検査者の負担が軽減される。
【0055】実施の形態3.本実施の形態においては、
検査された欠陥に対して補修を行う機能を有する検査装
置を示す。図6は、本実施の形態に従う検査装置の構成
を例示するブロック図である。同図に示される検査装置
は、図1に例示される実施の形態1の検査装置に備わる
光学的なカメラ3が、電子顕微鏡14に置き換えられた
ものである。また、図1の学習部11は学習部11bに
置き換えられおり、更に集束イオンビーム(FIB)光
学系15が取り付けられている。これら以外の部分の構
成は、そのままである。学習部11bは、実施の形態1
の学習部11の有する機能はそのままに、更に本実施の
形態の機能が加えられたものである。
検査された欠陥に対して補修を行う機能を有する検査装
置を示す。図6は、本実施の形態に従う検査装置の構成
を例示するブロック図である。同図に示される検査装置
は、図1に例示される実施の形態1の検査装置に備わる
光学的なカメラ3が、電子顕微鏡14に置き換えられた
ものである。また、図1の学習部11は学習部11bに
置き換えられおり、更に集束イオンビーム(FIB)光
学系15が取り付けられている。これら以外の部分の構
成は、そのままである。学習部11bは、実施の形態1
の学習部11の有する機能はそのままに、更に本実施の
形態の機能が加えられたものである。
【0056】図7は、本実施の形態の検査装置が行う処
理を例示するフローチャートである。同図に示されるス
テップS21〜ステップS6aは、図2に例示される実
施の形態1のステップS10又はステップS11とステ
ップS12との間に挿入される処理である。以下、実施
の形態1との相違点について説明を行う。
理を例示するフローチャートである。同図に示されるス
テップS21〜ステップS6aは、図2に例示される実
施の形態1のステップS10又はステップS11とステ
ップS12との間に挿入される処理である。以下、実施
の形態1との相違点について説明を行う。
【0057】図2のステップS5においては欠陥の撮像
は図6の電子顕微鏡14によってなされ、ステップS6
において画像処理部4は撮像によって得られたデータか
ら欠陥を抽出する。そして、図2及び図7に例示される
ステップS10又はステップS11の処理の後に、本実
施の形態の処理が行われる。
は図6の電子顕微鏡14によってなされ、ステップS6
において画像処理部4は撮像によって得られたデータか
ら欠陥を抽出する。そして、図2及び図7に例示される
ステップS10又はステップS11の処理の後に、本実
施の形態の処理が行われる。
【0058】ステップS21においては、図2のステッ
プS6において抽出された欠陥の情報に基づき、欠陥の
補修が図6の集束イオンビーム光学系15によって行わ
れる。詳細には、図2のステップS7において高精度に
位置が補正された欠陥に対して集束イオンビームが照射
されるように、学習部11bは集束イオンビーム光学系
15に指示する。照射によって、異物の除去、配線の短
絡部の切断又は配線消失部の再形成等を行う。更に、こ
のような加工のみに限られず、欠陥が生じている部分を
避けて予備の回路に切り替えること等も行われる。
プS6において抽出された欠陥の情報に基づき、欠陥の
補修が図6の集束イオンビーム光学系15によって行わ
れる。詳細には、図2のステップS7において高精度に
位置が補正された欠陥に対して集束イオンビームが照射
されるように、学習部11bは集束イオンビーム光学系
15に指示する。照射によって、異物の除去、配線の短
絡部の切断又は配線消失部の再形成等を行う。更に、こ
のような加工のみに限られず、欠陥が生じている部分を
避けて予備の回路に切り替えること等も行われる。
【0059】本実施の形態の検査装置は、実施の形態1
と同じ構成によって欠陥の位置を正確に把握し、この後
に欠陥の補修を行う。従って、集束イオンビームは欠陥
から外れることはなく、補修が正確に行われる。また、
従来には手動指示でしか為し得なかった欠陥がある部分
のみに対して補修を行うことが可能となる。欠陥の補修
がなされた後に、ステップS5aへと移行する。
と同じ構成によって欠陥の位置を正確に把握し、この後
に欠陥の補修を行う。従って、集束イオンビームは欠陥
から外れることはなく、補修が正確に行われる。また、
従来には手動指示でしか為し得なかった欠陥がある部分
のみに対して補修を行うことが可能となる。欠陥の補修
がなされた後に、ステップS5aへと移行する。
【0060】ステップS5a及びステップS6aにおい
ては、図2のステップS5及びステップS6と同様に、
補修済の欠陥の撮像が行われ、これによって得られた情
報に基づき欠陥が抽出される。引き続きステップS12
においては、欠陥の観察が行われる。このときにモニタ
に表示されるのは補修済の欠陥に関するデータであり、
検査者は欠陥の補修が適切になされたかどうかを確認す
ることができる。
ては、図2のステップS5及びステップS6と同様に、
補修済の欠陥の撮像が行われ、これによって得られた情
報に基づき欠陥が抽出される。引き続きステップS12
においては、欠陥の観察が行われる。このときにモニタ
に表示されるのは補修済の欠陥に関するデータであり、
検査者は欠陥の補修が適切になされたかどうかを確認す
ることができる。
【0061】実施の形態4.本実施の形態においては、
実施の形態2及び実施の形態3のそれぞれの処理を組み
合わせた構成について説明を行う。図8は、本実施の形
態に従う検査装置の構成を例示するブロック図である。
同図に示される検査装置は、欠陥を撮像する手段として
カメラ3を用いており欠陥の補修を行う手段としてレー
ザー加工機16を用いている点が、実施の形態3の検査
装置と異なっている。しかし、用いられている機器が異
なるのみであり、撮像する機能及び補修する機能を果た
すという点では変わりはない。また、実施の形態2及び
実施の形態3の学習部11a,11bの機能を合わせ持
つ学習部11cがこれらの代わりに備えられている。
実施の形態2及び実施の形態3のそれぞれの処理を組み
合わせた構成について説明を行う。図8は、本実施の形
態に従う検査装置の構成を例示するブロック図である。
同図に示される検査装置は、欠陥を撮像する手段として
カメラ3を用いており欠陥の補修を行う手段としてレー
ザー加工機16を用いている点が、実施の形態3の検査
装置と異なっている。しかし、用いられている機器が異
なるのみであり、撮像する機能及び補修する機能を果た
すという点では変わりはない。また、実施の形態2及び
実施の形態3の学習部11a,11bの機能を合わせ持
つ学習部11cがこれらの代わりに備えられている。
【0062】図9は、本実施の形態の検査装置の処理を
例示するフローチャートである。同図に示される処理
は、図5及び図7にそれぞれ例示される実施の形態2及
び実施の形態3の処理を組み合わせ、これに本実施の形
態の処理を加えたものである。本実施の形態の処理は、
実施の形態3のステップS21の前及びステップS6a
の後に各々挿入されている。挿入された処理によって、
実施の形態2及び実施の形態3の処理の組み合わせが有
効になされる。以下に説明を行う。
例示するフローチャートである。同図に示される処理
は、図5及び図7にそれぞれ例示される実施の形態2及
び実施の形態3の処理を組み合わせ、これに本実施の形
態の処理を加えたものである。本実施の形態の処理は、
実施の形態3のステップS21の前及びステップS6a
の後に各々挿入されている。挿入された処理によって、
実施の形態2及び実施の形態3の処理の組み合わせが有
効になされる。以下に説明を行う。
【0063】図9に例示される実施の形態2の処理が終
了した時には、ステップS18において既知の欠陥であ
ると判断されたこと、又はステップS19において成分
分析が行われたことによって、検査対象となっている欠
陥の成分は既知となっている。
了した時には、ステップS18において既知の欠陥であ
ると判断されたこと、又はステップS19において成分
分析が行われたことによって、検査対象となっている欠
陥の成分は既知となっている。
【0064】ステップS10又はステップS11の後に
挿入された本実施の形態のステップS22においては、
欠陥の成分の把握を行う。成分の把握とは、ステップS
18において既知の欠陥であると判断された場合には、
欠陥の画像情報に対応する欠陥の成分を図8の学習部1
1cに備わる記憶回路から読み出すことである。一方、
既知の欠陥でないとしてステップS19において成分分
析が行われた場合には、成分分析の結果を保持し続ける
ことである。
挿入された本実施の形態のステップS22においては、
欠陥の成分の把握を行う。成分の把握とは、ステップS
18において既知の欠陥であると判断された場合には、
欠陥の画像情報に対応する欠陥の成分を図8の学習部1
1cに備わる記憶回路から読み出すことである。一方、
既知の欠陥でないとしてステップS19において成分分
析が行われた場合には、成分分析の結果を保持し続ける
ことである。
【0065】本実施の形態の検査装置に備わる図8のレ
ーザー加工機16は、自身から発するレーザー光によっ
て、図6に例示される実施の形態3の集束イオンビーム
光学系15と同様にして欠陥の補修を行う。しかし、欠
陥の成分によっては、レーザー光によって蒸発等をさせ
ることが不可能である又は不向きである場合がある。こ
の場合にレーザー加工機16を用いて欠陥にレーザー光
を照射しても、照射の手間及びこれに要する時間が無駄
になってしまう。
ーザー加工機16は、自身から発するレーザー光によっ
て、図6に例示される実施の形態3の集束イオンビーム
光学系15と同様にして欠陥の補修を行う。しかし、欠
陥の成分によっては、レーザー光によって蒸発等をさせ
ることが不可能である又は不向きである場合がある。こ
の場合にレーザー加工機16を用いて欠陥にレーザー光
を照射しても、照射の手間及びこれに要する時間が無駄
になってしまう。
【0066】そこで、ステップS22に引き続くステッ
プS23においては、欠陥が補修可能であるか否かを判
断する。判断は、ステップS22において把握されてい
る欠陥の成分に基づいて行われる。欠陥の成分がレーザ
ー光線によって蒸発等させることができるものであると
して補修可能である(“YES”)と判断された場合に
はステップS21に移行する。また、補修可能であるか
判断できない場合、即ち、その成分が補修可能であるか
不可能であるかについて未知の場合にも、とりあえず
“YES”と判断する。ステップS21以降において
は、実施の形態3の処理、即ち欠陥の補修及びこれの後
の欠陥の撮像等が行われる。
プS23においては、欠陥が補修可能であるか否かを判
断する。判断は、ステップS22において把握されてい
る欠陥の成分に基づいて行われる。欠陥の成分がレーザ
ー光線によって蒸発等させることができるものであると
して補修可能である(“YES”)と判断された場合に
はステップS21に移行する。また、補修可能であるか
判断できない場合、即ち、その成分が補修可能であるか
不可能であるかについて未知の場合にも、とりあえず
“YES”と判断する。ステップS21以降において
は、実施の形態3の処理、即ち欠陥の補修及びこれの後
の欠陥の撮像等が行われる。
【0067】ステップS21における補修が効果的に行
われた場合、即ち、レーザー光によって欠陥の蒸発等が
生じた場合には、ステップS6aにおいて抽出された欠
陥のシルエット等はステップS21における補修の前後
において変化する。一方、レーザー光による蒸発等が生
ぜず、補修の効果が無かった場合には、欠陥のシルエッ
ト等はステップS21における補修の前後において変化
しない。そこで、ステップS6aにおいて抽出された欠
陥のシルエット等の変化の有無に基づくことによって、
補修の効果の有無を判断することが可能となる。
われた場合、即ち、レーザー光によって欠陥の蒸発等が
生じた場合には、ステップS6aにおいて抽出された欠
陥のシルエット等はステップS21における補修の前後
において変化する。一方、レーザー光による蒸発等が生
ぜず、補修の効果が無かった場合には、欠陥のシルエッ
ト等はステップS21における補修の前後において変化
しない。そこで、ステップS6aにおいて抽出された欠
陥のシルエット等の変化の有無に基づくことによって、
補修の効果の有無を判断することが可能となる。
【0068】本実施の形態の処理を行うステップS24
においては、ステップS6aにおいて得られた情報の変
化の有無に基づいて補修の効果の有無を学習部11cが
自動的に判断する。学習部は更に判断結果と欠陥の成分
との対応付けを行い、自身に備わる記憶回路に対応付け
の結果を記憶させる。欠陥の成分とはステップS22に
おいて把握された成分を指し、この対応付けによって、
成分が把握されれば自動的に補修の効果の有無がわかる
ことになる。
においては、ステップS6aにおいて得られた情報の変
化の有無に基づいて補修の効果の有無を学習部11cが
自動的に判断する。学習部は更に判断結果と欠陥の成分
との対応付けを行い、自身に備わる記憶回路に対応付け
の結果を記憶させる。欠陥の成分とはステップS22に
おいて把握された成分を指し、この対応付けによって、
成分が把握されれば自動的に補修の効果の有無がわかる
ことになる。
【0069】ステップS24において行われた対応付け
は、図9及び図2に例示されるステップS13において
“YES”と判断させる原因となる新たな欠陥に対して
利用される。利用について詳細に説明すると、この新た
な欠陥に対して図9のステップS22における成分の把
握が行われた後にステップS23において補修可能であ
るか否かが判断される際に、この対応付けが記憶回路か
ら読み出され、補修可能の是非の判断材料となるという
ことである。
は、図9及び図2に例示されるステップS13において
“YES”と判断させる原因となる新たな欠陥に対して
利用される。利用について詳細に説明すると、この新た
な欠陥に対して図9のステップS22における成分の把
握が行われた後にステップS23において補修可能であ
るか否かが判断される際に、この対応付けが記憶回路か
ら読み出され、補修可能の是非の判断材料となるという
ことである。
【0070】対応付けに基づいてステップS23におい
て欠陥の成分がレーザー光線による補修に不向きである
として“NO”と判断された場合には、ステップS21
〜ステップS24という欠陥の補修等を行う実施の形態
3及び本実施の形態の処理を飛び越して、ステップS1
2に移行する。このようにして、補修の効果が無いと予
めわかっている欠陥に対して補修等が行われることを未
然に回避することができ、検査時間の短縮が達成され
る。ステップS23において“YES”と判断された場
合には、ステップS21以降の処理が行われる。
て欠陥の成分がレーザー光線による補修に不向きである
として“NO”と判断された場合には、ステップS21
〜ステップS24という欠陥の補修等を行う実施の形態
3及び本実施の形態の処理を飛び越して、ステップS1
2に移行する。このようにして、補修の効果が無いと予
めわかっている欠陥に対して補修等が行われることを未
然に回避することができ、検査時間の短縮が達成され
る。ステップS23において“YES”と判断された場
合には、ステップS21以降の処理が行われる。
【0071】上述の説明においては、レーザー加工機1
6を用いて欠陥の補修を行う例を用いている。しかし、
他の構成を用いて欠陥の補修を行うことも勿論可能であ
る。例えば、異物の除去は、異物を吸着又は挟持する
機構、気体、液体又は固体を異物に向けて噴射するノ
ズル、異物に向けて電子線を照射する機構等を用いて
行うことが可能である。これらは異物の除去を行う補修
に関するが、例えば、ガス雰囲気中でレーザー光線又
はマイクロ波等の照射によるエネルギを利用する機構を
用いて成膜を行うこと、によって補修を行うことも可能
である。
6を用いて欠陥の補修を行う例を用いている。しかし、
他の構成を用いて欠陥の補修を行うことも勿論可能であ
る。例えば、異物の除去は、異物を吸着又は挟持する
機構、気体、液体又は固体を異物に向けて噴射するノ
ズル、異物に向けて電子線を照射する機構等を用いて
行うことが可能である。これらは異物の除去を行う補修
に関するが、例えば、ガス雰囲気中でレーザー光線又
はマイクロ波等の照射によるエネルギを利用する機構を
用いて成膜を行うこと、によって補修を行うことも可能
である。
【0072】実施の形態5.図10は、本実施の形態に
従う検査装置の構成を例示するブロック図である。同図
に示される検査装置は、図1に例示される実施の形態1
の検査装置に備わる予備検査機8及び座標用信号線9が
取り除かれており、画像処理部4に接続されているモニ
タがモニタ17として明示的に図示されている。これに
係る部分以外の部分は、そのままである。
従う検査装置の構成を例示するブロック図である。同図
に示される検査装置は、図1に例示される実施の形態1
の検査装置に備わる予備検査機8及び座標用信号線9が
取り除かれており、画像処理部4に接続されているモニ
タがモニタ17として明示的に図示されている。これに
係る部分以外の部分は、そのままである。
【0073】図1に例示される予備検査機8は、図2に
例示されるステップS2における欠陥の座標の抽出を行
わせるために検査機に備えられているものである。この
予備検査機8が取り除かれていることに伴い、本実施の
形態においては、検査者がウェーハ2の欠陥の位置を探
り当てねばならない。
例示されるステップS2における欠陥の座標の抽出を行
わせるために検査機に備えられているものである。この
予備検査機8が取り除かれていることに伴い、本実施の
形態においては、検査者がウェーハ2の欠陥の位置を探
り当てねばならない。
【0074】図11は、本実施の形態の検査装置を用い
ることによってなされる検査の手順を例示するフローチ
ャートである。本実施の形態の検査手順においては、図
2に例示される処理のうち、実施の形態1の予備検査機
8が行う図2のステップS2が省かれており、代わりに
本実施の形態のステップS2aが挿入されている。ステ
ップS2aにおいては、欠陥の座標の抽出及び保持に関
与するのは検査者、カメラ3及び画像処理部4である。
以下、実施の形態1と相違する部分について説明を行
う。
ることによってなされる検査の手順を例示するフローチ
ャートである。本実施の形態の検査手順においては、図
2に例示される処理のうち、実施の形態1の予備検査機
8が行う図2のステップS2が省かれており、代わりに
本実施の形態のステップS2aが挿入されている。ステ
ップS2aにおいては、欠陥の座標の抽出及び保持に関
与するのは検査者、カメラ3及び画像処理部4である。
以下、実施の形態1と相違する部分について説明を行
う。
【0075】ステップS2aにおいて検査者は、図10
に例示されるX−Yステージ1上にウェーハ2を載置し
た後に、カメラ3によって得られモニタ17に映し出さ
れている画像を目視しつつ欠陥の出現を待つ。検査者が
モニタ17を目視する間、ステージ制御部6はX−Yス
テージ1をX方向又はY方向に移動させており、この移
動によってウェーハ2の表面は一通りカメラ3によって
走査される。カメラ3は逐次ウェーハ2の表面を写し取
り、この画像を画像信号線5を介して画像処理部4に送
信する。画像処理部4は、カメラ3からの画像を画像信
号線5aを介してモニタ17に与える。モニタ17に表
示されるウェーハ2の表面の様子は、ウェーハ2のうち
カメラ3が写し取っている部分とモニタ17に表示され
ている部分とが相違しないように、常に更新されてい
る。
に例示されるX−Yステージ1上にウェーハ2を載置し
た後に、カメラ3によって得られモニタ17に映し出さ
れている画像を目視しつつ欠陥の出現を待つ。検査者が
モニタ17を目視する間、ステージ制御部6はX−Yス
テージ1をX方向又はY方向に移動させており、この移
動によってウェーハ2の表面は一通りカメラ3によって
走査される。カメラ3は逐次ウェーハ2の表面を写し取
り、この画像を画像信号線5を介して画像処理部4に送
信する。画像処理部4は、カメラ3からの画像を画像信
号線5aを介してモニタ17に与える。モニタ17に表
示されるウェーハ2の表面の様子は、ウェーハ2のうち
カメラ3が写し取っている部分とモニタ17に表示され
ている部分とが相違しないように、常に更新されてい
る。
【0076】検査者は、モニタ17に欠陥が映し出され
た際に、画像処理部4に指令を出す。画像処理部4はこ
の指令を受け取ると、指令が出された時の画像に対して
処理を行い、背景から欠陥を抽出してその座標を特定す
る。このようにして抽出された座標は、座標用信号線1
0aを介して学習部11に与えられ、これに備えられて
いる記憶回路において保持される。
た際に、画像処理部4に指令を出す。画像処理部4はこ
の指令を受け取ると、指令が出された時の画像に対して
処理を行い、背景から欠陥を抽出してその座標を特定す
る。このようにして抽出された座標は、座標用信号線1
0aを介して学習部11に与えられ、これに備えられて
いる記憶回路において保持される。
【0077】以上のような座標の抽出及び保持は、ウェ
ーハ2の表面が一通り走査され終えるまで続けられる。
走査に要する時間を短縮するために、カメラ3の倍率は
欠陥の有無がわかる程度に低くしておくことが好まし
い。ステップS2aにおける処理が終了した後には、実
施の形態1と相違無いステップS3に移行する。
ーハ2の表面が一通り走査され終えるまで続けられる。
走査に要する時間を短縮するために、カメラ3の倍率は
欠陥の有無がわかる程度に低くしておくことが好まし
い。ステップS2aにおける処理が終了した後には、実
施の形態1と相違無いステップS3に移行する。
【0078】本実施の形態においては、図1に例示され
る実施の形態1の予備検査機8を用意しなくとも、カメ
ラ3及びモニタ17を用いて欠陥の座標の抽出及び保持
を行えることを例示した。予備検査機8を用いようが、
カメラ3及びモニタ17を用いようが、学習部11にお
いて欠陥の座標が保持されるという結果には変わりがな
く、ステップS3以降の処理は実施の形態1そのままに
行われる。尚、以上の例においてはモニタ17が用いら
れているが、代わりに接眼鏡を用いることも可能であ
る。
る実施の形態1の予備検査機8を用意しなくとも、カメ
ラ3及びモニタ17を用いて欠陥の座標の抽出及び保持
を行えることを例示した。予備検査機8を用いようが、
カメラ3及びモニタ17を用いようが、学習部11にお
いて欠陥の座標が保持されるという結果には変わりがな
く、ステップS3以降の処理は実施の形態1そのままに
行われる。尚、以上の例においてはモニタ17が用いら
れているが、代わりに接眼鏡を用いることも可能であ
る。
【0079】実施の形態6.図12は、本実施の形態に
従う検査装置の構成を例示するブロック図である。同図
に示される検査装置は、図4に例示される実施の形態2
の検査装置に備わる予備検査機8及び座標用信号線9が
取り除かれており、画像処理部4に接続されているモニ
タがモニタ17として図示されている。この変更に係る
部分以外の部分は、そのままである。即ちこの変更は、
図1に例示される実施の形態1の検査装置の図10に例
示される実施の形態5の検査装置への変更と同じであ
る。
従う検査装置の構成を例示するブロック図である。同図
に示される検査装置は、図4に例示される実施の形態2
の検査装置に備わる予備検査機8及び座標用信号線9が
取り除かれており、画像処理部4に接続されているモニ
タがモニタ17として図示されている。この変更に係る
部分以外の部分は、そのままである。即ちこの変更は、
図1に例示される実施の形態1の検査装置の図10に例
示される実施の形態5の検査装置への変更と同じであ
る。
【0080】図13は、本実施の形態の検査装置を用い
てなす検査の手順を例示するフローチャートである。同
図に例示される検査の手順は、図11に例示される実施
の形態5のステップS8とステップS10との間に、図
5に例示される実施の形態2のステップS18〜ステッ
プS20が挿入されたものである。尚、ステップS10
より後の図示は省略している。
てなす検査の手順を例示するフローチャートである。同
図に例示される検査の手順は、図11に例示される実施
の形態5のステップS8とステップS10との間に、図
5に例示される実施の形態2のステップS18〜ステッ
プS20が挿入されたものである。尚、ステップS10
より後の図示は省略している。
【0081】以上の構成から理解されるように、実施の
形態5の構成と本実施の形態の構成との相違点とは、実
施の形態1の構成と実施の形態2の構成との相違点と同
じである。即ち、図2に例示される実施の形態2のステ
ップS2が図11に例示される実施の形態5のステップ
S2aに置き換えられただけである。実施の形態5に対
して本実施の形態において特に得られる効果は、実施の
形態1に対して実施の形態2において特に得られる効果
と同じである。
形態5の構成と本実施の形態の構成との相違点とは、実
施の形態1の構成と実施の形態2の構成との相違点と同
じである。即ち、図2に例示される実施の形態2のステ
ップS2が図11に例示される実施の形態5のステップ
S2aに置き換えられただけである。実施の形態5に対
して本実施の形態において特に得られる効果は、実施の
形態1に対して実施の形態2において特に得られる効果
と同じである。
【0082】本実施の形態の構成から、実施の形態5と
同様に、図4に例示される実施の形態2の予備検査機8
を用意せず、カメラ3及びモニタ17を用いて欠陥の座
標の抽出及び保持を行っても、実施の形態2の効果が得
られることに支障はないことが理解される。
同様に、図4に例示される実施の形態2の予備検査機8
を用意せず、カメラ3及びモニタ17を用いて欠陥の座
標の抽出及び保持を行っても、実施の形態2の効果が得
られることに支障はないことが理解される。
【0083】実施の形態7.図14は、本実施の形態に
従う検査装置の構成を例示するブロック図である。図8
に例示される実施の形態4の検査装置に備わるカメラ3
及びレーザー加工機16がそれぞれ電子顕微鏡14及び
集束イオンビーム光学系15に置き換えられているが、
果たす機能は同じであり、実質的な変更はなされていな
い。また、図8に例示される予備検査機8及び座標用信
号線9は、実施の形態5の場合と同様に省かれている。
実施の形態5の場合と同様に、モニタ17が図示されて
いる。
従う検査装置の構成を例示するブロック図である。図8
に例示される実施の形態4の検査装置に備わるカメラ3
及びレーザー加工機16がそれぞれ電子顕微鏡14及び
集束イオンビーム光学系15に置き換えられているが、
果たす機能は同じであり、実質的な変更はなされていな
い。また、図8に例示される予備検査機8及び座標用信
号線9は、実施の形態5の場合と同様に省かれている。
実施の形態5の場合と同様に、モニタ17が図示されて
いる。
【0084】図15及び図16は、本実施の形態の検査
装置を用いてなす検査の手順を例示する1つのフローチ
ャートを一体として示す図である。両図は、“A”が丸
で囲まれた記号の部分において接続している。具体的に
は、図15に例示されるステップS20に引き続いて
は、図16に例示されているステップS10の処理が行
われる。
装置を用いてなす検査の手順を例示する1つのフローチ
ャートを一体として示す図である。両図は、“A”が丸
で囲まれた記号の部分において接続している。具体的に
は、図15に例示されるステップS20に引き続いて
は、図16に例示されているステップS10の処理が行
われる。
【0085】図15及び図16に例示されるフローチャ
ートは、実施の形態4のステップS2が本実施の形態の
ステップS2bに置き換えられているだけであり、その
他の部分は実施の形態4の検査手順と同じである。ステ
ップS2bは、図11に例示される実施の形態5のステ
ップS2aと同様の処理を行うステップであり、実施の
形態5のステップS2aにおいてカメラ3が果たす機能
を本実施の形態のステップS2bにおいては電子顕微鏡
14が代わりに果たしている点が異なっているのみであ
る。
ートは、実施の形態4のステップS2が本実施の形態の
ステップS2bに置き換えられているだけであり、その
他の部分は実施の形態4の検査手順と同じである。ステ
ップS2bは、図11に例示される実施の形態5のステ
ップS2aと同様の処理を行うステップであり、実施の
形態5のステップS2aにおいてカメラ3が果たす機能
を本実施の形態のステップS2bにおいては電子顕微鏡
14が代わりに果たしている点が異なっているのみであ
る。
【0086】尚、図16においては、ステップS13よ
り後の処理は図1と同じであるとして図示を省略してい
る。実施の形態5及び実施の形態6に関する説明から明
らかであるように、予備検査機8を用いなくとも実施の
形態4の効果を得ることができる。
り後の処理は図1と同じであるとして図示を省略してい
る。実施の形態5及び実施の形態6に関する説明から明
らかであるように、予備検査機8を用いなくとも実施の
形態4の効果を得ることができる。
【0087】図14においては、検査対象として、ディ
スプレイ用の薄膜トランジスタ(TFT)基板2aがX
−Yステージ1上に載置されている。TFT基板2aは
図15及び図16に例示される検査の手順によって検査
され、実施の形態4と同様に、ステップS21において
欠陥の補修が高精度に行われる。
スプレイ用の薄膜トランジスタ(TFT)基板2aがX
−Yステージ1上に載置されている。TFT基板2aは
図15及び図16に例示される検査の手順によって検査
され、実施の形態4と同様に、ステップS21において
欠陥の補修が高精度に行われる。
【0088】ディスプレイ用の基板は一般に、広い表示
面積を必要とされる。広い面積を有する基板は、面積が
広い分、1つの基板中に欠陥が存在してしまう確率は高
くなる。すると、例えばただ1つの欠陥によってディス
プレイ用の基板が不良品であるとされてしまう確率が高
くなってしまう。
面積を必要とされる。広い面積を有する基板は、面積が
広い分、1つの基板中に欠陥が存在してしまう確率は高
くなる。すると、例えばただ1つの欠陥によってディス
プレイ用の基板が不良品であるとされてしまう確率が高
くなってしまう。
【0089】しかし、本実施の形態の検査装置はステッ
プS21において欠陥の補修を高精度に行うため、ディ
スプレイ用の基板は確実に救済され、有効に活用され
る。
プS21において欠陥の補修を高精度に行うため、ディ
スプレイ用の基板は確実に救済され、有効に活用され
る。
【0090】実施の形態8.実施の形態1〜実施の形態
7に記載の検査装置においては、解消できない問題点が
残ったままとなっている。本実施の形態においては、こ
のような問題点を解決する検査装置の構成について以下
に説明を行う。
7に記載の検査装置においては、解消できない問題点が
残ったままとなっている。本実施の形態においては、こ
のような問題点を解決する検査装置の構成について以下
に説明を行う。
【0091】まず、第1の未解決の問題点について説明
する。図1に例示される実施の形態1の予備検査機8か
らX−Yステージ1上へとウェーハ2が移動させられた
場合には、載置する際にどうしてもX−Yステージ1と
ウェーハ2との間に位置のズレが生じてしまう。学習部
11は予備検査機8によって抽出された座標を用いてX
−Yステージ1の移動を行いカメラ3によって欠陥の撮
像を行わせるために、このような初期的なズレを放置し
たままではカメラ3の視野内に欠陥が収まらないという
不都合が生じてしまう。そこで、このような初期的なズ
レを予め解消しておくことが欠陥の検査においては望ま
しい。このために、本実施の形態においては、以下に説
明する構成を用いる。
する。図1に例示される実施の形態1の予備検査機8か
らX−Yステージ1上へとウェーハ2が移動させられた
場合には、載置する際にどうしてもX−Yステージ1と
ウェーハ2との間に位置のズレが生じてしまう。学習部
11は予備検査機8によって抽出された座標を用いてX
−Yステージ1の移動を行いカメラ3によって欠陥の撮
像を行わせるために、このような初期的なズレを放置し
たままではカメラ3の視野内に欠陥が収まらないという
不都合が生じてしまう。そこで、このような初期的なズ
レを予め解消しておくことが欠陥の検査においては望ま
しい。このために、本実施の形態においては、以下に説
明する構成を用いる。
【0092】図17は、本実施の形態の検査装置の構成
を例示するブロック図である。同図に例示される検査装
置は、図1に例示される実施の形態1の検査装置に備わ
る学習部11が学習部11dに置き換えられたものであ
る。その他の部分の構成は、そのままである。学習部1
1dは、実施の形態1の学習部11の有する機能はその
ままに、更に本実施の形態の機能が加えられたものであ
る。
を例示するブロック図である。同図に例示される検査装
置は、図1に例示される実施の形態1の検査装置に備わ
る学習部11が学習部11dに置き換えられたものであ
る。その他の部分の構成は、そのままである。学習部1
1dは、実施の形態1の学習部11の有する機能はその
ままに、更に本実施の形態の機能が加えられたものであ
る。
【0093】図18は、本実施の形態の検査装置が行う
処理動作を例示するフローチャートである。本実施の形
態に従う処理動作は、図2に例示される実施の形態1の
ステップS2とステップS3との間に新たな処理が付け
加えられたものである。図示の簡便のために、ステップ
S2とステップS3との間のみの処理を図18に例示し
ている。このように新たに挿入された処理は、本実施の
形態の学習部11dに特有の機能としてなされる。以
下、実施の形態1との相違点について説明を行う。
処理動作を例示するフローチャートである。本実施の形
態に従う処理動作は、図2に例示される実施の形態1の
ステップS2とステップS3との間に新たな処理が付け
加えられたものである。図示の簡便のために、ステップ
S2とステップS3との間のみの処理を図18に例示し
ている。このように新たに挿入された処理は、本実施の
形態の学習部11dに特有の機能としてなされる。以
下、実施の形態1との相違点について説明を行う。
【0094】ステップS2において欠陥の座標の抽出及
び保持が予備検査機8によって行われウェーハ2がX−
Yステージ1上に載置された後に、ステップS25にお
いて、原点マークに関する処理が行われる。
び保持が予備検査機8によって行われウェーハ2がX−
Yステージ1上に載置された後に、ステップS25にお
いて、原点マークに関する処理が行われる。
【0095】原点マークとは、ウェーハ2の表面におけ
る相対的な位置の基準となる点をいう。ウェーハ2に配
置されている複数のチップには、集積されている素子の
種類に応じて、ある特定の形状をしている部分があった
り、又はチップ内の特定の位置を示す標識が設けられて
いたりする。このようなウェーハ2(チップ)内におけ
る位置の目印となる特定の場所である原点マークは、ス
テップS2における処理の際にその座標を抽出され保持
されている。
る相対的な位置の基準となる点をいう。ウェーハ2に配
置されている複数のチップには、集積されている素子の
種類に応じて、ある特定の形状をしている部分があった
り、又はチップ内の特定の位置を示す標識が設けられて
いたりする。このようなウェーハ2(チップ)内におけ
る位置の目印となる特定の場所である原点マークは、ス
テップS2における処理の際にその座標を抽出され保持
されている。
【0096】ステップS25においては、ステップS2
において複数抽出されている原点マークのうちのいずれ
かである第1の原点マークの座標に基づいてX−Yステ
ージ1の移動を行い、第1の原点マークをカメラ3の視
野内に収める。このような第1の原点マークの撮像のた
めのX−Yステージ1の移動は、学習部11dによって
ステージ制御部6へと指示される。引き続くステップS
26においては、第1の原点マークの撮像をカメラ3を
用いて行い、X−Yステージ1上における原点マークの
座標の抽出及び保持を行う。
において複数抽出されている原点マークのうちのいずれ
かである第1の原点マークの座標に基づいてX−Yステ
ージ1の移動を行い、第1の原点マークをカメラ3の視
野内に収める。このような第1の原点マークの撮像のた
めのX−Yステージ1の移動は、学習部11dによって
ステージ制御部6へと指示される。引き続くステップS
26においては、第1の原点マークの撮像をカメラ3を
用いて行い、X−Yステージ1上における原点マークの
座標の抽出及び保持を行う。
【0097】次に、ステップS27においては、残る原
点マークのうちのいずれかである第2の原点マークの座
標に基づき、第1の原点マークの場合と同様に、第2の
原点マークが視野内に収まるようにX−Yステージ1の
移動を行う。そして、ステップS26と同様にステップ
S28において、第2の原点マークの撮像、座標の抽出
及び保持を行う。
点マークのうちのいずれかである第2の原点マークの座
標に基づき、第1の原点マークの場合と同様に、第2の
原点マークが視野内に収まるようにX−Yステージ1の
移動を行う。そして、ステップS26と同様にステップ
S28において、第2の原点マークの撮像、座標の抽出
及び保持を行う。
【0098】ステップS29においては、ステップS2
6及びステップS28においてそれぞれ抽出された第1
及び第2の原点マークの座標と、ウェーハ2が予備検査
機8からX−Yステージ1へと移動された際に予定通り
の位置に載置されたとした場合の仮想的な第1及び第2
の原点マークの座標とを、それぞれ比較する。そして、
この比較の結果から、現実のウェーハ2と仮想的なウェ
ーハ2との位置のズレが計算される。
6及びステップS28においてそれぞれ抽出された第1
及び第2の原点マークの座標と、ウェーハ2が予備検査
機8からX−Yステージ1へと移動された際に予定通り
の位置に載置されたとした場合の仮想的な第1及び第2
の原点マークの座標とを、それぞれ比較する。そして、
この比較の結果から、現実のウェーハ2と仮想的なウェ
ーハ2との位置のズレが計算される。
【0099】学習部11dは、計算によって求められた
ズレ量が解消される分だけX−Yステージ1が移動され
るように、ステージ制御部6に指示を行う。このような
X−Yステージ1の移動によってズレは補正され、ステ
ップS3以降における欠陥の検査は、初期的な位置のズ
レ無しに良好に行われる。
ズレ量が解消される分だけX−Yステージ1が移動され
るように、ステージ制御部6に指示を行う。このような
X−Yステージ1の移動によってズレは補正され、ステ
ップS3以降における欠陥の検査は、初期的な位置のズ
レ無しに良好に行われる。
【0100】原点マークを2つ用いる理由について説明
を行う。1つの原点マークのみを用いる場合には、その
原点マークの実際の位置と仮想的な位置とを一致させる
ようにX−Yステージ1の移動を行ったとしても、ウェ
ーハ2はその原点マークを中心とする回転方向のズレを
まだ許容されている。そこで、他の原点マークの位置を
も決定することによって、ウェーハ2のこのようなズレ
を完全にシャットアウトして補正の信頼性を向上させて
いる。
を行う。1つの原点マークのみを用いる場合には、その
原点マークの実際の位置と仮想的な位置とを一致させる
ようにX−Yステージ1の移動を行ったとしても、ウェ
ーハ2はその原点マークを中心とする回転方向のズレを
まだ許容されている。そこで、他の原点マークの位置を
も決定することによって、ウェーハ2のこのようなズレ
を完全にシャットアウトして補正の信頼性を向上させて
いる。
【0101】尚、上述の説明においては、チップ内の標
識等を原点マークとする例が示されている。しかし、ス
テップS2において抽出された2つの欠陥の各々の座標
を原点マークとして用いることによっても、上述の如き
補正を行うことは可能である。
識等を原点マークとする例が示されている。しかし、ス
テップS2において抽出された2つの欠陥の各々の座標
を原点マークとして用いることによっても、上述の如き
補正を行うことは可能である。
【0102】次に、第2の未解決の問題点について説明
を行う。図17に例示される学習部11dからステージ
制御部6へと指示されるX−Yステージ1の移動の向き
及び量と、実際にX−Yステージ1が移動する向き及び
量との間には、どうしても誤差が生じてしまう。欠陥を
次々と検査するためにステップS7における高精度補正
としてのX−Yステージ1の移動を繰り返す場合には、
このような誤差が累積されて大きなズレとなり、結果的
に、カメラ3の視野内に収められる筈の欠陥が視野から
外れてしまうという事態が生じてしまう。この場合には
ステップS5における撮像を行うことができず、欠陥の
検査を適切に行うことができなくなってしまう。
を行う。図17に例示される学習部11dからステージ
制御部6へと指示されるX−Yステージ1の移動の向き
及び量と、実際にX−Yステージ1が移動する向き及び
量との間には、どうしても誤差が生じてしまう。欠陥を
次々と検査するためにステップS7における高精度補正
としてのX−Yステージ1の移動を繰り返す場合には、
このような誤差が累積されて大きなズレとなり、結果的
に、カメラ3の視野内に収められる筈の欠陥が視野から
外れてしまうという事態が生じてしまう。この場合には
ステップS5における撮像を行うことができず、欠陥の
検査を適切に行うことができなくなってしまう。
【0103】また、予備検査機8は散乱光を検知して欠
陥の座標を抽出を行う装置であるため、微小な欠陥でも
光の散乱という拡大の効果によって、図18のステップ
S2においては十分に検知することができる。一方、カ
メラ3等の光学的手段を用いる場合には上述のような拡
大の効果はなく、欠陥の座標を抽出するためにはステッ
プS6における倍率が高くなければならない。このこと
は、図6に例示される電子顕微鏡14を用いる場合にも
当てはまる。しかし、ステップS6における倍率を高く
設定すると、欠陥が撮像視野から外れてしまう確率はど
うしても高くなってしまう。
陥の座標を抽出を行う装置であるため、微小な欠陥でも
光の散乱という拡大の効果によって、図18のステップ
S2においては十分に検知することができる。一方、カ
メラ3等の光学的手段を用いる場合には上述のような拡
大の効果はなく、欠陥の座標を抽出するためにはステッ
プS6における倍率が高くなければならない。このこと
は、図6に例示される電子顕微鏡14を用いる場合にも
当てはまる。しかし、ステップS6における倍率を高く
設定すると、欠陥が撮像視野から外れてしまう確率はど
うしても高くなってしまう。
【0104】以上のようなジレンマによって、撮像視野
内に欠陥を収める倍率と微小な欠陥を確実に撮像する倍
率との間には開きがあり、撮像によって欠陥を確実に捉
えることは、実施の形態1の構成のままでは不可能であ
る。
内に欠陥を収める倍率と微小な欠陥を確実に撮像する倍
率との間には開きがあり、撮像によって欠陥を確実に捉
えることは、実施の形態1の構成のままでは不可能であ
る。
【0105】そこで、本実施の形態の学習部11dは、
図19に例示される、本実施の形態に特有の処理を行
う。以下、これらの処理について説明を行う。図19
は、本実施の形態の検査装置が行う処理動作を例示する
フローチャートである。本実施の形態に従う処理動作
は、図2に例示される実施の形態1のステップS6とス
テップS7との間に新たな処理が付け加えられたもので
ある。図示の簡便のために、ステップS4とステップS
8との間のみの処理を図19に例示している。
図19に例示される、本実施の形態に特有の処理を行
う。以下、これらの処理について説明を行う。図19
は、本実施の形態の検査装置が行う処理動作を例示する
フローチャートである。本実施の形態に従う処理動作
は、図2に例示される実施の形態1のステップS6とス
テップS7との間に新たな処理が付け加えられたもので
ある。図示の簡便のために、ステップS4とステップS
8との間のみの処理を図19に例示している。
【0106】ステップS5における撮像の際に欠陥が撮
像処理から外れてしまっていたこと、又は欠陥が小さす
ぎることのいずれかの原因によって、ステップS6にお
いて欠陥の抽出を行うことができなかったことを欠陥の
抽出の失敗であるとする。
像処理から外れてしまっていたこと、又は欠陥が小さす
ぎることのいずれかの原因によって、ステップS6にお
いて欠陥の抽出を行うことができなかったことを欠陥の
抽出の失敗であるとする。
【0107】ステップS6に引き続くステップS30に
おいては、ステップS6における欠陥の抽出が成功か否
かを判断する。“YES”と判断された場合には本実施
の形態に特有の処理を行う必要無しとしてステップS7
へと移行し、以降は実施の形態1の処理がそのまま行わ
れる。
おいては、ステップS6における欠陥の抽出が成功か否
かを判断する。“YES”と判断された場合には本実施
の形態に特有の処理を行う必要無しとしてステップS7
へと移行し、以降は実施の形態1の処理がそのまま行わ
れる。
【0108】一方、“NO”と判断された場合には、ス
テップS31に移行する。上述のように、欠陥の抽出を
失敗させる原因には撮像視野からのはみ出し及び微小さ
の2種類があるが、ステップS31〜ステップS33に
おいてはまず、微小さによって失敗が生じた場合の対処
を行う。ステップS31〜ステップS33における対処
によってもまだ欠陥が抽出できない場合には、失敗の原
因がはみ出しであるとしてステップS36以降の処理を
行う。このように処理を2段階に設けることによって、
いずれの失敗原因をも解消することが可能となってい
る。
テップS31に移行する。上述のように、欠陥の抽出を
失敗させる原因には撮像視野からのはみ出し及び微小さ
の2種類があるが、ステップS31〜ステップS33に
おいてはまず、微小さによって失敗が生じた場合の対処
を行う。ステップS31〜ステップS33における対処
によってもまだ欠陥が抽出できない場合には、失敗の原
因がはみ出しであるとしてステップS36以降の処理を
行う。このように処理を2段階に設けることによって、
いずれの失敗原因をも解消することが可能となってい
る。
【0109】ステップS31においては、ステップS9
と同様に、倍率の引き上げを行う。そして、ステップS
32及びステップS33それぞれにおいて、ステップS
5及びステップS6と同様に欠陥の撮像及び抽出を行
う。ステップS6における抽出の失敗の原因が微小さで
ある場合には、ステップS31の倍率の引き上げによっ
て、ステップS33における欠陥の抽出は成功するはず
である。
と同様に、倍率の引き上げを行う。そして、ステップS
32及びステップS33それぞれにおいて、ステップS
5及びステップS6と同様に欠陥の撮像及び抽出を行
う。ステップS6における抽出の失敗の原因が微小さで
ある場合には、ステップS31の倍率の引き上げによっ
て、ステップS33における欠陥の抽出は成功するはず
である。
【0110】ステップS34においてはステップS30
と同様に、ステップS33における欠陥の抽出が成功し
たか否かが判断される。“YES”と判断された場合に
はステップS7へと移行し、実施の形態1の処理がその
まま行われる。
と同様に、ステップS33における欠陥の抽出が成功し
たか否かが判断される。“YES”と判断された場合に
はステップS7へと移行し、実施の形態1の処理がその
まま行われる。
【0111】“NO”と判断された場合には、失敗の原
因は微小さではなくはみ出しであるということで、ステ
ップS35へと移行する。ステップS35においては、
図18のステップS2において予備検査機8によって抽
出された原点マークのうち、検査対象となっている欠陥
に最も近いものをピックアップする。そしてこの原点マ
ークの座標に基づき、この原点マークをカメラ3の視野
内へと移動させるように、学習部11dからステージ制
御部6へと指示がなされる。
因は微小さではなくはみ出しであるということで、ステ
ップS35へと移行する。ステップS35においては、
図18のステップS2において予備検査機8によって抽
出された原点マークのうち、検査対象となっている欠陥
に最も近いものをピックアップする。そしてこの原点マ
ークの座標に基づき、この原点マークをカメラ3の視野
内へと移動させるように、学習部11dからステージ制
御部6へと指示がなされる。
【0112】ステップS36においては、ステップS3
7における原点マークの撮像に先立ち、原点マークが確
実に視野内に収められるように、カメラ3の倍率の引き
下げが行われる。これによって、カメラ3の実質的な視
野が拡大される。
7における原点マークの撮像に先立ち、原点マークが確
実に視野内に収められるように、カメラ3の倍率の引き
下げが行われる。これによって、カメラ3の実質的な視
野が拡大される。
【0113】ステップS38においては、ステップS3
7において撮像された原点マークの抽出が行われ、その
実際の座標が既知となる。すると、検査対象となってい
る欠陥とこの原点マークとの間の位置の差異は図18の
ステップS2の処理によって既知となっており、原点マ
ークの実際の座標を始点として位置の相対的な差異の分
だけの移動をX−Yステージ1に行わせた場合には、検
査対象である欠陥がカメラ3の視野内に丁度収まるはず
である。そこで、ステップS39においては、原点マー
クの実際の座標を始点とする相対的な移動をX−Yステ
ージ1に行わせる。
7において撮像された原点マークの抽出が行われ、その
実際の座標が既知となる。すると、検査対象となってい
る欠陥とこの原点マークとの間の位置の差異は図18の
ステップS2の処理によって既知となっており、原点マ
ークの実際の座標を始点として位置の相対的な差異の分
だけの移動をX−Yステージ1に行わせた場合には、検
査対象である欠陥がカメラ3の視野内に丁度収まるはず
である。そこで、ステップS39においては、原点マー
クの実際の座標を始点とする相対的な移動をX−Yステ
ージ1に行わせる。
【0114】ステップS39における相対的な移動によ
って視野に対する欠陥のズレが補正された場合には、ス
テップS5における撮像の後のステップS6において、
欠陥は抽出されるはずである。尚、ステップS39とス
テップS5との間に倍率の引き上げを行うステップS4
0を挟み込んでおくことによって、ステップS36にお
いて引き下げられた倍率から欠陥の検査を行わなければ
ならないという不都合を回避することが可能となる。ス
テップS40において引き上げられた後の倍率として
は、ステップS36において引き下げられる直前の倍率
を学習部11dの記憶回路に記憶させておいて用いれば
十分である。
って視野に対する欠陥のズレが補正された場合には、ス
テップS5における撮像の後のステップS6において、
欠陥は抽出されるはずである。尚、ステップS39とス
テップS5との間に倍率の引き上げを行うステップS4
0を挟み込んでおくことによって、ステップS36にお
いて引き下げられた倍率から欠陥の検査を行わなければ
ならないという不都合を回避することが可能となる。ス
テップS40において引き上げられた後の倍率として
は、ステップS36において引き下げられる直前の倍率
を学習部11dの記憶回路に記憶させておいて用いれば
十分である。
【0115】以上のような構成によって、ステップS6
における欠陥の抽出が失敗した場合にも失敗の原因を補
って、欠陥の抽出を再度ステップS6において適切に行
うことが可能となる。これによって、実施の形態1〜実
施の形態7に記載の構成を用いる場合よりも、欠陥の検
査の信頼性が向上される。
における欠陥の抽出が失敗した場合にも失敗の原因を補
って、欠陥の抽出を再度ステップS6において適切に行
うことが可能となる。これによって、実施の形態1〜実
施の形態7に記載の構成を用いる場合よりも、欠陥の検
査の信頼性が向上される。
【0116】ステップS39における相対的な移動行っ
てもステップS6における抽出が失敗する場合には、ス
テップS5、ステップS34及びステップS35を経由
するループによって、1つの欠陥に対して無限に処理が
続けられてしまうという事態が生じ得る。そこで、ある
1つの欠陥に対してこのループの処理がなされた回数を
カウントし、このカウント値がある設定値まで達したら
その欠陥の観察を諦め、図2に例示されるステップS3
aへと移行して次の欠陥の観察を行うという構成を採用
しても良い。ループの処理回数をカウントする構成の他
に、1つの欠陥に対して要した処理時間がある設定時間
を越えたらステップS3aへと移行するという構成を用
いても良い。
てもステップS6における抽出が失敗する場合には、ス
テップS5、ステップS34及びステップS35を経由
するループによって、1つの欠陥に対して無限に処理が
続けられてしまうという事態が生じ得る。そこで、ある
1つの欠陥に対してこのループの処理がなされた回数を
カウントし、このカウント値がある設定値まで達したら
その欠陥の観察を諦め、図2に例示されるステップS3
aへと移行して次の欠陥の観察を行うという構成を採用
しても良い。ループの処理回数をカウントする構成の他
に、1つの欠陥に対して要した処理時間がある設定時間
を越えたらステップS3aへと移行するという構成を用
いても良い。
【0117】この場合には、自動的に検査を行うことが
できなかった欠陥は、後で手動にて検査を行わなければ
ならない。そこで、自動的に検査を行うことができなか
った欠陥の座標を例えば専用のファイル等に記憶させて
おく構成を採用すると良い。このような構成を採用する
ことによって、手動で検査を行わなければならない欠陥
のみを知ることができ、効率的である。
できなかった欠陥は、後で手動にて検査を行わなければ
ならない。そこで、自動的に検査を行うことができなか
った欠陥の座標を例えば専用のファイル等に記憶させて
おく構成を採用すると良い。このような構成を採用する
ことによって、手動で検査を行わなければならない欠陥
のみを知ることができ、効率的である。
【0118】本実施の検査装置を用いることによって、
1回目の撮像で検査を行えなかった欠陥に対して、倍率
及び撮像位置という条件が変えられた撮像が何度か行わ
れる。これによって、欠陥の抽出がより確実に行われ、
検査の信頼性が向上される。
1回目の撮像で検査を行えなかった欠陥に対して、倍率
及び撮像位置という条件が変えられた撮像が何度か行わ
れる。これによって、欠陥の抽出がより確実に行われ、
検査の信頼性が向上される。
【0119】このような効果は、特に電子顕微鏡等を用
いる場合、即ち、観察のためにX−Yステージ1のXY
平面に対する角度を変化させながら観察を行う場合に顕
著となる。というのは、X−Yステージ1の角度を変化
させる場合にはX−Yステージ1中のある軸を中心とし
てX−Yステージ1を回転させるため、同じX−Yステ
ージ1の位置であっても、中心軸からの距離の違いによ
って回転の際の移動量は異なってしまうからである。
いる場合、即ち、観察のためにX−Yステージ1のXY
平面に対する角度を変化させながら観察を行う場合に顕
著となる。というのは、X−Yステージ1の角度を変化
させる場合にはX−Yステージ1中のある軸を中心とし
てX−Yステージ1を回転させるため、同じX−Yステ
ージ1の位置であっても、中心軸からの距離の違いによ
って回転の際の移動量は異なってしまうからである。
【0120】中心軸付近の欠陥ならば回転の角度に若干
の誤差が生じていても撮像視野内に収まるが、離れた欠
陥ならばこの誤差によって生ずる位置の狂いが大きくな
ってしまい、視野内に収まらなくなってしまう。しか
し、本実施の形態の構成は、視野内に収まらなくなって
しまった欠陥を視野内へと収めて再び撮像を行うもので
あり、有用である。同様の理由によって、X−Yステー
ジ1をXY平面にて(Z軸を中心にして)回転させて観
察する場合にも回転中心から離れた位置の欠陥はズレが
大きくなってしまうため、本実施の形態の構成にて有効
に対処できる。
の誤差が生じていても撮像視野内に収まるが、離れた欠
陥ならばこの誤差によって生ずる位置の狂いが大きくな
ってしまい、視野内に収まらなくなってしまう。しか
し、本実施の形態の構成は、視野内に収まらなくなって
しまった欠陥を視野内へと収めて再び撮像を行うもので
あり、有用である。同様の理由によって、X−Yステー
ジ1をXY平面にて(Z軸を中心にして)回転させて観
察する場合にも回転中心から離れた位置の欠陥はズレが
大きくなってしまうため、本実施の形態の構成にて有効
に対処できる。
【0121】以上のような理由によって、X−Yステー
ジ1を回転させた前後にて観察の条件は変わってしま
う。従って、図2に例示されるステップS11において
得られた変化前のX−Yステージ1の移動の積分値を変
化後にも用いて、ステップS4aにおける「移動の積分
値が付加されたX−Yステージ1の移動」を行うことは
不適切である。このような不都合に対処するためには、
ステップS34における状態からステップS39におけ
る相対的な移動後の状態までの移動量の積分を行い、こ
の積分値をステップS11の積分値の代わりに記憶させ
ておけば良い。このような構成によって、変化後の条件
に適した積分値がステップS4aにおいて用いられるこ
とになる。
ジ1を回転させた前後にて観察の条件は変わってしま
う。従って、図2に例示されるステップS11において
得られた変化前のX−Yステージ1の移動の積分値を変
化後にも用いて、ステップS4aにおける「移動の積分
値が付加されたX−Yステージ1の移動」を行うことは
不適切である。このような不都合に対処するためには、
ステップS34における状態からステップS39におけ
る相対的な移動後の状態までの移動量の積分を行い、こ
の積分値をステップS11の積分値の代わりに記憶させ
ておけば良い。このような構成によって、変化後の条件
に適した積分値がステップS4aにおいて用いられるこ
とになる。
【0122】
【発明の効果】請求項1に記載の構成によれば、制御手
段毎の相対的な移動の癖が学習によって把握され、新た
な欠陥に対して相対的な移動が行われる際にこの癖が反
映される。これによって、観察視野から欠陥が外れてし
まうことを回避するために拡大と相対的な移動とを繰り
返すことを省略することが可能となる。即ち、検査に要
する時間が短縮され、開発試作品及び製作治具のみなら
ず、販売又は使用目的のために量産される製品の検査を
行うことが可能となる。
段毎の相対的な移動の癖が学習によって把握され、新た
な欠陥に対して相対的な移動が行われる際にこの癖が反
映される。これによって、観察視野から欠陥が外れてし
まうことを回避するために拡大と相対的な移動とを繰り
返すことを省略することが可能となる。即ち、検査に要
する時間が短縮され、開発試作品及び製作治具のみなら
ず、販売又は使用目的のために量産される製品の検査を
行うことが可能となる。
【0123】請求項2に記載の構成によれば、向き及び
量という2つのパラメータによって制御手段の癖が把握
される。これらのパラメータは、そのままの値にて記憶
及び読み出しを行うことが可能である。従って、向き及
び量に基づいて行われる相対的な移動は再現性が高くな
り、欠陥は観察視野の中に好適に位置したままとなる。
量という2つのパラメータによって制御手段の癖が把握
される。これらのパラメータは、そのままの値にて記憶
及び読み出しを行うことが可能である。従って、向き及
び量に基づいて行われる相対的な移動は再現性が高くな
り、欠陥は観察視野の中に好適に位置したままとなる。
【0124】請求項3に記載の構成によれば、検査装置
の電源が投入される度に相対的な移動の学習を行わなけ
ればならない必要がなくなる。これによって、学習に要
する時間が不要となり、請求項1に記載の構成による効
果に加え、検査に要する時間が更に短縮される。
の電源が投入される度に相対的な移動の学習を行わなけ
ればならない必要がなくなる。これによって、学習に要
する時間が不要となり、請求項1に記載の構成による効
果に加え、検査に要する時間が更に短縮される。
【0125】請求項4に記載の構成によれば、欠陥の種
別のうち画像情報と分析結果とが対応付けられていない
もののみが分析手段の対象となる。これによって、対応
付けが行われている種別に対して分析が行われてしまう
という無駄が省かれ、検査に要する時間が短縮される。
別のうち画像情報と分析結果とが対応付けられていない
もののみが分析手段の対象となる。これによって、対応
付けが行われている種別に対して分析が行われてしまう
という無駄が省かれ、検査に要する時間が短縮される。
【0126】更に、未学習の画像情報に対して対応付け
が逐次行われることによって、学習済の種別が増加して
いく。このような構成は、検査を行う前に予め対応付け
の学習が行われた欠陥のみ種別の判別が行われるとい
う、使用時には学習を行わない従来の構成とは異なり、
使用者の手間を取ることなく使用に並行して検査装置の
性能が向上される。
が逐次行われることによって、学習済の種別が増加して
いく。このような構成は、検査を行う前に予め対応付け
の学習が行われた欠陥のみ種別の判別が行われるとい
う、使用時には学習を行わない従来の構成とは異なり、
使用者の手間を取ることなく使用に並行して検査装置の
性能が向上される。
【0127】請求項5に記載の構成によれば、補修手段
によっては補修することが不可能である種別の欠陥に対
して補修手段が稼動するという無駄が省かれる。
によっては補修することが不可能である種別の欠陥に対
して補修手段が稼動するという無駄が省かれる。
【0128】請求項6に記載の構成によれば、広い面積
の中に存在するただ1つの欠陥のみによって不良品とさ
れてしまうディスプレイ用の基板が、請求項5に記載の
構成によって検査及び補修される。従来ならば量産品の
欠陥の検査及び補修が行えないことによって無駄になっ
ていたディスプレイ用の基板が請求項5に記載の構成に
よって救済されることによって活用することが可能とな
り、ディスプレイの生産性が向上される。
の中に存在するただ1つの欠陥のみによって不良品とさ
れてしまうディスプレイ用の基板が、請求項5に記載の
構成によって検査及び補修される。従来ならば量産品の
欠陥の検査及び補修が行えないことによって無駄になっ
ていたディスプレイ用の基板が請求項5に記載の構成に
よって救済されることによって活用することが可能とな
り、ディスプレイの生産性が向上される。
【0129】請求項7に記載の構成によれば、ステージ
上に半導体基板が正しく載置されたことになる。これに
よって、制御手段による収納動作が失敗なく行われ、欠
陥の観察を確実に行うことが可能となる。
上に半導体基板が正しく載置されたことになる。これに
よって、制御手段による収納動作が失敗なく行われ、欠
陥の観察を確実に行うことが可能となる。
【0130】請求項8に記載の構成によれば、観察視野
から外れてしまった欠陥が観察視野内へと収納される。
これによって、この新たな欠陥に対する検査を確実に行
うことが可能となる。
から外れてしまった欠陥が観察視野内へと収納される。
これによって、この新たな欠陥に対する検査を確実に行
うことが可能となる。
【0131】請求項9に記載の構成によれば、引き下げ
後の倍率から欠陥の観察を行い始めなければならないと
いう手間が省かれる。これによって、観察手段によって
行われる欠陥の拡大及び観察の何段階か分の時間が短縮
され、検査の効率が向上される。
後の倍率から欠陥の観察を行い始めなければならないと
いう手間が省かれる。これによって、観察手段によって
行われる欠陥の拡大及び観察の何段階か分の時間が短縮
され、検査の効率が向上される。
【図1】 実施の形態1に従う検査装置の構成の一例を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図2】 実施の形態1に従う検査装置を用いる際の処
理手順の一例を示すフローチャートである。
理手順の一例を示すフローチャートである。
【図3】 実施の形態1に従う検査装置を用いる際の処
理手順の他例を示すフローチャートである。
理手順の他例を示すフローチャートである。
【図4】 実施の形態2に従う検査装置の構成の一例を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図5】 実施の形態2に従う検査装置を用いる際の処
理手順の一例を示すフローチャートである。
理手順の一例を示すフローチャートである。
【図6】 実施の形態3に従う検査装置の構成の一例を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図7】 実施の形態3に従う検査装置を用いる際の処
理手順の一例を示すフローチャートである。
理手順の一例を示すフローチャートである。
【図8】 実施の形態4に従う検査装置の構成の一例を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図9】 実施の形態4に従う検査装置を用いる際の処
理手順の一例を示すフローチャートである。
理手順の一例を示すフローチャートである。
【図10】 実施の形態5に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図11】 実施の形態5に従う検査装置を用いる際の
処理手順の一例を示すフローチャートである。
処理手順の一例を示すフローチャートである。
【図12】 実施の形態6に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図13】 実施の形態6に従う検査装置を用いる際の
処理手順の一例を示すフローチャートである。
処理手順の一例を示すフローチャートである。
【図14】 実施の形態7に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図15】 実施の形態7に従う検査装置を用いる際の
処理手順の一例を示すフローチャートである。
処理手順の一例を示すフローチャートである。
【図16】 実施の形態7に従う検査装置を用いる際の
処理手順の一例を示すフローチャートである。
処理手順の一例を示すフローチャートである。
【図17】 実施の形態8に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図18】 実施の形態8に従う検査装置を用いる際の
処理手順の一例を示すフローチャートである。
処理手順の一例を示すフローチャートである。
【図19】 実施の形態8に従う検査装置を用いる際の
処理手順の他例を示すフローチャートである。
処理手順の他例を示すフローチャートである。
1 X−Yステージ、2 ウェーハ、2a 薄膜トラン
ジスタ(TFT)基板、3 カメラ、4 画像処理部、
5 画像信号線、5a 画像信号線、6 ステージ制御
部、7 制御信号線、8 予備検査機、9,10a 座
標用信号線、10b 移動用信号線、10c 分析結果
用信号線、10d 補修用信号線、11,11a〜11
d 学習部、12 成分分析部、14 電子顕微鏡、1
5 集束イオンビーム光学系、16 レーザー加工機、
17 モニタ。
ジスタ(TFT)基板、3 カメラ、4 画像処理部、
5 画像信号線、5a 画像信号線、6 ステージ制御
部、7 制御信号線、8 予備検査機、9,10a 座
標用信号線、10b 移動用信号線、10c 分析結果
用信号線、10d 補修用信号線、11,11a〜11
d 学習部、12 成分分析部、14 電子顕微鏡、1
5 集束イオンビーム光学系、16 レーザー加工機、
17 モニタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G06T 7/00 G06F 15/62 405A
Claims (9)
- 【請求項1】 被検査体である半導体基板が有する欠陥
の位置を抽出する抽出手段と、 前記欠陥の拡大及び観察を行う観察手段と、 抽出された前記位置を前記観察手段の観察視野に収める
収納動作を、前記半導体基板と該観察手段との相対的な
移動によって、前記拡大に並行して遂行する制御手段
と、 前記相対的な移動の学習を行い、学習済の該相対的な移
動を新たな欠陥に対して再現することを前記制御手段に
指示する学習手段とを備える、検査装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の検査装置であって、 前記学習は、前記相対的な移動の向き及び量を記憶する
ことによってなされる、検査装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の検査装置であって、 前記向き及び前記量は、前記検査装置の電源が切られて
いるときにも続けて記憶される、検査装置。 - 【請求項4】 請求項1、請求項2または請求項3に記
載の検査装置であって、 前記欠陥の成分を分析して分析結果を得る分析手段を更
に備え、 前記観察手段は、前記欠陥の画像情報を取り込み、 前記学習手段は、 前記分析結果と前記画像情報との対応付けによる学習に
基づき、新たな画像情報を与える前記新たな欠陥の種別
を判別し、 前記新たな欠陥に対して前記分析手段が稼動するか否か
を決定する、検査装置。 - 【請求項5】 請求項4に記載の検査装置であって、 前記新たな欠陥の補修を行う補修手段を更に備え、 前記学習手段は、前記対応付けによって判別された前記
種別に応じて、前記補修手段が稼動するか否かを決定す
る、検査装置。 - 【請求項6】 請求項5に記載の検査装置であって、前
記半導体基板はディスプレイ用の基板である、検査装
置。 - 【請求項7】 請求項1に記載の検査装置であって、 前記抽出手段と前記観察手段とは、互いに別個であり、 前記半導体基板は、 前記半導体基板における相対的な位置の基準となる第1
及び第2のポインタそれぞれの位置である第1及び第2
の位置を前記抽出手段によって抽出され、 前記第1及び第2の位置を前記抽出手段によって抽出さ
れた後に、前記制御手段によって動きを制御されるステ
ージ上に載置され、 前記観察手段は、前記ステージ上に載置された前記半導
体基板に関して、前記第1及び第2の位置を抽出し、 前記学習手段は、 前記半導体基板が前記ステージ上に正しく載置されてい
る場合の仮想的な前記第1及び第2の位置と、前記観察
手段によって抽出された前記第1及び第2の位置とをそ
れぞれ比較することによって、該半導体基板と該ステー
ジとの位置関係のズレを認識し、 前記ズレが解消される前記ステージの移動を前記制御手
段に指示する、検査装置。 - 【請求項8】 請求項1に記載の検査装置であって、 前記学習手段は、前記欠陥が前記観察視野内にて観察不
可能であることを検知すると、 前記観察手段には倍率の引き下げを指示し、 前記制御手段には、前記半導体基板における相対的な位
置の基準となるポインタが前記引き下げ後の前記観察視
野に収納されることを指示し、 前記観察手段は、前記観察視野に収納された前記ポイン
タの位置である基準位置を抽出し、 前記学習手段は、前記抽出手段によって得られている前
記ポインタの位置と前記欠陥の位置との間の相対的な位
置の分の移動を、前記基準位置を始点として行うことを
前記制御手段に指示する、検査装置。 - 【請求項9】 請求項8に記載の検査装置であって、 前記学習手段は、前記基準位置が抽出された後であり、
前記基準位置を始点として前記相対的な位置の分の移動
を行うことを指示するよりも前に、前記観察手段に前記
倍率の引き上げを指示する、検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9149231A JPH10340935A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9149231A JPH10340935A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340935A true JPH10340935A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15470747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9149231A Pending JPH10340935A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10340935A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713761B2 (en) | 2000-05-29 | 2004-03-30 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| US7010447B2 (en) | 2000-07-26 | 2006-03-07 | Hitachi, Ltd. | Method for inspecting defect and system therefor |
| JP2011203710A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-10-13 | Olympus Corp | 欠陥修正装置、欠陥追跡方法および欠陥追跡プログラム |
| KR101319682B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2013-10-17 | 오르보테크 엘티디. | 전기 회로의 자동 수리 |
| WO2020017546A1 (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 合同会社Synapse Gear | 撮像装置と撮像方法 |
| KR102203169B1 (ko) * | 2019-12-30 | 2021-01-14 | 주식회사 태크녹스 | 저항성 온도센서의 교정장치 |
| CN112437879A (zh) * | 2018-07-19 | 2021-03-02 | 株式会社富士 | 检查设定装置及检查设定方法 |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP9149231A patent/JPH10340935A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7521695B2 (en) | 2000-05-29 | 2009-04-21 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| US6713761B2 (en) | 2000-05-29 | 2004-03-30 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| US7009178B2 (en) | 2000-05-29 | 2006-03-07 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| US7217925B2 (en) | 2000-05-29 | 2007-05-15 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| US7558683B2 (en) | 2000-07-26 | 2009-07-07 | Hitachi, Ltd. | Method for inspecting defect and system therefor |
| US7305314B2 (en) | 2000-07-26 | 2007-12-04 | Hitachi, Ltd. | Method for inspecting defect and system therefor |
| US7010447B2 (en) | 2000-07-26 | 2006-03-07 | Hitachi, Ltd. | Method for inspecting defect and system therefor |
| KR101319682B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2013-10-17 | 오르보테크 엘티디. | 전기 회로의 자동 수리 |
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| CN112437879A (zh) * | 2018-07-19 | 2021-03-02 | 株式会社富士 | 检查设定装置及检查设定方法 |
| CN112437879B (zh) * | 2018-07-19 | 2024-01-16 | 株式会社富士 | 检查设定装置及检查设定方法 |
| KR102203169B1 (ko) * | 2019-12-30 | 2021-01-14 | 주식회사 태크녹스 | 저항성 온도센서의 교정장치 |
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