JPH1035106A - 光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度記録再生消去、書換特性、広範囲な記
録パワーマージンを満足する相変化型光ディスクを提供
する。 【解決手段】 光照射により非晶質相と結晶質相間の相
変化で情報を記録、消去する記録層３を有し、その記録
層３がＧｅ（ゲルマニウム），Ｓｂ（アンチモン），Ｔ
ｅ（テルル）からなる光ディスクＡＡにおいて、記録層
３の組成が、Ａ（Ｇｅ２３Ｓｂ２１Ｔｅ５６）、Ｂ（Ｇ
ｅ２０Ｓｂ２１Ｔｅ５９）、Ｃ（Ｇｅ２０Ｓｂ２３Ｔｅ
５７）、Ｄ（Ｇｅ２３Ｓｂ２３Ｔｅ５４）、の四点Ａ〜
Ｄで囲まれる領域ＢＢ内にある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は情報の書換えが可能
な光ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】光の熱エネルギーによる非晶質と結晶質
間の相変化を利用して情報を記録、再生、消去する光デ
ィスクは広く知られている。中でも記録層として使用さ
れるＧｅ（ゲルマニウム）Ｓｂ（アンチモン）Ｔｅ（テ
ルル）系化合物は、最も盛んに開発が進められている材
料であり、その組成に関してもいくつかの発明がなされ
ている（例えば特開昭６２−５３８８６号公報等）。

【０００３】また、こうした書換型光ディスクの製造法
としてはスパッタリングや蒸着等の真空成膜法を用いて
積層する方法が一般的である。さらに、この光ディスク
の構造としては保護層、記録層、反射層からなるものが
良く知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】さて、相変化材料を用
いた書換型光ディスク（いわゆるＲＡＭディスク）はデ
ジタルビデオディスク（ＤＶＤ）の規格化が進むなか、
世間から大きな注目をうけている。ＤＶＤ規格における
ＲＡＭディスク（ＤＶＤ−ＲＡＭ）としては相変化材料
を用いたディスクが規格化されるからである。このＤＶ
Ｄ−ＲＡＭはコンピュータペリフェラル用や動画、音声
等を記録したディジタルビデオディスク用として応用さ
れることが期待されている。これらの応用製品としては
大容量且つ、高情報転送レート等を備えたＤＶＤ−ＲＡ
Ｍが必要とされている。この点を考慮してディスクの線
速度を規定すると６．０ｍ／ｓ付近になる。ディスクの
線速度を６．０ｍ／ｓ付近にした理由は、ＤＶＤ規格に
おけるＲＯＭディスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ）の転送レート
にＤＶＤ−ＲＡＭの転送レートを合せるためであり、Ｄ
ＶＤ−ＲＯＭの転送レートは１１．０８Ｍｂｐｓである
から、ＤＶＤ−ＲＡＭの記録密度を０．４１μｍ／ｂｉ
ｔ等とすることにより、ＤＶＤ−ＲＡＭの線速度を６．
０ｍ／ｓ付近とすることができるのである。

【０００５】しかし、ＧｅＳｂＴｅ相変化媒体は組成の
違いによる線速度依存性が非常に強く、一つの組成で広
範囲の線速度に対応するのが非常に困難である。これは
ＧｅＳｂＴｅがそれぞれの原子組成量によって結晶化速
度が明確に違っていることに起因している。例えば、Ｇ
ｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５付近の組成は結晶化速度が約５０ｎｓ
ｅｃと非常に高速である。この組成を有するＧｅＳｂＴ
ｅ相変化媒体の記録層を備えたＤＶＤ−ＲＡＭを用いて
情報の記録（書き換え＝オーバーライト）を行う場合、
ディスクの線速度域が６〜１０ｍ／ｓ付近と高速度域で
あつても情報の記録を確実にできることが知られてい
る。この反面、ディスクの線速度域が２〜３ｍ／ｓ付近
の低速度域での情報の記録、オーバーライトは当然不可
能になる。

【０００６】一方、ＲＡＭディスクには最適な構造があ
り、各層の膜厚には最適な範囲があるということも知ら
れている（特開平４−１４４８５号公報等）。しかしこ
の範囲もある目的の線速度に対応させる場合、広範囲で
はなかった。また、対応線速度が変われば当然最適なデ
ィスク構造（各層の膜厚）も変わるものであった。さら
に、記録層組成が目的の線速度に最適であってもディス
ク構造が最適でなければ、ＲＡＭディスクのエラーレー
ト、書換回数等の性能において満足できるものはできな
かった。

【０００７】そこで、本発明は、線速度６．０ｍ／ｓ付
近で回転する直径１２０ｍｍの書換型光ディスクに片面
２ＧＢ（ギガハイト）以上の情報を記録、再生、オーバ
ーライトを低エラーレートで且つ、書換回数１０万回以
上を実現するＤＶＤ−ＲＡＭを得るに必要な技術を提供
することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は下記する（１）〜（４）の構成を有す
る光ディスクを提供する。

【０００９】（１） 図１，図２に示すように、（レー
ザ光の）光照射により非晶質相と結晶質相間の相変化で
情報を記録、消去する記録層３を有し、その記録層３が
Ｇｅ（ゲルマニウム），Ｓｂ（アンチモン），Ｔｅ（テ
ルル）からなる光ディスクＡＡにおいて、前記記録層３
の組成が、Ａ（Ｇｅ２３Ｓｂ２１Ｔｅ５６）、Ｂ（Ｇｅ
２０Ｓｂ２１Ｔｅ５９）、Ｃ（Ｇｅ２０Ｓｂ２３Ｔｅ５
７）、Ｄ（Ｇｅ２３Ｓｂ２３Ｔｅ５４）、の四点Ａ〜Ｄ
で囲まれる領域ＢＢ内にあることを特徴とする光ディス
ク。

【００１０】（２） 図１に示すように、前記記録層３
を有し、且つ基板１、下保護層２、記録層３、上保護層
４、反射層５、保護層６の順に積層されて成る光ディス
クＡＡにおいて、下保護層２の厚さは７５〜１００ｎ
ｍ、記録層３の厚さは１５〜２５ｎｍ、上保護層４の厚
さは１０〜２５ｎｍ、反射層５の厚さは７０〜１８０ｎ
ｍ、であることを特徴とする上記（１）記載の光ディス
ク。

【００１１】（３） 図１に示すように、基板１、下保
護層２、記録層３、上保護層４、反射層５、保護層６の
順に積層されて成る光ディスクＡＡであって、前記記録
層３は、（レーザ光の）光照射により非晶質相と結晶質
相間の相変化で情報を記録、消去するＧｅ（ゲルマニウ
ム），Ｓｂ（アンチモン），Ｔｅ（テルル）からなる組
成が、Ａ（Ｇｅ２３Ｓｂ２１Ｔｅ５６）、Ｂ（Ｇｅ２０
Ｓｂ２１Ｔｅ５９）、Ｃ（Ｇｅ２０Ｓｂ２３Ｔｅ５
７）、Ｄ（Ｇｅ２３Ｓｂ２３Ｔｅ５４）、（ａｔ％）の
四点Ａ〜Ｄで囲まれる領域内ＢＢにあり、前記下保護層
２の厚さは７５〜１００ｎｍ、前記記録層３の厚さは１
５〜２５ｎｍ、前記上保護層４の厚さは１０〜２５ｎ
ｍ、前記反射層５の厚さは７０〜１８０ｎｍ、であるこ
とを特徴とする光ディスク。

【００１２】（４） 前記下保護層２及び上保護層４
は、硫化物、酸化物からなるか、或いは、硫化物、酸化
物に窒化物、酸化物を添加した物質からなり、前記反射
層５はＡｌ（アルミニウム）合金からなり、前記基板１
はポリカーボネート或いはポリオレフィンからなること
を特徴とする上記（２），（３）記載の光ディスク。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の一実施例を説明する。図１は本発明の光ディスクの構
造を説明するための図、図２は本発明の光ディスクにお
ける記録層に好適な原子組成量の領域を説明するための
図、図３〜図５はそれぞれ本発明の光ディスクの書換特
性を示す図である。

【００１４】本発明の光ディスクＡＡは、図１に示すよ
うに、基板１上に下保護層（下引き層）２、記録層３、
上保護層（上引き層）４、反射層５、紫外線（ＵＶ）硬
化樹脂保護層６が順次積層してなる書換型光ディスクで
ある。そして各層の厚さは次の通りである。下保護層２
は７５〜１００ｎｍ、記録層３は１５〜２５ｎｍ、上保
護層４は１０〜２５ｎｍ、反射層５は７０〜１８０ｎ
ｍ、ＵＶ硬化樹脂保護層６は６μｍ、基板１は０．６ｍ
ｍである。同図中、矢印ａは光ディスクＡに照射される
レーザ光の入射方向を示している。

【００１５】前記した基板１は記録（書換え、消去）と
再生のレーザ光が透過できるポリカーボネートあるいは
ポリオレフィン製の透光性基板であり、記録、再生用レ
ーザ光を案内するプリグルーブ１ａやプリピット１ｂが
設けられている。このプリグルーブ１ａ、プリピット１
ｂは射出成型されて形成される。この基板１は線速度一
定（ＣＬＶ。厳密に言うといわゆる「Ｚ（ゾーン）ＣＬ
Ｖ」）に予めフォーマットがなされており、各セクタの
先頭にはアドレス信号がエンボスピットとして予め記録
されている。ユーサが使用する情報エリアは空溝（図示
せず）であり、プリグルーブ１ａ、プリピット１ｂを参
照しつつ情報をこの空溝に記録する。

【００１６】前記した下保護層２、上保護層４は誘電体
層であり、金属の硫化物、酸化物からなるか、或いは、
硫化物、酸化物に窒化物、酸化物を添加した物質が用い
られる。例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＺｎＳ、ＳｉＯ2
、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ａ
ｌＳｉＯＮ、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 などの単体、あるいは
これらの混合物である。ここでは一例として、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 を用いる。前記した反射層５は、Ａｌ、Ａｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔなどの金
属、あるいはこれらの合金や半導体が用いられる。ここ
では一例として、Ａｌ合金を用いる。

【００１７】前記したＵＶ硬化樹脂保護層６は、成膜し
たディスクを大気中に取り出し、反射層５上に紫外線硬
化樹脂を塗布した後に紫外線を照射し樹脂を硬化するこ
とにより形成される。紫外線硬化樹脂は少なくともプレ
ポリマー（単官能アクリレートモノマー、多官能アクリ
レートモノマー等）と光重合開始剤からなる。

【００１８】さて、前記した記録層３は、レーザ光の照
射により非晶質相と結晶質相間の反射率変化あるいは屈
折率変化を生じるＧｅＳｂＴｅ系相変化材料が用いられ
る。一般に、ＧｅＳｂＴｅ系相変化材料を記録層に用い
た相変化型光ディスクはディスクの回転数、即ち線速度
依存性が強いことが知られている。この性質によって記
録、オーバーライト性能が非常に左右されやすい。つま
り、ある組成を持った記録層はある一定の比較的狭い線
速度域でしか、良好な記録、オーバーライト特性を示さ
ない。

【００１９】また、こうした相変化型光ディスクはレー
ザ光吸収による熱を利用して記録、オーバーライトを行
っている。従って、各層（下保護層２、記録層３、上保
護層４、反射層５、ＵＶ硬化樹脂保護層６）の膜厚、デ
ィスク構造もこの記録、オーバーライトの特性に多大な
影響がある。

【００２０】本発明の光ディスクは、これまで提案され
てきた記録層の広範囲な組成や各層膜厚構造のように数
回程度或いは、一回でも記録、オーバーライトができる
というような曖昧な範囲指定でなく、線速度６ｍ／ｓ付
近（６．０〜６．４ｍ／ｓ）で直径１２０ｍｍのディス
クに２ＧＢ以上の高密度情報記録ができ、且つ、１０万
回以上、低エラーレートでオーバーライトができるとい
う目的に合致した記録層組成とディスク構造を合わせて
提案するものである。本発明は記録層組成だけ或いは、
ディスク各層の膜厚構造だけで成り立つものでなく、両
条件が揃ったとき効果が発現できるものである。

【００２１】ところで、本発明の光ディスクの記録層３
に用いられるＧｅＳｂＴｅ系相変化材料が、線速度依存
性が強い理由は以下の通りである。ＧｅＳｂＴｅ系材料
はそれぞれの原子量によって昇温、冷却による結晶化速
度（結晶化温度）が明確に違ってくる。ディスクの回転
速度が違う、即ち線速度が違えば、ある点に照射される
レーザ光照射時間も違ってくる。このため昇温温度、冷
却時間等の熱の条件が違ってくるので線速度によって記
録、オーバーライト特性に大きな影響を及ぼすためであ
る。

【００２２】前記した昇温温度、冷却時間等の熱の条件
を左右するものに、各層の膜厚、ディスクの構造があ
る。このため、前記した光ディスクＡＡは基板１上に下
保護層２、記録層３、上保護層４、反射層５、ＵＶ硬化
樹脂保護層６を順に積層して成っている。これら各層の
厚み、材質により最適な記録感度、オーバーライト繰り
返し性を調整している。

【００２３】つまり、光ディスクＡＡ全体の熱的バラン
スを最適に保つ構造にする必要がある。例えば、記録層
３における記録感度は各層（下保護層２、記録層３、上
保護層４、反射層５）を薄くしていけば、高くなる方向
にいく。しかし、各層が薄くなりすぎると記録不可能に
なったり、繰り返しオーバーライト特性に障害が発生す
ることがわかった。また、逆に低感度化すると、前記し
た各層の膜厚を厚くしていくことになるので、物理的に
強固にはなる。しかし記録、消去、オーバーライトに過
大なレーザパワーが必要となり、結果として記録層３の
物理的な劣化が加速されオーバーライト可能回数の減少
につながる。

【００２４】以上のような理由から、下記する最適な記
録層の組成とディスク構造の条件が決定され、その二つ
の条件が揃って発明の効果が発現されるのである。

【００２５】以下、本発明の光ディスクの実施例を比較
例と共に、説明する。 （実施例）Ｇｅ２１．５Ｓｂ２１．５Ｔｅ５６．９（ａ
ｔ％）の組成（図２に示す点Ｅ）の記録層３を用い、ス
パイラル状に深さ約７０ｎｍのトラック溝（空溝）を切
った直径１２０ｍｍのポリカーボネート製のディスク基
板１上に、順に下保護層２、記録層３、上保護層４、反
射層５、ＵＶ硬化樹脂保護層６を積層して光ディスクＡ
Ａを作成した。

【００２６】ＵＶ硬化樹脂保護層６はスピンコート法を
用いて成膜し、それ以外の層（下保護層２、記録層３、
上保護層４、反射層５）はスパッタリング法によって成
膜した。上下保護層２，４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 を、反射
層５にはＡｌ合金をそれぞれ用いた。

【００２７】こうして作成された光ディスクの構造は次
の厚みを有する各層から構成される。即ち、下保護層２
の厚さは８５ｎｍ、記録層３の厚さは２０ｎｍ、上保護
層４の厚さは１８ｎｍ、反射層５の厚さは１５０ｎｍ、
ＵＶ樹脂保護層６の厚さは６μｍ、基板１は０．６ｍｍ
である。

【００２８】この光ディスクの記録層３は、レーザ光を
走査して結晶化することで初期化され、続いて記録再生
評価装置に装着して、その性能（記録、オーバーライト
特性等）を評価した。その結果、記録パワー１１．０ｍ
Ｗ、消去パワー４．０ｍＷ、再生パワー１．０ｍＷの各
レーザ光において、８−１５変調された情報信号を線速
度６．２ｍ／ｓで記録、再生、オーバーライトを常時確
実に行うことができることを確認した。このときの最短
マーク長（ピット長）は約０．６μｍであった。同密度
でディスク全面に記録した時の記録容量は約２．７ＧＢ
になった。

【００２９】さらに、このディスクでダイレクトオーバ
ーライトによる書換評価を行った。その結果、合否エラ
ーレイトの基準値（Ｃ１ブロックエラーレート３％以
下）から逆算して見積もられたジッター値である１２％
以下（目安値）の値で、１５万回以上書換可能であるこ
とがわかった（図３に図示）。なお、図３〜図５中、
「Ｏ／Ｗ回数」は書換回数を指す。

【００３０】またさらに、レーザ光の記録パワーを色々
な値にかえて書き換え評価を行った。その結果、ジッタ
ー１２％以下で１０万回書換できるレーザ光の記録パワ
ーは約８．３〜１１．５ｍＷとかなり広範囲であること
がわかった。

【００３１】このことから、図２に示す領域ＢＢ（Ａ
（Ｇｅ２３Ｓｂ２１Ｔｅ５６、Ｂ（Ｇｅ２０Ｓｂ２１Ｔ
ｅ５９）、Ｃ（Ｇｅ２０Ｓｂ２３Ｔｅ５７）、Ｄ（Ｇｅ
２３Ｓｂ２３Ｔｅ５４）で囲まれる領域（ａｔ％））内
における組成の記録層３を備えた光ディスクＡＡの記
録、オーバーライト特性等を評価することにより、前述
したのと同様に、記録パワー１１．０ｍＷ、消去パワー
４．０ｍＷ、再生パワー１．０ｍＷの各レーザ光におい
て、８−１５変調された情報信号を線速度６．２ｍ／ｓ
で記録、再生、オーバーライトを常時行うことができ
る。ここで詳述しないが、領域が相違する多数のターゲ
ットを用いて、ディスクを成膜し、そしてこのディスク
のオーバーライト特性などのデータを収集することによ
り、最終的に領域ＢＢを決定したものであることは勿論
である。

【００３２】（比較例−１）上記した（実施例）との比
較のため、上記した領域ＢＢを逸脱するサンプルを幾つ
か作成して同様な評価を行った。例えば、Ｇｅ２２．
７、Ｓｂ２３．３、Ｔｅ５４．０（ａｔ％）の組成（図
２に示す点Ｆ）の記録層３を用い、ディスク構造は上記
の（実施例）と同様にしたものを評価した。初回記録で
はジッタ約９．６％と良好な値を示していたが、５００
０回後の書換では１３．１％と合否エラーレイトの基準
値（Ｃ１ブロックエラーレート３％以下）を越えてしま
い（図４に図示）、この組成の記録層３を用いた光ディ
スクは不適であることがわかった。

【００３３】（比較例−２）さらに、記録層３の組成は
良好な特性を示す上記のもの（領域ＢＢの範囲内におけ
る組成の記録層３）を用い、ディスク構造（各層の膜
厚）を異なる値のサンプルディスクＡＡ１〜ＡＡ３を作
成した。

【００３４】サンプルディスクＡＡ１は、下保護層２を
７０ｎｍ厚、記録層３を２０ｎｍ厚、上保護層４を１８
ｎｍ厚、反射層５を１５０ｎｍ厚、ＵＶ樹脂保護層６を
６μｍ厚、基板１を０．６ｍｍ厚としたディスクであ
る。

【００３５】このディスクＡＡ１の記録層３は、レーザ
光を走査して結晶化することで初期化され、続いて記録
再生評価装置に装着して、その性能（記録、オーバーラ
イト特性等）を評価した。その結果、記録パワー１１．
０ｍＷ、消去パワー４．０ｍＷ、再生パワー１．０ｍＷ
の各レーザ光において、８−１５変調された情報信号を
線速度６．２ｍ／ｓで記録、再生、オーバーライトを行
うことができることを確認した。そして、このディスク
ＡＡ１のダイレクトオーバーライトによる書換評価を行
った。その結果、合否エラーレイトの基準値（Ｃ１ブロ
ックエラーレート３％以下）から逆算して見積もられた
ジッター値である１２％以下（目安値）の値で、５万回
以下書換可能であることがわかった（図５に図示）。

【００３６】また、サンプルディスクＡＡ２は、下保護
層２を８５ｎｍ厚、記録層３を３０ｎｍ厚、上保護層４
を１８ｎｍ厚、反射層５を１５０ｎｍ厚、ＵＶ樹脂保護
層６を６μｍ厚、基板１を０．６ｍｍ厚としたディスク
である。

【００３７】このディスクＡＡ２を前記したディスクＡ
Ａ１と同様に、その性能（記録、オーバーライト特性
等）を評価した結果、ジッター１２％以下（目安値）の
値で、３０回以下書換可能であることがわかった（図５
に図示）。

【００３８】さらに、サンプルディスクＡＡ３は、下保
護層２を８５ｎｍ厚、記録層３を２０ｎｍ厚、上保護層
４を２６ｎｍ厚、反射層５を１５０ｎｍ厚、ＵＶ樹脂保
護層６を６μｍ厚、基板１を０．６ｍｍ厚としたディス
クである。

【００３９】このディスクＡＡ３を前記したディスクＡ
Ａ１，２と同様に、その性能（記録、オーバーライト特
性等）を評価した結果、ジッター１２％以下（目安値）
の値で、２万回以下書換可能であることがわかった（図
５に図示）。

【００４０】このように、ディスクＡＡ１〜ＡＡ３のい
ずれのディスクも、上記した実施例のように、１０万回
以上の書換回数を得ることができず、いずれも満足のい
くものではないことがわかった。

【００４１】このことから、光ディスクＡＡは、前記し
た組成の記録層（図２に示す領域ＢＢ（Ａ（Ｇｅ２３Ｓ
ｂ２１Ｔｅ５６、Ｂ（Ｇｅ２０Ｓｂ２１Ｔｅ５９）、Ｃ
（Ｇｅ２０Ｓｂ２３Ｔｅ５７）、Ｄ（Ｇｅ２３Ｓｂ２３
Ｔｅ５４）で囲まれる領域（ａｔ％））内における組成
の記録層３）を有し、且つ基板１、下保護層２、記録層
３、上保護層４、反射層５、樹脂保護層６の順に積層さ
れて成る光ディスクであって、下保護層２は７５〜１０
０ｎｍ厚、記記録層３は１５〜２５ｎｍ厚、上保護層４
は１０〜２５ｎｍ厚、反射層５は７０〜１８０ｎｍ厚と
する。

【００４２】これにより、この光ディスクＡＡの記録、
オーバーライト特性等を評価することにより、前述した
のと同様に、記録パワー１１．０ｍＷ、消去パワー４．
０ｍＷ、再生パワー１．０ｍＷの各レーザ光において、
８−１５変調された情報信号を線速度６．２ｍ／ｓで記
録、再生、オーバーライトを常時行うことができ、しか
も、ジッター１２％以下で１０万回の書換えができるの
である。

【００４３】

【発明の効果】上述した構成を有する本発明の光ディス
クは、記録層の組成域だけ或いは、ディスク構造（各層
の膜厚）だけでは不可能であった高密度記録再生消去と
書換回数の向上を、更に広範囲な記録パワーマージンを
満足させるディスクを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ディスクの構造を説明するための図
である。

【図２】本発明の光ディスクにおける記録層に好適な原
子組成量の領域を説明するための図である。

【図３】本発明の光ディスクの書換特性を示す図であ
る。

【図４】本発明の光ディスクの書換特性を示す図であ
る。

【図５】本発明の光ディスクの書換特性を示す図であ
る。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 下保護層（下引き層） ３ 記録層 ４ 上保護層（上引き層） ５ 反射層 ６ 紫外線（ＵＶ）硬化樹脂保護層（保護層） ＡＡ 光ディスク Ａ〜Ｄ 点 ＢＢ 領域

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光照射により非晶質相と結晶質相間の相変
   化で情報を記録、消去する記録層を有し、その記録層が
   Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅからなる光ディスクにおいて、 前記記録層の組成が、Ａ（Ｇｅ２３Ｓｂ２１Ｔｅ５
   ６）、Ｂ（Ｇｅ２０Ｓｂ２１Ｔｅ５９）、Ｃ（Ｇｅ２０
   Ｓｂ２３Ｔｅ５７）、Ｄ（Ｇｅ２３Ｓｂ２３Ｔｅ５
   ４）、（ａｔ％）の四点Ａ〜Ｄで囲まれる領域内にある
   ことを特徴とする光ディスク。
2. 【請求項２】前記記録層を有し、且つ基板、下保護層、
   記録層、上保護層、反射層、保護層の順に積層されて成
   る光ディスクにおいて、 前記下保護層の厚さは７５ｎｍ〜１００ｎｍ、 前記記録層の厚さは１５ｎｍ〜２５ｎｍ、 前記上保護層の厚さは１０ｎｍ〜２５ｎｍ、 前記反射層の厚さは７０ｎｍ〜１８０ｎｍ、 であることを特徴とする請求項１記載の光ディスク。
3. 【請求項３】基板、下保護層、記録層、上保護層、反射
   層、保護層の順に積層されて成る光ディスクであって、 前記記録層は、光照射により非晶質相と結晶質相間の相
   変化で情報を記録、消去するＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅからなる
   組成が、Ａ（Ｇｅ２３Ｓｂ２１Ｔｅ５６）、Ｂ（Ｇｅ２
   ０Ｓｂ２１Ｔｅ５９）、Ｃ（Ｇｅ２０Ｓｂ２３Ｔｅ５
   ７）、Ｄ（Ｇｅ２３Ｓｂ２３Ｔｅ５４）、（ａｔ％）の
   四点Ａ〜Ｄで囲まれる領域内にあり、 前記下保護層の厚さは７５ｎｍ〜１００ｎｍ、 前記記録層の厚さは１５ｎｍ〜２５ｎｍ、 前記上保護層の厚さは１０ｎｍ〜２５ｎｍ、 前記反射層の厚さは７０ｎｍ〜１８０ｎｍ、 であることを特徴とする光ディスク。
4. 【請求項４】前記下保護層及び上保護層は、硫化物、酸
   化物からなるか、或いは、硫化物、酸化物に窒化物、酸
   化物を添加した物質からなり、 前記反射層はＡｌ合金からなり、 前記基板はポリカーボネート或いはポリオレフィンから
   なることを特徴とする請求項２又は３記載の光ディス
   ク。