JPH1036200A - 気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 化合物半導体薄膜の産出サイクル時間を短縮
することができ、かつ、産出量の対設備費効果が向上す
る気相成長装置を提供する。 【解決手段】 バッチ処理が可能な複数の反応容器１４
ａ、ｂと、前記反応容器１４ａ、ｂに接続されたガス供
給・制御系を備え、前記反応容器１４ａ、ｂ内で気相成
長を行う気相成長装置であって、前記ガス供給・制御系
は単一の原料ガス供給・制御系統Ｍと、複数のパージガ
ス供給・制御系統Ｐ_a 、Ｐ_b を有し、前記原料ガス供給
・制御系統Ｍは前記複数の反応容器１４ａ、ｂに切替え
接続可能であり、また、前記複数のパージガス供給・制
御系統Ｐ_a 、Ｐ_b は前記複数の反応容器１４ａ、ｂに接
続されており、複数の反応容器１４ａ、ｂの排気側に、
前記反応容器１４ａ、ｂに切替え接続可能に異なる容量
の２基の廃ガス処理装置２０ａ、ｂを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、気相成長装置の改
良に関し、特に、化合物半導体薄膜の気相成長の生産性
を向上させることができる気相成長装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によ
り、ＧａＡｓ基板あるいはＩｎＰ基板上に薄膜をエピタ
キシャル成長させたエピタキシャルウェハは、ＦＥＴ、
ＨＥＭＴなどのデバイスの製造に使用される。これらの
デバイスは、高周波特性が優れ、消費電力が少ないた
め、需要が急速に拡大している。有機金属気相成長（Ｍ
ＯＣＶＤ）法による化合物半導体薄膜の成長の原理は、
以下の通りである。即ち、例えば、反応容器内に、ガリ
ウム（Ｇａ）やアルミニウム（Ａｌ）の原料としてトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ）やトリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ）の有機金属を水素ガスなどのキャリアガスと
共に供給し、砒素（Ａｓ）や燐（Ｐ）の原料としてアル
シン（ＡｓＨ₃ ）やホスフィン（ＰＨ₃ ）の水素化物の
ガスを供給し、さらに、不純物としてシリコン（Ｓ
ｉ）、亜鉛（Ｚｎ）をシラン（ＳｉＨ₄ ）やトリメチル
ジンク（ＴＭＺｎ）を用いて供給する。そうして、これ
らのガスを流量制御しながら反応容器内に供給し、反応
容器内で加熱分解反応させることにより、加熱した化合
物半導体基板（ＧａＡｓ、ＩｎＰなど）上に所望の組成
（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓな
ど）、膜厚、キャリア密度（ｎ型、ｐ型）の薄膜を形成
するものである。

【０００３】ここで、従来の気相成長装置を図３を用い
て説明する。この装置は、原料ガスを供給するＭライン
（メインライン）と、反応容器内のガスを水素ガスに置
換するＰライン（パージライン）からなっている。図３
において、符号１ａ〜ｄはガス流量制御器である。本装
置では、反応容器４内の基板上に多層膜を形成する場合
には、各層間の組成変化の急峻性をよくするために、以
下のようにして各層を成長させる。例えば、原料ガスＡ
を供給して成膜後に、原料ガスＡの供給を止め、Ｐライ
ンからパージガスを流して、反応容器４の原料ガスＡを
排除する。次いで、原料ガスＢを反応容器４内に供給し
て次の層を積層する。２ｍ、２ｐは上述のガス切り換え
用のバルブである。なお、符号７は真空ポンプ、符号１
０は廃ガス処理装置である。

【０００４】従来の他の気相成長装置を図４を用いて説
明する。この装置は、原料ガスを供給するＭライン（メ
インライン）と、ガスを排出するＶライン（ベントライ
ン）と、原料をガス化するＢ（バブルライン）ラインか
らなっている。図４において、符号１ａ〜１ｅはガス流
量制御器であり、２ａ〜２ｊはバルブである。この装置
では、高純度の水素ガスがガス流量制御器１ａを通って
Ｍラインに供給される。原料ガスのＡｓＨ₃ はガス流量
制御器１ｃを通ってＭラインに流される。この際、バル
ブ２ａを閉じ、バルブ２ｂを開く。また、水素ガスはＢ
ラインからガス流量制御器１ｄを通ってバブラー３ａに
入り、ＴＭＧａを気化させ、ＴＭＧａがＭラインに供給
される。この際、バルブ２ｃを閉じ、バルブ２ｄを開
く。同様に、ＴＭＡｌがバブラー３ｂからＭラインに供
給される。これらの原料ガスは、Ｍラインから反応容器
４に供給される。これらの原料ガスは、必要に応じてバ
ルブ２ａ、ｃ、ｅを開き、Ｖラインに流される。なお、
Ｖライン内を流れる水素ガスはガス流量制御器１ｂで制
御されている。さらに、ＶラインとＭラインの内圧を同
一にする必要があるが、この操作は調圧バルブ５で行わ
れる。このＶラインは反応容器４の排気部８および前室
９からの廃ガス管６と結合されて、真空ポンプ７に接続
され、真空ポンプ７は廃ガス処理装置１０に接続されて
いる。本装置では、Ｍラインから水素ガスのみを反応容
器４に供給して、反応容器４内を水素ガスに置換する
間、原料ガスをＶラインに流しておく。従って、あらか
じめＶラインで原料ガスの流量調節をしておくことがで
きるから、反応容器４に流すガスを水素ガスから原料ガ
スに切り替える際に流量制御がしやすい。

【０００５】このような気相成長装置の中で、一回の処
理で多数枚の半導体基板（ウェハ）を処理する装置とし
て、それら基板を装着するサセプタを多角形錐体状に作
り（一般にバレル型サセプタと称される）、その各面に
基板を装着する装置が量産装置として多く用いられてい
る。このバレル型サセプタを用いた場合、基板数が６〜
１０枚のバッチ処理で化合物半導体薄膜を成長させる。
バッチ処理に要する時間は、原料ガスの供給による薄膜
の成長時間自体は１〜２時間／１バッチであるが、その
他にサセプタの温度上昇および下降、反応容器内のガス
置換、基板の着脱に時間を要する。そのため、バッチ処
理の生産性は４〜５バッチ／日程度になっている。

【０００６】上記バッチ処理の工程を具体的に記すと、
以下の通りである。即ち、 １）パージ工程（α）は、Ｍラインから水素ガスのみを
反応容器に供給する。この工程では、毒性の強い原料ガ
スを排出して反応容器内を水素ガスに置換するととも
に、基板取り出し作業時に基板の酸化による品質の低下
を防ぐために、基板の温度を低下させる。このため、ガ
ス流量も多く、１時間程度の時間を要する。また、この
工程では、水素ガスをＭラインから前室にも送り、前室
も同時にガス置換する。この間、原料ガスはＶラインに
流す。 ２）基板をサセプタに脱着するローダー・アンローダー
工程（β）は、２０分〜１時間程度かかる。 ３）成長準備工程（γ）は、反応容器内の水素ガスを原
料ガスに置換し、基板温度を上昇させる。３０分〜１時
間程度かかる。 ４）気相成長工程（δ）は、１．５〜２時間程度かか
る。 ５）再び、パージ工程（α）を行う。 このように、工程（α）→（β）→（γ）→（δ）→
（α）を繰り返す。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】そこで、エピタキシャ
ルウェハの生産量を上げるためには、設備を増加するこ
とが考えられるが、ガス制御系の設備が高価であるた
め、単に生産設備を増加することは、設備費の点で困難
であるという問題があった。

【０００８】ところで、Ｓｉ用ではあるが、単一のガス
制御系に複数の反応容器を設けて、設備費を節減する技
術が開示されている（特開平４−１３９０８８号公報参
照）。この技術を化合物半導体のエピタキシャルウェハ
の成長に利用すると、例えば、以下のような工程にな
る。即ち、２個の反応容器（ＡとＢ）を単一のガス制御
系に接続して、稼働させると、これらの反応容器の工程
間の関係は図５に示すようになる。反応容器（Ａ）にガ
ス系統を接続して工程（γ、δ、α）を進めている間
に、反応容器（Ｂ）では工程（β）の基板のローダー・
アンローダーを行う。その後、ガス系統を反応容器
（Ａ）から反応容器（Ｂ）に接続を切替え、反応容器
（Ａ）では工程（β）を行い、反応容器（Ｂ）で工程
（γ、δ、α）を進める。各工程に要する時間をＴ
（α）〜Ｔ（γ）とすると、この装置の平均的な製造の
１サイクル時間はＴ（α）＋Ｔ（γ）＋Ｔ（δ）とな
る。従って、一反応容器に単一のガス制御系を固定して
接続した場合（製造の１サイクル時間は、Ｔ（α）＋Ｔ
（β）＋Ｔ（γ）＋Ｔ（δ））に比較して、製造の１サ
イクル時間はＴ（β）だけ短縮するに過ぎず、生産性の
向上には限界がある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決すべくなされたもので、請求項１記載の発明は、バッ
チ処理が可能な複数の反応容器と、前記反応容器に接続
されたガス供給・制御系を備え、前記反応容器内で気相
成長を行う気相成長装置であって、前記ガス供給・制御
系は単一の原料ガス供給・制御系統と、複数のパージガ
ス供給・制御系統を有し、前記原料ガス供給・制御系統
は前記複数の反応容器に切替え接続可能であり、また、
前記パージガス供給・制御系統は前記複数の反応容器に
接続されていることを特徴とするものである。

【００１０】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、複数の反応容器の排気側に、前記反
応容器に切替え接続可能に異なる処理容量の２基の廃ガ
ス処理装置を設け、気相成長工程にある反応容器には処
理容量の大きい方の廃ガス処理装置を接続し、他の工程
にある反応容器には処理容量の小さい方の廃ガス処理装
置を接続することを特徴とするものである。

【００１１】請求項１記載の気相成長装置によれば、原
料ガス供給・制御系統を一つの反応容器に接続して、気
相成長を行っている間に、パージガス供給・制御系統で
他の反応容器のパージ工程を同時に進めることができ
る。従って、原料ガス供給・制御系統を、一つの反応容
器で気相成長が終わり次第、他のパージ済みの反応容器
に接続を切替え、直ちに気相成長を続行することができ
るので、製造のサイクル時間を短縮することができ、生
産性が向上する。また、本装置では、複数の反応容器に
対して、高価な原料ガス供給・制御系統を一系統とし、
比較的安価なパージガス供給・制御系統を複数化してい
るので、設備費に対する生産性の効果が向上する。

【００１２】また、請求項２記載の気相成長装置によれ
ば、複数の反応容器に対して、大容量の廃ガス処理装置
と小容量の廃ガス処理装置をそれぞれ１基づつ設け、原
料ガスの排出量の多い気相成長工程にある反応容器に
は、大容量の廃ガス処理装置を接続し、他の工程にある
反応容器には、小容量の廃ガス処理装置を接続するた
め、複数の反応容器に対して高価な大容量の廃ガス処理
装置を１基で済ますため、設備費に対する生産性の効果
が向上する。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明にかかる気
相成長装置の一実施形態の説明図である。この気相成長
装置は、２個の反応容器１４ａ、１４ｂと、単一の原料
ガス供給・制御系統であるＭラインと、高純度水素から
なる２系統のパージガス供給・制御系統であるＰ_a およ
びＰ_b ラインと、原料ガスおよびパージガスを抜くＶラ
インと、原料をガス化するＢラインと、高純度窒素から
なる置換ガス用のＮラインを備えている。図中、１１ａ
〜１１ｇはガス流量制御器、１２ａ〜１２ｙ、および２
２ａ〜２２ｈはバルブである。

【００１４】Ｍラインは、反応容器１４ａ、１４ｂと切
替え接続可能になっており、ガス流量制御器１１ａを通
った高純度の水素ガス、ガス流量制御器１１ｅを通った
原料ガスのＡｓＨ₃ 、気化したＴＭＧおよびＴＭＡを反
応容器１４ａ、１４ｂに供給する。なお、ＴＭＧおよび
ＴＭＡは、Ｂライン（バブルライン）からガス流量制御
器１１ｆ、１１ｇを通ってバブラー１３ａ、１３ｂに入
った水素ガスによって気化され、Ｍラインに供給され
る。なお、バルブ１２ｎ、１２ｏ、１２ｐ間の配管内容
積は、できるだけ小さくすることが望ましい。この容積
が大きいと、この部分がデッドスペースとなり、成長層
の積層界面の急峻性が悪くなるとともに、反応容器１４
ａ、１４ｂの切替え時には、切替えに要する時間が長く
なる。

【００１５】また、Ｐ_a およびＰ_b ラインはそれぞれ、
反応容器１４ａ、１４ｂに接続されており、ガス流量制
御器１１ｃ、１１ｄを通った高純度の水素ガスをパージ
ガスとして反応容器１４ａ、１４ｂに供給する。なお、
バルブ１２ｐ、１２ｑ、１２ｌ間の配管内容積、および
バルブ１２ｏ、１２ｒ、１２ｓ間の配管内容積は、でき
るだけ小さくすることが望ましい。こうすることによ
り、原料ガスとパージガスの切替えをよくすることがで
きる。

【００１６】また、Ｖラインは、真空ポンプ１７を介し
て大容量の廃ガス処理装置２０ａに接続している。

【００１７】さらに、Ｂラインは分岐して、バルブ１２
ｖ、１２ｗを介して反応容器１４ａ、１４ｂの前室１９
ａ、１９ｂに接続している。そうして、前室１９ａ、１
９ｂ内に水素をカウンターフローとして流し、反応容器
１４ａまたは１４ｂで気相成長中に、それらの下側に設
けられた前室１９ａ、１９ｂ内に原料ガスが過剰に入ら
ないようにする。こうすることにより、前室１９ａ、１
９ｂ内の原料ガス濃度が低くなるため、前室１９ａ、１
９ｂ内のガス置換に要する時間を短縮することができ
る。このカウンターフローは、反応容器１４ａまたは１
４ｂに供給される原料の流れと同期して断続し、原料流
量の変動を防ぐ。そのために、予めＢラインが分岐した
Ｆラインを介してＶラインに水素を流し、所定の流れを
作った後、水素の流れを前室１９ａ、１９ｂの方向に変
える。

【００１８】反応容器１４ａ、１４ｂからの排気系に
は、圧力調整弁２１ａ、２１ｂ、真空ポンプ１７を介し
た大処理容量の廃ガス処理装置２０ａと、圧力調整弁２
１ａ、２１ｂを介した小処理容量の廃ガス処理装置２０
ｂが設けられている。圧力調整弁２１ａ、２１ｂは、気
相成長中の反応容器１４ａ、１４ｂ内の圧力制御を精度
よく行うために設置されている。反応容器１４ａ、１４
ｂの排気部１８ａ、１８ｂからの排気ガスは、気相成長
中については、原料ガスの濃度が高いので、圧力調整弁
２１ａ、２１ｂおよび真空ポンプ１７を介して大処理容
量の廃ガス処理装置２０ａで処理される。また、原料ガ
スをパージ中の排気部１８ａ、１８ｂからの排気ガス
は、原料ガスの濃度が低いので、小処理容量の廃ガス処
理装置２０ｂで処理される。

【００１９】本実施形態の装置による気相成長工程は、
次のとおりである。即ち、反応容器１４ａについては、 １）パージ工程（α）：前段の成長終了後、圧力調整弁
２１ａを制御して、Ｐ_a ラインにより反応容器１４ａ内
の原料ガスをパージし、基板を冷却し、大気圧にする。
この際、廃ガスは小容量の廃ガス処理装置２０ｂで処理
する。この間、Ｍラインの原料ガスはＶラインに流し、
大容量の廃ガス処理装置２０ａで処理する。 ２）ローダー・アンローダー工程（β）：次いで、サセ
プタ（図示されず）を反応容器１４ａ内から前室１９ａ
に下げ、排気部１８ａの下流側にあるゲートバルブ（図
示せず）を閉めて、反応容器１４ａを密閉する。その
後、Ｎラインにより前室１９ａ内を窒素ガスに置換す
る。その際の廃ガスは廃ガス処理装置２０ｂで処理す
る。その後、前室１９ａを開いて、サセプタ上の基板を
着脱、交換する。 ３）成長準備工程（γ）：次いで、サセプタを反応容器
１４ａ内に移す。その後、Ｍラインを反応容器１４ａに
接続する。そうして、高純度水素をガス流量制御器１１
ａ、１１ｂを通してＭライン、Ｖラインに流し、また、
Ｂライン（バブルライン）にも流して、原料ガス（ＴＭ
Ｇ、ＴＭＡ）を反応容器１４ａに供給し、さらに、ガス
流量制御器１１ｅを通して原料ガスＡｓＨ₃ を反応容器
１４ａに供給し、基板温度を成長温度まで上昇させる。 ４）成長工程（δ）：次いで、気相成長を行う。なお、
工程（γ）および（δ）においては、圧力調整弁２１ａ
を制御して真空ポンプ１７で排気し、反応容器１４ａ内
を減圧して所定圧に保つとともに、大容量の廃ガス処理
装置２０ａで廃ガスを処理する。また、この間、前室１
９ａにはＢラインの分岐から水素のカウンターフローを
流す。 成長工程（δ）が終了後、再びパージ工程（α）が始ま
り、工程（α）→（β）→（γ）→（δ）→（α）を繰
り返す。

【００２０】反応容器１４ｂについては、反応容器１４
ａと同様であって、 １）パージ工程（α）：前段の成長終了後、Ｐ_b ライン
により反応容器１４ｂ内の原料ガスをパージし、大気圧
にする。この際、Ｍラインの原料ガスはＶラインに流
し、大容量の廃ガス処理装置２０ａで処理する。 ２）ローダー・アンローダー工程（β）：次いで、サセ
プタ（図示されず）を反応容器１４ｂ内から前室１９ｂ
に下げ、排気部１８ｂの下流側にあるゲートバルブ（図
示せず）を閉めて、反応容器１４ｂを密閉する。その
後、Ｎラインにより前室１９ｂ内を窒素ガスに置換す
る。その際の廃ガスは廃ガス処理装置２０ｂで処理す
る。その後、前室１９ｂを開いて、サセプタ上の基板を
着脱、交換する。 ３）成長準備工程（γ）：次いで、サセプタを反応容器
１４ｂ内に移す。その後、Ｍラインを反応容器１４ｂに
接続する。そうして、高純度水素をガス流量制御器１１
ａ、１１ｂを通してＭライン、Ｖラインに流し、また、
Ｂラインに流して、原料ガス（ＴＭＧ、ＴＭＡ）を反応
容器１４ｂに供給し、さらに、ガス流量制御器１１ｅを
通して原料ガスＡｓＨ₃ を反応容器１４ｂに供給し、基
板温度を成長温度まで上昇させる。 ４）成長工程（δ）：次いで、気相成長を行う。なお、
工程（γ）および（δ）においては、圧力調整弁２１ｂ
を制御して真空ポンプ１７で排気し、反応容器１４ｂ内
を減圧して所定圧に保つとともに、大容量の廃ガス処理
装置２０ａで廃ガスを処理する。また、この間、前室１
９ｂにはＢラインの分岐から水素のカウンターフローを
流す。 成長工程（δ）が終了後、再びパージ工程（α）が始ま
り、工程（α）→（β）→（γ）→（δ）→（α）を繰
り返す。

【００２１】上述の反応容器１４ａの工程と反応容器１
４ｂの工程の関係は、Ｍラインを間断なく反応容器１４
ａまたは反応容器１４ｂに接続するようにする。図２
は、反応容器１４ａの工程と反応容器１４ｂの工程との
関係を示す図である。即ち、反応容器１４ａがＭライン
に接続されて、成長準備工程（γ）と成長工程（δ）に
入っている間、反応容器１４ｂはＰ_b ラインに接続され
てパージ工程（α）に入り、また、Ｎラインに接続され
てローダー・アンローダー工程（β）に入るようにす
る。さらに、反応容器１４ｂがＭラインに接続されて、
成長準備工程（γ）と成長工程（δ）に入っている間、
反応容器１４ａはＰ_a ラインに接続されてパージ工程
（α）に入り、また、Ｎラインに接続されてローダー・
アンローダー工程（β）に入るようにする。このように
すると、通常は、成長準備工程（γ）と成長工程（δ）
に要する時間、Ｔ（γ）＋Ｔ（δ）がパージ工程（α）
とローダー・アンローダー工程（β）に要する時間、Ｔ
（α）＋Ｔ（β）よりも長いため、一方の反応容器が工
程（γ）と工程（δ）に入っている間に、他方の反応容
器は工程（α）と工程（β）を余裕をもって済ますこと
ができる。従って、二つの反応容器１４ａと反応容器１
４ｂからは化合物半導体薄膜を、Ｔ（γ）＋Ｔ（δ）の
サイクルで産出することができる。即ち、上記実施の形
態によれば、二つの反応容器１４ａ、１４ｂを備え、パ
ージガス供給・制御系統を２系統（Ｐ_a およびＰ_b ライ
ン）にするだけで、化合物半導体薄膜の産出サイクル
を、反応容器が一個の場合のＴ（α）＋Ｔ（β）＋Ｔ
（γ）＋Ｔ（δ）からＴ（γ）＋Ｔ（δ）に短縮するこ
とができる。

【００２２】なお、上記実施形態では、各反応容器１４
ａ、１４ｂにパージガス供給・制御系統、Ｐ_a およびＰ
_b ラインを設けたが、このようにすることにより、パー
ジ工程が反応容器１４ａ、１４ｂで重なっても処理する
ことができる。なお、Ｐ_a およびＰ_b ラインのＶライン
部分を真空ポンプ１７の後に接続してもよい。また、Ｐ
_a およびＰ_b ラインは廃ガス処理機を通さなくともよ
い。さらに、上記実施の形態は本発明を具体化した一例
であって、本願発明の技術的範囲を限定するものではな
い。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、バッチ処理が可能な複数の反応容器と、前記
反応容器に接続されたガス供給・制御系を備え、前記反
応容器内で気相成長を行う気相成長装置であって、前記
ガス供給・制御系は単一の原料ガス供給・制御系統と、
複数のパージガス供給・制御系統を有し、前記原料ガス
供給・制御系統は前記複数の反応容器に切替え接続可能
であり、また、前記パージガス供給・制御系統は前記複
数の反応容器に接続されているため、化合物半導体薄膜
の産出サイクル時間を短縮することができ、生産性が向
上するという優れた効果がある。また、高価な原料ガス
供給・制御系統を一系統とし、比較的安価なパージガス
供給・制御系統のみを複数化しているので、設備費に対
する生産性の効果が向上するという優れた効果がある。

【００２４】また、請求項２記載の発明によれば、請求
項１記載の発明において、複数の反応容器の排気側に、
前記反応容器に切替え接続可能に異なる処理容量の２基
の廃ガス処理装置を設け、気相成長工程にある反応容器
には高価な処理容量の大きい方の廃ガス処理装置を接続
し、他の工程にある反応容器には処理容量の小さい方の
安価な廃ガス処理装置を接続するため、設備費に対する
生産性の効果が向上するという優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る気相成長装置の一実施形態の説明
図である。

【図２】上記実施形態における二つの反応容器の工程間
の関係を示す図である。

【図３】従来の気相成長装置の説明図である。

【図４】従来の他の気相成長装置の説明図である。

【図５】２個の反応容器単一のガス制御系に接続した場
合のこれら反応容器の工程間の関係を示す図である。

【符号の説明】

１１ａ〜１１ｇ ガス流量制御器 １２ａ〜１２ｙ、２２ａ〜２２ｈ バルブ １３ａ、１３ｂ バブラー １４ａ、１４ｂ 反応容器 １７ 真空ポンプ １８ａ、１８ｂ 排気部 １９ａ、１９ｂ 前室 ２０ａ、２０ｂ 廃ガス処理装置 ２１ａ、２１ｂ 圧力調整弁

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 バッチ処理が可能な複数の反応容器と、
   前記反応容器に接続されたガス供給・制御系を備え、前
   記反応容器内で気相成長を行う気相成長装置であって、
   前記ガス供給・制御系は単一の原料ガス供給・制御系統
   と、複数のパージガス供給・制御系統を有し、前記原料
   ガス供給・制御系統は前記複数の反応容器に切替え接続
   可能であり、また、前記パージガス供給・制御系統は前
   記複数の反応容器に接続されていることを特徴とする気
   相成長装置。
2. 【請求項２】 複数の反応容器の排気側に、前記反応容
   器に切替え接続可能に異なる処理容量の２基の廃ガス処
   理装置を設け、気相成長工程にある反応容器には処理容
   量の大きい方の廃ガス処理装置を接続し、他の工程にあ
   る反応容器には処理容量の小さい方の廃ガス処理装置を
   接続することを特徴とする請求項１記載の気相成長装
   置。