JPH1036510A - 電気部品およびその製造方法 - Google Patents

電気部品およびその製造方法

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JPH1036510A
JPH1036510A JP8215187A JP21518796A JPH1036510A JP H1036510 A JPH1036510 A JP H1036510A JP 8215187 A JP8215187 A JP 8215187A JP 21518796 A JP21518796 A JP 21518796A JP H1036510 A JPH1036510 A JP H1036510A
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cured
sio
silicone
sealing resin
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JP8215187A
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Kimio Yamakawa
君男 山川
Minoru Isshiki
実 一色
Katsutoshi Mine
勝利 峰
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Original Assignee
Dow Corning Toray Silicone Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 電気素子を被覆したシリコーン硬化物が、こ
の上を被覆した封止樹脂硬化物と十分に接着して一体化
しており、信頼性が優れる電気部品。 【解決手段】 電気素子を被覆したシリコーン硬化物の
表面が紫外線照射処理されており、この上を被覆した封
止樹脂硬化物と接着して一体化している電気部品におい
て、このシリコーン硬化物が、(ａ)シラノール基を有す
るオルガノシロキサンと(ｂ)エポキシ基を有するアルコ
キシシランの混合物もしくは反応混合物および／または
(ｃ)平均単位式：(Ｒ1ＳｉＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳｉＯ2/2)b(Ｒ
2 3ＳｉＯ1/2)c(Ｒ3Ｏ1/2)d（式中、Ｒ1はエポキシ基含
有一価有機基であり、Ｒ2は一価炭化水素基であり、Ｒ3
は水素原子またはアルキル基であり、ａ、ｂ、およびｄ
はそれぞれ正数、ｃは０または正数。）で表されるオル
ガノシロキサンを含む付加反応硬化型シリコーン組成物
を硬化させてなるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気部品およびそ
の製造方法に関し、詳しくは、電気素子を被覆したシリ
コーン硬化物が、この上を被覆した封止樹脂硬化物と十
分に接着して一体化しており、信頼性が優れる電気部
品、およびこのような電気部品を効率よく製造する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、トラ
ンジスタ、ダイオード、コンデンサー、電気抵抗器等の
電気素子は、曲げ、衝撃等の外部応力から保護したり、
また、水の侵入を防ぐために、一般に、これらの電気素
子を封止樹脂硬化物で被覆して用いられており、さら
に、この封止樹脂硬化物の膨張・収縮に起因する内部応
力からこの電気素子を保護するために、この電気素子を
シリコーン硬化物で被覆して用いられている。しかし、
電気素子を被覆したシリコーン硬化物が、この上を被覆
した封止樹脂硬化物と接着しておらず、樹脂封止された
電気部品の信頼性が十分ではなかった。
【０００３】この問題を解決するために、電気素子を被
覆したシリコーン硬化物の表面を紫外線照射処理して、
この紫外線照射処理されたシリコーン硬化物を封止用樹
脂により樹脂封止してなる、この電気素子を被覆したシ
リコーン硬化物が、この上を被覆した封止樹脂硬化物と
接着して一体化している電気部品が数多く提案されてい
る（特表昭６２−５００１０６号公報、特開昭６４−２
７２４９号公報、特開平１−９４６７９号公報、特開平
２−２７７５６号公報、および特開平３−２２５５３号
公報参照）。
【０００４】しかし、これらの電気部品といえども、電
気素子を被覆したシリコーン硬化物が、この上を被覆し
た封止樹脂硬化物と十分には接着しておらず、樹脂封止
された電気部品の信頼性が満足できるものではなかっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の
課題を解決するため鋭意検討した結果、本発明に達成し
た。すなわち、本発明の目的は、電気素子を被覆したシ
リコーン硬化物が、この上を被覆した封止樹脂硬化物と
十分に接着して一体化しており、信頼性が優れる電気部
品、およびこのような電気部品を効率よく製造する方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の電気部品は、電
気素子を被覆したシリコーン硬化物の表面が紫外線照射
処理されており、この紫外線照射処理されたシリコーン
硬化物は、この上を被覆した封止樹脂硬化物と接着して
一体化しており、このシリコーン硬化物が、(ａ)シラノ
ール基を有するオルガノシロキサンと(ｂ)エポキシ基を
有するアルコキシシランの混合物もしくは反応混合物お
よび／または(ｃ)平均単位式： (Ｒ1ＳｉＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳｉＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳｉＯ1/2)c(Ｒ
3Ｏ1/2)d （式中、Ｒ1はエポキシ基含有一価有機基であり、Ｒ2は
同じかまたは異なる一価炭化水素基であり、Ｒ3は水素
原子または炭素原子数１〜４のアルキル基であり、ａ、
ｂ、およびｄはそれぞれ正数であり、ｃは０または正数
である。）で表されるオルガノシロキサンを含む付加反
応硬化型シリコーン組成物を硬化させてなるものである
ことを特徴とする。また、本発明の電気部品の製造方法
は、電気素子を、(ａ)シラノール基を有するオルガノシ
ロキサンと(ｂ)エポキシ基を有するアルコキシシランの
混合物もしくは反応混合物および／または(ｃ)平均単位
式： (Ｒ1ＳｉＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳｉＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳｉＯ1/2)c(Ｒ
3Ｏ1/2)d （式中、Ｒ1はエポキシ基含有一価有機基であり、Ｒ2は
同じかまたは異なる一価炭化水素基であり、Ｒ3は水素
原子または炭素原子数１〜４のアルキル基であり、ａ、
ｂ、およびｄはそれぞれ正数であり、ｃは０または正数
である。）で表されるオルガノシロキサンを含む付加反
応硬化型シリコーン組成物で被覆した後、この組成物を
硬化させて得られるシリコーン硬化物の表面を紫外線照
射処理して、次いで、この紫外線照射処理されたシリコ
ーン硬化物を封止用樹脂により樹脂封止することを特徴
とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】はじめに、本発明の電気部品を詳
細に説明する。本発明の電気部品は、電気素子を被覆し
たシリコーン硬化物が、この上を被覆した封止樹脂硬化
物と十分に接着して一体化していることを特徴とする。
このような電気部品としては、例えば、ＩＣ、ハイブリ
ッドＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子、トランジスタ、ダイ
オード、コンデンサ、電気抵抗器等の電気素子を有する
半導体装置、トランジスタ、ダイオード、コンデンサ、
電気抵抗器が挙げられ、特に、半導体装置、コンデンサ
であることが好ましい。このような半導体装置を図１、
コンデンサを図２に例示した。
【０００８】図１に示した半導体装置を詳細に説明す
る。この半導体装置は、回路基板１上に接着剤２を介し
て半導体素子３が載置されており、この半導体素子３の
上端部にはボンディングパッド４が設けられており、こ
の回路基板１の端部には外部リード５が設けられてお
り、このボンディングパッド４がボンディングワイヤ６
によりこの回路基板１に電気的に接続されており、この
半導体素子３をシリコーン硬化物７で被覆しており、こ
の硬化物７を封止樹脂硬化物８で被覆している。また、
この半導体素子３の周辺部には、封止用樹脂の流れ出し
を防ぐための枠材９が設けられている。そして、このシ
リコーン硬化物７の表面は紫外線照射処理されており、
このシリコーン硬化物７が、この上を被覆した封止樹脂
硬化物８と十分に接着して一体化している。
【０００９】次に、図２に示したコンデンサを詳細に説
明する。このコンデンサは、アルミニウムを蒸着（メタ
ライジング）したポリエステルフィルム１０が巻回し、
または積層されており、この両端を溶射金属で被覆して
固定した電極１１が外部リード１２と電気的に接続され
たコンデンサをシリコーン硬化物１３で被覆しており、
この硬化物１３を封止樹脂硬化物１４で被覆している。
そして、このシリコーン硬化物１３の表面は紫外線照射
処理されており、このシリコーン硬化物１３が、この上
を被覆した封止樹脂硬化物１４と十分に接着して一体化
している。
【００１０】本発明の電気部品は、これらの電気部品に
おいて、半導体素子、コンデンサ等の電気素子を被覆し
たシリコーン硬化物７、１３が、(ａ)シラノール基を有
するオルガノシロキサンと(ｂ)エポキシ基を有するアル
コキシシランの混合物もしくは反応混合物および／また
は(ｃ)平均単位式： (Ｒ1ＳｉＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳｉＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳｉＯ1/2)c(Ｒ
3Ｏ1/2)d （式中、Ｒ1はエポキシ基含有一価有機基であり、Ｒ2は
同じかまたは異なる一価炭化水素基であり、Ｒ3は水素
原子または炭素原子数１〜４のアルキル基であり、ａ、
ｂ、およびｄはそれぞれ正数であり、ｃは０または正数
である。）で表されるオルガノシロキサンを含む付加反
応硬化型シリコーン組成物を硬化させてなるものである
ことを特徴とする。
【００１１】この付加反応硬化型シリコーン組成物とし
ては、例えば、 (Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケ
ニル基を有するオルガノポリシロキサン、 (Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原
子を有するオルガノポリシロキサン、 (Ｃ)付加反応用触媒、および (Ｄ)(ａ)シラノール基を有するオルガノシロキサンと
(ｂ)エポキシ基を有するアルコキシシランの混合物もし
くは反応混合物および／または(ｃ)平均単位式： (Ｒ1ＳｉＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳｉＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳｉＯ1/2)c(Ｒ
3Ｏ1/2)d （式中、Ｒ1はエポキシ基含有一価有機基であり、Ｒ2は
同じかまたは異なる一価炭化水素基であり、Ｒ3は水素
原子または炭素原子数１〜４のアルキル基であり、ａ、
ｂ、およびｄはそれぞれ正数であり、ｃは０または正数
である。）で表されるオルガノシロキサンからなるもの
が好ましい。
【００１２】(Ａ)成分のオルガノポリシロキサンは、上
記組成物の主剤であり、一分子中に少なくとも２個のケ
イ素原子結合アルケニル基を有することを特徴とする。
(Ａ)成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテ
ニル基が例示される。このアルケニル基の結合位置とし
ては分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が例示され
る。また、(Ａ)成分中のアルケニル基以外のケイ素原子
に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等
のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナ
フチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等
のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル
基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン
化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基
が例示される。また、(Ａ)成分の分子構造としては、直
鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状
が例示される。また、(Ａ)成分の２５℃における粘度と
しては、５〜１，０００，０００センチポイズであるこ
とが好ましい。
【００１３】(Ｂ)成分のオルガノポリシロキサンは、上
記組成物の架橋剤であり、一分子中に少なくとも２個の
ケイ素原子結合水素原子を有することを特徴とする。こ
のケイ素原子結合水素原子の結合位置としては、分子鎖
末端および／または分子鎖側鎖が例示される。(Ｂ)成分
中の水素原子以外のケイ素原子に結合基としては、前記
と同様の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示さ
れる。(Ｂ)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝
を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示される。
(Ｂ)成分の２５℃における粘度としては、１〜１００，
０００センチポイズであることが好ましい。(Ｂ)成分の
配合量は、上記組成物を硬化させるに十分な量であり、
好ましくは(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基に
対する(Ｂ)成分中のケイ素原子結合水素原子のモル比が
０．４〜１０となる量であり、より好ましくは、これが
０．５〜３．０となる量である。これは、(Ａ)成分中の
ケイ素原子結合アルケニル基に対する(Ｂ)成分中のケイ
素原子結合水素原子のモル比がこの範囲より小さくなる
と、上記組成物が十分に硬化しにくくなる傾向があり、
一方、この範囲より大きくなると、得られるシリコーン
硬化物の機械的強度が低下する傾向があるからである。
【００１４】(Ｃ)成分の付加反応用触媒は、上記組成物
の硬化を促進するための成分であり、白金黒、白金担持
シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金
酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のア
ルケニルシロキサン錯体等の白金系触媒、ロジウム系触
媒、パラジウム系触媒が例示される。(Ｃ)成分の配合量
は触媒量であり、例えば、これらの触媒中の金属が上記
組成物に対して重量単位で０．１〜１，０００ｐｐｍと
なる量であることが好ましい。
【００１５】(Ｄ)成分は、上記組成物を硬化させて得ら
れるシリコーン硬化物の表面を紫外線照射処理した場合
に、この紫外線照射処理されたシリコーン硬化物が、こ
の上を被覆した封止樹脂硬化物と十分に接着して一体化
させるための成分であり、上記の(ａ)成分と(ｂ)成分の
混合物もしくは反応混合物および／または(ｃ)成分から
なる。
【００１６】(ａ)成分のオルガノシロキサンは、シラノ
ール基、すなわち、ケイ素原子結合水酸基を有するもの
であり、特に、このシラノール基を一分子中に少なくと
も２個有するオルガノシロキサンであることが好まし
い。(ａ)成分の分子構造としては、例えば、直鎖状、一
部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が挙げら
れ、特に、直鎖状であることが好ましい。(ａ)成分中の
ケイ素原子に結合する有機基としては、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基等のアルキル基；ビニル基、アリ
ル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプ
テニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キ
シリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フ
ェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−ク
ロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基
等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一
価炭化水素基が挙げられ、特に、メチル基、ビニル基、
フェニル基であることが好ましい。このような(ａ)成分
としては、例えば、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメ
チルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジ
メチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、
分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メ
チルフェニルシロキサン共重合体が挙げられる。
【００１７】(ｂ)成分のアルコキシシランはエポキシ基
を有するものであり、例えば、一般式： Ｒ1Ｓｉ(ＯＲ4)3 で表されるアルコキシシランが挙げられる。上式中のＲ
1はエポキシ基含有一価有機基であり、例えば、３−グ
リシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等の
グリシドキシアルキル基；２−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）エチル基、３−（３，４−エポキシシクロ
ヘキシル）プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアル
キル基；４−オキシラニルブチル基、８−オキシラニル
オクチル基等のオキシラニルアルキル基が挙げられ、特
に、３−グリシドキシプロピル基等のグリシドキシアル
キル基であることが好ましい。また、上式中のＲ4は炭
素原子数１〜４のアルキル基であり、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられ、特
に、メチル基であることが好ましい。このような(ｂ)成
分としては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン、４−オキシラニルブチ
ルトリメトキシシラン、８−オキシラニルオクチルトリ
メトキシシランが挙げられ、特に、３−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシランであることが好ましい。
【００１８】(ａ)成分と(ｂ)成分は単に混合してもよ
く、また、これらを縮合反応させたり、平衡反応させて
もよい。この(ａ)成分と(ｂ)成分の比率は、重量比で
０．１：１〜１：１０であることが好ましい。
【００１９】(ｃ)成分のオルガノシロキサンは、平均単
位式： (Ｒ1ＳｉＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳｉＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳｉＯ1/2)c(Ｒ
3Ｏ1/2)d で表される。上式中のＲ1はエポキシ基含有一価有機基
であり、前記と同様の有機基が例示され、特に、３−グ
リシドキシプロピル基等のグリシドキシアルキル基であ
ることが好ましい。また、上式中のＲ2は同じかまたは
異なる一価炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基；ビニル
基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル
基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル
基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラ
ルキル基；３，３，３−トリフロロプロピル基等のハロ
ゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水
素基が挙げられ、特に、メチル基、ビニル基、フェニル
基であることが好ましい。また、上式中のＲ3は水素原
子または炭素原子数１〜４のアルキル基であり、Ｒ3の
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基が挙げられ、特に、メチル基である
ことが好ましい。また、上式中のａ、ｂ、およびｄはそ
れぞれ正数であり、また、ｃは０または正数である。
【００２０】(ｃ)成分を調製する方法としては、例え
ば、直鎖状ないしは環状のジオルガノシロキサンとエポ
キシ基を有するアルコキシシランとを水酸化カリウム等
の重合触媒の存在下で平衡重合する方法が挙げられる。
【００２１】(Ｄ)成分の配合量は、上記組成物を硬化し
て得られるシリコーン硬化物が紫外線照射処理により、
この硬化物を被覆した封止樹脂硬化物に十分な接着性が
得られるようになる量であれば特に限定されないが、好
ましくは上記組成物中の０．０１〜２０重量％であり、
さらに好ましくは０．１〜２０重量％であり、特に好ま
しくは０．１〜１０重量％である。これは、(Ｄ)成分の
配合量がこの範囲より少ないと、本発明の目的を達成す
ることが困難となる傾向があり、一方、この範囲より多
くなると、得られるシリコーン硬化物の機械的強度が低
下する傾向があるためである。
【００２２】また、上記組成物には、その他任意の成分
として、例えば、３−メチル−１−ブチン−３−オー
ル、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３
−フェニル−１−ブチン−３−オール等のアレチレン系
化合物、３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５
−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合
物、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−
テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７
−テトラメチル−１，３，５，７−テトラヘキセニルシ
クロテトラシロキサン等のアルケニル基含有シロキサン
化合物、ベンゾトリアゾール等のトリアゾール化合物等
の付加反応抑制剤を配合することができる。この付加反
応抑制剤としては、上記組成物に対して重量単位で１０
〜５，０００ｐｐｍであることが好ましい。
【００２３】さらに、上記組成物には、その他任意の成
分として、例えば、ガラス繊維、石綿、アルミナ繊維、
アルミナとシリカを成分とするセラミック繊維、ボロン
繊維、ジルコニア繊維、炭化ケイ素繊維、金属繊維、フ
ェノール繊維、アラミド繊維、ナイロン繊維、ポリエス
テル繊維、天然の動物性または植物性繊維等の繊維状充
填剤；溶融シリカ、沈澱シリカ、ヒュームドシリカ、焼
成シリカ、酸化亜鉛、焼成クレイ、カーボンブラック、
ガラスビーズ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、ク
レイ、水酸化アルミナ、硫酸バリウム、二酸化チタン、
酸化チタン、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化マグ
ネシウム、酸化ベリリウム、酸化セリウム、カオリン、
雲母、ジルコニア、金属ケイ素等の無機質充填剤；エポ
キシ樹脂、ナイロン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステ
ル樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の有機質充填
剤；キシレン、トルエン、ヘプタン等の有機溶剤、その
他、染料、耐熱添加剤、増ちょう剤、顔料が挙げられ
る。
【００２４】次に、本発明の電気部品の製造方法を詳細
に説明する。本発明の製造方法では、まずはじめに、Ｉ
Ｃ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子、トラン
ジスタ、ダイオード、コンデンサ、電気抵抗器等の電気
素子を、(ａ)シラノール基を有するオルガノシロキサン
と(ｂ)エポキシ基を有するアルコキシシランの混合物も
しくは反応混合物および／または(ｃ)平均単位式： (Ｒ1ＳｉＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳｉＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳｉＯ1/2)c(Ｒ
3Ｏ1/2)d （式中、Ｒ1はエポキシ基含有一価有機基であり、Ｒ2は
同じかまたは異なる一価炭化水素基であり、Ｒ3は水素
原子または炭素原子数１〜４のアルキル基であり、ａ、
ｂ、およびｄはそれぞれ正数であり、ｃは０または正数
である。）で表されるオルガノシロキサンを含む付加反
応硬化型シリコーン組成物で被覆する。この電気部品と
して、図１に示した半導体装置を製造する場合には、予
め、回路基板１上に接着剤２を介して半導体素子３を載
置し、この半導体素子３の上端部にあるボンディングパ
ッド４と回路基板１をボンディングワイヤ６により電気
的に接続しておくことが必要である。また、封止用樹脂
として流動性のあるものを使用する場合には、この流れ
出しを防ぐために、この半導体素子３の周辺部に枠材９
を設けておくことが好ましい。また、この電気部品とし
て、図２に示したコンデンサを製造する場合には、予
め、アルミニウムを蒸着（メタライジング）したポリエ
ステルフィルム１０を巻回し、または積層して、この両
端を溶射金属で被覆して固定することにより電極１１を
形成し、この電極１１に外部リード１２を電気的に接続
しておくことが必要である。
【００２５】これらの電気素子を被覆する付加反応硬化
型シリコーン組成物については、前記と同様である。こ
の組成物を電気素子に塗布する方法としては、例えば、
ポッティング、キャスティング、浸漬塗布、ディスペン
サー等による滴下塗布、スプレーコーティング、はけ塗
りが挙げられる。また、この組成物を電気素子上で硬化
させる方法としては、室温で放置して硬化させることも
可能であるが、一般には、この組成物を５０〜２５０℃
に加熱することが好ましい。この加熱手段としては、例
えば、オーブン、ホットプレート、熱線ランプ、さらに
は紫外線照射処理する際の輻射熱が挙げられる。
【００２６】次に、電気素子を被覆したシリコーン硬化
物の表面を紫外線照射処理する方法としては、超高圧水
銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、キセノン水銀灯、メタ
ルハライドランプ等の光源を用いる方法が挙げられる。
また、この紫外線照射処理する条件としては、例えば、
２５４ｎｍにおける照射量が０．０１〜１０Ｊ／ｃｍ2
となる量であることが好ましい。なお、シリコーン硬化
物を紫外線照射処理する際、必要に応じて、光源に特定
の波長の紫外線を照射するための光学フィルター、熱線
カットフィルター、熱線カット反射鏡を設けてもよい。
また、シリコーン硬化物を空冷ファン、または水冷式の
冷却装置により冷却しながら紫外線照射処理してもよ
い。
【００２７】そして、この紫外線照射処理されたシリコ
ーン硬化物を封止用樹脂により樹脂封止する。この封止
用樹脂としては、例えば、硬化性エポキシ樹脂、硬化性
フェノール樹脂、硬化性ポリフェニレンサルファイド樹
脂、硬化性ポリエーテルアミド樹脂、硬化性ポリイミド
樹脂が挙げられ、特に、硬化性エポキシ樹脂であること
が好ましい。この硬化性エポキシ樹脂としては、例え
ば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂等のグリシ
ジルエーテル型エポキシ樹脂；環式脂肪族エポキシ樹
脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；グリシジルア
ミン型エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂が挙げられ
る。この硬化性エポキシ樹脂の硬化機構としては、例え
ば、熱硬化性、紫外線硬化性、湿気硬化性が挙げられる
が、特に、熱硬化性であることが好ましい。また、この
硬化性エポキシ樹脂は室温で液状もしくは室温以上の軟
化点を有する固体状であるが、取扱作業性が良好である
ことから、室温で液状であるものが好ましい。この封止
用樹脂をシリコーン硬化物に塗布する方法としては、例
えば、トランスファーモールド、インジェクションモー
ルド、ポッティング、キャスティング、浸漬塗布、ディ
スペンサー等による滴下塗布、スプレーコーティング、
はけ塗りが挙げられる。また、この樹脂をシリコーン硬
化物上で硬化させる方法としては、熱硬化性である場合
には、これを５０〜２５０℃に加熱する方法、紫外線硬
化性である場合には、前記の光源により紫外線を照射す
る方法、湿気硬化性である場合には、室温で放置する方
法が挙げられ、この樹脂を加熱する手段としては、例え
ば、オーブン、ホットプレート、熱線ランプが挙げられ
る。
【００２８】
【実施例】本発明の電気部品およびその製造方法を実施
例により詳細に説明する。なお、実施例中の粘度は２５
℃における値である。また、シリコーン硬化物に対する
封止樹脂硬化物の接着性、および電気部品（半導体装
置、コンデンサ）の信頼性は次のようにして評価した。 ［封止用樹脂の調製］実施例で使用した封止用樹脂を次
のようにして調製した。ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂を主成分とするエポキシ樹脂（エポキシ当量＝１６
５）１００重量部、硬化剤としてテトラアルキルテトラ
ヒドロ無水フタル酸（分子量＝２３４）１２０重量部、
硬化促進剤として１−イソブチル−２−メチルイミダゾ
ール１重量部を均一に混合して硬化性エポキシ樹脂組成
物を調製して、これを封止用樹脂とした。 ［シリコーン硬化物に対する封止樹脂硬化物の接着性］
硬化性シリコーン組成物をアルミニウム板上に塗布した
後、１００℃の熱風循環式オーブン中で５分間加熱して
硬化させた。次に、得られたシリコーン硬化物に、紫外
線照射装置（高圧水銀灯：ランプ電力＝１２０Ｗ／ｃ
ｍ）で波長２５４ｎｍにおける照射量が０．２Ｊ／ｃｍ
2となるように紫外線を照射した。その後、この紫外線
照射処理したシリコーン硬化物上に封止用樹脂を塗布し
た後、１２０℃の熱風循環式オーブン中で４時間加熱し
て硬化させた。このシリコーン硬化物に対する封止樹脂
硬化物の接着性を観察して、強固に接着している場合を
○、一部剥離している場合を△、完全に剥離している場
合を×で示した。 ［電子部品（半導体装置）の信頼性］図１で示される半
導体装置を次のようにして作成した。アルミナセラミッ
ク製の回路基板１上に接着剤２を用いて、表面にアルミ
ニウム製の配線パターンを形成した半導体素子３を載置
した後、この半導体素子３の上端部にあるボンディング
パッド４と回路基板１とを金製のボンディングワイヤ６
により電気的に接続した。その後、この半導体素子３の
表面に硬化性シリコーン組成物をディスペンサーにより
塗布し、１００℃の熱風循環式オーブン中で５分間加熱
してシリコーン硬化物７を形成した。次に、この硬化物
７の表面に、紫外線照射装置（高圧水銀灯、ランプ電力
＝１２０Ｗ／ｃｍ）で波長２５４ｎｍにおける照射量が
０．２Ｊ／ｃｍ2となるように紫外線を照射した。その
後、この紫外線照射処理されたシリコーン硬化物７上に
ディスペンサーを用いて封止用樹脂を塗布した。この封
止用樹脂は流動性があるため、この半導体素子３の周辺
部に、予め、高さ１ｍｍのゴム製の枠材９を設けておい
た。その後、これを１２０℃の熱風循環式オーブン中で
４時間加熱して、シリコーン硬化物７上に封止樹脂硬化
物８を形成して半導体装置を作成した。同様にして、こ
の半導体装置を２０個作成した。これらの半導体装置を
−３０℃で３０分間、＋１００℃で３０分間を１サイク
ルとするサーマルサイクル試験を１００サイクル行なっ
た。サーマルサイクル試験後の半導体装置の動作不良率
を求めた。 ［電気部品（コンデンサ）の信頼性］図２で示されるコ
ンデンサを次のようにして作成した。アルミニウムを蒸
着（メタライジング）したポリエステルフィルム１０を
巻回し、この両端を溶射金属で被覆して固定することに
より電極１１を形成し、この電極１１に外部リード１２
を電気的に接続した。次に、これを硬化性シリコーン組
成物中にディッピングした後、これを１００℃の熱風循
環式オーブン中で５分間加熱してシリコーン硬化物１３
を形成した。次に、この硬化物１３の表面に、紫外線照
射装置（高圧水銀灯、ランプ電力＝１２０Ｗ／ｃｍ）で
波長２５４ｎｍにおける照射量が０．２Ｊ／ｃｍ2であ
る紫外線を照射した。その後、この紫外線照射処理され
たシリコーン硬化物１３を封止用樹脂中にディッピング
した後、これを１２０℃の熱風循環式オーブン中で４時
間加熱して、シリコーン硬化物１３上に封止樹脂硬化物
１４を形成してコンデンサを作成した。同様にして、こ
のコンデンサを２０個作成した。これらのコンデンサを
４０℃、相対湿度９５％の雰囲気内で１０００時間放置
する耐湿試験を行った。耐湿試験後のコンデンサの動作
不良率を求めた。
【００２９】［参考例１］攪拌装置、温度計、および還
流冷却器を備えた４つ口フラスコに、１，３，５，７−
テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテ
トラシロキサン１１６ｇ、３−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン１００ｇ、および水酸化カリウム０．
０５ｇを投入した後、これらを１２０℃に加熱攪拌しな
がら３時間かけて平衡重合した。その後、この反応をジ
メチルジクロロシランで停止させた。この反応混合物を
１００℃、５ｍｍＨｇで減圧蒸留することにより低沸点
成分を除去して液状物を得た。この液状物をフーリエ変
換核磁気共鳴分析で分析したところ、平均単位式：
【化１】 で表されるオルガノポリシロキサンであることが確認さ
れた。
【００３０】［実施例１］粘度４００センチポイズの分
子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリ
シロキサン９６．９重量部、粘度５センチポイズの分子
鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン
・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体２．０重量
部、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．
５重量部、粘度２５センチポイズの分子鎖両末端シラノ
ール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサ
ン共重合体０．５重量部、１重量％−塩化白金酸のイソ
プロピルアルコール溶液０．１重量部、および付加反応
抑制剤として、３−フェニル−１−ブチン−３−オール
０．０１重量部を均一に混合して硬化性シリコーン組成
物を調製した。この硬化性シリコーン組成物を用いて、
シリコーン硬化物に対する封止樹脂硬化物の接着性、お
よび電子部品（半導体装置、コンデンサ）の信頼性を評
価した。これらの評価結果を表１に示した。
【００３１】［実施例２］実施例１において、３−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン０．５重量部およ
び粘度２５センチポイズの分子鎖両末端シラノール基封
鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合
体０．５重量部の代わりに、参考例１で調製したオルガ
ノポリシロキサン１．０重量部を配合した以外は実施例
１と同様にして硬化性シリコーン組成物を調製した。こ
の硬化性シリコーン組成物を用いて、シリコーン硬化物
に対する封止樹脂硬化物の接着性、および電子部品（半
導体装置、コンデンサ）の信頼性を評価した。これらの
評価結果を表１に示した。
【００３２】［比較例１］実施例１において、３−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン０．５重量部およ
び粘度２５センチポイズの分子鎖両末端ジメチルヒドロ
キシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニル
シロキサン共重合体０．５重量部を配合しない以外は実
施例１と同様にして硬化性シリコーン組成物を調製し
た。この硬化性シリコーン組成物を用いて、シリコーン
硬化物に対する封止樹脂硬化物の接着性、および電子部
品（半導体装置、コンデンサ）の信頼性を評価した。こ
れらの評価結果を表１に示した。
【００３３】［比較例２］実施例１において、３−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン０．５重量部を配
合しない以外は実施例１と同様にして硬化性シリコーン
組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物を用い
て、シリコーン硬化物に対する封止樹脂硬化物の接着
性、および電子部品（半導体装置、コンデンサ）の信頼
性を評価した。これらの評価結果を表１に示した。
【００３４】［比較例３］実施例１において、粘度２５
センチポイズの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチル
シロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体０．５重
量部を配合しない以外は実施例１と同様にして硬化性シ
リコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成
物を用いて、シリコーン硬化物に対する封止樹脂硬化物
の接着性、および電子部品（半導体装置、コンデンサ）
の信頼性を評価した。これらの評価結果を表１に示し
た。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【発明の効果】本発明の電気部品は、電気素子を被覆し
たシリコーン硬化物が、この上を被覆した封止樹脂硬化
物と十分に接着して一体化しており、信頼性が優れると
いう特徴がある。また、本発明の電気部品の製造方法
は、このような電気部品を効率よく製造することができ
るという特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の電気部品である半導体装置
の断面図である。
【図２】 図２は、本発明の電気部品であるコンデンサ
の一部破断を有する斜視図である。
【符号の説明】
１ 回路基板 ２ 接着剤 ３ 半導体素子 ４ ボンディングパッド ５ 外部リード ６ ボンディングワイヤ ７ シリコーン硬化物 ８ 封止樹脂硬化物 ９ 枠材 １０ アルミニウムを蒸着したポリエステルを巻回した
フィルム １１ 電極 １２ 外部リード １３ シリコーン硬化物 １４ 封止樹脂硬化物
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気素子を被覆したシリコーン硬化物の
    表面が紫外線照射処理されており、この紫外線照射処理
    されたシリコーン硬化物は、この上を被覆した封止樹脂
    硬化物と接着して一体化している電気部品において、こ
    のシリコーン硬化物が、(ａ)シラノール基を有するオル
    ガノシロキサンと(ｂ)エポキシ基を有するアルコキシシ
    ランの混合物もしくは反応混合物および／または(ｃ)平
    均単位式： (Ｒ1ＳｉＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳｉＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳｉＯ1/2)c(Ｒ
    3Ｏ1/2)d （式中、Ｒ1はエポキシ基含有一価有機基であり、Ｒ2は
    同じかまたは異なる一価炭化水素基であり、Ｒ3は水素
    原子または炭素原子数１〜４のアルキル基であり、ａ、
    ｂ、およびｄはそれぞれ正数であり、ｃは０または正数
    である。）で表されるオルガノシロキサンを含む付加反
    応硬化型シリコーン組成物を硬化させてなるものである
    ことを特徴とする電気部品。
  2. 【請求項２】 封止樹脂硬化物がエポキシ樹脂硬化物で
    あることを特徴とする、請求項１記載の電気部品。
  3. 【請求項３】 電気素子が半導体素子またはコンデンサ
    ーであることを特徴とする、請求項１記載の電気部品。
  4. 【請求項４】 電気素子を、(ａ)シラノール基を有する
    オルガノシロキサンと(ｂ)エポキシ基を有するアルコキ
    シシランの混合物もしくは反応混合物および／または
    (ｃ)平均単位式： (Ｒ1ＳｉＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳｉＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳｉＯ1/2)c(Ｒ
    3Ｏ1/2)d （式中、Ｒ1はエポキシ基含有一価有機基であり、Ｒ2は
    同じかまたは異なる一価炭化水素基であり、Ｒ3は水素
    原子または炭素原子数１〜４のアルキル基であり、ａ、
    ｂ、およびｄはそれぞれ正数であり、ｃは０または正数
    である。）で表されるオルガノシロキサンを含む付加反
    応硬化型シリコーン組成物で被覆した後、この組成物を
    硬化させて得られるシリコーン硬化物の表面を紫外線照
    射処理して、次いで、この紫外線照射処理されたシリコ
    ーン硬化物を封止用樹脂により樹脂封止することを特徴
    とする電気部品の製造方法。
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