JPH1036831A - 電界発光素子 - Google Patents
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】熱的に安定な薄膜構造を有する特性の優れた有
機電界発光素子を簡便に得ることを目的とする。 【解決手段】透明基板上に、透明第1電極と、電圧の印
加により発光する有機化合物を主成分とする有機層と、
第2電極とを順に積層してなる電界発光素子において、
該有機層は、オキサジアゾール環を少なくとも一つ含む
芳香族化合物分子を含み、該芳香族化合物分子は分子内
に分岐構造および/または非平面構造をもつことを特徴
とする電界発光素子。該芳香族化合物分子は、オキサジ
アゾール環を挟んで芳香族化合物が結合した構造を有し
ている。このため有機層の結晶化が阻止されアモルファ
ス相を形成して安定で均一な薄膜が形成できる。
機電界発光素子を簡便に得ることを目的とする。 【解決手段】透明基板上に、透明第1電極と、電圧の印
加により発光する有機化合物を主成分とする有機層と、
第2電極とを順に積層してなる電界発光素子において、
該有機層は、オキサジアゾール環を少なくとも一つ含む
芳香族化合物分子を含み、該芳香族化合物分子は分子内
に分岐構造および/または非平面構造をもつことを特徴
とする電界発光素子。該芳香族化合物分子は、オキサジ
アゾール環を挟んで芳香族化合物が結合した構造を有し
ている。このため有機層の結晶化が阻止されアモルファ
ス相を形成して安定で均一な薄膜が形成できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機層をもつ電界
発光素子に関する。この電界発光素子は、電気的に発光
を起こすことのできる面状の発光体であることから、自
動車のフロントディスプレーなどの表示装置、液晶ディ
スプレーのバックライトとして使用することができる。
発光素子に関する。この電界発光素子は、電気的に発光
を起こすことのできる面状の発光体であることから、自
動車のフロントディスプレーなどの表示装置、液晶ディ
スプレーのバックライトとして使用することができる。
【0002】
【従来の技術】電界発光素子は強い蛍光をもつ有機化合
物固体に一対の電極を取り付けたもので、電圧の印加に
よって発光する。一般に、電界発光素子は、透明ガラス
基板上に、透明電極(ITO)と、強い蛍光をもつ固体
有機化合物よりなる発光層としての有機層と、金属(M
g)電極とが順に積層された構成を有している。この電
界発光素子の発光原理は以下の通りである。陽極から正
孔を、陰極から電子を注入すると、注入された正孔と電
子は固体中を移動し、衝突、再結合を起こして消滅す
る。再結合により発生したエネルギーは発光分子の励起
状態の生成に使われて蛍光を発する。
物固体に一対の電極を取り付けたもので、電圧の印加に
よって発光する。一般に、電界発光素子は、透明ガラス
基板上に、透明電極(ITO)と、強い蛍光をもつ固体
有機化合物よりなる発光層としての有機層と、金属(M
g)電極とが順に積層された構成を有している。この電
界発光素子の発光原理は以下の通りである。陽極から正
孔を、陰極から電子を注入すると、注入された正孔と電
子は固体中を移動し、衝突、再結合を起こして消滅す
る。再結合により発生したエネルギーは発光分子の励起
状態の生成に使われて蛍光を発する。
【0003】このような電界発光素子は、視野角の制限
がなく、また低電圧駆動、高速応答が可能であり、液
晶、プラズマディスプレー、無機電界発光素子といった
他の表示素子と比較して、ディスプレーとしての優れた
特性を持っている。しかしながら、発光部が有機層で形
成された電界発光素子は寿命が短いという点が問題点と
して指摘されている。この電界発光素子の寿命が短い原
因の一つとして、有機物(ホール輸送機能分子)の結晶
化による変質、劣化の問題をかかえているためである。
すなわち、駆動時の素子の発熱により素子の接合界面で
剥離が起こったり、有機層中の有機物が熱によりその結
晶構造が変化することや、有機物自身の変質が起こり、
有機層が熱的に劣化したりする。
がなく、また低電圧駆動、高速応答が可能であり、液
晶、プラズマディスプレー、無機電界発光素子といった
他の表示素子と比較して、ディスプレーとしての優れた
特性を持っている。しかしながら、発光部が有機層で形
成された電界発光素子は寿命が短いという点が問題点と
して指摘されている。この電界発光素子の寿命が短い原
因の一つとして、有機物(ホール輸送機能分子)の結晶
化による変質、劣化の問題をかかえているためである。
すなわち、駆動時の素子の発熱により素子の接合界面で
剥離が起こったり、有機層中の有機物が熱によりその結
晶構造が変化することや、有機物自身の変質が起こり、
有機層が熱的に劣化したりする。
【0004】有機電界発光素子が効率よく発光するため
には、ホール輸送機能、発光機能、電子輸送機能を担う
分子が不可欠である。これらは単体、あるいはマトリッ
クスに分散した形態で有機EL素子に用いられるが、有
機EL素子の長寿命化、耐熱性向上のためには、これら
分子が安定な非晶質膜を形成しなければならない。ホー
ル輸送材料として用いられる分子には、有機EL素子に
典型的に用いられる材料であるTPD(N,N’−ジフ
ェニル−N,N’−ジトリルベンジジン)に見られるよ
うに安定なアモルファス層を形成する優れた材料が知ら
れている。
には、ホール輸送機能、発光機能、電子輸送機能を担う
分子が不可欠である。これらは単体、あるいはマトリッ
クスに分散した形態で有機EL素子に用いられるが、有
機EL素子の長寿命化、耐熱性向上のためには、これら
分子が安定な非晶質膜を形成しなければならない。ホー
ル輸送材料として用いられる分子には、有機EL素子に
典型的に用いられる材料であるTPD(N,N’−ジフ
ェニル−N,N’−ジトリルベンジジン)に見られるよ
うに安定なアモルファス層を形成する優れた材料が知ら
れている。
【0005】一方、有機電界発光素子の電子輸送材料に
用いられる分子は、主にAlq3(アルミノキノールの
一種)に見られるような(Tang et,al.,Appl.Phys.Let
t.,51、913(1987))金属錯体系材料と、筒井等によって
提案された(筒井等.,日化誌.,11,1540(1991) )オキサ
ジアゾール系の材料とに分類される。これらの材料は、
ITO基板上に作製されたホール輸送層の上に電子輸送
層として蒸着され、有機電界発光素子を構成する要素と
して使用される。有機EL素子作製には蒸着プロセスが
適用されるため、用いることのできる分子は必然的に低
分子に限られる。
用いられる分子は、主にAlq3(アルミノキノールの
一種)に見られるような(Tang et,al.,Appl.Phys.Let
t.,51、913(1987))金属錯体系材料と、筒井等によって
提案された(筒井等.,日化誌.,11,1540(1991) )オキサ
ジアゾール系の材料とに分類される。これらの材料は、
ITO基板上に作製されたホール輸送層の上に電子輸送
層として蒸着され、有機電界発光素子を構成する要素と
して使用される。有機EL素子作製には蒸着プロセスが
適用されるため、用いることのできる分子は必然的に低
分子に限られる。
【0006】金属錯体系の材料の中には、Alq3のよ
うに電子輸送機能が極めて高く、かつ、安定な材料はあ
るが、実用的に使用できる金属錯体材料の数は少ない。
一方、オキサジアゾール系化合物は、筒井等の例に見ら
れるように様々な誘導体が合成され、特性が調べられて
いる。これらの化合物は、いずれも電子輸送機能を有し
ていることが明らかとなっている。しかしながら、オキ
サジアゾール系の化合物は結晶化しやすく、たとえば、
オキサジアゾール誘導体の一種であるPBD(2−(4
−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−
1、3、4−オキサジアゾール)を用いて蒸着法により
有機EL素子を作製する場合、PBDは蒸着直後から結
晶化を起こし、蒸着膜の平滑性が損なわれる。このため
に前記PBDを電子輸送層として使用するためには安定
性が低いという問題があった。
うに電子輸送機能が極めて高く、かつ、安定な材料はあ
るが、実用的に使用できる金属錯体材料の数は少ない。
一方、オキサジアゾール系化合物は、筒井等の例に見ら
れるように様々な誘導体が合成され、特性が調べられて
いる。これらの化合物は、いずれも電子輸送機能を有し
ていることが明らかとなっている。しかしながら、オキ
サジアゾール系の化合物は結晶化しやすく、たとえば、
オキサジアゾール誘導体の一種であるPBD(2−(4
−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−
1、3、4−オキサジアゾール)を用いて蒸着法により
有機EL素子を作製する場合、PBDは蒸着直後から結
晶化を起こし、蒸着膜の平滑性が損なわれる。このため
に前記PBDを電子輸送層として使用するためには安定
性が低いという問題があった。
【0007】結晶性を低下させ、有機電界発光素子の電
子輸送層として用いることができる程に安定な薄膜を作
製する手段の一には、対象とする電子輸送分子を高分子
化する方法がある。このような例は、ホール輸送機能分
子を高分子化したものに多く見られる。たとえば、ポリ
ビニルカルバゾールをマトリックスとする高分子分散型
電界発光素子(応用物理61(10),1044(1992) )や、側鎖
にトリフェニルアミンやTPDを含むポリマー(高分子
論文集,52,(4)216(1995))、また、ポリカーボネートの
主鎖にホール輸送機能分子を導入した材料(特開平5−
247458号)が知られている。
子輸送層として用いることができる程に安定な薄膜を作
製する手段の一には、対象とする電子輸送分子を高分子
化する方法がある。このような例は、ホール輸送機能分
子を高分子化したものに多く見られる。たとえば、ポリ
ビニルカルバゾールをマトリックスとする高分子分散型
電界発光素子(応用物理61(10),1044(1992) )や、側鎖
にトリフェニルアミンやTPDを含むポリマー(高分子
論文集,52,(4)216(1995))、また、ポリカーボネートの
主鎖にホール輸送機能分子を導入した材料(特開平5−
247458号)が知られている。
【0008】ところが、このようにして作製された高分
子型の有機EL素子は、高分子化の際に混入する不純物
(たとえば無機塩、溶媒等)を除去することが困難であ
ることや、重合中に高分子鎖中にとりこまれる化学的な
欠陥を除去することが不可能または困難であるため特
性、寿命等に悪影響を及ぼすという問題があった。
子型の有機EL素子は、高分子化の際に混入する不純物
(たとえば無機塩、溶媒等)を除去することが困難であ
ることや、重合中に高分子鎖中にとりこまれる化学的な
欠陥を除去することが不可能または困難であるため特
性、寿命等に悪影響を及ぼすという問題があった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたもので電子輸送分子を高分子化するこ
となく、低分子の状態で結晶化を抑制すること熱的に安
定な薄膜構造を有する特性の優れた有機電界発光素子を
簡便に得ることを目的とする。
に鑑みてなされたもので電子輸送分子を高分子化するこ
となく、低分子の状態で結晶化を抑制すること熱的に安
定な薄膜構造を有する特性の優れた有機電界発光素子を
簡便に得ることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の電界発光素子
は、透明基板上に、透明第1電極と、電圧の印加により
発光する有機化合物を主成分とする有機層と、第2電極
とを順に積層してなる電界発光素子において、該有機層
は、オキサジアゾール環を少なくとも一つ含む芳香族化
合物分子を含み、該芳香族化合物分子は分子内に分岐構
造および/または非平面構造をもつことを特徴とする。
は、透明基板上に、透明第1電極と、電圧の印加により
発光する有機化合物を主成分とする有機層と、第2電極
とを順に積層してなる電界発光素子において、該有機層
は、オキサジアゾール環を少なくとも一つ含む芳香族化
合物分子を含み、該芳香族化合物分子は分子内に分岐構
造および/または非平面構造をもつことを特徴とする。
【0011】該芳香族化合物分子は、オキサジアゾール
環を挟んで芳香族化合物が結合した構造を有しているこ
とが望ましい。該芳香族化合物分子の非平面構造は、ト
リフェニルアミン、ビフェニル、芳香族環同士が連結さ
れ、連結部のオルト位に置換基を有して該芳香族環同士
が平面構造を保持できない化合物であることが望まし
い。
環を挟んで芳香族化合物が結合した構造を有しているこ
とが望ましい。該芳香族化合物分子の非平面構造は、ト
リフェニルアミン、ビフェニル、芳香族環同士が連結さ
れ、連結部のオルト位に置換基を有して該芳香族環同士
が平面構造を保持できない化合物であることが望まし
い。
【0012】該芳香族化合物は、フェニル基、ナフチル
基、アントラニル基、ビフェニル基等の芳香族炭化水
素、トリフェニルアミン等の含窒素芳香族化合物、ジフ
ェニルエーテル等の含酸素芳香族化合物、ピリジン、ビ
ピリジン、インドール、キノリン、チオフェン、フラン
等の複素環化合物を挙げることができる。
基、アントラニル基、ビフェニル基等の芳香族炭化水
素、トリフェニルアミン等の含窒素芳香族化合物、ジフ
ェニルエーテル等の含酸素芳香族化合物、ピリジン、ビ
ピリジン、インドール、キノリン、チオフェン、フラン
等の複素環化合物を挙げることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の電界発光素子は、透明基
板上に、透明第1電極と、有機層と、第2電極とを順に
積層してなり、該有機層に特徴を有するものである。こ
の有機層に含まれる芳香族化合物分子は、化1式の一般
式で表されるオキサジアゾール環に2つの芳香族基のA
r1 、Ar2 が結合した構造を有し、Ar1、Ar2 の
少なくとも一方に非平面状、あるいは分岐構造を含んだ
化合物である。
板上に、透明第1電極と、有機層と、第2電極とを順に
積層してなり、該有機層に特徴を有するものである。こ
の有機層に含まれる芳香族化合物分子は、化1式の一般
式で表されるオキサジアゾール環に2つの芳香族基のA
r1 、Ar2 が結合した構造を有し、Ar1、Ar2 の
少なくとも一方に非平面状、あるいは分岐構造を含んだ
化合物である。
【0014】
【化1】
【0015】化1式中、Ar1 、Ar2 としては、たと
えば、フェニル、ナフチル、アントラニル、ビフェニル
のような芳香族化合物、ジフェニルエーテルのような含
酸素芳香族化合物、トリフェニルアミンのような含窒素
芳香族化合物、ジフェニルエーテルのような含酸素芳香
族化合物、ピリジン、ビピリジン、インドール、キノリ
ン、チオフェン、フランのような複素環化合物を挙げる
ことができる。
えば、フェニル、ナフチル、アントラニル、ビフェニル
のような芳香族化合物、ジフェニルエーテルのような含
酸素芳香族化合物、トリフェニルアミンのような含窒素
芳香族化合物、ジフェニルエーテルのような含酸素芳香
族化合物、ピリジン、ビピリジン、インドール、キノリ
ン、チオフェン、フランのような複素環化合物を挙げる
ことができる。
【0016】また、これらが連結した化合物、縮合した
化合物であってもよい。芳香族化合物中に非平面構造を
導入するユニットとしては、トリフェニルアミン、ビフ
ェニル、芳香族環同士が連結され連結部のオルト位が置
換基(メチル、フェニル等)によって置換された構造単
位(たとえば2、2’−ジメチルビフェニル等)が挙げ
られる。これらはオルト位の置換基の存在により芳香族
環同士が同一平面を保持できない分子構造である。たと
えば、化2式、化3式に示すトリフェニルアミン、化4
式、化5式に示すビフェニールのオルト位のメチル基と
オキサジアゾール環の存在する場合、化6式で示すよう
にオキサジアゾール環にフェナントレン環が結合した化
合物が挙げられる。
化合物であってもよい。芳香族化合物中に非平面構造を
導入するユニットとしては、トリフェニルアミン、ビフ
ェニル、芳香族環同士が連結され連結部のオルト位が置
換基(メチル、フェニル等)によって置換された構造単
位(たとえば2、2’−ジメチルビフェニル等)が挙げ
られる。これらはオルト位の置換基の存在により芳香族
環同士が同一平面を保持できない分子構造である。たと
えば、化2式、化3式に示すトリフェニルアミン、化4
式、化5式に示すビフェニールのオルト位のメチル基と
オキサジアゾール環の存在する場合、化6式で示すよう
にオキサジアゾール環にフェナントレン環が結合した化
合物が挙げられる。
【0017】
【化2】
【0018】
【化3】
【0019】
【化4】
【0020】
【化5】
【0021】
【化6】
【0022】また、芳香族化合物に分岐構造を導入する
ユニットとしては、多置換の芳香族化合物、たとえばフ
ェニル、ナフチル、アントラニル、ビフェニルのような
芳香族炭化水素、トリフェニルアミンのような含窒素芳
香族化合物、ジフェニルエーテルのような含酸素芳香族
化合物、ピリジン、ビピリジン、インドール、キノリ
ン、チオフェン、フランのような複素環化合物が3以上
置換された構造を含む化合物を挙げることができる。ま
た、これらが連結した化合物、縮合した化合物であって
もよい。たとえば、化7式のように3置換されたフェニ
ル基、化8式、化9式で表されるビフェニル基が4置換
された構造の化合物が挙げられる。
ユニットとしては、多置換の芳香族化合物、たとえばフ
ェニル、ナフチル、アントラニル、ビフェニルのような
芳香族炭化水素、トリフェニルアミンのような含窒素芳
香族化合物、ジフェニルエーテルのような含酸素芳香族
化合物、ピリジン、ビピリジン、インドール、キノリ
ン、チオフェン、フランのような複素環化合物が3以上
置換された構造を含む化合物を挙げることができる。ま
た、これらが連結した化合物、縮合した化合物であって
もよい。たとえば、化7式のように3置換されたフェニ
ル基、化8式、化9式で表されるビフェニル基が4置換
された構造の化合物が挙げられる。
【0023】
【化7】
【0024】
【化8】
【0025】
【化9】 この電子輸送分子には、置換基が導入されてもよく、た
とえば、アルキル基、アリル基、アリール基、アミノ
基、アルコシ基、アリルオキシ基、アリールオキシ基、
チオアルキル基、チオアリル基、スルホン基、ホスホリ
ル基、カルボキシル基、カルボニル基、チオカルボニル
基、イミノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルコキシシ
リル基、シアノ基等の置換基が挙げられる。
とえば、アルキル基、アリル基、アリール基、アミノ
基、アルコシ基、アリルオキシ基、アリールオキシ基、
チオアルキル基、チオアリル基、スルホン基、ホスホリ
ル基、カルボキシル基、カルボニル基、チオカルボニル
基、イミノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルコキシシ
リル基、シアノ基等の置換基が挙げられる。
【0026】本発明は、電子輸送分子を高分子化するこ
となく、低分子の状態で結晶化を抑制することにある。
そのために従来平面状、かつ直線状であったオキサジア
ゾール環に結合する芳香族化合物分子を分岐状、非平面
状の構造をとるものを用いた。芳香族化合物分子を分岐
状の構造とすることにより、分子の対称性が低下するこ
とに伴い、結晶化が起こりにくくなるものと考えられ
る。また、非平面状とすることにより、結晶形成の過程
で必要な分子平面同士の重なりが抑えられるために、結
晶化が抑制されるものと考えられる。この結果、高分子
分散型EL素子に適用する場合にも、高分子マトリック
スに高濃度に分散しても結晶の析出を起こさない安定な
有機EL素子が作製が可能となった。
となく、低分子の状態で結晶化を抑制することにある。
そのために従来平面状、かつ直線状であったオキサジア
ゾール環に結合する芳香族化合物分子を分岐状、非平面
状の構造をとるものを用いた。芳香族化合物分子を分岐
状の構造とすることにより、分子の対称性が低下するこ
とに伴い、結晶化が起こりにくくなるものと考えられ
る。また、非平面状とすることにより、結晶形成の過程
で必要な分子平面同士の重なりが抑えられるために、結
晶化が抑制されるものと考えられる。この結果、高分子
分散型EL素子に適用する場合にも、高分子マトリック
スに高濃度に分散しても結晶の析出を起こさない安定な
有機EL素子が作製が可能となった。
【0027】または、上記電子輸送性分子にホール輸送
機能性、電子輸送機能性、発光機能性の分子を分散させ
てなる混合物を含んでもよい。ここで、分散する分子
は、低分子に限らず高分子であってもよい。また、電界
発光素子の有機層を構成する有機層は、単層であっても
良いが、塗布法あるいは蒸着法によって成膜された薄膜
と、上記重合体を含む薄膜との積層膜であってもよい。
機能性、電子輸送機能性、発光機能性の分子を分散させ
てなる混合物を含んでもよい。ここで、分散する分子
は、低分子に限らず高分子であってもよい。また、電界
発光素子の有機層を構成する有機層は、単層であっても
良いが、塗布法あるいは蒸着法によって成膜された薄膜
と、上記重合体を含む薄膜との積層膜であってもよい。
【0028】また、上記重合体を含む有機層は、スピン
コート法、ディップコート法などの塗布法によって作製
されてもよく、真空蒸着法で作製されてもよい。
コート法、ディップコート法などの塗布法によって作製
されてもよく、真空蒸着法で作製されてもよい。
【0029】
【実施例】以下、実施例により説明する。 (実施例1) OXD1(化7式)の合成 t−ブチル安息香酸ヒドラジドの合成 t−ブチル安息香酸エチルエステル120.55g、ヒ
ドラジン水化物207g、乾燥エタノール320gを混
合し、窒素雰囲気下で100℃で6時間混合した。混合
液を濃縮乾固した後エチルエーテル200mlに溶解
し、100mlの水で2回水洗した。エチルエーテルを
除去した後、残渣をベンゼンで再結晶し、真空乾燥によ
り91.37g(収量81%)のt−ブチル安息香酸ヒ
ドラジドを得た。
ドラジン水化物207g、乾燥エタノール320gを混
合し、窒素雰囲気下で100℃で6時間混合した。混合
液を濃縮乾固した後エチルエーテル200mlに溶解
し、100mlの水で2回水洗した。エチルエーテルを
除去した後、残渣をベンゼンで再結晶し、真空乾燥によ
り91.37g(収量81%)のt−ブチル安息香酸ヒ
ドラジドを得た。
【0030】t−ブチル安息香酸ヒドラジド2.0g、
炭酸ナトリウム1.11g、ジオキサン8gを混合し、
窒素雰囲気下で攪拌した。これに攪拌下でトリメシン酸
三塩化物0.92gのジオキサン(5g)溶液を約10
分かけて滴下した。90℃で3時間加熱し、放冷後、2
0mlの水を加え、析出物を濾別水洗した。生成物を6
0℃で真空乾燥し、2.4gの縮合化合物1を得た。
炭酸ナトリウム1.11g、ジオキサン8gを混合し、
窒素雰囲気下で攪拌した。これに攪拌下でトリメシン酸
三塩化物0.92gのジオキサン(5g)溶液を約10
分かけて滴下した。90℃で3時間加熱し、放冷後、2
0mlの水を加え、析出物を濾別水洗した。生成物を6
0℃で真空乾燥し、2.4gの縮合化合物1を得た。
【0031】縮合化合物1を2.2g、塩化チオニル
6.6g、ピリジン0.13gを混合し、窒素雰囲気下
で3.5時間攪拌、還流した。放冷、濃縮して析出物を
濾別し、水洗、真空乾燥した。生成物をシリカゲルのカ
ラムクロマトグラフィーで精製し800mgの化7式の
OXD1を得た。 (実施例2) OXD2(化8式)の合成 5−アミノイソフタール酸66.2g、48%臭化水素
酸110ml,水100mlを混合し、4℃でメカニカ
ルに攪拌した。亜硝酸ナトリウム26.35gの水(3
50ml)溶液を1.5時間かけて滴下した後、28時
間攪拌した。この懸濁液を臭化銅(I)62.8gと4
8%臭化水素酸30mlの懸濁液に4℃で攪拌下に1.
5時間かけて滴下した。30分攪拌した後、さらに80
℃で30分攪拌した。放冷後、析出物を濾別し、水洗し
て不純物分析のため50℃で真空乾燥、さらに不純物除
去のため熱希塩酸で洗浄、濾過、水洗し、真空乾燥して
5−ブロムイソフタール酸76gを得た。
6.6g、ピリジン0.13gを混合し、窒素雰囲気下
で3.5時間攪拌、還流した。放冷、濃縮して析出物を
濾別し、水洗、真空乾燥した。生成物をシリカゲルのカ
ラムクロマトグラフィーで精製し800mgの化7式の
OXD1を得た。 (実施例2) OXD2(化8式)の合成 5−アミノイソフタール酸66.2g、48%臭化水素
酸110ml,水100mlを混合し、4℃でメカニカ
ルに攪拌した。亜硝酸ナトリウム26.35gの水(3
50ml)溶液を1.5時間かけて滴下した後、28時
間攪拌した。この懸濁液を臭化銅(I)62.8gと4
8%臭化水素酸30mlの懸濁液に4℃で攪拌下に1.
5時間かけて滴下した。30分攪拌した後、さらに80
℃で30分攪拌した。放冷後、析出物を濾別し、水洗し
て不純物分析のため50℃で真空乾燥、さらに不純物除
去のため熱希塩酸で洗浄、濾過、水洗し、真空乾燥して
5−ブロムイソフタール酸76gを得た。
【0032】5−ブロムイソフタール酸14.37gと
水酸化ナトリウム9.38gを水45gに混合溶解させ
た。これにPdCl2 ・2NaCl塩化パラジウム(I
I)ナトリウム0.11gを懸濁させた。この懸濁液を
20分かけて室温から90℃に昇温する過程で攪拌下に
水16.9g、メタノール3.76g、ギ酸5.4gの
混合物を滴下した。90℃で3時間加熱攪拌した。2日
間放置して析出した結晶を濾取した。これを水酸化ナト
リウム水溶液に溶解し、溶液を濾過した後、濾液に濃塩
酸を加えてpHを1に調製した。この溶液を5℃に冷却
し、30分放置した後、析出物を濾取した。生成物を8
0℃で真空乾燥し、0.61gのビフェニル−3,5,
3’,5’−テトラカルボン酸を得た。
水酸化ナトリウム9.38gを水45gに混合溶解させ
た。これにPdCl2 ・2NaCl塩化パラジウム(I
I)ナトリウム0.11gを懸濁させた。この懸濁液を
20分かけて室温から90℃に昇温する過程で攪拌下に
水16.9g、メタノール3.76g、ギ酸5.4gの
混合物を滴下した。90℃で3時間加熱攪拌した。2日
間放置して析出した結晶を濾取した。これを水酸化ナト
リウム水溶液に溶解し、溶液を濾過した後、濾液に濃塩
酸を加えてpHを1に調製した。この溶液を5℃に冷却
し、30分放置した後、析出物を濾取した。生成物を8
0℃で真空乾燥し、0.61gのビフェニル−3,5,
3’,5’−テトラカルボン酸を得た。
【0033】ビフェニル−3,5,3’,5’−テトラ
カルボン酸0.61gを塩化チオニル5gDMF(ジメ
チルホルムアミド)0.05gに懸濁し、窒素雰囲気下
に3.5時間攪拌、還流した。放冷、エバポレーション
後、室温で真空乾燥してビフェニル−3,5,3’,
5’−テトラカルボニルクロライドを得た。引き続き前
記の生成物にt−ブチルベゾイルヒドラジド1.42g
と炭酸ナトリウム0.88g、ジオキサン10gを加
え、窒素雰囲気下に6時間90℃でメカニカルスターラ
ーで攪拌した。放冷後、水洗し、50℃で真空乾燥し、
3.01gの縮合化合物2を得た。
カルボン酸0.61gを塩化チオニル5gDMF(ジメ
チルホルムアミド)0.05gに懸濁し、窒素雰囲気下
に3.5時間攪拌、還流した。放冷、エバポレーション
後、室温で真空乾燥してビフェニル−3,5,3’,
5’−テトラカルボニルクロライドを得た。引き続き前
記の生成物にt−ブチルベゾイルヒドラジド1.42g
と炭酸ナトリウム0.88g、ジオキサン10gを加
え、窒素雰囲気下に6時間90℃でメカニカルスターラ
ーで攪拌した。放冷後、水洗し、50℃で真空乾燥し、
3.01gの縮合化合物2を得た。
【0034】この縮合化合物2の3.01gを塩化チオ
ニル10g、ピリジン0.2gに懸濁し、窒素雰囲気
下、80℃で加熱、攪拌した。5時間後、氷水に投入し
て、析出物を濾過、水洗した。50℃で真空乾燥し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して750m
gのOXD2(化8式)を得た。 (実施例3) OXD3(化2式)の合成 トリ(4−エトキシカルボニルフェニル)アミンの合成 4−アミノ安息香酸エチルエステル7.48g、4−沃
素安息香酸エチルエステル25.2g、炭酸カリウム1
3.8g、銅0.5g、酸化銅(I)0.5g、18ク
ラウン0.4g、キシレン40gを還流管と脱水管を付
したフラスコに入れ、窒素雰囲気下で190℃、40時
間加熱した。放冷後濾過し、残渣をクロロホルムで洗浄
した。濾液および洗浄液を混合して水洗し、硫酸ナトリ
ウムで乾燥したのち、エバポレーションした。生成物を
エタノールから再結晶し、真空乾燥により16.79g
のトリ(4−エトキシカルボニルフェニル)アミンを得
た。
ニル10g、ピリジン0.2gに懸濁し、窒素雰囲気
下、80℃で加熱、攪拌した。5時間後、氷水に投入し
て、析出物を濾過、水洗した。50℃で真空乾燥し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して750m
gのOXD2(化8式)を得た。 (実施例3) OXD3(化2式)の合成 トリ(4−エトキシカルボニルフェニル)アミンの合成 4−アミノ安息香酸エチルエステル7.48g、4−沃
素安息香酸エチルエステル25.2g、炭酸カリウム1
3.8g、銅0.5g、酸化銅(I)0.5g、18ク
ラウン0.4g、キシレン40gを還流管と脱水管を付
したフラスコに入れ、窒素雰囲気下で190℃、40時
間加熱した。放冷後濾過し、残渣をクロロホルムで洗浄
した。濾液および洗浄液を混合して水洗し、硫酸ナトリ
ウムで乾燥したのち、エバポレーションした。生成物を
エタノールから再結晶し、真空乾燥により16.79g
のトリ(4−エトキシカルボニルフェニル)アミンを得
た。
【0035】トリ(4−ヒドロキシカルボニルフェニ
ル)アミンの合成 トリ(4−エトキシカルボニルフェニル)アミン12.
02g、水酸化カリウム15g、水80g、エタノール
130gを混合して100℃で10時間加熱攪拌した。
放冷後濾過、水洗し、濾液に氷冷下濃塩酸を加えてpH
を1にした。1時間放置後、析出物を濾過水洗し、80
℃で真空乾燥し9.01gのトリ(4−ヒドロキシカル
ボニルフェニル)アミンを得た。 トリ(4−クロロカルボニルフェニル)アミンの合成 トリ(4−ヒドロキシカルボニルフェニル)アミン2.
0g、塩化チオニル14g、DMF0.05gを混合
し、窒素雰囲気下で3時間還流、攪拌した。反応液をエ
バポレーションした後、真空乾燥してトリ(4−クロロ
カルボニルフェニル)アミンを得た。この生成物とt−
ブチル安息香酸ヒドラジッド3.06g、炭酸ナトリウ
ム1.8g、ジオキサン20gを混合し、窒素気流下に
110℃で5時間攪拌した。反応液に水400mlを加
え、析出物を濾過水洗した。80℃で真空乾燥して4.
56gの縮合化合物3を得た。
ル)アミンの合成 トリ(4−エトキシカルボニルフェニル)アミン12.
02g、水酸化カリウム15g、水80g、エタノール
130gを混合して100℃で10時間加熱攪拌した。
放冷後濾過、水洗し、濾液に氷冷下濃塩酸を加えてpH
を1にした。1時間放置後、析出物を濾過水洗し、80
℃で真空乾燥し9.01gのトリ(4−ヒドロキシカル
ボニルフェニル)アミンを得た。 トリ(4−クロロカルボニルフェニル)アミンの合成 トリ(4−ヒドロキシカルボニルフェニル)アミン2.
0g、塩化チオニル14g、DMF0.05gを混合
し、窒素雰囲気下で3時間還流、攪拌した。反応液をエ
バポレーションした後、真空乾燥してトリ(4−クロロ
カルボニルフェニル)アミンを得た。この生成物とt−
ブチル安息香酸ヒドラジッド3.06g、炭酸ナトリウ
ム1.8g、ジオキサン20gを混合し、窒素気流下に
110℃で5時間攪拌した。反応液に水400mlを加
え、析出物を濾過水洗した。80℃で真空乾燥して4.
56gの縮合化合物3を得た。
【0036】この縮合化合物3を4.5g、塩化チオニ
ル20gピリジン0.4gを混合し、窒素雰囲気下で4
時間還流攪拌した。放冷却後、氷水50mlに投入し
た。析出物を濾過、水洗、乾燥した後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製し4.18gのOXD3
(化2式)を得た。 (実施例4) OXD4(化3式)の合成 ナフタエ酸メチルエステルの合成 ピリジン11.4gとメタノール40gを混合、氷冷し
た。これにナフタエ酸クロライド25gを15分かけて
滴下した。室温で2時間攪拌した後、50℃で1時間加
熱した。次いで1mlの濃塩酸と100mlの氷水を加
え、クロロホルム100mlで2回抽出した。クロロホ
ルム層を100mlの水で2回水洗し、硫酸ナトリウム
で乾燥した後、エバポレーションし、真空乾燥すること
で26.4gのナフタエ酸メチルエステルを得た。
ル20gピリジン0.4gを混合し、窒素雰囲気下で4
時間還流攪拌した。放冷却後、氷水50mlに投入し
た。析出物を濾過、水洗、乾燥した後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製し4.18gのOXD3
(化2式)を得た。 (実施例4) OXD4(化3式)の合成 ナフタエ酸メチルエステルの合成 ピリジン11.4gとメタノール40gを混合、氷冷し
た。これにナフタエ酸クロライド25gを15分かけて
滴下した。室温で2時間攪拌した後、50℃で1時間加
熱した。次いで1mlの濃塩酸と100mlの氷水を加
え、クロロホルム100mlで2回抽出した。クロロホ
ルム層を100mlの水で2回水洗し、硫酸ナトリウム
で乾燥した後、エバポレーションし、真空乾燥すること
で26.4gのナフタエ酸メチルエステルを得た。
【0037】26.4gのナフタエ酸メチルエステル、
ヒドラジン・水化物47.1g、エタノール66gを混
合し、窒素雰囲気下で100℃5時間加熱攪拌した。反
応液をエバポレーションして析出物を濾過し、水洗し8
0℃で真空乾燥した。エタノールから再結晶して19.
5gのナフタエ酸ヒドラジドを得た。トリ(4−ヒドロ
キシカルボニルフェニル)アミン2.0g、塩化チオニ
ル14g,DMF0.05gを混合し、窒素雰囲気下で
3時間還流、攪拌した。反応液をエバポレーション、真
空乾燥してトリ(4−クロロカーボニルフェニル)アミ
ンを合成した。この生成物と、ナフタエ酸ヒドラジド
2.97g、炭酸ナトリウム1.8g、ジオキサン20
gを混合し、窒素気流下に110℃で5時間攪拌した。
水400mlを加えて,析出物を濾過、水洗した。80
℃で真空乾燥して4.47gの縮合化合物4を得た。
4.5gの縮合化合物4と塩化チオニル20g、ピリジ
ン0.4gを混合し、窒素雰囲気下で4時間還流、攪拌
した。放冷後、反応液を氷水50mlに投入した。析出
物を濾過、水洗し、真空乾燥後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製し、4.23gのOXD4(化3
式)を得た。
ヒドラジン・水化物47.1g、エタノール66gを混
合し、窒素雰囲気下で100℃5時間加熱攪拌した。反
応液をエバポレーションして析出物を濾過し、水洗し8
0℃で真空乾燥した。エタノールから再結晶して19.
5gのナフタエ酸ヒドラジドを得た。トリ(4−ヒドロ
キシカルボニルフェニル)アミン2.0g、塩化チオニ
ル14g,DMF0.05gを混合し、窒素雰囲気下で
3時間還流、攪拌した。反応液をエバポレーション、真
空乾燥してトリ(4−クロロカーボニルフェニル)アミ
ンを合成した。この生成物と、ナフタエ酸ヒドラジド
2.97g、炭酸ナトリウム1.8g、ジオキサン20
gを混合し、窒素気流下に110℃で5時間攪拌した。
水400mlを加えて,析出物を濾過、水洗した。80
℃で真空乾燥して4.47gの縮合化合物4を得た。
4.5gの縮合化合物4と塩化チオニル20g、ピリジ
ン0.4gを混合し、窒素雰囲気下で4時間還流、攪拌
した。放冷後、反応液を氷水50mlに投入した。析出
物を濾過、水洗し、真空乾燥後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製し、4.23gのOXD4(化3
式)を得た。
【0038】(実施例5) DSCの測定 DSCの測定には、パーキンエルマー社製TAC7/D
Xを用い10℃毎分で昇温した。OXD1〜4の測定結
果を表1に示した。いずれも結晶の融点を示さず高いT
g(転移温度)を有する非晶質材料であり、EL素子の
耐熱性に優れた電子輸送材料として使用できることがわ
かった。
Xを用い10℃毎分で昇温した。OXD1〜4の測定結
果を表1に示した。いずれも結晶の融点を示さず高いT
g(転移温度)を有する非晶質材料であり、EL素子の
耐熱性に優れた電子輸送材料として使用できることがわ
かった。
【0039】
【表1】 (比較例) DSCの測定 比較試料として平面、直鎖状の分子であるBND(ビス
ナフチルオキサジアゾール)のDSC測定を同様に行っ
たところ、結晶性の物質に特有に見られる融点ピーク
(240℃)しか認められなかった。すなわち、実施例
OXD1〜4の化合物とは異なり有機EL素子の電子輸
送材料にはその単体は使用できないことがわかった。
ナフチルオキサジアゾール)のDSC測定を同様に行っ
たところ、結晶性の物質に特有に見られる融点ピーク
(240℃)しか認められなかった。すなわち、実施例
OXD1〜4の化合物とは異なり有機EL素子の電子輸
送材料にはその単体は使用できないことがわかった。
【0040】(実施例6) 高分子分散型EL素子の作製 この高分子分散型EL素子は図1の断面模式図に示すよ
うに透明電極のITO膜2を形成したガラス基板1と、
ITO膜2の上に形成した有機層3、および有機層3の
上面にMg:Ag電極4が形成されて構成されている。
うに透明電極のITO膜2を形成したガラス基板1と、
ITO膜2の上に形成した有機層3、および有機層3の
上面にMg:Ag電極4が形成されて構成されている。
【0041】有機層3は、以下のようにして作製した。
マトリックス兼ホール輸送分子PVK(ポリビニルカル
バゾール)130mg、電子輸送分子(OXD1〜4)
130mg、発光分子のクマリン6 2.7mgをジク
ロロエタン7.6gに溶解した。この溶液を用いて、デ
ィップコート法によりITO膜2を形成したガラス基板
1上に約100nmの膜厚になるように塗布して成膜し
て有機層3を形成した。引き続き有機層3の上面にM
g:Ag電極4をMg:Ag=10:1の割合で2元蒸
着法によって180nmの厚さで作製した。
マトリックス兼ホール輸送分子PVK(ポリビニルカル
バゾール)130mg、電子輸送分子(OXD1〜4)
130mg、発光分子のクマリン6 2.7mgをジク
ロロエタン7.6gに溶解した。この溶液を用いて、デ
ィップコート法によりITO膜2を形成したガラス基板
1上に約100nmの膜厚になるように塗布して成膜し
て有機層3を形成した。引き続き有機層3の上面にM
g:Ag電極4をMg:Ag=10:1の割合で2元蒸
着法によって180nmの厚さで作製した。
【0042】素子の外観 形成した素子の各有機層3において、OXD1は若干の
白濁が見られたが、OXD2〜4については、そのよう
な白濁は認められなかった。このような電子輸送分子の
分散安定性の向上は、オキサジアゾール環に分岐、非平
面構造の芳香族化合物を導入したことによるものである
と考えている。
白濁が見られたが、OXD2〜4については、そのよう
な白濁は認められなかった。このような電子輸送分子の
分散安定性の向上は、オキサジアゾール環に分岐、非平
面構造の芳香族化合物を導入したことによるものである
と考えている。
【0043】(比較例2)比較例として上記の高分子分
散型EL素子において電子輸送材料にBND(ビスナフ
チルオキサジアゾール)を用いた場合、電子輸送分子を
50重量%の添加して素子を作製すると、有機層は電子
輸送材料により白濁した。 (実施例7) 素子の評価 実施例6で作製した高分子分散型EL素子の評価は、窒
素雰囲気中でおこなった。初期特性は、各素子の電圧を
1Vずつ約5秒毎に昇圧し、各電圧における輝度と電流
密度を測定することによって得た。輝度はミノルタnt
−1°を用いて測定した。
散型EL素子において電子輸送材料にBND(ビスナフ
チルオキサジアゾール)を用いた場合、電子輸送分子を
50重量%の添加して素子を作製すると、有機層は電子
輸送材料により白濁した。 (実施例7) 素子の評価 実施例6で作製した高分子分散型EL素子の評価は、窒
素雰囲気中でおこなった。初期特性は、各素子の電圧を
1Vずつ約5秒毎に昇圧し、各電圧における輝度と電流
密度を測定することによって得た。輝度はミノルタnt
−1°を用いて測定した。
【0044】結果を図2に電流密度と輝度の関係を、図
3に電圧と電流密度の関係のグラフを示した。最大輝度
(図2の各データ系列の最大値)は、OXD4(104
0cd/m2 )、OXD3(420cd/m2 )、OX
D2(320cd/m2 )、OXD1(330cd/m
2 )の順であった。電流密度102 における輝度のプロ
ットから分かるように同一電流密度に対して輝度は、O
XD4>OXD3>OXD2>OXD1の順となった。
発光効率(/lm/w)=π×(輝度)÷〔(電圧)×
(電流密度)〕も同じ順序であった。駆動電圧は、図3
のグラフからわかるようにOXD4が最も低く、次いで
OXD1、OXD2〜OXD3の順であった。結果とし
て、OXD4が最も素子特性に優れ、次いでOXD2〜
OXD3、OXD1であった。
3に電圧と電流密度の関係のグラフを示した。最大輝度
(図2の各データ系列の最大値)は、OXD4(104
0cd/m2 )、OXD3(420cd/m2 )、OX
D2(320cd/m2 )、OXD1(330cd/m
2 )の順であった。電流密度102 における輝度のプロ
ットから分かるように同一電流密度に対して輝度は、O
XD4>OXD3>OXD2>OXD1の順となった。
発光効率(/lm/w)=π×(輝度)÷〔(電圧)×
(電流密度)〕も同じ順序であった。駆動電圧は、図3
のグラフからわかるようにOXD4が最も低く、次いで
OXD1、OXD2〜OXD3の順であった。結果とし
て、OXD4が最も素子特性に優れ、次いでOXD2〜
OXD3、OXD1であった。
【0045】(比較例3) 電子輸送材料を高分子化した場合 ホール輸送分子(ポリビニルカルバゾール(PVK))
とPPBDとの共重合体(50:50モル比)の合成 ビニルPBD660mg、9−ビニルカルバゾール34
0mg,重合開始剤のAIBN(アゾビスイソブチロニ
トリル)3mgをベンゼン15gに溶解し、反応容器を
脱気、封管した後、60℃で40時間加熱重合した。放
冷後、ベンゼン−メタノールで再沈殿を5回行った後、
ベンゼンから凍結乾燥し、PVK−PPBD共重合体体
を得た。
とPPBDとの共重合体(50:50モル比)の合成 ビニルPBD660mg、9−ビニルカルバゾール34
0mg,重合開始剤のAIBN(アゾビスイソブチロニ
トリル)3mgをベンゼン15gに溶解し、反応容器を
脱気、封管した後、60℃で40時間加熱重合した。放
冷後、ベンゼン−メタノールで再沈殿を5回行った後、
ベンゼンから凍結乾燥し、PVK−PPBD共重合体体
を得た。
【0046】素子の作製及び評価 (ポリビニルカルバゾール(PVK))PVK−PPB
D共重合体250mg、クマリン6 2.5mgをジク
ロロエタン7.6gに溶解し、ITO電極上に100n
mの厚さにディップコートした。金属電極はMgとAg
の二元共蒸着法によって作製した。金属組成はMg:A
g=10:1、蒸着速度は150Å/min.で150
nm蒸着した。この素子は、31V、45mA/cm2
の時、19cd/m2 の輝度で発光した。表2に示すよ
うに実施例7で作成した素子と比較して輝度が充分でな
いことを示している。
D共重合体250mg、クマリン6 2.5mgをジク
ロロエタン7.6gに溶解し、ITO電極上に100n
mの厚さにディップコートした。金属電極はMgとAg
の二元共蒸着法によって作製した。金属組成はMg:A
g=10:1、蒸着速度は150Å/min.で150
nm蒸着した。この素子は、31V、45mA/cm2
の時、19cd/m2 の輝度で発光した。表2に示すよ
うに実施例7で作成した素子と比較して輝度が充分でな
いことを示している。
【0047】
【表2】 (実施例8) 蒸着積層型素子の製作 ITOガラス基板上にTPD(N,N’−ジフェニル−
トリル−ベンジジン)を70nm、OXD1を70nm
蒸着した。引き続きMg:Ag電極を、10:1の割合
で2元蒸着法によって180nmの厚さで作製した。
トリル−ベンジジン)を70nm、OXD1を70nm
蒸着した。引き続きMg:Ag電極を、10:1の割合
で2元蒸着法によって180nmの厚さで作製した。
【0048】素子の評価 該素子の評価は、窒素雰囲気中でおこなった。初期特性
は、素子の電圧を1Vずつ約5秒毎に昇圧し、各電圧に
おける輝度と電流密度を測定することによって得た。輝
度はミノルタnt−1°を用いて測定した。この蒸着積
層型素子は、22vで414cd/m2 の輝度を示し
た。
は、素子の電圧を1Vずつ約5秒毎に昇圧し、各電圧に
おける輝度と電流密度を測定することによって得た。輝
度はミノルタnt−1°を用いて測定した。この蒸着積
層型素子は、22vで414cd/m2 の輝度を示し
た。
【0049】(比較例4) 蒸着積層型素子の作製 実施例8のOXD1の代わりに平面状の芳香族化合物で
あるPBDを用た素子の作製 ITOガラス基板上にTPD(N,N’−ジフェニル−
トリル−ベンジジン)を70nm、PBD(2−(4−
ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−
1、3、4−オキサジアゾール)を70nm蒸着した。
引き続きMg:Ag電極を10:1の割合で2元蒸着法
によって180nmの厚さで作製した。
あるPBDを用た素子の作製 ITOガラス基板上にTPD(N,N’−ジフェニル−
トリル−ベンジジン)を70nm、PBD(2−(4−
ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−
1、3、4−オキサジアゾール)を70nm蒸着した。
引き続きMg:Ag電極を10:1の割合で2元蒸着法
によって180nmの厚さで作製した。
【0050】素子の評価 素子の評価は、窒素雰囲気中で行った。初期特性は、蒸
着積層型素子の電圧を1Vずつ約5秒毎に昇圧し、各電
圧における輝度と電流密度を測定することによって得
た。輝度はミノルタnt−1°を用いて測定した。この
蒸着積層型素子は絶縁破壊のため発光しなかった。
着積層型素子の電圧を1Vずつ約5秒毎に昇圧し、各電
圧における輝度と電流密度を測定することによって得
た。輝度はミノルタnt−1°を用いて測定した。この
蒸着積層型素子は絶縁破壊のため発光しなかった。
【0051】
【発明の効果】本発明によれば、電子輸送分子を高分子
化する方法と比較して、低分子化合物を用いた場合に
は、電子輸送化合物の精製が容易であるために、不純
物、混入物の影響が少なく、特性に優れ、かつ耐久性に
優れた有機EL素子を得ることができる。
化する方法と比較して、低分子化合物を用いた場合に
は、電子輸送化合物の精製が容易であるために、不純
物、混入物の影響が少なく、特性に優れ、かつ耐久性に
優れた有機EL素子を得ることができる。
【0052】また、従来の電子輸送分子と比較して、オ
キサジアゾールに結合した芳香族化合物が分岐状、非平
面構造を有するため結晶化やマトリックス中における析
出といった有機EL素子の劣化の原因となる問題が起こ
りにくい。一方、平面、直鎖状の低分子電子輸送材料で
あるPBDの薄膜は、数日で結晶化し、膜形態を保持で
きなくなるが、本発明の電子輸送材料よりなる薄膜は、
数か月後も結晶化は全く認められない。よって、本発明
により耐久性に優れ、発光特性に優れた有機電界発光素
子を作製することができる。
キサジアゾールに結合した芳香族化合物が分岐状、非平
面構造を有するため結晶化やマトリックス中における析
出といった有機EL素子の劣化の原因となる問題が起こ
りにくい。一方、平面、直鎖状の低分子電子輸送材料で
あるPBDの薄膜は、数日で結晶化し、膜形態を保持で
きなくなるが、本発明の電子輸送材料よりなる薄膜は、
数か月後も結晶化は全く認められない。よって、本発明
により耐久性に優れ、発光特性に優れた有機電界発光素
子を作製することができる。
【図1】本実施例で評価に用いた電界発光素子の断面模
式図である。
式図である。
【図2】本実施例で作製した有機EL素子の電流密度と
輝度との関係を示すグラフである。
輝度との関係を示すグラフである。
【図3】本実施例で作製した有機EL素子の電流密度と
電圧との関係を示すグラフである。
電圧との関係を示すグラフである。
1.ガラス基板、 2.透明電極、 3.有機層、4.
Mg−Ag電極、
Mg−Ag電極、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 時任 静士 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の1株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 多賀 康訓 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の1株式会社豊田中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項1】 透明基板上に、透明第1電極と、電圧の
印加により発光する有機化合物を主成分とする有機層
と、第2電極とを順に積層してなる電界発光素子におい
て、 該有機層は、オキサジアゾール環を少なくとも一つ含む
芳香族化合物分子を含み、該芳香族化合物分子は分子内
に分岐構造および/または非平面構造をもつことを特徴
とする電界発光素子。 - 【請求項2】 該芳香族化合物分子は、オキサジアゾー
ル環を挟んで芳香族化合物が結合した構造を有している
ことを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。 - 【請求項3】 該芳香族化合物分子の非平面構造は、ト
リフェニルアミン、ビフェニル、あるいは芳香族環どう
しが連結されて、連結部のオルト位に置換基を有するた
めに該芳香族環どうしが平面構造を保持できない化合物
のいずれかの構造に起因するもの、であることを特徴と
する請求項1または請求項2に記載の電界発光素子。 - 【請求項4】該芳香族化合物分子は、フェニル基、ナフ
チル基、アントラニル基、ビフェニル基、トリフェニル
アミン、ジフェニルエーテル、ピリジン、ビピリジン、
インドール、キノリン、チオフエン、フランから選ばれ
ることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電
界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8192166A JPH1036831A (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8192166A JPH1036831A (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1036831A true JPH1036831A (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16286792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8192166A Pending JPH1036831A (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1036831A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101649196A (zh) * | 2008-08-12 | 2010-02-17 | 三星电子株式会社 | 电致变色材料和使用该电致变色材料的电致变色装置 |
-
1996
- 1996-07-22 JP JP8192166A patent/JPH1036831A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101649196A (zh) * | 2008-08-12 | 2010-02-17 | 三星电子株式会社 | 电致变色材料和使用该电致变色材料的电致变色装置 |
| US8274213B2 (en) * | 2008-08-12 | 2012-09-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrochromic materials and electrochromic devices using the same |
| US9228124B2 (en) | 2008-08-12 | 2016-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrochromic materials and electrochromic devices using the same |
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