JPH103868A

JPH103868A - 陰極線管およびその製造方法

Info

Publication number: JPH103868A
Application number: JP9021702A
Authority: JP
Inventors: Keiji Nakajima; 恵治中嶋; Masaru Fujii; 優藤井; Mikako Maeda; 美佳子前田; Katsuya Kinoshita; 勝矢木下; Mitsuhiro Okumura; 光弘奥村
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1996-04-16
Filing date: 1997-02-04
Publication date: 1998-01-06

Abstract

(57)【要約】【課題】ＴＣＯのガイドラインである漏洩電界強度
１．０Ｖ／ｍ以下に対応できるように漏洩電界の遮蔽効
果を向上することができる陰極線管およびその製造方法
を得る。【解決手段】フェースプレート１の外表面に、平均粒
径０．００５μｍのＡｇ微粒子からなり、その表面抵抗
値が９×１０²Ω／□以下の高屈折率透明導電層２をス
ピンコート法で形成し、さらにこの高屈折率透明導電層
２上にシリカ膜（ＳｉＯ₂）からなる低屈折率透明層３
をスピンコート法で形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、フェースプレー
ト上に高屈折率透明層と低屈折率透明層からなる反射防
止膜を形成した陰極線管およびその製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来から陰極線管のフェースプレート表
面には、各種のコーティング膜が形成され、反射防止機
能、帯電防止機能等の様々な付加価値を与えている。例
えば、特開平６−２４３８０３号公報で示されるよう
に、高屈折率透明層と低屈折率透明層からなる２層光学
薄膜を利用することにより反射防止効果が得られること
はよく知られている。また、フェースプレート上に導電
膜を形成し、これをアースすることにより帯電防止効果
が得られる。

【０００３】これらに加え近年、陰極線管に要求される
機能として、漏洩電界遮蔽機能が注目されている。これ
は、陰極線管が組み込まれるディスプレイモニタから放
射されるＶＬＦ（ＶｅｒｙＬｏｗＦｒｅｑｕｅｎｃ
ｙ：帯域２ｋＨｚ〜４００ｋＨｚ）やＥＬＦ（Ｅｘｔｒ
ａＬｏｗＦｒｅｑｕｅｎｃｙ：帯域５Ｈｚ〜２ｋＨ
ｚ）といった電磁波の規制が近年厳しくなってきている
という背景に基づいている。特にスウェーデン労働団体
が制定したＴＣＯガイドラインは、この中で最も厳しい
ものとなっており、陰極線管のフェース面から３０ｃｍ
の位置でＶＬＦ帯域の交番電界に対し、漏洩電界が１．
０Ｖ／ｍ以下、ＥＬＦ帯域の交番電界に対し、漏洩電界
が１０Ｖ／ｍ以下となるよう要求している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】これに対し、従来の帯
電防止用の導電膜や反射防止膜では安定にこの値を達成
することができなかった。特開平５−３４３００７号公
報によれば、高屈折率透明層を表面抵抗値が５×１０³
Ω／□以下または３×１０³Ω／□以下の導電性膜とす
れば、ＴＣＯのガイドラインをクリアできるとしている
が、製造上のばらつきがあるため、図９に示すように必
ずしも所定の性能が得られないという問題があった。図
９は製造プロセスで設定した高屈折率透明導電層の目標
表面抵抗値を横軸にとり、この目標表面抵抗値を得るた
めの製造プロセスで形成した高屈折率透明導電層を有す
る陰極線管の漏洩電界強度の分布を縦軸にとったもの
で、同一の目標表面抵抗値の製造プロセスで形成して
も、ＴＣＯのガイドラインをクリアできないものが存在
する。また、安定した漏洩電界遮蔽特性を得るためには
導電膜とアース部の導電性を確実に持たすことのできる
手段、すなわち導電膜からの信頼性のあるアース手法が
必要となる。

【０００５】導電膜形成のための透明導電材としては、
従来よりＩＴＯ（錫をドープしたインジウム酸化物）や
ＡＴＯ（アンチモンをドープした錫酸化物）などの金属
酸化物がよく知られており、透明電極などには既に実用
化されている。また、陰極線管の表面に対する導電性付
与を目的としたコーティングも実用レベルにあり、２層
以上の多層膜で反射率を低くしたものが帯電防止目的な
どには使用されている。この場合も光学的な特性を無視
して導電層の膜厚を大きくすれば、表面の抵抗値は低下
し、例えば漏洩電界の抑制に効果が期待できる。しか
し、蒸着やスパッタのような方法で連続な膜を形成して
抵抗を低くする場合以外で、微粒子をシリカ（Ｓｉ
Ｏ₂）成分でつなぐ方式などは微粒子自体の抵抗値が高
く、目的の抵抗値が得られない。

【０００６】表面コーティング以外の方法でＴＣＯガイ
ドラインを達成する方法としては次のようなものがあ
る。（１）蒸着法により低反射、導電性の多層膜を形成した
ガラスプレート（Ａｎｔｉ−ＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎＰ
ｌａｔｅ）をフェースプレート表面に張り付ける。（２）陰極線管に電界のキャンセルコイルを付加する
等、回路面で対策を行う。しかし、高価でしかも張り付
けに労力がかかるガラスプレートを利用したものは、陰
極線管の価格が高くなるという問題をかかえており、ま
た、回路面での対策も、回路費用分だけ余分なコストが
かかるという問題点がある。

【０００７】この発明は上記のような問題を解決するた
めになされたもので、ＴＣＯガイドラインである漏洩電
界強度１．０Ｖ／ｍ以下に対応できるように漏洩電界の
遮蔽効果を向上することができる陰極線管およびその製
造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明に係る陰極線管
は、フェースプレートの外表面に形成された高屈折率透
明導電層と、この高屈折率透明導電層上に形成された低
屈折率透明層を備えた陰極線管において、高屈折率透明
導電層が金属微粒子を主成分とし、その表面抵抗値を９
×１０²Ω／□以下にしたものである。

【０００９】また、金属微粒子としてＩｂ族の金属並び
に白金、パラジウム、ロジウムおよびイリジウムからな
る金属群の少なくとも一種類を用いたものである。ま
た、金属微粒子は、金および銀の少なくとも一種と、白
金、パラジウム、ロジウムおよびイリジウムの少なくと
も一種とを混合したものである。さらに、高屈折率透明
導電層を接地するためのターミナルを有し、このターミ
ナルが高屈折率透明導電層の４辺の中央部に各１個設け
られているものである。さらにまた、高屈折率透明導電
層は接地するためのターミナルを有し、このターミナル
は高屈折率透明導電層の一方の向かい合った辺にそれぞ
れ各２個設けられているものである。

【００１０】また、高屈折率透明導電層を接地するため
のターミナルを有し、このターミナル形成材料と同一材
料でターミナルと接地部を接続したものである。また、
ターミナルの形成材料が半田、導電性樹脂または導電性
フリットガラスであるものである。

【００１１】この発明に係る陰極線管の製造方法は、フ
ェースプレートの外表面の温度差が５℃以下になるよう
に予熱する工程と、この予熱されたフェースプレートの
外表面に金属微粒子の水分散液をスピンコート法で塗布
して高屈折率透明導電層を形成する工程と、この高屈折
率透明導電層上にシリカ膜からなる低屈折率透明層を形
成する工程を含むものである。

【００１２】また、低屈折率透明層の形成後に１６０〜
２５０℃の温度で焼成する工程を含むものである。さら
に、フェースプレートの外表面に金属微粒子の水分散液
をスピンコート法で塗布して高屈折率透明導電層を形成
する工程と、この高屈折率透明導電層に接地用の導電性
テープを取り付ける工程と、この導電性テープを取り付
けた高屈折率透明導電層上にシリカ膜からなる低屈折率
透明層を形成する工程を含むものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．以下、本発明の実施の形態１について説
明する。導電膜材料としては金属などそれ自体が非常に
低い抵抗値を持つものの、通常では透明性が得られない
ものはこれまで利用が十分なされてこなかった。金属も
膜厚が１００ｎｍ以下になると透明性が出て、１０ｎｍ
程度の膜厚では１０％程度の透過率になることが知られ
ている。そこでまず、金属微粒子に注目し、微粒子状態
でも比較的安定の保てる貴金属類を中心に実験を行った
ところ、金、銀の超微粒子は酸化還元反応を伴わない成
膜が可能であることを見いだした。同様にＩｂ族の銅並
びに白金、パラジウム、ロジウムおよびイリジウムにて
も特殊な処理を行うことによって微粒子状態が保たれ、
導電性と透明性が見られた。

【００１４】図１は、実施の形態１を示す要部の模式的
断面図であり、図において、１はフェースプレート、２
はフェースプレート１の外表面に形成された高屈折率透
明導電層であり、平均粒径０．００５μｍのＡｇ微粒子
からなり、その表面抵抗値が９×１０²Ω／□以下に設
定されている。３は高屈折率透明導電層２上に形成され
たシリカ膜（ＳｉＯ₂）からなる低屈折率透明層であ
る。最大の低反射効果を得るため、フェースプレート部
の各層の光学膜厚（屈折率×膜厚）が入射光の波長の１
／４になるように設定する。入射光の波長は視感度が高
くなる波長５３０ｎｍ〜５５０ｎｍの値を使用する。例
えば金属微粒子としてＡｇを使用した場合、高屈折率透
明導電層２の屈折率値ｎ１を２．２６、低屈折率透明層
３の屈折率値ｎ２を１．４７として、膜厚は高屈折率透
明導電層２が５８６Å、低屈折率透明層３が９０１Åと
なる。

【００１５】Ｉｂ族の金属並びに白金、パラジウム、ロ
ジウムおよびイリジウムからなる金属群から選ばれた金
属微粒子を高屈折率透明導電層２として使用する微粒子
の粒子径は平均で０．００５μｍ付近がもっとも成膜が
よく、０．０１μｍ以上では２％以下の反射率が得られ
ない。また、０．１μｍ以上の粒子の割合が５％を越え
た場合には、４％以下の反射率が得られなかった。一
方、他の酸化物粒子と共存した場合には、反射特性が得
られる膜厚では十分な抵抗値が得られない。金属微粒子
のみで高屈折率透明導電層２を形成することが必要であ
り、低屈折率透明層３を形成するときに、高屈折率透明
導電層２中に金属微粒子以外に例えばシリカ成分が予め
体積比で５％以上存在した場合には金属微粒子の十分な
連絡が得られず、反射率を２％以下にして十分な抵抗値
が得られない。

【００１６】次に本発明によるコーティング膜の製造プ
ロセスについて説明する。図２に製造プロセスのフロー
図を示す。陰極線管のフェースプレート部温度を予熱炉
で４０〜５０℃に上げ、スピンブースへ投入する。その
後、まずＡｇ微粒子（平均粒径０．００５μｍ）の水分
散液をフェース面に注入し、スピンコートにより高屈折
率透明導電層２を形成する。次いでこの高屈折率透明導
電層２を乾燥後、低屈折率透明層３としてシリカ膜（Ｓ
ｉＯ₂）をスピンコートにより形成する。スピンブース
内の以上の作業は連続して行われ、その時のスピンコー
トのタイムスケジュールおよび回転数は表１のように設
定する。

【００１７】

【表１】

【００１８】低屈折率透明層３のスピンコート後、スピ
ンブースから陰極線管を取り出し、その後２００℃で焼
成硬化した。その後、図３（ａ）に示すように高屈折率
透明導電層２に達するように半田でターミナル６を各辺
の中央部に１個ずつ設け、フェースプレートの側面に巻
き付けられて接地されている金属製防爆バンド５に導電
性テープ７で接続することにより、高屈折率透明導電層
２の接地を行った。以上のようにして形成したコーティ
ング膜を設けた陰極線管を評価したところ、表面抵抗値
７×１０²Ω／□、表面反射率０．３％、漏洩電界強度
０．６Ｖ／ｍと、ＴＣＯのガイドラインをクリアする特
性が得られた。なお、ターミナル６は、図３（ｂ）およ
び（ｃ）に示すように、高屈折率透明導電層の一方の向
かい合った辺にそれぞれ各２個設けても同様の特性が得
られた。すなわち、フェースプレートの中心に対して対
称な位置関係になるようにターミナル６を設けるのが望
ましい。

【００１９】高屈折率透明導電層２形成時のスピンコー
トの回転数を変化させると膜厚は変化し、表面抵抗値も
変わる。また、同一の表面抵抗値をもつ膜であっても、
ターミナル６の個数により漏洩電界強度が異なる。図４
は、ターミナル６が２個、４個および６個の場合の漏洩
電界強度の変化を示す図である。図４より明らかなよう
に、ＴＣＯのガイドライン（１Ｖ／ｍ）をクリアするた
めには、製造プロセス上のばらつきを温湿度コントロー
ルや材料管理を徹底して行うことにより低減できるとす
ると、ターミナル６が４個で９×１０²Ω／□以下の表
面抵抗値が必要であることがわかる。ターミナル６が２
個の場合だと、同じ特性を得るのに２×１０²Ω／□以
下が必要となるが、表面抵抗値に対する裕度を得、かつ
生産性を考慮してターミナル６は４個にした。表面抵抗
値の設定から、スピンの回転数は１５０ｒｐｍ程度とな
った。なお、電磁波の発生源である偏向ヨーク等の改良
により、電磁波の発生量が小さくなる場合は、当然のこ
とながら図４中の各特性曲線が下側にシフトし、表面抵
抗値に余裕ができることはいうまでもない。

【００２０】また、膜形成後の焼成は、膜強度を高める
ことが目的であるが、図５に示すように焼成温度の変化
すなわち膜強度の変化につれ屈折率が変化し、低反射効
果をねらう波長がずれる。また、膜が硬化しすぎると、
フェースプレートにも影響を与え、フェースプレートの
割れの要因となる。このため、焼成温度は最大でも２５
０℃程度が適当で、また安定な反射特性（波長位置）を
得るためには屈折率変化を０．５％程度に抑える必要が
あり、図５より１６０〜２５０℃での焼成が使用に耐え
る範囲となる。

【００２１】スピンコート法によりフェースプレート外
表面に薄膜を形成することは既に実用化されているが、
金属微粒子を多層膜として十分な反射特性と低い抵抗値
を持つようにスピンコートすることは従来困難であっ
た。その理由は、第一にスピンコート方式に適した金属
微粒子が安定して得られなかったことにある。そこで安
定性を得るために、高屈折率透明導電層２形成時のスピ
ンコート工程の直前のフェースプレート表面温度を十分
に均一に保ち、最大の温度差を５度以下に保つ予熱方式
をとった。このことにより金属微粒子の凝集を抑えるこ
とができ、スピンコートが可能となる。

【００２２】実施の形態２．実施の形態１では、高屈折
率透明導電層２としてＡｇを主成分としたものについて
示したが、同様の方法でＡｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒ
ｈ，Ｉｒで形成した。Ａｕ微粒子の分散液を用いて形成
した場合の表面抵抗値は６×１０²Ω／□であった。但
し、スピンコートのタイムスケジュールおよび回転数は
表２のように設定した。

【００２３】

【表２】

【００２４】また、Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒの微
粒子の分散液を用いて形成した場合の表面抵抗値はいず
れも９×１０²Ω／□であった。但し、スピンコートの
タイムスケジュールおよび回転数は表３のように設定し
た。

【００２５】

【表３】

【００２６】以上のように、Ｉｂ族の金属並びに白金、
パラジウム、ロジウムおよびイリジウムからなる金属群
から選ばれた金属微粒子を用いることにより、ＴＣＯの
ガイドラインをクリアする特性を有する高屈折率透明導
電層２が得られる。ところで、一般に知られているよう
にＡｇ，ＡｕはＣｌ等の７Ｂ族元素との反応性が高いの
で、金属微粒子としてＡｇ，Ａｕを用いる場合は、膜の
抵抗値の安定性を考慮して、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒの
少なくとも一種を混合した方がよい。Ａｇ，Ａｕの一部
をＰｄやＰｔで置き換えることにより反応性を低くし
て、所望の特性を安定して出すことができる。特性は混
合比によるが、例えばＡｇとＰｄの混合の場合、Ｐｄの
比率を増やしていくにつれて反応性は抑えられるが、増
やしすぎるとＡｇとＰｄが合金化して抵抗値が高くな
り、所望の特性が得られない。膜の抵抗値の安定性を確
保するためには、Ｐｄがおおよそ２０重量％程度以上必
要である。しかし、６０重量％を超えると抵抗値が急速
に上昇し、表面コート膜としては使用できないので、Ｐ
ｄの比率は２０〜６０重量％の範囲にするのが好まし
い。このように、Ｉｂ族の金属並びに白金、パラジウ
ム、ロジウムおよびイリジウムからなる金属群から選ば
れた複数の金属を適当な比率で混合することにより、表
面コート膜としての高品位の膜構造を形成することがで
きる。

【００２７】なお、実施の形態１および実施の形態２で
は高屈折率透明導電層２の形成にスピンコート法を用い
たが、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ膜を蒸着法により直接フェース
プレート１の外表面に形成しても同じ効果が得られる。

【００２８】実施の形態３．実施の形態１では図３に示
すように高屈折率透明導電層２のアースを得るために、
半田でターミナル６を形成後、導電性テープ７で金属製
防爆バンド５に接続を行ったが、実施の形態３では、図
６に示すように半田、導電性樹脂または導電性フリット
ガラスでターミナル６を形成し、このターミナル形成材
料で直接金属製防爆バンド５に接続したものである。タ
ーミナル６の抵抗値は高屈折率透明導電層２の抵抗値の
１．５倍以下である場合には良好な導通が得られ、１．
５倍を越えるとターミナル６の数を増加させるなどの工
夫が必要となる。図４に示したように表面抵抗値と漏洩
電界強度との関係はターミナル６の数により異なるが、
これらの関係はターミナル６の抵抗値が高屈折率透明導
電層２の抵抗値の１．５倍以下の場合であり、この値を
越えるとターミナルの数をより増やす必要が生じる。タ
ーミナル６の形成材料として半田を用いる場合は、高屈
折率透明導電層２の抵抗値の１．５倍以下であることが
容易なため、特に設計上注意する必要はないが、ターミ
ナル材料として導電性樹脂及び導電性フリットガラスを
用いる場合には、高屈折率透明導電層２の１．５倍以下
の抵抗値の場合に効果的な漏洩電界シールド効果が得ら
れる。

【００２９】ターミナル材料として導電性樹脂を用いる
場合には、焼成工程の前にターミナル塗布工程を設ける
ことができ、高屈折率透明導電層２との導通をより信頼
性高く形成することができる。焼成工程前の表面の状態
は微視的に見てポーラスであり、フェースプレート外表
面の膜形成後もターミナル材料が容易に高屈折率透明導
電層２に到達する構造になっており、特に高い温度やガ
ラス材料との反応性を高めた材料の使用は必要なく、簡
単な作業により十分なターミナル６の形成が可能であ
る。

【００３０】しかし、特にフェースプレート表面の状態
が強固であることを要求される用途には、表面膜形成後
十分に焼成して膜強度を高めた後、その強固な膜を通し
て高屈折率透明導電層２との間で十分な導通が得られる
ガラス用ハンダが有効で、補助作用のために超音波など
を用いる場合があり、より有効であることが確認されて
いる。導電性フリットガラスを用いる場合には、焼成工
程の前に導電性フリットガラスの塗布工程を設けて、焼
成工程で密着させることが有効であるが、焼成工程にマ
ッチした成分を選択することが有効である。また、この
場合や焼成後にフリットガラス付着工程を設ける場合に
は、局部加熱方式のフリットガラス焼き付け工程を設け
ることによってターミナルの効果を高めることができ
る。

【００３１】実施の形態４．実施の形態１では高屈折率
透明導電層２および低屈折率透明層３を形成後、高屈折
率透明導電層２のアースを得るために、半田でターミナ
ル６を形成し、導電性テープ７で金属製防爆バンド５に
接続を行ったが、実施の形態４では、図７および図８に
示すように高屈折率透明導電層２を形成後すぐに高屈折
率透明導電層２上から導電性テープ７で金属製防爆バン
ド５に接地し、次いで後工程を行うようにしたものであ
る。

【００３２】

【発明の効果】この発明に係る陰極線管は、フェースプ
レートの外表面に形成された高屈折率透明導電層が金属
微粒子を主成分とし、その表面抵抗値を９×１０²Ω／
□以下にしたので、製造上のばらつきを考慮しても低反
射効果を損なうことなく、陰極線管単体で漏洩電界強度
１Ｖ／ｍ以下というＴＣＯガイドラインを信頼性よく達
成することができる。

【００３３】また、金属微粒子としてＩｂ族の金属並び
に白金、パラジウム、ロジウムおよびイリジウムからな
る金属群の少なくとも一種類を用いたので、表面抵抗値
が９×１０²Ω／□以下の高屈折率透明導電層を容易に
実現することができる。さらに、金属微粒子を、金およ
び銀の少なくとも一種と、白金、パラジウム、ロジウム
およびイリジウムの少なくとも一種とを混合したものと
したので、抵抗値が安定した高品位の膜構造とすること
ができる。

【００３４】また、高屈折率透明導電層を接地するため
のターミナルを、高屈折率透明導電層の４辺の中央部に
各１個または一方の向かい合った辺にそれぞれ各２個設
けたので、高屈折率透明導電層の表面抵抗値に対する裕
度と生産性を両立することができる。さらに、高屈折率
透明導電層を接地するためのターミナルを有し、このタ
ーミナル形成材料と同一材料でターミナルと接地部を接
続したので、導電性テープを貼る必要がなく製造コスト
を低減することができる。

【００３５】また、ターミナルの形成材料を半田、導電
性樹脂または導電性フリツトガラスにしたので、信頼性
の高いターミナルとすることができる。

【００３６】また、この発明に係る陰極線管の製造方法
は、フェースプレートの外表面の温度差が５℃以下にな
るように予熱してからスピンコートするようにしたの
で、金属微粒子を主成分とするの高屈折率透明導電層を
スピンコート法により形成することができる。

【００３７】また、スピンコート後の焼成温度を１６０
〜２５０℃にしたので、膜強度は確保しながら、安定し
た反射特性をもつ膜を形成できる。

【００３８】さらに、高屈折率透明導電層に接地用の導
電性テープを取り付けてから低屈折率透明層を形成する
ようにしたので、接地のためのターミナルを特別に設け
る必要がなく、製造コストの低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１による陰極線管の要
部を示す模式的断面図である。

【図２】この発明の実施の形態１による陰極線管の製
造方法を示す製造工程図である。

【図３】この発明の実施の形態１による接地構造を示
す模式的平面図である。

【図４】表面抵抗値と漏洩電界強度のターミナル個数
依存性を説明するための特性図である。

【図５】焼成温度と屈折率の関係を示す特性図であ
る。

【図６】この発明の実施の形態３による接地構造を示
す模式的平面図である。

【図７】この発明の実施の形態４による陰極線管の製
造方法を示す製造工程図である。

【図８】この発明の実施の形態４による接地構造を示
す模式的平面図である。

【図９】表面抵抗値のばらつきによるら漏洩電界強度
の変動を説明するための特性図である。

【符号の説明】

１フェースプレート、２高屈折率透明導電層、３
低屈折率透明層５金属製防爆バンド、６ターミナル、７導電性テ
ープ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者木下勝矢東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者奥村光弘東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フェースプレートの外表面に形成された
高屈折率透明導電層と、この高屈折率透明導電層上に形
成された低屈折率透明層を備えた陰極線管において、上
記高屈折率透明導電層は金属微粒子を主成分とし、その
表面抵抗値が９×１０²Ω／□以下であることを特徴と
する陰極線管。
【請求項２】金属微粒子としてＩｂ族の金属並びに白
金、パラジウム、ロジウムおよびイリジウムからなる金
属群の少なくとも一種類を用いることを特徴とする請求
項１に記載の陰極線管。
【請求項３】金属微粒子は、金および銀の少なくとも
一種と、白金、パラジウム、ロジウムおよびイリジウム
の少なくとも一種とを混合したものであることを特徴と
する請求項２記載の陰極線管。
【請求項４】高屈折率透明導電層は接地するためのタ
ーミナルを有し、このターミナルは高屈折率透明導電層
の４辺の中央部に各１個設けられていることを特徴とす
る請求項１に記載の陰極線管。
【請求項５】高屈折率透明導電層は接地するためのタ
ーミナルを有し、このターミナルは高屈折率透明導電層
の一方の向かい合った辺にそれぞれ各２個設けられてい
ることを特徴とする請求項１に記載の陰極線管。
【請求項６】高屈折率透明導電層は接地するためのタ
ーミナルを有し、このターミナル形成材料と同一材料で
ターミナルと接地部を接続したことを特徴と請求項１に
記載の陰極線管。
【請求項７】ターミナルの形成材料が半田、導電性樹
脂または導電性フリットガラスであることを特徴とする
請求項６に記載の陰極線管。
【請求項８】フェースプレートの外表面の温度差が５
℃以下になるように予熱する工程と、この予熱されたフ
ェースプレートの外表面に金属微粒子の水分散液をスピ
ンコート法で塗布して高屈折率透明導電層を形成する工
程と、この高屈折率透明導電層上にシリカ膜からなる低
屈折率透明層を形成する工程を含むことを特徴とする請
求項１に記載の陰極線管の製造方法。
【請求項９】低屈折率透明層の形成後に１６０〜２５
０℃の温度で焼成する工程を含むことを特徴とする請求
項８に記載の陰極線管の製造方法。
【請求項１０】フェースプレートの外表面に金属微粒
子の水分散液をスピンコート法で塗布して高屈折率透明
導電層を形成する工程と、この高屈折率透明導電層に接
地用の導電性テープを取り付ける工程と、この導電性テ
ープを取り付けた高屈折率透明導電層上にシリカ膜から
なる低屈折率透明層を形成する工程を含むことを特徴と
する請求項１に記載の陰極線管の製造方法。