JPH1039314A - 液晶素子及びその製造方法 - Google Patents
液晶素子及びその製造方法Info
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- JPH1039314A JPH1039314A JP21331496A JP21331496A JPH1039314A JP H1039314 A JPH1039314 A JP H1039314A JP 21331496 A JP21331496 A JP 21331496A JP 21331496 A JP21331496 A JP 21331496A JP H1039314 A JPH1039314 A JP H1039314A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリイミド膜或いはポリアミド膜を配向制御
膜として有する液晶素子において、該配向制御膜を形成
する際の溶媒に含まれる不純物に由来する配向不良を防
止する。 【解決手段】 ポリアミック酸或いはポリアミドを溶解
する溶媒として、貧溶媒としてエチレングリコール含量
が１００ｐｐｍ以下の高純度のｎ−ブチルセロソルブ、
良溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドンからなる溶媒
を用いる。
膜として有する液晶素子において、該配向制御膜を形成
する際の溶媒に含まれる不純物に由来する配向不良を防
止する。 【解決手段】 ポリアミック酸或いはポリアミドを溶解
する溶媒として、貧溶媒としてエチレングリコール含量
が１００ｐｐｍ以下の高純度のｎ−ブチルセロソルブ、
良溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドンからなる溶媒
を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの端
末ディスプレイ、ワードプロセッサ、タイプライター、
テレビ受像機、ビデオカメラのビユーファインダー、プ
ロジェクターの光バルブ、液晶プリンタの光バルブ等に
用いられる液晶素子及びその製造方法に関する発明であ
る。
末ディスプレイ、ワードプロセッサ、タイプライター、
テレビ受像機、ビデオカメラのビユーファインダー、プ
ロジェクターの光バルブ、液晶プリンタの光バルブ等に
用いられる液晶素子及びその製造方法に関する発明であ
る。
【０００２】
【従来の技術】図１に従来の液晶素子の断面図を示す。
図中１１ａ、１１ｂはガラス基板、１２ａ、１２ｂは透
明電極、１３ａ、１３ｂは絶縁膜、１４ａ、１４ｂは配
向制御膜、１５は液晶、１６はビーズスペーサ、１７は
シール材である。
図中１１ａ、１１ｂはガラス基板、１２ａ、１２ｂは透
明電極、１３ａ、１３ｂは絶縁膜、１４ａ、１４ｂは配
向制御膜、１５は液晶、１６はビーズスペーサ、１７は
シール材である。
【０００３】従来、液晶素子の配向制御膜としては、ポ
リイミド膜やポリアミド膜等が用いられている。これら
配向制御膜の形成方法としては、透明電極１２ａ、１２
ｂ及び絶縁膜１３ａ、１３ｂを形成したガラス基板１１
ａ、１１ｂに、ポリイミド膜は対応するポリアミック酸
を溶媒に溶かした溶液を塗布し、焼成して脱水閉環する
ことによって得られ、ポリアミド膜はポリアミドを溶媒
に溶かした溶液を塗布し、焼成乾燥して得られる。上記
溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下「Ｎ
ＭＰ」と記す）等の良溶媒（ここで、”良溶媒”とは、
相対的に溶質をより多く溶かす溶解能力の高い溶媒をい
う）が用いられるが、ＮＭＰ単独では焼成後にムラが発
生し易い。そのため、通常はレベリングのためのｎ−ブ
チルセロソルブ（以下「ｎＢＣ」と記す）等の貧溶媒
（ここで”貧溶媒”とは、上記良溶媒に比べて溶質の溶
解能力が小さい溶媒を言う）を加えた溶媒が用いられ
る。また、このｎＢＣは蒸発し易く印刷性に劣ることか
ら、ｎ−ブチルカルビトール（ジエチレングリコールモ
ノブチルエーテル）等の高沸点溶媒を加えることもあ
る。
リイミド膜やポリアミド膜等が用いられている。これら
配向制御膜の形成方法としては、透明電極１２ａ、１２
ｂ及び絶縁膜１３ａ、１３ｂを形成したガラス基板１１
ａ、１１ｂに、ポリイミド膜は対応するポリアミック酸
を溶媒に溶かした溶液を塗布し、焼成して脱水閉環する
ことによって得られ、ポリアミド膜はポリアミドを溶媒
に溶かした溶液を塗布し、焼成乾燥して得られる。上記
溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下「Ｎ
ＭＰ」と記す）等の良溶媒（ここで、”良溶媒”とは、
相対的に溶質をより多く溶かす溶解能力の高い溶媒をい
う）が用いられるが、ＮＭＰ単独では焼成後にムラが発
生し易い。そのため、通常はレベリングのためのｎ−ブ
チルセロソルブ（以下「ｎＢＣ」と記す）等の貧溶媒
（ここで”貧溶媒”とは、上記良溶媒に比べて溶質の溶
解能力が小さい溶媒を言う）を加えた溶媒が用いられ
る。また、このｎＢＣは蒸発し易く印刷性に劣ることか
ら、ｎ−ブチルカルビトール（ジエチレングリコールモ
ノブチルエーテル）等の高沸点溶媒を加えることもあ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記配向制御膜の製造
工程においては、液晶素子の他の構成材料により、焼成
条件は２７０℃以下、望ましくは２５０℃以下に制約さ
れる。しかしながらこの焼成条件によって配向制御膜を
形成すると、得られた液晶素子においては、液晶注入口
とは反対側の角部、或いはラビング角度によっては辺部
に配向不良部が集中して発生するという問題があった。
この配向不良部は、配向制御膜形成時の貧溶媒中に含ま
れる不純物によるものであり、該不純物が液晶注入時に
液晶の進入と共に注入口とは反対側へと追いやられるた
め、配向不良が素子の角部や辺部に発生するものと考え
られる。
工程においては、液晶素子の他の構成材料により、焼成
条件は２７０℃以下、望ましくは２５０℃以下に制約さ
れる。しかしながらこの焼成条件によって配向制御膜を
形成すると、得られた液晶素子においては、液晶注入口
とは反対側の角部、或いはラビング角度によっては辺部
に配向不良部が集中して発生するという問題があった。
この配向不良部は、配向制御膜形成時の貧溶媒中に含ま
れる不純物によるものであり、該不純物が液晶注入時に
液晶の進入と共に注入口とは反対側へと追いやられるた
め、配向不良が素子の角部や辺部に発生するものと考え
られる。
【０００５】上記配向不良は、特にセルギャップの狭く
容積の小さい素子を形成した場合にその傾向が強く、何
らかの対策を講じる必要があった。
容積の小さい素子を形成した場合にその傾向が強く、何
らかの対策を講じる必要があった。
【０００６】本発明は、上記課題を解決した液晶素子の
製造方法を提供するものであり、具体的には、配向制御
膜製造時に混入する不純物による配向不良を防止した液
晶素子を提供することにある。
製造方法を提供するものであり、具体的には、配向制御
膜製造時に混入する不純物による配向不良を防止した液
晶素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するべく
本発明者等が上記配向不良部の結晶を分析したところ、
貧溶媒のｎＢＣ中に含まれるエチレングリコールが検出
され、このｎＢＣの純度を高めることにより、上記配向
不良が防止できることを見出し、本発明を達成した。
本発明者等が上記配向不良部の結晶を分析したところ、
貧溶媒のｎＢＣ中に含まれるエチレングリコールが検出
され、このｎＢＣの純度を高めることにより、上記配向
不良が防止できることを見出し、本発明を達成した。
【０００８】即ち請求項１及び２の発明は、それぞれに
少なくとも電極とその上にポリイミド又はポリアミドか
らなる配向制御膜とを有する一対の電極間に液晶を挟持
してなる液晶素子の製造方法であって、上記配向制御膜
の形成工程において、ＮＭＰとｎＢＣからなり、該ｎＢ
Ｃがエチレングリコール１００ｐｐｍ以下を含有する溶
媒中に、ポリアミック酸又はポリアミドを溶解してなる
溶液を印刷塗布・焼成することを特徴とする液晶素子の
製造方法であり、請求項３及び４の発明は、上記製造方
法により得られることを特徴とする液晶素子である。
少なくとも電極とその上にポリイミド又はポリアミドか
らなる配向制御膜とを有する一対の電極間に液晶を挟持
してなる液晶素子の製造方法であって、上記配向制御膜
の形成工程において、ＮＭＰとｎＢＣからなり、該ｎＢ
Ｃがエチレングリコール１００ｐｐｍ以下を含有する溶
媒中に、ポリアミック酸又はポリアミドを溶解してなる
溶液を印刷塗布・焼成することを特徴とする液晶素子の
製造方法であり、請求項３及び４の発明は、上記製造方
法により得られることを特徴とする液晶素子である。
【０００９】本発明において用いられるｎＢＣ中のエチ
レングリコールは、ごく微量から（例えば数ｐｐｍ以
上）１００ｐｐｍ以下であるが、望ましくは３０ｐｐｍ
以下のものを用いる。また、良溶媒と貧溶媒との組成比
は、好ましくは１／１０〜６／１で、通常３／２で用い
られるため、最終的な溶媒中のエチレングリコールの含
有量は４０ｐｐｍ以下に抑えられる。
レングリコールは、ごく微量から（例えば数ｐｐｍ以
上）１００ｐｐｍ以下であるが、望ましくは３０ｐｐｍ
以下のものを用いる。また、良溶媒と貧溶媒との組成比
は、好ましくは１／１０〜６／１で、通常３／２で用い
られるため、最終的な溶媒中のエチレングリコールの含
有量は４０ｐｐｍ以下に抑えられる。
【００１０】高純度のｎＢＣを用いた効果は、前記した
セルギャップの狭い素子において特に有効であり、よっ
て、セルギャップが極めて小さい強誘電性液晶を用いた
液晶素子においてその配向不良を大幅に軽減することが
できる。
セルギャップの狭い素子において特に有効であり、よっ
て、セルギャップが極めて小さい強誘電性液晶を用いた
液晶素子においてその配向不良を大幅に軽減することが
できる。
【００１１】
［実施例１］本実施例の液晶素子の製造工程を、図１の
断面図に沿って説明する。
断面図に沿って説明する。
【００１２】１．１ｍｍ厚のガラス基板１１ａ、１１ｂ
上に、ＩＴＯからなるストライプ状の透明電極１２ａ、
１２ｂを７００Å厚で形成した。
上に、ＩＴＯからなるストライプ状の透明電極１２ａ、
１２ｂを７００Å厚で形成した。
【００１３】上記透明電極１２ａ、１２ｂは絶縁層１３
ａ、１３ｂによってされ上下ショートが防止されてい
る。該絶縁層１３ａ、１３ｂはその目的によって無機層
１層の時もあり無機・有機素材を併用した場合もある。
また、それぞれの層は必要に応じて複数の層からなるこ
ともある。本実施例では最もシンプルな構造である無機
層一層とし、高誘電体膜であるＴａＯx 膜をスパッタ法
により９００Å厚で形成した。
ａ、１３ｂによってされ上下ショートが防止されてい
る。該絶縁層１３ａ、１３ｂはその目的によって無機層
１層の時もあり無機・有機素材を併用した場合もある。
また、それぞれの層は必要に応じて複数の層からなるこ
ともある。本実施例では最もシンプルな構造である無機
層一層とし、高誘電体膜であるＴａＯx 膜をスパッタ法
により９００Å厚で形成した。
【００１４】次に、配向制御膜１４ａ、１４ｂを形成し
た。本実施例においては、重量比でポリアミック酸２．
０％、ＮＭＰ６１．０％、ｎＢＣ３７．０％で、ｎＢＣ
中のエチレングリコール含量が２０ｐｐｍである溶液を
回転数１９００ｒｐｍで転色法により塗布し、２７０℃
で１０分間焼成し、２００Å厚のポリイミド膜を形成し
た。
た。本実施例においては、重量比でポリアミック酸２．
０％、ＮＭＰ６１．０％、ｎＢＣ３７．０％で、ｎＢＣ
中のエチレングリコール含量が２０ｐｐｍである溶液を
回転数１９００ｒｐｍで転色法により塗布し、２７０℃
で１０分間焼成し、２００Å厚のポリイミド膜を形成し
た。
【００１５】上記ポリイミド膜の表面を、コーネックス
布を用いたラビング機で、回転数５００ｒｐｍ、押し込
み量０．２ｍｍの条件でラビング処理し、一方の基板上
にビーズスペーサ１６を散布してシール材１７により貼
り合わせ、セルギャップ１．５μｍの液晶セルを作製し
た。この液晶セルに液晶としてフェニルピリミジンを主
成分とする液晶を注入し、本実施例の液晶素子を完成し
た。
布を用いたラビング機で、回転数５００ｒｐｍ、押し込
み量０．２ｍｍの条件でラビング処理し、一方の基板上
にビーズスペーサ１６を散布してシール材１７により貼
り合わせ、セルギャップ１．５μｍの液晶セルを作製し
た。この液晶セルに液晶としてフェニルピリミジンを主
成分とする液晶を注入し、本実施例の液晶素子を完成し
た。
【００１６】本実施例の液晶素子の配向状態は、図２に
示す通り表示部２１の外側に若干の配向不良部２３が発
生しているものの、表示にはほとんど影響しない程度の
ものであった。
示す通り表示部２１の外側に若干の配向不良部２３が発
生しているものの、表示にはほとんど影響しない程度の
ものであった。
【００１７】［実施例２］実施例１と同様のガラス基板
を用い、一方には実施例１と同様にＩＴＯからなる透明
電極を形成し、一方の基板には１０００Å厚のＣｒから
なる遮光膜と、その上に１．５μｍ厚でポリアミド樹脂
からなるカラーフィルターを形成した上に、実施例１と
同様の透明電極を形成した。
を用い、一方には実施例１と同様にＩＴＯからなる透明
電極を形成し、一方の基板には１０００Å厚のＣｒから
なる遮光膜と、その上に１．５μｍ厚でポリアミド樹脂
からなるカラーフィルターを形成した上に、実施例１と
同様の透明電極を形成した。
【００１８】上記透明電極の上に金属配線層として１５
００Å厚のＭｏ−Ａｌ膜をスパッタリングにより成膜し
た後、パターニングを行ない、絶縁体層により被覆し
た。該絶縁体層として本実施例では積層構造を採り、第
１絶縁層としてＳｉＯ2 ：ＴｉＯ2 の１：１混合粗成膜
を印刷塗布し、焼成処理して６００Åの膜厚で形成し
た。用いた材料はＭＯＦ（東京応化工業社製）で粘度３
０ｍＰａｓ、有機チタン化合物と有機珪素化合物の固形
分は８重量％のものを使用し、印刷はスピンナーにより
ガラス上にＭＯＦをコーティング（展色）し、これをサ
イレルからなる印刷版に転写し、該印刷版から基板上に
印刷した。次に、ホットプレート上で８０℃、６０秒間
乾燥させた後、有機物脱離促進として低圧水銀等により
３．６Ｊの紫外線を照射し、最後にオーブンで２７０
℃、１時間の焼成を行なった。
００Å厚のＭｏ−Ａｌ膜をスパッタリングにより成膜し
た後、パターニングを行ない、絶縁体層により被覆し
た。該絶縁体層として本実施例では積層構造を採り、第
１絶縁層としてＳｉＯ2 ：ＴｉＯ2 の１：１混合粗成膜
を印刷塗布し、焼成処理して６００Åの膜厚で形成し
た。用いた材料はＭＯＦ（東京応化工業社製）で粘度３
０ｍＰａｓ、有機チタン化合物と有機珪素化合物の固形
分は８重量％のものを使用し、印刷はスピンナーにより
ガラス上にＭＯＦをコーティング（展色）し、これをサ
イレルからなる印刷版に転写し、該印刷版から基板上に
印刷した。次に、ホットプレート上で８０℃、６０秒間
乾燥させた後、有機物脱離促進として低圧水銀等により
３．６Ｊの紫外線を照射し、最後にオーブンで２７０
℃、１時間の焼成を行なった。
【００１９】次に第２絶縁層として、膜厚９００Åの高
誘電体であるＴａ2 Ｏ5 をスパッタリング法により成膜
した。この時のスパッタリング条件は、パワー２ｋＷと
し、酸素分圧はＡｒ／Ｏ2 ＝１９０／１０、圧力０．４
Ｐａとした。尚、第１絶縁層の水分を除去するために基
板は１５０℃で予備加熱した。
誘電体であるＴａ2 Ｏ5 をスパッタリング法により成膜
した。この時のスパッタリング条件は、パワー２ｋＷと
し、酸素分圧はＡｒ／Ｏ2 ＝１９０／１０、圧力０．４
Ｐａとした。尚、第１絶縁層の水分を除去するために基
板は１５０℃で予備加熱した。
【００２０】上記絶縁膜上に２００Å厚のポリイミドか
らなる配向制御膜を形成した。本実施例においては、ポ
リアミック酸２．０％、ＮＭＰ６１．０％、ｎＢＣ３
７．０％で、ｎＢＣ中のエチレングリコール含量が１０
ｐｐｍである溶液を回転数１９００ｒｐｍで転色法によ
り塗布し、２４０℃で１５分間焼成しポリイミド膜を形
成した。
らなる配向制御膜を形成した。本実施例においては、ポ
リアミック酸２．０％、ＮＭＰ６１．０％、ｎＢＣ３
７．０％で、ｎＢＣ中のエチレングリコール含量が１０
ｐｐｍである溶液を回転数１９００ｒｐｍで転色法によ
り塗布し、２４０℃で１５分間焼成しポリイミド膜を形
成した。
【００２１】上記ポリイミド膜の表面を、コーネックス
布を用いたラビング機で、回転数５００ｒｐｍ、押し込
み量０．２ｍｍの条件でラビング処理し、一方の基板上
にビーズスペーサ１６を散布してシール材１７により貼
り合わせ、セルギャップ１．３μｍの液晶セルを作製し
た。この液晶セルに液晶としてフェニルピリミジンを主
成分とする液晶を注入し、本実施例の液晶素子を完成し
た。
布を用いたラビング機で、回転数５００ｒｐｍ、押し込
み量０．２ｍｍの条件でラビング処理し、一方の基板上
にビーズスペーサ１６を散布してシール材１７により貼
り合わせ、セルギャップ１．３μｍの液晶セルを作製し
た。この液晶セルに液晶としてフェニルピリミジンを主
成分とする液晶を注入し、本実施例の液晶素子を完成し
た。
【００２２】本実施例の液晶素子の配向状態は、実施例
１よりもさらに配向不良が少なく、表示にはほとんど影
響しない程度のものであった。
１よりもさらに配向不良が少なく、表示にはほとんど影
響しない程度のものであった。
【００２３】［比較例］比較例として、エチレングリコ
ール含量が２００ｐｐｍのｎＢＣを用いた以外は実施例
２と全く同様にして液晶素子を作製した。この液晶素子
の配向状態は図３に示す通り、液晶注入口２２の反対側
を中心に配向不良部２３が広がり、表示部２１にも侵入
して表示画像にも影響を与えていた。この傾向は、エチ
レングリコール含量が５００ｐｐｍのｎＢＣを用いた場
合により顕著になった。
ール含量が２００ｐｐｍのｎＢＣを用いた以外は実施例
２と全く同様にして液晶素子を作製した。この液晶素子
の配向状態は図３に示す通り、液晶注入口２２の反対側
を中心に配向不良部２３が広がり、表示部２１にも侵入
して表示画像にも影響を与えていた。この傾向は、エチ
レングリコール含量が５００ｐｐｍのｎＢＣを用いた場
合により顕著になった。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、配向制御膜に由来する不純物による配向不良が大幅
に低減され、表示部全体において良好な配向性が均一に
得られ、表示特性の向上した液晶素子が提供される。特
に、セルギャップの狭い強誘電性液晶素子に適用した場
合にはその効果が顕著であり有用である。
は、配向制御膜に由来する不純物による配向不良が大幅
に低減され、表示部全体において良好な配向性が均一に
得られ、表示特性の向上した液晶素子が提供される。特
に、セルギャップの狭い強誘電性液晶素子に適用した場
合にはその効果が顕著であり有用である。
【図１】液晶素子の断面図である。
【図２】本発明の実施例１の液晶素子の配向状態を示す
図である。
図である。
【図３】本発明の比較例の液晶素子の配向状態を示す図
である。
である。
１１ａ，１１ｂ ガラス基板 １２ａ，１２ｂ 透明電極 １３ａ，１３ｂ 絶縁膜 １４ａ，１４ｂ 配向制御膜 １５ 液晶 １６ ビーズスペーサ １７ シール材 ２１ 表示部 ２２ 液晶注入口 ２３ 配向不良部
Claims (4)
- 【請求項１】 それぞれに少なくとも電極とその上にポ
リイミド又はポリアミドからなる配向制御膜とを有する
一対の電極間に液晶を挟持してなる液晶素子の製造方法
であって、上記配向制御膜の形成工程において、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドンとｎ−ブチルセロソルブからな
り、該ｎ−ブチルセロソルブがエチレングリコール１０
０ｐｐｍ以下を含有するような溶媒中に、ポリアミック
酸又はポリアミドを溶解してなる溶液を印刷塗布・焼成
することを特徴とする液晶素子の製造方法。 - 【請求項２】 上記Ｎ−メチル−２−ピロリドンとｎ−
ブチルセロソルブの組成比が１／１０〜６／１である請
求項１記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項３】 それぞれに少なくとも電極とその上にポ
リイミド又はポリアミドからなる配向制御膜とを有する
一対の電極間に液晶を挟持してなり、請求項１又は２記
載の製造方法により製造されることを特徴とする液晶素
子。 - 【請求項４】 上記液晶が強誘電性液晶である請求項３
記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21331496A JPH1039314A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 液晶素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21331496A JPH1039314A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 液晶素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1039314A true JPH1039314A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16637098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21331496A Withdrawn JPH1039314A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 液晶素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1039314A (ja) |
-
1996
- 1996-07-25 JP JP21331496A patent/JPH1039314A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031007 |