JPH104043A - 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ面の光軸方向の面位置情報を高精度に
検出し、ウエハ表面を投影光学系の結像位置に高精度に
位置させ、高集積度のデバイスを容易に製造することが
できる面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造
方法を得ること。 【解決手段】 投影光学系の結像面近傍に設けた物体面
に該投影光学系の光軸に対して斜方向から光源手段によ
りパターンを投影し、該物体面上に形成したパターンの
像を受光手段で検出し、該受光手段からの信号を用いて
該物体面の光軸方向の位置情報を検出する際、該光源手
段又は／及び受光手段に通過光量を制御することができ
る光量調整部材を設けて該受光手段で検出する該パター
ンの像の出力信号を調整していること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は面位置検出装置及び
それを用いたデバイスの製造方法に関し、例えばＩＣや
ＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや
液晶パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイス
を製造する工程のうち、リソグラフィー工程において使
用される投影露光装置や走査型露光装置においてレチク
ル等の第１物体面上のパターンをウエハ等の第２物体面
上に投影光学系により投影する際のウエハの光軸方向の
位置合わせ（焦点合わせ）を行う場合に好適なものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス
の微細加工技術として、マスク（レチクル）の回路パタ
ーン像を投影光学系（投影レンズ）により感光基板上に
形成し、感光基板をステップアンドリピート方式で露光
する縮小投影露光装置（ステッパー）が種々と提案され
ている。このステッパーにおいては、レチクル上の回路
パターンを所定の縮小倍率を持った投影光学系を介して
ウエハ面上の所定の位置に縮小投影して転写を行い、１
回の投影転写終了後、ウエハが載ったステージを所定の
量移動して、再び転写を行うステップを繰り返してウエ
ハ全面の露光を行っている。

【０００３】一般に投影光学系を有したステッパーを用
いて微細な回路パターンの転写を行うには、ウエハ面へ
のフォーカス位置（投影光学系の光軸方向の位置）を適
切に設定することが重要になってくる。特に最近は、高
集積化に伴ってウエハ表面を投影光学系に対してサブミ
クロンの精度で設置することが要求されている。

【０００４】図１１は従来のウエハ面の位置情報（光軸
方向情報）を検出する面位置検出装置を有した投影露光
装置の要部概略図である。

【０００５】同図において、２は回路原版であるところ
のレチクル、３は原版２を１／５に縮小投影する投影レ
ンズ、４はレジストを塗布したウエハ、７はウエハを移
動するステージである。光源１を点灯し光源１からの光
束でレチクル２を照明すると、レチクル２上の回路パタ
ーンはウエハ４上に結像し、回路パターンがレジストに
焼き付けられる。１ショットの焼き付けが完了すると、
ステージ７をステップ駆動し、隣に焼き付ける。このよ
うにして１枚のウエハ全面にマトリクス状に回路パター
ンが焼き付けられていく。ＩＣの量産工程では、露光装
置の常時稼働により、ウエハを１時間に６０枚程度の速
さで焼き付けていく。

【０００６】光源１０１と光束位置検出器１０２は、ウ
エハ４の高さ位置（光軸方向位置）を検出する面位置検
出装置を構成している。面位置検出装置は投影レンズ３
によるレチクル２上の回路パターンの結像位置にウエハ
４が位置するようにしている。

【０００７】図１２は図１１のウエハ４の高さ位置を検
出する検出原理の説明図である。

【０００８】同図において、光源１０１から出射した光
束１０４はウエハ表面１０３（ウエハ高さ１）で反射
し、光束位置検出器１０２で光束の位置（例えばピーク
位置１０２ａ）を検出する。

【０００９】次にウエハ４が表面１０３ａ（ウエハ高さ
２）に動くと、反射光は位置１０２ｂまで移動する。ウ
エハ４の高さ変動量δと光束位置の変動量Δは比例関係
があり、変動量Δを測定することにより高さ変動量δを
検出している。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】図１３は図１２のウエ
ハ４の表面付近を拡大して示した概略図である。

【００１１】同図において、４ａはシリコン基盤上にス
パッタやエッチング等を施したプロセスを経たウエハ基
板であり、更にその上に４ｂで示した感光体（レジス
ト）を被服している。このような構成のウエハ表面に、
光源１０１からの光束１０４を照射すると、ウエハ表面
からの反射光はウエハ基板４ａの表面とレジスト４ｂの
表面の両方で反射し、その反射光同士で干渉をおこす。
この為レジスト４ｂの厚さむらや下地のプロセス構造に
より、光束位置検出器１０２上の光束の位置が変化し、
その為ウエハ４の高さ位置検出誤差を生ずる。そこで従
来の露光装置は、上記光源１０１に、光量にハロゲンラ
ンプを用いている。ハロゲンランプは、その発光波長が
５００ｎｍから１１００ｎｍまであり、波長幅が約６０
０ｎｍと広いため、上記干渉は波長幅６００ｎｍの中で
平均化される。この為ウエハ４の高さ検出系が、レジス
トの厚さむらや下地のプロセス構造に影響されにくく安
定した性能をもつことになる。

【００１２】このようにハロゲンランプは優れた特質を
持つ一方、ウエハ下地の反射率の変動に応じて、ハロゲ
ンランプの光量を変化させる必要がある。ハロゲンラン
プの光量変化は、従来は電圧を変化させていたが、これ
による変化の速さは数１００ｍＳｅｃというオーダーで
ある。しかしながら、縮小投影露光装置のなかで、例え
ば広い面積が露光できるステップアンドスキャン方式に
おいては、ｍＳｅｃオーダーの高速に光量を調節できる
ことが、特に重要となる。

【００１３】具体的に述べると、このステップアンドス
キャン方式は、レチクルとウエハを同期スキャンするこ
とで、２５×３２ｍｍ程度のチップサイズの大きいＬＳ
Ｉ等を製造するのに適した方式である。このステップア
ンドスキャン方式は、ウエハを秒速１５０〜２００ｍｍ
の速度でスキャンしながら５ｍｍ幅程度のスリットで露
光していく。その為、ウエハの１チップをスキャン方向
にスキャンしながら、数１０ｍＳｅｃの時間でリアルタ
イムにウエハの高さを計測し制御する必要がある。１チ
ップ内はアルミ配線のように反射率の高いところや反射
率の低いところが混在する。その為に１チップ内のウエ
ハ高さを検出しながらスキャンすると、その検出器上の
光量もｍＳｅｃオーダーで変化する。

【００１４】しかしながら、上記で述べたように、ハロ
ゲンランプの光量は高速に調光できない為、１チップを
スキャンしながら光束位置検出器１０２で受光する際の
光電変換後の波形は、図１４（Ａ）のＩＣチップ上下地
の反射率の低い部分を照射したときと、図１４（Ｂ）の
ＩＣチップ上の下地の反射率の高い部分を照射したとき
に示すように、光量がオーバーしたり、不足したりする
ことがあった。この為、波形のピークを正確に決められ
ず、従ってウエハの高さを精度良く検出することができ
ず、その結果、回路パターンを露光したときのウエハ上
の解像力が不足し、それが不良チップの原因となり、分
留まりを低下させる原因にもなっていた。

【００１５】本発明は斜入射法により物体面の位置情報
を検出する際に光源手段又は受光手段の少なくとも一方
に通過光量を制御することができる光量調整部材を設け
るか、又は光源手段を構成する電荷蓄積型の光電変換素
子の蓄積時間を制御することによって、受光手段からの
出力信号のレベル（強度）を適切に設定し、これより物
体面の表面位置を高精度に検出し、所定位置に設定する
ことができる高集積度のデバイスを容易に製造すること
ができる面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製
造方法の提供を目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の面位置検出装置
は、（１−１）投影光学系の結像面近傍に設けた物体面
に該投影光学系の光軸に対して斜方向から光源手段によ
りパターンを投影し、該物体面上に形成したパターンの
像を受光手段で検出し、該受光手段からの信号を用いて
該物体面の光軸方向の位置情報を検出する際、該光源手
段又は／及び受光手段に通過光量を制御することができ
る光量調整部材を設けて該受光手段で検出する該パター
ンの像の出力信号を調整していることを特徴としてい
る。

【００１７】（１−２）投影光学系の結像面近傍に設け
た物体面に該投影光学系の光軸に対して斜方向から光源
手段によりパターンを投影し、該物体面上に形成したパ
ターンの像を受光手段で検出し、該受光手段からの信号
を用いて該物体面の光軸方向の位置情報を検出する際、
該受光手段は電荷蓄積型の光電変換素子を有し、該光電
変換素子の電荷蓄積時間を制御して該パターンの像の出
力信号を調整していることを特徴としている。

【００１８】特に構成要件（１−１）又は（１−２）に
おいて、前記受光手段からの信号に基づいて駆動手段に
より前記物体面を前記投影光学系の像面に一致させてい
ることを特徴としている。

【００１９】本発明の走査型露光装置は、（２−１）第
１物体面上のパターンを投影光学系により可動ステージ
に載置した第２物体面上に走査手段により該第１物体と
該可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させた
速度比で同期させて走査させながら投影露光する走査型
露光装置において、投影光学系の結像面近傍に設けた第
２物体面に該投影光学系の光軸に対して斜方向から光源
手段によりパターンを投影し、該第２物体面上に形成し
たパターンの像を受光手段で検出し、該受光手段からの
信号を用いて該第２物体面の光軸方向の位置情報を検出
する際、該光源手段又は／及び受光手段に通過光量を制
御することができる光量調整部材を設けて該受光手段で
検出する該パターンの像の出力信号を調整していること
を特徴としている。

【００２０】特に、前記受光手段からの信号に基づいて
駆動手段により前記第２物体面を前記投影光学系の像面
に一致させていることを特徴としている。

【００２１】本発明のデバイスの製造方法は、構成（１
−１）又は（１−２）の位置検出装置を用いて、又は構
成（２−１）の走査型露光装置を用いて、レチクルとウ
エハとの位置合わせを行った後に、レチクル面上のパタ
ーンをウエハ面上に投影露光し、その後、該ウエハを現
像処理工程を介してデバイスを製造していることを特徴
としている。

【００２２】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態１の要部
概略図、図２は図１の一部分の拡大説明図、図３は実施
形態１の作用の説明図である。本実施形態は本発明をデ
バイス製造用のステップアンドスキャン方式を用いた走
査露光装置に適用した場合を示している。

【００２３】図中、１は露光光を照射する照明系であ
り、ＤＵＶのｉ線やＫｒＦ、ＡｒＦのエキシマレーザ等
からの露光光を出射している。２は回路パターンが描画
されたレチクル（第１物体）であり、レチクルステージ
１０に載置されている。３は投影レンズ（投影光学系）
であり、レチクル２上の回路パターンをレジストが塗布
されたウエハ（第２物体）４に縮小投影している。尚、
本実施形態ではレチクル２とウエハ４とを投影光学系３
の結像倍率に応じて同期をとりながら、所定の速度比で
走査（スキャン）させながら投影露光を行っている。

【００２４】５は光源手段であり、ウエハ４の投影レン
ズ３の光軸方向の位置を検出する為のパターン、例えば
単一又は複数のスリット５ｂ（図では１つのスリット５
ｂを介した１つの光束５ａ１しか図示されていないが複
数本用いるときもある）と該スリット５ｂを照明する光
源部５ａ、そしてスリット５ｂをウエハ４面上に投影結
像させる結像光学系５ｃとを有している。８は通過光量
を調整する光量調整部材（ライトバルブ）であり光源手
段５の光路中に設けている。５ａ１は１つのスリットを
通過した光束を示している。

【００２５】６は受光手段であり、検出部６ｂとウエハ
４面上に形成したスリット像を該検出部６ｂ上に再結像
する再結像系６ｃとを有している。６ａ１はウエハ４面
に形成したスリット像に基づく反射光束を示している。
検出部６ｂは光束の入射位置情報を検出することができ
る光電変換素子ＣＣＤ(charge couppled device)や、Ｐ
ＳＤ(position sensing device) 等から成っている。

【００２６】７はウエハ４の位置や傾き等をかえるｘ／
ｙ／ｚ及びティルト可能なステージである。７ａは駆動
部（ドライバー）であり、ステージ７をｘ，ｙ，ｚ方向
及びティルトさせている。９は制御部（コントローラ）
であり、受光手段６からの出力信号をドライバー６ａを
介して、その出力信号に応じてウエハ４を所定位置に配
置すべき信号を駆動部７ａに出力している。８ａはドラ
イバーであり制御部９からの信号に基づいてライトバル
ブ８を通過する光量を調整している。即ちウエハ４面上
に入射する光量を調整している。

【００２７】１０ａは駆動部（ドライバー）であり、制
御部９からの指示信号に基づいてウエハステージ７と同
期してレチクルステージ１０を駆動している。制御部９
はドライバー８ａに信号を入力して、ライトバルブ８か
らの通過光量を調整して、検出部６ｂで得られる信号
（ピーク値）の出力値が一定値となるようにしている。

【００２８】本実施形態では、光源手段５でウエハ４面
上に投影されたスリット像を受光手段６で検出し、この
ときスリット像の受光部６ｂ上への入射位置情報（例え
ばピーク位置情報）を検出している。

【００２９】ウエハ４の表面（ウエハ高さ）が光軸ＡＸ
方向に動くと、受光部６ｂ上のスリット像の位置が変動
する。このときの変動量Δはウエハ４の高さ変動量δと
比例関係がある。そこで変動量Δを測定することにより
高さ変動量δを検出している。更にウエハ４の傾きを検
出する為に、ウエハ４のチップの中を少なくとも３点以
上計測し、その計測値をもとにウエハの傾きを算出して
いる。

【００３０】本実施形態では、受光手段６の検出部６ｂ
で検出するスリット像の位置情報を、そのピーク値が適
切なる値となるように光源手段５側に設けた光量調整部
材としてのライトバルブ８からの光通過量を調整してい
る。

【００３１】次にライトバルブ８の構成について説明す
る。図２はライトバルブ８を液晶より構成した場合の概
略図である。

【００３２】同図に示すように、液晶より成るライトバ
ルブ８は適度な大きさの透過部８ａと不透過部８ｂが空
間的に分布している。この分布をコントローラ９により
ドライバー８ａを通して制御している。そして透過部８
ａと不透過部８ｂとの割合を変化させることにより、ｍ
Ｓｅｃ以下の高速でウエハ４への入射光の光量を調節し
ている。

【００３３】図３はレチクル２とウエハとを同期させ走
査露光したときに光源手段５からのスリット像（光束５
ａ１）がウエハ４面の１チップ上の高反射部と低反射部
で反射して受光部６ｂに入射するときの受光部６ｂで得
られる信号の説明図である。

【００３４】図３（Ａ）は本発明に係るライトバルブ８
が無い場合の信号で、高反射率な下地に測定点がかかる
と、スリット像のピークは飽和し、ピーク位置は求めら
れなくなる状態を示している。従ってウエハ４の高さ
（面）を検出することができない。図３（Ｂ）は検出部
６ｂの出力が飽和レベルの例えば７割程度になるよう
に、コントローラ９に目標設定し、ライトバルブ８の透
過光量を制御してスキャンした場合を示している。

【００３５】検出部６ｂからの出力を目標値に近づける
為、図３（Ｃ）の初期（イ）では光量を上げ、透過パタ
ーンを増やし解放状態にちかくする。次に図３（Ｃ）の
（ロ）の位置では光量が増えるので不透過パターンを増
やす。更に図３（Ｃ）の（ハ）では再び光量を増やすよ
うに透過パターンを増やしている。

【００３６】本実施形態では、以上のようにライトバル
ブ８に液晶を利用することにより、ウエハ４の下地の反
射率変化に対応して高速に調光しウエハ４の高さをリア
ルタイムに計測制御することができ、高集積度のデバイ
スをスキャン露光装置で容易に作成している。

【００３７】図４は本実施形態に適用可能な他の光量調
整部材（ライトバルブ）の説明図である。本実施形態の
ライトバルブは所謂可変絞りとも呼ばれるものである。
本実施形態では絞り羽根４１を駆動部４２で開閉してい
る。このときの絞り羽根４１の開閉を高速に実現する
為、駆動部４２に超音波モーターや電磁コイル等を用い
ている。

【００３８】図５は本発明の実施形態２の要部概略図で
ある。本実施形態では図１の実施形態１に比べ、ライト
バルブ８の位置が受光手段６内に配置している点が異な
っており、その他の構成は実施形態１と同じである。本
実施形態では、ライトバルブ８が光源手段５に設計上物
理的スペースが取れない場合、このように受光手段６内
に配置するようにしている。尚、本実施形態においてラ
イトバルブ８を光源手段５側にも設けても良い。

【００３９】図６は本発明の実施形態３の要部概略図、
図７は実施形態３で用いているライトバルブ８の一部分
の拡大断面図である。本実施形態は図１の実施形態１に
比べ、ライトバルブ８を反射型素子８ａと偏向ミラー８
ｂとを用いて構成した点が異なっており、その他の構成
は同じである。

【００４０】図７に示すライトバルブを構成する反射型
素子８ａは、数１０μｍ四方の微小な矩形のミラー７１
を数１０万個程度マトリクス状に配置して構成してい
る。このミラーの製法は、シリコン結晶板をリソグラフ
ィにより微細加工するなどしてカンチレバー構造をつく
り、静電力を利用して一つ一つの微小なミラーを必要に
応じて傾けることで、反射光の角度を変えて光束をオン
又はオフし、これを利用して光量の調整を行っている。
本実施形態では反射型の為、熱によるライトバルブの変
質を防ぐことができるため耐久性が高く、安定で高速な
光量制御を実現することができる。

【００４１】図８は本発明の実施形態４の要部概略図で
ある。本実施形態では図１の実施形態１に比べ、光束位
置検出用の検出部６ｄとして電荷蓄積時間が制御できる
ＣＣＤを用い、その蓄積時間をコントローラ９から制御
できるようにした点が異なっている。ＣＣＤ６ｄ上の光
学像を光電変換し、その出力波形のピークを検知し、そ
のピーク値をＣＣＤ６ｄの飽和レベルと比べ、所定のレ
ベルになるようＣＣＤ６ｄの蓄積時間コントローラ９で
計算し、その結果を用いてＣＣＤ６ｄの蓄積時間を制御
している。本実施形態は実施形態１，２に比べ光学要素
を使わず、純電気的な光量制御系となるため安価な装置
を供給することができる。

【００４２】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施形態を説明する。

【００４３】図９は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。

【００４４】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマスクとウエハを
用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路
を形成する。

【００４５】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。

【００４６】図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では前記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。

【００４７】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

【００４８】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば以上のように、斜入射法
により物体面の位置情報を検出する際に光源手段又は受
光手段の少なくとも一方に通過光量を制御することがで
きる光量調整部材を設けるか、又は光源手段を構成する
電荷蓄積型の光電変換素子の蓄積時間を制御することに
よって、受光手段からの出力信号のレベル（強度）を適
切に設定し、これより物体面の表面位置を高精度に検出
し、所定位置に設定することができる高集積度のデバイ
スを容易に製造することができる面位置検出装置及びそ
れを用いたデバイスの製造方法を達成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態１の要部概略図

【図２】 図１の一部分の拡大説明図

【図３】 図１の作用説明図

【図４】 図１の一部分の他の実施形態の説明図

【図５】 本発明の実施形態２の要部概略図

【図６】 本発明の実施形態３の要部概略図

【図７】 図６の一部分の拡大説明図

【図８】 本発明の実施形態４の要部概略図

【図９】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト

【図１０】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャ
ート

【図１１】 従来の面位置検出装置の概略図

【図１２】 図１１の一部分の拡大説明図

【図１３】 図１１の一部分の拡大説明図

【図１４】 従来の面位置検出装置におけるウエハ面上
の反射特性の説明図

【符号の説明】

１ 照明系 ２ 第１物体（レチクル） ３ 投影光学系 ４ 第２物体（ウエハ） ５ 光源手段 ６ 受光手段 ７ ステージ ８ 光量調整部材（ライトバルブ） ９ 制御部 １０ レチクルステージ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 投影光学系の結像面近傍に設けた物体面
   に該投影光学系の光軸に対して斜方向から光源手段によ
   りパターンを投影し、該物体面上に形成したパターンの
   像を受光手段で検出し、該受光手段からの信号を用いて
   該物体面の光軸方向の位置情報を検出する際、該光源手
   段又は／及び受光手段に通過光量を制御することができ
   る光量調整部材を設けて該受光手段で検出する該パター
   ンの像の出力信号を調整していることを特徴とする面位
   置検出装置。
2. 【請求項２】 投影光学系の結像面近傍に設けた物体面
   に該投影光学系の光軸に対して斜方向から光源手段によ
   りパターンを投影し、該物体面上に形成したパターンの
   像を受光手段で検出し、該受光手段からの信号を用いて
   該物体面の光軸方向の位置情報を検出する際、該受光手
   段は電荷蓄積型の光電変換素子を有し、該光電変換素子
   の電荷蓄積時間を制御して該パターンの像の出力信号を
   調整していることを特徴とする面位置検出装置。
3. 【請求項３】 前記受光手段からの信号に基づいて駆動
   手段により前記物体面を前記投影光学系の像面に一致さ
   せていることを特徴とする請求項１又は２の面位置検出
   装置。
4. 【請求項４】 第１物体面上のパターンを投影光学系に
   より可動ステージに載置した第２物体面上に走査手段に
   より該第１物体と該可動ステージを該投影光学系の投影
   倍率に対応させた速度比で同期させて走査させながら投
   影露光する走査型露光装置において、投影光学系の結像
   面近傍に設けた第２物体面に該投影光学系の光軸に対し
   て斜方向から光源手段によりパターンを投影し、該第２
   物体面上に形成したパターンの像を受光手段で検出し、
   該受光手段からの信号を用いて該第２物体面の光軸方向
   の位置情報を検出する際、該光源手段又は／及び受光手
   段に通過光量を制御することができる光量調整部材を設
   けて該受光手段で検出する該パターンの像の出力信号を
   調整していることを特徴とする走査型露光装置。
5. 【請求項５】 前記受光手段からの信号に基づいて駆動
   手段により前記第２物体面を前記投影光学系の像面に一
   致させていることを特徴とする請求項４の走査型露光装
   置。
6. 【請求項６】 請求項１〜３の何れか１項記載の面位置
   検出装置を用いて、レチクルとウエハとの位置合わせを
   行った後に、レチクル面上のパターンをウエハ面上に投
   影露光し、その後、該ウエハを現像処理工程を介してデ
   バイスを製造していることを特徴とするデバイスの製造
   方法。
7. 【請求項７】 請求項４又は５の走査型露光装置を用い
   てレチクルとウエハとの位置合わせを行った後に、レチ
   クル面上のパターンをウエハ面上に投影露光し、その
   後、該ウエハを現像処理工程を介してデバイスを製造し
   ていることを特徴とするデバイスの製造方法。