JPH104045A - 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびに製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パターン露光時のフォーカシングまたはレベ
リング調整の際の露光光軸方向におけるウェハ位置の計
測確度を向上する。 【解決手段】 半導体ウェハ１上の露光領域３の４隅に
計測サイト４を設け、この計測サイトにプローブ光を照
射して露光光軸方向における半導体ウェハ１の位置を計
測する。また、計測サイト４の表面形状は、平坦または
特定のパターンに固定する。これにより、計測サイト４
におけるプローブ光の反射位置を特定する。さらに、露
光装置において、プローブ光の照射位置および反射プロ
ーブ光の受光位置を可変することができる計測位置可変
機構を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置およびその製造技術ならびにその製造装置に関し、特
に、微細加工を必要とする微細パターンの形成に適用し
て有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路装置、プリント基板、あ
るいは液晶等の表示装置の製造工程において、微細パタ
ーンを形成する技術としては、周知の通りフォトリソグ
ラフィ技術がある。

【０００３】フォトリソグラフィに用いられる露光装置
は、たとえば、昭和５９年１１月３０日、株式会社オー
ム社発行、「ＬＳＩハンドブック」、ｐ４２５〜ｐ４２
６に記載されているとおり、原版上のパターンを加工対
象物上に転写する転写方式が主であり、転写方式には、
原版と加工対象物を近接して設置し露光光を投影する等
倍投影方式、および結像光学系を介して露光光を投影す
る縮小投影方式が知られている。

【０００４】これらフォトリソグラフィ工程において
は、原版、加工対象物の位置制御が重要である。すなわ
ち、等倍投影方式においては、原版と加工対象物表面と
の間隔が、縮小投影方式においては、原版、光学系の結
像面および加工対象物表面の各位置関係が重要であり、
これらを正確に制御できなければ解像不良、寸法不良等
の発生による製品の歩留まりの低下を招くこととなる。

【０００５】従って、上記の各位置関係の調整、すなわ
ち、等倍投影方式における原版あるいは縮小投影方式に
おける結像面と加工対象物表面との平行性を調整するレ
ベリング、および加工対象物表面の投影光軸方向の位置
を調整するフォーカシングを正確に行う必要がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のレベリングまた
はフォーカシングには、（ａ）吹き付けられた気体の圧
損によって基準面と被計測表面との距離を求めるエアマ
イクロ法、あるいは、（ｂ）斜め方向から被計測表面に
光を照射し、反射光位置を計測することによる反射光
法、等の一定基準面からの距離を計測する手段が採用さ
れるが、本発明者らの検討の結果、これらの計測には以
下の問題があることを認識するに至った。

【０００７】問題点を以下に列記する。

【０００８】（１）半導体ウェハの表面には、通常、μ
ｍオーダーの種々の段差が存在しているが、表面位置の
計測においては、通常数平方ｍｍの面積を有するため、
被計測面内のいずれの部分、つまり加工対象物表面のど
の高さあるいはどの平均的な高さを計測しているのかが
不明である。

【０００９】そのため、原版パターンが異なるごとにフ
ォーカシングの条件を、最適の解像度が得られるように
設定し直す必要がある。しかもこの再設定は焦点深度の
最も小さなパターンを抽出し、これにフォーカシング位
置を合わせ込む必要があり、時間のかかる煩雑な作業で
ある。

【００１０】（２）加工対象物表面のレベリングのため
には、表面位置計測は一点では不可能であり複数点の測
定が必要となる。これらの複数点の被計測領域内でその
表面段差が同等である可能性は非常に低く、一般的には
異なるものと考えられる。このような場合に、前記
（１）記載のフォーカシング条件の設定と同様な手順を
必要とするレベリング条件の設定はさらに煩雑なものと
なる。

【００１１】（３）たとえばステップアンドリピート方
式等、露光が加工対象物である半導体ウェハ内で繰り返
される方式の露光装置の場合には、露光ショット毎に前
記（２）記載の複数点の表面位置計測が実施される。し
かし、現在主に用いられている露光装置では表面位置計
測の計測領域が固定されているため、繰り返し露光領域
の配列端では、前記表面位置の計測領域の一部が配列内
のパターン形成領域から外れてしまう場合がある。この
場合、パターン形成領域内の表面形状とパターン形成領
域外の表面形状とは異なることが通例であるため、配列
端の露光ショット時のレベリング調整において、前記
（２）で設定したレベリング条件はから外れたものとな
り、レベリング調整に誤差を含むこととなる。

【００１２】（４）現在主流のステップアンドリピート
方式の次に期待されている露光方式としてステップアン
ドスキャン方式があげられるが、ステップアンドスキャ
ン方式の場合には前記（１）〜（３）記載のレベリング
あるいはフォーカシング調整の困難性はさらに大きくな
ると予測される。すなわち、走査の各瞬間における加工
対象物表面の露光光軸方向における位置と、その瞬間に
おける最適フォーカシング位置との関係を把握している
必要が生じる。

【００１３】本発明の目的は、露光時のレベリング調整
あるいはフォーカシング調整の精度を向上し、パターン
解像度の高い半導体集積回路装置の製造方法および製造
装置とそれら製造に供することのできる半導体集積回路
装置を提供することにある。

【００１４】本発明の他の目的は、露光時のレベリング
調整あるいはフォーカシング調整における条件設定を容
易にする半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
とそれら製造に供することのできる半導体集積回路装置
を提供することにある。

【００１５】本発明のさらに他の目的は、レベリングお
よびフォーカシング調整においてステップアンドスキャ
ン方式等のさらに高い精度が要求される方式にも対応で
きる半導体集積回路装置の製造方法および製造装置とそ
れら製造に供することのできる半導体集積回路装置を提
供することにある。

【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。

【００１８】（１）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、半導体ウェハの表面に原版パターンの投影光を
照射してレジストパターンが形成されるフォトリソグラ
フィ工程を有する半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、半導体ウェハの表面に投影光の光軸方向における半
導体ウェハの位置を特定するための計測部位を設け、計
測部位にプローブ光を照射し、プローブ光の反射プロー
ブ光を計測して自動的にフォーカシングまたはレベリン
グを実行するものである。

【００１９】このような半導体集積回路装置の製造方法
によれば、半導体ウェハの表面に投影光軸方向における
半導体ウェハの位置を特定するための計測部位を設け、
これにプローブ光を照射して半導体ウェハの位置を計測
するため、フォーカシングまたはレベリングのための半
導体ウェハの位置計測を正確に行うことができる。

【００２０】すなわち、計測部位を設けない従来の方法
では、被計測領域に段差や任意な形状が存在する場合に
は、どの高さで、あるいはどの平均的な高さでプローブ
光が反射しているかが不明であったが、計測部位を設け
ることにより、プローブ光の反射高さを特定することが
でき、その結果位置計測の精度を向上することが可能と
なる。

【００２１】なお、計測部位の表面形状が平坦である場
合にはプローブ光の反射位置はその表面であることは明
確であることは明らかであるが、計測部位の表面形状に
段差がある場合には、どの高さでプローブ光が反射して
いるか明確ではない。しかし、計測部位の表面形状が同
一である限りはプローブ光の反射の態様が変化すること
はないので、実験により一旦経験的な反射位置を特定す
れば、以後はこの経験的な特定位置を基準に位置計測を
行うことができる。

【００２２】（２）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、前記（１）記載の製造方法であって、フォーカ
シングまたはレベリングを、反射プローブ光の計測によ
り得られる投影光の光軸方向における半導体ウェハの位
置情報と、投影光が照射される領域の半導体ウェハの表
面形状または表面段差に対して一定の相関関係を有する
オフセット情報と、を参照することによって実行するも
のである。

【００２３】このような半導体集積回路装置の製造方法
によれば、フォーカシングまたはレベリングを、半導体
ウェハの位置情報と、投影光が照射される領域の半導体
ウェハの表面形状または表面段差に対して一定の相関関
係を有するオフセット情報とを参照することによって実
行するため、正確なフォーカシングまたはレベリングを
行うことができる。

【００２４】すなわち、半導体ウェハの位置情報を参照
するのみでは、被計測表面に段差あるいはパターンが存
在する場合には、どの高さを計測しているかが不明であ
るが、前記（１）に記載の計測部位を計測することによ
り確定した高さの表面を計測すると同時に、前記計測部
位の計測高さを基準にして、投影光照射領域の段差ある
いはパターンに固有のオフセット情報を参照するもので
ある。言い換えると、前記投影光照射領域において最適
のフォーカシングまたはレベリングとなるよう前記オフ
セット情報を調整するものである。

【００２５】オフセット情報の調整は、あらかじめ、段
差あるいはパターンが明らかな表面に対して条件だしを
行い、最適のフォーカシングあるいはレベリングとなる
オフセット条件を試験して行うことができる。また、レ
イアウト設計のデータから投影光照射領域の段差あるい
はパターンをシミュレートし、このシミュレート情報か
ら、経験によらず、理論的にオフセット値を計算し、オ
フセット情報としてもよい。

【００２６】（３）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、前記（２）記載の製造方法であって、オフセッ
ト情報を、計測部位を基準としてレジストパターンから
抽出された最小焦点深度を有する部分の高低差として与
えるものである。

【００２７】このような半導体集積回路装置の製造方法
によれば、オフセット情報が、前記計測部位と最小焦点
深度を有する部分との高低差として与えるため、フォー
カシングおよびレベリングを正確に行うことができる。

【００２８】すなわち、投影光照射領域にあるパターン
のうち、最小焦点深度を有するパターンに対するフォー
カシングが最もクリチカルなものであるため、この最小
焦点深度を有するパターンにフォーカシングされるよう
オフセット情報を設定するようにしたものである。

【００２９】（４）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、前記（１）〜（３）記載の製造方法であって、
計測部位を、半導体ウェハのスクライブライン領域に設
けたものである。

【００３０】このような半導体集積回路装置の製造方法
によれば、計測部位を、半導体ウェハのスクライブライ
ン領域に設けるため、半導体ウェハの無駄をなくし、有
効に活用することができる。

【００３１】すなわち、計測部位は、露光工程でのみ利
用されるものであるため、半導体集積回路装置の機能と
して必要なものではない。そこで、最終製品において
は、スクライブされ、なくなってしまう領域に計測部位
を設け、無駄を省いたものである。

【００３２】（５）本発明の半導体集積回路装置の製造
装置は、半導体ウェハの表面に形成されたレジストに原
版パターンの投影光を照射してレジストを露光する半導
体集積回路装置の製造装置であって、投影光の光軸方向
における半導体ウェハの位置を計測するための半導体ウ
ェハの表面に設けられた計測部位にプローブ光を照射す
るプローブ光照射手段、計測部位で反射したプローブ光
の反射プローブ光を計測する反射プローブ光計測手段、
反射プローブ光計測手段により計測された半導体ウェハ
の光軸方向位置と、投影光が照射される領域の半導体ウ
ェハの表面形状または表面段差に対して一定の相関関係
を有するオフセット情報と、を参照してフォーカシング
またはレベリングを実行する光軸方向位置調整手段、を
有するものである。

【００３３】このような半導体集積回路装置の製造装置
によれば、反射プローブ光計測手段により計測された半
導体ウェハの光軸方向位置と、投影光が照射される領域
の半導体ウェハの表面形状または表面段差に対して一定
の相関関係を有するオフセット情報とを参照してフォー
カシングまたはレベリングを実行する光軸方向位置調整
手段を有するため、前記（２）に記載の理由と同様の理
由でフォーカシングまたはレベリングを正確に行うこと
ができる。

【００３４】（６）本発明の半導体集積回路装置の製造
装置は、前記（５）記載の製造装置であって、プローブ
光照射手段および反射プローブ光計測手段には、プロー
ブ光の照射される半導体ウェハ上の位置を変化させるこ
とが可能な計測位置可変機構が備えられているものであ
る。

【００３５】このような半導体集積回路装置の製造装置
によれば、計測位置可変機構が備えられているため、製
品種類あるいはチップサイズにより異なる場所に設けら
れた計測部位に対応することができる。

【００３６】すなわち、従来の露光装置等半導体集積回
路装置の製造装置においては、被計測領域を変更するこ
とがハード上許されていなかったが、本発明の製造装置
においては、プローブ光照射位置を変化させて、異なる
計測部位の位置に対応するものである。本発明において
は、その製造装置にプローブ光照射手段と、反射プロー
ブ光計測手段を設けているため、このような要請に応え
易いものとなっている。

【００３７】（７）本発明の半導体集積回路装置は、半
導体基板の主面に半導体集積回路素子が形成された半導
体集積回路装置であって、半導体基板の一部にフォトリ
ソグラフィ工程におけるフォーカシング計測またはレベ
リング計測に用いる計測部位が設けられているものであ
る。

【００３８】このような半導体集積回路装置によれば、
計測部位を設けたため、露光光軸方向の位置合わせの精
度が向上し、半導体集積回路装置の信頼性および歩留ま
りを向上することができる。

【００３９】（８）本発明の半導体集積回路装置は、前
記（７）記載の半導体集積回路装置であって、計測部位
が、フォーカシング計測もしくはレベリング計測の際の
オフセット値と相関付けられた表面形状もしくは表面段
差または平坦な表面を有するものである。

【００４０】このような半導体集積回路装置によれば、
計測部位の形状を特定し、どの高さで計測しているかが
精密に決定できる。その結果、露光時の精度が向上し、
半導体集積回路装置の信頼性と歩留まりの向上を図るこ
とができる。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００４２】（実施の形態１）図１は、本発明の一実施
の形態である半導体集積回路装置の製造方法を適用した
半導体ウェハを示した上面図である。

【００４３】本実施の形態１では、ステップアンドリピ
ート方式の露光に適用した場合について説明する。

【００４４】半導体ウェハ１上には、半導体集積回路素
子が作り込まれ、チップ２となる領域であるチップ領域
が形成されている。

【００４５】本実施の形態１においては、露光領域３
は、２つのチップ領域からなる。つまり、２つのチップ
領域を同時に露光するものである。

【００４６】各露光領域３の隅である４箇所の角部分に
計測部位である計測サイト４が設けられている。計測サ
イト４の表面形状は、特にパターンの存在しないたとえ
ば金属膜の表面であってもよいし、また、特定のパター
ンを設けてもよい。特定のパターンを設ける場合には、
そのパターン形状はウェハ内、ウェハ間または製品間で
固定する必要がある。つまり、その特定のパターンで一
旦条件だしをした場合には、その際に求められたオフセ
ット値は、その特定のパターンに固有の値であり、パタ
ーンの変更は再度の条件だしの必要を生じるからであ
る。

【００４７】このように、露光領域３の４隅に計測サイ
ト４を設けることにより、計測領域を特定し、露光の際
のフォーカシングまたはレベリング調整の基準とするこ
とができる。

【００４８】図２は、本実施の形態１の半導体集積回路
装置の製造装置である露光装置の要部を示した側面図で
ある。

【００４９】半導体ウェハ１は、ウェハステージ５上に
設置された微動ステージ６上に保持され、ウェハステー
ジ５の移動により露光領域３間の移動を行い、微動ステ
ージ６によりフォーカシングまたはレベリング調整を行
うための半導体ウェハ１の移動を行う。

【００５０】露光光７は図示しない紫外線光源から発
し、適当な光学系により整形された後、レチクルホルダ
８に保持されたレチクル９に照射される。本実施の形態
１では、縮小投影露光方式を例示しているため、レチク
ル９は実際のパターンの５倍の大きさのパターンを用い
ているが、１以上の任意の倍率とすることができる。

【００５１】レチクル９を透過した露光光７は、結像光
学系１０を通過して、半導体ウェハ１の露光領域３に照
射される。このとき、レチクル９のパターンは５分の１
に縮小され、照射される。

【００５２】露光光７の照射に先立ち、露光光７の結像
面と半導体ウェハ１の表面の最適結像面を一致させるフ
ォーカシングあるいはレベリングの操作が必要である。

【００５３】本実施の形態１では、フォーカシングおよ
びレベリングのための半導体ウェハ１の位置計測は、発
光素子１１を出射しスリット１２および位置計測用光学
系１３を通過したプローブ光１４を、半導体ウェハ１上
に設けた計測サイト４に照射し、ここで反射し、位置計
測用光学系１３を通過した反射プローブ光１５を受光素
子１６で計測して、計測サイト４の露光光７の方向にお
ける位置を検出して行う。

【００５４】フォーカシングおよびレベリングは、この
位置計測により求められた計測サイト４の各位置と、結
像光学系１０により決まるレチクル９のパターン像の結
像面を所定の距離を保つように調整することによって行
う。ここで所定の距離とは、半導体ウェハ１上のチップ
領域に設けられる回路パターンにより異なるバイアス値
を指す。つまり、計測サイト４の位置計測結果をセンシ
ングして最適フォーカス状態あるいは最適レベル状態を
実現するようフィードバックループを形成して自動制御
を行う際の、計測値と目標値との偏差であるバイアス値
をあらかじめ半導体ウェハ１上のパターンに合わせて設
定しておくこととなる。バイアス値は、半導体ウェハ１
上のパターンごとに条件だしあるいは理論的に計算によ
り求める。

【００５５】このように計測サイト４を積極的に設け
て、これを計測することによりフォーカシングあるいは
レベリングを行うことにより、従来、計測サイト４を設
けずにいわば適当に半導体ウェハ１上の任意の位置を計
測する場合に比較して、格段に計測の精度を向上するこ
とができる。すなわち、従来は任意のパターンであった
ため、パターン毎にプローブ光１４の反射する高さが異
なっていたが、本実施の形態１では、計測サイト４を特
定し、さらに計測サイト４の表面形状、パターンをも特
定するため、フォーカシングあるいはレベリング調整時
のプローブ光の反射高さが常に同一の状態で反射し、ま
た、同一の高さで反射させることができる。この結果、
一旦条件だしを終了したパターンに対しては、再度の条
件だしの必要はなく、製造工程を簡略化し、コスト削
減、歩留まり向上等に寄与することができる。

【００５６】また、本実施の形態１の露光装置には、プ
ローブ光１４の照射位置を可変することができる計測位
置可変手段であるロータリエンコーダ１７と角度可変ミ
ラー１８が設けられている。同時に、反射プローブ光１
５の受光位置を化偏する計測位置可変手段であるロータ
リエンコーダ１７と角度可変ミラー１８も設けられてい
る。これら計測位置可変手段により、半導体ウェハ１上
の計測サイト４の位置を固定する必要が無く、任意の位
置に計測サイト４を設けることができる。

【００５７】計測サイト４の位置は、チップ２の内部に
設けられてもよいが、本実施の形態１では、チップ２の
外側であるスクライブライン内に設けられている。この
ため、半導体ウェハ１がスクライブされて切断された後
には計測サイト４も削られて消失するが、計測サイト４
は半導体集積回路装置の機能に何ら寄与するものではな
いので、むしろ好ましく、半導体ウェハ１の面積を有効
に活用することができる。また、スクライブライン内に
はチップ２内とは異なり、複雑な段差が存在しないた
め、より高精度なフォーカシングまたはレベリングを行
うことが可能である。

【００５８】なお、プローブ光１４のスポット径は約５
０μｍとすることができ、この場合には、スクライブラ
イン内での計測を十分に行うことができる。

【００５９】このように、各露光領域３での露光に先立
ち、上記した計測機構を用いて各露光領域３ごとに４点
の計測サイト４の露光光７の光軸方向における位置計測
を行い、微動ステージ６により半導体ウェハ１の高さあ
るいは回転を制御することにより、高精度なフォーカシ
ングおよびレベリングを実行することができる。

【００６０】（実施の形態２）図３は、実施の形態１で
説明した計測方法をステップアンドスキャン方式の露光
装置に適用した場合の露光領域を１チップについて示し
た上面図である。

【００６１】本実施の形態２では、チップ２の両側に、
短冊状の計測サイト１９が設けられている。

【００６２】露光領域２０は、チップ２の両側の計測サ
イト１９にまたがって直線状に形成され、上下方向にス
キャンされるものである。

【００６３】このような半導体集積回路装置の製造方法
によれば、露光光が露光領域２０をスキャン露光してい
る最中にその露光している場所のチップ２の高さをリア
ルタイムに計測することができる。これにより、スキャ
ン露光に際してスキャンに先立ちチップ２のフォーカシ
ングおよびレベリングを行い、スキャン終了までその値
を固定するのではなく、スキャン中においてもスキャン
と同時にフォーカシングおよびレベリング調整を実行す
ることが可能である。

【００６４】これにより、ステップアンドスキャン方式
における露光を高い精度で行うことができ、半導体集積
回路装置の性能向上と、歩留まりの向上にも寄与するこ
とができる。また、チップ２のサイズの拡大化要求にも
容易に対応することが可能となる。

【００６５】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでも
ない。

【００６６】たとえば、実施の形態１では縮小投影露光
方式の場合を説明したが、等倍投影露光に適用してもよ
いことはいうまでもない。

【００６７】また、実施の形態１では計測サイト４を４
箇所設けた例について説明したが、３箇所あるいは５箇
所以上であってもよいことはいうまでもない。このと
き、全てをスクライブライン内に設けてもよく、また、
全てをチップ２の領域内に設けてもよい。さらに、その
一部をスクライブライン内、その他をチップ２の領域内
に設けてもよい。

【００６８】さらに、上記本実施の形態１および２で
は、半導体ウェハ１の場合を説明したが、基板は、ガラ
スあるいはセラミックス等であっても構わない。

【００６９】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。

【００７０】（１）半導体ウェハの表面に投影光軸方向
における半導体ウェハの位置を特定するための計測部位
を設け、これにプローブ光を照射して半導体ウェハの位
置を計測するため、フォーカシングまたはレベリングの
ための半導体ウェハの位置計測を正確に行うことができ
る。

【００７１】（２）フォーカシングまたはレベリング
を、半導体ウェハの位置情報と、投影光が照射される領
域の半導体ウェハの表面形状または表面段差に対して一
定の相関関係を有するオフセット情報とを参照すること
によって実行するため、正確なフォーカシングまたはレ
ベリングを行うことができる。

【００７２】（３）オフセット情報が、前記計測部位と
最小焦点深度を有する部分との高低差として与えるた
め、フォーカシングおよびレベリングを正確に行うこと
ができる。

【００７３】（４）計測部位を半導体ウェハのスクライ
ブライン領域に設けるため、半導体ウェハの無駄をなく
し、有効に活用することができる。また、平坦面を利用
して高精度なフォーカシングおよびレベリングを行うこ
とができる。

【００７４】（５）計測位置可変機構を備えるため、製
品種類あるいはチップサイズにより異なる場所に設けら
れた計測部位に対応することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の製造方法を適用した半導体ウェハを示した上面図で
ある。

【図２】本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造装
置である露光装置の要部を示した側面図である。

【図３】本発明の他の実施の形態である半導体集積回路
装置の製造方法をステップアンドスキャン方式の露光装
置に適用した場合の露光領域を１チップについて示した
上面図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ ２ チップ ３ 露光領域 ４ 計測サイト ５ ウェハステージ ６ 微動ステージ ７ 露光光 ８ レチクルホルダ ９ レチクル １０ 結像光学系 １１ 発光素子 １２ スリット １３ 位置計測用光学系 １４ プローブ光 １５ 反射プローブ光 １６ 受光素子 １７ ロータリエンコーダ １８ 角度可変ミラー １９ 計測サイト ２０ 露光領域

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハの表面に原版パターンの投
   影光を照射してレジストパターンが形成されるフォトリ
   ソグラフィ工程を有する半導体集積回路装置の製造方法
   であって、 前記半導体ウェハの表面に、前記投影光の光軸方向にお
   ける前記半導体ウェハの位置を特定するための計測部位
   を設け、前記計測部位にプローブ光を照射し、前記プロ
   ーブ光の反射プローブ光を計測して、自動的にフォーカ
   シングまたはレベリングを実行することを特徴とする半
   導体集積回路装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の製造方法であって、 前記フォーカシングまたはレベリングは、前記反射プロ
   ーブ光の計測により得られる前記投影光の光軸方向にお
   ける前記半導体ウェハの位置情報と、 前記投影光が照射される領域の前記半導体ウェハの表面
   形状または表面段差に対して一定の相関関係を有するオ
   フセット情報と、 を参照することによって実行されることを特徴とする半
   導体集積回路装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の製造方法であって、 前記オフセット情報は、前記計測部位を基準として、前
   記レジストパターンから抽出された最小焦点深度を有す
   る部分の高低差として与えられるものであることを特徴
   とする半導体集積回路装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１、２または３記載の製造方法で
   あって、 前記計測部位は、前記半導体ウェハのスクライブライン
   領域に設けられていることを特徴とする半導体集積回路
   装置の製造方法。
5. 【請求項５】 半導体ウェハの表面に形成されたレジス
   トに原版パターンの投影光を照射して前記レジストを露
   光する半導体集積回路装置の製造装置であって、 前記投影光の光軸方向における前記半導体ウェハの位置
   を計測するための前記半導体ウェハの表面に設けられた
   計測部位に、プローブ光を照射するプローブ光照射手
   段、 前記計測部位で反射した前記プローブ光の反射プローブ
   光を計測する反射プローブ光計測手段、 前記反射プローブ光計測手段により計測された、前記半
   導体ウェハの前記光軸方向における位置と、前記投影光
   が照射される領域の前記半導体ウェハの表面形状または
   表面段差に対して一定の相関関係を有するオフセット情
   報と、を参照してフォーカシングまたはレベリングを実
   行する光軸方向位置調整手段、 を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造装
   置。
6. 【請求項６】 請求項５記載の製造装置であって、 前記プローブ光照射手段および前記反射プローブ光計測
   手段には、前記プローブ光の照射される前記半導体ウェ
   ハ上の位置を変化させることが可能な計測位置可変機構
   が備えられていることを特徴とする半導体集積回路装置
   の製造装置。
7. 【請求項７】 半導体基板の主面に半導体集積回路素子
   が形成された半導体集積回路装置であって、 前記半導体基板の一部に、フォトリソグラフィ工程にお
   けるフォーカシング計測またはレベリング計測に用いる
   計測部位が設けられていることを特徴とする半導体集積
   回路装置。
8. 【請求項８】 請求項７記載の半導体集積回路装置であ
   って、 前記計測部位は、前記フォーカシング計測もしくはレベ
   リング計測の際のオフセット値と相関付けられた表面形
   状もしくは表面段差、または平坦な表面、を有するもの
   であることを特徴とする半導体集積回路装置。