JPH1040581A

JPH1040581A - 両面光ディスク

Info

Publication number: JPH1040581A
Application number: JP8212012A
Authority: JP
Inventors: Kenji Oishi; 健司大石; Yoshiaki Suzuki; 嘉昭鈴木
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1996-07-23
Filing date: 1996-07-23
Publication date: 1998-02-13

Abstract

(57)【要約】【課題】高密度記録再生消去、書換特性、広範囲な記
録パワーマージンを満足する両面相変化型光ディスクを
提供する。【解決手段】空溝を設けたＡ面基板１と、基板１上に
形成されかつ第１の誘電体層２１と第１の相変化記録層
２２と第２の誘電体層２３とを順次積層した第１の記録
層２と、第１の記録層２上に順次積層してなる第１の反
射層３と、断熱層４と、第２の反射層５と、第２の反射
層５上に形成されかつ第３の誘電体層６１と第２の相変
化記録層６２と第４の誘電体層６３とを順次積層してな
る第２の記録層６と、第２の記録層６上に形成されかつ
前記第２の相変化記録層６２に照射されるレーザ光に対
し透明である接着層７と、接着層７上に形成されるＢ面
基板８とにより構成している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光学的に情報の記録
再生が可能な両面相変化型光ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光ディスクは、コンパクトディス
クやミニディスクのような情報が記録された情報記録面
が１面（Ａ面だけのもの）である単板のものと、いわゆ
るレーザーディスクあるいはディスク直径が５．２５イ
ンチの国際標準（ＩＳＯ）に基づいた光磁気型ディスク
のような情報記録面が２面（Ａ面及びＢ面）である両面
のものが実用化されている。

【０００３】この両面型の光ディスクは、あらかじめ情
報が凹凸ピットとして記録された透光性基板上に反射層
を設けたディスクか、あるいは透光性基板上に記録層を
設けたディスクを２枚用意し、情報が記録された情報記
録面同士を対向させて接着層を介して貼り合わせてい
る。

【０００４】こうした両面型の光ディスクとしては、２
枚の透明基板のそれぞれの片面に信号情報ないしはトラ
ッキングガイドを持ち、この上に第１の中間保護層と情
報形成層と第２の中間保護層とを順次積層し、第２の中
間保護層を内側にして接着層を介して接着した両面型の
光ディスクが知られている（例えば特公平４−２１９３
６号公報）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した両面型の光デ
ィスクには次の（１）〜（３）の問題がある。

【０００６】（１）一方の透明基板の片面に信号情報な
いしはトラッキングガイドを持ち、この上に第１の中間
保護層と情報形成層と第２の中間保護層とを真空蒸着あ
るいはスパッタ蒸着により順次積層した後に、大気に取
り出し、他方のディスクと貼り合わせている。このた
め、両面を一貫した連続工程で製造することができない
ので、製造効率が低く、生産コストが高くなる問題があ
った。

【０００７】（２）また、この情報形成層は、ＡｌやＴ
ｅ等の金属薄膜等から構成される記録層ないしは光反射
層であるため、紫外線の透過率が著しく低く、貼り合わ
せ時に紫外線硬化型の接着剤が使用できない問題があっ
た。前述した従来の技術では、エポキシ系の接着剤を使
用しているが、このような溶剤タイプの接着剤は、透明
基板や金属薄膜を侵すことが多いため、材料の選択が必
要となる。また、接着剤塗布時に、ディスクの読み出し
面に接着剤が回り込み不良率を増大させる。さらに、溶
剤の乾燥が不十分であると、情報層の反射率が異なった
り、ディスクの膨張が生じ、エラーが増大する。紫外線
硬化型の接着剤を使用した方が、品質が高く、信頼性も
高い。さらにまた、一般的に熱硬化型接着剤が用いられ
るが、この接着剤は耐熱温度が６０℃程度と低く、高温
環境下に放置すると、記録された情報にエラーが生じて
しまう恐れがある。

【０００８】（３）さらに、従来の両面型の光ディスク
としては、２枚の透明基板のそれぞれの片面に信号情報
ないしはトラッキングガイドを持っているから、２枚の
ディスクの中心を精度よく合わせる必要がある。貼り合
わせるためには、偏心を測定する測定器が必要な上、測
定時間がかかるため、製造効率が低く、生産コストが高
くなるという問題があった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は下記する（１）〜（５）の構成の両面
光ディスクを提供する。

【００１０】（１）図１に示すように、光学的に記録
再生が可能であり、Ａ，Ｂ両面の記録面を有する両面相
変化型光ディスクにおいて、空溝を設けたＡ面基板１
と、このＡ面基板１上に形成され、第１の誘電体層２１
と第１の相変化記録層２２と第２の誘電体層２３とを順
次積層してなる第１の記録層２と、この第１の記録層２
上に積層してなる第１の反射層３と、この第１の反射層
３上に積層してなる断熱層４と、この断熱層４上に積層
してなる第２の反射層５と、この第２の反射層５上に形
成され、第３の誘電体層６１と第２の相変化記録層６２
と第４の誘電体層６３とを順次積層してなる第２の記録
層６と、この第２の記録層６上に形成され、かつ第２の
相変化記録層６２に照射されるレーザ光に対し透明であ
る接着層７と、この接着層７上に形成されかつ平坦なＢ
面基板８とにより構成したことを特徴とする両面光ディ
スクＡＡ。

【００１１】（２）前記断熱層４は、金属の酸化物、
窒化物、硫化物あるいはこれらの混合物からなり、かつ
膜厚が２０ｎｍ〜３００ｎｍであることを特徴とする上
記（１）記載の両面光ディスク。

【００１２】（３）前記第１及び第４の誘電体層２
１，６３の厚さは夫々、５０ｎｍ〜２００ｎｍ、前記第
２及び第３の誘電体層２３，６１の厚さは夫々、１０ｎ
ｍ〜５０ｎｍ、前記第１及び第２の相変化記録層２，６
の厚さは夫々、１０ｎｍ〜３０ｎｍ、前記第１及び第２
の反射層３，５の厚さは夫々、５０ｎｍ〜３００ｎｍで
あることを特徴とする上記（１）又は（２）記載の両面
光ディスク。

【００１３】（４）前記Ａ，Ｂ両面基板１，８の厚さ
は等しいことを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれ
かに記載の両面光ディスク。

【００１４】（５）前記第１及び第２の相変化記録層
２２，６２は少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなり、前
記第１及び第２の反射層３，５はＡｌ合金からなること
を特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の両
面光ディスク。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の両面光ディスクの一実施例を説明する。図１は本発明
の両面光ディスクの構成を説明するための図である。

【００１６】両面光ディスクＡＡは、図１に示すよう
に、空溝を有するＡ面基板１上に第１の記録層２、第１
の反射層３、断熱層４、第２の反射層５、第２の記録層
６を順次積層し、そして接着層７を介して第２の記録層
６上に平坦なＢ面基板８を接着してなる。Ａ面側はＡ面
基板１と第１の記録層２と第１の反射層３からなり、ま
た、断熱層４を介して、Ｂ面側はＢ面基板８と第２の記
録層６と第２の反射層５からなる。

【００１７】Ａ面側の第１の記録層２は、図１中、矢印
ａの入射方向から照射される初期化レーザ光、記録又は
再生レーザ光（いずれも図示せず）により、記録層（第
１の相変化記録層２２）の初期化、記録層への情報の記
録、記録層からの情報の再生が行われる。同様に、Ｂ面
側の第２の記録層６は、図１中、矢印ｂの入射方向から
照射される初期化レーザ光、記録又は再生レーザ光（い
ずれも図示せず）により、記録層（第２の相変化記録層
６２）の初期化、記録層への情報の記録、記録層からの
情報の再生が行われる。

【００１８】同図に示すように、前記した第１の記録層
２は、第１の誘電体層２１と第１の相変化記録層２２と
第２の誘電体層２３とを順次積層してなる。また、前記
した第２の記録層６は、第３の誘電体層６１と第２の相
変化記録層６２と第４の誘電体層６３とを順次積層して
なる。

【００１９】前記したＡ面基板１は、初期化レーザ光、
記録又は再生レーザ光が矢印ａ側（Ａ面側）から第１の
記録層２側へ透過できる透光性基板であり、ポリカーボ
ネート、ポリオレフィン、アクリル等のプラスチック基
板やガラス基板が用いられるものである。また、Ａ面基
板１にはグルーブ１ａ及びランド１ｂが共に同心円状又
は螺旋状に連続して設けられている。プリグルーブ（プ
リピット）はＡ面側に照射されたレーザ光をグルーブ１
ａあるいはランド１ｂに常時正確に導くためのトラッキ
ング用の案内溝（図示せず）である。

【００２０】このＡ面基板１上に形成されるプリグルー
ブ（プリピット）１ａやランド１ｂは、直接、射出成形
されたり、平滑基板上に２Ｐ法（フォトポリマー法）で
形成される。また、このＡ面基板１はＣＡＶ（constant
angular velocity 角速度一定）やＣＬＶ（constant
linear velocity 線速度一定）あるいはＺＣＡＶ（zo
ne constant angular velocity ）やＺＣＬＶ（zone c
onstant linear velocity ）のフォーマットがされ、各
セクタの先頭にはアドレス信号がエンボスピットとして
あらかじめ記録されている。

【００２１】一方、前記したＢ面基板８は、初期化レー
ザ光、記録又は再生レーザ光が矢印ｂ側（Ｂ面側）から
第２の記録層６側へ透過できる透光性基板であるが、Ａ
面基板１上に形成されるプリグルーブやプリピットは形
成されていない平坦な基板である。Ｂ面基板８は、Ａ面
基板１と同様にポリカーボネート、ポリオレフィン、ア
クリル等のプラスチック基板やガラス基板が用いられ
る。

【００２２】ところで、ユーザが使用する情報エリアは
Ａ面基板１上に形成されたランド１ｂ上の第１の記録層
２（第１の相変化記録層２２）に存在するものであり、
ここに光学的に情報の記録再生が行われる。また、Ｂ面
側においては、Ａ面基板１上に形成されたグルーブ１ａ
に対応するランド６ｂ上の第２の記録層６（第２の相変
化記録層６２）に存在するものであり、ここに光学的に
情報の記録再生が行われる。さらに、Ａ面のランド１ｂ
及びグルーブ１ａとＢ面のランド６ｂ及びグルーブ６ａ
の全領域に亘って記録再生することもできる。

【００２３】ところで、仮に、前記した第１の記録層２
及び第２の記録層６にそれぞれ形成されるランド１ｂ及
びランド６ｂの形状を同一形状としておけば、これらに
照射されるレーザ光の反射光を検出した検出信号（再生
信号）は同一レベルを得ることができる。具体的には、
Ａ面側のグルーブ１ａの幅（ランド１ｂの幅）とＢ面側
のグルーブ６ａの幅（ランド６ｂの幅）とを等しく形成
するすればよい。

【００２４】次に、上述した構成の両面光ディスクＡＡ
を、下記する（１）〜（４）の工程順に製作することに
ついて説明する。

【００２５】（１）まず、Ａ面基板１を真空成膜装置
（図示せず）内に設置する。次に、第１の誘電体層２
１、第１の相変化記録層２２、第２の誘電体層２３、第
１の反射層３、断熱層４、第２の反射層５、第３の誘電
体層６１、第２の相変化記録層６２、第４の誘電体層６
３を、順次真空成膜する。真空成膜方法は、抵抗加熱型
や電子ビーム型の真空蒸着、直流や交流スパッタリン
グ、反応性スパッタリング、イオンビームスパッタリン
グ、イオンプレーティング等が用いられる。

【００２６】前記した第１の記録層２を構成する第１の
相変化記録層２２は、結晶とアモルファスとの状態を可
逆的に相変化する相変化記録材料から構成されており、
相変化に即して反射率変化あるいは屈折率変化が生じる
相変化材料が用いられる。例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、
Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ系などの相変化材料が用いら
れ、具体的にはＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等のカ
ルコゲン化合物があげられる。

【００２７】また、第１の相変化記録層２２の膜厚は１
０ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは、再生信号を増大させ
るために、１０ｎｍ〜３０ｎｍとするのがよい。

【００２８】第１及び第２の記録層２，６をそれぞれ構
成する第１の誘電体層２１、第２の誘電体層２３、第３
の誘電体層６１、第４の誘電体層６３は、いずれも、金
属の酸化物、窒化物、硫化物が用いられる。例えば、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ²、ＺｎＳ，ＳｉＯ²、Ｔａ²Ｏ⁵、Ｓｉ
³Ｎ⁴、ＡｌＮ、Ａｌ²Ｏ³、ＡｌＳｉＯＮ，Ｚｒ
Ｏ²、ＴｉＯ²などの単体あるいはこれらの混合物が用
いられる。

【００２９】第１及び第４の誘電体層２１，６３のそれ
ぞれの膜厚は、１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲にある。使
用するレーザ光源の波長によって最適膜厚は変動する
が、好ましくは、再生信号を増大させるために、それぞ
れの膜厚は５０ｎｍ〜２００ｎｍとするのがよい。さら
には、基板１，８への熱伝導の影響を低減する上でも、
それぞれの膜厚８０ｎｍ以上にするのがよい。

【００３０】第２及び第３の誘電体層２３，６１は、い
ずれも第１の誘電体層２１と同じ材料が用いられる。第
２及び第３の誘電体層２３，６１はそれぞれ第１及び第
４の誘電体層２１，６３よりも薄く、いわゆる急冷構造
をとり、熱的ダメージを軽減するために膜厚は１０ｎｍ
〜５０ｎｍとするのがよい。

【００３１】前記した第１及び第２の反射層３，５は、
いずれも記録、再生ならびに初期化時に、第１の相変化
記録層２２と第２の相変化記録層６２とを光学的に分離
すると共に、記録時にはＡ面とＢ面の２層の記録層（第
１の記録層２、第２の記録層６）が同時に加熱されない
断熱効果を合わせ持っている。すなわち、第１の記録層
２側に記録する情報が第２の記録層６に記録されないよ
うに、

【００３２】また、第１の記録層２に記録された情報が
第２の記録層６側から再生できないようにするために設
けられている。この第１の反射層３、第２の反射層５
は、記録時における熱をいち早く逃がすために熱伝導が
高い金属、半導体等の薄膜が用いられる。その膜厚は５
０ｎｍ〜３００ｎｍにすることが望ましい。

【００３３】前記した断熱層４は、Ａ面あるいはＢ面側
からのレーザ光照射に伴って生じる熱エネルギーをＢ面
あるいはＡ面側に伝導しないようにするために設ける。
さらに詳しくは、記録や初期化のときのレーザ光による
熱エネルギーが反対側の面に伝導するのを妨げる。その
ため、熱伝導率が低い金属の酸化物、窒化物、硫化物が
用いられる。例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ²、ＺｎＳ，Ｓｉ
Ｏ²、Ｔａ²Ｏ⁵、Ｓｉ³Ｎ⁴、ＡｌＮ、Ａｌ²Ｏ³、
ＡｌＳｉＯＮ，ＺｒＯ²、ＴｉＯ²などの単体あるいは
これらの混合物が用いられる。その膜厚は、初期化の高
出力のレーザ光による熱エネルギーを遮断するために２
０ｎｍ〜３００ｎｍにするのが好ましい。

【００３４】前記した第２の記録層６を構成する第２の
相変化記録層６２は、第１の記録層２を構成する第１の
相変化記録層２２と同様に、結晶とアモルファスとの状
態を可逆的に相変化する相変化記録材料から構成されて
おり、相変化に即して反射率変化あるいは屈折率変化が
生じる相変化材料が用いられる。例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ系などの相変化材料が用
いられ、具体的にはＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等
のカルコゲン化合物があげられる。

【００３５】また、第２の相変化記録層６２の膜厚は１
０ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは、再生信号を増大させ
るために、１０ｎｍ〜３０ｎｍとするのがよい。勿論、
必要に応じて、相変化記録材料の構成元素や組成は第１
の相変化記録層２２と異なっていてもかまわない。

【００３６】（２）つぎに、第１の記録層２から第２
の記録層６まで真空成膜した後のＡ面基板１を真空成膜
装置（図示せず）から大気中に取り出す。成膜後、Ａ面
基板１の最上層である第２の記録層６にはランド１ｂや
グルーブ１ａにそれぞれ対応するグルーブ６ａやランド
６ｂによる案内溝の凹凸が存在し、この凹凸による光量
変化をＢ面側から検出することによりトラッキングを行
う。

【００３７】（３）これに次いで、第２の記録層６上
に紫外線硬化樹脂を塗布して接着層７を形成する。塗布
方法としては、スピンコート法、スプレー法、ディップ
法、ブレードコート法、ロールコート法、スクリーン印
刷法等が用いられる。紫外線硬化樹脂としては、Ａ面基
板１上に形成されたランド１ｂやグルーブ１ａにそれぞ
れ対応するグルーブ６ａやランド６ｂによる案内溝の凹
凸形状に確実に追従し、気泡や塗布むらを避けるような
粘度、濡れ性と接着性を有しているものを用いる。

【００３８】さらに、第２の相変化記録層６２における
相変化記録の書き換え（オーバーライト）回数を増加す
るために、レーザ光により生じる熱損傷を抑制するよ
う、熱変形が始まる温度すなわちガラス転移温度を１０
０℃以上とする接着層７が好ましい。紫外線硬化樹脂と
しては、少なくともプレポリマ−、単官能アクリレ−ト
モノマ−、多官能アクリレ−トモノマ−等と光重合開始
剤からなるものがよい。

【００３９】とりわけ、この第２の相変化記録層６２に
おけるオーバーライト回数は、下地となる接着層７の耐
熱性に左右される。具体的には、紫外線硬化樹脂硬化後
の接着層７のガラス転移温度に比例して書き換え回数が
増加する。ガラス転移温度が１００℃より低いと書き換
え回数が数千回（５０００〜６０００回）のオーダーと
なり信頼性に劣る。書き換え回数が数千回の範囲であれ
ば、ガラス転移温度を限定する必要はないが、数万回の
書き換えを必要とする場合にはガラス転移温度を１００
℃以上にすることが望ましい。

【００４０】（４）このつぎに、接着層７を介して平
坦な透光性基板８を、Ａ面基板１上に積層された第１の
記録層２、第１の反射層３、断熱層４、第２の反射層
５、第２の記録層６上に密着した後、Ｂ面側の透光性基
板８側（図１中矢印ｂ側）から紫外線を照射して硬化さ
せる。こうして、上記した構成の両面光ディスクＡＡ
は、前述した（１）〜（４）の工程を経ることによって
製作することができる。

【００４１】次に、上述した（１）〜（４）の工程によ
って製作される両面光ディスクＡＡのより具体的な製作
及び製作されたディスクの評価について説明する。

【００４２】（１）まず、トラックピッチ１．４８μ
ｍ、深さ７０ｎｍの空溝（案内溝）が設けられた厚さ
０．６ｍｍのポリカーボネート基板（Ａ面基板）１に、
第１の記録層２として、第１の誘電体層２１、第１の相
変化記録層２２、第２の誘電体層２３をスパッタリング
によって成膜する。（１−１）真空度１×１０^-6Torr以下に排気した後、
ＺｎＳ−ＳｉＯ²（８０：２０ｍｏｌ％）をＡｒガスで
高周波スパッタリングして第１の誘電体層２１として９
０ｎｍ設けた。（１−２）次に、第１の相変化記録層２２としてＧｅ
２２Ｓｂ２２Ｔｅ５６（ａｔ％）を直流スパッタリング
法で２０ｎｍ形成した。この上に第２の誘電体層２３と
してＺｎＳ−ＳｉＯ²（８０：２０ｍｏｌ％）を高周波
スパッタリング法で１８ｎｍ成膜した。

【００４３】（２）次に、第１の反射層３としてＡｌ
−Ｃｒ合金（９７．５：２．５ａｔ％）を直流スパッタ
リング法で８０ｎｍ設け、断熱層４としてＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ²（８０：２０ｍｏｌ％）を１００ｎｍ形成した。

【００４４】（３）さらに、断熱層４の上に第２の反
射層５としてＡｌ−Ｃｒ合金（９７．５：２．５ａｔ
％）を８０ｎｍ形成し、第２の記録層６として、第３の
誘電体層６１、第２の相変化記録層６２、第４の誘電体
層６３を第１の記録層２と同様の膜厚にしてスパッタリ
ングによって成膜した。（３−１）まず、ＺｎＳ−ＳｉＯ²（８０：２０ｍｏ
ｌ％）をＡｒガスで高周波スパッタリングして第３の誘
電体層６１として１８ｎｍ設けた。（３−２）ついで、第２の相変化記録層６２としてＧ
ｅ２２Ｓｂ２２Ｔｅ５６を直流スパッタリング法で２０
ｎｍ形成した。（３−３）この上に第４の誘電体層６３としてＺｎＳ
−ＳｉＯ²（８０：２０ｍｏｌ％）を高周波スパッタリ
ング法で９０ｎｍ成膜した。

【００４５】真空チャンバ（真空成膜装置）から前記し
た工程（３）まで終了したディスク（Ａ面基板１）を取
り出した後、接着層７として紫外線硬化樹脂（ウレタン
アクリレートとアクリル酸エステルモノマーの混合体、
ガラス転移温度１２０℃）を第４の誘電体層６３上にス
ピンコートした。

【００４６】この紫外線硬化樹脂で形成された接着層７
上に、厚さ０．６ｍｍの透光性基板（Ｂ面基板）８をの
せ、基板１に密着させて透光性基板８側から紫外線を照
射して硬化させた。接着層の膜厚は５０μｍであった。

【００４７】次に、こうして製作されたディスクを評価
した。まず、ディスクを回転しながらＡ面基板１側（図
１中矢印ａ方向）からレーザ光を照射して第１の相変化
記録層２２をアモルファス状態から反射率の高い結晶状
態へ相変化させて初期化した。線速度２ｍ／ｓで回転し
て出力６０ｍＷのレーザ光をＡ面に照射すると、Ａ面の
みが初期化された。

【００４８】ついで、Ｂ面側もＡ面と同じ条件で初期化
した。即ち、ディスクを回転しながら基板８側（図１中
矢印ｂ方向）からレーザ光を照射して第２の相変化記録
層６２をアモルファス状態から反射率の高い結晶状態へ
相変化させて初期化した。線速度２ｍ／ｓで回転して出
力６０ｍＷのレーザ光をＢ面に照射すると、Ｂ面のみが
初期化された。断熱層４を設けることによりＡ面とＢ面
とを独立に最適初期化パワーで初期化することができ
た。

【００４９】Ａ面基板１側から第１の相変化記録層２２
のランド１ｂに記録を行った。ランド１ｂはレーザ光の
入射方向からみて凹状になっている。記録の条件は、次
の通りである。線速度６．２ｍ／ｓ、記録レーザ波長は
６８４ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６、ピークパワー
１０．５ｍＷ，バイアスパワー４．０ｍＷ。８−１７変
調信号を記録し、標準偏差σをウィンド幅Ｔｗで割った
値であるジッタを書き換え回数に対して測定した。１万
回後のジッタは、１０．１％と良好な値を示した。

【００５０】ディスクを反転し、基板１の記録箇所の裏
面にあたるＢ面の信号トラック（空溝）に記録を行っ
た。Ｂ面基板８側から第２の相変化記録層６２のグルー
ブ６ａに記録した。グルーブ６ａはレーザ光の入射方向
からみて凸状になっている。１万回後のジッタは、１
０．３％でＡ面と同様に良好な値を示した。また、Ａ面
の第１の記録層２に記録された信号はＢ面から全く検出
されず、２層の反射層と断熱層によって第１の相変化記
録層２２と第２の相変化記録層６２が光学的および熱的
にも完全に分離され、良好な特性を示した。

【００５１】

【発明の効果】上述した構成を有する本発明の両面光デ
ィスクは、次の効果を有している。トラッキングガイド
を持ったＡ面基板上に第１の記録層、第１の反射層、断
熱層、第２の反射層、第２の記録層、Ｂ面基板を順次積
層したから、断熱層を介して第１，第２の記録層を熱的
に遮断可能であると共に、第１，第２の反射層は第１，
第２の記録層を光学的に分離可能であるから、例えば、
Ａ面側から第１の記録層に対してレーザ光を照射して初
期化、情報記録を行う際に発生する熱をＢ面側に伝導す
ることが完全に防止できる（光学的および熱的にＡ面と
Ｂ面を完全に分離することができる）ので、Ａ，Ｂ両面
共にほぼ同一の状態で記録層の初期化、情報記録を行う
ことができる。また、同一トラックを使用するため全く
偏心がなく、２枚のディスク（基板）の中心を精度よく
合わせる必要がなく、製造効率が高く、生産コストが低
い。さらに、接着剤層に紫外線硬化型樹脂を使用できる
ため、品質が高く、信頼性も高く、しかも、Ａ．Ｂ面の
品質に差がない両面光ディスクを提供することができ
る。さらにまた、記録層の組成域だけ或いは、ディスク
構造（各層の膜厚）だけでは不可能であった高密度記録
再生消去と書換回数の向上を、更に広範囲な記録パワー
マージンを満足させるディスクを提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の両面光ディスクの構成を説明するため
の図である。

【符号の説明】

１Ａ面基板２第１の記録層３第１の反射層４断熱層５第２の反射層６第２の記録層７接着層８Ｂ面基板２１第１の誘電体層２２第１の相変化記録層２３第２の誘電体層６１第３の誘電体層６２第２の相変化記録層６３第４の誘電体層ＡＡ両面光ディスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光学的に記録再生が可能であり、Ａ，Ｂ両
面の記録面を有する両面相変化型光ディスクにおいて、空溝を設けたＡ面基板と、このＡ面基板上に形成され、第１の誘電体層と第１の相
変化記録層と第２の誘電体層とを順次積層してなる第１
の記録層と、この第１の記録層上に積層してなる第１の反射層と、この第１の反射層上に積層してなる断熱層と、この断熱層上に積層してなる第２の反射層と、この第２の反射層上に形成され、第３の誘電体層と第２
の相変化記録層と第４の誘電体層とを順次積層してなる
第２の記録層と、この第２の記録層上に形成され、かつ第２の相変化記録
層に照射されるレーザ光に対し透明である接着層と、この接着層上に形成されかつ平坦なＢ面基板とにより構
成したことを特徴とする両面光ディスク。
【請求項２】前記断熱層は、金属の酸化物、窒化物、硫
化物あるいはこれらの混合物からなり、かつ膜厚が２０
ｎｍ〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載
の両面光ディスク。
【請求項３】前記第１及び第４の誘電体層の厚さは夫
々、５０ｎｍ〜２００ｎｍ、前記第２及び第３の誘電体層の厚さは夫々、１０ｎｍ〜
５０ｎｍ、前記第１及び第２の相変化記録層の厚さは夫々、１０ｎ
ｍ〜３０ｎｍ、前記第１及び第２の反射層の厚さは夫々、５０ｎｍ〜３
００ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の
両面光ディスク。
【請求項４】前記Ａ，Ｂ両面基板の厚さは等しいことを
特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の両
面光ディスク。
【請求項５】前記第１及び第２の相変化記録層は少なく
ともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなり、前記第１及び第２の反
射層はＡｌ合金からなることを特徴とする請求項１乃至
請求項４のいずれかに記載の両面光ディスク。