JPH1040696A - 半導体メモリ試験装置 - Google Patents

半導体メモリ試験装置

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JPH1040696A
JPH1040696A JP8193543A JP19354396A JPH1040696A JP H1040696 A JPH1040696 A JP H1040696A JP 8193543 A JP8193543 A JP 8193543A JP 19354396 A JP19354396 A JP 19354396A JP H1040696 A JPH1040696 A JP H1040696A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 メモリ試験時においてもフェイルの計数を高
速に実行する半導体メモリ試験装置を提供する。 【解決手段】 フェイルメモリ5として、奇数サイクル
のフェイルをカウントする2個のフェイルビットメモリ
52Aおよび52Bと偶数サイクルのフェイルをカウン
トする2個のフェイルビットメモリ52Cおよび52D
を有し、フェイルの格納動作とフェイルの計数動作とを
パイプライン構造を採用してパラレルに実施することに
より、メモリ試験時においてフェイルの計数を実施する
半導体メモリ試験装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体メモリ試
験装置に関し、特に、メモリ試験時においてもシステム
クロックに同期してフェイルの計数を高速に実行するこ
とができる半導体メモリ試験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図4を参照して半導体メモリ試験装置の
従来例を説明する。パターン発生器2より発生されたア
ドレス信号ADS、データ信号TPD、およびコントロ
ール信号CSは波形整形器3に供給され、ここにおいて
波形成形されてから被試験メモリMUTに印加される。
論理比較器4は、被試験メモリMUTより読み出された
データRDとパターン発生器2から印加される期待値信
号EDとを比較して、被試験メモリMUTについてパス
或はフェイルの判定を行う。フェイルメモリ5は、論理
比較器4より出力されるフェイル信号FSをパターン発
生器2より入力されるフェイル取り込みアドレス信号F
ADSに従って各アドレス毎に格納する。以上の一連の
動作はタイミング発生器1から各部に印加されるクロッ
クCLKに同期して行なわれる。
【0003】図5を参照してフェイルメモリ5の内部構
造を説明する。フェイルメモリ5内に収容されているフ
ェイルビットメモリ52は、被試験メモリMUTと同一
記憶容量を有し、アドレスもすべて同一であり、入力さ
れるフェイルのビット数に対応して、データ入力端子D
in、書き込み端子/WEを有している。アドレス選択器
55はパターン発生器2から入力されるアドレス信号と
システムバスより入力されるR/W用アドレスを選択し
てフェイルビットメモリ52のアドレス入力端子Ainに
印加する。WEコントロール部53は論理比較器4より
入力されるフェイル信号FSから書き込み信号を生成
し、これを書き込み端子/WEに供給する。フェイル加
算器56は、フェイルビットメモリ52から読み出され
たフェイル信号の加算を行なう。
【0004】次に、このフェイルメモリ5の動作を説明
する。メモリ試験が開始されてフェイルが測定される
と、このフェイル信号FSはメモリ試験装置の論理比較
器4よりフェイルメモリ5に入力される。このフェイル
信号FSは、フェイルを格納するフェイルビットメモリ
52のデータ入力端子Dinに印加されると共にフェイル
ビットメモリ52への書き込みを制御するWEコントロ
ール部53にも印加される。メモリ試験装置のパターン
発生器2より印加されるアドレス信号は、アドレス選択
器55においてシステムバスより入力されるR/W用ア
ドレスとマルチプレクスされ、フェイルビットメモリ5
2のアドレス入力端子Ainに印加される。WEコントロ
ール部53は、フェイルの発生したサイクルのみフェイ
ルビットメモリ52に対して書き込み信号を発生して書
き込み端子/WEに供給する。そして、メモリ試験終了
後にフェイルビットメモリ52に記憶されたフェイルの
内容を読み出したり、或は被試験メモリMUTに発生し
たトータルのフェイルを加算したりする場合に必要とさ
れるアドレスは、システムバスより供給印加される。フ
ェイルの加算は、フェイルビットメモリ52の出力が
“1”のビットの数を、各アドレス毎に、フェイル加算
器56により加算して行く。
【0005】ところで、トータルのフェイルの数および
データビット毎のフェイルの計数は全てのメモリ試験が
終了した後でなければ実施することはできない。という
のはメモリ試験装置によるメモリの試験は、同一アドレ
スに対して複数回の試験が実施されるのが普通であるの
で、試験を実施しながら入力されるフェイルをそのまま
加算するということは、同一アドレスについてフェイル
を多重に加算することになるからである。そこで、試験
結果のライト動作をするに先だってリード動作をすれ
ば、被試験メモリMUTにおいて発生したフェイルの内
の同一アドレスで発生したフェイルを多重に加算するこ
とを回避することができる。この様にしてメモリ試験を
実施しながらこれと同時にフェイルの計数をも実施する
ことができる半導体メモリ試験装置が提案されている。
これを図6および図7を参照して説明する。
【0006】図6は、図5のフェイルメモリ5において
フェイルビットメモリ52の読み出し端子Dout とフェ
イル加算器56との間にANDゲート57を介在させ、
フェイルビットメモリ52の読み出し信号をANDゲー
ト57の反転入力に入力すると共に論理比較器4より入
力されるフェイル信号FSをANDゲート57の非反転
入力に入力するものである。ここで、フェイルを格納す
るフェイルビットメモリ52は、被試験メモリMUTの
試験を開始するに先だって、全領域を予め論理値“0”
に初期化、クリアしておく。メモリ試験においては、パ
ターン発生器2より印加されるアドレスによりフェイル
ビットメモリ52がアクセスされ、アクセスされたアド
レスに対応するデータが読み出される。フェイルビット
メモリ52から読み出された出力はANDゲート57の
反転入力に入力され、論理比較器4からANDゲート5
7の非反転入力に入力されるフェイル信号FSとAND
がとられる。フェイルビットメモリ52から読み出され
た出力が“0”の時は、そのアドレスはそれ以前の試験
においてフェイルが発生していないことを示しており、
従って、ANDゲート57からは入力されたフェイル信
号FSがそのままフェイル加算器56に出力されて加算
される。フェイルビットメモリ52の出力が“1”の時
は、そのアドレスはそれ以前の試験においてフェイルが
発生していることを示しているので、ANDゲート57
からは“0”が出力されて加算は行なわれない。フェイ
ル加算器56は、フェイル選択器であるANDゲート5
7から出力される信号が“1”のビットの数を動作クロ
ックに同期して加算する。図7は図6のフェイルビット
メモリ52の以上の動作タイミングチャートである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図6に示される半導体
メモリ試験装置はメモリ試験を実施しながらこれと同時
にフェイルの計数をも実施することができるが、フェイ
ル格納時にリード動作およびライト動作を双方共に実施
することを前提とするものであるところから、フェイル
メモリ5のサイクルタイムは、フェイルを格納するフェ
イルビットメモリ52のリードサイクルとライトサイク
ルを加算した時間ということになり、メモリ試験の不良
解析の高速化を達成する上において好ましくない。
【0008】この発明は、メモリ試験時においてもシス
テムクロックに同期してフェイルの計数を高速に実行す
る上述の問題を解消した半導体メモリ試験装置を提供す
るものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】被試験メモリMUTと同
一記憶容量を有して半導体メモリ試験のフェイル情報を
格納するフェイルメモリ5を有する半導体メモリ試験装
置において、フェイルメモリ5は、入力されるアドレス
信号をサイクルシフトさせる互に縦続接続する第1のフ
リップフロップFFA1ないし第3のフリップフロップ
FFA3の3個のフリップフロップを有し、入力される
フェイル信号をサイクルシフトさせる互に縦続接続する
第1’のフリップフロップFFD1ないし第3’のフリ
ップフロップFFD3の3個のフリップフロップを有
し、フェイル信号を格納する第1のフェイルビットメモ
リ52Aないし第4のフェイルビットメモリ52Dの4
個のフェイルビットメモリを有し、サイクルシフトされ
た各アドレス信号を選択切り換えて第1のフェイルビッ
トメモリ52Aないし第4のフェイルビットメモリ52
Dに印加する第1のアドレスマルチプレクサMUX1な
いし第4のアドレスマルチプレクサMUX4の4個を有
し、第1のアドレスマルチプレクサMUX1ないし第4
のアドレスマルチプレクサMUX4の選択信号とリード
サイクルおよびライトサイクルを決める信号とを出力す
るリードサイクル指示フリップフロップFFSを有し、
入力されるフェイル信号に基づいて第1のフェイルビッ
トメモリ52Aないし第4のフェイルビットメモリ52
Dに対するライト信号を生成出力するWEコントロール
部53を有し、第1のフェイルビットメモリ52Aない
し第4のフェイルビットメモリ52Dの出力、入力され
るフェイル信号および入力されるアドレス信号を入力と
して加算されるべきフェイルビットメモリ出力を選択す
る選択ゲート回路を有し、選択ゲート回路から出力され
るフェイルデータの計数をシステムクロックに同期して
行うフェイル加算器56を有する半導体メモリ試験装置
を構成した。
【0010】そして、先の半導体メモリ試験装置の選択
ゲート回路は、第1のフェイルビットメモリ52Aおよ
び第2のフェイルビットメモリ52Bの両出力を入力と
する第1のNORゲート581を有し、第3のフェイル
ビットメモリ52Cおよび第4のフェイルビットメモリ
52Dの両出力を入力とする第2のNORゲート582
を有し、フェイル信号をサイクルシフトさせる第2’の
フリップフロップFFD2の出力、リードサイクル指示
フリップフロップFFSの出力および第1のNORゲー
ト581の出力の3出力を入力とする第1のANDゲー
ト571を有し、アドレス信号をサイクルシフトさせる
第1のフリップフロップFFA1の出力および第2のフ
リップフロップFFA2の出力を入力とするアドレス一
致検出ENORゲート583を有し、アドレス一致検出
ENORゲート583の出力およびフェイル信号をサイ
クルシフトさせる第2’のフリップフロップFFD2の
出力を入力とする計数禁止NANDゲート574を有
し、計数禁止NANDゲート574の出力およびフェイ
ル信号をサイクルシフトさせる第1’のフリップフロッ
プFFD1の出力を入力とする第3のANDゲート57
3を有し、第3のANDゲート573の出力、リードサ
イクル指示フリップフロップFFSの出力および第2の
NORゲート582の出力の3出力を入力とする第2の
ANDゲート572を有するものである半導体メモリ試
験装置を構成した。
【0011】
【発明の実施の形態】この発明の半導体メモリ試験装置
は、そのフェイルメモリとして、奇数サイクルのフェイ
ルをカウントする2個のフェイルビットメモリと偶数サ
イクルのフェイルをカウントする2個のフェイルビット
メモリを有し、フェイルの格納動作とフェイルの計数動
作とをパイプライン構造を採用してパラレルに実施する
ことにより、メモリ試験時においてもシステムクロック
に同期してフェイルの計数を高速に実施するものであ
る。
【0012】
【実施例】この発明の実施例を図1を参照して説明す
る。図1はこの発明の半導体メモリ試験装置に使用され
るフェイルメモリを説明する図である。この発明の半導
体メモリ試験装置は、そのフェイルメモリ5として、奇
数サイクルのフェイルをリードしてカウントする第1の
フェイルビットメモリ52Aおよび第2のフェイルビッ
トメモリ52Bの2個を有すると共に、偶数サイクルの
フェイルをリードしてカウントする第3のフェイルビッ
トメモリ52Cおよび第4のフェイルビットメモリ52
Dの2個を有し、フェイルの格納動作とフェイルの計数
動作とをパイプライン構造を採用してパラレルに実施す
ることによりメモリ試験時においてもシステムクロック
に同期してフェイルの計数を高速に実施するものであ
る。
【0013】以下、この発明の半導体メモリ試験装置の
フェイルメモリ5を説明する。フェイルメモリ5に入力
されるアドレス信号ADは、第1のフリップフロップF
FA1ないし第3のフリップフロップFFA3によりサ
イクルシフトされた後に、第1のアドレスマルチプレク
サMUX1ないし第4のアドレスマルチプレクサMUX
4を介して第1のフェイルビットメモリ52Aないし第
4のフェイルビットメモリ52Dに入力される。そし
て、フェイルメモリ5に入力されるフェイル信号FSは
第1’のフリップフロップFFD1ないし第3’のフリ
ップフロップFFD3によりサイクルシフトされた後
に、第1のフェイルビットメモリ52Aないし第4のフ
ェイルビットメモリ52Dに入力される。WEコントロ
ール部53は、入力されるフェイル信号FSから第1の
フェイルビットメモリ52Aないし第4のフェイルビッ
トメモリ52Dに対する書き込み信号/WEを生成して
出力する。
【0014】図2は以上の動作タイミングを任意のサイ
クルn以上について示すタイミングチャートである。全
てのフェイルビットメモリ52は連続した2サイクルを
リードサイクルとライトサイクルの順番に実行する。具
体的には、1番目のサイクルをリードサイクルとし、2
番目のサイクルをライトサイクルとする。第1のフェイ
ルビットメモリ52Aについてみると、リードサイクル
においてアドレスAnをリードし、ライトサイクルにお
いてアドレスAnにそのサイクルに発生したフェイルF
nをライトする。以下、同様に、アドレスAn+2をリ
ードしてアドレスAn+2にフェイルFn+2をライト
し、アドレスAn+4をリードしてアドレスAn+4に
フェイルFn+4をライトするという動作を繰り返す。
【0015】第2のフェイルビットメモリ52Bは、リ
ードサイクルにおいてアドレスAnをリードして、ライ
トサイクルにおいてアドレスAn+1にそのサイクルに
発生したフェイルFn+1をライトする。以下、同様
に、アドレスAn+2をリードして、アドレスAn+3
にフェイルFn+3をライトし、アドレスAn+4をリ
ードして、アドレスAn+5にフェイルFn+5をライ
トするという動作を繰り返す。
【0016】第3のフェイルビットメモリ52Cは、ア
ドレスAn+1をリードして、アドレスAnにそのサイ
クルに発生したフェイルFnをライトする。以下、同様
に、アドレスAn+3をリードして、アドレスAn+2
にフェイルFn+2をライトし、アドレスAn+5をリ
ードして、アドレスAn+4にフェイルFn+4をライ
トするという動作を繰り返す。
【0017】第4のフェイルビットメモリ52Dは、ア
ドレスAn+1をリードして、アドレスAn+1にその
サイクルに発生したフェイルFn+1をライトする。以
下、同様に、アドレスAn+3をリードして、アドレス
An+3にFn+3をライトし、アドレスAn+5をリ
ードして、アドレスAn+5にフェイルFn+5をライ
トするという動作を繰り返す。
【0018】以上の通りの動作により、第1のフェイル
ビットメモリ52Aおよび第3のフェイルビットメモリ
52Cには第n、(n+2)、(n+4)・・・の奇数
サイクルのフェイルが格納されるが、第2のフェイルビ
ットメモリ52Bおよび第4のフェイルビットメモリ5
2Dには第(n+1)、(n+3)、(n+5)・・・
・の偶数サイクルのフェイルが格納される。即ち、第1
のフェイルビットメモリ52Aおよび第2のフェイルビ
ットメモリ52Bを1ブロックとしてみると、このブロ
ックには連続する第n、(n+1)サイクルにおいてフ
ェイルが発生していれば必ずこのフェイルがライトされ
ていることになる。第3のフェイルビットメモリ52C
および第4のフェイルビットメモリ52Dを1ブロック
としてみると、このブロックにも連続する第n、(n+
1)サイクルにおいてフェイルが発生していれば、同様
に、必ずこのフェイルがライトされていることになる。
従って、第1のフェイルビットメモリ52Aおよび第2
のフェイルビットメモリ52Bのブロックをリードすれ
ば、必ず、何れかのサイクルにそれ以前発生した全ての
フェイル情報をリードすることができる。そして、第3
のフェイルビットメモリ52Cおよび第4のフェイルビ
ットメモリ52D側についても同様に何れかのサイクル
にそれ以前発生した全てのフェイル情報をリードするこ
とができる。この発明は、このことを利用し、奇数サイ
クルについてこれがそれ以前にフェイルが発生したアド
レスであるか否かを判定するフェイル検出を第1のフェ
イルビットメモリ52Aおよび第2のフェイルビットメ
モリ52Bのブロックにより行い、偶数サイクルのフェ
イルの検出を第3のフェイルビットメモリ52Cおよび
第4のフェイルビットメモリ52Dのブロックにより行
うものとした。
【0019】以上のフェイルのカウントの仕方を図3の
タイミングチャートをも参照して説明する。奇数サイク
ルのフェイルの計数についてみるに、第2のフリップフ
ロップFFA2の出力からアドレスマルチプレクサMU
X1およびMUX2を介して、第1のフェイルビットメ
モリ52Aおよび第2のフェイルビットメモリ52B
に、アドレスAnが入力されると、このアドレスAnに
対応したデータAQnおよびBQnがリードされ、両者
は第1のNORゲート581でORされて第1のAND
ゲート571に入力される。第1のANDゲート571
はこのNORゲート581の出力と、そのサイクルがリ
ードサイクルであることを示すリードサイクル指示フリ
ップフロップFFSの出力と、そのサイクルのフェイル
信号を示す第2’のフリップフロップFFD2の出力の
3出力のANDをとる。そして、第1のANDゲート5
71は、第1のフェイルビットメモリ52Aおよび第2
のフェイルビットメモリ52Bの双方から以前にフェイ
ルが記憶されていないことを示す”0”がリードされた
とき、第1のNORゲート581から”1”が入力さ
れ、他の2出力の3者のANDをとり、フェイル加算器
56に”1”を出力してシステムクロックに同期してこ
こにフェイルが計数される。以降、同様な動作を、アド
レスAn+2、An+4・・・が入力される度毎に行
う。即ち、リードサイクルにおいて、第1のフェイルビ
ットメモリ52Aおよび第2のフェイルビットメモリ5
2Bの内の何れからも“1”がリードされないときの
み、入力されたフェイルを加算する。
【0020】偶数サイクルのフェイルの計数は、第3の
フェイルビットメモリ52Cおよび第4のフェイルビッ
トメモリ52DにアドレスAn+1が入力されると、そ
のアドレスに対応したデータAQn+1およびBQn+
1がリードされ、第2にNORゲート582でORされ
て第2のANDゲート572に入力される。第2のAN
Dゲート572はこのNORゲート582の出力と、そ
のサイクルがリードサイクルであることを示すリードサ
イクル指示フリップフロップFFSの出力と、第3のA
NDゲート573の3出力のANDをとる。そして、A
NDゲート572の出力はフェイル加算器56に入力さ
れ、システムクロックに同期してフェイルが計数され
る。以降、同様な動作を、アドレスAn+3、An+5
・・・が入力される度毎に行う。
【0021】ここで、偶数サイクルのフェイルの計数に
おいて、第3のANDゲート573を設けて、第1’の
フリップフロップFFD1の出力を直接に第2のAND
ゲート572に入力しない理由を説明をする。第nサイ
クルから第n+1サイクルへと奇数サイクルから偶数サ
イクルに連続したサイクルにおいて同じアドレスがアク
セスされ、且つ、その時に双方のサイクルにフェイルが
発生した場合、フェイル加算器56はそれだけ余分に計
数することになる。そこで、連続したサイクルでアドレ
スが一致していることを検出するアドレス一致検出EN
ORゲート583と、その時に奇数サイクルでフェイル
が発生していたら無条件に偶数サイクルのフェイルの計
数を禁止する計数禁止NANDゲート574と、AND
ゲート573を設けて余分な計数を回避している。
【0022】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明の半導体
メモリ試験装置は、フェイルメモリとして、奇数サイク
ルのフェイルをカウントする2個のフェイルビットメモ
リと偶数サイクルのフェイルをカウントする2個のフェ
イルビットメモリを有し、フェイルの格納動作とフェイ
ルの計数動作とをパイプライン構造を採用してパラレル
に実施することにより、メモリ試験時においてフェイル
の計数を高速に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例を説明する図。
【図2】実施例の動作タイミングチャート。
【図3】実施例の動作タイミングチャート。
【図4】半導体メモリ試験装置を説明する図。
【図5】フェイルメモリの従来例を説明する図。
【図6】フェイルメモリの他の従来例を説明する図。
【図7】図6の従来例の動作タイミングチャート。
【符号の説明】
5 フェイルメモリ 52A〜52D 第1〜第4のフェイルビットメモリ 53 WEコントロール部 56 フェイル加算器 FFA1〜FFA3 第1〜第3のフリップフロップ FFD1〜FFD3 第1’〜第3’のフリップフロッ
プ FFS リードサイクル指示フリップフロップ MUX1〜MUX4 第1〜第4のアドレスマルチプレ
クサ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被試験メモリと同一記憶容量を有して半
    導体メモリ試験においてフェイル情報を格納するフェイ
    ルメモリを有する半導体メモリ試験装置において、 フェイルメモリは、 入力されるアドレス信号をサイクルシフトさせる互に縦
    続接続する第1のフリップフロップないし第3のフリッ
    プフロップの3個のフリップフロップを有し、 入力されるフェイル信号をサイクルシフトさせる互に縦
    続接続する第1’のフリップフロップないし第3’のフ
    リップフロップの3個のフリップフロップを有し、 フェイル信号を格納する第1のフェイルビットメモリな
    いし第4のフェイルビットメモリの4個のフェイルビッ
    トメモリを有し、 サイクルシフトされた各アドレス信号を選択切り換えて
    第1のフェイルビットメモリないし第4のフェイルビッ
    トメモリに印加する第1のアドレスマルチプレクサない
    し第4のアドレスマルチプレクサの4個を有し、 第1のアドレスマルチプレクサないし第4のアドレスマ
    ルチプレクサの選択信号とリードサイクルおよびライト
    サイクルを決める信号とを出力するリードサイクル指示
    フリップフロップを有し、 入力されるフェイル信号に基づいて第1のフェイルビッ
    トメモリないし第4のフェイルビットメモリに対するラ
    イト信号を生成出力するWEコントロール部を有し、 第1のフェイルビットメモリないし第4のフェイルビッ
    トメモリの出力、入力されるフェイル信号および入力さ
    れるアドレス信号を入力として加算されるべきフェイル
    ビットメモリ出力を選択する選択ゲート回路を有し、 選択ゲート回路から出力されるフェイルデータの計数を
    システムクロックに同期して行うフェイル加算器を有す
    る、 ことを特徴とする半導体メモリ試験装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載される半導体メモリ試験
    装置において、 選択ゲート回路は、 第1のフェイルビットメモリおよび第2のフェイルビッ
    トメモリの両出力を入力とする第1のNORゲートを有
    し、 第3のフェイルビットメモリおよび第4のフェイルビッ
    トメモリの両出力を入力とする第2のNORゲートを有
    し、 フェイル信号をサイクルシフトさせる第2’のフリップ
    フロップの出力、リードサイクル指示フリップフロップ
    の出力および第1のNORゲートの出力の3出力を入力
    とする第1のANDゲートを有し、 アドレス信号をサイクルシフトさせる第1のフリップフ
    ロップの出力および第2のフリップフロップの出力を入
    力とするアドレス一致検出ENORゲートを有し、 アドレス一致検出ENORゲートの出力およびフェイル
    信号をサイクルシフトさせる第2’のフリップフロップ
    の出力を入力とする計数禁止NANDゲートを有し、 計数禁止NANDゲートの出力およびフェイル信号をサ
    イクルシフトさせる第1’のフリップフロップの出力を
    入力とする第3のANDゲートを有し、 第3のANDゲートの出力、リードサイクル指示フリッ
    プフロップの出力および第2のNORゲートの出力の3
    出力を入力とする第2のANDゲートを有するものであ
    る、 ことを特徴とする半導体メモリ試験装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6724684B2 (en) 2001-12-24 2004-04-20 Hynix Semiconductor Inc. Apparatus for pipe latch control circuit in synchronous memory device

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US6724684B2 (en) 2001-12-24 2004-04-20 Hynix Semiconductor Inc. Apparatus for pipe latch control circuit in synchronous memory device

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