JPH1040844A - 高耐圧無放電対電極 - Google Patents
高耐圧無放電対電極Info
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- JPH1040844A JPH1040844A JP8197311A JP19731196A JPH1040844A JP H1040844 A JPH1040844 A JP H1040844A JP 8197311 A JP8197311 A JP 8197311A JP 19731196 A JP19731196 A JP 19731196A JP H1040844 A JPH1040844 A JP H1040844A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高電圧を印可しても気体放電が発生しない高
耐圧無放電対電極を提供する。 【解決手段】 2つの互いに対向する電極12,13の
表面に、グラスライニング加工を施してグラスライニン
グ層14,15をそれぞれ形成する。グラスライニング
層14,15はソーダ石灰ガラスとほぼ同じ組成を有し
ている。グラスライニング層14,15を形成した電極
12,13の間に、アルミナからなる絶縁体16を挟持
する。
耐圧無放電対電極を提供する。 【解決手段】 2つの互いに対向する電極12,13の
表面に、グラスライニング加工を施してグラスライニン
グ層14,15をそれぞれ形成する。グラスライニング
層14,15はソーダ石灰ガラスとほぼ同じ組成を有し
ている。グラスライニング層14,15を形成した電極
12,13の間に、アルミナからなる絶縁体16を挟持
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高耐圧無放電対電
極に関し、更に詳しくは、電子ビーム、イオンビーム等
の荷電粒子発生器、荷電粒子加速器、電子顕微鏡、マイ
クロ波管等に使用するのに適した高耐圧無放電対電極に
関するものである。
極に関し、更に詳しくは、電子ビーム、イオンビーム等
の荷電粒子発生器、荷電粒子加速器、電子顕微鏡、マイ
クロ波管等に使用するのに適した高耐圧無放電対電極に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、電子ビーム、イオンビーム等
の荷電粒子発生器、荷電粒子加速器、電子顕微鏡、マイ
クロ波管等に於いては、真空中で荷電粒子を加速するた
めに、高耐圧の無放電対電極が使用されている。図8は
従来の電子ビーム発生器の断面模式図であり、図9はそ
の外観を示す斜視図である。図8及び図9に示すよう
に、この電子ビーム発生器は、円筒状の真空チャンバ3
0と、この真空チャンバ30の天面に設けられたマイナ
ス電極32と、真空チャンバ30の円筒状部分の上部に
設けられた中央部に穴33aを有するドーナツ状のプラ
ス電極33とを備えている。また、真空チャンバ30の
円筒状部分の中程には、無放電対電極31が取り付けら
れている。無放電対電極31は加速電極として使用され
ている。無放電対電極31は互いに対向する2つのドー
ナツ状の金属電極34,35と、これらの金属電極3
4,35に挟持されたドーナツ状の絶縁体36とを備え
ている。真空チャンバ30の下部の排気口37には真空
ポンプ38が接続されている。
の荷電粒子発生器、荷電粒子加速器、電子顕微鏡、マイ
クロ波管等に於いては、真空中で荷電粒子を加速するた
めに、高耐圧の無放電対電極が使用されている。図8は
従来の電子ビーム発生器の断面模式図であり、図9はそ
の外観を示す斜視図である。図8及び図9に示すよう
に、この電子ビーム発生器は、円筒状の真空チャンバ3
0と、この真空チャンバ30の天面に設けられたマイナ
ス電極32と、真空チャンバ30の円筒状部分の上部に
設けられた中央部に穴33aを有するドーナツ状のプラ
ス電極33とを備えている。また、真空チャンバ30の
円筒状部分の中程には、無放電対電極31が取り付けら
れている。無放電対電極31は加速電極として使用され
ている。無放電対電極31は互いに対向する2つのドー
ナツ状の金属電極34,35と、これらの金属電極3
4,35に挟持されたドーナツ状の絶縁体36とを備え
ている。真空チャンバ30の下部の排気口37には真空
ポンプ38が接続されている。
【0003】この電子ビーム発生器では、真空ポンプ3
8により真空チャンバ30内を高真空にした後、マイナ
ス電極32とプラス電極33との間に直流電圧が印可さ
れる。マイナス電極32から電子が飛び出し、その一部
がプラス電極33の穴33aを通過する。穴33aを通
過した電子は、無放電対電極31によって生ずる電場に
よって加速される。加速される電子の速度は、無放電対
電極31の金属電極34,35に印可される電圧の大き
さに依存し、印可される電圧が高いほど高速の電子を取
り出すことができる。
8により真空チャンバ30内を高真空にした後、マイナ
ス電極32とプラス電極33との間に直流電圧が印可さ
れる。マイナス電極32から電子が飛び出し、その一部
がプラス電極33の穴33aを通過する。穴33aを通
過した電子は、無放電対電極31によって生ずる電場に
よって加速される。加速される電子の速度は、無放電対
電極31の金属電極34,35に印可される電圧の大き
さに依存し、印可される電圧が高いほど高速の電子を取
り出すことができる。
【0004】ところが、無放電対電極31には、図10
に示すように、金属電極34又は35と絶縁体36との
間に、僅かながら間隙39が存在しているため、金属電
極34と35との間に高電圧が印可されると、この間隙
39で気体放電が起こることがある。このような気体放
電により、金属電極34又は35と絶縁体36との両方
の材料が劣化し、また、真空チャンバ30内が汚染され
るという問題が生ずる。更には、電力のロスを生ずるよ
うになり、時には、この電子ビーム発生器そのものの破
損を引き起こす。
に示すように、金属電極34又は35と絶縁体36との
間に、僅かながら間隙39が存在しているため、金属電
極34と35との間に高電圧が印可されると、この間隙
39で気体放電が起こることがある。このような気体放
電により、金属電極34又は35と絶縁体36との両方
の材料が劣化し、また、真空チャンバ30内が汚染され
るという問題が生ずる。更には、電力のロスを生ずるよ
うになり、時には、この電子ビーム発生器そのものの破
損を引き起こす。
【0005】また、間隙39が存在すると、間隙39を
通って電極表面から水分、有機成分等がガスとして真空
チャンバ30内に放出される。この放出されたガスによ
り、電子ビームが正常に飛ばなくなったり、真空チャン
バ30の汚染、真空度の低下等が起こる。
通って電極表面から水分、有機成分等がガスとして真空
チャンバ30内に放出される。この放出されたガスによ
り、電子ビームが正常に飛ばなくなったり、真空チャン
バ30の汚染、真空度の低下等が起こる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような気体放電現
象に対する対策として、金属電極34又は35と絶縁体
36の接触面の寸法精度及び平滑性を高めて間隙39を
極力小さくすることが挙げられる。しかしながら、どの
ように寸法精度及び平滑性を高めてもやはり間隙39は
存在するため、この対策でも十分とは言えない。また、
電極34,35や絶縁体36を放電が起こり難い形状と
することなどの対策も採られているが、これも十分では
ない。更に、絶縁体36の表面をメタライズして導電性
を持たせるという対策もあるが、メタライズ層の耐久性
が悪く、完全な対策とはなっていない。
象に対する対策として、金属電極34又は35と絶縁体
36の接触面の寸法精度及び平滑性を高めて間隙39を
極力小さくすることが挙げられる。しかしながら、どの
ように寸法精度及び平滑性を高めてもやはり間隙39は
存在するため、この対策でも十分とは言えない。また、
電極34,35や絶縁体36を放電が起こり難い形状と
することなどの対策も採られているが、これも十分では
ない。更に、絶縁体36の表面をメタライズして導電性
を持たせるという対策もあるが、メタライズ層の耐久性
が悪く、完全な対策とはなっていない。
【0007】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みて為されたものであり、本発明の目的は、高電圧を印
可しても気体放電が発生しない高耐圧無放電対電極を提
供することである。
みて為されたものであり、本発明の目的は、高電圧を印
可しても気体放電が発生しない高耐圧無放電対電極を提
供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の高耐圧無放電対
電極は、互いに対向する対電極の少なくとも互いに対向
する側の面にグラスライニング層を形成することによ
り、電極の表面に直接空気層が接することがないように
したものである。これにより、気体放電が発生し始める
電圧を高くすることができる。また、気体放電が発生し
ても、電極表面がグラスライニング層によって覆われて
いるため、電極材料が劣化することもない。
電極は、互いに対向する対電極の少なくとも互いに対向
する側の面にグラスライニング層を形成することによ
り、電極の表面に直接空気層が接することがないように
したものである。これにより、気体放電が発生し始める
電圧を高くすることができる。また、気体放電が発生し
ても、電極表面がグラスライニング層によって覆われて
いるため、電極材料が劣化することもない。
【0009】また、絶縁体の材料とグラスライニング層
の材料とを実質的に同じにすることにより、これらの誘
電率が等しくなり、2つの電極の間の電位勾配が均一と
なって気体放電の発生が抑制される。
の材料とを実質的に同じにすることにより、これらの誘
電率が等しくなり、2つの電極の間の電位勾配が均一と
なって気体放電の発生が抑制される。
【0010】更に、グラスライニング層と絶縁体とを互
いに融着すれば、グラスライニング層と絶縁層との間に
は完全に間隙が存在しなくなり、気体放電の発生が更に
抑制されるとともに、間隙部分の材料表面に吸着又は吸
蔵された水分や有機成分が、真空中でのベーキングによ
り放出される現象が抑制される。
いに融着すれば、グラスライニング層と絶縁層との間に
は完全に間隙が存在しなくなり、気体放電の発生が更に
抑制されるとともに、間隙部分の材料表面に吸着又は吸
蔵された水分や有機成分が、真空中でのベーキングによ
り放出される現象が抑制される。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明の高耐圧無放電対電極は、電子ビー
ム、イオンビーム等の荷電粒子発生器、荷電粒子加速
器、電子顕微鏡、マイクロ波管等に於いて、真空中で使
用されるものであり、互いに対向する2つの電極と、こ
れらの電極の間に挟持された絶縁体とを備えている。こ
れらの電極の表面には、グラスライニング層が形成され
ている。グラスライニング層は、少なくとも互いに対向
している側の面、即ち、絶縁体を挟持している側の面に
形成されていればよい。絶縁体としては、チッ化ケイ素
セラミックス、アルミナ磁器、石英ガラス、ソーダ石灰
ガラス、ホウケイ酸ガラス等が用いられる。ライニング
層の形成により、電極の表面には隙間が存在せず、気体
放電が発生し始める電圧の値を高くすることができる。
て説明する。本発明の高耐圧無放電対電極は、電子ビー
ム、イオンビーム等の荷電粒子発生器、荷電粒子加速
器、電子顕微鏡、マイクロ波管等に於いて、真空中で使
用されるものであり、互いに対向する2つの電極と、こ
れらの電極の間に挟持された絶縁体とを備えている。こ
れらの電極の表面には、グラスライニング層が形成され
ている。グラスライニング層は、少なくとも互いに対向
している側の面、即ち、絶縁体を挟持している側の面に
形成されていればよい。絶縁体としては、チッ化ケイ素
セラミックス、アルミナ磁器、石英ガラス、ソーダ石灰
ガラス、ホウケイ酸ガラス等が用いられる。ライニング
層の形成により、電極の表面には隙間が存在せず、気体
放電が発生し始める電圧の値を高くすることができる。
【0012】本発明の一実施態様では、絶縁体の材料を
グラスライニング層の材料と同じにすることができる。
通常、グラスライニング層の材料はソーダ石灰ガラスと
ほぼ同じなので、絶縁体にはソーダ石灰ガラスを使用す
ることができる。絶縁体の材料とグラスライニング層の
材料とが実質的に同じであればこれらの誘電率が等しく
なり、2つの電極の間の電位勾配を均一にすることがで
き、気体放電の発生を抑制することができる。
グラスライニング層の材料と同じにすることができる。
通常、グラスライニング層の材料はソーダ石灰ガラスと
ほぼ同じなので、絶縁体にはソーダ石灰ガラスを使用す
ることができる。絶縁体の材料とグラスライニング層の
材料とが実質的に同じであればこれらの誘電率が等しく
なり、2つの電極の間の電位勾配を均一にすることがで
き、気体放電の発生を抑制することができる。
【0013】更に、グラスライニング層と絶縁体とを互
いに融着すれば、2つの電極のグラスライニング層と絶
縁体との間には間隙が存在せず、更に気体放電の発生を
抑制することができる。更に、間隙部分の材料表面に吸
着又は吸蔵された水分や有機成分が、真空中でのベーキ
ングにより放出される現象も抑制される。
いに融着すれば、2つの電極のグラスライニング層と絶
縁体との間には間隙が存在せず、更に気体放電の発生を
抑制することができる。更に、間隙部分の材料表面に吸
着又は吸蔵された水分や有機成分が、真空中でのベーキ
ングにより放出される現象も抑制される。
【0014】
【実施例】図1は電極の表面にグラスライニング層を形
成した本発明の高耐圧無放電対電極の実施例の性能をテ
ストするためのサンプル1を示している。本実施例のサ
ンプル1は、2つの互いに対向する電極12,13を有
し、これらの電極12,13の表面にはグラスライニン
グ加工が施されており、それぞれグラスライニング層1
4,15が形成されている。グラスライニング層14,
15はソーダ石灰ガラスとほぼ同じ組成を有している。
グラスライニング層14,15を形成した電極12,1
3の間には、アルミナからなる絶縁体16が挟持されて
いる。サンプル1は、電極12,13と絶縁体16とを
適当な治具を用いて押圧した状態で、後述する耐電圧テ
ストに供される。
成した本発明の高耐圧無放電対電極の実施例の性能をテ
ストするためのサンプル1を示している。本実施例のサ
ンプル1は、2つの互いに対向する電極12,13を有
し、これらの電極12,13の表面にはグラスライニン
グ加工が施されており、それぞれグラスライニング層1
4,15が形成されている。グラスライニング層14,
15はソーダ石灰ガラスとほぼ同じ組成を有している。
グラスライニング層14,15を形成した電極12,1
3の間には、アルミナからなる絶縁体16が挟持されて
いる。サンプル1は、電極12,13と絶縁体16とを
適当な治具を用いて押圧した状態で、後述する耐電圧テ
ストに供される。
【0015】図2は本発明の高耐圧無放電対電極の他の
実施例の性能をテストするためのサンプル2を示してい
る。本実施例のサンプル2は、電極12,13と絶縁体
16とがネジ18,18によって密着固定されている点
を除いて、図1のサンプル1と同様であり、対応する要
素には同じ符号を付してある。
実施例の性能をテストするためのサンプル2を示してい
る。本実施例のサンプル2は、電極12,13と絶縁体
16とがネジ18,18によって密着固定されている点
を除いて、図1のサンプル1と同様であり、対応する要
素には同じ符号を付してある。
【0016】図3は本発明の高耐圧無放電対電極の更に
他の実施例の性能をテストするためのサンプル3を示し
ている。本実施例のサンプル3では、絶縁体16は電極
12,13の表面に形成されたグラスライニング層1
4,15とほぼ同様の組成を有するソーダ石灰ガラスか
らなり、絶縁体16とグラスライニング層14,15と
は融着されて一体となっている。サンプル3は、図5に
示すように、治具17を用いて作製することができる。
即ち、固定ボルト18によって固定板19が所定の距離
に保持され、この固定板19に、グラスライニング層1
4を形成した電極12とグラスライニング層15を形成
した電極13とその間に挟まれた絶縁体16とがボルト
20,20によって固定される。このように固定した
後、炉に入れてグラスライニング加工処理の場合と同程
度の温度、即ち800℃で1時間加熱融着し、炉内で冷
却することにより、本実施例のサンプル3を得た。
他の実施例の性能をテストするためのサンプル3を示し
ている。本実施例のサンプル3では、絶縁体16は電極
12,13の表面に形成されたグラスライニング層1
4,15とほぼ同様の組成を有するソーダ石灰ガラスか
らなり、絶縁体16とグラスライニング層14,15と
は融着されて一体となっている。サンプル3は、図5に
示すように、治具17を用いて作製することができる。
即ち、固定ボルト18によって固定板19が所定の距離
に保持され、この固定板19に、グラスライニング層1
4を形成した電極12とグラスライニング層15を形成
した電極13とその間に挟まれた絶縁体16とがボルト
20,20によって固定される。このように固定した
後、炉に入れてグラスライニング加工処理の場合と同程
度の温度、即ち800℃で1時間加熱融着し、炉内で冷
却することにより、本実施例のサンプル3を得た。
【0017】図4は比較のための従来の高耐圧無放電対
電極の性能をテストするための比較例のサンプル4を示
している。このサンプル4では、電極12,13の表面
にはグラスライニング層は形成されておらず、電極1
2,13と絶縁体16とが直接接する状態でネジ18,
18によって密着固定されている。
電極の性能をテストするための比較例のサンプル4を示
している。このサンプル4では、電極12,13の表面
にはグラスライニング層は形成されておらず、電極1
2,13と絶縁体16とが直接接する状態でネジ18,
18によって密着固定されている。
【0018】上述のサンプル1〜4を用いて真空度10
-5Torrで耐電圧テストを行った。その結果を図6に示
す。同図は2つの電極12,13の間に印可される電圧
を徐々に大きくし、気体放電が発生した電圧をプロット
したものであり、縦軸は電圧(kV)、横軸は放電回数
である。
-5Torrで耐電圧テストを行った。その結果を図6に示
す。同図は2つの電極12,13の間に印可される電圧
を徐々に大きくし、気体放電が発生した電圧をプロット
したものであり、縦軸は電圧(kV)、横軸は放電回数
である。
【0019】同図から、グラスライニング層を有してい
ない比較例のサンプル4では、耐電圧が50kV前後と
低くなっている。耐電圧が低いのは、電極12,13の
表面に微細な凹凸が存在し、この凹凸と絶縁体16との
間で気体放電が発生するからである。なお、放電回数を
重ねるに従って耐電圧が上昇する傾向が見られるのは、
放電によって電極12,13の表面に存在する微細な凹
凸が破壊され、平坦化されるからであると推測される。
ない比較例のサンプル4では、耐電圧が50kV前後と
低くなっている。耐電圧が低いのは、電極12,13の
表面に微細な凹凸が存在し、この凹凸と絶縁体16との
間で気体放電が発生するからである。なお、放電回数を
重ねるに従って耐電圧が上昇する傾向が見られるのは、
放電によって電極12,13の表面に存在する微細な凹
凸が破壊され、平坦化されるからであると推測される。
【0020】一方、実施例のサンプル1では、初期の放
電電圧は高く、放電回数を重ねると更に放電電圧が上昇
する傾向が見られる。このように放電電圧が高いのは、
電極12,13と絶縁体16との間にグラスライニング
層14,15が介在しているからであると考えられる。
なお、放電回数を重ねるに従って耐電圧が上昇する傾向
が見られるのは、放電によって間隙部分のグラスライニ
ング層の表面に存在する吸着又は吸蔵された物質の揮発
が抑制されるからであると推測される。
電電圧は高く、放電回数を重ねると更に放電電圧が上昇
する傾向が見られる。このように放電電圧が高いのは、
電極12,13と絶縁体16との間にグラスライニング
層14,15が介在しているからであると考えられる。
なお、放電回数を重ねるに従って耐電圧が上昇する傾向
が見られるのは、放電によって間隙部分のグラスライニ
ング層の表面に存在する吸着又は吸蔵された物質の揮発
が抑制されるからであると推測される。
【0021】また、実施例2のサンプル2では、初期の
放電電圧は高く、実用的なレベルであった。しかし、放
電回数を重ねると徐々に放電電圧が低下する傾向が見ら
れた。これは、サンプル2ではネジ部18等の複雑な構
造部分が露出しているため、この部分からの気体の放出
や気体放電が影響していると考えられる。
放電電圧は高く、実用的なレベルであった。しかし、放
電回数を重ねると徐々に放電電圧が低下する傾向が見ら
れた。これは、サンプル2ではネジ部18等の複雑な構
造部分が露出しているため、この部分からの気体の放出
や気体放電が影響していると考えられる。
【0022】更に、実施例のサンプル3では、初期の放
電電圧は前述のサンプル1、2及び4に比較して格段に
高くなっている。これは、電極12,グラスライニング
層14,絶縁体16,グラスライニング層15及び電極
13の間には全く間隙が存在しないからである。
電電圧は前述のサンプル1、2及び4に比較して格段に
高くなっている。これは、電極12,グラスライニング
層14,絶縁体16,グラスライニング層15及び電極
13の間には全く間隙が存在しないからである。
【0023】図7は図1のサンプル1と同様の構成によ
り作製した電子ビーム発生器を示しており、この電子ビ
ーム発生器は、無放電対電極21を有している。無放電
対電極21は、互いに対向する2つのドーナツ状の電極
22,23を備え、これらの電極22,23の表面には
グラスライニング加工によりグラスライニング層24,
25が形成されている。グラスライニング層24,25
を形成した電極22,23の間には、ドーナツ状の絶縁
体26が挟持されている。これ以外の要素は従来技術の
説明のための図8と同じであり、対応する要素には同じ
符号が付してある。なお、図7では1つの無放電対電極
21のみを記載したが、得られる電子の速度を高めるた
めに、更にこの対電極21の下方に絶縁体を挟んで1又
は複数個の同じ対電極21を連ねてもよい。本実施例の
電子ビーム発生器に於いては対電極21に高い電圧を印
可することができ、高速の電子ビームを得ることができ
た。
り作製した電子ビーム発生器を示しており、この電子ビ
ーム発生器は、無放電対電極21を有している。無放電
対電極21は、互いに対向する2つのドーナツ状の電極
22,23を備え、これらの電極22,23の表面には
グラスライニング加工によりグラスライニング層24,
25が形成されている。グラスライニング層24,25
を形成した電極22,23の間には、ドーナツ状の絶縁
体26が挟持されている。これ以外の要素は従来技術の
説明のための図8と同じであり、対応する要素には同じ
符号が付してある。なお、図7では1つの無放電対電極
21のみを記載したが、得られる電子の速度を高めるた
めに、更にこの対電極21の下方に絶縁体を挟んで1又
は複数個の同じ対電極21を連ねてもよい。本実施例の
電子ビーム発生器に於いては対電極21に高い電圧を印
可することができ、高速の電子ビームを得ることができ
た。
【0024】
【発明の効果】本発明の無放電対電極では、高い電圧が
印可される2つの電極の互いに対向する面にグラスライ
ニング層が形成されているので、気体放電の発生が抑制
され、また、気体放電が発生するまで高い電圧を印可し
たとしても電極材料の劣化は殆ど見られない。
印可される2つの電極の互いに対向する面にグラスライ
ニング層が形成されているので、気体放電の発生が抑制
され、また、気体放電が発生するまで高い電圧を印可し
たとしても電極材料の劣化は殆ど見られない。
【0025】また、絶縁体の材料をグラスライニング層
の材料と同じにすることにより、これらの誘電率が等し
くなり、2つの電極の間の電位勾配を均一にして気体放
電の発生を抑制することができる。
の材料と同じにすることにより、これらの誘電率が等し
くなり、2つの電極の間の電位勾配を均一にして気体放
電の発生を抑制することができる。
【0026】更に、グラスライニング層と絶縁体とを互
いに融着した構成では、高電圧が印可される2つの電
極、これらの電極表面のグラスライニング層、及び絶縁
体の間には全く間隙が存在しなくなるので、気体放電の
発生を更に抑制することができるとともに、間隙部分の
材料表面に吸着又は吸蔵された水分や有機成分の揮発を
抑制することができる。
いに融着した構成では、高電圧が印可される2つの電
極、これらの電極表面のグラスライニング層、及び絶縁
体の間には全く間隙が存在しなくなるので、気体放電の
発生を更に抑制することができるとともに、間隙部分の
材料表面に吸着又は吸蔵された水分や有機成分の揮発を
抑制することができる。
【0027】従って、本発明の高耐圧無放電対電極を、
例えば電子ビーム、イオンビーム等の荷電粒子発生器、
荷電粒子加速器、電子顕微鏡、マイクロ波管等に使用す
れば、高速の加速粒子を得ることができる。
例えば電子ビーム、イオンビーム等の荷電粒子発生器、
荷電粒子加速器、電子顕微鏡、マイクロ波管等に使用す
れば、高速の加速粒子を得ることができる。
【図1】電極の表面にグラスライニング層を形成した本
発明の高耐圧無放電対電極の実施例の性能をテストする
ためのサンプルを示す断面図である。
発明の高耐圧無放電対電極の実施例の性能をテストする
ためのサンプルを示す断面図である。
【図2】本発明の高耐圧無放電対電極の他の実施例の性
能をテストするためのサンプルを示す断面図である。
能をテストするためのサンプルを示す断面図である。
【図3】本発明の高耐圧無放電対電極の更に他の実施例
の性能をテストするためのサンプルを示す断面図であ
る。
の性能をテストするためのサンプルを示す断面図であ
る。
【図4】比較のための従来の高耐圧無放電対電極の性能
をテストするための比較例のサンプルを示す断面図であ
る。
をテストするための比較例のサンプルを示す断面図であ
る。
【図5】図3のサンプルの作製方法を示す側面図であ
る。
る。
【図6】図1〜4のサンプルについて行った耐電圧テス
トの結果を示す図である。
トの結果を示す図である。
【図7】図1の構成により作製した電子ビーム発生器を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図8】従来の電子ビーム発生器の断面模式図である。
【図9】図8の従来の電子ビーム発生器の外観を示す斜
視図である。
視図である。
【図10】従来の無放電対電極に於ける気体放電の発生
部分を示す断面図である。
部分を示す断面図である。
1,2,3,4 サンプル 12,13 電極 14,15 グラスライニング層 16 絶縁体 21 無放電対電極
Claims (3)
- 【請求項1】 互いに対向する2つの電極と、該電極の
間に挟持された絶縁体とを備えた真空中で使用される高
耐圧無放電対電極であって、前記2つの電極の少なくと
も互いに対向して前記絶縁体を挟持している側の面にグ
ラスライニング層がそれぞれ形成されていることを特徴
とする高耐圧無放電対電極。 - 【請求項2】 前記絶縁体の材料が、前記グラスライニ
ング層の材料と同じである請求項1記載の高耐圧無放電
対電極。 - 【請求項3】 前記グラスライニング層と前記絶縁体と
を互いに融着したことを特徴とする請求項1又は2記載
の高耐圧無放電対電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8197311A JPH1040844A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 高耐圧無放電対電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8197311A JPH1040844A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 高耐圧無放電対電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1040844A true JPH1040844A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16372353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8197311A Pending JPH1040844A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 高耐圧無放電対電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1040844A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010186756A (ja) * | 2010-05-20 | 2010-08-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子加速装置 |
| JP2012033297A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子銃 |
| JP2012504843A (ja) * | 2008-10-01 | 2012-02-23 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 静電レンズ構造体 |
-
1996
- 1996-07-26 JP JP8197311A patent/JPH1040844A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012504843A (ja) * | 2008-10-01 | 2012-02-23 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 静電レンズ構造体 |
| USRE46452E1 (en) | 2008-10-01 | 2017-06-27 | Mapper Lithography Ip B.V. | Electrostatic lens structure |
| JP2010186756A (ja) * | 2010-05-20 | 2010-08-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子加速装置 |
| JP2012033297A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子銃 |
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