JPH104325A - 高周波増幅器、高周波通信機、能動半導体装置、インピーダンス整合装置及びリードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安価で汎用性の高い高周波増幅器を提供す
る。 【解決手段】 プリント基板からなる母基板２１９の上
に、能動素子２０１を内蔵する能動半導体装置２５１
と、各々複数の受動素子を内蔵する入力インピーダンス
整合装置２５２及び出力インピーダンス整合装置２５３
とを搭載する。各インピーダンス整合装置２５２，２５
３と能動半導体装置２５１との間の距離に応じて、各イ
ンピーダンス整合回路２５２，２５３中の各受動素子に
よりインピーダンスを整合させる。母基板２１９の上に
は、伝送線路２２０をプリントによって形成する。各装
置２５１，２５２，２５３は樹脂封止型パッケージ内に
収納され、半田実装により母基板２１９上に搭載され
る。これにより、各装置２５１，２５２，２５３を個別
に取り付け，取り外しできる構造となり、安価で周波数
やシステムの相違に対して汎用性の高い高周波増幅器を
提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信等に用
いられる高周波増幅器と、この高周波増幅器に関連する
装置や、高周波増幅器を形成するためのリードフレーム
の構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、世界各地域で様々な移動体通信シ
ステムが実用化されており、この移動通信システム内に
は高周波信号を増幅するための能動素子を内蔵する高周
波増幅器が搭載されている。この高周波増幅器には各々
のシステムに対応した周波数特性、出力電力特性、効率
特性、歪特性等が求められており、このような諸特性を
実現するために、従来より、高周波増幅回路の各回路要
素を組み込んで高周波増幅器として機能させるようにし
たデバイスの構造について多くの工夫がなされている。
例えば、能動素子と受動素子により構成された整合回路
を同一半導体チップ上に一体形成したＭＭＩＣや、能動
半導体装置とチップコンデンサ，チップインダクタ，チ
ップ抵抗などのチップ部品及びプリント基板により構成
された整合回路を一つのパッケージに封止したモジュー
ル、あるいは能動半導体装置と高周波整合装置とを一つ
のパッケージに封止したマルチチップモジュール（ＭＣ
Ｍ）などがある。

【０００３】以下、図面を参照しながら、高周波増幅回
路の各回路要素を組み込んだ上記従来のＭＭＩＣ、モジ
ュール、ＭＣＭについて説明する。

【０００４】まず、高周波増幅回路中の回路要素につい
て説明する。図１５は、高周波増幅回路の基本的な構成
を示すブロック図である。同図において、１０１はＦＥ
Ｔなどの能動素子、１０２は入力インピーダンス整合回
路（以下、単に入力整合回路という）、１０３は出力イ
ンピーダンス整合回路（以下、単に出力整合回路とい
う）を示す。能動素子は、主としてＧａＡｓ基板上に形
成されるＭＥＳＦＥＴなどで構成され、各整合回路は、
回路要素として、抵抗，インダクタ，キャパシタ等の受
動素子を備えている。そして、受動素子は、基板上に直
接形成されるものと、チップとして基板上に搭載される
ものとがある。一般的に、高周波増幅回路においては、
能動素子１０１の良好な特性を得るために、各整合回路
１０２，１０３によってその使用周波数で最適電源イン
ピーダンス及び負荷インピーダンスを実現することが行
われており、能動素子１０１が同一であっても使用周波
数、歪などの求められる特性が異なると、各整合回路１
０２，１０３の構成も異なるものとなっていた。

【０００５】図１６は、上記回路要素を組み込んだ高周
波増幅器として機能する従来のＭＭＩＣの構造を概略的
に示す平面図である。同図に示すように、ＭＭＩＣ内に
おいて、能動素子２００１と、入力整合回路２００２
と、出力整合回路２００３との全て若しくは大部分が共
通のＧａＡｓ半導体チップ２００４上に配設されてお
り、これがダイパッド２００５にダイスボンディングさ
れている。外部との電気的接続はリード２００６とボン
ディングワイヤー２００７とにより行われている。そし
て、各部材２００，２００２，…の全体が樹脂２００８
によってモールドされパッケージ内に封止されている
（例えば プレスジャーナル 月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ １９９４．１１ ｐｐ．６２−
６８）。

【０００６】図１７は、上記回路要素を組み込んだ高周
波増幅器として機能する従来のモジュールの構造を概略
的に示す平面図である。同図に示すように、ＧａＡｓ半
導体チップ２１０２上には能動素子２１０１が形成され
ており、ＧａＡｓ半導体チップ２１０２はリード（図示
せず）と共に樹脂２１０４により封止されている。そし
て、プリント基板２１０５に、ＧａＡｓ半導体チップ２
１０２が半田実装されているとともに、入力整合回路２
１０６及び出力整合回路２１０７が配設されている。入
力整合回路２１０６及び出力整合回路２１０７の全て若
しくは大部分は、プリント基板２１０５上に半田実装さ
れた複数のチップ部品（図示せず）とプリント基板２１
０５上にプリントされた伝送線路（図示せず）とにより
実現されている。外部との電気的接続は、プリント基板
２１０５に半田実装されたリード２１０８によって行わ
れている。そして、このプリント基板２１０５の上に金
属製のキャップ（図示せず）をかぶせることによりパッ
ケージが構成される（例えばＩＥＥＥ ＭＴＴ−ｓ Ｉ
ｎｔ． Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｙｍｐｏ． Ｄｉｇｅ
ｓｔ １９９２ ｐｐ．１５１７−１５２０）。

【０００７】図１８は、上記回路要素を組み込んだ高周
波増幅器として機能する従来のＭＣＭの構造を概略的に
示す平面図である。同図に示すように、能動素子２２０
１はＧａＡｓ半導体チップ２２０２上に形成されてい
る。そして、セラミック基板２２０３上に、能動素子２
２０１がダイスボンドされているとともに、入力整合回
路２２０６及び出力整合回路２２０５が設けられてい
る。入力整合回路２２０４、出力整合回路２２０５の全
て若しくは大部分は、それぞれ、ＧａＡｓ半導体チップ
２２０６、２２０７上に一体形成され、能動素子２２０
１が形成されたＧａＡｓ半導体チップ２２０２と同様
に、セラミック基板２２０３にダイスボンドされてい
る。各々の半導体チップ２２０１，２２０６，２２０７
間の電気的接続はボンディングワイヤー２２０８により
行われ、外部との電気的接続はリード２２０９とボンデ
ィングワイヤー２２１０により行われる。このセラミッ
ク基板２２０３上に金属製キャップ（図示せず）をかぶ
せることによりパッケージが完成する（例えばＮａｔｉ
ｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ Ｖｏ
ｌ．３９ Ｎｏ．６ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９９３ ｐ
ｐ．７２２−７２８）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、各回路
要素を搭載して高周波増幅器として機能させるためのデ
バイスの構造として、上記従来のようなデバイスの構造
については、それぞれ以下のような問題があった。

【０００９】ＭＭＩＣでは、量産化が比較的容易で使用
上の便利であるという利点を有するものの、製造コスト
が高いという問題がある。すなわち、一般的にＦＥＴ等
の能動素子の歩留まりは受動素子の歩留まりよりも低い
ので、ＭＭＩＣ全体の歩留まりは能動素子の歩留まりに
左右される。しかるに、能動素子よりも受動素子の方が
大面積を必要とするために、本来良品である大面積の受
動素子が小面積の能動素子の不良のために無駄になるこ
とで、ＭＭＩＣ全体としての製造コストが大きくなるの
である。また、場合によっては、ＭＭＩＣ内にＦＥＴと
一体形成するために実現できない受動素子が生じてい
た。

【００１０】モジュールやＭＣＭでは、高い性能を発揮
し得るものの、最終的に実装される通信機のプリント基
板（以下母基板と記す）以外に中間的なプリント基板２
１０５，セラミック基板２２０３等の基板や、金属製キ
ャップが必要となるので、モジュールやＭＣＭの部品コ
ストが高くなるとともに組立コストも高くなるので、全
体としてのコストがどうしても高くなる。

【００１１】本発明は斯かる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、高周波増幅器に関するデバイスにお
いて、高周波増幅器を構成する要素の１つである能動素
子の不良によって高周波増幅器の他の要素が無駄になる
のを防止することで製造コストの低減を図りつつ、さら
に、異なる周波数及び異なるシステムに容易に対応でき
る高周波増幅器や高周波増幅器に関するデバイスの提供
を図ることにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、請求項１〜１０に記載される高周波増
幅器に関する手段と、請求項１１〜１６に記載される能
動半導体装置に関する手段と、請求項１７〜２２に記載
されるインピーダンス整合装置に関する手段と、請求項
２３及び２４に記載されるリードフレームに関する手段
と、請求項２４〜２８に記載される高周波通信機に関す
る手段とを講じている。

【００１３】請求項１に係る高周波増幅器は、第１の基
板上に形成された少なくとも１つの能動素子を有する能
動半導体装置と、第２の基板上に形成された複数の受動
素子により構成され、上記能動半導体装置の入力信号及
び出力信号のうち少なくとも一方のインピーダンスを整
合するためのインピーダンス整合装置と、上記能動半導
体装置及び上記インピーダンス整合装置を共通に搭載す
るためのプリント基板とを備え、上記プリント基板に
は、上記能動半導体装置と上記インピーダンス整合装置
とが高周波信号のインピーダンスを整合するために必要
な距離を隔てて実装するための取付部と、該各取付部の
間で高周波信号を伝送するための複数の伝送線路とが設
けられている。

【００１４】この構成により、プリント基板上で、能動
素子を含む能動半導体装置と受動素子のみインピーダン
ス整合装置とが互いに分離して取り付けたり取り外した
りすることが可能な構成となっているので、能動半導体
装置とプリント基板を共通に使用しながら、使用周波数
やシステムの種類に応じてインピーダンス整合装置を適
宜選択することが可能になる。また、能動半導体装置が
不良の場合にはインピーダンス整合装置を犠牲にするこ
となく能動半導体装置のみを取り替えることもできる。
したがって、組み立て工程の簡略化と相俟って、安価で
汎用性のある高周波増幅器が構成されることになる。

【００１５】請求項２に係る高周波増幅器は、請求項１
において、上記インピーダンス整合装置は、上記能動半
導体装置への入力信号のインピーダンスを整合するため
の入力インピーダンス整合装置と、上記能動半導体装置
からの出力信号のインピーダンスを整合するための出力
インピーダンス整合装置とを含むように構成したもので
ある。

【００１６】請求項３に係る高周波増幅器は、請求項２
において、上記入力インピーダンス整合装置と上記出力
インピーダンス整合装置とを、共通の第２の基板上に形
成したものである。

【００１７】請求項２又は３の構成により、構造が簡略
化されるとともに、組み立てがさらに容易になる。

【００１８】請求項４に係る高周波増幅器は、請求項１
において、上記能動半導体装置を前段側の能動素子と能
動半導体装置とを有するように構成し、上記インピーダ
ンス整合装置を、上記前段側の能動素子への入力信号の
インピーダンスを整合するための入力インピーダンス整
合装置と、上記前段側の能動素子から後段側の能動素子
への信号のインピーダンスを整合するための段間インピ
ーダンス整合装置と、上記後段側の能動素子からの出力
信号のインピーダンスを整合するための出力インピーダ
ンス整合装置とを有するように構成したものである。

【００１９】この構成により、前段側能動素子と後段側
能動素子とが設けられていることで高周波増幅器の性能
が向上する。

【００２０】請求項５に係る高周波増幅器は、請求項４
において、上記入力インピーダンス整合装置と上記出力
インピーダンス整合装置とを、共通の第２の基板上に形
成したものである。

【００２１】請求項６に係る高周波増幅器は、請求項４
又は５において、上記前段側の能動素子と後段側の能動
素子とを、共通の第１の基板上に搭載したものである。

【００２２】請求項５又は６の構成により、構造が簡略
化される。

【００２３】請求項７に係る高周波増幅器は、請求項３
又は５において、上記能動半導体装置を、上記第１の基
板を搭載するためのダイパッドと、上記能動素子への信
号の入出力を行なうための入出力用リードとを有し、か
つ方形パッケージ内に収納されているように構成し、上
記入出力用リードを上記方形パッケージの１つの辺のみ
に設けたものである。

【００２４】この構成により、能動半導体装置の入出力
用リードと一体化されたインピーダンス整合装置の各受
動素子とを対峙させることが容易となり、プリント基板
上の伝送線路を短くすることができる。

【００２５】請求項８に係る高周波増幅器は、請求項
１，２，３，４，５又は６において、上記インピーダン
ス整合装置を、上記第２の基板を搭載するためのダイパ
ッドと、インピーダンス整合装置内の各受動素子への信
号の入出力を行なうための入出力用リードとを有し１つ
のパッケージ内に収納されたものとし、上記パッケージ
内に、上記能動半導体装置の能動素子のドレインとドレ
インバイアス供給用電源との間に介設され、上記インピ
ーダンス整合装置内の各受動素子を通過することなく上
記パッケージ内を貫通する貫通リードを設ける構成とし
たものである。

【００２６】請求項９に係る高周波増幅器は、請求項８
において、上記貫通リードを、上記インピーダンス整合
装置内のキャパシタとして機能する受動素子を介して接
地させたものである。

【００２７】請求項８又は９の構成により、ドレインバ
イアス供給用電源からＤＣ信号であるドレインバイアス
がインピーダンス整合装置内の受動素子を通過すること
なく印加されるので、ドレインバイアスの電圧降下が小
さくなる。また、貫通リードが高周波信号に対して伝送
線路として機能するので、能動素子の負荷インピーダン
スの整合をとるのが容易になる。

【００２８】請求項１０に係る高周波増幅器は、請求項
１において、上記プリント基板上で上記複数の伝送線路
を互いに交差させないように構成したものである。

【００２９】この構成により、通常プリントによって形
成される伝送線路のインピーダンス等の特性のばらつき
が小さくなる。

【００３０】請求項１１に係る能動半導体装置は、プリ
ント基板上にインピーダンス整合装置と共に搭載されて
高周波増幅器を構成するための能動半導体装置であっ
て、半導体基板と、半導体基板上に形成された能動素子
と、上記半導体基板を搭載するためのダイパッドと、上
記能動素子への信号の入出力を行なうための入出力用リ
ードとを備え、上記各部材が共通のパッケージ内に収納
され、かつ上記プリント基板上に半田実装することが可
能に構成されているとともに、上記入出力用リードは上
記方形パッケージの１つの辺に配設されている。

【００３１】この構成により、高周波増幅器を構成する
際に入出力用リードをインピーダンス整合装置の各受動
素子に対峙させてプリント基板上に取り付けることが可
能となり、高周波増幅器をインピーダンス整合装置とは
独立して取り付け，取り外しの容易な能動半導体装置が
構成される。

【００３２】請求項１２に係る能動半導体装置は、請求
項１１において、上記方形パッケージの各辺のうち上記
入出力リードが配設された辺以外の辺に、ダイパッドと
接地とを接続するための接地用リードを設ける構成とし
たものである。

【００３３】請求項１３に係る能動半導体装置は、請求
項１２において、上記接地用リードを、上記方形パッケ
ージの各辺のうち上記入出力用リードが配設された辺以
外のすべての辺に配設したものである。

【００３４】請求項１４に係る能動半導体装置は、請求
項１２又は１３において、上記能動素子のソースに接続
される電極を、上記ダイパッドにボンディングワイヤを
介して接続する構成としたものである。

【００３５】請求項１２，１３又は１４の構成により、
多くの接地リードによってソースが接地されるので、高
周波特性に影響を与えるソースインダクタンスを低減で
きるとともに、熱放散特性が向上する。

【００３６】請求項１５に記載されるように、請求項１
１において、上記パッケージを樹脂により封止する構成
とすることが好ましい。

【００３７】請求項１６に係る能動半導体装置は、請求
項１１において、上記能動半導体装置の入出力用リード
のうちいずれかの２以上の入出力用リードを、上記能動
素子上の共通の電極にボンディングワイヤで接続する構
成としたものである。

【００３８】この構成により、ある電極に対してＤＣ信
号とＲＦ信号とを入力させるためのリードを分離するこ
とが可能となり、ＤＣ信号とＲＦ信号との干渉を可及的
に低減することが可能となる。

【００３９】請求項１７に係るインピーダンス整合装置
は、１つのプリント基板上に、能動半導体装置と共に搭
載されて高周波増幅器を構成するためのインピーダンス
整合装置であって、基板と、上記基板上に形成され上記
プリント基板上で上記能動半導体装置への入力信号及び
出力信号のうち少なくともいずれか一方のインピーダン
スを整合させるように構成された複数の受動素子と、上
記基板が搭載されるダイパッドと、上記複数の受動素子
のうち少なくとも１つの受動素子への信号の入出力を行
なうための複数のリードとを備え、上記各部材が共通の
パッケージ内に収納され、かつ上記プリント基板上に半
田実装することが可能に構成されている。

【００４０】この構成により、高周波増幅器の異なる周
波数，異なるシステムに対して互換性のあるインピーダ
ンス整合装置が得られる。

【００４１】請求項１８に係るインピーダンス整合装置
は、請求項１７において、上記パッケージを方形パッケ
ージとし、上記複数の入出力用リードのうち能動半導体
装置との間で信号の入出力を行なうためのすべてのリー
ドを上記方形パッケージの１つの辺に配設したものであ
る。

【００４２】請求項１９に記載されるように、請求項１
７において、上記パッケージを樹脂により封止する構成
とすることが好ましい。

【００４３】請求項２０に係るインピーダンス整合装置
は、請求項１７において、上記インピーダンス整合装置
を、上記能動半導体装置への入力信号のインピーダンス
を整合させるための入力インピーダンス整合装置と、上
記能動半導体装置からの出力信号を調整させるための出
力インピーダンス整合装置とを一体化して構成したもの
である。

【００４４】この構成により、インピーダンス整合装置
を形成するための第２の基板の面積が全体として低減で
き、製造コストの低減が可能となる。

【００４５】請求項２１に係るインピーダンス整合装置
は、請求項１７において、上記能動半導体装置の能動素
子のドレインとドレインバイアス供給用電源との間に介
設され、上記各受動素子を通過することなく上記パッケ
ージ内を貫通する貫通リードをさらに備えている。

【００４６】請求項２２に係るインピーダンス整合装置
は、請求項２１において、上記貫通リードを、上記イン
ピーダンス整合装置内のキャパシタとして機能する受動
素子を介して接地する構成としたものである。

【００４７】請求項２１又は２２の構成により、請求項
８又は９と同じ作用が得られる。

【００４８】請求項２３に係るリードフレームは、能動
素子と共に方形パッケージに樹脂封止されるリードフレ
ームであって、上記能動素子が形成された半導体チップ
を搭載するためのダイパッドと、上記パッケージによっ
て封止される方形の樹脂封止領域内において上記ダイパ
ッドと切り離され、上記樹脂封止領域の１つの辺におい
て樹脂封止領域の内方から外方に突出するように形成さ
れた入出力用リードと、上記リードフレームの樹脂で封
止される方形の領域内において上記ダイパッドに接続さ
れ、上記入出力リードが配設される上記樹脂封止領域の
１つの辺以外の辺のうち少なくとも１つの辺において樹
脂封止領域の内方から外方に突出するように形成された
接地用リードとを備えている。

【００４９】請求項２４に係るリードフレームは、請求
項２３において、上記接地用リードを、上記方形の樹脂
封止領域の各辺のうち上記入出力用リードが配設される
辺以外の３つの辺に配設したものである。

【００５０】請求項２３又は２４の構成により、接地機
能及び熱放散機能の高い高周波増幅器を構成するための
リードフレームが構成されることになる。

【００５１】請求項２５に係る高周波通信機は、音声等
の信号を高周波信号に変換するための変調器と、上記変
調器からの出力信号を周波数変換するための周波数変換
器と、上記周波数変換器から出力される高周波信号を増
幅するための高周波増幅器と、上記高周波増幅器からの
出力信号を外部に送信するためのアンテナとを少なくと
も備えた高周波通信機において、上記高周波増幅器は、
第１の基板上に形成された少なくとも１つの能動素子を
有する能動半導体装置と、第２の基板上に形成された複
数の受動素子により構成され、上記能動半導体装置の入
力信号及び出力信号のうち少なくとも一方のインピーダ
ンスを整合するためのインピーダンス整合装置とを備え
るとともに、上記能動半導体装置と、上記インピーダン
ス整合装置と、上記高周波通信機内の上記高周波増幅器
以外の装置中の要素とが、共通のプリント基板上に高周
波信号のインピーダンスを整合するために必要な距離を
隔てて半田実装されている。

【００５２】請求項２６に係る高周波通信機は、請求項
２５において、上記インピーダンス整合装置として、上
記能動半導体装置への入力信号のインピーダンスを整合
するための入力インピーダンス整合装置と、上記能動半
導体装置からの出力信号のインピーダンスを整合するた
めの出力インピーダンス整合装置とを設け、両者を共通
の第２の基板上に形成したものである。

【００５３】請求項２７に係る高周波通信機は、請求項
２５において、上記能動半導体装置は、共通の第１の基
板上に形成された前段側能動素子と後段側能動素子とを
有し、上記インピーダンス整合装置は、上記前段側能動
素子への入力信号のインピーダンスを整合するための入
力インピーダンス整合装置と、上記前段側能動素子から
上記後段側能動素子への信号のインピーダンスを整合す
るための段間インピーダンス整合装置と、上記後段側能
動素子からの出力信号のインピーダンスを整合するため
の出力インピーダンス整合装置とを含み、かつ各インピ
ーダンス整合装置を共通の第２の基板上に形成したもの
である。

【００５４】請求項２８に係る高周波通信機は、請求項
２５，２６又は２７において、上記インピーダンス整合
装置を上記能動半導体装置の能動素子のドレインとドレ
インバイアス供給用電源との間に介設し、上記インピー
ダンス整合装置の各受動素子を通過することなく上記パ
ッケージ内を貫通する貫通リードをさらに設けたもので
ある。

【００５５】請求項２５，２６，２７，２８の構成によ
り、共通のプリント基板上に高周波増幅器と他の要素と
を配置しながら、それぞれ請求項１，３，４，７と同じ
作用を高周波通信機内で奏することができる。

【００５６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の基本的な実施形態
について、図面を参照しながら説明する。

【００５７】まず、以下に説明する各実施形態に共通の
事項について説明する。

【００５８】図１は、本実施形態に係る移動体通信シス
テムの一部の構成を模式的に示す図である。同図におい
て、ＡＮＴは例えば１．９ＧＨｚ帯の電波信号を送受信
するためのアンテナを示し、ＴＲＸ−ＢＰＦは信号中の
雑音成分を除去するためのバンドパスフィルタを示し、
ＡＮＴ−ＳＷは信号の送信・受信を切換えるためのアン
テナ用スイッチを示す。つまり、アンテナ用スイッチが
図中上方に切換わると、送信部ＴＸがアンテナに接続さ
れ、アンテナ用スイッチが図中下方に切換わると、受信
部ＲＸがアンテナに接続される。

【００５９】音声等の信号を外部に送信する際には、上
記送信部において、音声等の信号はＩＮ−ＭＯＤで示さ
れる入力側変調器により高周波信号（ＲＦ信号）に変換
され、ＵＰ−ＭＩＸで示されるミキサにおいて、１ｓｔ
−Ｌｏｃａｌで示される局部発信信号発生器からの局部
発振信号（ＬＯ信号）によって周波数変換を受ける。さ
らに、ＴＸ−ＢＰＦで示される２つのバンドパスフィル
タとＡＬＣで示される低雑音前置増幅器を経たＲＦ信号
は、ＰＡで示される高周波増幅器を経た後、ＩＳＬで示
される遮断器によって直流成分を除去されてから、アン
テナ用スイッチに送られる。

【００６０】一方、外部からの信号を受ける際には、受
信部において、アンテナ用スイッチから送られてきた信
号が、ＲＸ−ＢＰＦで示されるバンドパスフィルタを経
た後、ＤＯＷＮ−ＭＩＸで示されるミキサにおいてＬＯ
信号による周波数変換を受けた後、ＯＵＴ−ＭＯＤで示
される出力側変調器によって音声信号等に変換される。

【００６１】ここで、ＰＡで示される上記高周波増幅器
は、上述の図１５に示すような各回路要素を備えてい
る。すなわち、入力端子１０４から入力される信号のイ
ンピーダンスを整合させるための入力インピーダンス整
合回路１０２（以下、単に入力整合回路という）と、Ｍ
ＥＳＦＥＴ等で構成されＲＦ信号を増幅するための能動
素子１０１と、能動素子１０１からの出力信号を整合さ
せるための出力インピーダンス整合回路１０３（以下、
単に出力整合回路という）と、外部に信号を出力するた
めの出力端子１０５とを回路要素として備えている。

【００６２】このような基本的な構成を前提として、以
下、各実施形態に係る高周波増幅器の構成について説明
する。

【００６３】（第１の実施形態）図２は、第１の実施形
態に係る高周波増幅器の構成を示す平面図である。同図
に示すように、能動素子２０１、入力整合回路２０２及
び出力整合回路２０３はそれぞれＧａＡｓ半導体チップ
２０４，２０５，２０６内に形成されており、上記３個
のＧａＡｓ半導体チップ２０４，２０５，２０６は、そ
れぞれダイパッド２０７，２０８，２０９にダイスボン
ドされている。そして、各ＧａＡｓ半導体チップ２０
４，２０５，２０６は、それぞれボンディングワイヤ２
１３，２１４，２１５によってリード２１０，２１１，
２１２に接続されている。さらに、上記各ＧａＡｓ半導
体チップ２０４，２０５，２０６と、ボンディングワイ
ヤ２１３，２１４，２１５と、各リード２１０，２１
１，２１２とは、それぞれ樹脂２１６，２１７，２１８
によって封止され、それぞれ能動半導体装置２５１、入
力インピーダンス整合装置２５２（以下、単に入力整合
装置という）及び出力インピーダンス整合装置２５３
（以下、単に出力インピーダンス整合装置という）が構
成されている。これらの各装置２５１，２５２，２５３
は、母基板２１９上に直接半田実装されている。また、
母基板２１９上には、適切に設計されプリントされた伝
送線路２２０が設けられており、上記各装置２５１，２
５２，２５３の各リード２１０，２１１，２１２はこの
伝送線路２２０に接続されている。すなわち、入力端子
から入った信号が、各伝送線路，リード及びボンディン
グワイヤを介して、入力整合回路２０２−能動素子２０
１−出力整合回路２０３を順次通過した後、出力端子か
ら出力されるように構成されている。

【００６４】なお、本実施形態及び以下の各実施形態に
おいて、チップやリードがパッケージ封止されたもの全
体を装置として記述し、回路素子が集積されたもはチッ
プとして記述している。

【００６５】本実施形態のような構成とすることによ
り、伝送線路２２０及びリード２１０、２１１、２１２
及びボンディングワイヤ２１３、２１４、２１５によっ
て生じるインピーダンスの変化を加味しながら適切に設
計された入力整合チップ２０５及び出力整合チップ２０
６を用いることにより、能動素子２０１の良好な特性を
実現することができる。

【００６６】また、このような高周波増幅器を、周波数
等の条件が相異なる複数種類のシステム間で共通に使用
する際には、それらのシステムの特性を実現するように
適切に設計された入力整合装置及び出力整合装置に変更
することにより、能動半導体装置を変更することなく対
応することが可能となる。

【００６７】また、能動半導体装置はインピーダンス整
合回路内の全てあるいは大部分の回路要素を含まないた
めそのチップサイズが小さくなり、かつ、他のシステム
にも共通に使用できるため量産効果が得られるので、低
価格化が可能となる。一方、チップサイズの大きいイン
ピーダンス整合装置は歩留まりの高い受動素子のみで構
成されており、かつ、インピーダンス整合装置は能動半
導体装置とは別の樹脂封止体として形成されているため
に、能動半導体装置の不良による影響を受けることはな
い。すなわち、受動素子の高い歩留まりをそのまま生か
せることができ、高周波増幅器全体の低価格化が可能と
なる。

【００６８】なお、本実施形態では高価なＧａＡｓ半導
体基板上にインピーダンス整合回路の回路要素を形成し
たが、安価なセラミック基板上に形成すればさらに低価
格化が可能となる。

【００６９】また、プリント基板を通信機の高周波部の
母基板とすることにより、異なる周波数、異なるシステ
ムに対応した通信機を容易に実現することができ、さら
に、従来のモジュールのようにモジュール用の基板や組
立が不要となり安価な通信機を実現することができる。

【００７０】（第２の実施形態）図３は、第２の実施形
態における高周波増幅器の構成を示す平面図である。図
３において、３０１は方形プラスチックパッケージに樹
脂封止された能動半導体装置、３０２及び３０３はそれ
ぞれ方形プラスチックパッケージに樹脂封止された入力
整合装置及び出力整合装置を示す。これらの各装置３０
１，３０２，３０３は、プリント基板３０４上に、チッ
プコンデンサ３０５，３０６と、チップ抵抗３０７とチ
ップインダクタ３０８と共に半田実装されている。ま
た、プリント基板３０４上には、伝送線路３０９〜３１
４がプリントによって設けられている。さらに、チップ
抵抗３０７及びチップインダクタ３０８につながる配線
には、それぞれスルーホール３１５，３１６を介して直
流電圧が印可される。また、高周波信号はＲＦレセプタ
クル３１７を介して入力されＲＦレセプタクル３１８を
介して出力される。なお、３２１〜３３０はリードを示
す。

【００７１】図４は、上記能動半導体装置３０１を構成
する能動チップ３１９内における素子の配置状態を示す
平面図である。同図に示すように、能動チップ３１９
は、共通のＧａＡｓ半導体基板４０１上に、櫛状のゲー
ト電極４２１を有するマルチフィンガーＭＥＳＦＥＴ４
２０と、６個のボンディング用パッド４０６〜４１１と
を配設して構成されている。４０２及び４０３はソース
配線を、４０４はドレイン配線を、４０５はゲート配線
をそれぞれ示す。ソース配線４０２，４０３はソースパ
ッド４０６〜４０９に、ドレイン配線４０４はドレイン
パッド４１１に、ゲート配線４０５はゲートパッド４１
０にそれぞれ接続されている。

【００７２】なお、本実施形態及び他の実施形態におい
て、ボンディング用パッドも受動素子として扱う。

【００７３】図３に示すように、この能動チップ３１９
はダイパッド３２０上にダイスボンドされている。な
お、このダイパッド３２０の裏面はプリント基板３０４
の接地電極に半田実装されている。そして、図４に示す
４つのソースパッド４０６〜４０９は４本のボンディン
グワイヤを介してそれぞれダイパッド３２０につまりグ
ラウンドに接続され、ゲートパッド４１０は１本のボン
ディングワイヤを介してリード３２１に接続され、ドレ
インパッド４１１は１本のボンディングワイヤを介して
リード３２２に接続されている。

【００７４】図５は、図３に示す入力整合装置３０２を
構成する入力整合チップ３２３内における各受動素子の
配置状態を示す平面図である。入力整合チップ３２３
は、共通のＧａＡｓ半導体基板５０１上に、１個のスパ
イラルインダクタ５０２と、１個のＭＩＭキャパシタ５
０３と、入力パッド５０４と、出力パッド５０５と、２
つの接地用パッド５０６，５０７とを配設して構成され
ている。

【００７５】図３に示す状態では、入力整合チップ３２
３はダイパッド３２４上にダイスボンドされている。な
お、このダイパッド３２４の裏面はプリント基板３０４
の接地電極に半田実装されている。図５に示す接地用パ
ッド５０６，５０７は２本のボンディングワイヤを介し
てダイパッド３２４につまりグラウンドに接続され、入
力パッド５０５は１本のボンディングワイヤを介してリ
ード３２５に接続され、出力パッド５０５は１本のボン
ディングワイヤを介してリード３２６に接続されてい
る。

【００７６】図６は、図３に示す出力整合装置３０３を
構成する出力整合チップ３２７内における各受動素子の
配置状態を示す平面図である。出力整合チップ３０３
は、共通のＧａＡｓ半導体基板６０１上に、１個のスパ
イラルインダクタ６０２と、１個のＭＩＭキャパシタ６
０３と、入力パッド６０４と、出力パッド６０５と、２
つの接地パッド６０６，６０７とを配設して構成されて
いる。出力整合チップ３２７のスパイラルインダクタ６
０２のライン幅は、スパイラルインダクタ６０２の損失
を低減し効率を向上させるために、図５に示す入力整合
チップ３２３のスパイラルインダクタ６０２のライン幅
より大きくしている。

【００７７】図３に示す状態では、出力整合チップ３２
７はダイパッド３２８上にダイスボンドされている。な
お、このダイパッド３２８の裏面はプリント基板３０４
の接地電極に半田実装されている。図６に示す出力整合
チップ３２７の接地パッド６０６，６０７は２本のボン
ディングワイヤを介してダイパッド３２８に接続され、
入力パッド６０４は１本のボンディングワイヤを介して
リード３２９に接続され、出力パッド６０５は１本のボ
ンディングワイヤを介してリード３３０に接続されてい
る。

【００７８】次に、図３〜図６を参照しながら、以上の
ように構成された電力増幅器の機能について説明する。

【００７９】まず、ＤＣバイアスの供給経路に関して説
明する。ドレイン電圧は、スルーホール３１５から供給
され、チョークコイルとして機能するチップインダクタ
３０８を介して能動チップ３１９内のＭＥＳＦＥＴ４２
０（図４参照）に伝達されるが、伝送線路３１３への伝
達はＤＣカットキャパシタとして機能するチップコンデ
ンサ３０５によって遮断される。したがって、ドレイン
電圧は出力整合装置３０３にも入力整合装置３０２にも
供給されない。一方、ゲート電圧はスルーホール３１６
から供給されチップ抵抗３０７を介して能動チップ３１
９内のＭＥＳＦＥＴ４２０に伝達されるが、伝送線路３
１０への伝達はＤＣカットキャパシタとして機能するチ
ップコンデンサ３０６によって遮断される。したがっ
て、ゲート電圧は入力整合装置３０２にも出力整合装置
３０３にも供給されない。

【００８０】次に、高周波特性を決定するインピーダン
スの整合方法について説明する。能動チップ３１９上の
ＭＥＳＦＥＴ４２０から見込んだ負荷インピーダンス
は、能動チップ３１９内のドレインパッド４１１（図４
参照）のボンディングワイヤと、リード３２２，３２
９，３３０と、伝送線路３１２，３１３，３１４と、チ
ップインダクタ３０８と、チップコンデンサ３０５と、
出力整合装置３０３全体と、ＲＦレセプタクル３１８と
によって決定される。したがって、これらの部材全体の
特性を考慮して、出力整合チップ３２７内のスパイラル
インダクタ６０２のインダクタンスやＭＩＭキャパシタ
６０３の容量を設計すれば、最適の負荷インピーダンス
を実現することができる。入力インピーダンスは、能動
チップ３１９内のゲートパッド４１０のボンディングワ
イヤと、リード３２１，３２６，３２６と、伝送線路３
１１，３１０，３０９と、チップインダクタ３０７と、
チップコンデンサ３０６と、入力整合装置３０２全体
と、ＲＦレセプタクル３１７とによって決定される。し
たがって、これらの部材全体の特性を考慮して入力整合
チップ３２３内のスパイラルインダクタ５０２のインダ
クタンスやＭＩＭキャパシタ５０３の容量を設計すれ
ば、最適の入力インピーダンスを実現することができ
る。

【００８１】したがって、本実施形態の高周波増幅器に
おいては、異なる周波数、異なるシステムについて、最
適インピーダンスが異なる場合も、入力整合チップ３２
３や出力整合チップ３２７を変更することにより、最適
インピーダンスを実現することができる。そして、プリ
ント基板３０４上の伝送線路を含むパターンは、周波数
が異なるどのシステムに対しても一定である。従って、
異なる周波数、異なるシステムに対しても、プリント基
板３０４上の伝送線路を含むパターンを変更することな
く共通に使用し、かつ能動半導体装置３０１は共通のも
のを搭載しながら、チップ部品３０５〜３０８，入力整
合装置３０２，出力整合装置３０３を変更するだけで、
良好な特性を実現することができる。

【００８２】特に、本実施形態では、能動半導体装置３
０１、入力整合装置３０２、出力整合装置３０３が、い
ずれも内部にプリント基板やチップ部品を有さず、かつ
単一の半導体チップのみを有し、樹脂封止パッケージに
封止されている。したがって、各装置３０１〜３０３の
内部にプリント基板、チップ部品、キャップなどの部品
が不要であり、組立が容易に行えるため安価な能動半導
体装置、入力整合装置、出力整合装置を実現することが
できる。

【００８３】また、プリント基板３０１を通信機の高周
波部の母基板とすることにより、共通のプリント基板を
使用しながら異なる周波数、異なるシステムに対応した
通信機を容易に実現することができるとともに、上述の
ように能動半導体装置、入力整合装置、出力整合装置の
製造コストが低減される結果、通信機全体の製造コスト
の低減を図ることができる。

【００８４】なお、本実施形態では、伝送線路３０９〜
３１４の特性インピーダンスを５０Ωとし、ＲＦレセプ
タクル３１７，３１８として５０Ω系のものを使用する
ことにより、リード３２５−ＲＦレセプタクル３１７間
のインピーダンスと、リード３３０−ＲＦレセプタクル
３１８間のインピーダンスが所定の規格５０Ωになるよ
うにしている。

【００８５】なお、本実施形態では、入力整合回路、出
力整合回路内の各回路要素を樹脂封止された１つのパッ
ケージに入力整合装置，出力整合装置として一体に形成
し、それを母基板上にハンダ実装するようにしている
が、本発明はかかる実施形態に限定されるものではな
い。すなわち、いずれかの回路要素例えばスパイラルイ
ンダクタ，ＭＩＭキャパシタ等をチップ部品で構成して
これを母基板上に実装するようにしてもよい。ただし、
本実施形態のような構成とすることにより、母基板上に
実装できるチップ部品、プリントパターンの精度、配
置、間隔等に関する制限による配置上の支障をきたすこ
となく、各回路要素の組み込みを円滑に行ないうるとい
う利点が得られる。

【００８６】（第３の実施形態）図７は、第３の実施形
態における高周波２段増幅器の構成を概略的に示す平面
図である。

【００８７】図７に示すように、プリント基板７０４上
には、方形プラスチックパッケージに封止された能動半
導体装置７０１と、方形プラスチックパッケージに封止
された入出力整合装置７０２と、段間整合装置７０３と
が半田実装されている。また、プリント基板７０４上に
は、チップコンデンサ７０４〜７０９と、チップ抵抗７
１０，７１１とが半田実装され、伝送線路７１２〜７２
１がプリントされている。そして、スルーホール７２
２，７２３を介しドレイン電圧が印可され、スルーホー
ル７２４，７２５を介してゲート電圧が印可される。そ
の他の符号を付していないスルーホールは全て接地され
ている。また、７２８，７２９は接地電極である。高周
波信号はＲＦレセプタクル７２６を介して入力され、入
出力整合装置７０２から能動半導体装置７０１に入り、
段間整合装置７０３を経て、再び能動半導体装置７０１
及び入出力整合装置７０２を通過した後、ＲＦレセプタ
クル７２７を介して出力される。

【００８８】図８は、能動半導体装置７０１を構成する
能動チップ７３０内における素子の配置状態を示す平面
図である。能動チップ７３０は、１個のＧａＡｓ半導体
チップ８０１上に、２つのゲート８５１を有する前段Ｍ
ＥＳＦＥＴ８５０と、櫛状の多数のゲート８６１を有す
るマルチフィンガータイプの後段ＭＥＳＦＥＴ８６０
と、合計８個のボンディングパッド８１０〜８１７とを
配設して構成されている。そして、８０３は前段ＭＥＳ
ＦＥＴ８５０のソース配線を、８０４は前段ＭＥＳＦＥ
Ｔ８５０のドレイン配線を、８０５は前段ＭＥＳＦＥＴ
８５０のゲート配線を、８０６及び８０７は後段ＭＥＳ
ＦＥＴ８６０のソース配線を、８０７は後段ＭＥＳＦＥ
Ｔ８６０のドレイン配線を、８０９は後段ＭＥＳＦＥＴ
８６０のゲート配線をそれぞれ示す。前段ＭＥＳＦＥＴ
８５０のソース配線８０３と、後段ＭＥＳＦＥＴ８６０
のソース配線８０７とはコンタクトホールを介して互い
に接続されるとともに、両者は共通ソースパッド８１０
〜８１３に接続されている。前段ＭＥＳＦＥＴ８５０の
ドレイン配線８０４は前段ドレインパッド８１４に接続
され、前段ＭＥＳＦＥＴ８５０のゲート配線８０５はゲ
ートパッド８１５に接続されている。後段ＭＥＳＦＥＴ
８６０のドレイン配線８０８は後段ドレインパッド８１
６に接続され、後段ＭＥＳＦＥＴ８６０のゲート配線８
０９は後段ゲートパッド８１７に接続されている。

【００８９】図７に示す状態で、この能動チップ７３０
はダイパッド７３１上にダイスボンドされている。な
お、このダイパッド７３１はリード７３２，７３３に接
続されプリント基板７０４の接地電極に半田実装されて
いる。能動チップ７３０のソースパッド８１０〜８１３
は４本のボンディングワイヤを介してダイパッド７３１
に接続され、前段ＭＥＳＦＥＴ８５０のゲートパッド８
１５は１本のボンディングワイヤを介してリード７３４
に接続され、前段ＭＥＳＦＥＴ８５０のドレインパッド
８１４は１本のボンディングワイヤを介してリード７３
５に接続され、後段ＭＥＳＦＥＴ８６０のゲートパッド
８１７は１本のボンディングワイヤを介してリード７３
６に接続され、後段ＭＥＳＦＥＴ８６０ドレインパッド
は１本のボンディングワイヤを介してリード７３７に接
続されている。

【００９０】図９は、入出力整合装置７０２を構成する
入出力整合チップ７４１内における素子の配置状態を示
す平面図である。入力整合チップ７４１は、共通のＧａ
Ａｓ半導体基板９０１上に、２個のスパイラルインダク
タ９０２，９０３と、２個のＭＩＭキャパシタ９０４，
９０５と、６個のボンディングパッド９０６〜９１３と
を配設して構成されている。これらの受動素子のうち、
スパイラルインダクタ９０２と、ＭＩＭキャパシタ９０
４と、各ボンディングパッド９０６〜９０９は入力整合
回路の回路要素であり、スパイラルインダクタ９０３
と、ＭＩＭキャパシタ９０５と、ボンディングパッド９
１０〜９１３とが出力整合回路の回路要素である。入力
整合回路において、パッド９０６は入力パッドとして、
パッド９０７は出力パッドとして、パッド９０８，９０
９は接地パッドとしてそれぞれ機能する。出力整合回路
において、パッド９１０は入力パッドとして、パッド９
１１は出力パッドとして、パッド９１２，９１３は接地
パッドとしてそれぞれ機能する。

【００９１】図７に示す状態では、入出力整合チップ７
４０は、ダイパッド７４１上にダイスボンドされてい
る。なお、このダイパッド７４１はリード７４２，７４
３に接続されプリント基板７０４の接地電極に半田実装
されている。入出力整合チップ７４０の各接地パッド９
１２，９１３，９１８，９１９は４本のボンディングワ
イヤを介してダイパッド７４１に接続され、入力整合回
路の入力パッド９０６は１本のボンディングワイヤを介
してリード７４４に接続され、入力整合回路の出力パッ
ド９０７は１本のボンディングワイヤを介してリード７
４５に接続され、出力整合回路の入力パッド９１０は１
本のボンディングワイヤを介してリード７４６に接続さ
れ、出力整合回路の出力パッド９１１は１本のボンディ
ングワイヤを介してリード７４７に接続されている。

【００９２】図１０は、段間整合装置７０３を構成する
段間整合チップ７５０内における素子の配置状態を示す
平面図である。段間整合チップ７５０は、共通のＧａＡ
ｓ半導体基板１００１上に、１個のスパイラルインダク
タ１００２と、１個のＭＩＭキャパシタ１００３と、４
個のボンディングパッド１００４〜１００７とを配設し
て構成されている。ボンディングパッド１００４〜１０
０７のうち、パッド１００４は入力パッドとして、パッ
ド１００５は出力パッドとして、パッド１００６，１０
０７は接地パッドとしてそれぞれ機能する。

【００９３】図７に示す状態では、この能動チップ７５
０はダイパッド７５１上にダイスボンドされている。な
お、このダイパッド７５１はリード７５２，７５３に接
続されプリント基板７０４の接地電極に半田実装されて
いる。接地パッド１００６，１００７は２本のボンディ
ングワイヤを介してダイパッド７５１に接続され、入力
パッド１００４は１本のボンディングワイヤを介してリ
ード７５４に接続され、出力パッド１００５は１本のボ
ンディングワイヤを介してリード７５５に接続されてい
る。リード７５６，７５７は段間整合チップ７５０とは
接続されずプリント基板７０４の接地電極に半田実装さ
れている。

【００９４】次に、図７〜図１０を参照しながら、以上
のように構成された電力増幅器の機能について説明す
る。

【００９５】まず、ＤＣバイアスの伝達経路に関して説
明する。前段ＭＥＳＦＥＴ８５０のドレイン電圧はスル
ーホール７２２から供給され、スタブとして機能する伝
送線路７１５を介して前段ＭＥＳＦＥＴ８５０に伝達さ
れるが、伝送線路７１６への伝達は、ＤＣカットキャパ
シタとして機能するチップコンデンサ７０５によって遮
断されている。前段ＭＥＳＦＥＴ８５０のゲート電圧は
スルーホール７２４から供給されチップ抵抗７１０を介
して前段ＭＥＳＦＥＴ８５０に伝達されるが、伝送線路
７１３への伝達は、ＤＣカットキャパシタとして機能す
るチップコンデンサ７０４によって遮断されている。な
お、伝送線路７１５の高周波特性はリード７３５から高
周波接地キャパシタとして機能するチップコンデンサ７
０８までの距離で決定されるため、チップコンデンサ７
０８の配置箇所を変更できるように、接地電極７２８が
伝送線路７１５の近傍に設けてられている。後段ＭＥＳ
ＦＥＴ８６０のドレイン電圧はスルーホール７２３から
供給され、スタブとして機能する伝送線路７１９を介し
て後段ＭＥＳＦＥＴ８６０に伝達されるが、伝送線路７
２０への伝達は、ＤＣカットキャパシタとして機能する
チップコンデンサ７０６によって遮断されている。後段
ＭＥＳＦＥＴ８６０のゲート電圧はスルーホール７２５
から供給されチップ抵抗７１１を介して後段ＭＥＳＦＥ
Ｔ８６０に伝達されるが、伝送線路７１７への伝達は、
ＤＣカットキャパシタとして機能するチップコンデンサ
７０７によって遮断されている。なお、伝送線路７１９
の高周波特性は、リード７３７から高周波接地キャパシ
タとして機能するチップコンデンサ７０９までの距離で
決定されるため、チップコンデンサの配置場所を変更で
きるように、接地電極７２９が伝送線路７１６の近傍に
設けられている。

【００９６】本実施形態においても、高周波特性を決定
するインピーダンスについては、第１の実施形態と同様
に、各入出力整合装置７０２、段間整合装置７０３内の
スパイラルインダクタやＭＩＭキャパシタの特性値をプ
リント基板７０４上のプリントパターンに応じて調整す
ることによって、高周波増幅器内における最適インピー
ダンスを実現することができる。

【００９７】従って、本実施形態においても、第１の実
施形態で説明した効果と同様の効果が得られる。

【００９８】なお、本実施形態は、第１の実施形態と異
なりドレインバイアス回路を伝送線路で構成している
が、第１の実施形態と同様チップインダクタを用いても
同様の効果が得られ、逆に第１の実施形態に於いて、ド
レインバイアス回路を伝送線路で構成しても同様な効果
が得られる。

【００９９】特に、本実施形態では、上記第２の実施形
態とは異なり、２つのＭＥＳＦＥＴを配置して２段増幅
回路を構成しているが、その際、能動半導体装置上に２
個のＭＥＳＦＥＴを配置し、入出力整合装置上に入力整
合回路と出力整合回路を配置しているので、２段増幅回
路を構成する部品の数を低減することができる。

【０１００】そして、上記配置を実現するために、能動
チップ、入出力整合チップ、段間整合チップの入出力パ
ッドの配置と、各パッケージ上のリードの配置とに、以
下のような工夫が施されている。

【０１０１】まず、２個のＭＥＳＦＥＴ８５０，８６０
はソース接地増幅器として用いるので、ゲートが入力
部、ドレインが出力部に対応する。一方、前段ＦＥＴ８
５０への信号の流れと後段ＭＥＳＦＥＴ８６０への信号
の流れとは、図７に示すごとく互いに逆向きである。そ
こで、図８に示すように、前段ＭＥＳＦＥＴ８５０のゲ
ートパッド８１５と後段ＭＥＳＦＥＴ８６０のゲートパ
ッド８１７とを互いにチップを挟んで相対向するように
設け、また、２個のドレインパッド８１４，８１６も同
様に互いにチップを挟んで相対向するように設けて、各
部材の配置部位を信号の流れに沿ったものとしている。
その結果、図７に示すように、前段ＭＥＳＦＥＴの入力
リード７３４と後段ＭＥＳＦＥＴの出力リード７３７と
がパッケージの同じ辺上に配置され、前段ＭＥＳＦＥＴ
の出力リード７３５と後段ＭＥＳＦＥＴ入力リード７３
６とがパッケージの同じ辺上に配置されることとなる。

【０１０２】一方、入出力整合装置７０２を構成する入
出力整合チップ７４０内においては、図９に示すごと
く、入力整合回路の出力パッド９０７と出力整合回路の
入力パッド９１０をチップの同じ辺に配置し、また、入
力整合回路の入力パッド９０７と出力整合回路の出力パ
ッド９１０とをチップの同じ辺に配置した結果、入力整
合回路の出力リード７４５と出力整合回路の入力リード
７２０がパッケージの同じ辺上に配置され、また、入力
整合回路の入力リード７４５と出力整合回路の出力リー
ド７４６とがパッケージの同じ辺上に配置されることと
なる。

【０１０３】さらに、段間整合装置７０３を構成する段
間整合チップにおいては、図１０に示すように、入力パ
ッド１００４と出力パッド１００５とをチップの同じ辺
に配置した結果、入力リード７５４と出力リード７５５
とがパッケージの同じ辺上に配置されることとなる。

【０１０４】以上のようにリードを配置することによ
り、能動半導体装置７０１の片側に入出力整合装置７０
２を配置し、能動半導体装置７０１のもう一方の片側に
段間整合装置７０３を配置することが無理なく円滑に行
なわれる。

【０１０５】（第４の実施形態）図１１は、第４の実施
形態における高周波２段増幅器の構成を概略的に示す平
面図である。

【０１０６】図１１において、１１０１は方形プラスチ
ックパッケージに封止された２個のＭＥＳＦＥＴを集積
した能動半導体装置を、１１０２は方形プラスチックパ
ッケージに封止された入力・段間・出力整合回路を集積
した総合インピーダンス整合装置（以下、単に総合整合
装置という）をそれぞれ示す。これらの装置１１０１，
１１０２は、プリント基板１１０３上に半田実装されて
いる。また、プリント基板１１０３には、伝送線路１１
０４〜１１１０がプリントされており、スルーホール１
１１１，１１１２を介してドレイン電圧が印可され、ス
ルーホール１１１３を介してゲート電圧が印可される。
なお、符号を付していないスルーホールは全て接地され
ている。高周波信号はＲＦレセプタクル１１１４を介し
て入力され、ＲＦレセプタクル１１１５を介して出力さ
れる。

【０１０７】図１２は、能動半導体装置１１０１を構成
する能動チップ１１２０内における素子の配置状態を示
す平面図である。能動チップ１１２０は、共通のＧａＡ
ｓ半導体チップ１２０１上に、２つのゲート１２５１を
有する前段ＭＥＳＦＥＴ１２５０と、櫛状の多数のゲー
ト１２６１を有する後段ＭＥＳＦＥＴ１２６０と、１０
個のボンディングパッド１２０８〜１２１７とを配設し
て構成されている。また、１２０２は前段ＭＥＳＦＥＴ
１２５０のソース配線を、１２０３は前段ＭＥＳＦＥＴ
１２５０のドレイン配線を、１２０４は前段ＭＥＳＦＥ
Ｔ１２５０のゲート配線を、１２０５は後段ＭＥＳＦＥ
Ｔ１２６０のソース配線を、１２０６は後段ＭＥＳＦＥ
Ｔ１２６０のドレイン配線を、１２０７は後段ＭＥＳＦ
ＥＴ１２６０のゲート配線をそれぞれ示す。前段ＭＥＳ
ＦＥＴ１２５０のソース配線１２０２はソースパッド１
２０８，１２０９に接続され、前段ＭＥＳＦＥＴ１２５
０のドレイン配線１２０３はドレインパッド１２１０に
接続され、前段ＭＥＳＦＥＴ１２５０のゲート配線１２
０７はゲートパッド１２１１にそれぞれ接続されてい
る。後段ＭＥＳＦＥＴ１２６０のソース配線１２０６は
ソースパッド１２１２〜１２１４に接続され、後段ＭＥ
ＳＦＥＴ１２６０のドレイン配線１２０６はドレインパ
ッド１２１５，１２１６に接続され、後段ＭＥＳＦＥＴ
１２６０のゲート配線１２０７はゲートパッド１２１７
に接続されている。

【０１０８】図１１に示す状態では、この能動チップ１
１２０はダイパッド１１２１上にダイスボンドされてい
る。なお、このダイパッド１１２１はリード１１２２〜
１１２８に接続され、プリント基板１１０３の接地電極
１１１６〜１１１８に半田実装されている。能動チップ
１１２０のソースパッド１２０８〜１２１４は５本のボ
ンディングワイヤを介してダイパッド１１２１に接続さ
れ、前段ＭＥＳＦＥＴ１２５０のゲートパッド１２１１
は１本のボンディングワイヤを介してリード１１２９に
接続され、前段ＭＥＳＦＥＴ１２５０のドレインパッド
１２１０は１本のボンディングワイヤを介してリード１
１３０に接続され、後段ＭＥＳＦＥＴ１２６０のゲート
パッド１２０７は１本のボンディングワイヤを介してリ
ード１１３１に接続され、後段ＭＥＳＦＥＴ１２６０の
一方のドレインパッド１２１６は１本のボンディングワ
イヤを介してリード１１３２に接続され、もう一方の後
段ＭＥＳＦＥＴ１２６０のドレインパッド１２１５は１
本のボンディングワイヤを介してリード１１３３に接続
されている。

【０１０９】図１３は、総合整合装置１１０２を構成す
る総合整合チップ１１４０内における素子の配置状態を
示す平面図である。また、図１４は、上記総合整合チッ
プ１１４０の等価回路図である。なお、図１３及び図１
４において符号は統一してあり、同一符号は同一素子に
対応している。

【０１１０】図１３に示すように、総合整合チップ１１
４０は、共通のＧａＡｓ半導体基板１１０３上に、４個
のスパイラルインダクタ１３０２〜１３０４と、メアン
ダインダクタ１３０６と、Ｉ層として窒化シリコン膜を
用いた２個のＭＩＭキャパシタ１３０７，１３０８と、
Ｉ層としてチタン酸ストロンチウム膜を用いた５個のＭ
ＩＭキャパシタ１３０９〜１３１３と、金属薄膜抵抗１
３１４，１３１５と、１７個のボンディングパッド１３
１６〜１３３２とを配設して構成されている。そして、
総合整合チップ１１４０上の各部材は、入力整合回路１
３５０，段間整合回路１３６０及び出力整合回路１３７
０のうちいずれかの回路の回路要素となっている。

【０１１１】図１１に示す状態では、総合整合チップ１
１４０はダイパッド１１４１上にダイスボンドされてい
る。なお、このダイパッド１１４１はリード１１４２に
接続され、プリント基板１１０３の接地電極１１１９に
半田実装されている。総合整合チップ１１４０上のボン
ディングパッドのうち、パッド１３１８〜１３３１は接
地パッドとして機能し、それぞれ１本のボンディングワ
イヤを介してダイパッド１１４１に接続されている。入
力整合回路１３５０の入力パッド１３１６は１本のボン
ディングワイヤを介してリード１１４３に接続され、入
力整合回路１３５０の出力パッド１３１７は１本のボン
ディングワイヤを介してリード１１４８に接続され、段
間整合回路１３６０の入力パッド１３２０は１本のボン
ディングワイヤを介してリード１１４９に接続され、段
間整合回路１３６０の出力パッド１３２１は１本のボン
ディングワイヤを介してリード１１５０に接続され、出
力整合回路１３７０の入力パッド１３２４は１本のボン
ディングワイヤを介してリード１１５１に接続され、出
力整合回路１３７０の出力パッド１３２５は１本のボン
ディングワイヤを介してリード１１４７に接続されてい
る。

【０１１２】また、前段ＭＥＳＦＥＴ及び後段ＭＥＳＦ
ＥＴの共通ゲートバイアスパッド１３２８は１本のボン
ディングワイヤを介してリード１１４４に接続され、前
段ＭＥＳＦＥＴのドレインバイアスパッド１３２９は１
本のボンディングワイヤを介してリード１１４５に接続
され、後段ＭＥＳＦＥＴのドレインバイアスリード接地
用パッド１３３２は１本のボンディングワイヤを介して
リード１１４７，１１５２間のパッケージ内接続部であ
る１１５３に接続されている。

【０１１３】次に、図１１〜図１４を参照しながら、以
上のように構成された電力増幅器の機能について説明す
る。

【０１１４】まず、ＤＣバイアスの伝達経路に関する機
能について説明する。

【０１１５】前段ＭＥＳＦＥＴ１２５０のドレイン電圧
はスルーホール１１１２から供給され、リード１１４５
から段間整合回路１３６０のパッド１３２９に達する。
ここで、パッド１３２９は、スルーホール１１１２側の
ＤＣ電源及びインピーダンス変動が総合整合に影響を及
ぼさないように、高周波接地キャパシタ１３１１によっ
て高周波接地されている。供給されたドレイン電圧は、
メアンダインダクタ１３０６及びキャパシタ１３１０の
上層金属を経由してパッド１３２０に達し、リード１１
４９、伝送線路１１０７、リード１１３０を介して能動
半導体装置１１０１に伝達され、パッド１２１０から前
段ＭＥＳＦＥＴ１２５０のドレインに達する。

【０１１６】後段ＭＥＳＦＥＴ１２６０のドレイン電圧
は、スルーホール１１１１から供給され、リード１１４
７から内部リード１１５３を介して総合整合装置１１０
２内を通過した後、リード１１５２、伝送線路１１１
０、リード１１３３を介して能動半導体装置１１０１に
伝達され、パッド１２１５から後段ＭＥＳＦＥＴ１２６
０のドレインに達する。ところで、総合整合チップ１１
４０上の後段ＭＥＳＦＥＴのドレインバイアスリード接
地用パッド１３３２は高周波接地キャパシタ１３１３に
よって高周波接地されているため、内部リード１１５３
上にボンディングされたワイヤによってスルーホール１
１１１側の電源及びインピーダンス変動が高周波信号の
整合に影響を及ぼさない。

【０１１７】前段ＭＥＳＦＥＴ１２５０及び後段ＭＥＳ
ＦＥＴ１２６０のゲート電圧は、スルーホール１１１３
から供給され、リード１１４４からパッド１３２８に達
するした後、このパッド１３２８から２方に分かれ、以
下の経路を経て、前段，後段ＭＥＳＦＥＴ１２５０，１
２６０の各ゲート１２５１，１２６１に達する。

【０１１８】前段ＭＥＳＦＥＴのゲート電圧は、抵抗１
３１４からキャパシタ１３０９の上層金属、スパイラル
インダクタ１３０３を経由してパッド１３１７に達し、
リード１１４８、伝送線路１１０６、リード１１２９を
介して能動半導体装置１１０１に伝達され、パッド１２
１１から前段ＭＥＳＦＥＴ１２５０のゲート１２５１に
達する。

【０１１９】後段ＭＥＳＦＥＴのゲート電圧は、抵抗１
３１５からキャパシタ１３１０の下層金属、スパイラル
インダクタ１３０４を経由してパッド１３２１に達し、
リード１１５０、伝送線路１１０８、リード１１３１を
介して能動半導体装置１１０１に伝達され、パッド１２
１７から後段ＭＥＳＦＥＴ１２６０のゲート１２６１に
達する。

【０１２０】ここで、抵抗１３１４、１３１５は、スル
ーホール１１１３側の電源及びインピーダンス変動が高
周波信号の整合に影響を及ぼさないためと、前段，後段
ＭＥＳＦＥＴ１２５０，１２６０のゲート側インピーダ
ンスが互いに影響を及ぼさないように挿入されているも
のである。

【０１２１】本実施形態においても、高周波特性を決定
するインピーダンスについては、第１の実施形態と同様
に、総合整合装置１１０２内の各インダクタやＭＩＭキ
ャパシタの特性値をプリント基板１１０３上のプリント
パターンに応じて調整することによって、高周波増幅器
内における最適インピーダンスを実現することができ
る。

【０１２２】従って、異なる周波数、異なるシステムに
対して、総合整合チップ１１４０上に集積された回路素
子の種類、定数を変更することにより対応することが可
能であり、本実施形態においても、第１の実施形態で説
明した効果と同様の効果が得られる。さらに、総合整合
チップ１１４０上に集積されたチタン酸ストロンチウム
膜は、能動チップ１１２０上のＭＥＳＦＥＴ１２５０，
１２６０とは一体形成されていないので、高温焼結が可
能となり誘電率の大きな薄膜を形成することができ、総
合整合チップ１１４０の小型化が達成できる。

【０１２３】本実施形態では、能動半導体装置１１０１
内に２個のＭＥＳＦＥＴ１２５０，１２６０を配置し、
総合整合装置１１０２内に入力整合回路、段間整合回
路、出力整合回路及びゲートバイアス回路、ドレインバ
イアス回路を配置しているので、２段増幅器を実現する
部品点数を削減し、良好な特性を実現することができ
る。その際、上記配置を実現するために、能動チップ、
高周波整合チップの入出力パッドの配置と各パッケージ
とに以下のような工夫が施されている。

【０１２４】まず、２個のＭＥＳＦＥＴ１２５０，１２
６０は、ソース接地増幅器として用いるので、ゲートが
入力部、ドレインが出力部に対応している。そして、図
１１において矢印で示す信号の流れに対応させるべく、
図１２に示すように、前段ＭＥＳＦＥＴ１２５０のゲー
トパッド１２１１及びドレインパッド１２１０と、後段
ＭＥＳＦＥＴ１２６０のゲートパッド１２１７及びドレ
インパッド１２１６，１２１５とをチップの同じ辺側に
配置している。その結果、前段ＭＥＳＦＥＴ１２５０の
入力リード１１２９及び出力リード１１３０と、後段Ｍ
ＥＳＦＥＴ１２６０の入力リード１１３１，出力リード
１１３２及びドレインＤＣバイアスリード１１３３とが
パッケージの同じ辺上に配置されることとなる。

【０１２５】さらに、前段ＭＥＳＦＥＴ１２５０の出力
リード１１３０と後段ＭＥＳＦＥＴ１２６０の入力リー
ド１１３１とを互いに隣接させているので、段間整合回
路を総合整合装置１１０２上に回路ブロック単位で容易
に配置することができる。

【０１２６】また、図１１に示すように、上記能動半導
体装置１１０１の辺のうち各ＭＥＳＦＥＴの入出力リー
ド１１３０〜１１３３が配置されている一辺と反対側の
一辺上に存在するリード１１２３〜１１２７の全てある
いは一部をダイパッド１１２１の接地用リードとして使
用するようにしているので、高周波特性に大きな影響を
及ぼすソースインダクタンスを減少させることができる
と共に、特に電力増幅器で問題となる熱放散特性を改善
することができる。特に、本実施形態では、能動半導体
装置１１０１の他の２辺上のリード１１２２，１１２８
をも接地電極１１１６，１１１８に接続するようにして
いるので、ソースインダクタンスの低減及び熱放散特性
の改善効果が大きい。

【０１２７】なお、本実施形態では、能動チップ１１２
０上で後段ＭＥＳＦＥＴ１２６０に２つのドレインパッ
ド１２１５，１２１６を設けているが、これは、ＤＣ信
号とＲＦ信号とを分離するためであり、その効果は本実
施形態で用いた総合整合装置のパッケージによって発揮
される。

【０１２８】一方、総合整合チップ１１４０において
は、図１３に示すごとく入力整合回路の出力パッド１３
１７と、段間整合回路の入力パッド１３２０と、段間整
合回路の出力パッド１３２１と、出力整合回路の入力パ
ッド１３２４とが総合整合チップ１１４０の同じ辺側に
配置されているため、図１１に示す状態で、入力整合回
路用出力リード１１４８と、段間整合回路用入力リード
１１４９と、段間整合回路用出力リード１１５０と、出
力整合回路用入力リード１１５１とが総合整合チップ１
１０２の同じ辺上に配置されることとなる。

【０１２９】さらに、本実施形態では、能動半導体装置
のリード配置と信号の流れとに対応させて、総合整合装
置のリード配置を行っているので、伝送線路１１０６〜
１１１０は互いに交差することなく、かつ最短経路をと
れるようにプリント形成できる。したがって、プリント
基板１１０３上に形成される伝送経路のプリントのばら
つきが少なく、安定な高周波増幅器が実現できる。

【０１３０】また、本実施形態では、能動半導体装置１
１０１内の後段ＭＥＳＦＥＴ１１２６０にドレイン電圧
を供給するための供給経路において、能動半導体装置１
１０１のリード１１３３に接続される総合整合装置１１
０２のリード１１５２，１１４７間を内部リード１１５
３を介してパッケージ内を貫通させているが、この貫通
リード１１５３を設けたことで、以下のような２つの効
果を発揮することができる。

【０１３１】第１の効果は、電圧降下の低減である。す
なわち、総合整合チップ１１４０上の配線を薄膜で形成
した場合その寄生抵抗が大きくなるため、大電流が流れ
る配線では電圧降下が大きくなり能動素子の特性に影響
を与える。しかし、本実施形態のように太い金属リード
をパッケージを貫通させて設けることにより、その寄生
抵抗を薄膜に比べて低減することができるので、電圧降
下を抑制することができ、よって、電圧の降下に起因す
る高周波特性の劣化を抑制することができる。

【０１３２】第２の効果は、ドレインチョークインダク
タとしての寄与である。後段ＭＥＳＦＥＴの負荷インピ
ーダンスは、能動チップ１１２０上のドレインパッド１
２１５より外側のインピーダンスとドレインパッド１２
１６より外側のインピーダンスとの並列インピーダンス
として与えられる。従って、仮にドレインパッド１２１
５から外側のインピーダンスが０即ちショート状態であ
れば、ドレインパッド１２１６から外側のインピーダン
スがどのようなインピーダンスであったとしても、後段
ＭＥＳＦＥＴの負荷インピーダンスは０即ちショート状
態となり、最適インピーダンスを実現することができな
い。むしろ、ドレインパッド１２１５から外側にある程
度のインピーダンスがあることで出力整合回路は容易に
設計でき、仮に無限大即ちオープンであればドレインパ
ッド１２１６より外側のインピーダンスで決定されるこ
ととなる。本実施形態では、高周波信号に対して、物理
的大きさを有する内部リード１１５３が伝送線路として
働くので、ドレインチョークインダクタとして寄与する
こととなる。

【０１３３】また、伝送線路１１０４，１１０５には、
総合整合チップ１１２０内に集積されたＤＣカットキャ
パシタ１３０９、１３１２によりドレインあるいはゲー
トに印可された電圧は伝達されないためチップコンデン
サは不要となっている。

【０１３４】なお、伝送線路１１０４，１１０５は特性
インピーダンス５０Ωで設計されておりＲＦレセプタク
ル１１１４、１１１５は５０Ω系のものを用いた。

【０１３５】

【発明の効果】請求項１〜１０によれば、プリント基板
に、能動半導体装置とインピーダンス整合装置とを高周
波信号のインピーダンスを整合するために必要な距離を
隔てて実装できる構成としたので、異なる周波数，異な
るシステムに応じて、インピーダンス整合装置や能動半
導体装置の交換が容易な高周波増幅器を構成することが
でき、よって、安価で汎用性のある高周波増幅器の提供
を図ることができる。

【０１３６】請求項１１〜１６によれば、インピーダン
ス整合装置と共にプリント基板上に搭載して高周波増幅
器を構成するための能動半導体装置として、能動素子が
形成された半導体基板，半導体基板を搭載するためのダ
イパッド，能動素子への信号を入出力するための入出力
用リードを方形パッケージ内に収納するとともに、入出
力用リードを方形パッケージの１つの辺に配置する構成
としたので、インピーダンス整合装置の各要素との信号
の授受が容易で、かつインピーダンス整合装置と独立し
てプリント基板への取り付け，取り外しの容易な能動半
導体装置の提供を図ることができる。

【０１３７】請求項１７〜２２によれば、能動半導体装
置と共にプリント基板上に搭載して高周波増幅器を構成
するためのインピーダンス整合装置として、能動半導体
装置のインピーダンスを整合させるように構成された複
数の受動素子，受動素子が形成された基板，基板を搭載
するためのダイパッド，受動素子への信号を入出力する
ための入出力用リードをパッケージ内に収納して、プリ
ント基板上に半田実装することが可能な構成としたの
で、能動半導体装置と独立してプリント基板への取り付
け，取り外しの容易なインピーダンス整合装置の提供を
図ることができる。

【０１３８】請求項２３，２４によれば、能動素子と共
に方形パッケージに樹脂封止されるリードフレームとし
て、方形の樹脂封止領域の１つの辺に入出力用リードを
配置する一方、他の辺にはダイパッドに接続される接地
用リード配置する構成としたので、接地機能と熱放散性
機能の高い能動半導体装置の製造に適したリードフレー
ムの提供を図ることができる。

【０１３９】請求項２５〜２８によれば、高周波増幅器
を内蔵する高周波通信機において、プリント基板上に、
能動半導体装置とインピーダンス整合装置とを高周波信
号のインピーダンスを整合するために必要な距離を隔て
て実装し、さらに他の部材の要素を搭載する構成とした
ので、安価で汎用性の高い通信機の提供を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の各実施形態に共通の高周波通信機の構
成を概略的に示す回路ブロック図である。

【図２】第１の実施形態における高周波増幅器の全体的
な構成を示す平面図である。

【図３】第２の実施形態における高周波増幅器の全体的
な構成を示す平面図である。

【図４】第２の実施形態における高周波増幅器中の能動
チップの構成を示す平面図である。

【図５】第２の実施形態における高周波増幅器中の入力
整合チップの構成を示す平面図である。

【図６】第２の実施形態における高周波増幅器中の出力
整合チップの構成を示す平面図である。

【図７】第３の実施形態における高周波２段増幅器の全
体的な構成を示す平面図である。

【図８】第３の実施形態における高周波２段増幅器中の
能動半導体チップの構成を示す平面図である。

【図９】第３の実施形態における高周波２段増幅器中の
入出力整合チップの構成を示す平面図である。

【図１０】第３の実施形態における高周波２段増幅器中
の段間整合チップの構成を示す平面図である。

【図１１】第４の実施形態における高周波２段増幅器の
全体的な構成を示す平面図である。

【図１２】第４の実施形態における高周波２段増幅器中
の能動半導体チップの構成を示す平面図である。

【図１３】第４の実施形態における高周波２段増幅器中
の総合整合チップの構成を示す平面図。

【図１４】第４の実施形態における高周波２段増幅器中
の総合整合チップの等価回路を示す電気回路図である。

【図１５】従来及び本発明に共通する高周波増幅器の基
本的な構成を示すブロック図である。

【図１６】ＭＭＩＣによる従来の高周波増幅器の構成を
示す平面図である。

【図１７】モジュールによる従来の高周波増幅器の構成
を示す平面図である。

【図１８】ＭＣＭによる従来の高周波増幅器の構成を示
す平面図である。

【符号の説明】

２０１ 能動素子 ２０２ 入力整合装置（入力インピーダンス整合回
路） ２０３ 出力整合装置（出力インピーダンス整合回
路） ２０４ ＧａＡｓ半導体チップ ２０５ ＧａＡｓ半導体チップ ２０６ ＧａＡｓ半導体チップ ２０７ ダイパッド ２０８ ダイパッド ２０９ ダイパッド ２１０ リード ２１１ リード ２１２ リード ２１３ ボンディングワイヤ ２１４ ボンディングワイヤ ２１５ ボンディングワイヤ ２１６ 樹脂 ２１７ 樹脂 ２１８ 樹脂 ２１９ 母基板（プリント基板） ２２０ 伝送線路 ２５１ 能動半導体装置 ２５２ 入力整合装置（入力インピーダンス整合装
置） ２５３ 出力整合装置（出力インピーダンス整合装
置）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西嶋 将明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板上に形成された少なくとも１
   つの能動素子を有する能動半導体装置と、 第２の基板上に形成された複数の受動素子により構成さ
   れ、上記能動半導体装置の入力信号及び出力信号のうち
   少なくとも一方のインピーダンスを整合するためのイン
   ピーダンス整合装置と、 上記能動半導体装置及び上記インピーダンス整合装置を
   共通に搭載するためのプリント基板とを備え、 上記プリント基板には、上記能動半導体装置と上記イン
   ピーダンス整合装置とを高周波信号のインピーダンスを
   整合するために必要な距離を隔てて実装するための取付
   部と、該各取付部の間で高周波信号を伝送するための複
   数の伝送線路とが設けられていることを特徴とする高周
   波増幅器。
2. 【請求項２】 請求項１記載の高周波増幅器において、 上記インピーダンス整合装置は、上記能動半導体装置へ
   の入力信号のインピーダンスを整合するための入力イン
   ピーダンス整合装置と、上記能動半導体装置からの出力
   信号のインピーダンスを整合するための出力インピーダ
   ンス整合装置とを含むことを特徴とする高周波増幅器。
3. 【請求項３】 請求項２記載の高周波増幅器において、 上記入力インピーダンス整合装置と上記出力インピーダ
   ンス整合装置とは、共通の第２の基板上に形成されてい
   ることを特徴とする高周波増幅器。
4. 【請求項４】 請求項１記載の高周波増幅器において、 上記能動半導体装置は、前段側の能動素子と後段側の能
   動素子とを含み、 上記インピーダンス整合装置は、上記前段側の能動素子
   への入力信号のインピーダンスを整合するための入力イ
   ンピーダンス整合装置と、上記前段側の能動素子から後
   段側の能動素子への信号のインピーダンスを整合するた
   めの段間インピーダンス整合装置と、上記後段側の能動
   素子からの出力信号のインピーダンスを整合するための
   出力インピーダンス整合装置とを含むことを特徴とする
   高周波増幅器。
5. 【請求項５】 請求項４記載の高周波増幅器において、 上記入力インピーダンス整合装置と上記出力インピーダ
   ンス整合装置とは、共通の第２の基板上に形成されてい
   ることを特徴とする高周波増幅器。
6. 【請求項６】 請求項４又は５記載の高周波増幅器にお
   いて、 上記前段側の能動素子と後段側の能動素子とは、共通の
   第１の基板上に搭載されていることを特徴とする高周波
   増幅器。
7. 【請求項７】 請求項３又は５記載の高周波増幅器にお
   いて、 上記能動半導体装置は、上記第１の基板を搭載するため
   のダイパッドと、上記能動素子への信号の入出力を行な
   うための入出力用リードとを有し、かつ方形パッケージ
   内に収納されており、 上記入出力用リードは、上記方形パッケージの１つの辺
   のみに有することを特徴とする高周波増幅器。
8. 【請求項８】 請求項１，２，３，４，５又は６記載の
   高周波増幅器において、 上記インピーダンス整合装置は、上記第２の基板を搭載
   するためのダイパッドと、インピーダンス整合装置内の
   各受動素子への信号の入出力を行なうための入出力用リ
   ードとを有し、１つのパッケージ内に収納されており、 上記パッケージ内には、上記能動半導体装置の能動素子
   のドレインとドレインバイアス供給用電源との間に介設
   され、上記インピーダンス整合装置内の各受動素子を通
   過することなく上記パッケージ内を貫通する貫通リード
   が設けられていることを特徴とする高周波増幅器。
9. 【請求項９】 請求項８記載の高周波増幅器において、 上記貫通リードは、上記インピーダンス整合装置内のキ
   ャパシタとして機能する受動素子を介して接地されてい
   ることを特徴とする高周波増幅器。
10. 【請求項１０】 請求項１記載の高周波増幅器におい
    て、 上記プリント基板上で上記複数の伝送線路が互いに交差
    していないことを特徴とする高周波増幅器。
11. 【請求項１１】 プリント基板上にインピーダンス整合
    装置と共に搭載されて高周波増幅器を構成するための能
    動半導体装置であって、 半導体基板と、 半導体基板上に形成された能動素子と、 上記半導体基板を搭載するためのダイパッドと、 上記能動素子への信号の入出力を行なうための入出力用
    リードとを備え、 上記各部材が共通の方形パッケージ内に収納され、かつ
    上記プリント基板上に半田実装することが可能に構成さ
    れているとともに、 上記入出力用リードは、上記方形パッケージの１つの辺
    に配設されていることを特徴とする能動半導体装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の能動半導体装置にお
    いて、 上記方形パッケージの各辺のうち上記入出力リードが配
    設された辺以外の辺には、ダイパッドと接地とを接続す
    るための接地用リードが設けられていることを特徴とす
    る能動半導体装置。
13. 【請求項１３】 請求項１２記載の能動半導体装置にお
    いて、 上記接地用リードは、上記方形パッケージの各辺のうち
    上記入出力用リードが配設された辺以外のすべての辺に
    配設されていることを特徴とする能動半導体装置。
14. 【請求項１４】 請求項１２又は１３記載の能動半導体
    装置において、 上記能動素子のソースに接続される電極は、上記ダイパ
    ッドにボンディングワイヤを介して接続されていること
    を特徴とする能動半導体装置。
15. 【請求項１５】 請求項１１記載の能動半導体装置にお
    いて、 上記パッケージは、樹脂により封止されていることを特
    徴とする能動半導体装置。
16. 【請求項１６】 請求項１１記載の能動半導体装置にお
    いて、 上記能動半導体装置の入出力用リードのうちいずれかの
    ２以上の入出力用リードが、上記能動素子上の共通の電
    極にボンディングワイヤで接続されていることを特徴と
    する能動半導体装置。
17. 【請求項１７】 １つのプリント基板上に、能動半導体
    装置と共に搭載されて高周波増幅器を構成するためのイ
    ンピーダンス整合装置であって、 基板と、 上記基板上に形成され、上記プリント基板上で上記能動
    半導体装置への入力信号及び出力信号のうち少なくとも
    いずれか一方のインピーダンスを整合させるように構成
    された複数の受動素子と、 上記基板が搭載されるダイパッドと、 上記複数の受動素子のうち少なくとも１つの受動素子へ
    の信号の入出力を行なうための複数のリードとを備え、 上記各部材が共通のパッケージ内に収納され、かつ上記
    プリント基板上に半田実装することが可能に構成されて
    いることを特徴とするインピーダンス整合装置。
18. 【請求項１８】 請求項１７記載のインピーダンス整合
    装置において、 上記パッケージは方形パッケージであり、 上記複数の入出力用リードのうち能動半導体装置との間
    で信号の入出力を行なうためのすべてのリードが、上記
    方形パッケージの１つの辺に配設されていることを特徴
    とするインピーダンス整合装置。
19. 【請求項１９】 請求項１７記載のインピーダンス整合
    装置において、 上記パッケージは、樹脂により封止されていることを特
    徴とするインピーダンス整合装置。
20. 【請求項２０】 請求項１７記載のインピーダンス整合
    装置において、 上記インピーダンス整合装置は、上記能動半導体装置へ
    の入力信号のインピーダンスを整合させるための入力イ
    ンピーダンス整合装置と、上記能動半導体装置からの出
    力信号を調整させるための出力インピーダンス整合装置
    とを一体化して構成されていることを特徴とするインピ
    ーダンス整合装置。
21. 【請求項２１】 請求項１７記載のインピーダンス整合
    装置において、 上記能動半導体装置の能動素子のドレインとドレインバ
    イアス供給用電源との間に介設され、上記各受動素子を
    通過することなく上記パッケージ内を貫通する貫通リー
    ドをさらに備えていることを特徴とするインピーダンス
    整合装置。
22. 【請求項２２】 請求項２１記載のインピーダンス整合
    装置において、 上記貫通リードは、上記インピーダンス整合装置内のキ
    ャパシタとして機能する受動素子を介して接地されてい
    ることを特徴とするインピーダンス整合装置。
23. 【請求項２３】 能動素子と共に方形パッケージに樹脂
    封止されるリードフレームであって、 上記能動素子が形成された半導体チップを搭載するため
    のダイパッドと、 上記パッケージによって封止される方形の樹脂封止領域
    内において上記ダイパッドと切り離され、上記樹脂封止
    領域の１つの辺において樹脂封止領域の内方から外方に
    突出するように形成された入出力用リードと、 上記リードフレームの樹脂で封止される方形の領域内に
    おいて上記ダイパッドに接続され、上記入出力リードが
    配設される上記樹脂封止領域の１つの辺以外の辺のうち
    少なくとも１つの辺において樹脂封止領域の内方から外
    方に突出するように形成された接地用リードとを備えて
    いることを特徴とするリードフレーム。
24. 【請求項２４】 請求項２３記載のリードフレームにお
    いて、 上記接地用リードは、上記方形の樹脂封止領域の各辺の
    うち上記入出力用リードが配設される辺以外の３つの辺
    に配設されていることを特徴とするリードフレーム。
25. 【請求項２５】 音声等の信号を高周波信号に変換する
    ための変調器と、上記変調器からの出力信号を周波数変
    換するための周波数変換器と、上記周波数変換器から出
    力される高周波信号を増幅するための高周波増幅器と、
    上記高周波増幅器からの出力信号を外部に送信するため
    のアンテナとを少なくとも備えた高周波通信機におい
    て、 上記高周波増幅器は、 第１の基板上に形成された少なくとも１つの能動素子を
    有する能動半導体装置と、 第２の基板上に形成された複数の受動素子により構成さ
    れ、上記能動半導体装置の入力信号及び出力信号のうち
    少なくとも一方のインピーダンスを整合するためのイン
    ピーダンス整合装置とを備えるとともに、 上記能動半導体装置と、上記インピーダンス整合装置
    と、上記高周波通信機内の上記高周波増幅器以外の装置
    中の要素とが、共通のプリント基板上に高周波信号のイ
    ンピーダンスを整合するために必要な距離を隔てて半田
    実装されていることを特徴とする高周波通信機。
26. 【請求項２６】 請求項２５記載の高周波通信機におい
    て、 上記インピーダンス整合装置は、上記能動半導体装置へ
    の入力信号のインピーダンスを整合するための入力イン
    ピーダンス整合装置と、上記能動半導体装置からの出力
    信号のインピーダンスを整合するための出力インピーダ
    ンス整合装置とを含み、両者が共通の第２の基板上に形
    成されていることを特徴とする高周波通信機。
27. 【請求項２７】 請求項２５記載の高周波通信機におい
    て、 上記能動半導体装置は、共通の第１の基板上に形成され
    た前段側能動素子と後段側能動素子とを有し、 上記インピーダンス整合装置は、上記前段側能動素子へ
    の入力信号のインピーダンスを整合するための入力イン
    ピーダンス整合装置と、上記前段側能動素子から上記後
    段側能動素子への信号のインピーダンスを整合するため
    の段間インピーダンス整合装置と、上記後段側能動素子
    からの出力信号のインピーダンスを整合するための出力
    インピーダンス整合装置とを含み、かつ各インピーダン
    ス整合装置が共通の第２の基板上に形成されていること
    を特徴とする高周波通信機。
28. 【請求項２８】 請求項２５，２６又は２７記載の高周
    波通信機において、 上記インピーダンス整合装置は、上記能動半導体装置の
    能動素子のドレインとドレインバイアス供給用電源との
    間に介設され、上記インピーダンス整合装置の各受動素
    子を通過することなく上記パッケージ内を貫通する貫通
    リードをさらに備えていることを特徴とする高周波通信
    機。