JPH1045765A - 新規なセファロスポリン類またはその塩 - Google Patents
新規なセファロスポリン類またはその塩Info
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- JPH1045765A JPH1045765A JP22066496A JP22066496A JPH1045765A JP H1045765 A JPH1045765 A JP H1045765A JP 22066496 A JP22066496 A JP 22066496A JP 22066496 A JP22066496 A JP 22066496A JP H1045765 A JPH1045765 A JP H1045765A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【解決手段】下記式
［式中、Ｒ1は、置換されていてもよいアルキルチオ、
アルキニルチオ、アリール、アリールチオ、アリールオ
キシまたは複素環式基；Ｒ2は、保護されていてもよい
カルボキシル基またはカルボキシラート基；Ｒ3および
Ｒ4は、それぞれ、保護されていてもよいアミノ基で置
換されているアルキル基、またはＲ3とＲ4が結合してい
る炭素原子と一緒になって置換されていてもよい１つ以
上の異項原子を含有する４〜６員複素環；Ａは、保護さ
れていてもよいヒドロキシルまたはヒドロキシイミノ基
で置換されていてもよいメチレン基；セフェム環の３位
に結合する置換チオに存在する二重結合は、Ｅ配置もし
くはＺ配置またはそれらの混合物を示す。］で表される
セファロスポリン類またはその塩。 【効果】上記の新規なセファロスポリン誘導体またはそ
の塩は、広範囲な抗菌スペクトルと強い抗菌活性を有
し、抗菌剤として有用である。
アルキニルチオ、アリール、アリールチオ、アリールオ
キシまたは複素環式基；Ｒ2は、保護されていてもよい
カルボキシル基またはカルボキシラート基；Ｒ3および
Ｒ4は、それぞれ、保護されていてもよいアミノ基で置
換されているアルキル基、またはＲ3とＲ4が結合してい
る炭素原子と一緒になって置換されていてもよい１つ以
上の異項原子を含有する４〜６員複素環；Ａは、保護さ
れていてもよいヒドロキシルまたはヒドロキシイミノ基
で置換されていてもよいメチレン基；セフェム環の３位
に結合する置換チオに存在する二重結合は、Ｅ配置もし
くはＺ配置またはそれらの混合物を示す。］で表される
セファロスポリン類またはその塩。 【効果】上記の新規なセファロスポリン誘導体またはそ
の塩は、広範囲な抗菌スペクトルと強い抗菌活性を有
し、抗菌剤として有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なセファロスポリ
ン類またはその塩、さらに詳しくは、一般式［１］
ン類またはその塩、さらに詳しくは、一般式［１］
【化２】 ［式中、Ｒ1は、置換されていてもよいアルキルチオ、
アルキニルチオ、アリール、アリールチオ、アリールオ
キシまたは複素環式基を；Ｒ2は、保護されていてもよ
いカルボキシル基またはカルボキシラート基を；Ｒ3お
よびＲ4は、それぞれ、保護されていてもよいアミノ基
で置換されているアルキル基を；または、Ｒ3とＲ4が結
合している炭素原子と一緒になって置換されていてもよ
い１つ以上の異項原子を含有する４〜６員複素環を；Ａ
は、保護されていてもよいヒドロキシルまたはヒドロキ
シイミノ基で置換されていてもよいメチレン基を；セフ
ェム環の３位に結合する置換チオに存在する二重結合
は、Ｅ配置もしくはＺ配置またはそれらの混合物を、そ
れぞれ示す。］で表されるセファロスポリン類またはそ
の塩に関する。本発明の目的は、広範囲な抗菌スペクト
ルと強い抗菌活性を有し、低毒性で人および動物に対す
る医薬として有用な新規化合物を提供することにある。
アルキニルチオ、アリール、アリールチオ、アリールオ
キシまたは複素環式基を；Ｒ2は、保護されていてもよ
いカルボキシル基またはカルボキシラート基を；Ｒ3お
よびＲ4は、それぞれ、保護されていてもよいアミノ基
で置換されているアルキル基を；または、Ｒ3とＲ4が結
合している炭素原子と一緒になって置換されていてもよ
い１つ以上の異項原子を含有する４〜６員複素環を；Ａ
は、保護されていてもよいヒドロキシルまたはヒドロキ
シイミノ基で置換されていてもよいメチレン基を；セフ
ェム環の３位に結合する置換チオに存在する二重結合
は、Ｅ配置もしくはＺ配置またはそれらの混合物を、そ
れぞれ示す。］で表されるセファロスポリン類またはそ
の塩に関する。本発明の目的は、広範囲な抗菌スペクト
ルと強い抗菌活性を有し、低毒性で人および動物に対す
る医薬として有用な新規化合物を提供することにある。
【０００２】
【従来の技術】従来、広範囲な抗菌スペクトルと強い抗
菌活性を有する種々のセファロスポリン系抗生物質が開
発されている。しかし、抗菌活性についてはいまだ不十
分である。
菌活性を有する種々のセファロスポリン系抗生物質が開
発されている。しかし、抗菌活性についてはいまだ不十
分である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような状況下にお
いて、広範囲な抗菌スペクトルと強い抗菌活性を有する
セファロスポリン類の開発が望まれていた。
いて、広範囲な抗菌スペクトルと強い抗菌活性を有する
セファロスポリン類の開発が望まれていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため、鋭意研究を行った結果、セフェム環の
３位に置換基を有するアルケニルチオ基が結合する一般
式［１］で表される新規なセファロスポリン類またはそ
の塩が、広範囲な抗菌スペクトルと強い抗菌活性を有す
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
を解決するため、鋭意研究を行った結果、セフェム環の
３位に置換基を有するアルケニルチオ基が結合する一般
式［１］で表される新規なセファロスポリン類またはそ
の塩が、広範囲な抗菌スペクトルと強い抗菌活性を有す
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。本明細書
において、特にことわらないかぎり、ハロゲン原子と
は、たとえば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子および
ヨウ素原子を；アルキル基とは、たとえば、メチル、エ
チル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチ
ル、イソブチル、tert-ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、ノニル、デシルおよびウンデシル
などの直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1-12アルキル基を；
低級アルキル基とは、たとえば、メチル、エチル、n-プ
ロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチル、イソブ
チル、tert-ブチルおよびペンチルなどの直鎖状もしく
は分枝鎖状のＣ1-5アルキル基を；アルキルチオ基と
は、たとえば、メチルチオ、エチルチオ、n-プロピルチ
オ、イソプロピルチオ、n-ブチルチオ、sec-ブチルチ
オ、イソブチルチオ、tert-ブチルチオ、ペンチルチ
オ、ヘキシルチオ、ヘプチルチオ、オクチルチオ、ノニ
ルチオ、デシルチオおよびウンデシルチオなどのＣ1-12
アルキルチオ基を；アリール基とは、フェニル、ナフチ
ルおよびインダニル基などを；アリールチオ基とは、た
とえば、フェニルチオ、ナフチルチオおよびインダニル
チオ基などを；アリールオキシ基とは、たとえば、フェ
ニルオキシ、ナフチルオキシおよびインダニルオキシ基
などを；アルキニルチオ基とは、たとえば、エチニルチ
オおよびプロピニルチオなどのＣ2-5アルキニルチオ基
を；１つ以上の異項原子を含有する４〜６員複素環と
は、たとえば、オキセタン、アゼチジン、ジヒドロフラ
ン、テトラヒドロフラン、ジヒドロチオフェン、テトラ
ヒドロチオフェン、ピロリン、ピロリジン、ピラン、ジ
ヒドロピラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピリジ
ン、ピペリジン、オキサゾリン、オキサゾリジン、チア
ゾリン、チアゾリジン、イソチアゾリン、イミダゾリ
ン、イミダゾリジン、ピラゾリン、ピラゾリジン、１，
２，３−チアジアゾリン、１，２，３−トリアゾリン、
ジオキサン、モルホリン、ジヒドロオキサジン、テトラ
ヒドロオキサジン、ジヒドロピリミジン、テトラヒドロ
ピリミジン、ペルヒドロピリミジン、ピペラジン、１，
２，４−ジヒドロトリアジンおよび１，３，５−ジヒド
ロトリアジンなどの４〜６員複素環を；
において、特にことわらないかぎり、ハロゲン原子と
は、たとえば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子および
ヨウ素原子を；アルキル基とは、たとえば、メチル、エ
チル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチ
ル、イソブチル、tert-ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、ノニル、デシルおよびウンデシル
などの直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1-12アルキル基を；
低級アルキル基とは、たとえば、メチル、エチル、n-プ
ロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチル、イソブ
チル、tert-ブチルおよびペンチルなどの直鎖状もしく
は分枝鎖状のＣ1-5アルキル基を；アルキルチオ基と
は、たとえば、メチルチオ、エチルチオ、n-プロピルチ
オ、イソプロピルチオ、n-ブチルチオ、sec-ブチルチ
オ、イソブチルチオ、tert-ブチルチオ、ペンチルチ
オ、ヘキシルチオ、ヘプチルチオ、オクチルチオ、ノニ
ルチオ、デシルチオおよびウンデシルチオなどのＣ1-12
アルキルチオ基を；アリール基とは、フェニル、ナフチ
ルおよびインダニル基などを；アリールチオ基とは、た
とえば、フェニルチオ、ナフチルチオおよびインダニル
チオ基などを；アリールオキシ基とは、たとえば、フェ
ニルオキシ、ナフチルオキシおよびインダニルオキシ基
などを；アルキニルチオ基とは、たとえば、エチニルチ
オおよびプロピニルチオなどのＣ2-5アルキニルチオ基
を；１つ以上の異項原子を含有する４〜６員複素環と
は、たとえば、オキセタン、アゼチジン、ジヒドロフラ
ン、テトラヒドロフラン、ジヒドロチオフェン、テトラ
ヒドロチオフェン、ピロリン、ピロリジン、ピラン、ジ
ヒドロピラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピリジ
ン、ピペリジン、オキサゾリン、オキサゾリジン、チア
ゾリン、チアゾリジン、イソチアゾリン、イミダゾリ
ン、イミダゾリジン、ピラゾリン、ピラゾリジン、１，
２，３−チアジアゾリン、１，２，３−トリアゾリン、
ジオキサン、モルホリン、ジヒドロオキサジン、テトラ
ヒドロオキサジン、ジヒドロピリミジン、テトラヒドロ
ピリミジン、ペルヒドロピリミジン、ピペラジン、１，
２，４−ジヒドロトリアジンおよび１，３，５−ジヒド
ロトリアジンなどの４〜６員複素環を；
【０００６】複素環式基とは、たとえば、アゼチジニ
ル、チエニル、フリル、ピロリル、イミダゾリル、ピラ
ゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、オキサゾリル、
イソオキサゾリル、フラザニル、ピロリジニル、ピロリ
ニル、イミダゾリジニル、イミダゾリニル、ピラゾリジ
ニル、ピラゾリニル、１,３,４−オキサジアゾリル、
１,２,３−チアジアゾリル、１,２,４−チアジアゾリ
ル、１,３,４−チアジアゾリル、１,２,３−トリアゾリ
ル、１,２,４−トリアゾリル、テトラゾリル、チアトリ
アゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリ
ダジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、ピラニル、モ
ルホリニル、１,２,４−トリアジニル、ベンゾチエニ
ル、ナフトチエニル、ベンゾフリル、イソベンゾフリ
ル、クロメニル、インドリジニル、イソインドリル、イ
ンドリル、インダゾリル、プルニル、キノリル、イソキ
ノリル、フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリニ
ル、キナゾリニル、シノリニル、フタリジニル、イソク
ロマニル、クロマニル、インドリニル、イソインドリニ
ル、ベンゾオキサゾリル、トリアゾロピリジル、テトラ
ゾロピリダジニル、テトラゾロピリミジニル、チアゾロ
ピリダジニル、チアジアゾロピリダジニル、トリアゾロ
ピリダジニル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリ
ル、１,２,３,４−テトラヒドロキノリル、イミダゾ
［１,２−ｂ］［１,２,４］トリアジニルおよびキヌク
リジニルなどのような酸素原子、窒素原子および硫黄原
子から選ばれる少なくとも１つの異項原子を含有する４
〜６員または縮合複素環式基を、それぞれ意味する。
ル、チエニル、フリル、ピロリル、イミダゾリル、ピラ
ゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、オキサゾリル、
イソオキサゾリル、フラザニル、ピロリジニル、ピロリ
ニル、イミダゾリジニル、イミダゾリニル、ピラゾリジ
ニル、ピラゾリニル、１,３,４−オキサジアゾリル、
１,２,３−チアジアゾリル、１,２,４−チアジアゾリ
ル、１,３,４−チアジアゾリル、１,２,３−トリアゾリ
ル、１,２,４−トリアゾリル、テトラゾリル、チアトリ
アゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリ
ダジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、ピラニル、モ
ルホリニル、１,２,４−トリアジニル、ベンゾチエニ
ル、ナフトチエニル、ベンゾフリル、イソベンゾフリ
ル、クロメニル、インドリジニル、イソインドリル、イ
ンドリル、インダゾリル、プルニル、キノリル、イソキ
ノリル、フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリニ
ル、キナゾリニル、シノリニル、フタリジニル、イソク
ロマニル、クロマニル、インドリニル、イソインドリニ
ル、ベンゾオキサゾリル、トリアゾロピリジル、テトラ
ゾロピリダジニル、テトラゾロピリミジニル、チアゾロ
ピリダジニル、チアジアゾロピリダジニル、トリアゾロ
ピリダジニル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリ
ル、１,２,３,４−テトラヒドロキノリル、イミダゾ
［１,２−ｂ］［１,２,４］トリアジニルおよびキヌク
リジニルなどのような酸素原子、窒素原子および硫黄原
子から選ばれる少なくとも１つの異項原子を含有する４
〜６員または縮合複素環式基を、それぞれ意味する。
【０００７】以下、一般式［１］の化合物を詳細に説明
する。Ｒ1、Ｒ3およびＲ4における保護されていてもよ
いアミノ基の保護基、Ｒ2における保護されていてもよ
いカルボキシル基の保護基並びにＡにおけるヒドロキシ
ル基およびヒドロキシイミノ基の保護基としては、従
来、セフェム系化合物の分野で通常知られているアミノ
保護基、ヒドロキシル保護基およびカルボキシル保護基
が挙げられ、具体的には、プロテクティブ・グループス
・イン・オーガニック・シンセシス［Protective Group
s in Organic Synthesis セオドラ・ダブリュー ・グリ
ーン(Theodora.W.Green)著、(1991年)ジョン・ウィリー
・アンド・サンズ社(John Wiley & Sons, Inc.)］およ
び特公昭60-52755号などに記載されている以下の様なも
のが挙げられる。
する。Ｒ1、Ｒ3およびＲ4における保護されていてもよ
いアミノ基の保護基、Ｒ2における保護されていてもよ
いカルボキシル基の保護基並びにＡにおけるヒドロキシ
ル基およびヒドロキシイミノ基の保護基としては、従
来、セフェム系化合物の分野で通常知られているアミノ
保護基、ヒドロキシル保護基およびカルボキシル保護基
が挙げられ、具体的には、プロテクティブ・グループス
・イン・オーガニック・シンセシス［Protective Group
s in Organic Synthesis セオドラ・ダブリュー ・グリ
ーン(Theodora.W.Green)著、(1991年)ジョン・ウィリー
・アンド・サンズ社(John Wiley & Sons, Inc.)］およ
び特公昭60-52755号などに記載されている以下の様なも
のが挙げられる。
【０００８】ヒドロキシル保護基としては、通常ヒドロ
キシル基の保護基として使用し得るすべての基を含み、
たとえば、ベンジルオキシカルボニル、４−ニトロベン
ジルオキシカルボニル、４−ブロモベンジルオキシカル
ボニル、４−メトキシベンジルオキシカルボニル、３,
４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、メトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、tert−ブトキシカルボ
ニル、１,１−ジメチルプロポキシカルボニル、イソプ
ロポキシカルボニル、イソブチルオキシカルボニル、ジ
フェニルメトキシカルボニル、２,２,２−トリクロロエ
トキシカルボニル、２,２,２−トリブロモエトキシカル
ボニル、２−（トリメチルシリル）エトキシカルボニ
ル、２−（フェニルスルホニル）エトキシカルボニル、
２−（トリフェニルホスホニオ）エトキシカルボニル、
２−フルフリルオキシカルボニル、１−アダマンチルオ
キシカルボニル、ビニルオキシカルボニル、アリルオキ
シカルボニル、Ｓ−ベンジルチオカルボニル、４−エト
キシ−１−ナフチルオキシカルボニル、８−キノリルオ
キシカルボニル、アセチル、ホルミル、クロロアセチ
ル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、トリフル
オロアセチル、メトキシアセチル、フェノキシアセチ
ル、ピバロイルおよびベンゾイルなどのアシル基；メチ
ル、tert−ブチル、２,２,２−トリクロロエチルおよび
２−トリメチルシリルエチルなどの低級アルキル基；ア
リルなどの低級アルケニル基；ベンジル、ｐ−メトキシ
ベンジル、３,４−ジメトキシベンジル、ジフェニルメ
チルおよびトリフェニルメチルなどのアル−低級アルキ
ル基；テトラヒドロフリル、テトラヒドロピラニルおよ
びテトラヒドロチオピラニルなどの含酸素および含硫黄
複素環式基；メトキシメチル、メチルチオメチル、ベン
ジルオキシメチル、２−メトキシエトキシメチル、２,
２,２−トリクロロエトキシメチル、２−（トリメチル
シリル）エトキシメチルおよび１−エトキシエチルなど
の低級アルコキシ−および低級アルキルチオ−低級アル
キル基；メチルスルホニルおよびｐ−トリルスルホニル
などのアルキル−もしくはアリール−スルホニル基；ト
リメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピル
シリル、ジエチルイソプロピルシリル、tert−ブチルジ
メチルシリル、tert−ブチルジフェニルシリルおよびジ
フェニルメチルシリルなどの置換シリル基などが挙げら
れる。
キシル基の保護基として使用し得るすべての基を含み、
たとえば、ベンジルオキシカルボニル、４−ニトロベン
ジルオキシカルボニル、４−ブロモベンジルオキシカル
ボニル、４−メトキシベンジルオキシカルボニル、３,
４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、メトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、tert−ブトキシカルボ
ニル、１,１−ジメチルプロポキシカルボニル、イソプ
ロポキシカルボニル、イソブチルオキシカルボニル、ジ
フェニルメトキシカルボニル、２,２,２−トリクロロエ
トキシカルボニル、２,２,２−トリブロモエトキシカル
ボニル、２−（トリメチルシリル）エトキシカルボニ
ル、２−（フェニルスルホニル）エトキシカルボニル、
２−（トリフェニルホスホニオ）エトキシカルボニル、
２−フルフリルオキシカルボニル、１−アダマンチルオ
キシカルボニル、ビニルオキシカルボニル、アリルオキ
シカルボニル、Ｓ−ベンジルチオカルボニル、４−エト
キシ−１−ナフチルオキシカルボニル、８−キノリルオ
キシカルボニル、アセチル、ホルミル、クロロアセチ
ル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、トリフル
オロアセチル、メトキシアセチル、フェノキシアセチ
ル、ピバロイルおよびベンゾイルなどのアシル基；メチ
ル、tert−ブチル、２,２,２−トリクロロエチルおよび
２−トリメチルシリルエチルなどの低級アルキル基；ア
リルなどの低級アルケニル基；ベンジル、ｐ−メトキシ
ベンジル、３,４−ジメトキシベンジル、ジフェニルメ
チルおよびトリフェニルメチルなどのアル−低級アルキ
ル基；テトラヒドロフリル、テトラヒドロピラニルおよ
びテトラヒドロチオピラニルなどの含酸素および含硫黄
複素環式基；メトキシメチル、メチルチオメチル、ベン
ジルオキシメチル、２−メトキシエトキシメチル、２,
２,２−トリクロロエトキシメチル、２−（トリメチル
シリル）エトキシメチルおよび１−エトキシエチルなど
の低級アルコキシ−および低級アルキルチオ−低級アル
キル基；メチルスルホニルおよびｐ−トリルスルホニル
などのアルキル−もしくはアリール−スルホニル基；ト
リメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピル
シリル、ジエチルイソプロピルシリル、tert−ブチルジ
メチルシリル、tert−ブチルジフェニルシリルおよびジ
フェニルメチルシリルなどの置換シリル基などが挙げら
れる。
【０００９】アミノ保護基としては、通常アミノ保護基
として使用し得るすべての基を含み、たとえば、トリク
ロロエトキシカルボニル、トリブロモエトキシカルボニ
ル、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−ニトロベンジルオ
キシカルボニル、ｏ−ブロモベンジルオキシカルボニ
ル、（モノ−、ジ−、トリ−）クロロアセチル、トリフ
ルオロアセチル、フェニルアセチル、ホルミル、アセチ
ル、ベンゾイル、tert−アミルオキシカルボニル、 te
rt−ブトキシカルボニル、ｐ−メトキシベンジルオキシ
カルボニル、３,４−ジメトキシベンジルオキシ カルボ
ニル、４−（フェニルアゾ）ベンジルオキシカルボニ
ル、２−フルフリルオキシカルボニル、ジフェニルメト
キシカルボニル、１,１−ジメチルプロポキシカルボニ
ル、イソプロポキシカルボニル、フタロイル、スクシニ
ル、アラニル、ロイシル、１−アダマンチルオキシカル
ボニルおよび８−キノリルオキシカルボニルなどのアシ
ル基；ベンジル、ジフェニルメチルおよびトリチルなど
のアル−低級アルキル基；２−ニトロフェニルチオおよ
び２,４−ジニトロフェニルチオなどのアリールチオ
基；メチルスルホニルおよびｐ−トリルスルホニルなど
のアルキル−もしくはアリール−スルホニル基；Ｎ,Ｎ
−ジメチルアミノメチレンなどのジ低級アルキルアミノ
−低級アルキリデン基；ベンジリデン、２−ヒドロキシ
ベンジリデン、２−ヒドロキシ−５−クロロベンジリデ
ンおよび２−ヒドロキシ−１−ナフチルメチレンなどの
アル−低級アルキリデン基；３−ヒドロキシ−４−ピリ
ジルメチレンなどの含窒素複素環式アルキリデン基；シ
クロヘキシリデン、２−エトキシカルボニルシクロヘキ
シリデン、２−エトキシカルボニルシクロペンチリデ
ン、２−アセチルシクロヘキシリデンおよび３,３−ジ
メチル−５−オキソシクロヘキシリデンなどシクロアル
キリデン基；ジフェニルホスホリルおよびジベンジルホ
スホリルなどのジアリール−もしくはジアル−低級アル
キル−ホスホリル基；５−メチル−２−オキソ−２Ｈ−
１,３−ジオキソール−４−イル−メチルなどの含酸素
複素環式アルキル基並びにトリメチルシリルなどの低級
アルキル置換シリル基などが挙げられる。
として使用し得るすべての基を含み、たとえば、トリク
ロロエトキシカルボニル、トリブロモエトキシカルボニ
ル、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−ニトロベンジルオ
キシカルボニル、ｏ−ブロモベンジルオキシカルボニ
ル、（モノ−、ジ−、トリ−）クロロアセチル、トリフ
ルオロアセチル、フェニルアセチル、ホルミル、アセチ
ル、ベンゾイル、tert−アミルオキシカルボニル、 te
rt−ブトキシカルボニル、ｐ−メトキシベンジルオキシ
カルボニル、３,４−ジメトキシベンジルオキシ カルボ
ニル、４−（フェニルアゾ）ベンジルオキシカルボニ
ル、２−フルフリルオキシカルボニル、ジフェニルメト
キシカルボニル、１,１−ジメチルプロポキシカルボニ
ル、イソプロポキシカルボニル、フタロイル、スクシニ
ル、アラニル、ロイシル、１−アダマンチルオキシカル
ボニルおよび８−キノリルオキシカルボニルなどのアシ
ル基；ベンジル、ジフェニルメチルおよびトリチルなど
のアル−低級アルキル基；２−ニトロフェニルチオおよ
び２,４−ジニトロフェニルチオなどのアリールチオ
基；メチルスルホニルおよびｐ−トリルスルホニルなど
のアルキル−もしくはアリール−スルホニル基；Ｎ,Ｎ
−ジメチルアミノメチレンなどのジ低級アルキルアミノ
−低級アルキリデン基；ベンジリデン、２−ヒドロキシ
ベンジリデン、２−ヒドロキシ−５−クロロベンジリデ
ンおよび２−ヒドロキシ−１−ナフチルメチレンなどの
アル−低級アルキリデン基；３−ヒドロキシ−４−ピリ
ジルメチレンなどの含窒素複素環式アルキリデン基；シ
クロヘキシリデン、２−エトキシカルボニルシクロヘキ
シリデン、２−エトキシカルボニルシクロペンチリデ
ン、２−アセチルシクロヘキシリデンおよび３,３−ジ
メチル−５−オキソシクロヘキシリデンなどシクロアル
キリデン基；ジフェニルホスホリルおよびジベンジルホ
スホリルなどのジアリール−もしくはジアル−低級アル
キル−ホスホリル基；５−メチル−２−オキソ−２Ｈ−
１,３−ジオキソール−４−イル−メチルなどの含酸素
複素環式アルキル基並びにトリメチルシリルなどの低級
アルキル置換シリル基などが挙げられる。
【００１０】カルボキシル保護基としては、通常のカル
ボキシル基の保護基として使用し得るすべての基を含
み、たとえば、メチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、１,１−ジメチルプロピル、n−ブチルおよびte
rt−ブチルなどの低級アルキル基；フェニルおよびナフ
チルなどのアリール基；ベンジル、ジフェニルメチル、
トリフェニルメチル、ｐ−ニトロベンジル、ｐ−メトキ
シベンジルおよびビス（ｐ−メトキシフェニル）メチル
などのアル−低級アルキル基；アセチルメチル、ベンゾ
イルメチル、ｐ−ニトロベンゾイルメチル、ｐ−ブロモ
ベンゾイルメチルおよびｐ−メタンスルホニルベンゾイ
ルメチルなどのアシル−低級アルキル基；２−テトラヒ
ドロピラニルおよび２−テトラヒドロフラニルなどの含
酸素複素環式基；２,２,２−トリクロロエチルなどのハ
ロゲノ低級アルキル基；２−（トリメチルシリル）エチ
ルなどの低級アルキルシリルアルキル基；アセトキシメ
チル、プロピオニルオキシメチルおよびピバロイルオキ
シメチルなどのアルキルカルボニルオキシアルキル基；
メトキシカルボニルオキシメチルおよびイソプロポキシ
カルボニルオキシエチルなどのアルキルオキシカルボニ
ルオキシアルキル基；シクロヘキシルオキシカルボニル
オキシメチルおよびシクロヘキシルオキシカルボニルオ
キシエチルなどのシクロアルキルオキシカルボニルオキ
シアルキル基；フタルイミドメチルおよびスクシンイミ
ドメチルなどの含窒素複素環式−低級アルキル基；シク
ロヘキシルなどのシクロアルキル基；メトキシメチル、
メトキシエトキシメチルおよび２−（トリメチルシリ
ル）エトキシメチルなどの低級アルコキシ低級アルキル
基；ベンジルオキシメチルなどのアル−低級アルコキシ
低級アルキル基；メチルチオメチルおよび２−メチルチ
オエチルなどの低級アルキルチオ低級アルキル基；フェ
ニルチオメチルなどのアリールチオ低級アルキル基；
１,１−ジメチル−２−プロペニル、３−メチル−３−
ブチニルおよびアリルなどの低級アルケニル基並びにト
リメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピル
シリル、ジエチルイソプロピルシリル、tert−ブチルジ
メチルシリル、tert−ブチルジフェニルシリルおよびジ
フェニルメチルシリルなどの置換シリル基などが挙げら
れる。
ボキシル基の保護基として使用し得るすべての基を含
み、たとえば、メチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、１,１−ジメチルプロピル、n−ブチルおよびte
rt−ブチルなどの低級アルキル基；フェニルおよびナフ
チルなどのアリール基；ベンジル、ジフェニルメチル、
トリフェニルメチル、ｐ−ニトロベンジル、ｐ−メトキ
シベンジルおよびビス（ｐ−メトキシフェニル）メチル
などのアル−低級アルキル基；アセチルメチル、ベンゾ
イルメチル、ｐ−ニトロベンゾイルメチル、ｐ−ブロモ
ベンゾイルメチルおよびｐ−メタンスルホニルベンゾイ
ルメチルなどのアシル−低級アルキル基；２−テトラヒ
ドロピラニルおよび２−テトラヒドロフラニルなどの含
酸素複素環式基；２,２,２−トリクロロエチルなどのハ
ロゲノ低級アルキル基；２−（トリメチルシリル）エチ
ルなどの低級アルキルシリルアルキル基；アセトキシメ
チル、プロピオニルオキシメチルおよびピバロイルオキ
シメチルなどのアルキルカルボニルオキシアルキル基；
メトキシカルボニルオキシメチルおよびイソプロポキシ
カルボニルオキシエチルなどのアルキルオキシカルボニ
ルオキシアルキル基；シクロヘキシルオキシカルボニル
オキシメチルおよびシクロヘキシルオキシカルボニルオ
キシエチルなどのシクロアルキルオキシカルボニルオキ
シアルキル基；フタルイミドメチルおよびスクシンイミ
ドメチルなどの含窒素複素環式−低級アルキル基；シク
ロヘキシルなどのシクロアルキル基；メトキシメチル、
メトキシエトキシメチルおよび２−（トリメチルシリ
ル）エトキシメチルなどの低級アルコキシ低級アルキル
基；ベンジルオキシメチルなどのアル−低級アルコキシ
低級アルキル基；メチルチオメチルおよび２−メチルチ
オエチルなどの低級アルキルチオ低級アルキル基；フェ
ニルチオメチルなどのアリールチオ低級アルキル基；
１,１−ジメチル−２−プロペニル、３−メチル−３−
ブチニルおよびアリルなどの低級アルケニル基並びにト
リメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピル
シリル、ジエチルイソプロピルシリル、tert−ブチルジ
メチルシリル、tert−ブチルジフェニルシリルおよびジ
フェニルメチルシリルなどの置換シリル基などが挙げら
れる。
【００１１】Ｒ1のアルキルチオ、アルキニルチオ、ア
リール、アリールチオ、アリールオキシおよび複素環式
基の置換基としては、ハロゲン原子；メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチ
ルおよびヘキシルなどの直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ
1-12アルキル基；アルキルチオ基（アルキルは、上記し
たアルキル基を示す。）；アルキルスルフィニル基（ア
ルキルは、上記したアルキル基を示す。）；アルキルス
ルホニル基（アルキルは、上記したアルキル基を示
す。）；カルバモイル基；シアノ基；ニトロ基；保護さ
れていてもよいヒドロキシル基および保護されていても
よいアミノ基が挙げられ、これらの中から１種または２
種以上の置換基が選ばれてもよい。
リール、アリールチオ、アリールオキシおよび複素環式
基の置換基としては、ハロゲン原子；メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチ
ルおよびヘキシルなどの直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ
1-12アルキル基；アルキルチオ基（アルキルは、上記し
たアルキル基を示す。）；アルキルスルフィニル基（ア
ルキルは、上記したアルキル基を示す。）；アルキルス
ルホニル基（アルキルは、上記したアルキル基を示
す。）；カルバモイル基；シアノ基；ニトロ基；保護さ
れていてもよいヒドロキシル基および保護されていても
よいアミノ基が挙げられ、これらの中から１種または２
種以上の置換基が選ばれてもよい。
【００１２】Ｒ3とＲ4が結合している炭素原子と一緒に
なって１つ以上の異項原子を含有する４〜６員複素環で
ある場合の置換基としては、たとえば、ハロゲン原子；
保護されていてもよいヒドロキシル基；保護されていて
もよいヒドロキシイミノ基；保護されていてもよいアミ
ノ基；保護されていてもよいカルボキシル基；保護され
ていてもよいイミノ基；メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチルおよびヘキ
シルなどの直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1-12アルキル
基；ビニル、アリル、プロペニル、イソプロペニル、ブ
テニル、イソブテニル、ペンテニルおよびヘキセニルな
どの直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ2-12アルケニル基；エ
チニル、プロピニル、ブチニルおよびペンチニルなどの
直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ2-5アルキニル基；シクロ
プロピル、シクロブチル、シクロペンチルおよびシクロ
ヘキシルなどのＣ3-6シクロアルキル基；シクロブテニ
ル、シクロペンテニルおよびシクロヘキセニルなどのＣ
4-6シクロアルケニル基；フェニルまたはナフチル基な
どのアリール基；ホルミル、アセチル、プロピオニル、
ブチリル、ベンゾイルおよびナフトイルなどのアシル
基；アシルオキシ基（アシルは、上記したアシル基を示
す。）；メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポ
キシ、n-ブトキシ、イソブトキシ、ペンチルオキシおよ
びヘキシルオキシなどのＣ1-12アルコキシ基；フェニル
オキシまたはナフチルオキシなどのアリールオキシ基；
カルバモイルオキシ基；アルキルスルホニルオキシ基
（アルキルは、上記したアルキル基を示す。）；フェニ
ルスルホニルオキシまたはナフチルスルホニルオキシな
どのアリールスルホニルオキシ基；アルキルアミノ基
（アルキルは、上記したアルキル基を示す。）；ジアル
キルアミノ基（アルキルは、上記したアルキル基を示
す。）；アシルアミノ基（アシルは、上記したアシル基
を示す。）；アルキルスルホニルアミノ基（アルキル
は、上記したアルキル基を示す。）；アリールスルホニ
ルアミノ基（アリールは、上記したアリール基を示
す。）；アルコキシイミノ基（アルコキシは、上記した
アルコキシ基を示す。）；アルキルスルホニルイミノ基
（アルキルは、上記したアルキル基を示す。）；スルホ
基；メルカプト基；アルキルチオ基（アルキルは、上記
したアルキル基を示す。）；アルケニルチオ基（アルケ
ニルは、上記したアルケニル基を示す。）；シクロアル
キルチオ基（シクロアルキルは、上記したシクロアルキ
ル基を示す。）；シクロアルケニルチオ基（シクロアル
ケニルは、上記したシクロアルケニル基を示す。）；ア
リールチオ基（アリールは、上記したアリール基を示
す。）；アルキルスルフィニル基（アルキルは、上記し
たアルキル基を示す。）；アリールスルフィニル基（ア
リールは、上記したアリール基を示す。）；アルキルス
ルホニル基（アルキルは、上記したアルキル基を示
す。）；アルケニルスルホニル基（アルケニルは、上記
したアルケニル基を示す。）；シクロアルキルスルホニ
ル基（シクロアルキルは、上記したシクロアルキル基を
示す。）；アリールスルホニル基（アリールは、上記し
たアリール基を示す。）；スルファモイル基；アルコキ
シカルボニル基（アルコキシは、上記したアルコキシ基
を示す。）；ベンジルオキシカルボニル、ジフェニルメ
チルオキシカルボニルまたはフェネチルオキシカルボニ
ルなどのアルアルキルオキシカルボニル基；アルコキシ
カルボニルオキシ基（アルコキシは、上記したアルコキ
シ基を示す。）；アルアルキルオキシカルボニルオキシ
基（アルアルキルオキシカルボニルは、上記したアルア
ルキルオキシカルボニル基を示す。）；アミジノ基；グ
アニジノ基；カルバモイル基；ウレイド基；アジド基；
シアノ基；ニトロ基；ニトロソ基；複素環式チオ基およ
び複素環式基などが挙げられ、これらの中から１種また
は２種以上の置換基が選ばれていてもよい。
なって１つ以上の異項原子を含有する４〜６員複素環で
ある場合の置換基としては、たとえば、ハロゲン原子；
保護されていてもよいヒドロキシル基；保護されていて
もよいヒドロキシイミノ基；保護されていてもよいアミ
ノ基；保護されていてもよいカルボキシル基；保護され
ていてもよいイミノ基；メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチルおよびヘキ
シルなどの直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1-12アルキル
基；ビニル、アリル、プロペニル、イソプロペニル、ブ
テニル、イソブテニル、ペンテニルおよびヘキセニルな
どの直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ2-12アルケニル基；エ
チニル、プロピニル、ブチニルおよびペンチニルなどの
直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ2-5アルキニル基；シクロ
プロピル、シクロブチル、シクロペンチルおよびシクロ
ヘキシルなどのＣ3-6シクロアルキル基；シクロブテニ
ル、シクロペンテニルおよびシクロヘキセニルなどのＣ
4-6シクロアルケニル基；フェニルまたはナフチル基な
どのアリール基；ホルミル、アセチル、プロピオニル、
ブチリル、ベンゾイルおよびナフトイルなどのアシル
基；アシルオキシ基（アシルは、上記したアシル基を示
す。）；メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポ
キシ、n-ブトキシ、イソブトキシ、ペンチルオキシおよ
びヘキシルオキシなどのＣ1-12アルコキシ基；フェニル
オキシまたはナフチルオキシなどのアリールオキシ基；
カルバモイルオキシ基；アルキルスルホニルオキシ基
（アルキルは、上記したアルキル基を示す。）；フェニ
ルスルホニルオキシまたはナフチルスルホニルオキシな
どのアリールスルホニルオキシ基；アルキルアミノ基
（アルキルは、上記したアルキル基を示す。）；ジアル
キルアミノ基（アルキルは、上記したアルキル基を示
す。）；アシルアミノ基（アシルは、上記したアシル基
を示す。）；アルキルスルホニルアミノ基（アルキル
は、上記したアルキル基を示す。）；アリールスルホニ
ルアミノ基（アリールは、上記したアリール基を示
す。）；アルコキシイミノ基（アルコキシは、上記した
アルコキシ基を示す。）；アルキルスルホニルイミノ基
（アルキルは、上記したアルキル基を示す。）；スルホ
基；メルカプト基；アルキルチオ基（アルキルは、上記
したアルキル基を示す。）；アルケニルチオ基（アルケ
ニルは、上記したアルケニル基を示す。）；シクロアル
キルチオ基（シクロアルキルは、上記したシクロアルキ
ル基を示す。）；シクロアルケニルチオ基（シクロアル
ケニルは、上記したシクロアルケニル基を示す。）；ア
リールチオ基（アリールは、上記したアリール基を示
す。）；アルキルスルフィニル基（アルキルは、上記し
たアルキル基を示す。）；アリールスルフィニル基（ア
リールは、上記したアリール基を示す。）；アルキルス
ルホニル基（アルキルは、上記したアルキル基を示
す。）；アルケニルスルホニル基（アルケニルは、上記
したアルケニル基を示す。）；シクロアルキルスルホニ
ル基（シクロアルキルは、上記したシクロアルキル基を
示す。）；アリールスルホニル基（アリールは、上記し
たアリール基を示す。）；スルファモイル基；アルコキ
シカルボニル基（アルコキシは、上記したアルコキシ基
を示す。）；ベンジルオキシカルボニル、ジフェニルメ
チルオキシカルボニルまたはフェネチルオキシカルボニ
ルなどのアルアルキルオキシカルボニル基；アルコキシ
カルボニルオキシ基（アルコキシは、上記したアルコキ
シ基を示す。）；アルアルキルオキシカルボニルオキシ
基（アルアルキルオキシカルボニルは、上記したアルア
ルキルオキシカルボニル基を示す。）；アミジノ基；グ
アニジノ基；カルバモイル基；ウレイド基；アジド基；
シアノ基；ニトロ基；ニトロソ基；複素環式チオ基およ
び複素環式基などが挙げられ、これらの中から１種また
は２種以上の置換基が選ばれていてもよい。
【００１３】さらにまた、一般式［１］の化合物の塩と
しては、通常知られているアミノ基のような塩基性基ま
たはカルボキシル、スルホもしくはヒドロキシル基など
の酸性基における塩または分子内塩が挙げられる。塩基
性基における塩としては、たとえば、塩酸、臭化水素
酸、ヨウ化水素酸もしくは硫酸などの鉱酸との塩；ギ
酸、トリクロロ酢酸もしくはトリフルオロ酢酸などの有
機カルボン酸との塩；メタンスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸、p-トルエンスルホン酸、メシチレンスルホン
酸、ナフタレン−２−スルホン酸もしくはナフタレン−
１,５−ジスルホン酸などのスルホン酸類との塩；また
はグルタミン酸もしくはアスパラギン酸などの酸性アミ
ノ酸との塩などが、また、酸性基における塩としては、
たとえば、ナトリウムもしくはカリウムなどのアルカリ
金属との塩；カルシウムもしくはマグネシウムなどのア
ルカリ土類金属との塩；アンモニウム塩；トリメチルア
ミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジ
ン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−メチルピペリジン
もしくはＮ−メチルモルホリンなどの含窒素有機塩基と
の塩；またはリジンもしくはアルギニンなどの塩基性ア
ミノ酸との塩などが挙げられる。
しては、通常知られているアミノ基のような塩基性基ま
たはカルボキシル、スルホもしくはヒドロキシル基など
の酸性基における塩または分子内塩が挙げられる。塩基
性基における塩としては、たとえば、塩酸、臭化水素
酸、ヨウ化水素酸もしくは硫酸などの鉱酸との塩；ギ
酸、トリクロロ酢酸もしくはトリフルオロ酢酸などの有
機カルボン酸との塩；メタンスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸、p-トルエンスルホン酸、メシチレンスルホン
酸、ナフタレン−２−スルホン酸もしくはナフタレン−
１,５−ジスルホン酸などのスルホン酸類との塩；また
はグルタミン酸もしくはアスパラギン酸などの酸性アミ
ノ酸との塩などが、また、酸性基における塩としては、
たとえば、ナトリウムもしくはカリウムなどのアルカリ
金属との塩；カルシウムもしくはマグネシウムなどのア
ルカリ土類金属との塩；アンモニウム塩；トリメチルア
ミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジ
ン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−メチルピペリジン
もしくはＮ−メチルモルホリンなどの含窒素有機塩基と
の塩；またはリジンもしくはアルギニンなどの塩基性ア
ミノ酸との塩などが挙げられる。
【００１４】また、一般式［１］の化合物およびその塩
において、異性体（たとえば、光学異性体、幾何異性
体、互変異性体など）が存在する場合、本発明は、それ
らすべての異性体を包含し、また、すべての水和物、溶
媒和物および種々の結晶形をも包含するものである。
において、異性体（たとえば、光学異性体、幾何異性
体、互変異性体など）が存在する場合、本発明は、それ
らすべての異性体を包含し、また、すべての水和物、溶
媒和物および種々の結晶形をも包含するものである。
【００１５】本発明化合物で好ましいものは、一般式
［１］において、Ｒ1が２−アミノチアゾール−４−イ
ル基；Ｒ3およびＲ4が、それぞれ、保護されていてもよ
いアミノ基で置換されている低級アルキル基；または、
Ｒ3とＲ4が結合している炭素原子と一緒になって、置換
されていてもよい１つ以上の窒素原子を含有する４〜６
員複素環である化合物が挙げられる。具体的な化合物と
しては、例えば、以下のような化合物が挙げられる。
［１］において、Ｒ1が２−アミノチアゾール−４−イ
ル基；Ｒ3およびＲ4が、それぞれ、保護されていてもよ
いアミノ基で置換されている低級アルキル基；または、
Ｒ3とＲ4が結合している炭素原子と一緒になって、置換
されていてもよい１つ以上の窒素原子を含有する４〜６
員複素環である化合物が挙げられる。具体的な化合物と
しては、例えば、以下のような化合物が挙げられる。
【００１６】・３−（３−アミノ−２−アミノメチルプ
ロパ−１−エニルチオ）−７−［２−（２−アミノチア
ゾール−４−イル）−（Ｚ）−２−トリフェニルメトキ
シイミノアセトアミド］−３−セフェム−４−カルボン
酸 ・７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］−３−
（ピロリジン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフェ
ム−４−カルボン酸 ・７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］−３−
［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−５−イ
リデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−カルボン酸 ・３−（２−メチルスルホニルイミノペルヒドロピリミ
ジン−５−イリデン）メチルチオ−７−フェニルアセト
アミド−３−セフェム−４−カルボン酸 ・３−（３−アミノ−２−アミノメチルプロパ−１−エ
ニルチオ）−７−［２−（２−アミノチアゾール−４−
イル）−（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミ
ド］］−３−セフェム−４−カルボン酸 ・７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−メトキシイミノアセトアミド］−３−（ピ
ロリジン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフェム−
４−カルボン酸 ・７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−メトキシイミノアセトアミド］−３−
［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−５−イ
リデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−カルボン酸 ・７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］−３−
（２−メチルスルホニルイミノペルヒドロピリミジン−
５−イリデン）メチルチオ−３−セフェム−４−カルボ
ン酸 ・７−フェニルアセトアミド−３−（ピロリジン−３−
イリデン）メチルチオ−３−セフェム−４−カルボン酸 ・７−フェニルアセトアミド−３−［（１，４，５，６
−テトラヒドロピリミジン−５−イリデン）メチルチ
オ］−３−セフェム−４−カルボン酸
ロパ−１−エニルチオ）−７−［２−（２−アミノチア
ゾール−４−イル）−（Ｚ）−２−トリフェニルメトキ
シイミノアセトアミド］−３−セフェム−４−カルボン
酸 ・７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］−３−
（ピロリジン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフェ
ム−４−カルボン酸 ・７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］−３−
［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−５−イ
リデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−カルボン酸 ・３−（２−メチルスルホニルイミノペルヒドロピリミ
ジン−５−イリデン）メチルチオ−７−フェニルアセト
アミド−３−セフェム−４−カルボン酸 ・３−（３−アミノ−２−アミノメチルプロパ−１−エ
ニルチオ）−７−［２−（２−アミノチアゾール−４−
イル）−（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミ
ド］］−３−セフェム−４−カルボン酸 ・７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−メトキシイミノアセトアミド］−３−（ピ
ロリジン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフェム−
４−カルボン酸 ・７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−メトキシイミノアセトアミド］−３−
［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−５−イ
リデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−カルボン酸 ・７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］−３−
（２−メチルスルホニルイミノペルヒドロピリミジン−
５−イリデン）メチルチオ−３−セフェム−４−カルボ
ン酸 ・７−フェニルアセトアミド−３−（ピロリジン−３−
イリデン）メチルチオ−３−セフェム−４−カルボン酸 ・７−フェニルアセトアミド−３−［（１，４，５，６
−テトラヒドロピリミジン−５−イリデン）メチルチ
オ］−３−セフェム−４−カルボン酸
【００１７】・７−フェノキシアセトアミド−３−（ピ
ロリジン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフェム−
４−カルボン酸 ・７−フェニルチオアセトアミド−３−（ピロリジン−
３−イリデン）メチルチオ−３−セフェム−４−カルボ
ン酸 ・７−シアノメチルチオアセトアミド−３−（ピロリジ
ン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフェム−４−カ
ルボン酸 ・７−［（Ｒ）−２−アミノ−２−フェニルアセトアミ
ド］−３−［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジ
ン−５−イリデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−
カルボン酸 ・７−［（Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−フェニルアセト
アミド］−３−［（１，４，５，６−テトラヒドロピリ
ミジン−５−イリデン）メチルチオ］−３−セフェム−
４−カルボン酸 ・７−［（Ｒ）−２−アミノ−２−（４−ヒドロキシフ
ェニル）アセトアミド］−３−［（１，４，５，６−テ
トラヒドロピリミジン−５−イリデン）メチルチオ］−
３−セフェム−４−カルボン酸 ・７−（２−チエニル）アセトアミド−３−［（１，
４，５，６−テトラヒドロピリミジン−５−イリデン）
メチルチオ］−３−セフェム−４−カルボン酸 ・７−（１Ｈ−トリアゾール−１−イル）アセトアミド
−３−［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−
５−イリデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−カル
ボン酸 ・７−［２−（２−フリル）−（Ｚ）−２−ヒドロキシ
イミノアセトアミド］−３−［（１，４，５，６−テト
ラヒドロピリミジン−５−イリデン）メチルチオ］−３
−セフェム−４−カルボン酸 ・７−（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミ
ド−３−［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン
−５−イリデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−カ
ルボン酸 ・７−［２−（５−アミノ−１，２，４−チアジアゾー
ル−３−イル）−（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセト
アミド］−３−［（１，４，５，６−テトラヒドロピリ
ミジン−５−イリデン）メチルチオ］−３−セフェム−
４−カルボン酸
ロリジン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフェム−
４−カルボン酸 ・７−フェニルチオアセトアミド−３−（ピロリジン−
３−イリデン）メチルチオ−３−セフェム−４−カルボ
ン酸 ・７−シアノメチルチオアセトアミド−３−（ピロリジ
ン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフェム−４−カ
ルボン酸 ・７−［（Ｒ）−２−アミノ−２−フェニルアセトアミ
ド］−３−［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジ
ン−５−イリデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−
カルボン酸 ・７−［（Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−フェニルアセト
アミド］−３−［（１，４，５，６−テトラヒドロピリ
ミジン−５−イリデン）メチルチオ］−３−セフェム−
４−カルボン酸 ・７−［（Ｒ）−２−アミノ−２−（４−ヒドロキシフ
ェニル）アセトアミド］−３−［（１，４，５，６−テ
トラヒドロピリミジン−５−イリデン）メチルチオ］−
３−セフェム−４−カルボン酸 ・７−（２−チエニル）アセトアミド−３−［（１，
４，５，６−テトラヒドロピリミジン−５−イリデン）
メチルチオ］−３−セフェム−４−カルボン酸 ・７−（１Ｈ−トリアゾール−１−イル）アセトアミド
−３−［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−
５−イリデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−カル
ボン酸 ・７−［２−（２−フリル）−（Ｚ）−２−ヒドロキシ
イミノアセトアミド］−３−［（１，４，５，６−テト
ラヒドロピリミジン−５−イリデン）メチルチオ］−３
−セフェム−４−カルボン酸 ・７−（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミ
ド−３−［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン
−５−イリデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−カ
ルボン酸 ・７−［２−（５−アミノ−１，２，４−チアジアゾー
ル−３−イル）−（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセト
アミド］−３−［（１，４，５，６−テトラヒドロピリ
ミジン−５−イリデン）メチルチオ］−３−セフェム−
４−カルボン酸
【００１８】次に、本発明化合物の製造法について説明
する。本発明化合物は、たとえば、次に示す製造ルート
にしたがって合成することができる。
する。本発明化合物は、たとえば、次に示す製造ルート
にしたがって合成することができる。
【００１９】
【式１】
【００２０】
【式２】
【００２１】
【式３】
【００２２】［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それ
ぞれ、前記したと同様の意味を有し、Ｒ2aは、Ｒ2と同
様の保護されたカルボキシル基を；Ｒ5は、水素原子ま
たはアミノ保護基を；並びにＸは、脱離基を、それぞれ
示す。］ Ｒ5のアミノ保護基としては、Ｒ1で説明したと同様のア
ミノ保護基が挙げられる。さらにまた、Ｘの脱離基とし
ては、ハロゲン原子、メチルスルホニルオキシ、エチル
スルホニルオキシなどの低級アルキルスルホニルオキシ
基；トリフルオロメチルスルホニルオキシなどのハロゲ
ノ低級アルキルスルホニルオキシ基およびp-トリルスル
ホニルオキシなどのアリールスルホニルオキシ基などが
挙げられる。
ぞれ、前記したと同様の意味を有し、Ｒ2aは、Ｒ2と同
様の保護されたカルボキシル基を；Ｒ5は、水素原子ま
たはアミノ保護基を；並びにＸは、脱離基を、それぞれ
示す。］ Ｒ5のアミノ保護基としては、Ｒ1で説明したと同様のア
ミノ保護基が挙げられる。さらにまた、Ｘの脱離基とし
ては、ハロゲン原子、メチルスルホニルオキシ、エチル
スルホニルオキシなどの低級アルキルスルホニルオキシ
基；トリフルオロメチルスルホニルオキシなどのハロゲ
ノ低級アルキルスルホニルオキシ基およびp-トリルスル
ホニルオキシなどのアリールスルホニルオキシ基などが
挙げられる。
【００２３】また、一般式［４］の化合物またはその塩
の反応性誘導体としては、たとえば、トリメチルシラニ
ル、イソプロピルジメチルシラニル、ジメトキシメチル
シラニル、ジメチルメトキシシラニルもしくはジメトキ
シシランジイルなどの有機シリル基またはジメトキシホ
スフィニル、１,３,２−ジオキソホスホラン−２−イ
ル、４−メチル−１,３,２−ジオキソホスホラン−２−
イルもしくは１,３,２−ジオキソホスホリナン−２−イ
ルなどの有機リン基が反応部位であるアミノ基に結合し
た化合物などが挙げられる。
の反応性誘導体としては、たとえば、トリメチルシラニ
ル、イソプロピルジメチルシラニル、ジメトキシメチル
シラニル、ジメチルメトキシシラニルもしくはジメトキ
シシランジイルなどの有機シリル基またはジメトキシホ
スフィニル、１,３,２−ジオキソホスホラン−２−イ
ル、４−メチル−１,３,２−ジオキソホスホラン−２−
イルもしくは１,３,２−ジオキソホスホリナン−２−イ
ルなどの有機リン基が反応部位であるアミノ基に結合し
た化合物などが挙げられる。
【００２４】また、一般式［５］の化合物またはその塩
の反応性誘導体としては、たとえば、特開昭59-93085号
などに記載の酸ハロゲン化物、酸無水物、混合酸無水
物、活性酸アミド、活性エステル、活性チオロエステル
もしくは酸アジドまたは一般式［５］の化合物とビルス
マイヤー試薬との反応性誘導体などが挙げられる。
の反応性誘導体としては、たとえば、特開昭59-93085号
などに記載の酸ハロゲン化物、酸無水物、混合酸無水
物、活性酸アミド、活性エステル、活性チオロエステル
もしくは酸アジドまたは一般式［５］の化合物とビルス
マイヤー試薬との反応性誘導体などが挙げられる。
【００２５】次に、一般式［１］の化合物またはその塩
の製造法を、前述の製造ルートにしたがって、さらに詳
細に説明する。 製造法１ 一般式［２］の化合物またはその塩を、たとえば、ザ・
ジャーナル・オブ・アンチビオティックス（J. Antibio
tics）第46巻、第177-192頁（1993年）および同第46
巻、第316-330頁（1993年）などに記載の方法またはそ
れらに準じた方法により、一般式［３］の化合物または
その塩と反応させることによって、一般式［１］の化合
物またはその塩を得ることができる。具体的には、一般
式［２］の化合物またはその塩を、塩基もしくは脱酸剤
の存在下または不存在下、一般式［３］の化合物または
その塩と反応させることによって、一般式［１］の化合
物またはその塩を得ることができる。
の製造法を、前述の製造ルートにしたがって、さらに詳
細に説明する。 製造法１ 一般式［２］の化合物またはその塩を、たとえば、ザ・
ジャーナル・オブ・アンチビオティックス（J. Antibio
tics）第46巻、第177-192頁（1993年）および同第46
巻、第316-330頁（1993年）などに記載の方法またはそ
れらに準じた方法により、一般式［３］の化合物または
その塩と反応させることによって、一般式［１］の化合
物またはその塩を得ることができる。具体的には、一般
式［２］の化合物またはその塩を、塩基もしくは脱酸剤
の存在下または不存在下、一般式［３］の化合物または
その塩と反応させることによって、一般式［１］の化合
物またはその塩を得ることができる。
【００２６】この反応で用いられる溶媒としては、反応
に悪影響を及ぼさない溶媒であれば特に限定されない
が、たとえば、水；テトラヒドロフラン、ジエチルエー
テルおよびジオキサンなどのエーテル類；塩化メチレン
およびクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類；メタ
ノールおよびエタノールなどのアルコール類；Ｎ,Ｎ−
ジメチルホルムアミドおよびＮ,Ｎ−ジメチルアセトア
ミドなどのアミド類；ベンゼンおよびトルエンなどの芳
香族炭化水素類；酢酸エチルおよび酢酸ブチルなどのエ
ステル類；アセトンおよびメチルエチルケトンなどのケ
トン類；ジメチルスルホキシド；１,３−ジメチルイミ
ダゾリジノン；ヘキサメチルリン酸トリアミド；並びに
アセトニトリルおよびプロピオニトリルなどのニトリル
類などが挙げられ、これらの溶媒を一種または二種以上
混合して使用してもよい。この反応で必要に応じて用い
られる塩基としては、たとえば、水酸化アルカリ、炭酸
水素アルカリ、ナトリウム メトキシド、カリウム tert
−ブトキシド、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチル
アミノピリジン、２,６−ルチジン、テトラメチルグア
ニジン、リチウムビストリメチルシリルアミド、水素化
ナトリウム、１,８−ジアザビシクロ[５.４.０]−７−
ウンデセン、１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］−５
−ノネンまたはメチルマグネシウムブロミドなどが挙げ
られる。また、必要に応じて用いられる脱酸剤として
は、たとえば、モレキュラーシーブスおよびプロピレン
オキシドなどが挙げられる。一般式［３］の化合物また
はその塩の使用量は、一般式［２］の化合物またはその
塩に対して、等モル以上である。また、必要に応じて用
いられる塩基または脱酸剤の使用量は、一般式［２］の
化合物またはその塩に対して、それぞれ、0.5〜２倍モ
ルまたは等モル以上である。また、反応温度および反応
時間は、特に限定されないが、通常、−80℃〜100℃
で、５分〜50時間実施すればよい。
に悪影響を及ぼさない溶媒であれば特に限定されない
が、たとえば、水；テトラヒドロフラン、ジエチルエー
テルおよびジオキサンなどのエーテル類；塩化メチレン
およびクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類；メタ
ノールおよびエタノールなどのアルコール類；Ｎ,Ｎ−
ジメチルホルムアミドおよびＮ,Ｎ−ジメチルアセトア
ミドなどのアミド類；ベンゼンおよびトルエンなどの芳
香族炭化水素類；酢酸エチルおよび酢酸ブチルなどのエ
ステル類；アセトンおよびメチルエチルケトンなどのケ
トン類；ジメチルスルホキシド；１,３−ジメチルイミ
ダゾリジノン；ヘキサメチルリン酸トリアミド；並びに
アセトニトリルおよびプロピオニトリルなどのニトリル
類などが挙げられ、これらの溶媒を一種または二種以上
混合して使用してもよい。この反応で必要に応じて用い
られる塩基としては、たとえば、水酸化アルカリ、炭酸
水素アルカリ、ナトリウム メトキシド、カリウム tert
−ブトキシド、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチル
アミノピリジン、２,６−ルチジン、テトラメチルグア
ニジン、リチウムビストリメチルシリルアミド、水素化
ナトリウム、１,８−ジアザビシクロ[５.４.０]−７−
ウンデセン、１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］−５
−ノネンまたはメチルマグネシウムブロミドなどが挙げ
られる。また、必要に応じて用いられる脱酸剤として
は、たとえば、モレキュラーシーブスおよびプロピレン
オキシドなどが挙げられる。一般式［３］の化合物また
はその塩の使用量は、一般式［２］の化合物またはその
塩に対して、等モル以上である。また、必要に応じて用
いられる塩基または脱酸剤の使用量は、一般式［２］の
化合物またはその塩に対して、それぞれ、0.5〜２倍モ
ルまたは等モル以上である。また、反応温度および反応
時間は、特に限定されないが、通常、−80℃〜100℃
で、５分〜50時間実施すればよい。
【００２７】製造法２ 一般式［４］の化合物もしくはその塩またはそれらの反
応性誘導体を、塩基の存在下または不存在下、一般式
［５］の化合物もしくはその塩またはそれらの反応性誘
導体と反応させることにより、一般式［１］の化合物ま
たはその塩を得ることができる。この反応に用いられる
溶媒としては、製造法１で説明したと同様の溶媒が挙げ
られる。この反応で必要に応じて用いられる塩基として
は、たとえば、ナトリウムメトキシド、カリウム tert-
ブトキシド、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチル
アミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、Ｎ−メチ
ルモルホリン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ,Ｎ−ジエ
チルアニリン、ジシクロヘキシルアミン、２,６−ルチ
ジン、テトラメチルグアニジン、リチウムジイソプロピ
ルアミド、リチウムビストリメチルシリルアミド、１,
８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン、
１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］−５−ノネンなど
の有機塩基；水素化ナトリウム、水酸化アルカリ、炭酸
アルカリ、炭酸水素ナトリウムもしくは炭酸水素カリウ
ムなどの無機塩基などが挙げられる。一般式［５］の化
合物を遊離酸またはその塩の状態で使用するには、適切
な縮合剤を用いる。このような縮合剤としては、たとえ
ば、Ｎ,Ｎ'−ジシクロヘキシルカルボジイミドのような
Ｎ,Ｎ'−ジ置換カルボジイミドが挙げられる。一般式
［５］の化合物もしくはその塩またはそれらの反応性誘
導体の使用量は、一般式［４］の化合物もしくはその塩
またはそれらの反応性誘導体に対して、0.9倍モル以
上、好ましくは、0.9〜1.5倍モルである。また、必要に
応じて用いられる塩基および縮合剤の使用量は、一般式
［４］の化合物もしくはその塩またはそれらの反応性誘
導体に対して、それぞれ、0.5〜２倍モルおよび等モル
以上である。さらにまた、反応温度および反応時間は、
特に限定されないが、通常、−50〜80℃で、５分〜30時
間実施すればよい。
応性誘導体を、塩基の存在下または不存在下、一般式
［５］の化合物もしくはその塩またはそれらの反応性誘
導体と反応させることにより、一般式［１］の化合物ま
たはその塩を得ることができる。この反応に用いられる
溶媒としては、製造法１で説明したと同様の溶媒が挙げ
られる。この反応で必要に応じて用いられる塩基として
は、たとえば、ナトリウムメトキシド、カリウム tert-
ブトキシド、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチル
アミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、Ｎ−メチ
ルモルホリン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ,Ｎ−ジエ
チルアニリン、ジシクロヘキシルアミン、２,６−ルチ
ジン、テトラメチルグアニジン、リチウムジイソプロピ
ルアミド、リチウムビストリメチルシリルアミド、１,
８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン、
１,５−ジアザビシクロ［４.３.０］−５−ノネンなど
の有機塩基；水素化ナトリウム、水酸化アルカリ、炭酸
アルカリ、炭酸水素ナトリウムもしくは炭酸水素カリウ
ムなどの無機塩基などが挙げられる。一般式［５］の化
合物を遊離酸またはその塩の状態で使用するには、適切
な縮合剤を用いる。このような縮合剤としては、たとえ
ば、Ｎ,Ｎ'−ジシクロヘキシルカルボジイミドのような
Ｎ,Ｎ'−ジ置換カルボジイミドが挙げられる。一般式
［５］の化合物もしくはその塩またはそれらの反応性誘
導体の使用量は、一般式［４］の化合物もしくはその塩
またはそれらの反応性誘導体に対して、0.9倍モル以
上、好ましくは、0.9〜1.5倍モルである。また、必要に
応じて用いられる塩基および縮合剤の使用量は、一般式
［４］の化合物もしくはその塩またはそれらの反応性誘
導体に対して、それぞれ、0.5〜２倍モルおよび等モル
以上である。さらにまた、反応温度および反応時間は、
特に限定されないが、通常、−50〜80℃で、５分〜30時
間実施すればよい。
【００２８】製造法３ （１）異性化 一般式［６］の化合物またはその塩を、塩基と反応させ
ることにより、一般式［１］の化合物またはその塩を得
ることができる。この反応は、たとえば、ジャーナル・
オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサエティー（J.Am
er.Chem.Soc.）第88巻、第852-853頁（1966年）に記載
の方法またはそれに準じた方法によって実施することが
できる。 （２）酸化・還元 また、別法として、一般式［６］の化合物またはその塩
を、従来セフェム系化合物の分野で通常用いられている
酸化反応に付すことによって、一般式［７］の化合物ま
たはその塩に誘導し、ついで一般式［７］の化合物また
はその塩を、従来セフェム系化合物の分野で通常用いら
れている還元反応に付すことにより、一般式［１］の化
合物またはその塩を得ることもできる。これらの酸化・
還元反応は、たとえば、ザ・ジャーナル・オブ・オーガ
ニック・ケミストリー（J.Org.Chem）第35巻、第2430-2
433（1970年）、ジャーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソ
サエティー（J.Chem.Soc.(C)）第1142-1151頁（1966
年）および特開昭52-48683号などに記載の方法またはそ
れらに準じた方法によって実施することができる。
ることにより、一般式［１］の化合物またはその塩を得
ることができる。この反応は、たとえば、ジャーナル・
オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサエティー（J.Am
er.Chem.Soc.）第88巻、第852-853頁（1966年）に記載
の方法またはそれに準じた方法によって実施することが
できる。 （２）酸化・還元 また、別法として、一般式［６］の化合物またはその塩
を、従来セフェム系化合物の分野で通常用いられている
酸化反応に付すことによって、一般式［７］の化合物ま
たはその塩に誘導し、ついで一般式［７］の化合物また
はその塩を、従来セフェム系化合物の分野で通常用いら
れている還元反応に付すことにより、一般式［１］の化
合物またはその塩を得ることもできる。これらの酸化・
還元反応は、たとえば、ザ・ジャーナル・オブ・オーガ
ニック・ケミストリー（J.Org.Chem）第35巻、第2430-2
433（1970年）、ジャーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソ
サエティー（J.Chem.Soc.(C)）第1142-1151頁（1966
年）および特開昭52-48683号などに記載の方法またはそ
れらに準じた方法によって実施することができる。
【００２９】上で述べた製造法における一般式［４］も
しくは［５］の化合物またはそれらの塩あるいはそれら
の反応性誘導体；および一般式［２］、［３］、［６］
または［７］の化合物もしくはそれらの塩において、異
性体（たとえば、光学異性体、幾何異性体、互変異性体
など）が存在する場合、これらすべての異性体を使用す
ることができ、また、すべての水和物、溶媒和物および
種々の結晶形を使用することができる。このようにして
得られた本発明の一般式［１］の化合物またはその塩
は、抽出、晶出およびカラムクロマトグラフィーなどの
常法にしたがって単離精製することができる。
しくは［５］の化合物またはそれらの塩あるいはそれら
の反応性誘導体；および一般式［２］、［３］、［６］
または［７］の化合物もしくはそれらの塩において、異
性体（たとえば、光学異性体、幾何異性体、互変異性体
など）が存在する場合、これらすべての異性体を使用す
ることができ、また、すべての水和物、溶媒和物および
種々の結晶形を使用することができる。このようにして
得られた本発明の一般式［１］の化合物またはその塩
は、抽出、晶出およびカラムクロマトグラフィーなどの
常法にしたがって単離精製することができる。
【００３０】ついで、本発明の化合物を製造するための
原料である一般式［２］の化合物またはその塩；一般式
［３］の化合物またはその塩；一般式［４］の化合物も
しくはその塩またはそれらの反応性誘導体；および一般
式［６］の化合物またはその塩の製造法について説明す
る。 （イ）製造法１における原料化合物である一般式［２］
の化合物またはその塩は、公知方法またはそれらに準じ
た方法にしたがって製造することができるが具体的に
は、たとえば、特開平5−59066号などに記載の方法また
はそれらに準じた方法にしたがって得ることができる。
また、製造法１における原料化合物である一般式［３］
の化合物またはその塩は、公知方法またはそれらに準じ
た方法にしたがって製造することができるが、具体的に
は、たとえば、ザ・ジャーナル・オブ・アンチビオティ
ックス（J.Antibiotics）第43巻、第1137-1149頁(1990
年)および特開昭59-84887号などに記載の方法またはそ
れらに準じた方法にしたがって得ることができる。ま
た、これらの文献に記載の反応の他に、さらに、通常の
アルキル化反応、置換反応、アシル化反応、酸化反応、
還元反応などを応用し、さらに他の目的の原料化合物へ
誘導することができる。 （ロ）製造法２および製造法３における原料化合物であ
る一般式［４］および一般式［６］の化合物並びにそれ
らの塩は、製造法１および自体公知の方法を組み合わせ
て製造することができる。
原料である一般式［２］の化合物またはその塩；一般式
［３］の化合物またはその塩；一般式［４］の化合物も
しくはその塩またはそれらの反応性誘導体；および一般
式［６］の化合物またはその塩の製造法について説明す
る。 （イ）製造法１における原料化合物である一般式［２］
の化合物またはその塩は、公知方法またはそれらに準じ
た方法にしたがって製造することができるが具体的に
は、たとえば、特開平5−59066号などに記載の方法また
はそれらに準じた方法にしたがって得ることができる。
また、製造法１における原料化合物である一般式［３］
の化合物またはその塩は、公知方法またはそれらに準じ
た方法にしたがって製造することができるが、具体的に
は、たとえば、ザ・ジャーナル・オブ・アンチビオティ
ックス（J.Antibiotics）第43巻、第1137-1149頁(1990
年)および特開昭59-84887号などに記載の方法またはそ
れらに準じた方法にしたがって得ることができる。ま
た、これらの文献に記載の反応の他に、さらに、通常の
アルキル化反応、置換反応、アシル化反応、酸化反応、
還元反応などを応用し、さらに他の目的の原料化合物へ
誘導することができる。 （ロ）製造法２および製造法３における原料化合物であ
る一般式［４］および一般式［６］の化合物並びにそれ
らの塩は、製造法１および自体公知の方法を組み合わせ
て製造することができる。
【００３１】以上、説明した本発明化合物の製造法およ
び原料化合物の製造法において、反応部位以外に、アミ
ノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基およびメルカプ
ト基などの活性基を有する場合、予めこれらの基を常法
にしたがって保護しておき、反応後に常法にしたがって
脱保護してもよい。また、反応終了後、反応目的物は単
離することなく、そのままつぎの反応に用いることもで
き、また、抽出、晶出、カラムクロマトグラフィーなど
の常法にしたがって単離精製してもよい。
び原料化合物の製造法において、反応部位以外に、アミ
ノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基およびメルカプ
ト基などの活性基を有する場合、予めこれらの基を常法
にしたがって保護しておき、反応後に常法にしたがって
脱保護してもよい。また、反応終了後、反応目的物は単
離することなく、そのままつぎの反応に用いることもで
き、また、抽出、晶出、カラムクロマトグラフィーなど
の常法にしたがって単離精製してもよい。
【００３２】本発明化合物を医薬として用いる場合、通
常製剤化に使用される賦形剤、通常の医薬担体および希
釈剤などの製剤補助剤を適宜混合してもよく、これら
は、常法にしたがって、錠剤、軟もしくは硬カプセル
剤、散剤、シロップ剤、顆粒剤、丸剤、懸濁剤、乳剤、
液剤、粉体製剤、坐剤、軟膏剤または皮下、筋肉、静脈
内もしくは点滴注射剤などの形態で経口または非経口投
与することができる。また、投与方法、投与量および投
与回数は、患者の年齢、体重および症状に応じて適宜選
択することができ、通常成人に対しては、経口または非
経口（たとえば、注射、点滴または直腸部位への投与な
ど）投与により、１日当たり0.1-1000mg/kgを１回から
数回に分割して投与すればよい。
常製剤化に使用される賦形剤、通常の医薬担体および希
釈剤などの製剤補助剤を適宜混合してもよく、これら
は、常法にしたがって、錠剤、軟もしくは硬カプセル
剤、散剤、シロップ剤、顆粒剤、丸剤、懸濁剤、乳剤、
液剤、粉体製剤、坐剤、軟膏剤または皮下、筋肉、静脈
内もしくは点滴注射剤などの形態で経口または非経口投
与することができる。また、投与方法、投与量および投
与回数は、患者の年齢、体重および症状に応じて適宜選
択することができ、通常成人に対しては、経口または非
経口（たとえば、注射、点滴または直腸部位への投与な
ど）投与により、１日当たり0.1-1000mg/kgを１回から
数回に分割して投与すればよい。
【００３３】つぎに、本発明の代表的化合物の抗菌作用
について説明する。 試験方法 日本化学療法学会標準法［ケモテラピー(CHEMOTHERAPY)
第29巻、第１号、第76〜79頁(1981年)に準じ、増殖用培
地で一夜培養した試験菌を106cells/mlに調整し、その
１白金耳を、薬剤を含むミュラー ヒントン アガー(Mue
ller Hinton agar) 培地（Difco社製）に接種し、37℃
で18〜20時間培養した後、菌の発育の有無を 観察し、
菌の発育が阻止された最小限度の薬剤濃度をもってＭＩ
Ｃ（μg/ml）とした。その結果を表１に示す。
について説明する。 試験方法 日本化学療法学会標準法［ケモテラピー(CHEMOTHERAPY)
第29巻、第１号、第76〜79頁(1981年)に準じ、増殖用培
地で一夜培養した試験菌を106cells/mlに調整し、その
１白金耳を、薬剤を含むミュラー ヒントン アガー(Mue
ller Hinton agar) 培地（Difco社製）に接種し、37℃
で18〜20時間培養した後、菌の発育の有無を 観察し、
菌の発育が阻止された最小限度の薬剤濃度をもってＭＩ
Ｃ（μg/ml）とした。その結果を表１に示す。
【００３４】被験化合物： Ａ．７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］−３−
（ピロリジン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフェ
ム−４−カルボン酸 Ｂ．７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］−３−
［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−５−イ
リデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−カルボン酸
（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］−３−
（ピロリジン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフェ
ム−４−カルボン酸 Ｂ．７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］−３−
［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−５−イ
リデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−カルボン酸
【００３５】
【表１】 ＭＩＣ（μg/ml） ───────────────────────────── 菌 株 被 験 化 合 物 ───────────────────────────── Ａ Ｂ ────────────── S. aureus FDA 209P 0.1 0.1 E. coli NIHJ 0.2 0.1 ─────────────────────────────
【００３６】つぎに、本発明化合物の製造法を、具体的
に参考例および実施例を挙げて説明するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。なお、カラムクロマト
グラフィーにおける担体は、シリカゲル60、No.7734
（メルク社製）を、さらに逆相カラムクロマトグラフィ
ーにおける担体は、LC-SORB SP-B-ODS（ケムコ社製）
を、それぞれ用いた。また、溶離液における混合比は、
すべて容量比である。
に参考例および実施例を挙げて説明するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。なお、カラムクロマト
グラフィーにおける担体は、シリカゲル60、No.7734
（メルク社製）を、さらに逆相カラムクロマトグラフィ
ーにおける担体は、LC-SORB SP-B-ODS（ケムコ社製）
を、それぞれ用いた。また、溶離液における混合比は、
すべて容量比である。
【００３７】参考例１ トリフェニルメチルメルカプタン1.20gをＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド12mlに溶解させ、氷冷下28％ナトリウ
ムメトキシドのメタノール溶液0.83gを加えた後、同温
度で45分間攪拌する。ついで同温度でブロモメチルホス
ホン酸ジエチルエステル1.00gを加えた後、室温で12時
間攪拌する。反応液に酢酸エチル50mlおよび水50mlを加
え、１Ｎ塩酸でpH２に調整した後、有機層を分取する。
分取した有機層を水および飽和食塩水で順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥させる。減圧下に溶媒を留去
し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶離液；n-ヘキサン：酢酸エチル＝1：1）で精製
すれば、トリフェニルメチルチオメチルホスホン酸ジエ
チルエステル1.34gを得る。 NMR（CDCl3）δ値；1.30(6H,t,J=7Hz),2.42(2H,d,J=17H
z),4.10(4H,quint,J=7Hz),7.00-7.60(15H,m)
チルホルムアミド12mlに溶解させ、氷冷下28％ナトリウ
ムメトキシドのメタノール溶液0.83gを加えた後、同温
度で45分間攪拌する。ついで同温度でブロモメチルホス
ホン酸ジエチルエステル1.00gを加えた後、室温で12時
間攪拌する。反応液に酢酸エチル50mlおよび水50mlを加
え、１Ｎ塩酸でpH２に調整した後、有機層を分取する。
分取した有機層を水および飽和食塩水で順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥させる。減圧下に溶媒を留去
し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶離液；n-ヘキサン：酢酸エチル＝1：1）で精製
すれば、トリフェニルメチルチオメチルホスホン酸ジエ
チルエステル1.34gを得る。 NMR（CDCl3）δ値；1.30(6H,t,J=7Hz),2.42(2H,d,J=17H
z),4.10(4H,quint,J=7Hz),7.00-7.60(15H,m)
【００３８】参考例２ トリフェニルメチルチオメチルホスホン酸ジエチルエス
テル1.33gをテトラヒドロフラン7mlに溶解させ、−70℃
で1.69M−n−ブチルリチウムのn-ヘキサン溶液2.00mlを
10分間を要して滴下した後、同温度で1時間攪拌する。
この反応液に、−70℃で１−t−ブトキシカルボニル−
３−ピロリドン0.61gのテトラヒドロフラン4ml溶液を10
分間を要して滴下した後、同温度で30分間、ついで−40
℃で30分間攪拌する。氷冷下で反応液を酢酸エチル20ml
および水20mlに加えた後、有機層を分取する。分取した
有機層を水および飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得ら
れた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
離液；n-ヘキサン：酢酸エチル＝4：1）で精製すれば、
１−t−ブトキシカルボニル−３−トリフェニルメチル
チオメチレンピロリジン0.18gを得る。 IR（KBr）cm-1；1700
テル1.33gをテトラヒドロフラン7mlに溶解させ、−70℃
で1.69M−n−ブチルリチウムのn-ヘキサン溶液2.00mlを
10分間を要して滴下した後、同温度で1時間攪拌する。
この反応液に、−70℃で１−t−ブトキシカルボニル−
３−ピロリドン0.61gのテトラヒドロフラン4ml溶液を10
分間を要して滴下した後、同温度で30分間、ついで−40
℃で30分間攪拌する。氷冷下で反応液を酢酸エチル20ml
および水20mlに加えた後、有機層を分取する。分取した
有機層を水および飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得ら
れた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
離液；n-ヘキサン：酢酸エチル＝4：1）で精製すれば、
１−t−ブトキシカルボニル−３−トリフェニルメチル
チオメチレンピロリジン0.18gを得る。 IR（KBr）cm-1；1700
【００３９】同様にして以下の化合物を得る。 ・３−t−ブトキシカルボニルアミノ−２−t−ブトキシ
カルボニルアミノメチル−１−トリフェニルメチルチオ
プロパ−１−エン IR（KBr）cm-1；1700
カルボニルアミノメチル−１−トリフェニルメチルチオ
プロパ−１−エン IR（KBr）cm-1；1700
【００４０】実施例１ １−t−ブトキシカルボニル−３−トリフェニルメチル
チオメチレンピロリジン380mgをメタノール5.7mlおよび
テトラヒドロフラン1.1mlに溶解させ、ピリジン85mgを
加えた後、室温下硝酸銀180mgのメタノール7.2ml溶液を
10分間を要して滴下した後、 同温度で1時間攪拌する。
反応液を減圧下に濃縮し、得られた残留物に塩化メチレ
ン10mlおよび水10mlを加えた後、有機層を分取する。分
取した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させる。減
圧下に溶媒を留去し、得られた残留物にn-ヘキサンを加
え、析出晶を瀘取すれば、１−t−ブトキシカルボニル
−３−メルカプトメチレンピロリジンの銀塩270mgを得
る。この銀塩をアセトニトリル6mlに懸濁させ、氷冷下
ヨウ化ナトリウム240mgを加えた後、同温度で１時間攪
拌する。ついで、氷冷下７−［２−（２−t−ブトキシ
カルボニルアミノチアゾール−４−イル）−（Ｚ）−２
−トリフェニルメトキシイミノアセトアミド］−３−メ
チルスルホニルオキシ−３−セフェム−４−カルボン酸
ジフェニルメチルエステル500mgを加えた後、室温で1時
間攪拌する。反応液に酢酸エチル30mlおよび水30mlを加
え、不溶物をセライト濾過した後、有機層を分取する。
分取した有機層を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液お
よび飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得られた残留物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；n-ヘキ
サン：酢酸エチル＝4：1）で精製すれば、７−［２−
（２−t−ブトキシカルボニルアミノチアゾール−４−
イル）−（Ｚ）−２−トリフェニルメトキシイミノアセ
トアミド］−３−（１−t−ブトキシカルボニルピロリ
ジン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフェム−４−
カルボン酸ジフェニルメチルエステル350mgを得る。 IR（KBr）cm-1；1790,1760,1695
チオメチレンピロリジン380mgをメタノール5.7mlおよび
テトラヒドロフラン1.1mlに溶解させ、ピリジン85mgを
加えた後、室温下硝酸銀180mgのメタノール7.2ml溶液を
10分間を要して滴下した後、 同温度で1時間攪拌する。
反応液を減圧下に濃縮し、得られた残留物に塩化メチレ
ン10mlおよび水10mlを加えた後、有機層を分取する。分
取した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させる。減
圧下に溶媒を留去し、得られた残留物にn-ヘキサンを加
え、析出晶を瀘取すれば、１−t−ブトキシカルボニル
−３−メルカプトメチレンピロリジンの銀塩270mgを得
る。この銀塩をアセトニトリル6mlに懸濁させ、氷冷下
ヨウ化ナトリウム240mgを加えた後、同温度で１時間攪
拌する。ついで、氷冷下７−［２−（２−t−ブトキシ
カルボニルアミノチアゾール−４−イル）−（Ｚ）−２
−トリフェニルメトキシイミノアセトアミド］−３−メ
チルスルホニルオキシ−３−セフェム−４−カルボン酸
ジフェニルメチルエステル500mgを加えた後、室温で1時
間攪拌する。反応液に酢酸エチル30mlおよび水30mlを加
え、不溶物をセライト濾過した後、有機層を分取する。
分取した有機層を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液お
よび飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得られた残留物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；n-ヘキ
サン：酢酸エチル＝4：1）で精製すれば、７−［２−
（２−t−ブトキシカルボニルアミノチアゾール−４−
イル）−（Ｚ）−２−トリフェニルメトキシイミノアセ
トアミド］−３−（１−t−ブトキシカルボニルピロリ
ジン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフェム−４−
カルボン酸ジフェニルメチルエステル350mgを得る。 IR（KBr）cm-1；1790,1760,1695
【００４１】同様にして以下の化合物を得る。 ・３−［３−t−ブトキシカルボニルアミノ−２−t−ブ
トキシカルボニルアミノメチルプロパ−１−エニルチ
オ］−７−［２−（２−t−ブトキシカルボニルアミノ
チアゾール−４−イル）−（Ｚ）−２−トリフェニルメ
トキシイミノアセトアミド］−３−セフェム−４−カル
ボン酸ジフェニルメチルエステル IR（KBr）cm-1；1790,1715
トキシカルボニルアミノメチルプロパ−１−エニルチ
オ］−７−［２−（２−t−ブトキシカルボニルアミノ
チアゾール−４−イル）−（Ｚ）−２−トリフェニルメ
トキシイミノアセトアミド］−３−セフェム−４−カル
ボン酸ジフェニルメチルエステル IR（KBr）cm-1；1790,1715
【００４２】実施例２ ７−［２−（２−t−ブトキシカルボニルアミノチアゾ
ール−４−イル）−（Ｚ）−２−トリフェニルメトキシ
イミノアセトアミド］−３−（１−t−ブトキシカルボ
ニルピロリジン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフ
ェム−４−カルボン酸ジフェニルメチルエステル350mg
を塩化メチレン2.5mlおよびアニソール0.5mlに溶解さ
せ、氷冷下トリフルオロ酢酸2.5mlを加えた後、室温で2
時間攪拌する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた残留
物を室温下90％ギ酸水溶液4mlに溶解させた後、同温度
で1時間攪拌する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた
残留物にジイソプロピルエーテル10mlを加えた後、析出
物を濾取する。析出物を20％アセトニトリル水20mlに溶
解させ、炭酸水素ナトリウムでpH７に調整した後、減圧
下に溶媒を約半量に濃縮する。濃縮液を逆相カラムクロ
マトグラフィー（溶離液；10％アセトニトリル水溶液）
で精製すれば、７−［２−（２−アミノチアゾール−４
−イル）−（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミ
ド］−３−（ピロリジン−３−イリデン）メチルチオ−
３−セフェム−４−カルボン酸64mgを得る。 IR（KBr）cm-1；1765,1620 NMR（D20+CD3CN）δ値；2.50〜3.10(2H,m),3.20〜4.10
(6H,m),5.22(1H,d,J=5Hz),5.76(1H,d,J=5Hz),6.10〜6.4
0(1H,m),6.91(1H,s)
ール−４−イル）−（Ｚ）−２−トリフェニルメトキシ
イミノアセトアミド］−３−（１−t−ブトキシカルボ
ニルピロリジン−３−イリデン）メチルチオ−３−セフ
ェム−４−カルボン酸ジフェニルメチルエステル350mg
を塩化メチレン2.5mlおよびアニソール0.5mlに溶解さ
せ、氷冷下トリフルオロ酢酸2.5mlを加えた後、室温で2
時間攪拌する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた残留
物を室温下90％ギ酸水溶液4mlに溶解させた後、同温度
で1時間攪拌する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた
残留物にジイソプロピルエーテル10mlを加えた後、析出
物を濾取する。析出物を20％アセトニトリル水20mlに溶
解させ、炭酸水素ナトリウムでpH７に調整した後、減圧
下に溶媒を約半量に濃縮する。濃縮液を逆相カラムクロ
マトグラフィー（溶離液；10％アセトニトリル水溶液）
で精製すれば、７−［２−（２−アミノチアゾール−４
−イル）−（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミ
ド］−３−（ピロリジン−３−イリデン）メチルチオ−
３−セフェム−４−カルボン酸64mgを得る。 IR（KBr）cm-1；1765,1620 NMR（D20+CD3CN）δ値；2.50〜3.10(2H,m),3.20〜4.10
(6H,m),5.22(1H,d,J=5Hz),5.76(1H,d,J=5Hz),6.10〜6.4
0(1H,m),6.91(1H,s)
【００４３】実施例３ ３−（３−t−ブトキシカルボニルアミノ−２−t-ブト
キシカルボニルアミノメチルプロパ−１−エニルチオ）
−７−［２−（２−t-ブトキシカルボニルアミノチアゾ
ール−４−イル）−（Ｚ）−２−トリフェニルメトキシ
イミノアセトアミド］−３−セフェム−４−カルボン酸
ジフェニルメチルエステル610mgを塩化メチレン2.5mlお
よびアニソール0.5mlに溶解させ、氷冷下トリフルオロ
酢酸2.5mlを加えた後、室温で2時間攪拌する。減圧下に
反応液を濃縮し、得られた残留物にジイソプロピルエー
テル10mlを加えた後、析出物を濾取すれば、３−（３−
アミノ−２−アミノメチルプロパ−１−エニルチオ）−
７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−トリフェニルメトキシイミノアセトアミ
ド］−３−セフェム−４−カルボン酸トリフルオロ酢酸
塩540mgを得る。ついで、このトリフルオロ酢酸塩540mg
をオルトギ酸トリメチル5.4mlに溶解させ、氷冷下Ｎ，
Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン74mgを加え、室温で1
時間攪拌する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた残留
物を室温下90％ギ酸水溶液6.0mlに溶解させた後、同温
度で1時間攪拌する。反応液を減圧下に濃縮し、得られ
た残留物にジイソプロピルエーテル10mlを加えた後、析
出物を濾取する。析出物を20％アセトニトリル水20mlに
溶解させ、炭酸水素ナトリウムでpH７に調整した後、減
圧下に溶媒を約半量に濃縮する。濃縮液を逆相カラムク
ロマトグラフィー（溶離液；６％アセトニトリル水）で
精製すれば、７−［２−（２−アミノチアゾール−４−
イル）−（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］
−３−［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−
５−イリデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−カル
ボン酸25mgを得る。 IR（KBr）cm-1；1765,1655,1610 NMR（D20）δ値；3.47(1H,d,J=17Hz),3.82(1H,d,J=17H
z),4.06(2H,s),4.18(2H,s),5.26(1H,d,J=5Hz),5.82(1H,
d,J=5Hz),6.47(1H,bs),6.98(1H,s),7.95(1H,bs)
キシカルボニルアミノメチルプロパ−１−エニルチオ）
−７−［２−（２−t-ブトキシカルボニルアミノチアゾ
ール−４−イル）−（Ｚ）−２−トリフェニルメトキシ
イミノアセトアミド］−３−セフェム−４−カルボン酸
ジフェニルメチルエステル610mgを塩化メチレン2.5mlお
よびアニソール0.5mlに溶解させ、氷冷下トリフルオロ
酢酸2.5mlを加えた後、室温で2時間攪拌する。減圧下に
反応液を濃縮し、得られた残留物にジイソプロピルエー
テル10mlを加えた後、析出物を濾取すれば、３−（３−
アミノ−２−アミノメチルプロパ−１−エニルチオ）−
７−［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−
（Ｚ）−２−トリフェニルメトキシイミノアセトアミ
ド］−３−セフェム−４−カルボン酸トリフルオロ酢酸
塩540mgを得る。ついで、このトリフルオロ酢酸塩540mg
をオルトギ酸トリメチル5.4mlに溶解させ、氷冷下Ｎ，
Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン74mgを加え、室温で1
時間攪拌する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた残留
物を室温下90％ギ酸水溶液6.0mlに溶解させた後、同温
度で1時間攪拌する。反応液を減圧下に濃縮し、得られ
た残留物にジイソプロピルエーテル10mlを加えた後、析
出物を濾取する。析出物を20％アセトニトリル水20mlに
溶解させ、炭酸水素ナトリウムでpH７に調整した後、減
圧下に溶媒を約半量に濃縮する。濃縮液を逆相カラムク
ロマトグラフィー（溶離液；６％アセトニトリル水）で
精製すれば、７−［２−（２−アミノチアゾール−４−
イル）−（Ｚ）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］
−３−［（１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−
５−イリデン）メチルチオ］−３−セフェム−４−カル
ボン酸25mgを得る。 IR（KBr）cm-1；1765,1655,1610 NMR（D20）δ値；3.47(1H,d,J=17Hz),3.82(1H,d,J=17H
z),4.06(2H,s),4.18(2H,s),5.26(1H,d,J=5Hz),5.82(1H,
d,J=5Hz),6.47(1H,bs),6.98(1H,s),7.95(1H,bs)
【００４４】オルトギ酸トリメチルの代わりに、ジフェ
ニル（メチルスルホニル）カルボンイミデートを用いる
ことで、３−（２−メチルスルホニルイミノペルヒドロ
ピリミジン−５−イリデン）メチルチオ−７−フェニル
アセトアミド−３−セフェム−４−カルボン酸ナトリウ
ムを得る。 IR（KBr）cm-1；1760,1660,1605 NMR（D2O）δ値；2.99(3H,s),3.44(1H,d,J=18Hz),3.68
(2H,s),3.81(1H,d,J=18Hz),3.90〜4.20(4H,m),5.11(1H,
d,J=5Hz),5.58(1H,d,J=5Hz),6.31(1H,s),7.37(5H,s)
ニル（メチルスルホニル）カルボンイミデートを用いる
ことで、３−（２−メチルスルホニルイミノペルヒドロ
ピリミジン−５−イリデン）メチルチオ−７−フェニル
アセトアミド−３−セフェム−４−カルボン酸ナトリウ
ムを得る。 IR（KBr）cm-1；1760,1660,1605 NMR（D2O）δ値；2.99(3H,s),3.44(1H,d,J=18Hz),3.68
(2H,s),3.81(1H,d,J=18Hz),3.90〜4.20(4H,m),5.11(1H,
d,J=5Hz),5.58(1H,d,J=5Hz),6.31(1H,s),7.37(5H,s)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 泰雄 富山県富山市町村１−247
Claims (6)
- 【請求項１】 【化１】 ［式中、Ｒ1は、置換されていてもよいアルキルチオ、
アルキニルチオ、アリール、アリールチオ、アリールオ
キシまたは複素環式基を；Ｒ2は、保護されていてもよ
いカルボキシル基またはカルボキシラート基を；Ｒ3お
よびＲ4は、それぞれ、保護されていてもよいアミノ基
で置換されているアルキル基を；または、Ｒ3とＲ4が結
合している炭素原子と一緒になって置換されていてもよ
い１つ以上の異項原子を含有する４〜６員複素環を；Ａ
は、保護されていてもよいヒドロキシルまたはヒドロキ
シイミノ基で置換されていてもよいメチレン基を；セフ
ェム環の３位に結合する置換チオに存在する二重結合
は、Ｅ配置もしくはＺ配置またはそれらの混合物を、そ
れぞれ示す。］で表されるセファロスポリン類またはそ
の塩。 - 【請求項２】Ｒ1が置換されていてもよいアリールまた
は２−保護されていてもよいアミノチアゾール−４−イ
ル基である請求項１記載のセファロスポリン類またはそ
の塩。 - 【請求項３】Ｒ1が２−アミノチアゾール−４−イル基
である請求項２記載のセファロスポリン類またはその
塩。 - 【請求項４】Ｒ1がフェニル基である請求項２記載のセ
ファロスポリン類またはその塩。 - 【請求項５】Ｒ3およびＲ4が、それぞれ、保護されてい
てもよいアミノ基で置換されている低級アルキル基であ
る請求項１〜４記載のセファロスポリン類またはその
塩。 - 【請求項６】Ｒ3およびＲ4が結合している炭素原子と一
緒になって置換されていてもよい１つ以上の窒素原子を
含有する４〜６員複素環である請求項１〜４記載のセフ
ァロスポリン類またはその塩。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22066496A JPH1045765A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 新規なセファロスポリン類またはその塩 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22066496A JPH1045765A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 新規なセファロスポリン類またはその塩 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1045765A true JPH1045765A (ja) | 1998-02-17 |
Family
ID=16754524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22066496A Pending JPH1045765A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 新規なセファロスポリン類またはその塩 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1045765A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018049572A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社小松製作所 | 作業車両の管理システム及び作業車両の管理方法 |
| JP2019215783A (ja) * | 2018-06-14 | 2019-12-19 | シャープ株式会社 | 走行装置、走行装置の走行制御方法、走行装置の走行制御プログラムおよび記録媒体 |
-
1996
- 1996-08-02 JP JP22066496A patent/JPH1045765A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018049572A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社小松製作所 | 作業車両の管理システム及び作業車両の管理方法 |
| JP2019215783A (ja) * | 2018-06-14 | 2019-12-19 | シャープ株式会社 | 走行装置、走行装置の走行制御方法、走行装置の走行制御プログラムおよび記録媒体 |
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