JPH1046384A - パラジウム合金メッキ浴 - Google Patents

パラジウム合金メッキ浴

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JPH1046384A
JPH1046384A JP11452097A JP11452097A JPH1046384A JP H1046384 A JPH1046384 A JP H1046384A JP 11452097 A JP11452097 A JP 11452097A JP 11452097 A JP11452097 A JP 11452097A JP H1046384 A JPH1046384 A JP H1046384A
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JP
Japan
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plating bath
ligand
group
palladium
base metal
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Application number
JP11452097A
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English (en)
Inventor
Ansonii Abisu Jiyosefu
アンソニー アビス ジョセフ
Bogasurafusukii Irina
ボガスラフスキー イリナ
Kee Sutorasuchiru Heinritsuchi
ケー.ストラスチル ヘインリッチ
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Nokia of America Corp
Original Assignee
Lucent Technologies Inc
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/567Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of platinum group metals

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パラジウム合金の電気メッキ用の新規なメッ
キ浴を提供する。 【解決手段】 パラジウムと錯体を生成する第1の配位
子と、合金化金属と錯体を生成する第2の配位子とから
なる混合配位子系を使用するパラジウム合金のための電
気メッキ浴。パラジウム用配位子はアンモニア又は有機
アミンであり、合金化金属用配位子はモノ、ジ及びテト
ラカルボン酸からなる群から選択される。合金化金属は
メッキ層の硬度を高める。この金属は周期律表VIII族
の、鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム及
びイリジウムからなる群から選択される。本発明のメッ
キ浴は、連続メッキ処理又はラックメッキ処理で使用さ
れる広範囲な電流密度で使用できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はパラジウム合金のメ
ッキ浴に関する。更に詳細には、本発明は混合配位子系
におけるパラジウムの鉄、ニッケル及びコバルト合金の
共メッキ及びその方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電気メッキは、基板の外観を向上させ、
その耐食性、耐摩耗性又は耐拡散性を高め、若しくは、
その半田付け適性を高め、維持するために、この基板上
にコーチングを施す周知の方法である。エレクトロニク
ス産業では、銅のような金属を劣化させる苛酷な環境条
件下であっても長期間にわたって高信頼性を維持するこ
とができる、低抵抗でノイズの無い接点を確保するため
に、接点材料として、貴金属が使用されている。その値
段のために、貴金属はその所望の耐食性又は接合適性が
必要とされる場合にしか使用されない。電気メッキは、
特定の面積に特定のメッキ量を与えるための効率的な方
法として確立されている。
【0003】コスト低減が常に求められている。従っ
て、金メッキの代わりにパラジウムがしばしば使用され
る。コネクタ及び接点については、多数回にわたる高信
頼性動作を確保するために、特定の硬度及び耐摩耗性も
必要とされる。卑金属は一般的に、銅又はベリリウム銅
合金であり、これらの金属には、ピンホール及び腐食を
制限するために、最初に30〜100マイクロインチの
膜厚のニッケルがメッキされる。
【0004】低抵抗接点を形成するために、ニッケル上
にパラジウムがメッキされる。しかし、多数回のコネク
タ動作サイクルが予想される用途では、パラジウム単独
では比較的軟質である。パラジウム−ニッケル合金はメ
ッキ層の硬度を高め、磨耗性を改善する。しかし、電気
メッキ層の膜厚及び組成を決定するために、品質管理測
定はしばしばX線蛍光を使用する。
【0005】下部層として、また、電気メッキにおける
成分としてニッケルが存在する場合、品質管理を更に一
層困難にする。これらの測定は重要である。なぜなら、
これらは、メッキ部分の耐食性及び接点の信頼性を決定
することができる。ニッケルはまた、或る人々に対して
悪影響を及ぼすアレルギー作用を有する。従って、幾つ
かの装飾的用途でパラジウム−ニッケル合金の使用が制
限されている。従って、メッキ層の硬度を高めるため
に、パラジウム−鉄又はパラジウム−コバルトをメッキ
することが非常に望ましい用途が存在する。
【0006】例えば、米国特許第4242180号明細
書には、パラジウム及びパラジウム合金をメッキする一
連のメッキ浴及びメッキ方法が開示されている。パラジ
ウムは、単独の錯生成剤としてアミノ酢酸を使用する、
ジグリシネートパラジウム(II)錯体として存在する。メ
ッキ浴は、導電性塩、緩衝剤、非パラジウム金属不純物
を錯化するための錯生成剤(例えば、エチレンジアミン
四酢酸又はニトリロ三酢酸)、界面活性剤なども含有で
きる。ニッケル、銀及びコバルトのような溶解合金化剤
を有するメッキ浴が実施例として開示されている。
【0007】アンモニア含有メッキ浴が、Vinogradov e
t al., Zashchita Metallov, Vol.4, No. 5, pp. 543-5
47, 1968及びZashchita Metallov, Vol. 7, No. 5, pp.
612-613, 1971に開示されている。Zashchita Metallo
v, Vol. 4, No. 5, pp. 543-547では、パラジウム−コ
バルト合金は、[Pd(NH34]Cl2の形のパラジ
ウムを含有する塩化アンモニウム電解液中に沈殿されて
いる。pH値を10に調整するために、塩化アンモニウ
ム及び水酸化ナトリウムが添加されている。コバルトは
[Co(NH36]Cl2の形で添加されている。
【0008】Pd−Co合金の耐摩耗性及び内部応力は
メッキ浴中のコバルト濃度に応じて急激に増大する。Za
shchita Metallov, Vol. 7, No. 5, pp. 612-613, 1971
では、Pd−Co合金の内部応力を低下させるために、
6Co(P27)O2から誘導されたピロリン酸錯体の
形のコバルトを使用する。ピロリン酸電解液はカソード
表面を効率的に湿潤し、合金から生じる電流を高める。
【0009】電流密度が1A/dm2以上の場合、メッ
キ層は無光沢になり、一層結晶質になる。この公知文献
に開示されたメッキ浴は、ピロリン酸カリウム、塩化ア
ンモニウム及びクエン酸アンモニムも含有する。これら
のメッキ浴は、様々なメッキ条件におけるメッキ層の機
械特性を研究するために使用される。しかし、その製造
環境を維持することは非常に困難である。なぜなら、こ
れらは非常に狭いpH範囲と低電流密度で動作するから
である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】従って、水素を含有せ
ず、化学的にも、また、電気化学的にも安定な、光沢が
あり、密着性が高く、延性のあるメッキ層をもたらすパ
ラジウム合金メッキ浴及びメッキ方法の開発が強く求め
られている。更に、このメッキ浴は、パラジウム含有量
が10%〜90%の範囲内である合金組成物をメッキす
るのに十分な融通性を有し、電気接点のメッキで一般的
に行われているリール間メッキ操作で用いられる高速メ
ッキ及び装飾品のためのラック又はバレルメッキ操作で
使用される低速メッキ操作の両方に従うことができなけ
ればならない。更に、卑金属上にニッケルバリアを使用
する現用の接点/コネクタ技術を守るが、X線蛍光品質
管理測定は妨げないことが望ましい。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記課題は、混合配位子
系におけるパラジウム合金の電気メッキにより解決され
る。第1の配位子はパラジウム錯体を生成するために機
能し、第2の配位子は別の金属錯体を生成するために機
能する。従って、パラジウム及び合金金属は別々の構造
を有する錯体として存在する。
【0012】パラジウム錯体用の配位子として、アンモ
ニア又は有機アミンを使用する。第2の配位子は、モノ
カルボン酸、ジカルボン酸及びテトラカルボン酸からな
る群から選択される。例えば、酢酸、マロン酸、グルタ
ル酸及びエチレンジアミン四酢酸(EDTA)などであ
る。
【0013】メッキ層を硬化させ、それにより、電気接
点に高い耐摩耗性を付与するために、合金化金属を使用
する。周期律表第VIII族から選択される卑金属の添加は
パラジウムを硬化させることができる。
【0014】本発明のメッキ浴は工業用として化学的に
も、また、電気化学的にも十分に安定であり、しかも、
このメッキ浴は、広範囲なカソード電流密度で使用でき
るので、連続使用又はラックメッキ操作に好適である。
従って、本発明のメッキ浴は様々な用途において非常に
有用である。パラジウムを10〜95%含有する合金
も、本発明のメッキ浴からメッキすることができる。
【0015】本発明で使用できる合金化金属は例えば、
コバルトである。
【0016】本発明で使用できる別の合金化金属は例え
ば鉄である。
【0017】本発明で使用できる更に別の合金化金属は
例えばニッケルである。この場合、ニッケルは、下部層
としてニッケルを有するものに対して敏感でない又は成
分としてニッケルを有するものに対して敏感でない用途
で使用される。
【0018】本発明で使用できる更に他の合金化金属は
例えばルテニウム、ロジウム又はイリジウムである。
【0019】これらメッキ層のメッキ方法について、下
記において詳細に説明する。
【0020】
【発明の実施の形態】広範囲な電流密度で化学的にも、
また、電気化学的にも安定なパラジウムメッキ浴を提供
するために、本発明では、パラジウム及び卑金属を錯化
するために、混合配位子系を使用する。コネクタ用途に
おける高耐摩耗性のためにパラジウムを硬化させ、腐食
防止又は装飾などのようなその他の用途においてコスト
を低下させるために、卑金属を使用する。例えば、卑金
属は、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(N
i)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)及びイリ
ジウム(Ir)からなる群から選択される少なくとも1
種類の金属である。
【0021】パラジウムと卑金属との錯体生成を説明す
る化学反応式を下記に示す。 PdA+NH3(過剰量)=[Pd(NH34]A+NH3(過剰量) (1) 前記化学反応式(1)において、NH3は有機アミンに
より置き換えることもできる。
【0022】 MA+Ln-(過剰量)=[MLx]2-xn+Ln-(過剰量)+A2- (2)
【0023】前記化学反応式(1)及び(2)におい
て、アニオンAはスルフェート、ハライド(F、Cl、
Br、I)、ニトレート、ニトリット、アセテート、ホ
スフェート又はスルファメートなどである。
【0024】前記化学反応式(2)において、Mは卑金
属である。更に詳細には、Mは鉄(Fe)、コバルト
(Co)、ニッケル(Ni)、ルテニウム(Ru)、ロ
ジウム(Rh)及びイリジウム(Ir)からなる群から
選択される少なくとも1種類の金属である。
【0025】アンモニアはパラジウム用の配位子であ
る。
【0026】Lは卑金属用の配位子である。この配位子
は、モノカルボン酸、ジカルボン酸及びテトラカルボン
酸からなる群から選択される。例えば、酢酸、マロン
酸、グルタル酸及びエチレンジアミン四酢酸(EDT
A)などである。
【0027】メッキ浴中の配位子の濃度は、メッキ浴中
の卑金属塩の濃度に左右される。配位子の濃度は、メッ
キ浴中の卑金属塩の濃度と少なくとも同一であるか、又
はこれよりも高いことが望ましい。卑金属濃度はメッキ
される合金組成(Pd10wt%〜95wt%)に左右され
る。一例として、卑金属塩の濃度は約0.01モル/リ
ットル〜1モル/リットルであり、第2の配位子の濃度
は約0.04モル/リットル〜2モル/リットルであ
り、従って、第2の配位子の濃度は卑金属塩の濃度より
も過剰である。
【0028】メッキ浴は、前記の化学反応式(2)から
化学量論的比率で卑金属塩と配位子溶液を混合し、続い
て、パラジウム−アミノ錯体を添加することにより調製
できる。メッキ浴中のパラジウム塩のモル濃度は0.0
1〜0.5モル/リットル超の範囲に及ぶ。上限は溶解
度限界に基づく。
【0029】メッキ浴の緩衝能及びその導電率を高める
ために、アンモニウム塩のような適当な周知の試薬を添
加することができる。この目的のために、0.01モル
〜2.0モルの範囲内の濃度のアンモニウム塩(例え
ば、硫酸アンモニウム、フッ化アンモニウム、塩化アン
モニウム、臭化アンモニウム、沃化アンモニウム、硝酸
アンモニウム、亜硝酸アンモニウム、酢酸アンモニウ
ム、リン酸アンモニウム及びスルファミン酸アンモニウ
ムなど)が使用される。
【0030】メッキ浴のpHは、水酸化アンモニウム又
はH2SO4のような強酸を添加することにより3〜10
の範囲内に調整する。メッキ浴の温度及び代表的な電流
密度は下記の実施例で説明する。アノード材料は白金又
は白金化チタンである。
【0031】本発明のメッキ浴又は溶液を使用するメッ
キ方法は下記のステップからなる。 (a)処理のタイプ(例えば、ラックメッキ又は連続メ
ッキ)に応じて、メッキ浴に10mA/cm2超の電流
密度を印加する。 (b)パラジウム合金でメッキすべき露出表面部分を有
する物体を、この露出面部分が所望のパラジウム合金層
で被覆されるのに十分な時間にわたってメッキ浴中に維
持する。
【0032】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。合金部分の配合量はwt%単位で示される。濃度は
モル濃度で示される。化学記号の略称は、前記の化学反
応方程式(1)及び(2)で説明したものと同一であ
る。
【0033】実施例1 電気メッキ浴として、70Pd/30Co合金を使用し
た。これは、例えば、コネクタ接点(例えば、ニッケル
メッキベリリウム銅)のような電子部品のためのリール
間タイプの連続供給の場合に一般的な高速メッキ用の合
金である。このメッキ浴は、550〜650KHN50
の範囲内のヌープ硬度を有する、光沢のある、水素を含
有しない延性メッキ層を生成する。
【0034】膜厚が1μmのメッキ層を生成するため
に、約72アンペア−秒の電流をメッキ浴に印加した。
【0035】 [Pd(NH34]Cl2 [Pd]=0.38M CoCl2 [Co]=0.17M NH4Cl 0.38M マロン酸 0.6 M pH 7〜9 温度 35〜65℃ 電流密度 50〜700mA/cm2
【0036】実施例2 ラックメッキの場合に一般的な低速メッキ用の70Pd
/30Co合金メッキ浴を使用した。
【0037】 [Pd(NH34]SO4 [Pd]=0.19M CoSO4 [Co]=0.17M (NH42SO4 0.38M グルタル酸 0.3 M pH 8〜9 温度 30〜45℃ 電流密度 10〜100mA/cm2
【0038】実施例3 高速メッキ用の50Pd/50Co合金メッキ浴を使用
した。
【0039】 [Pd(NH34]SO4 [Pd]=0.38M Co(CH3COO)2 [Co]=0.35M CH3COONH4 0.2 M マロン酸 0.2 M pH 7〜9 温度 45〜65℃ 電流密度 50〜500mA/cm2
【0040】実施例4 高速メッキ用の90Pd/10Co合金メッキ浴を使用
した。
【0041】 [Pd(NH34](NO32 [Pd]=0.38M CoSO4 [Co]=0.06M NH4Cl 0.38M EDTA 0.25M pH 7〜9 温度 45〜65℃ 電流密度 300〜700mA/cm2
【0042】前記の実施例1〜4において、Pd/Co
の代わりに、PdとNi、Fe、Ir、Rh又はRuと
の合金も使用できる。この明細書に開示されたメッキ溶
液は、低電流効率(例えば、ストライクメッキ浴)、低
金属濃度及び低pH値のメッキ用途及びメッキ処理にお
いても使用できる。
【0043】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
水素を含有せず、化学的にも、また、電気化学的にも安
定な、光沢があり、密着性が高く、延性のあるメッキ層
をもたらすパラジウム合金メッキ浴及びメッキ方法が得
られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Mountain Avenue, Murray Hill, New Je rsey 07974−0636U.S.A. (72)発明者 イリナ ボガスラフスキー アメリカ合衆国,07981 ニュージャージ ー,ウィッパニー,ノースクレスト テラ ス 1608 (72)発明者 ヘインリッチ ケー.ストラスチル アメリカ合衆国,07901 ニュージャージ ー,サミット,ニューイングランド アヴ ェニュー 105,アパートメント ティー −5

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パラジウム塩と、 パラジウム塩のための第1の配位子と、 卑金属塩と卑金属塩のための第2の配位子と、からなる
    ことを特徴とするパラジウム合金メッキ浴。
  2. 【請求項2】 パラジウム塩は、スルフェート、フルオ
    リド、クロリド、ブロミド、ヨージド、ニトレート、ニ
    トリット、アセテート、ホスフェート及びスルファメー
    トからなる群から選択されるアニオンを含有する請求項
    1のメッキ浴。
  3. 【請求項3】 パラジウム塩のための配位子はアンモニ
    アである請求項1のメッキ浴。
  4. 【請求項4】 パラジウム塩のための配位子は有機アミ
    ンである請求項1のメッキ浴。
  5. 【請求項5】 卑金属塩は、鉄、ニッケル、コバルト、
    ルテニウム、ロジウム及びイリジウムからなる群から選
    択されるカチオンを含有する請求項1のメッキ浴。
  6. 【請求項6】 卑金属塩は、スルフェート、フルオリ
    ド、クロリド、ブロミド、ヨージド、ニトレート、ニト
    リット、アセテート、ホスフェート及びスルファメート
    からなる群から選択されるアニオンを含有する請求項1
    のメッキ浴。
  7. 【請求項7】 卑金属塩のための配位子は、モノカルボ
    ン酸、ジカルボン酸及びテトラカルボン酸からなる群か
    ら選択される請求項1のメッキ浴。
  8. 【請求項8】 卑金属塩のための配位子は、酢酸、マロ
    ン酸、グルタル酸及びエチレンジアミン四酢酸からなる
    群から選択される酸である請求項1のメッキ浴。
  9. 【請求項9】 パラジウムイオン濃度は0.01モル/
    リットル以上である請求項1のメッキ浴。
  10. 【請求項10】 メッキ浴の緩衝能は、0.01〜2.
    0モル/リットルの範囲内の、メッキ浴中のアンモニウ
    ム塩濃度により制御される請求項1のメッキ浴。
  11. 【請求項11】 卑金属塩の濃度は0.01〜1.0モ
    ル/リットルの範囲内である請求項1のメッキ浴。
  12. 【請求項12】 第2の配位子の濃度は0.04〜2.
    0モル/リットルの範囲内である請求項1のメッキ浴。
  13. 【請求項13】 メッキ浴のpHは3.0〜10.0の
    範囲内の値に調整される請求項1のメッキ浴。
  14. 【請求項14】 メッキ浴の温度は25〜65℃の範囲
    内に維持される請求項1のメッキ浴。
  15. 【請求項15】 メッキ浴中のカソードにおける電流密
    度は、10mA/cm2超に維持される請求項1のメッ
    キ浴。
  16. 【請求項16】 パラジウム塩、 アンモニウム塩、 鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム及びイ
    リジウムからなる群から選択されるカチオンを含有する
    卑金属塩、及び卑金属塩のための配位子、ここで、該配
    位子はモノカルボン酸、ジカルボン酸及びテトラカルボ
    ン酸からなる群から選択される酸である、からなること
    を特徴とする、水性パラジウム合金メッキ浴。
  17. 【請求項17】 パラジウム塩は、スルフェート、フル
    オリド、クロリド、ブロミド、ヨージド、ニトレート、
    ニトリット、アセテート、ホスフェート及びスルファメ
    ートからなる群から選択されるアニオンを含有する請求
    項16のメッキ浴。
  18. 【請求項18】 アンモニウム塩は、スルフェート、フ
    ルオリド、クロリド、ブロミド、ヨージド、ニトレー
    ト、ニトリット、アセテート、ホスフェート及びスルフ
    ァメートからなる群から選択されるアニオンを含有する
    請求項16のメッキ浴。
  19. 【請求項19】 卑金属塩は、鉄、ニッケル、コバル
    ト、ルテニウム、ロジウム及びイリジウムからなる群か
    ら選択されるカチオンを含有する請求項16のメッキ
    浴。
  20. 【請求項20】 卑金属塩は、スルフェート、フルオリ
    ド、クロリド、ブロミド、ヨージド、ニトレート、ニト
    リット、アセテート、ホスフェート及びスルファメート
    からなる群から選択されるアニオンを含有する請求項1
    6のメッキ浴。
  21. 【請求項21】 卑金属塩のための配位子は、モノカル
    ボン酸、ジカルボン酸及びテトラカルボン酸からなる群
    から選択される請求項16のメッキ浴。
  22. 【請求項22】 卑金属塩のための配位子は、酢酸、マ
    ロン酸、グルタル酸及びエチレンジアミン四酢酸からな
    る群から選択される酸である請求項16のメッキ浴。
  23. 【請求項23】 パラジウムイオン濃度は0.01モル
    /リットル超である請求項16のメッキ浴。
  24. 【請求項24】 メッキ浴の緩衝能は、0.01〜2.
    0モル/リットルの範囲内の、メッキ浴中のアンモニウ
    ム塩濃度により制御される請求項16のメッキ浴。
  25. 【請求項25】 卑金属塩の濃度は0.01〜1.0モ
    ル/リットルの範囲内である請求項16のメッキ浴。
  26. 【請求項26】 メッキ浴のpHは3.0〜10.0の
    範囲内の値に調整される請求項16のメッキ浴。
  27. 【請求項27】 メッキ浴の温度は25〜65℃の範囲
    内に維持される請求項16のメッキ浴。
  28. 【請求項28】 メッキ浴中のカソードにおける電流密
    度は、10mA/cm2超に維持される請求項16のメ
    ッキ浴。
  29. 【請求項29】 スルフェート、フルオリド、クロリ
    ド、ブロミド、ヨージド、ニトレート、ニトリット、ア
    セテート、ホスフェート及びスルファメートからなる群
    から選択されるアニオンを含有するパラジウム塩、 メッキ浴中における濃度が0.01〜2.0モル/リッ
    トルの範囲内であるアンモニウム塩、 メッキ浴中における濃度が0.01〜1.0モル/リッ
    トルの範囲内であるコバルト塩、及びコバルトイオンの
    ための配位子からなり、 該配位子はモノカルボン酸、ジカルボン酸及びテトラカ
    ルボン酸からなる群から選択され、前記配位子の濃度は
    0.01〜10.モル/リットルの範囲内であり、 前記パラジウム塩のメッキ浴中における濃度は0.01
    〜0.5モル/リットルの範囲内であることを特徴とす
    る水性パラジウム/コバルトメッキ浴。
  30. 【請求項30】 コバルトイオンのための配位子は、酢
    酸、マロン酸、グルタル酸及びエチレンジアミン四酢酸
    からなる群から選択される酸である請求項29のメッキ
    浴。
  31. 【請求項31】 メッキ浴のpHは3.0〜10.0の
    範囲内の値に調整される請求項29のメッキ浴。
  32. 【請求項32】 メッキ浴の温度は25〜65℃の範囲
    内に維持される請求項29のメッキ浴。
JP11452097A 1996-05-10 1997-05-02 パラジウム合金メッキ浴 Pending JPH1046384A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US64434796A 1996-05-10 1996-05-10
US644347 1996-05-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1046384A true JPH1046384A (ja) 1998-02-17

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1087648A3 (en) * 1999-09-24 2005-09-07 Lucent Technologies Inc. Multi-purpose finish for printed wiring boards and method of manufacture of such boards
WO2009110598A1 (ja) * 2008-03-06 2009-09-11 日鉱商事株式会社 ルテニウム-パラジウム合金めっき物およびその製造方法
EP3067444A2 (de) 2015-03-09 2016-09-14 Ing. W. Garhöfer Gesellschaft mbH Abscheidung von dekorativen palladium-eisen-legierungsbeschichtungen auf metallischen substanzen

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