JPH1048177A - バイオセンサ - Google Patents
バイオセンサInfo
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- JPH1048177A JPH1048177A JP8200724A JP20072496A JPH1048177A JP H1048177 A JPH1048177 A JP H1048177A JP 8200724 A JP8200724 A JP 8200724A JP 20072496 A JP20072496 A JP 20072496A JP H1048177 A JPH1048177 A JP H1048177A
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)
- Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】生体試料中の測定成分濃度を測定するバイオセ
ンサにおいて、応答が生体試料中のpH値の影響を受け
る。 【解決手段】バイオセンサの例としてグルコースセンサ
について説明する。グルコースセンサ素子は作用極1,
対極2,pH−ISFET3,参照電極4,上にグルコ
ース検出膜7が形成された構造をしている。酵素反応に
よって生成する過酸化水素量を作用極1,対極2,参照
電極4からなるグルコース検知部で検出し、電流測定回
路によりグルコース濃度をもとめる。このときの酵素近
傍のpHをpH−ISFET3と参照電極4からなるp
H検知部およびpH測定回路により求める。グルコース
濃度変換処理部においてpH値によりグルコース濃度を
補償し、グルコース濃度表示部で示す。
ンサにおいて、応答が生体試料中のpH値の影響を受け
る。 【解決手段】バイオセンサの例としてグルコースセンサ
について説明する。グルコースセンサ素子は作用極1,
対極2,pH−ISFET3,参照電極4,上にグルコ
ース検出膜7が形成された構造をしている。酵素反応に
よって生成する過酸化水素量を作用極1,対極2,参照
電極4からなるグルコース検知部で検出し、電流測定回
路によりグルコース濃度をもとめる。このときの酵素近
傍のpHをpH−ISFET3と参照電極4からなるp
H検知部およびpH測定回路により求める。グルコース
濃度変換処理部においてpH値によりグルコース濃度を
補償し、グルコース濃度表示部で示す。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は血液もしくは尿など
の生体試料中に含まれる微量成分の濃度を測定するバイ
オセンサに関し、特に生体試料のpH値の影響を防ぐこ
とのできるバイオセンサに関する。
の生体試料中に含まれる微量成分の濃度を測定するバイ
オセンサに関し、特に生体試料のpH値の影響を防ぐこ
とのできるバイオセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】血液や尿のような生体試料中の微量成分
を酵素反応を利用して測定することは、広く臨床検査と
して行われている。例えば、血糖値(血液中のグルコー
ス濃度)や尿糖値(尿中のグルコース濃度)を簡便に測
定する方法として酵素電極を利用したグルコースセンサ
が使用されている。酵素電極とは酵素と電極を組み合わ
せたもので、このグルコースセンサの場合は、グルコー
ス酸化酵素と過酸化水素電極を組み合わせている。グル
コース酸化酵素(グルコースオキシダーゼ,GOD)は
β−D−グルコースをD−グルコノ−δ−ラクトンに選
択的に酸化する。この反応にともない酸素は過酸化水素
に還元される(反応式1)。この過酸化水素の生成量
を、白金電極上で酸化しその酸化電流を測定することに
よりグルコース濃度を測定する(反応式2)。 β−D−グルコース+O2 → D−グルコノ−δ−ラクトン+H2 O2 ・・・(反応式1) H2 O2 → 2H+ +O2 +2e- ・・・(反応式2) このような酵素反応を利用したセンサでは、酵素の活性
の影響を受ける。酵素活性は溶液のpHの影響を受け、
もっとも活性の高いpHを至適pHと称する。一般的に
は至適pHから外れると活性が極端に下がることが多
い。従って、グルコースセンサにおいても、正確な測定
を実現するためには酵素活性を一定に保つ必要があり、
溶液のpHを一定に保つ必要がある。測定試料のpH
は、血液の場合は7.4であるが、尿の場合はpH5〜
9の間を変化する。
を酵素反応を利用して測定することは、広く臨床検査と
して行われている。例えば、血糖値(血液中のグルコー
ス濃度)や尿糖値(尿中のグルコース濃度)を簡便に測
定する方法として酵素電極を利用したグルコースセンサ
が使用されている。酵素電極とは酵素と電極を組み合わ
せたもので、このグルコースセンサの場合は、グルコー
ス酸化酵素と過酸化水素電極を組み合わせている。グル
コース酸化酵素(グルコースオキシダーゼ,GOD)は
β−D−グルコースをD−グルコノ−δ−ラクトンに選
択的に酸化する。この反応にともない酸素は過酸化水素
に還元される(反応式1)。この過酸化水素の生成量
を、白金電極上で酸化しその酸化電流を測定することに
よりグルコース濃度を測定する(反応式2)。 β−D−グルコース+O2 → D−グルコノ−δ−ラクトン+H2 O2 ・・・(反応式1) H2 O2 → 2H+ +O2 +2e- ・・・(反応式2) このような酵素反応を利用したセンサでは、酵素の活性
の影響を受ける。酵素活性は溶液のpHの影響を受け、
もっとも活性の高いpHを至適pHと称する。一般的に
は至適pHから外れると活性が極端に下がることが多
い。従って、グルコースセンサにおいても、正確な測定
を実現するためには酵素活性を一定に保つ必要があり、
溶液のpHを一定に保つ必要がある。測定試料のpH
は、血液の場合は7.4であるが、尿の場合はpH5〜
9の間を変化する。
【0003】そこで、従来、溶液のpHを一定に保つた
めに、特開平7−83872号公報に示されるように、
電極上にpH緩衝剤を含む層を設けたグルコースセンサ
が知られている。図3はこの従来のグルコースセンサの
一例を示す断面図である。このグルコースセンサは、測
定極30と対極31からなる電極を形成した基板32上
に、電子受容体−酵素担持層33,pH緩衝剤担持層3
4を順次積層した構成を有する。また、絶縁層35及び
リード層36が形成されている。このグルコースセンサ
の測定原理は以下のとおりである。センサ上に滴下され
た試料溶液はpH緩衝剤担持層34においてpH緩衝作
用により最も高い酵素活性の得られるpHに調整され
る。試料溶液中のグルコースは電子受容体−酵素担持層
33のGODと特異的に反応するが、このとき、電子受
容体は上記反応で生成する電子によって還元型となる
(反応式3)。電子受容体(還元型)は電極に達し、こ
こで電子受容体(還元型)の酸化電流を測定することに
より、グルコース濃度を測定することができる(反応式
4)。 β−D−グルコース+電子受容体(酸化型) → D−グルコノ−δ−ラクトン +電子受容体(還元型)・・・(反応式3) 電子受容体(還元型) → 電子受容体(酸化型)+2e- ・・・(反応式4) しかしながら、このグルコースセンサでは1回測定を行
うとpH緩衝剤担持層34のpH緩衝剤が試料溶液中に
溶解するため、繰り返し測定を行うことができない。
めに、特開平7−83872号公報に示されるように、
電極上にpH緩衝剤を含む層を設けたグルコースセンサ
が知られている。図3はこの従来のグルコースセンサの
一例を示す断面図である。このグルコースセンサは、測
定極30と対極31からなる電極を形成した基板32上
に、電子受容体−酵素担持層33,pH緩衝剤担持層3
4を順次積層した構成を有する。また、絶縁層35及び
リード層36が形成されている。このグルコースセンサ
の測定原理は以下のとおりである。センサ上に滴下され
た試料溶液はpH緩衝剤担持層34においてpH緩衝作
用により最も高い酵素活性の得られるpHに調整され
る。試料溶液中のグルコースは電子受容体−酵素担持層
33のGODと特異的に反応するが、このとき、電子受
容体は上記反応で生成する電子によって還元型となる
(反応式3)。電子受容体(還元型)は電極に達し、こ
こで電子受容体(還元型)の酸化電流を測定することに
より、グルコース濃度を測定することができる(反応式
4)。 β−D−グルコース+電子受容体(酸化型) → D−グルコノ−δ−ラクトン +電子受容体(還元型)・・・(反応式3) 電子受容体(還元型) → 電子受容体(酸化型)+2e- ・・・(反応式4) しかしながら、このグルコースセンサでは1回測定を行
うとpH緩衝剤担持層34のpH緩衝剤が試料溶液中に
溶解するため、繰り返し測定を行うことができない。
【0004】pHの影響を受けずに繰り返し測定を行う
ために、酵素センサで測定対象成分濃度を測定すると同
時に、pHセンサで試料溶液中のpH値を測定し、pH
値から測定対象成分濃度を補償する方法が考えられる。
例えば酵素としてGODを使用しグルコースを測定する
場合を考えてみる。GODを種々のpHに調整した緩衝
溶液中で活性を測定すると、図5に示すような特性を示
す。次にGODを電極上に固定化し、種々のpHに調整
された緩衝液中で測定すると、図5に示すような別の特
性を示す。このように膜に固定化した酵素と固定化して
いない酵素ではpH特性は異なる。これは固定化するこ
とによって酵素の立体構造が変化し特性が変化したこと
も原因の1つであるが、他に以下の2点が考えられる。
ために、酵素センサで測定対象成分濃度を測定すると同
時に、pHセンサで試料溶液中のpH値を測定し、pH
値から測定対象成分濃度を補償する方法が考えられる。
例えば酵素としてGODを使用しグルコースを測定する
場合を考えてみる。GODを種々のpHに調整した緩衝
溶液中で活性を測定すると、図5に示すような特性を示
す。次にGODを電極上に固定化し、種々のpHに調整
された緩衝液中で測定すると、図5に示すような別の特
性を示す。このように膜に固定化した酵素と固定化して
いない酵素ではpH特性は異なる。これは固定化するこ
とによって酵素の立体構造が変化し特性が変化したこと
も原因の1つであるが、他に以下の2点が考えられる。
【0005】第1に酵素固定化膜によってpHの勾配が
生じ溶液中のpHと酵素固定化膜中のpHに差が生じる
ことと、第2に酵素反応や電極反応によって生成する酸
により酵素近傍のpHが変化することである。ここで酵
素反応とは反応式1の反応において生成したD−グルコ
ノ−δ−ラクトンがさらに酸化してグルコン酸に変化す
ることであり、電極反応とは反応式2の反応において生
成した水素イオンである。従って、図4のように、グル
コースセンサ40とグルコース検出回路43及びpH電
極41とpH検出回路44からなるシステムを構成し、
グルコースセンサ40とpH電極41を試料溶液42中
に浸し、試料溶液42中のpHからグルコースセンサ4
0の応答を補償したとしても、試料溶液42中のpHと
酵素近傍のpHが異なるため正確に補償することができ
ない。
生じ溶液中のpHと酵素固定化膜中のpHに差が生じる
ことと、第2に酵素反応や電極反応によって生成する酸
により酵素近傍のpHが変化することである。ここで酵
素反応とは反応式1の反応において生成したD−グルコ
ノ−δ−ラクトンがさらに酸化してグルコン酸に変化す
ることであり、電極反応とは反応式2の反応において生
成した水素イオンである。従って、図4のように、グル
コースセンサ40とグルコース検出回路43及びpH電
極41とpH検出回路44からなるシステムを構成し、
グルコースセンサ40とpH電極41を試料溶液42中
に浸し、試料溶液42中のpHからグルコースセンサ4
0の応答を補償したとしても、試料溶液42中のpHと
酵素近傍のpHが異なるため正確に補償することができ
ない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、従来
の技術では、生体試料溶液のpHの影響を防ぐためにp
H緩衝剤担持層を設けて試料溶液中のpHを調整して測
定を行っているが、この方法では繰り返し測定ができな
いということである。その理由は、測定を行うとpH緩
衝剤担持層のpH緩衝剤が試料溶液中に溶解して失われ
るためである。
の技術では、生体試料溶液のpHの影響を防ぐためにp
H緩衝剤担持層を設けて試料溶液中のpHを調整して測
定を行っているが、この方法では繰り返し測定ができな
いということである。その理由は、測定を行うとpH緩
衝剤担持層のpH緩衝剤が試料溶液中に溶解して失われ
るためである。
【0007】第2の問題点は、pHの影響を防ぐため
に、酵素電極とpH電極を試料溶液中に浸して、試料溶
液中のpHから酵素電極の応答を補償する場合、試料溶
液中のpHと酵素近傍のpHが異なるため正確に補償す
ることができない。その理由は、酵素固定化膜によって
pHの勾配が生じ溶液中のpHと酵素固定化膜中のpH
に差が生じるためと、酵素反応や電極反応によって生成
する酸により酵素近傍のpHが変化するためである。
に、酵素電極とpH電極を試料溶液中に浸して、試料溶
液中のpHから酵素電極の応答を補償する場合、試料溶
液中のpHと酵素近傍のpHが異なるため正確に補償す
ることができない。その理由は、酵素固定化膜によって
pHの勾配が生じ溶液中のpHと酵素固定化膜中のpH
に差が生じるためと、酵素反応や電極反応によって生成
する酸により酵素近傍のpHが変化するためである。
【0008】本発明の目的は、試料溶液のpH値の影響
を受けず繰り返し測定が可能なバイオセンサを提供する
ことである。
を受けず繰り返し測定が可能なバイオセンサを提供する
ことである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明によればバイオセ
ンサは、1つの絶縁基板上に作用極と対極の1対の電極
及びpH感受性電界効果型トランジスタ(pH−ISF
ET)及び銀/塩化銀層からなる参照電極が形成されて
おり、さらにその上に妨害物質除去膜,酵素固定化膜,
制限透過膜,汚染物質除去膜から構成される測定成分検
出膜が形成されている。試料溶液中の測定成分の濃度
は、酵素反応により生成する過酸化水素の濃度に対応
し、この過酸化水素濃度を1対の電極で測定し測定成分
濃度を求める。このときの酵素近傍のpH値をpH−I
SFETにて測定し、得られたpH値により測定成分の
濃度を補償して示す。このように本発明によるバイオセ
ンサは、試料溶液のpHの影響を防ぐために、pH緩衝
剤を使用していないので繰り返し測定することが可能で
あり、1つの絶縁基板上に酵素反応を利用した測定成分
検知部及びpH検知部が集積化されているため、酵素近
傍のpHを測定して測定成分の濃度を補償することが可
能であり、簡単に高精度な測定が実現できる。
ンサは、1つの絶縁基板上に作用極と対極の1対の電極
及びpH感受性電界効果型トランジスタ(pH−ISF
ET)及び銀/塩化銀層からなる参照電極が形成されて
おり、さらにその上に妨害物質除去膜,酵素固定化膜,
制限透過膜,汚染物質除去膜から構成される測定成分検
出膜が形成されている。試料溶液中の測定成分の濃度
は、酵素反応により生成する過酸化水素の濃度に対応
し、この過酸化水素濃度を1対の電極で測定し測定成分
濃度を求める。このときの酵素近傍のpH値をpH−I
SFETにて測定し、得られたpH値により測定成分の
濃度を補償して示す。このように本発明によるバイオセ
ンサは、試料溶液のpHの影響を防ぐために、pH緩衝
剤を使用していないので繰り返し測定することが可能で
あり、1つの絶縁基板上に酵素反応を利用した測定成分
検知部及びpH検知部が集積化されているため、酵素近
傍のpHを測定して測定成分の濃度を補償することが可
能であり、簡単に高精度な測定が実現できる。
【0010】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【0011】図1(a)は本発明の一実施の形態である
グルコースセンサを説明する為のセンサ素子の平面図で
ある。センサ素子の大きさは5×7mmであり、その中
に作用極1(100×400μm),対極2(200×
400μm),pH−ISFET3(300×400μ
m,ゲート長100μmゲート幅400μm),参照電
極4(100×400μm),リード部5,コンタクト
電極6(100×100μm)及びグルコース検出膜7
が形成されている。
グルコースセンサを説明する為のセンサ素子の平面図で
ある。センサ素子の大きさは5×7mmであり、その中
に作用極1(100×400μm),対極2(200×
400μm),pH−ISFET3(300×400μ
m,ゲート長100μmゲート幅400μm),参照電
極4(100×400μm),リード部5,コンタクト
電極6(100×100μm)及びグルコース検出膜7
が形成されている。
【0012】図1(b)は図1(a)のA−A線におけ
る拡大断面図である。サファイア基板8上に形成された
窒化シリコン膜9上にチタン層10,白金層11から成
る作用極1と対極2からなる1対の電極が形成されてい
る。絶縁基板はサファイア基板8に限らず、シリコン基
板上に酸化シリコン膜を形成した基板,ガラス,石英で
も良い。電極材料は金,イリジウム,パラジウム等の貴
金属の中から選ばれるが、白金が望ましい。電極は蒸着
法もしくはスパッタ法により形成され、膜厚はチタン層
では0.02〜0.2μm,白金層では0.1〜1.0
μmである。作用極1及び対極2に近傍して、サファイ
ア基板8上にはn型シリコン領域12,p型シリコン領
域13,酸化シリコン膜15,窒化シリコン膜9から構
成されるpH−ISFET3が形成されている。この製
造方法は特公平4−26054号公報に明らかにされて
いるサファイア基板上に設けられた島状シリコン層を用
いて形成される製造方法に基づいているが、シリコンオ
ンインシュレイタ(SOI)基板などのシリコン基板を
用いても作製できる。また、絶縁基板としてガラスや石
英上に堆積したアモルファスシリコンやポリシリコンを
利用しても同様に製作できる。pH感受性膜として窒化
シリコン膜9を示したが、この他にもタンタルオキサイ
ド膜,酸化アルミニウム膜などを用いることができる。
る拡大断面図である。サファイア基板8上に形成された
窒化シリコン膜9上にチタン層10,白金層11から成
る作用極1と対極2からなる1対の電極が形成されてい
る。絶縁基板はサファイア基板8に限らず、シリコン基
板上に酸化シリコン膜を形成した基板,ガラス,石英で
も良い。電極材料は金,イリジウム,パラジウム等の貴
金属の中から選ばれるが、白金が望ましい。電極は蒸着
法もしくはスパッタ法により形成され、膜厚はチタン層
では0.02〜0.2μm,白金層では0.1〜1.0
μmである。作用極1及び対極2に近傍して、サファイ
ア基板8上にはn型シリコン領域12,p型シリコン領
域13,酸化シリコン膜15,窒化シリコン膜9から構
成されるpH−ISFET3が形成されている。この製
造方法は特公平4−26054号公報に明らかにされて
いるサファイア基板上に設けられた島状シリコン層を用
いて形成される製造方法に基づいているが、シリコンオ
ンインシュレイタ(SOI)基板などのシリコン基板を
用いても作製できる。また、絶縁基板としてガラスや石
英上に堆積したアモルファスシリコンやポリシリコンを
利用しても同様に製作できる。pH感受性膜として窒化
シリコン膜9を示したが、この他にもタンタルオキサイ
ド膜,酸化アルミニウム膜などを用いることができる。
【0013】参照電極4はサファイア基板8上に形成さ
れた窒化シリコン膜9上に銀層16を形成し次に銀層表
面を処理して塩化銀層17を形成し作製される。密着性
を向上させるために銀層の下地にチタン,白金を積層し
てもよい。これらの膜は蒸着法やスパッタ法により形成
され、銀層16の厚さは0.1〜1.0μmである。塩
化銀層17は塩化鉄(III)もしくは塩化クロム(I
II)水溶液で処理する方法あるいは塩化物水溶液中で
電解する方法により形成することができる。塩化銀層1
7上にさらに塩化カリウムを含む保護膜を形成すると参
照電極の安定性が増加する。保護膜の材料はポリビニー
ルアルコール,親水性ポリメタクリル酸,ポリアクリル
アミド,ポリヒドロキシエチルメタクリル酸,親水性ポ
リシロキサンなどから選ばれる。
れた窒化シリコン膜9上に銀層16を形成し次に銀層表
面を処理して塩化銀層17を形成し作製される。密着性
を向上させるために銀層の下地にチタン,白金を積層し
てもよい。これらの膜は蒸着法やスパッタ法により形成
され、銀層16の厚さは0.1〜1.0μmである。塩
化銀層17は塩化鉄(III)もしくは塩化クロム(I
II)水溶液で処理する方法あるいは塩化物水溶液中で
電解する方法により形成することができる。塩化銀層1
7上にさらに塩化カリウムを含む保護膜を形成すると参
照電極の安定性が増加する。保護膜の材料はポリビニー
ルアルコール,親水性ポリメタクリル酸,ポリアクリル
アミド,ポリヒドロキシエチルメタクリル酸,親水性ポ
リシロキサンなどから選ばれる。
【0014】作用極1及び対極2,pH−ISFET3
のゲート部分,参照電極4の上には第1から第4の膜で
構成される、グルコース検出膜7が形成されている。第
1の膜として妨害物質除去膜18が形成されている。妨
害物質除去膜18はシランカップリング剤,ナフィオ
ン,アセチルセルロースから少なくとも1つを成膜した
ものである。成膜方法はスピン塗布あるいはディスペン
サーによる滴下法が用いられる。第2の膜はGOD固定
化膜19である。GOD,アルブミン,グルタルアルデ
ヒドを含む水溶液をスピン塗布あるいは滴下して形成さ
れる。第3の膜はグルコース制限透過膜20であり、シ
リコーン,カルボキシメチルセルロース,ポリウレタ
ン,から選択され、スピン塗布あるいは滴下により形成
される。第4の膜は汚染物質除去膜21であり、親水性
の高分子膜,例えばアルブミン−グルタルアルデヒド架
橋膜,アルギン酸,κ−カラギーナン,ポリビニールア
ルコール,親水性ポリメタクリル酸,ポリアクリルアミ
ド,ポリヒドロキシエチルメタクリル酸,親水性ポリシ
ロキサンなどから選択され、スピン塗布あるいは滴下に
より形成される。積層された膜の厚さは1μm以下であ
り、大きさは400×500μmである。
のゲート部分,参照電極4の上には第1から第4の膜で
構成される、グルコース検出膜7が形成されている。第
1の膜として妨害物質除去膜18が形成されている。妨
害物質除去膜18はシランカップリング剤,ナフィオ
ン,アセチルセルロースから少なくとも1つを成膜した
ものである。成膜方法はスピン塗布あるいはディスペン
サーによる滴下法が用いられる。第2の膜はGOD固定
化膜19である。GOD,アルブミン,グルタルアルデ
ヒドを含む水溶液をスピン塗布あるいは滴下して形成さ
れる。第3の膜はグルコース制限透過膜20であり、シ
リコーン,カルボキシメチルセルロース,ポリウレタ
ン,から選択され、スピン塗布あるいは滴下により形成
される。第4の膜は汚染物質除去膜21であり、親水性
の高分子膜,例えばアルブミン−グルタルアルデヒド架
橋膜,アルギン酸,κ−カラギーナン,ポリビニールア
ルコール,親水性ポリメタクリル酸,ポリアクリルアミ
ド,ポリヒドロキシエチルメタクリル酸,親水性ポリシ
ロキサンなどから選択され、スピン塗布あるいは滴下に
より形成される。積層された膜の厚さは1μm以下であ
り、大きさは400×500μmである。
【0015】グルコース検出膜7を所定の部分に形成す
るために特公平5−48418号公報により明らかにさ
れているフォトレジストによるリフトオフ法を用いるこ
とができる。すなわち、作用極1及び対極2,pH−I
SFET3,参照電極4が形成されたサファイア基板8
上にフォトレジスト膜を塗布した後、フォトリソグラフ
ィー法により所定の部分のフォトレジスト膜を除き、次
に第1から第4までの膜材料をスピン塗布あるいはディ
スペンサによる滴下により順次積層し、最後にフォトレ
ジスト膜を溶解させることにより、所定の部分にのみに
膜を形成する。
るために特公平5−48418号公報により明らかにさ
れているフォトレジストによるリフトオフ法を用いるこ
とができる。すなわち、作用極1及び対極2,pH−I
SFET3,参照電極4が形成されたサファイア基板8
上にフォトレジスト膜を塗布した後、フォトリソグラフ
ィー法により所定の部分のフォトレジスト膜を除き、次
に第1から第4までの膜材料をスピン塗布あるいはディ
スペンサによる滴下により順次積層し、最後にフォトレ
ジスト膜を溶解させることにより、所定の部分にのみに
膜を形成する。
【0016】図2は本発明の実施の形態であるグルコー
スセンサ全体の構成図である。グルコースセンサは、グ
ルコース検知部27とpH検知部28とが形成されたグ
ルコースセンサ素子22と、検知部27に所定の電圧を
印加し発生する電流値を検出する電流測定回路23と、
pH検知部28の電圧を検出するpH測定回路24、電
流測定回路23及びpH測定回路からの信号をグルコー
ス濃度及びpH値に変換すると共に測定成分濃度をpH
値により補償するグルコース濃度変換処理部25と、グ
ルコース濃度表示部26とから主に構成される。ここで
グルコース検知部27は作用極1,対極2,参照電極
4,グルコース検出膜7から構成される。また、pH検
知部28はpH−ISFET3,参照電極4,グルコー
ス検出膜7から構成される。試料溶液中のグルコース分
子はGOD固定化膜内でGODの作用によりD−グルコ
ノ−δ−ラクトンと過酸化水素に変換される。この過酸
化水素は作用極表面で酸化され、作用極1から対極2へ
電流が流れる(反応式1)。電流測定回路23はポテン
ショスタットと呼ばれ、過酸化水素を酸化するために参
照極4に対して作用極1に0.7Vの電圧を印加し、こ
の電圧が保たれるように対極の電位を変化させながら、
作用極1から対極2へ流れる過酸化水素の酸化電流を測
定する(反応式2)。この電流値は信号としてグルコー
ス濃度変換処理部25に出力され、グルコース濃度に変
換される。
スセンサ全体の構成図である。グルコースセンサは、グ
ルコース検知部27とpH検知部28とが形成されたグ
ルコースセンサ素子22と、検知部27に所定の電圧を
印加し発生する電流値を検出する電流測定回路23と、
pH検知部28の電圧を検出するpH測定回路24、電
流測定回路23及びpH測定回路からの信号をグルコー
ス濃度及びpH値に変換すると共に測定成分濃度をpH
値により補償するグルコース濃度変換処理部25と、グ
ルコース濃度表示部26とから主に構成される。ここで
グルコース検知部27は作用極1,対極2,参照電極
4,グルコース検出膜7から構成される。また、pH検
知部28はpH−ISFET3,参照電極4,グルコー
ス検出膜7から構成される。試料溶液中のグルコース分
子はGOD固定化膜内でGODの作用によりD−グルコ
ノ−δ−ラクトンと過酸化水素に変換される。この過酸
化水素は作用極表面で酸化され、作用極1から対極2へ
電流が流れる(反応式1)。電流測定回路23はポテン
ショスタットと呼ばれ、過酸化水素を酸化するために参
照極4に対して作用極1に0.7Vの電圧を印加し、こ
の電圧が保たれるように対極の電位を変化させながら、
作用極1から対極2へ流れる過酸化水素の酸化電流を測
定する(反応式2)。この電流値は信号としてグルコー
ス濃度変換処理部25に出力され、グルコース濃度に変
換される。
【0017】更に詳細に説明すると、グルコース濃度変
換処理部25はCPU(中央演算処理装置),ROM
(リードオンリーメモリ),RAM(ランダムアクセス
メモリ),A/Dコンバータ(アナログ/デジタル変換
装置)等より構成され、電流測定回路からの信号をA/
Dコンバータでデジタル信号に変換した後、CPUにお
いてROMに格納された変換式に従い、例えばpH7に
おけるグルコース濃度に変換しRAMに保存する。
換処理部25はCPU(中央演算処理装置),ROM
(リードオンリーメモリ),RAM(ランダムアクセス
メモリ),A/Dコンバータ(アナログ/デジタル変換
装置)等より構成され、電流測定回路からの信号をA/
Dコンバータでデジタル信号に変換した後、CPUにお
いてROMに格納された変換式に従い、例えばpH7に
おけるグルコース濃度に変換しRAMに保存する。
【0018】試料溶液のpHは、pH−ISFET3に
よって検出される。pH感受性絶縁膜は水素イオンを選
択的に検出し界面電位変化を生じる。この電位変化を参
照電極に対するゲート電圧変化としてFETで検出し、
pH測定回路24により測定する。この信号はグルコー
ス濃度変換処理部においてグルコースの場合と同様な処
理によりpH値に変換され、保存される。さらにグルコ
ース濃度変換処理部において、この測定されたpH値を
もとにpH7におけるグルコース濃度を補償して、グル
コース濃度表示部26に出力される。グルコース濃度表
示部26はLCD(液晶ディスプレイ)及び表示コント
ロールユニットから構成され、グルコース濃度を表示す
る。図6はpHが異なる場合のグルコースセンサの検量
線を示している。例えばグルコース検知部の電流出力値
が30nAであり、pH値が8であった場合、試料溶液
中のグルコース濃度は300mg/dlとなる。この変
更は濃度変換処理部25で行なわれる。
よって検出される。pH感受性絶縁膜は水素イオンを選
択的に検出し界面電位変化を生じる。この電位変化を参
照電極に対するゲート電圧変化としてFETで検出し、
pH測定回路24により測定する。この信号はグルコー
ス濃度変換処理部においてグルコースの場合と同様な処
理によりpH値に変換され、保存される。さらにグルコ
ース濃度変換処理部において、この測定されたpH値を
もとにpH7におけるグルコース濃度を補償して、グル
コース濃度表示部26に出力される。グルコース濃度表
示部26はLCD(液晶ディスプレイ)及び表示コント
ロールユニットから構成され、グルコース濃度を表示す
る。図6はpHが異なる場合のグルコースセンサの検量
線を示している。例えばグルコース検知部の電流出力値
が30nAであり、pH値が8であった場合、試料溶液
中のグルコース濃度は300mg/dlとなる。この変
更は濃度変換処理部25で行なわれる。
【0019】本発明の実施の形態では酵素としてグルコ
ース酸化酵素を使用したグルコースセンサについて説明
したが、本発明ではこの酵素に限定するものではない。
例えば、図1(b)のGOD固定化膜19において、G
ODに代わりにアルコール酸化酵素を使用することによ
りアルコール酸化酵素固定化膜を形成し、グルコース制
限透過膜20については作製条件を改良しアルコール制
限透過膜を形成することによりアルコール検出膜を構成
することが可能となり、アルコールセンサを実現するこ
とができる。アルコール酸化酵素の他にも酵素として、
乳酸酸化酵素,コレステロール酸化酵素,グルタミン酸
化酵素などの各種の酸化酵素を用いて、乳酸センサ,コ
レステロールセンサ,グルタミン酸センサを同様にして
構成することができる。
ース酸化酵素を使用したグルコースセンサについて説明
したが、本発明ではこの酵素に限定するものではない。
例えば、図1(b)のGOD固定化膜19において、G
ODに代わりにアルコール酸化酵素を使用することによ
りアルコール酸化酵素固定化膜を形成し、グルコース制
限透過膜20については作製条件を改良しアルコール制
限透過膜を形成することによりアルコール検出膜を構成
することが可能となり、アルコールセンサを実現するこ
とができる。アルコール酸化酵素の他にも酵素として、
乳酸酸化酵素,コレステロール酸化酵素,グルタミン酸
化酵素などの各種の酸化酵素を用いて、乳酸センサ,コ
レステロールセンサ,グルタミン酸センサを同様にして
構成することができる。
【0020】
【発明の効果】本発明の効果は試料溶液中のpH値に関
係なく連続で正確な測定成分濃度を小型のセンサで測定
することができることである。このため血液の他、尿の
ようにpH値が大きく変化する試料に適用することがで
きる。
係なく連続で正確な測定成分濃度を小型のセンサで測定
することができることである。このため血液の他、尿の
ようにpH値が大きく変化する試料に適用することがで
きる。
【0021】その理由は酵素近傍のpH値を、pH−I
SFETによって測定し、補償するためである。
SFETによって測定し、補償するためである。
【図1】本発明の実施の形態を説明する為のグルコース
センサ素子の平面図及び断面図。
センサ素子の平面図及び断面図。
【図2】本発明の実施の形態を説明する為のグルコース
センサの構成図。
センサの構成図。
【図3】従来のグルコースセンサの断面図。
【図4】従来のグルコースセンサのpH補償を説明する
為の構成図。
為の構成図。
【図5】GOD及び固定化GODのpH特性を示す図。
【図6】実施の形態を説明する為のグルコース濃度とセ
ンサ出力との関係を示す図。
ンサ出力との関係を示す図。
1 作用極 2 対極 3 pH−ISFET 4 参照電極 5 リード部 6 コンタクト電極 7 グルコース検出膜 8 サファイア基板 9 窒化シリコン膜 10 チタン膜 11 白金層 12 n型シリコン領域 13 p型シリコン領域 15 酸化シリコン膜 16 銀電極 17 塩化銀層 18 妨害物質除去膜 19 GOD固定化膜 20 グルコース制限透過膜 21 汚染物質除去膜 22 グルコースセンサ素子 23 電流測定回路 24 pH測定回路 25 グルコース濃度変換処理部 26 グルコース濃度表示部 27 グルコース検知部 28 pH検知部 30 測定極 31 対極 32 基板 33 電子受容体−酵素担持層 34 pH緩衝剤担持層 35 絶縁層 36 リード 40 グルコースセンサ 41 pH電極 42 試料溶液 43 グルコース検出回路 44 pH検出回路
Claims (6)
- 【請求項1】 酵素反応を利用した測定成分検知部とp
H検知部からなる測定成分検知センサ素子と、前記測定
成分検知部に所定の電圧を印加し発生する電流値を検出
する電流測定回路と、前記pH検知部から発生する電圧
を検出するpH測定回路と、前記電流測定回路及び前記
pH測定回路からの信号を測定成分濃度及びpH値に変
換すると共に測定成分濃度をpH値により補償する濃度
変換処理部と、前記濃度変換処理部において変換された
測定成分濃度を表示する濃度表示部とを含むことを特徴
とするバイオセンサ。 - 【請求項2】 測定成分検知部が、絶縁基板上に形成さ
れた測定電極及び参照電極と、前記電極上に形成された
酵素を含む測定成分検出膜から構成され、pH検知部が
前記絶縁基板上に形成されたpH電極及び参照電極と、
前記pH電極及び参照電極上に形成された酵素を含む測
定成分検出膜から構成される請求項1記載のバイオセン
サ。 - 【請求項3】 測定電極が作用極と対極の1対の電極か
ら構成される請求項2記載のバイオセンサ。 - 【請求項4】 参照極が順次形成された銀層及び塩化銀
層から構成される請求項2記載のバイオセンサ。 - 【請求項5】 pH電極がpH感受性電界効果型トラン
ジスタである請求項2記載のバイオセンサ。 - 【請求項6】 測定成分検出膜が順次形成された妨害物
質除去膜とグルコース酸化酵素固定化膜とグルコース制
限透過膜と汚染物質除去膜からなり、測定成分がグルコ
ースである請求項2記載のバイオセンサ。
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|---|---|---|---|
| JP08200724A JP3102356B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | バイオセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08200724A JP3102356B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | バイオセンサ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048177A true JPH1048177A (ja) | 1998-02-20 |
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ID=16429147
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08200724A Expired - Fee Related JP3102356B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | バイオセンサ |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3102356B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2007139729A (ja) * | 2005-11-23 | 2007-06-07 | Japan Science & Technology Agency | 酵素固定化バイオセンサー |
| JP2012513821A (ja) * | 2008-12-24 | 2012-06-21 | エドワーズ ライフサイエンシーズ コーポレイション | 電気化学バイオセンサのための膜層およびemf場およびrf場に対処する方法 |
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-
1996
- 1996-07-30 JP JP08200724A patent/JP3102356B2/ja not_active Expired - Fee Related
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