JPH1048526A - 高分解能高光度対物レンズ - Google Patents
高分解能高光度対物レンズInfo
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Abstract
射側のエッジビーム角と光束直径とが特に有利な関係に
あるカタディオプトリック縮小対物レンズを提供するこ
と。 【解決手段】 像側開口数が0.5より大きく、好まし
くは0.6から0.75であるカタディオプトリック型
の高分解能高光度対物レンズにおいて、第1のレンズ群
(LG1)と第2のレンズ群(LG2)は合わせて、好
ましくは第2のレンズ群(LG2)が単独でも、エッジ
ビーム角の正弦を40%まで減少させる。好ましくは、
第1のレンズ群(LG1)の後のエッジビーム角の正弦
(sin RLG1) は物体平面(1)におけるエッジビーム
角の正弦(sin Rreticle) より小さくない。
Description
のレンズ群と、第2のレンズ群と、ビームスプリッタ
と、凹面鏡と、ビームスプリッタと凹面鏡との間又は凹
面鏡又はビームスプリッタに設けられた光学系絞りと、
第3のレンズ群と、像平面とを具備するカタディオプト
リック縮小対物レンズとして構成された高分解能高光度
対物レンズに関する。
特許第5,402,226号及びドイツ特許第4417
489号から、低いほうのUV領域(248nm,19
3nm等々の波長)の放射によるマイクロリソグラフィ
用の投影対物レンズとして知られている。これらの特許
と本特許出願の出願人は同一であり、発明者は少なくと
も共同発明者である。これらの特許の内容は本出願の開
示の一部となるべきである。
なる図2の実施形態及び表1は明確な相違点をもたず、
表のデータは機能性にすぐれた対物レンズを示していな
いので、参考にするに足る開示であるとはいえない。
の場合、開口数は0.4で、本発明によるよりもはるか
に小さいので、対物レンズに対する必要条件は総じて緩
和されている。エッジビーム角は物体(レチクル)から
ビームスプリッタ及びミラーに向かって増加する。
分の一縮小対物レンズにおいて、凹面鏡の著しく縮小す
る縮小率は0.3より小さく、実施形態では0.14で
ある。図2又は図3及び表2に示す実施形態においては
開口数は0.58であり、第1のレンズ群の後のレチク
ルではエッジビーム角の正弦は0.145であり、折り
たたみミラーの(設置可能)場所では約0.13、第2
のレンズ群の後、すなわち、ビームスプリッタの入射側
では0.60である。
範囲第1項,第2項,第25項,第27項を参照)の場
合、立方体のビームスプリッタと凹面鏡にそれぞれ先立
つレンズ群は、エッジビーム角の正弦と等価である局所
開口数が大きくなるという意味で、「ネガティブパワ
ー」を有する。そこで、前方に位置するレンズ群は、入
射ひとみを無限遠から凹面鏡の光学系絞りへ結像するよ
うに構成されている。この構成により、特に、ビームス
プリッタ入射側における光束横断面を小さく保持するこ
とができる。その結果、対物レンズの開口数が大きくて
も(0.7)に、かつビームスプリッタの立方体を小さ
くでき、有利である。
に従属関係にあるビームスプリッタの入射側のエッジビ
ーム角と光束直径とが特に有利な関係にある冒頭に述べ
たカタディオプトリック縮小対物レンズを提供すること
である。これにより、小さな光束直径で特に小さなビー
ムスプリッタの使用が可能になるので、大きな開口数を
得ることができる。第1に、レンズを設置するためのス
ペースがビームスプリッタにより非常に大きく侵害され
ることはなく(米国特許第5,402,267号を参
照)、さらに、寸法のより小さい妨害のないビームスプ
リッタの製造が著しく容易になる。また、発散角は制限
されたままであるので、誘電体層から価値の高い偏光ビ
ームスプリッタを製造することが著しく容易になる。同
時に、様々なレンズ材料を使用することなく、すぐれた
色補正を実行できるべきである。
範囲第1項の特徴部の特徴を備えた冒頭に述べた種類の
対物レンズにより解決される。この特徴によれば、第1
のレンズ群と第2のレンズ群は合わせてエッジビーム角
の正弦を40%まで減少させる。この場合、約30%ま
での範囲であるのが好ましい。無限遠に位置する入射ひ
とみの凹面鏡の領域にある光学系絞りへの結像は困難で
あるが、それも可能である。
く同じようには有利ではないが、2つのプリズムから組
立てられる、ほぼ立方体形状のビームスプリッタを十分
に小さく保持することができる。これは、特に、像が狭
いスリットであるウェハスキャナに対物レンズを適用す
る場合に特に有効である。以下、図面に示されている実
施形態に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。
つのレンズ群LG1、LG2、LG3を有する図1のレ
ンズ断面の実施形態に対して、表1に個々のレンズの数
値を提示する。表2は、この実施形態のいくつかの重要
なエッジビーム角正弦及び結像倍率を米国特許第5,4
02,226号及び欧州特許第0608572号と比較
したものである。
A4h4+A6h6+A8h8+A10h10+A12h12 に従った非球面である。式中、rは頂点半径、hは光軸
までの高さであり、非球面定数は次の通りである。 A4 = 0.175861・10-9 A6 = 0.267922・10-13 A8 = 0.174598・10-17 A10 = −0.606697・10-22 A12 = +0.769485・10-26 像側開口数は0.70、像視野はウェハスキャナに適合
して、26×7mm2 である。結像倍率はβ=−0.25
である。対物レンズはArFエキシマレーザーの波長で
ある193nmに合わせて構成されている。
ームスプリッタ面Pが設けられており、この面Pはレチ
クル1から入射する光束を反射して、凹面鏡21に向か
って90°方向転換する。面19及び20を有する両面
平行の板は、たとえば、誘電体層、機械的複屈折又は2
光軸材料などにより、ラムダ四分の一波長板として構成
されており、凹面鏡21から反射されて戻って来た光を
ビームスプリッタ面Pを通して、ビームスプリッタの射
出平面22に到達させる働きをする。
9/20と、凹面鏡21との間に位置している。この絞
りは射出面18と凹面鏡21との間の空間内の別の場所
に設置されても良い。光学系絞りによって、開口数を選
択的に変化させることができる。図示した対物レンズの
補正は、その補正によって劣化が起こらないように実行
される。
は、ビームスプリッタの湾曲射出面としても、マンジャ
ンミラーとしても、レンズは設けられていない。
リックである。欧州特許第0608572号に記載され
ているようにビームスプリッタプリズムからの射出面2
2の後に追加のラムダ四分の一波長板を設けることは、
この場合にも可能である。同様に、補正位相板を対物レ
ンズ中に挿入するか、又は少なくとも1つのレンズ面を
同様の作用をもって非球面に(この場合も回転対称形で
はなく)精密加工することもできる。
エッジビーム角の正弦であるが、RLG3 に関してはその
前方のエッジビーム角の正弦である。
はその特許の対物レンズデータに従って計算されたもの
である。
ても良い)方向転換ミラー6の前方のエッジビーム角は
小さくならず、わずかに増加する。第2のレンズ群LG
2は欧州特許第0608572号とは異なってエッジビ
ーム角を小さくするが、たとえば、米国特許第5,40
2,267号(ほぼ半減する)などの通常の減少と比較
すれば、わずかに約10%であるにすぎない。
側でのコリメーションは本発明においては見られない。
しかしながら、sin RLG2 及びsin RLG3 を総じて見る
と、偏光ビームスプリッタPにおける発散角の影響は合
わせても小さく、有利であることがわかる。
ンズの良好な色補正を得るために重大である。色拡大収
差は1ナノメートルの波長差に対して約0.2プロミル
である。すなわち、これはきわめて小さく、逆の符号を
もつ色コマ収差による重心の移動をほぼ補正する。主た
る色誤差はガウス誤差、すなわち、球面収差の色変化で
ある。これに対して逆の符号をもつ縦方向色誤差を導入
すれば、この誤差を補正することが可能である。
あり、従って、FLEX方式(たとえば、H.Fuku
da他のIEEE Trans.Electron D
ev.38(1991年)の67〜75ページを参照)
に類似する影響を及ぼす。この方式によれば、コントラ
スト増強レジストを使用する場合に焦点深度を向上させ
るために、像平面を様々に異なる焦点外れ条件の下で複
数回露光される。
影響を及ぼすレーザーの許容スペクトル帯域幅はユーザ
のプロセス技法によって左右されるが、どの場合をとっ
ても、10pmより大きい。193nmのときの石英の
発散は248nmの場合のほぼ3倍の大きさであるの
で、この値は特に注目すべきである。
44と、照明光学系45と、位置決めシステム421に
設置されるマスク(レチクルともいう)42と、(本発
明に従ったカタディオプトリック光学系として構成され
た)投影対物レンズ41と、ウェハ位置決めシステム4
31に設置されたウェハ43とを含む完全なマイクロリ
ソグラフィ用投影露光装置を概略的に示す。投影対物レ
ンズ41を除けば、各部とその協働作用は周知の従来の
技術に従って構成されている。
が総じて小さくなると、エッジビーム角が大きくなる場
合と比べて、特にビームスプリッタの付近でエッジビー
ムの高さは増す。さらに、ビームスプリッタの付近の屈
折率が大きくなる。このことは、第2のレンズ群が収束
作用を示す場合、すなわち、エッジビームを減少させる
ように作用する場合に特に有効である。これにより、エ
ッジビームの高さと屈折率との積はビームスプリッタの
前方の領域で増加する。しかしながら、色拡大収差に対
する補正作用はこの積に比例する。本発明によるこのよ
うな構成によって、2つの異なるレンズ材料により付加
的な色消しが行われるか否かにかかわらず、非常に良好
な色補正が実現される。
ると、色補正はさらに改善されるが、ビームスプリッタ
はさらに大型になるので、対物レンズの開口数を0.7
にするのは非常に困難になり、むしろ、良好な品質をも
って0.6のNAを得ることができる。
正弦を40%まで減少させる葉にすることが望ましい。
通常、第2のレンズ群LG2は、方向転換ミラーを配置
するのに適する空間によって、第1のレンズ群から離間
している。色補正作用は主として第2のレンズ群により
与えられる。
第1のレンズ群LG1はエッジビーム角を減少させるべ
きでない。この場合には、第2のレンズ群LG2の前記
の色補正作用が一層増強されるという理由により、むし
ろ、エッジビーム角の増加が起こるべきである。これに
より、無限遠に位置する入射ひとみの凹面鏡21の領域
の光学系絞りへの結像が妨げられることはない。
の光学素子が少なくなるにつれて、開口数を大きくする
ことができる。この場合、独立したレンズは特に障害と
なる。すなわち、ビームスプリッタと凹面鏡との間に独
立したレンズを配置するべきではない。しかしながら、
ラムダ四分の一波長板19、20をビームスプリッタの
射出面上の薄層として形成する。
1、KG2に7つしかレンズを含まずに、比較的スペー
スを節約して構成することもできる。ビームスプリッタ
は、まず、反射手段として利用される。そのため、この
重大な密着のために(透過の場合と比較して)凹面鏡の
作用の前でビームのごくわずかな発散が利用されること
になる。
に利用した場合、対物レンズ41は、波長の短いほうの
紫外線(波長250nm未満)に合わせて設計されるで
あろう。特に光源としての波長193nmのエキシマレ
ーザー用に設けられる。この波長範囲においては、周知
の純粋に反射する対物レンズはスペクトル幅のごく狭い
レーザーを必要とする。
実施形態とは異なる構成であっても良い。たとえば、結
像倍率,開口数,像視野,波長及び帯域幅を必要に応じ
て変えることができる。この場合、特に様々に異なる光
学材料を使用することにより色消しも実行できる。19
3nmの場合でも、そのために、たとえば、CaF2及
びLiFをさらに利用できる。
ズのレンズ断面を示す図。
的に示す図。
面、35…像平面、A…光学系絞り、P…ビームスプリ
ッタ面、LG1…第1のレンズ群、LG2…第2のレン
ズ群、LG3…第3のレンズ群。
Claims (6)
- 【請求項1】 物体平面(1)と、 第1のレンズ群(LG1)と、 第2のレンズ群(LG2)と、 ビームスプリッタ(17,18,22,P)と、 凹面鏡(21)と、 ビームスプリッタ(17,18,22,P)と凹面鏡
(21)との間又は凹面鏡(21)又はビームスプリッ
タ(17,18,22,P)に設けられた光学系絞り
(A)と、 第3のレンズ群(LG3)と、 像平面(35)とを挙げた順序で具備し、 縮小率(β)は−0.4から−0.15、好ましくは−
0.25であり、 像側開口数は0.5より大きく、好ましくは0.6から
0.75である高分解能高光度対物レンズにおいて、 第1のレンズ群(LG1)と第2のレンズ群(LG2)
は合わせてエッジビーム角の正弦を40%まで減少させ
ることを特徴とする対物レンズ。 - 【請求項2】 第2のレンズ群(LG2)は単独でもエ
ッジビーム角を40%まで減少させることを特徴とする
請求項1記載の対物レンズ。 - 【請求項3】 第1のレンズ群(LG1)の後のエッジ
ビーム角の正弦(sin RLG1) は物体平面(1)におけ
るエッジビーム角の正弦(sin Rreticle)より小さく
はないことを特徴とする請求項1又は2記載の対物レン
ズ。 - 【請求項4】 ビームスプリッタ(17,18,22,
P)と凹面鏡(21)との間に独立したレンズは配置さ
れていないことを特徴とする請求項1,2及び3の少な
くとも1項に記載の対物レンズ。 - 【請求項5】 第1のレンズ群(LG1)と第2のレン
ズ群(LG2)は合わせても8つ以上のレンズを含まな
いことを特徴とする請求項1から4の少なくとも1項に
記載の対物レンズ。 - 【請求項6】 ビームスプリッタ(P)で第2のレンズ
群(LG2)から来た光は反射されることを特徴とする
請求項1から5の少なくとも1項に記載の対物レンズ。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
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| DE19616922.4 | 1996-04-27 |
Publications (1)
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|---|---|
| JPH1048526A true JPH1048526A (ja) | 1998-02-20 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9120108A Pending JPH1048526A (ja) | 1996-04-27 | 1997-04-24 | 高分解能高光度対物レンズ |
Country Status (4)
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|---|---|
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| EP (1) | EP0809125B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1048526A (ja) |
| DE (2) | DE19616922A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003504687A (ja) * | 1999-07-07 | 2003-02-04 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | ブロードバンド紫外線カタディオプトリックイメージングシステム |
| JP2004515796A (ja) * | 2000-02-24 | 2004-05-27 | エイエスエムエル ユーエス, インコーポレイテッド | マイクロリソグラフィ用の紫外線偏光ビームスプリッタ |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6157498A (en) | 1996-06-19 | 2000-12-05 | Nikon Corporation | Dual-imaging optical system |
| US6064517A (en) * | 1996-07-22 | 2000-05-16 | Kla-Tencor Corporation | High NA system for multiple mode imaging |
| JP3812051B2 (ja) * | 1997-04-30 | 2006-08-23 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系 |
| US6829041B2 (en) * | 1997-07-29 | 2004-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system and projection exposure apparatus having the same |
| KR19990030944A (ko) * | 1997-10-07 | 1999-05-06 | 정선종 | 리소그래피용 반사굴절 결상광학계 |
| DE19807120A1 (de) * | 1998-02-20 | 1999-08-26 | Zeiss Carl Fa | Optisches System mit Polarisationskompensator |
| US7112772B2 (en) * | 1998-05-29 | 2006-09-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with adaptive mirror and projection exposure method |
| DE19939088A1 (de) | 1998-08-18 | 2000-02-24 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung und -verfahren |
| KR20000034967A (ko) | 1998-11-30 | 2000-06-26 | 헨켈 카르스텐 | 수정-렌즈를 갖는 오브젝티브 및 투사 조명 장치 |
| EP1006388A3 (de) * | 1998-11-30 | 2002-05-02 | Carl Zeiss | Reduktions-Projektionsobjektiv der Mikrolithographie |
| JP3770542B2 (ja) | 1999-07-22 | 2006-04-26 | コーニング インコーポレイテッド | 遠紫外軟x線投影リソグラフィー法およびマスク装置 |
| DE10005189A1 (de) | 2000-02-05 | 2001-08-09 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage mit reflektivem Retikel |
| US7136234B2 (en) * | 2000-09-12 | 2006-11-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
| US6842298B1 (en) | 2000-09-12 | 2005-01-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
| US7136159B2 (en) * | 2000-09-12 | 2006-11-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Excimer laser inspection system |
| US6776006B2 (en) | 2000-10-13 | 2004-08-17 | Corning Incorporated | Method to avoid striae in EUV lithography mirrors |
| DE10104177A1 (de) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
| US7869121B2 (en) | 2003-02-21 | 2011-01-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Small ultra-high NA catadioptric objective using aspheric surfaces |
| US7646533B2 (en) * | 2003-02-21 | 2010-01-12 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Small ultra-high NA catadioptric objective |
| US7672043B2 (en) * | 2003-02-21 | 2010-03-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Catadioptric imaging system exhibiting enhanced deep ultraviolet spectral bandwidth |
| US7180658B2 (en) * | 2003-02-21 | 2007-02-20 | Kla-Tencor Technologies Corporation | High performance catadioptric imaging system |
| US7639419B2 (en) * | 2003-02-21 | 2009-12-29 | Kla-Tencor Technologies, Inc. | Inspection system using small catadioptric objective |
| US7884998B2 (en) | 2003-02-21 | 2011-02-08 | Kla - Tencor Corporation | Catadioptric microscope objective employing immersion liquid for use in broad band microscopy |
| US20060026431A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Hitachi Global Storage Technologies B.V. | Cryptographic letterheads |
| JP5174810B2 (ja) | 2006-06-16 | 2013-04-03 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物器械 |
| US8665536B2 (en) * | 2007-06-19 | 2014-03-04 | Kla-Tencor Corporation | External beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system |
| DE102009011328A1 (de) * | 2009-03-05 | 2010-08-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik |
| JP6164558B2 (ja) | 2012-01-18 | 2017-07-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 高電力レーザ光源からターゲット上への放射線のフォーカス誘導のためのビーム誘導系及びレーザ光源とそのようなビーム誘導系とを有するlpp x線ビーム源 |
| KR101411428B1 (ko) * | 2012-07-12 | 2014-06-24 | 한국과학기술원 | 집광식 휴대용 형광 검출 시스템 |
| DE102025111510A1 (de) | 2025-03-25 | 2026-05-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Optimieren einer abbildenden DUV/UV-Optik für eine Projektionsbelichtungsanlage |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4953960A (en) * | 1988-07-15 | 1990-09-04 | Williamson David M | Optical reduction system |
| JP2847883B2 (ja) * | 1990-03-30 | 1999-01-20 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系 |
| US5089913A (en) * | 1990-07-11 | 1992-02-18 | International Business Machines Corporation | High resolution reduction catadioptric relay lens |
| DE4203464B4 (de) * | 1991-02-08 | 2007-02-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
| US5402267A (en) * | 1991-02-08 | 1995-03-28 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric reduction objective |
| US5251070A (en) * | 1991-09-28 | 1993-10-05 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system |
| US5212593A (en) * | 1992-02-06 | 1993-05-18 | Svg Lithography Systems, Inc. | Broad band optical reduction system using matched multiple refractive element materials |
| US5537260A (en) * | 1993-01-26 | 1996-07-16 | Svg Lithography Systems, Inc. | Catadioptric optical reduction system with high numerical aperture |
| US5402226A (en) * | 1993-05-17 | 1995-03-28 | Matthews; Jeffrey M. | Survey apparatus |
-
1996
- 1996-04-27 DE DE19616922A patent/DE19616922A1/de not_active Ceased
-
1997
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- 1997-04-25 US US08/845,384 patent/US5880891A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003504687A (ja) * | 1999-07-07 | 2003-02-04 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | ブロードバンド紫外線カタディオプトリックイメージングシステム |
| JP4761684B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2011-08-31 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ブロードバンド紫外線カタディオプトリックイメージングシステム |
| JP2004515796A (ja) * | 2000-02-24 | 2004-05-27 | エイエスエムエル ユーエス, インコーポレイテッド | マイクロリソグラフィ用の紫外線偏光ビームスプリッタ |
| JP2007294979A (ja) * | 2000-02-24 | 2007-11-08 | Asml Us Inc | マイクロリソグラフィ用の紫外線偏光ビームスプリッタ |
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