JPH1048843A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPH1048843A JPH1048843A JP8221709A JP22170996A JPH1048843A JP H1048843 A JPH1048843 A JP H1048843A JP 8221709 A JP8221709 A JP 8221709A JP 22170996 A JP22170996 A JP 22170996A JP H1048843 A JPH1048843 A JP H1048843A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- discharge nozzle
- substrate
- discharge
- hmds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＨＭＤＳ蒸気の外部流出を押さえて使用量を
削減し処理時間を短縮する。 【構成】 基板Ａは加熱板１３により昇温され、回転駆
動源１２により所定速度で回転している状態で、排気カ
バー１７内の吐出ノズルから濃度及び流量管理されたＨ
ＭＤＳ蒸気が吐出されて、疎水化処理が行われる。そし
て、処理後の余分なＨＭＤＳ蒸気は、排気カバー１７か
ら排気管１８を介して排気回収される。
削減し処理時間を短縮する。 【構成】 基板Ａは加熱板１３により昇温され、回転駆
動源１２により所定速度で回転している状態で、排気カ
バー１７内の吐出ノズルから濃度及び流量管理されたＨ
ＭＤＳ蒸気が吐出されて、疎水化処理が行われる。そし
て、処理後の余分なＨＭＤＳ蒸気は、排気カバー１７か
ら排気管１８を介して排気回収される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造におい
て基板と感光性樹脂の密着性を向上するために疎水性表
面処理を行う処理装置に関するものである。
て基板と感光性樹脂の密着性を向上するために疎水性表
面処理を行う処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、感光性樹脂塗布後に行う基板と感
光性樹脂の密着性を向上させるための処理に関しては、
基板を熱板上に載置し、その周囲空間をＨＭＤＳ（Hexa
methyldisilazane）蒸気で満たして、基板表面を疎水性
とする処理装置が特開平６−２３２０３５号公報に開示
されている。
光性樹脂の密着性を向上させるための処理に関しては、
基板を熱板上に載置し、その周囲空間をＨＭＤＳ（Hexa
methyldisilazane）蒸気で満たして、基板表面を疎水性
とする処理装置が特開平６−２３２０３５号公報に開示
されている。
【０００３】図５は第１の従来例の構成図を示し、熱板
１上に載置された基板Ａはカバー２により周囲空間から
隔離され、基板Ａの上方に配置された多孔状の吐出ノズ
ル３から、供給管４を介してＨＭＤＳ蒸気が吐出され
る。このとき、空間内を減圧することによって、空間内
は高濃度のＨＭＤＳ蒸気に満たされ、このＨＭＤＳ蒸気
が基板Ａの上面と接することにより疎水性表面処理が行
われる。そして、処理後にＨＭＤＳ蒸気の残留分は排出
管５から排出される。
１上に載置された基板Ａはカバー２により周囲空間から
隔離され、基板Ａの上方に配置された多孔状の吐出ノズ
ル３から、供給管４を介してＨＭＤＳ蒸気が吐出され
る。このとき、空間内を減圧することによって、空間内
は高濃度のＨＭＤＳ蒸気に満たされ、このＨＭＤＳ蒸気
が基板Ａの上面と接することにより疎水性表面処理が行
われる。そして、処理後にＨＭＤＳ蒸気の残留分は排出
管５から排出される。
【０００４】また、図６は第２の従来例の構成図を示
し、基板Ａの上方にはＨＭＤＳ液の供給管６と液受け７
が設けられ、その他は第１の従来例と同様である。ＨＭ
ＤＳ液を０．２〜０．３ｃｃ程度の少量だけ供給管６か
ら液受け７に滴下し、周囲空間を減圧することによりＨ
ＭＤＳ液をガス化し、このＨＭＤＳガスにより基板Ａの
表面の疎水性表面処理を行う。
し、基板Ａの上方にはＨＭＤＳ液の供給管６と液受け７
が設けられ、その他は第１の従来例と同様である。ＨＭ
ＤＳ液を０．２〜０．３ｃｃ程度の少量だけ供給管６か
ら液受け７に滴下し、周囲空間を減圧することによりＨ
ＭＤＳ液をガス化し、このＨＭＤＳガスにより基板Ａの
表面の疎水性表面処理を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の従
来例においては、基板Ａの周囲空間内を高濃度のＨＭＤ
Ｓ蒸気の雰囲気状態とするために、空間内の減圧を行い
ながらＨＭＤＳ蒸気を供給しており、このために処理に
関与しない必要以上のＨＭＤＳ蒸気が減圧吸引側に吸引
されてしまう。また、空間内へＨＭＤＳ蒸気を供給する
ための供給蒸気の濃度管理を行うことはできるが、実際
の基板Ａ上での濃度は不明であり、安定性が得られ難
く、必要にして十分な最短処理時間を設定することがで
きない。
来例においては、基板Ａの周囲空間内を高濃度のＨＭＤ
Ｓ蒸気の雰囲気状態とするために、空間内の減圧を行い
ながらＨＭＤＳ蒸気を供給しており、このために処理に
関与しない必要以上のＨＭＤＳ蒸気が減圧吸引側に吸引
されてしまう。また、空間内へＨＭＤＳ蒸気を供給する
ための供給蒸気の濃度管理を行うことはできるが、実際
の基板Ａ上での濃度は不明であり、安定性が得られ難
く、必要にして十分な最短処理時間を設定することがで
きない。
【０００６】更に、処理終了後にＨＭＤＳ蒸気を空間内
に残留させないために窒素による置換処理を行うが、こ
のとき空間の隅々まで窒素置換を行うことは難しく、基
板Ａを入れ換える際にＨＭＤＳ蒸気残留分が処理空間外
に流出し、装置内環境を汚染するという問題が発生す
る。
に残留させないために窒素による置換処理を行うが、こ
のとき空間の隅々まで窒素置換を行うことは難しく、基
板Ａを入れ換える際にＨＭＤＳ蒸気残留分が処理空間外
に流出し、装置内環境を汚染するという問題が発生す
る。
【０００７】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
ＨＭＤＳ蒸気の外部流出を押さえて使用量を削減し処理
時間を短縮した処理装置を提供することにある。
ＨＭＤＳ蒸気の外部流出を押さえて使用量を削減し処理
時間を短縮した処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る処理装置は、温度制御した熱板と、該熱
板により加熱した基板を回転状態に保持する駆動手段
と、前記基板の半径よりも大きい吐出幅を有し前記基板
の近接位置から前記基板の表面に向けて蒸気を吐出する
吐出ノズルと、該吐出ノズルによる蒸気の吐出処理後に
残留蒸気分を排気する排気手段とを有することを特徴と
する。
の本発明に係る処理装置は、温度制御した熱板と、該熱
板により加熱した基板を回転状態に保持する駆動手段
と、前記基板の半径よりも大きい吐出幅を有し前記基板
の近接位置から前記基板の表面に向けて蒸気を吐出する
吐出ノズルと、該吐出ノズルによる蒸気の吐出処理後に
残留蒸気分を排気する排気手段とを有することを特徴と
する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明を図１〜図４に図示の実施
例に基づいて詳細に説明する。図１は実施例の斜視図を
示し、上下駆動源１０上には基台１１が載置され、基台
１１には回転駆動源１２が固定されている。回転駆動源
１２の中心軸には加熱板１３が設けられ、更にその上に
は基板Ａを支持する保持具１４が取り付けられている。
基板Ａの上部には、ＨＭＤＳ蒸気を下方に吐出する多孔
を線状又は直線配置した吐出ノズル１５が設けられ、こ
の吐出ノズル１５はＨＭＤＳ蒸気供給管１６に連結され
ている。また、吐出ノズル１５は回転中の基板Ａに一様
に蒸気を吐出するために、その長さ方向の吐出幅は基板
Ａの半径よりも大きくされている。更に、吐出ノズル１
５には図２に示すように、その下面以外を被覆する排気
カバー１７が取り付けられており、排気カバー１７の上
面の中央付近には排気管１８が設けられている。
例に基づいて詳細に説明する。図１は実施例の斜視図を
示し、上下駆動源１０上には基台１１が載置され、基台
１１には回転駆動源１２が固定されている。回転駆動源
１２の中心軸には加熱板１３が設けられ、更にその上に
は基板Ａを支持する保持具１４が取り付けられている。
基板Ａの上部には、ＨＭＤＳ蒸気を下方に吐出する多孔
を線状又は直線配置した吐出ノズル１５が設けられ、こ
の吐出ノズル１５はＨＭＤＳ蒸気供給管１６に連結され
ている。また、吐出ノズル１５は回転中の基板Ａに一様
に蒸気を吐出するために、その長さ方向の吐出幅は基板
Ａの半径よりも大きくされている。更に、吐出ノズル１
５には図２に示すように、その下面以外を被覆する排気
カバー１７が取り付けられており、排気カバー１７の上
面の中央付近には排気管１８が設けられている。
【００１０】また、図３は側面図及び配管図を示し、蒸
気供給管１６は三方弁１９を介して一方は窒素供給管２
０に接続され、他方は流量制御器２１を介してＨＭＤＳ
飽和蒸気発生源２２に接続されており、ＨＭＤＳ飽和蒸
気発生源２２には蒸気濃度制御器２３が接続されてい
る。また、排気管１８には減圧ポンプ２４が接続されて
いる。
気供給管１６は三方弁１９を介して一方は窒素供給管２
０に接続され、他方は流量制御器２１を介してＨＭＤＳ
飽和蒸気発生源２２に接続されており、ＨＭＤＳ飽和蒸
気発生源２２には蒸気濃度制御器２３が接続されてい
る。また、排気管１８には減圧ポンプ２４が接続されて
いる。
【００１１】図４は処理操作中の処理装置の斜視図を示
し、基板Ａは保持具１４により加熱板１４の上部の所定
距離に近接して保持され、温度制御された加熱板１３に
よって下方から昇温される。基板Ａは上下駆動源１０に
より吐出ノズル１５の近接位置にまで上昇し、回転駆動
源１２により所定速度で回転される。
し、基板Ａは保持具１４により加熱板１４の上部の所定
距離に近接して保持され、温度制御された加熱板１３に
よって下方から昇温される。基板Ａは上下駆動源１０に
より吐出ノズル１５の近接位置にまで上昇し、回転駆動
源１２により所定速度で回転される。
【００１２】蒸気濃度制御器２３により濃度調節された
ＨＭＤＳ蒸気は、ＨＭＤＳ蒸気発生源２２から流量制御
器２１に送られてその使用流量が管理され、三方弁１９
を通って吐出ノズル１５から、所定の速度で回転してい
る基板Ａの表面にＨＭＤＳ飽和蒸気が吐出され、均一な
疎水化処理が行われる。
ＨＭＤＳ蒸気は、ＨＭＤＳ蒸気発生源２２から流量制御
器２１に送られてその使用流量が管理され、三方弁１９
を通って吐出ノズル１５から、所定の速度で回転してい
る基板Ａの表面にＨＭＤＳ飽和蒸気が吐出され、均一な
疎水化処理が行われる。
【００１３】疎水化処理が終了した後の余分なＨＭＤＳ
蒸気は、減圧ポンプ２４を駆動することにより排気カバ
ー１７から排気管１８を介して吸引され、装置外部へ排
出されて再び回収使用される。更に、三方弁１９が切換
えられて、窒素ガス供給管２０から窒素ガスが吐出ノズ
ル１５へ導かれ、吐出ノズル１５内に残留しているＨＭ
ＤＳ蒸気も排気管１８から排出される。
蒸気は、減圧ポンプ２４を駆動することにより排気カバ
ー１７から排気管１８を介して吸引され、装置外部へ排
出されて再び回収使用される。更に、三方弁１９が切換
えられて、窒素ガス供給管２０から窒素ガスが吐出ノズ
ル１５へ導かれ、吐出ノズル１５内に残留しているＨＭ
ＤＳ蒸気も排気管１８から排出される。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る処理装
置は、蒸気濃度の高い状態で基板の上面に対して直接表
面処理を行うので、蒸気の使用量の管理が可能となり、
安全率を低く押さえて使用量の削減及び処理時間の短縮
が可能である。また、吐出ノズルの周囲近辺から排気を
行うので、吐出管内の残留分を少なくすることができ、
蒸気の外部流出を低く抑えて装置内汚染の低減を図るこ
とができる。
置は、蒸気濃度の高い状態で基板の上面に対して直接表
面処理を行うので、蒸気の使用量の管理が可能となり、
安全率を低く押さえて使用量の削減及び処理時間の短縮
が可能である。また、吐出ノズルの周囲近辺から排気を
行うので、吐出管内の残留分を少なくすることができ、
蒸気の外部流出を低く抑えて装置内汚染の低減を図るこ
とができる。
【図１】実施例の斜視図である。
【図２】蒸気吐出部の斜視図である。
【図３】蒸気吐出部及びその配管の構成図である。
【図４】処理操作中の斜視図である。
【図５】第１の従来例の構成図である。
【図６】第２の従来例の構成図である。
１０ 上下駆動源 １２ 回転駆動源 １３ 加熱板 １５ 蒸気吐出ノズル １７ 排気カバー １９ 三方弁 ２０ 窒素供給管 ２１ 流量制御器 ２２ ＨＭＤＳ飽和蒸気発生源 ２３ 蒸気濃度制御器
Claims (4)
- 【請求項１】 温度制御した熱板と、該熱板により加熱
した基板を回転状態に保持する駆動手段と、前記基板の
半径よりも大きい吐出幅を有し前記基板の近接位置から
前記基板の表面に向けて蒸気を吐出する吐出ノズルと、
該吐出ノズルによる蒸気の吐出処理後に残留蒸気分を排
気する排気手段とを有することを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 前記吐出ノズルは線状又は直線配置した
多孔から成る請求項１に記載の処理装置。 - 【請求項３】 前記吐出ノズルから吐出する蒸気はＨＭ
ＤＳ蒸気とした請求項１に記載の処理装置。 - 【請求項４】 前記排気手段は、前記吐出ノズルの外周
を囲むカバーと、該カバーの排気口に連結した排気管と
から成る請求項１に記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8221709A JPH1048843A (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8221709A JPH1048843A (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048843A true JPH1048843A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16771048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8221709A Withdrawn JPH1048843A (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1048843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009141226A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Tokyo Electron Ltd | リフロー処理装置およびリフロー処理方法 |
| JP2013074016A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
-
1996
- 1996-08-05 JP JP8221709A patent/JPH1048843A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009141226A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Tokyo Electron Ltd | リフロー処理装置およびリフロー処理方法 |
| JP2013074016A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060419 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060425 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060608 |