JPH1049833A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気抵抗効果現象を利用して信号再生を行う
磁気ヘッドにおいて、薄膜形成の工程数を削減し、歩留
まりの向上を図るとともに、電磁誘導型のバルクヘッド
用の回転ドラムに寸法変更等を行うことなく搭載するこ
とが可能なものにする。 【解決手段】 磁気ヘッドを、一対の磁気コア半体が突
き合わされ、その突き合わせ面に磁気ギャップが形成さ
れてなるフロントコア部と、磁気抵抗効果を有する磁気
抵抗素子によって構成し、上記フロントコア部の磁気ギ
ャップが臨む面が磁気記録媒体摺動面となるようにす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッドに関
し、特にヘリカルスキャン方式に用いて好適な再生専用
型の磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＶＣＲ（ビデオカセットレコーダ）やデ
ータストレージ等では、回転ドラムに搭載された磁気ヘ
ッドを磁気テープに対して斜めに走査することで記録再
生を行うヘリカルスキャン方式が用いられる。

【０００３】このような回転ヘッドに搭載される磁気ヘ
ッドとしては、例えば、図２４に示すように酸化物磁性
材料よりなる一対の磁気コア半体７１，７２同士を突き
合わせ接合させたフェライトヘッドや、このフェライト
ヘッドの磁気コア半体の突き合わせ面に金属磁性薄膜を
配したメタル・イン・ギャップヘッド（ＭＩＧヘッ
ド）、さらには図２５に示すように金属磁性薄膜７３を
一対の基板７４により挟み込んだ一対の磁気コア半体７
５，７６同士を突き合わせ接合させたラミネートヘッド
等が一般的である。また、これらの磁気ヘッドはバルク
状の磁気コア半体をガラス融着することで製造されるも
のであるが、磁気ヘッドとしてはスパッタリング法等の
薄膜形成技術によって磁気コア層やスパイラル状の導体
コイル層が形成される薄膜磁気ヘッドも知られている。

【０００４】これらの磁気ヘッドはいずれも電磁誘導現
象を利用して記録再生を行う電磁誘導型のヘッドであ
り、記録に際しては、コアと鎖交するコイルに電流を流
し、その際に誘導される磁束によって、当該コアに形成
されている磁気ギャップｇに漏れ磁界を形成する。この
漏れ磁界によって磁気記録媒体は磁化され、情報信号が
磁気信号として記録される。また、再生に際しては、磁
気記録媒体からの漏れ磁束を、磁気ギャップでピックア
ップしてコアを通過させ、当該コアと鎖交するコイルに
起電力を生じさせる。この起電力によって生じる電圧の
変化によって情報信号が再生される。

【０００５】しかしながら、磁気記録の分野では記録パ
ターンの短波長化が進み、磁気記録媒体への記録密度は
トラック方向及び線方向で増大している。このため、こ
れらの電磁誘導型のヘッドでは特に信号出力において対
応できなくなっている。

【０００６】すなわち、記録密度が向上すると１信号当
たりに対応する記録面積が減少し、この領域からの磁束
量が減少する。電磁誘導型の磁気ヘッドでは、媒体から
漏洩する磁束量のレベルでは感度に十分な余裕があると
は言えないことから、磁束量がさらに減少すると信号出
力が低くなり、Ｓ／Ｎ比が不足する。

【０００７】これらのことから、電磁誘導型の磁気ヘッ
ドだけでは、近年の高密度記録化には対応できなくなっ
ている。

【０００８】そこで、記録用のヘッドと再生用のヘッド
を別々にし、記録用ヘッドとしては電磁誘導型のヘッド
を用いるが、再生用ヘッドとしては磁気抵抗効果現象を
利用した磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が使用されるように
なっている。

【０００９】ＭＲヘッドは、遷移金属に見られるところ
の、磁化の向きとその内部を流れる電流（センス電流）
の向きのなす角によって電気抵抗値が変化する磁気抵抗
効果現象を利用するものであり、媒体からの漏れ磁界
（絶対量）の変化を、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）上
で抵抗値変化に変換し、情報信号の再生を行う。

【００１０】このＭＲヘッドは、電磁誘導型のヘッドに
比べて感度が高く、再生原理が異なることから１信号当
たりの磁束量が減少しても高い信号出力を得ることがで
きる。また、信号出力値がヘッドの走査速度に依存せ
ず、高密度化に適した再生ヘッドである。

【００１１】このＭＲヘッドの具体例を図２６に示す。

【００１２】このＭＲヘッドは、下層シールド磁性層７
５と上層シールド磁性層７６の間に、磁気抵抗効果素子
（ＭＲ素子）７７、磁区安定化層７８、後端電極７９及
び前端電極８０が絶縁層を介して形成されて構成されて
いる。

【００１３】ＭＲ素子７７は、Ｎｉ−Ｆｅ等の磁気抵抗
効果の大きな遷移金属により構成される。また、ＭＲ素
子７７上に形成される磁区安定化層７８は、ＭＲ素子７
７の磁区移動によるバルクハウゼンノイズを防止するた
めのものであり、Ｆｅ−Ｍｎ等の反強磁性膜により構成
される。さらに、後端電極７９及び前端電極８０は、Ｍ
Ｒ素子７７にセンス電流を供給するとともにＭＲ素子７
７上での電圧変化を取り出すためのものであり、それぞ
れＭＲ素子７７の前端あるいは後端上に一部積層されて
いる。

【００１４】そして、このＭＲヘッドでは、下層シール
ド層７５とＭＲ素子７７の間及び前端電極８０と上層シ
ールド層７６の間に、絶縁材料よりなる下層シールドギ
ャップ層８１及び上層シールドギャップ層８２がそれぞ
れ形成されており、これにより磁束を導入するための再
生ギャップが形成される。

【００１５】なお、上層シールドギャップ層８２には、
後端電極７９及び前端電極８０の後端部に対応して一対
の窓部８３が形成されており、この窓部８３の中には後
端電極及び前端電極にセンス電流を供給するための電極
取出層８４が形成されている。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このＭＲヘ
ッドは、このように多数の材料層によって構成され、そ
れぞれの材料層がいずれもスパッタリング等の薄膜形成
技術によって形成される。このため、各薄膜形成工程で
の不良が蓄積し、最終的に良品として完成する割合は少
ないと言わざるを得ない。この理由から、歩留まりが低
く、製造コストが高くつき、量産性も低い。

【００１７】また、このＭＲヘッドは、各材料層の端面
が積層されることで磁気記録媒体摺動面が構成されてお
り、バルクヘッドに比べて媒体への摺動に対して耐摩耗
性が低く、耐久性が低い。

【００１８】さらに、このＭＲヘッドは、フェライトヘ
ッド等のバルクヘッドと外形寸法が異なることからバル
クヘッドを搭載するための回転ドラムにそのまま搭載す
ることができないといった不都合もある。

【００１９】すなわち、フェライトヘッド等のバルクヘ
ッドは磁気記録媒体摺動面側から見たときにギャップの
幅方向と直交する方向に体積を有するが、ギャップの幅
方向の延在方向にはほとんど体積を有さない形状であ
る。これに対して、ＭＲヘッドは、再生ギャップに重な
って、各材料層が所定のパターン面積を有して形成され
ており、磁気記録媒体摺動面側を見ると、ギャップの幅
方向の延在方向にも体積を有する形状になっている。こ
のため、バルクヘッドを搭載するのに用いられていた回
転ドラムにそのまま搭載することができず、ヘッド突出
部の寸法変更等が強いられるといった不都合がある。

【００２０】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、薄膜形成の工程数を削減
することができ、歩留まりの向上が図られるとともに、
電磁誘導型のバルクヘッド用の回転ドラムに寸法変更等
を行うことなく搭載することが可能は磁気抵抗効果型の
磁気ヘッドを提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の磁気ヘッドは、一対の磁気コアが突き合
わされ、その突き合わせ部に磁気ギャップが形成されて
なるフロントコア部と、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗
効果素子とを有し、これらフロントコア部と磁気抵抗効
果素子によって閉磁路が構成されるとともに、上記フロ
ントコア部の磁気ギャップが臨む面が磁気記録媒体摺動
面とされていることを特徴とするものである。

【００２２】この磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子にお
ける磁気抵抗効果現象を利用して情報信号の再生を行う
ものであるので、感度が高く、また信号出力がヘッドの
走査速度に依存しない。したがって、磁気記録媒体の高
密度記録化を図った場合でも十分な信号出力が得られ
る。

【００２３】また、この磁気ヘッドは、磁気記録媒体摺
動面が一対の磁気コア半体を突き合わせることで構成さ
れたフロントコア部によって構成されるので、磁気記録
媒体への摺動に対して耐摩耗性が確保され、高い信頼性
が得られる。

【００２４】さらに、この磁気ヘッドは、ＭＲ素子を有
すること以外はフェライトヘッド等の電磁誘導型のバル
クヘッドとほとんど変わらない外形寸法である。このた
め、回転ドラム側でのヘッド突き出し部の窓形状の変更
や、ヘッド嵩高に対応したドラム形状の変更を必要とせ
ず、電磁誘導型のバルクヘッドを搭載するのと同じタイ
プの回転ドラムにそのまま搭載することができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気ヘッドの実施
の形態を説明する。

【００２６】本発明に係る磁気ヘッドの一例を図１に示
す。

【００２７】この磁気ヘッドは、回転ドラムに搭載され
た状態で記録媒体上を走査して信号再生を行う再生専用
型の磁気ヘッドであり、ヘッドベース１に埋め込まれた
磁気抵抗効果素子部（ＭＲ素子部）２と、このＭＲ素子
部２に磁気的に接続されたフロントコア部３によって閉
磁路が構成されている。

【００２８】上記ヘッドベース１は、図２に示すよう
に、略矩形状に成形されており、その一側面にヘッド取
り付け部１ａが突出して形成されるとともに、ベースの
中程に当該ヘッドベースを回転ドラムに取り付けるため
の孔部４が貫通して設けられている。

【００２９】上記ヘッド取り付け部１ａには、断面Ｕ字
状の溝が形成され、この溝が形成されている面と直交す
る面には、この溝の断面を横切るようにしてＭＲ素子部
を埋め込むためのＭＲ素子埋め込み溝１ｂが断面長方形
状の溝として形成されている。

【００３０】このＭＲ素子埋め込み溝１ｂには、上記Ｍ
Ｒ素子部２が埋め込まれる。ＭＲ素子部２は、図３に示
すように、このＭＲ素子埋め込み溝１ｂの深さと略同一
の高さ寸法となされた直方体形状の非磁性基板５上に短
冊状のＭＲ素子６が形成されてなっている。

【００３１】ＭＲ素子は、Ｎｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ等の磁気抵抗効果の大きな磁性材料よりなる単層膜、
あるいは磁性薄膜とＣｕ，Ａｇ等よりなる非磁性薄膜と
を交互に複数積層してなる積層膜であっても構わない。
積層膜は、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）と称され、
磁性量変化に応じて大きな抵抗値変化を示し、再生出力
を向上せしめる。なお、このＭＲ素子６の両端部にはＭ
Ｒ素子６にセンス電流を供給するとともにＭＲ素子６上
での電圧変化を取り出すためのＭＲ電極７が形成されて
いる。

【００３２】このＭＲ素子部２は、ＭＲ素子６側を上側
にしてＭＲ素子埋め込み溝１ｂに埋め込まれる。このＭ
Ｒ素子部２は、この埋め込まれた状態でＭＲ素子６とヘ
ッドベース１面とが略同一平面状となる。

【００３３】そして、このヘッドベース１のＭＲ素子部
２が埋め込まれている面と同一平面上には、図１に示す
ように、端子板８が取り付けられている。この端子板８
には、一対の互いに接続された端子部９，１０が２組形
成されており、それぞれの組では一方の端子部９にＭＲ
電極７から引き出された接続線１１が接続されている。

【００３４】上記ＭＲ素子部２のＭＲ素子６にはフロン
トコア部３が磁気的に接続されている。このフロントコ
ア部３は、この磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面を構成
するとともに磁気記録媒体からの漏洩磁束をＭＲ素子に
導くためのものであり、図４に示すようにＭｎ−Ｚｎ系
あるいはＮｉ−Ｚｎ系等の酸化物軟磁性材よりなる一対
の磁気コア半体１２，１３が突き合わされ、接合一体化
されてなるものである。この一対の磁気コア半体１２，
１３の突き合わせ面同士の間にはギャップ材が介在して
おり、このギャップ材によって磁気記録媒体摺動面Ｓに
磁気ギャップｇが形成される。なお、この磁気ギャップ
ｇの両側にはトラック幅規制溝１４が断面略Ｕ字状に形
成されており、磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗが規制
されるようになっている。また、一対の磁気コア半体１
２，１３の突き合わせ面のバック側には、大きな切り欠
かき部１５が形成されている。この切り欠き部１５は、
磁気ギャップｇのギャップデプスｄを規制するととも
に、このフロントコア部３の磁路がＭＲ素子６の両端部
に跨るように分離するためのものである。フロントコア
部３はこの分離されたバック側において上記ＭＲ素子６
の両端部と磁気的に接続され、閉磁路が構成される。な
お、このフロントコア部３のトラック幅規制溝１４には
融着ガラス１６が充填され、また磁気記録媒体摺動面Ｓ
には円筒研磨加工が施されている。これによって、磁気
記録媒体に対する当たりが確保されるようになってい
る。

【００３５】このような磁気ヘッドでは、端子板８の端
子部９，１０を介してＭＲ素子６にセンス電流が供給さ
れるとともに、フロントコア部３の磁気記録媒体摺動面
を媒体に向け走査されることで、情報信号の再生を行
う。

【００３６】図５に示すように、磁気記録媒体１７から
漏洩する磁束が、フロントコア部３の磁気ギャップｇで
ピックアップされると、このピックアップされた磁束Ｍ
１はフロントコア部３を通過してＭＲ素子６に流入す
る。ＭＲ素子６ではその流入する磁束Ｍ１によって磁化
Ｍ２の向きが回転し、センス電流の向きに対して磁性量
に応じた角度をもつようになる。これによってＭＲ素子
６での電気抵抗値が変化し、この変化量に応じた電圧変
化がＭＲ素子６の両端のＭＲ電極７に現れる。したがっ
て、電圧信号として媒体上の磁気信号が読み出されるこ
とになる。

【００３７】このようにこの磁気ヘッドは磁気抵抗効果
現象を利用して情報信号の再生を行うものであるので、
感度が高く、また信号出力がヘッドの走査速度に依存し
ない。したがって、磁気記録媒体のトラック方向及び線
方向で高密度記録化を図った場合でも十分な信号出力を
得ることができる。

【００３８】また、この磁気ヘッドは磁気抵抗効果型の
再生ヘッドであるが、フロントコア部によって構成され
る磁気記録媒体摺動面は、電磁誘導型のフェライトヘッ
ドと全く変わらない構成である。したがって、媒体に対
する摺動においてフェライトヘッドと同程度の耐摩耗性
が得られ、高い信頼性が得られる。また、フェライトヘ
ッドと比べて変更されているのは、ＭＲ素子部がヘッド
ベースに埋め込まれていることと端子板がヘッドベース
上に取り付けられていることだけであり、これらの変更
は外形寸法にほとんど影響しない。したがって、回転ド
ラム側でのヘッド突き出し部の窓形状の変更や、ヘッド
嵩高に対応したドラム形状の変更を必要とせず、フェラ
イトヘッドと同じタイプの回転ドラムにそのまま搭載す
ることができる。

【００３９】しかも、この磁気ヘッドでは、ＭＲ素子部
は薄膜形成技術によって形成されるが、従来のＭＲヘッ
ドと異なり、このＭＲ素子の下側やこのＭＲ素子に重ね
て、シールド層やシールドギャップ層等の他の材料層が
積層形成される構成ではない。したがって、薄膜形成の
工程数が大幅に削減され、薄膜形成工程が繰り返される
ことによる不良の蓄積が生じないといった利点もある。
以下、この磁気ヘッドの製造工程を具体的に説明する。

【００４０】磁気ヘッドを製造するには、まずフロント
コア部とＭＲ素子部を別々に作製する。

【００４１】フロントコア部は、電磁誘導型の磁気ヘッ
ドの製造工程に一部準じて作製される。

【００４２】すなわち、図６に示すようにＭｎ−Ｚｎ系
もしくはＮｉ−Ｚｎ系等の軟磁性酸化物よりなる基体２
１を用意する。なお、この基体２１の寸法は、ここでは
長さ３４．５ｍｍ、幅２．５ｍｍ、厚み１ｍｍとした。

【００４３】そして、この基体２１の主面上に、図７に
示すように、当該基板の幅方向と平行にトラック幅規制
溝２２を複数切り込む。なお、トラック幅規制溝２２同
士の間は、磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗ分だけ間隔
を空けるようにする。

【００４４】なお、トラック幅規制溝２２は、基体２１
の主面と連続している側面が、基体の主面と直交する面
に対して８〜４５゜の角度を有するが通常であるが、０
゜の角度であっても構わない。ただし、この角度が小さ
い場合、コアの体積が減少することによって電磁変換効
率の低下を招く。また、この角度が大きい場合、隣接す
るトラックからの信号を読み出す可能性が高くなり、ノ
イズの増加をもたらす。したがって、このトラック幅規
制溝２２の側面と、基体の主面と直交する面との角度は
３０゜程度とするのが望ましい。また、トラック幅規制
溝２２の深さは２００〜３００μｍとするのが適当であ
る。

【００４５】トラック幅規制溝２２の断面形状は特に限
定されず、この実施の形態のように断面Ｕ字型の他、断
面Ｖ字型さらには多角形の断面形状であって勿論構わな
い。

【００４６】このようにしてトラック幅規制溝２２を形
成した後、今度は図８に示すように、このトラック幅規
制溝２２と直交する方向に、磁気ギャップｇのギャップ
デプスｄを規制するとともに磁路を分離するためのデプ
ス規制溝２３を断面略矩形状に形成する。

【００４７】その後、これら溝２２，２３を形成した側
の面に、表面粗度Ｒａが２０〜１００オングストローム
になるように表面研磨を施すことで第１のコアブロック
２４を作製する。そして、図９に示すようにこの第１の
コアブロック２４の表面研磨を施した側の面に、ギャッ
プ材をギャップ長に対応する厚さで被着させ、ギャップ
スペーサ２５を形成する。ギャップ材としては、ＳｉＯ
_x（但し、ｘは１〜２である）やＴａ₂Ｏ_x（但し、ｘは
２〜５である）が一般に用いられるが、コア材に対する
付着力を高めるとともに、後工程で用いられる融着ガラ
スとの濡れ性を改善する目的でＣｒ等との積層構成にし
ても構わない。なお、この実施の形態では、ＳｉＯ₂を
ギャップ材として使用した。

【００４８】次に、図１０に示すように、第１のコアブ
ロック２４のギャップスペーサ２５が形成された側と、
この第１のコアブロック２４と同様にして作製された第
２のコアブロック２６の溝が形成された側とを突き合わ
せる。そして、トラック幅規制溝２２内に融着ガラス棒
を挿入し、この状態で温度をかける。その結果、コアブ
ロック２４，２６同士がガラス２７融着され、合体ブロ
ック２８が作製される。

【００４９】続いて、この合体ブロック２８の、磁気ギ
ャップｇが形成されている面に円筒研削加工を施すこと
で磁気記録媒体摺動面を形成する。さらにこの合体ブロ
ックのトラック幅規制溝２２を分割するように図中ａ−
ａ´線，ｂ−ｂ´線，ｃ−ｃ´線，ｄ−ｄ´線，ｅ−
ｅ′線の位置でスライシングを行うとともに、デプス規
制溝２３を分割するように図中Ａ−Ａ´線の位置でスラ
イシングを行うことで、合体ブロック２８をチップ毎に
切り出すとともに、バック側を切断分離することによっ
て図１１に示すようなフロントコア部２９を作製する。

【００５０】一方、ＭＲ素子部は次のようにして作製す
る。

【００５１】ＭＲ素子を一基板上に多数形成するため、
それに対して十分な面積を有する基板を用意する。そし
て、ＭＲ素子の形成に先行して、まず、この基板の一主
面上に導体膜を薄膜形成技術によって成膜し、図１２に
示すように、次工程で形成するＭＲ素子の両端部に対応
して短冊状のＭＲ電極３０が多数形成されるようにパタ
ーニングする。

【００５２】次に、このＭＲ電極３０を形成した上にＭ
Ｒ膜を薄膜形成技術によって成膜し、図１３に示すよう
に、短冊状のＭＲ素子３１が多数形成されるようにパタ
ーニングする。そして、このようにしてＭＲ素子３１が
多数形成された基板を、ＭＲ素子毎に切断分離すること
で、図１４に示すようなＭＲ素子部３２を作製する。

【００５３】次に、図１５に示すような、ヘッドベース
３３を用意する。このヘッドベース３３は、電磁誘導型
のバルクヘッドを回転ドラムに搭載するのに用いられる
タイプのヘッドベースのヘッド取り付け部３３ａに、図
１６に示すようなＭＲ素子部を埋め込むためのＭＲ素子
埋め込み溝３３ｂを形成したものである。この溝３３ｂ
はＭＲ素子部３２の非磁性基板３４の高さと略同じ深さ
寸法で形成する。

【００５４】そして、このヘッドベース３３のＭＲ素子
埋め込み溝３３ｂに、図１７に示すようにＭＲ素子３１
が上側になるようにしてＭＲ素子部３２を埋め込み、さ
らにフロントコア部をヘッドベースに対して位置決め
し、図１８に示すようにフロントコア部２９の分離して
いるバック側をＭＲ素子３１の両端部に接着する。この
接着部にはそれ程負荷がかからないので、一般のエポキ
シ系有機接着剤等を用い、硬化温度は室温から高くても
１００℃程度で十分である。ＭＲ素子に用いられる磁性
膜は一般に熱劣化が生じ易いが、このような条件で接着
を行えばＭＲ素子の熱劣化は回避できる。但し、フロン
トコア部２９とＭＲ素子３１の間で磁路が連続するよう
に、ＭＲ素子３１とフロントコア部２９の接合面の一部
は接着剤を介さず、磁気的接続面として残しておくのが
望ましい。

【００５５】そして、最後に、図１９に示すように、ヘ
ッドベース３３上にＭＲ素子部３２と並列して端子板３
４を接着し、さらに図２０に示すように、この端子板３
４の端子部３６にＭＲ電極３０から引き出された接続線
３５を接続し、磁気ヘッドは完成する。

【００５６】このようにこの磁気ヘッドでは、ＭＲ素子
３１は薄膜形成技術によって形成されるが、このＭＲ素
子３１の下側やこのＭＲ素子３１に重ねて、シールド層
やシールドギャップ層等の他の材料層が積層形成される
構成ではないので、薄膜形成の工程数が大幅に削減され
る。このため、通常のＭＲヘッドで生じるような薄膜形
成工程が繰り返されることによる不良の蓄積が生じな
い。したがって、高い歩留まりが得られ、製造コストの
低減が図られ、量産性が改善される。

【００５７】以上、本発明に係る磁気ヘッドの一例を説
明したが、磁気ヘッドの構成はこれに限らない。

【００５８】例えば、フロントコア部３については、一
対の磁気コア半体のそれぞれの突き合わせ面に金属磁性
薄膜を配することで飽和磁束密度等の磁気特性の向上を
図るようにしても良い。

【００５９】また、フロントコア部３として、ラミネー
トタイプのものを用いることも可能である。このラミネ
ートタイプのフロントコア部は、図２１に示すように接
合面が互いに逆向きの斜面となされた一対の基板４１，
４２が金属磁性薄膜４３を介して接合されることで磁気
コア半体４４，４５が構成され、この一対の磁気コア半
体４４，４５が、金属磁性薄膜４３の端面同士を対向さ
せて突き合わされ、接合一体化されてなるものである。
この突き合わされた金属磁性薄膜４３の端面同士の間に
磁気ギャップｇが形成される。

【００６０】このラミネートタイプのフロントコア部で
は、金属磁性薄膜４３が磁気コア半体４４，４５の間に
斜めに配されているので、磁気コア半体４４，４５の片
側側面にはこの金属磁性薄膜４３の端面が露出する。ま
た、磁気コア半体４４，４５にはバック側に切り欠き部
４６が形成されており、磁路が分離されている。

【００６１】このようなラミネートタイプのフロントコ
ア部では、この分離されたバック側において、その片側
側面に露出している金属磁性薄膜４３の端面がＭＲ素子
３１の両端部に磁気的に接続される。この接続を介して
ＭＲ素子３１とフロントコア部３とで閉磁路が構成され
ることとなる。

【００６２】一方、ＭＲ素子部２の変更としては、ＭＲ
素子を横切るようにしてバイアス導体を設けたり、Ｆｅ
−Ｍｎ等の反強磁性膜を併用することでＭＲ素子６に所
望の磁化状態を持たせ、磁気抵抗効果の増大やバルクハ
ウゼンノイズの低減を図るようにしても良い。なお、Ｍ
Ｒ素子６はフロントコア部３と磁気的に接続させる都合
上最上層とされている必要があるので、バイアス導体や
反強磁性膜は、ＭＲ素子６よりも先に基板５上に形成し
ておき、この上にＭＲ素子６を積層形成するのが望まし
い。あるいは反強磁性膜の場合には、このＭＲ素子と隣
接して設けるようにしても良い。なお、このとき、ＭＲ
素子６に付与する磁化方向は、センス電流の方向に対し
て４５°程度の角度を持たせるのが望ましい。

【００６３】さらに、ＭＲ素子６とフロントコア部３の
接続方法も図１で示した方法に限らない。

【００６４】例えば、図２２や図２３に示すように、ヘ
ッドベース４６，４７にＭＲ素子部４８，４９を埋め込
まず、ヘッドベース４６，４７に直接フロントコア部５
０，５１を接着しても良い。この場合、図２２に示すよ
うに、ＭＲ素子部４８は、ＭＲ素子５２側をフロントコ
ア部５０に向けてフロントコア部５０の側面に接着され
る。あるいは、図２３に示すように、ＭＲ素子５３の長
手方向の一端面を基板５４の一側面と同一平面となるよ
うに臨ませ、この面がフロントコア部５１の後部端面に
接着される。これらの方法によれば、電磁誘導型のバル
クヘッドで用いられているヘッドベースが、加工を施さ
ずにそのまま使用することができる。

【００６５】但し、図２２に示すように、ＭＲ素子５２
をフロントコア部５０に向けて接着させる接続方法の場
合には、端子板５５の端子部５６は上側を向いているの
に対してＭＲ電極５７は下側を向いた状態になる。した
がって、ＭＲ電極５７と端子部５６との接続を図るため
には、例えばＭＲ素子部４８の基板５８に貫通孔を設
け、この貫通孔に導電性材料を充填することによって基
板５８の上側の面に導体断面６０を形成し、この導体断
面６０と端子板５５の端子部５６を接続線６１によって
接続する等の工夫が必要である。

【００６６】一方、図２３に示すように、ＭＲ素子５３
の端面をフロントコア部５１の後部端面に接着させる方
法では、ＭＲ素子５３と端子部６２との接続を図るため
の工夫は不要であるが、フロントコア部５１とＭＲ素子
５３の接続断面が小さくなるので接着に伴う磁気的空隙
が増え易い。それが特性に影響を与えるような場合に
は、図１あるいは図２２に示す接続方法を用いるのが望
ましい。図１あるいは図２２に示すような、フロントコ
ア部３，５０の側面にＭＲ素子６,５２を接続する方法
では、接合面が広く取れるため、磁束の伝達ロスが抑え
られるとともに、位置決め公差が広がり、接続作業が容
易になる。

【００６７】特に、図１に示すようにＭＲ素子部２をヘ
ッドベース１に埋め込む方法では、ヘッドベース１に多
少加工を施す必要があるが、ＭＲ素子部２がヘッドベー
ス１に埋め込まれる分、ＭＲ素子部２による嵩高の増大
が避けられ、電磁誘導型のバルクヘッドをヘッドベース
に取り付けた状態と同等の寸法となる。したがって、従
来の電磁誘導型のバルクヘッド用の回転ドラムが寸法変
更を施さずにそのまま使用することができる。また、端
子板８とＭＲ電極７が同一作業面に並列されるので、端
子板８とＭＲ電極７の結線作業が容易になり、例えばワ
イヤーボンディグ等の手法を用いれば結線作業を自動化
することも可能である。

【００６８】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気ヘッドは、一対の磁気コアが突き合わされ、そ
の突き合わせ部に磁気ギャップが形成されてなるフロン
トコア部と、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子と
を有し、これらフロントコア部と磁気抵抗効果素子によ
って閉磁路が構成されるとともに、上記フロントコア部
の磁気ギャップが臨む面が磁気記録媒体摺動面とされて
なり、磁気抵抗効果現象によって信号再生を行うので、
磁気記録媒体のトラック方向及び線方向で高密度記録化
を図った場合でも十分な信号出力が得られる。

【００６９】また、この磁気ヘッドは、磁気記録媒体摺
動面が一対の磁気コア半体を突き合わせることで構成さ
れたフロントコア部によって構成されるので、磁気記録
媒体への摺動に対して耐摩耗性が確保され、高い信頼性
が得られる。

【００７０】さらに、この磁気ヘッドは、フェライトヘ
ッド等の電磁誘導型のバルクヘッドとほとんど変わらな
い外形寸法であるため、回転ドラム側でのヘッド突き出
し部の窓形状の変更や、ヘッド嵩高に対応したドラム形
状の変更を必要とせず、フェライトヘッドと同じタイプ
の回転ドラムにそのまま搭載することができる。

【００７１】したがって、ＶＣＲやデータストレージ等
で用いる再生専用型の磁気ヘッドとして好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す斜視
図である。

【図２】磁気ヘッドを搭載するヘッドベースを示す側面
図である。

【図３】ＭＲ素子部を示す平面図である。

【図４】フロントコア部の一例を示す斜視図である。

【図５】再生に際して磁気ヘッドで生じる磁化状態を示
す模式図である。

【図６】磁気ヘッドの製造工程を示すものであり、フロ
ンコア部を作製するための基板を示す斜視図である。

【図７】トラック幅規制溝形成工程を示す斜視図であ
る。

【図８】ギャップデプス規制溝形成工程を示し斜視図で
ある。

【図９】ギャップスペーサ形成工程を示す斜視図であ
る。

【図１０】第１のコアブロックと第２のコアブロックの
接合工程を示す斜視図である。

【図１１】作製されたフロントコア部を示す斜視図であ
る。

【図１２】ＭＲ電極形成工程を示す平面図である。

【図１３】ＭＲ素子形成工程を示す平面図である。

【図１４】作製されたＭＲ素子部を示す平面図である。

【図１５】磁気ヘッドを搭載するためのヘッドベースを
示す側面図である。

【図１６】ＭＲ素子取付け溝を示す斜視図である。

【図１７】ＭＲ素子取付け工程を示す斜視図である。

【図１８】フロントコア部取付け工程を示す斜視図であ
る。

【図１９】端子板取付け工程を示す斜視図である。

【図２０】ＭＲ電極と端子部の接続工程を示す斜視図で
ある。

【図２１】フロントコア部の他の例を示す斜視図であ
る。

【図２２】ＭＲ素子部とフロントコア部の接続方法の他
の例を示す斜視図である。

【図２３】ＭＲ素子部とフロントコア部の接続方法のさ
らに他の例を示す斜視図である。

【図２４】フェライトヘッドを示す斜視図である。

【図２５】ラミネートタイプの磁気ヘッドを示す斜視図
である。

【図２６】従来のＭＲヘッドを示す分解斜視図である。

【符号の説明】

２，４８，４９ＭＲ素子部、３，４５，５０，５１ フ
ロントコア部

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の磁気コアが突き合わされ、その突
   き合わせ部に磁気ギャップが形成されてなるフロントコ
   ア部と、 磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子とを有し、 これらフロントコア部と磁気抵抗効果素子によって閉磁
   路が構成されるとともに、上記フロントコア部の磁気ギ
   ャップが臨む面が磁気記録媒体摺動面とされていること
   を特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 基板に磁気抵抗効果素子が形成され、そ
   の両端部にフロントコア部を構成する各磁気コアの端部
   が側面において重ね合わされ、接合されていることを特
   徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 ヘリカルスキャン方式の磁気ヘッド装置
   に搭載されることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッ
   ド。
4. 【請求項４】 一対の磁気コアが軟磁性酸化物よりなる
   ことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 一対の磁気コアが非磁性基板と金属磁性
   薄膜よりなり、金属磁性薄膜の突き合わせ面間に磁気ギ
   ャップが形成されるとともに、磁気抵抗効果素子と重ね
   合わされる側面に金属磁性薄膜の端面が露出しているこ
   とを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッド。