JPH10502131A - 孔付円板、特に噴射弁のための孔付円板並びに孔付円板を製造する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明による孔付円板は、流体、特に燃料のための完全な軸方向の貫通部が形成されていて、該貫通部が流入開口（３６）と流出開口（３８）と両開口の間に位置する少なくとも１つの通路（４２）とから成っている、ことによって特徴付けられている。流入開口（３６）と流出開口（３８）とは、１平面への投影図で見て互いにいかなる箇所においても重ならないように、孔付円板（２３）に配置されている。流入開口（３６）に対する流出開口（３８）のこのようなずれによて、媒体のＳ字形の流れ経過が生ぜしめられ、これによって媒体には、霧化を促進する乱流が印加される。孔付円板は特に、燃料噴射装置、ラッカノズル又はフリーズドライ法における噴射弁において使用するために適している。

Description

【発明の詳細な説明】 孔付円板、特に噴射弁のための孔付円板 並びに孔付円板を製造する方法 背景技術 本発明は、請求項１の上位概念に記載の形式の孔付円板、特に噴射弁のための 孔付円板、並びに請求項２７の上位概念に記載の、孔付円板を製造する方法に関 する。 ヨーロッパ特許出願公開第０３５４６６０号明細書に基づいて、いわゆる「Ｓ 字型円板(S-Typ-Scheiben)」である孔付円板の形でノズルを製造することが、既 に公知である。「Ｓ字型円板」というのは、流入開口と流出開口とが孔付円板に おいて互いにずらされて構成されていて、これによって、孔付円板を貫流する流 体の流れにおいて、強制的に「Ｓ字状変向（S-Schlag）」が生ぜしめられるよう になっている円板を意味する。公知の孔付円板は、ボンディングによってまとめ られた、ケイ素製の平らな２つのプレートから形成される。そしてこのケイ素プ レートには、厚さを減じられた範囲が構成されており、この結果剪断間隙（Sche rspalte）が、プレートの端面に対して平行に、第１のプレートの開口と第２の プレートの開口との間に形成される。公知のマスク技術を用いて、多数の孔付円 板 構造を有するシリコンウェハにおいてエッチングによって、流入開口及び流出開 口が生ぜしめられる。孔付円板における開口のための円錐台形の輪郭は、異方性 のエッチング技術から論理的に生ぜしめられる。 弾性的なケイ素弁プレートと同様にケイ素製のノズルプレートとから成る弁装 置は、既にヨーロッパ特許出願公開第０３１４２８５号明細書に基づいて公知で ある。この場合両方のケイ素プレートは、互いに結合されていて、かつ相対的に 変位されることができる。ケイ素弁プレートには流入開口が設けられており、こ れらの流入開口は、ノズルプレートにおける流出開口に対してずらされて配置さ れている。弁装置の閉鎖状態においては、ケイ素弁プレートのプレート面が、ノ ズルプレートにおける流出開口を密に閉鎖するのに対して、操作部材を用いてノ ズルプレートが曲げられた場合には、流体のためのＳ字形の貫通路が生ぜしめら れ、弁装置は開放している。 米国特許第４９０７７４８号明細書に基づいて公知の燃料噴射弁は、その下流 側の端部に、２つのケイ素プレートから成るノズルを有している。上に述べた孔 付円板におけると似たように、両方のケイ素プレートにおける流入開口と流出開 口とは互いにずれを有しており、この結果、貫流する流体、ここでは燃料の流れ において、「Ｓ字状変向」が生ぜしめられる。 ケイ素製の上に述べたすべての孔付円板には、共通 の欠点がある。すなわちこの場合、ケイ素の脆性に基づいて、場合によっては十 分な破損強度を得ることができない。例えば噴射弁における持続的な負荷（機関 振動）を受けた場合には、ケイ素プレートが破損するおそれがある。例えば噴射 弁のような金属製の部材にケイ素プレートを取り付けることは、面倒である。そ れというのはこの場合、応力のない特別なクランプ手段が見出されねばならず、 しかも弁におけるシールに関して問題があるからである。例えば、ケイ素製の孔 付円板を噴射弁に溶接することは、不可能である。さらにまた、流体の貫流頻度 が高い場合には、ケイ素円板の開口において縁部が摩耗する、という欠点もある 。 さらにドイツ連邦共和国特許第４８３６１５号明細書に基づいて公知の、噴射 型内燃機関のためのノズルは、同様に２つのノズルプレートから形成されており 、この場合両方のノズルプレートは、互いにずらされて配置された流入開口と流 出開口とを有しており、これによって貫流する燃料の引き裂きを促進することが できる。しかしながらこの公知のノズルによっては、所望の幾何学形状に相応し て、噴射される燃料を形成することは不可能である。 発明の利点 請求項１の特徴部分に記載の本発明による孔付円板は、次のような利点を有し ている。すなわち本発明に よる孔付円板では、流体の均一かつ微細な霧化が、付加的なエネルギなしに、つ まり利用可能な媒体圧だけで得られ、しかもこの場合、特に高い霧化品質と、そ の都度の必要性に合わせられた噴流形状とが得られる。そしてこの結果、このよ うな孔付円板を噴射弁に使用すると、特に内燃機関の排ガス放出量を低減させる ことができ、かつまた燃料消費量をも節減することができる。 例えばＳ字型円板の形をした本発明による孔付円板によって、エキゾチックで 奇抜な噴流形状を生ぜしめることができる。このような孔付円板は、単噴流噴霧 体、２噴流噴霧体及び多噴流噴霧体のために、例えば方形、三角形、十字形、楕 円形といった無数の噴流横断面の変化形を可能にする。このような汎用でない噴 流形状は、所与の幾何学形状に対する、例えば内燃機関の種々様々な吸気管横断 面に対する正確かつ最適な適合を可能にする。この結果、利用可能な横断面が、 形状に合わせて十分に利用され、ひいては均一に分配されかつ排ガスを低減する 混合気導入が達成され、さらに吸気管壁における、排ガス有害な壁膜沈積が回避 される、利点が得られる。 請求項２〜請求項２６に記載の構成によって、請求項１に記載の孔付円板のさ らに別の有利な構成が得られる。 特に有利な構成では、流入開口と流出開口との流れ 接続部として構成された通路が通路延長部（キャビティ）を備えており、この通 路延長部では、そばを擦過して流れる流体によって渦流が生ぜしめられる。渦流 と、該渦流を生ぜしめる流れとの間における相互作用によって、相互作用領域で は時間的な不安定が生ぜしめられる。そして流れには強制的に振動が励起され、 これによって一方では個性的な噴流パターンが形成可能となり、かつ他方では乱 流発生によって噴霧体における平均的な液滴直径が減じられる。 孔付円板にトリップトラップを使用することによって、別の利点が得られる。 このようなトリップトラップの後ろ側では、著しい横方向脈動を有する渦列が生 じる。渦列における乱流は、極めて微細な液滴を備えた均一な噴霧体を噴射する ために役立つ。噴霧体における平均的な液滴直径の有利な減少に基づいて、その 結果として、均一な噴霧体分布が得られる。なぜならば、均一な噴霧体に基づい て比較的小さな液滴分布密度が生じるからである。この結果、液滴の凝集する可 能性が減じられる。 その他の利点については、実施例を記載する際に述べる。 請求項２７に記載された、本発明による孔付円板を製造する方法には、次のよ うな利点がある。すなわち本発明の方法によって、孔付円板は再現可能な形式で 極めて正確に、かつ安価に、極めて多くの個数を同時 に製造することができ、しかも本発明の方法によって製造された孔付円板は、そ の金属製の構成に基づいて、破損しにくく、しかも極めて簡単かつ安価に、例え ば溶接によって、金属製の部材例えば噴射弁に取付け可能である。本発明による 方法ステップは、極めて大きな構成の自由度を可能にする。それというのは、孔 付円板における開口の輪郭は自由に選択できるからである。有利にはこの場合、 ＵＶ線を用いた深いリソグラフィ、乾式リソグラフィ又は除去（Ablatieren）の ような方法が、マイクロ電気メッキと組み合わせられ、これによって薄い金属製 の層を、常に新しい構造体と共に次々と析出することができる。このようなプロ セスは、２つ、３つ又はそれ以上の層を孔付円板のために構成するために適して いる。 請求項２８以下に記載の構成によって、請求項２７に記載の方法のさらに有利 な構成が可能である。 特に有利な方法では、孔付円板の、２つの平面もしくは機能平面を有する少な くとも１つの層を、１回の電気メッキステップにおいて構成するようになってお り、この場合には電気メッキのいわゆる「横方向における過成長」が使用される 。この場合には、電気メッキ開始層や新たなフォトレジスト層の付加的な被着な しに、先行する平面のフォトレジスト構造を越えて、金属の成長が所望のように 続けられる。「横方向における過成長」によって、コストと時間は著しく節約さ れる。 図面 以下において、本発明の実施例を図面につき詳しく説明する。 第１図は本発明による孔付円板を備えた、部分的に図示した噴射弁を示す図、 第２図は孔付円板を下から見た図、 第３図は第２図のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った孔付円板の断面図、 第４図は３層の孔付円板の貫流範囲を示す図、 第５図は第１の通路延長部を備えた３層の孔付円板の貫流範囲を示す図、 第６図は第２の通路延長部を備えた３層の孔付円板の貫流範囲を示す図、 第７図は複数の通路延長部を備えた５層の孔付円板の貫流範囲を示す図、 第８図は複数の通路延長部を備えた４層の孔付円板の貫流範囲を示す図、 第９図は側方の複数の通路延長部を備えた孔付円板を示す平面図、 第１０図はトリップトラップを備えた孔付円板の貫流範囲を示す図、 第１１図は孔付円板を下から見た図、 第１２図は第１１図のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿った孔付円板の断面図、 第１３図は孔付円板を下から見た図、 第１４図は角張った横断面を有しない開口を備えた別の孔付円板を示す平面図 、 第１５図は第１４図のＸＶ−ＸＶ線に沿った、工具を備えた孔付円板を示す断 面図（逆の流れ方向）、 第１６図〜第２０図は多層電気メッキにより孔付円板を製造するための種々の 方法ステップを示す図、 第２１図は横方向における過成長後の孔付円板を示す図、 第２２図は個々の層の互いに異なる直径を有する孔付円板を示す断面図、 第２３図は第２２図に示した孔付円板の中央の範囲を示す平面図、 第２４図は別の孔付円板を示す平面図、 第２５図〜第２７図はそれぞれ方形の流入開口を有する孔付円板の３つの中央 の範囲を示す図、 第２８図は開口範囲の非対称的な分割配置を有する孔付円板を示す平面図、 第２９図及び第３０図は開口範囲の非対称的な分割配置を有する孔付円板の２ つの中央の範囲を示す図、 第３１図は一貫して円形の開口を有する孔付円板の中央の範囲を示す図、 第３２図は全部で１６の鎌形の流入開口を有する孔付円板の中央の範囲を示す 図、 第３３図はほぼ半円形の流入開口と、鎌形の流出開 口とを有する孔付円板の中央の範囲を示す図である。 実施例の記載 第１図には１実施例として、混合気圧縮型火花点火式の内燃機関の燃料噴射装 置のための噴射弁の形の弁が、部分的に示されている。この噴射弁は管状の弁座 保持体１を有しており、この弁座保持体１には弁長手方向軸線２に対して同心的 に長手方向開口３が構成されている。長手方向開口３には、例えば管状の弁ニー ドル５が配置されており、この弁ニードル５は下流側の端部６において、例えば 球形の弁閉鎖体７と結合されており、この弁閉鎖体７の外周部には例えば５つの 扁平面取り部８が設けられている。 噴射弁の操作は、公知の形式で例えば電磁式に行われる。弁ニードル５の軸方 向における運動のため、ひては噴射弁の図示されていない戻しばねのばね力に抗 した開放もしくは閉鎖のためには、マグネットコイル１０と可動子１１とコア１ ２とを備えた略示された電磁回路が働く。可動子１１は、弁ニードル５の、弁閉 鎖体７とは反対側の端部と、例えばレーザを用いた溶接シームによって結合され ており、かつコア１２に向かって方向付けられている。 軸方向運動中における弁閉鎖体７の案内のためには、弁座体１６の案内開口１ ５が働く。弁座保持体１の、コア１２とは反対側の下流側に位置する端部には、 弁長手方向軸線２に対して同心的に延びる長手方向開 口３内に、円筒形の弁座体１６が溶接によって密に取り付けられている。弁閉鎖 体７とは反対側の下端面１７において弁座体１６は、例えばポット形に構成され た支持円板２１と同心的にかつ堅く結合されており、つまりこの支持円板２１は 、弁座体１６に直に接触している。支持円板２１はこの場合、既に公知のポット 形の噴射孔付円板に似た形状を有しており、この場合支持円板２１の中央範囲に は、そこに本発明による孔付円板２３を受容するために、段付けされた貫通開口 ２２が設けられている。 弁座体１６と支持円板２１との結合は、例えば、レーザを用いて構成された環 状でかつ密な第１の溶接シーム２５によって行われる。このような形式の組立て によって、貫通開口２２とその中に組み込まれた孔付円板２３とを中央範囲に備 えた支持円板２１が、不都合に変形するおそれは回避されている。支持円板２１ はさらに、弁座保持体１における長手方向開口３の壁と、例えば環状でかつ密な 第２の溶接シーム３０によって結合されている。 弁座体１６とポット形の支持円板２１とから成る弁座部分の、長手方向開口３ への押込み深さは、弁ニードル５の行程の大きさを規定する。なぜならば、マグ ネットコイル１０が励磁されていない場合における弁ニードル５の一方の終端位 置は、弁座体１６の弁座面２９における弁閉鎖体７の接触によって決定されてい るからである。弁ニードル５の他方の終端位置は、マグネットコイル１０の励磁 時に例えば、コア１２における可動子１１の接触によって決定される。弁ニード ル５のこの両方の終端位置の間における運動距離が、したがって弁ニードル５の 行程である。 球形の弁閉鎖体７は、流れ方向において円錐台形状に先細の、弁座体１６の弁 座面２９と共働し、この弁座面２９は軸方向において弁座体１６の案内開口１５ と下端面１７との間に構成されている。 支持円板２１の貫通開口２２に配置されていて支持円板２１によって弁座体１ ６の端面１７に直に堅く保持されている孔付円板２３は、簡単化されて１例が示 されており、この孔付円板２３については他の図面を参照しながら後でさらに詳 しく述べる。支持円板２１及び固定部としてのクランプ３１への孔付円板２３の 挿入は、弁座面２９の下流側における孔付円板２３の取付けの１つの可能なバリ エーションである。弁座体１６に孔付円板２３を間接的に固定する形式であるこ のような緊定形式には、次のような利点がある。すなわちこのような緊定形式で は、場合によっては溶接又はろう接時に生じることのある温度に基づく変形が回 避される。しかしながら支持円板２１は、孔付円板２３を固定するための唯一の 条件ではない。固定の可能性は本発明にとって重要なことではないので、ここで は単に、溶接、ろう接又は接着のような汎用の公知の 接合方法を示唆しているだけである。 第２図には孔付円板２３が下から見た平面図で示されている。孔付円板２３は 、平らで扁平で円形の多層の円板として構成されており、したがって孔付円板２ ３は例えば多層型噴射孔付円板とも呼ぶことができる。支持円板２１には孔付円 板２３が例えばセンタリングされて設けられている。孔付円板２３を製造する本 発明による方法によって、複数の層から成る構造体が生ぜしめられる。孔付円板 ２３がこのように多層構造を有していることは、第３図から明らかであり、この 第３図は第２図のＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。ここには既に幾つかの 主要な、特に方法にも該当する特徴が、簡単に述べられているが、しかしながら 本発明の方法については後で詳しく述べる。 第２図及び第３図に示された孔付円板２３は、電気メッキ析出(galvanische A bscheidung)によって３つの金属製の層で構成されている。深いリソグラフィと 電気メッキ技術とによる製造（tiefenlithographische galvanotechnische Hers tellung）に基づいて、輪郭形成において次のような特別な特徴が得られる： −円板面全体にわたって変化しないコンスタントな厚さを備えた層、 −深いリソグラフィによる構成によって層において得られる、それぞれ貫流され る中空室を形成する十分に垂直な切欠き、 −個々に構造化された金属層の多層構造によって得られる、各切欠きの所望の合 致及び所望のアンダカット、 −例えば方形、多角形、丸く面取りされた方形、丸く面取りされた多角形、楕円 形、真円形などのような、軸平行の壁を有する任意の横断面形状を備えた切欠き 。 個々の層は相前後して電気的メッキによって析出され、この結果後続層は電気 メッキ固着に基づいてその下に位置する層と固く結合される。 つまり第１実施例では、例えば等しい外径を備えた３つの円形の層が、孔付円 板２３を形成している。上側層３５は例えば、弁長手方向軸線２もしくは孔付円 板２３の中心軸線に対して等しい間隔で構成されていて互いに９０°だけずらさ れた４つの方形の流入開口３６を有している。これらの流入開口３６は孔付円板 ２３の直径に比べて、極めて弁長手方向軸線２の近くに配置されている。弁長手 方向軸線２に対して著しく大きな間隔をもって、ひいては流入開口３６に対して 半径方向にずらされて、下側層３７には同様に４つの方形の流出開口３８が設け られている。流出開口３８は例えば、流入開口３６よりもわずかに小さな開口幅 を有している。互いに直交していて弁長手方向軸線２において交差している、孔 付円板２３の２つの軸線３９は、流入開口３６及び流出開口３８をそれぞれ真ん 中で分割しており、この結果両方の軸線３６は、対称的に構成された孔付円板２ ３の対象軸線を成している。軸線３９に沿って、同様に、上側層３５と下側層３ ７との間に位置している中間層４０にも半径方向の通路４２が延びており、これ らの通路４２は、流入開口３６と流出開口３８との直接的な接続部を形成してい る。幾分台形状の通路４２は、例えば次のような大きさ、すなわち該通路４２が 投影図で見て流入開口３６及び流出開口３８とちようど合致するような大きさを 有している。４つのすべての通路４２は、この実施例では互いに別個に設けられ ている。第２図及び第３図では破線で別の可能なバリエーションが示されており 、これらのバリエーションでは通路４２は、種々異なった著しく大きな半径方向 寸法を有しており、この結果この場合通路４２は、下側層３７の流出開口３８を 越えて半径方向外側に向かって大きく延びている（第５図及び第６図参照）。 直径が４〜５ｍｍの場合、孔付円板２３は例えば０.５ｍｍの厚さを有してお り、この場合上側及び下側層３５，３７は例えばそれぞれ０.１ｍｍの厚さを有 し、中間層４０は０.３ｍｍの厚さを有している。孔付円板２３の寸法設定に対 する具体的な数字並びに明細書におけるその他すべての寸法は、単に本発明の理 解を助けるものに過ぎず、本発明を制限するものではない。すべての図面におけ る孔付円板２３の個々の構成の相 対的な寸法もまた、厳密なものではなく、単なる目安である。 既に述べたように流入開口３６に対して流出開口３８が半径方向においてずら されていることに基づいて、例えば燃料である媒体のＳ字形の流れ経過が生ぜし められる。孔付円板２３の流過範囲を流入開口３６と通路４２と流出開口３８と を含む縦断面図で示す第４図を用いて、原理的な流れ特性について述べる。流れ 経過を特徴付ける矢印は、明らかにＳ字形を示しており、したがって本発明によ る孔付円板２３もまたＳ字型円板（S-Typ-Scheibe）である。つまり孔付円板２ ３は流入開口３６から、それぞれ所属の流出開口３８まで貫流される。流入開口 ３６を起点として流れは流入開口３６毎に、水平方向に延びる各通路４２を通っ て半径方向外側に向かって案内される。そして第４図に示された実施例では、通 路端部に流出開口３８が位置している。 半径方向に延びる通路４２によって、媒体には半径方向速度成分が与えられる 。流れは短い軸方向の流出貫流部においては、その半径方向速度成分を完全には 失わない。むしろ流れは、流出開口３８の、流入開口３６側の壁のところで片側 が剥離されて、弁長手方向軸線もしくは中心軸線２に対して角度を成して孔付円 板２３から流出する。例えば互いに非対称的に方向付け可能な複数の個別噴流の コンビネーション、つまり 、流入開口３６及び流出開口３８並びに通路４２から成る複数のユニットの相応 な配置及び方向付けによって得ることができる複数の個別噴流のコンビネーショ ンによって、種々様々な量分布を備えた、まったく新しい個別的で複合的な全噴 流形状が可能である。 複数回の衝撃的な強い流れ変向を伴う、孔付円板２３内部におけるいわゆる「 Ｓ字状変向（S‐Schlag）」によって、流れには、霧化を促進する強い乱流が与 えられる。流れに対して横方向の速度勾配は、これによって特に強く現れる。こ の速度勾配は、流れに対して横方向の速度の変化を表すものであり、この場合流 れの真ん中における速度は、壁の近傍におけるよりも著しく大きい。このような 速度差に基づいて生じる、流体における高められた剪断応力は、流出開口３８の 近傍における微細な滴への分解を促進する。流れは流出部において片側で剥離さ れているので、流れは輪郭案内が欠けていることに基づいて、鎮静させられない 。特に高い速度を流体は、剥離された側において有しており、これに対して流出 開口３８の側における流体の速度は、流れの接触によって低下する。霧化を促進 する乱流及び剪断応力はこれによって、流出部においても消滅しない。 第５図及び第６図に示された孔付円板２３の実施例では、中間層４０における 通路４２は、流入開口３６から流出開口３８にまで延びているだけではなく、流 出開口３８を越えて孔付円板２３の外側の制限部の方向に延びている。通路４２ のこの延長部は以下においては通路延長部４３（キャビティ）と呼ぶ。流れ案内 の原則並びに噴流形状付与及び霧化に対する影響に対しては、原則的に既に述べ たのと同じことが言える。流出開口３８に流入する液体は、十分に通路延長部４ ３（キャビティ）のところを擦過し、この通路延長部４３において渦流を生ぜし める。渦流と該渦流を生ぜしめる流れとの間における相互作用によって、相互作 用領域における時間的な不安定が生じる。周期的に渦流はその大きさを変化し、 成長時には擦過する流れを押し退ける（相応に渦流が小さくなる場合にはその逆 である）。流出する流れは、これによって周期的にその方向を変位させられ、ひ いては振動させられる。この場合、流出流における振動の振動数及び振幅は、通 路延長部４３の形状に、つまり半径方向における深さｃと、中間層４０の厚さに よって決定される高さｈとに依存する。第５図に示された実施例では、例えばｃ ＝ｈであるのに対して、第６図に示された実施例では、通路延長部４３の寸法は ｃ＝２×ｈという式で表される。第６図に示された通路延長部４３の幾何学形状 によって、二重渦流が生ぜしめられ、この場合両方の渦流は、脈動交換（Impuls austausch）によって相互に作用し合い、逆向きの渦流方向を有している。 個々の流出噴流における振動によって、個別噴流に おいても全噴霧体（Gesamtspray）においても振動パターンが生ぜしめられる。 この振動パターンによって、種々様々な異様な噴流横断面が得られる（例えば方 形、三角形、十字形、円形）。このような振動噴流が存在しないと、このような 横断面形状を得ることはできず、通常は、個別噴流の円形の横断面が生じる傾向 がある。個別噴流もしくは全噴霧体（全噴霧体は、連続的な相互作用における脈 動交換によって生ぜしめられるすべての個別噴流の総和である）の任意のパター ンもしくは横断面は、つまり特に、流体における振動が高振動数を有している場 合に、得ることができる。さらに、方向変化によって噴霧体はより均一に噴流横 断面全体にわたって分配される。これによって噴霧体はより均一になり、吸気管 空気流とより良好に混合して、排ガスを減じる混合物を形成する。 乱流によって生ぜしめられた、流れに対して横方向の横方向脈動によって、特 に、噴出する噴霧体における液滴分配密度は大きな均一性を有することになる。 この結果、液滴の凝集、つまり小さな液滴がまとまって大きな液滴を形成する確 立は低下する。噴霧体中における平均的な液滴直径を有利に減じることによって 、比較的均一な噴霧体分布が得られる。Ｓ字状変向によって流体において、小さ な（高振動数の）乱流が生ぜしめられ、この乱流は、噴流を孔付円板２３からの 流出直後に相応に細かい液滴に分解させる。乱流に基 づく剪断応力が大きければ大きいほど、流れのベクトルの拡散もまた大きい。剪 断応力は、流体のすべての平面において「混沌とした状態（chaotisches Zustan d）」を生ぜしめるために働き、この結果噴流もしくは噴霧体の所望の拡開が発 生し、この拡開によって、既に述べた種々様々な横断面もしくはパターンを生ぜ しめることができる。 第７図、第８図及び第９図には幾分異なった実施例が示されており、これらの 実施例が、既に述べた実施例と異なっている点は次のことである。すなわち第７ 図〜第９図に示された実施例は、３つよりも多くの層を有しており、通路４２に 延長部として半径方向においてのみ通路延長部４３′を有しているのではない。 第７図には５層の孔付円板２３が示されており、この孔付円板２３には、既に述 べた３つの層３５，３７，４０の他にさらに２つの別の中間層４０′が構成され ている。この２つの付加的な層４０′はそれぞれ、中間層４０と上側層３５もし くは下側層３７との間に位置している。流体が流入開口３６から流出開口３８ま で孔付円板２３を貫いて貫流することを保証するために、両方の層４０′もまた 相応な開口範囲４５を有しており、これらの開口範囲４５は、層４０に設けられ た通路４２への接続部を生ぜしめる。これらの開口範囲４５の他に、層４０′に はさらにそれぞれ少なくとも１つの通路延長部４３′が設けられており、この通 路延長部４３′は例えば層４０′の軸方向高さを有している。半径方向で見ると 通路延長部４３′は、例えば流入開口３６と流出開口３８との間に位置している 。流体の流れは、この実施例においても通路延長部４３′において渦流を生ぜし める。通路４２に対して軸方向にずらされて位置している通路延長部４３′に加 えて、さらにまた半径方向で通路４２に接続する通路延長部４３が設けられてい てもよい。 第８図には、４つの層を備えた、つまり１つの付加的な中間層４０′を備えた 孔付円板２３の変化実施例が示されている。層４０′が層４０の上に配置されて いるか又は下に配置されているかに応じて、層４０′はこの実施例においても開 口範囲４５を有しており、第８図の実施例では流出開口３８に近接して形成され た開口範囲４５を有している。層４０′には付加的に通路延長部４３′が設けら れており、これらの通路延長部４３′は、通路４２に対して軸方向にずらされた 室であり、その中において渦流が発生する。層４０′における例えば３つの通路 延長部４３′は、互いに等しい間隔をおいて又は任意に分配配置されることがで きる。第９図には、孔付円板２３の一部が平面図で示されている。この第９図か ら明らかなように、通路延長部４３′は孔付円板２３の軸方向つまり深さ方向に 形成されているのみならず、通路４２の幅を超えて構成されていてもよい。これ によって、通路延長部４３ ，４３′はすべて３つの方向、つまり長さ、幅及び深さにおいて通路４２に形成 可能である。 上に述べたすべての実施例は、第１０図に示されているように境界層トリップ トラップ（Grenzschichtstolperfalle）の特徴をもって構成されることができる 。第１０図に示された実施例では、孔付円板２３は４層に構成されている。上側 層３５と下側層３７との間には、例えば２つの中間層４０，４０′が設けられて いる。下側層３７に直接続く付加的な中間層４０′は次のように、すなわち、通 路４２の範囲において流れ方向に対して横方向に例えばシャープな縁部を備えた 直方体の隆起部、つまりトリップトラップ（Stolperfalle）５０が延在するよう に、構成されている。もちろん、中間層４０にトリップトラップ５０を配置する ことも可能であり、このようになっている場合には、トリップトラップ５０は上 から通路４２内に突入することになる。幾何学形状から、トリップトラップ５０ は流入開口３６に対して半径方向にずらされて構成されていることが望ましい。 通路４２は層３５と３７との間において、層４０においても層４０′においても 延在している。 流体の主流は、境界層トリップトラップ５０を越えて擦過する。流れとは反対 側の後方のトリップトラップ縁部５１において、流れはトリップトラップ５０か ら剥離し、トリップトラップ５０の下流における突然 の横断面拡大に基づいて、圧力上昇させられる（運動エネルギから圧力エネルギ への変換−ディフューザ効果）。この圧力上昇によって、トリップトラップ５０ の後ろで強力な境界層渦流形成が生じる。 トリップトラップ５０の後ろにおいては、常に大きくなる渦列（Wirbelschlep pe）が強い横方向脈動をもって発生し、この渦列は、流出開口３８のところまで 達する。渦列は、「乱流ストランド」として主流を貫通する。渦列における乱流 は、極めて高振動数であり、かつ大きな振幅を有することができる。振動数と振 幅の調和は、トリップトラップ５０の高さと擦過する主流の速度とを介して、つ まりトリップトラップ５０の上における通路横断面を介して行われる。 渦列は流過損失を減じることができる。それというのは、渦列においては、乱 流の高い脈動交換が主流に対して横方向に壁に向かって行われるからである。し たがって、主流はトリップトラップ５０の後ろにおいて通路４２の壁からあまり 剥離する傾向を有しておらず、これによって利用可能な流過横断面をより良好に 使用することができる。もし壁から流れが剥離すると、これにより圧力損失が生 じる。トリップトラップ５０は均一な噴霧体を噴射するためにも役立ち、この噴 霧体は極めて細かい液滴に分解し、この場合また同様に、種々様々な噴射パター ンを得ることができる。 上に述べた実施例では各流入／流出開口対３６，３ ８は、これらの開口３６，３８の接続部として別体の通路４２を有している。こ れに対して第１１図及び第１２図に示された実施例では、ただ１つのまとまった 通路４２′が孔付円板２３に設けられている。４つのすべての流入開口３６は、 例えば正方形の通路４２に開口しており、４つのすべての流出開口３８もまた同 様に通路４２′から延びている。方形の又は正方形の流出開口３８を使用する場 合には、中間層における通路４２′の外輪郭は８角形であり、しかしながら各２ つの角隅を接近させることによってほぼ正方形に構成することができる（第１１ 図参照）。この通路４２′は内方に向かっては、中間層４０の例えば正方形の材 料島（Materialinsel）５３によって制限されている。この内側の材料島５３は 横断面において、上側層３５において流入開口３６の間に生じる範囲とほぼ同じ 大きさを有している。すなわち中間層４０は２つの区分、つまり通路４２′によ って完全に取り囲まれている材料島５３と、同様に通路４２′を完全に取り囲む 外側範囲５４とから成っている。第１２図には孔付円板２３が、第１１図のＸＩ Ｉ−ＸＩＩ線に沿った断面図で示されている。 付加的に生ぜしめられた接続容積によって、主流が擦過するいわゆる「デッド ウォータ領域」が増大する。このようなデッドウォータ領域において、キャビテ ィ原理に基づいて通路延長部４３，４３′によって主 流の振動が惹起される。相応に、噴流の形状付与及び霧化に対する影響は、通路 延長部４３，４３′（キャビティ）を備えた既に述べた実施例における場合と同 一である。 流入開口３６に対する流出開口３８のずれは、既に述べた実施例の場合がそう であるように、必ずしも半径方向に延びている必要はなく、所望の任意の方向に 設けることが可能である。このような別のずれを示すための２つの実施例は、第 １３図及び第１４図に、孔付円板２３の平面図で示されている。図面から明らか なように、この場合流出開口３８は流入開口３６に対して周方向にずらされてお り、つまり半径方向にずらされた実施例に対して例えば９０°だけ回動させられ ている。第１３図における孔付円板２３の中間層４０における通路４２′は、例 えば８角形の、しかしながらほぼ正方形の外輪郭を有しており、この場合通路４ ２′の壁の角隅は常に流入開口３６及び流出開口３８の近くに位置している。中 間層４０の材料島５３は、通路４２′を内方に向かって、同様にほぼ正方形の、 しかしながら８つの角隅を有する輪郭で制限している。通路４２′の外側及び内 側の制限壁は、例えば互いに４５°だけ回動させられて構成されている。これに よって外側範囲５４及び材料島５３は、互いに平行に延びる壁を有することがな くなる。 第１４図及び第１５図（第１４図のＸＶ−ＸＶ線に 沿った断面図）に示された孔付円板２３は、特に、角隅を有していない流入開口 ３６及び流出開口３８によって、特徴付けられている。上側層３５における流入 開口３６は、例えば楕円形の横断面を有しており、これに対して下側層３７にお ける流出開口３８は、円形に構成されている。内側の材料島５３は、例えば正方 形の横断面を有しており、これに対して中間層４０における通路４２′は外方に 向かって外側範囲５４によって円形に制限される。種々異なった製造方法を使用 する場合における孔付円板２３の取扱いを改善するために、例えば貫通孔の形を した２つの位置決め受容部５６が、外側の制限部の近傍に設けられている。 流入開口３６及び流出開口３８は、互いに任意に大きなずれをもって配置する ことができる。第１３図及び第１４図に示された実施例では例えば、既に述べた すべてのその他の実施例におけるよりも、著しく小さなずれしか存在しない。こ のずれの大きさを介して、噴流方向又は乱流度を調和させたり、調節したりする ことができる。 第１３図までに示された流入開口３６、流出開口３８及び通路４２，４２′は 、常に正方形もしくは長方形の横断面を有している。本発明による方法はしかし ながら、孔付円板２３の貫流される幾何学形状のまったく異なった別の横断面を 生ぜしめることが可能である（第１４図参照）。例えば丸く面取りされた正方形 、長方形、円形、円形セグメント、楕円形、楕円形セグメント、多角形又は丸く 面取りされた多角形等の横断面が可能である。個々の構造体の壁はこの場合弁長 手方向軸線２に対して平行に延びている。通路４２，４２′を介して互いに直接 的に接続されている、流入開口３６及び流出開口３８の種々様々な構成もまた可 能である。適宜な横断面変化は、例えば例えば正方形から長方形及びその逆への 移行、長方形から円及びその逆への移行、楕円形から円及びその逆への移行であ る。 次に第１６図〜第２１図を参照しながら、孔付円板２３を製造するために特に 適した本発明による有利な製造方法を詳しく説明する。なおこの場合図面には、 第１図〜第１５図に示された、相応に所望の輪郭を備えた孔付円板２３の実施例 が正確に示されているのではなく、単に製造原理を明らかにする配置形式が示さ れているにすぎない。開口もしくは通路の大きさに対する層厚の相対的な寸法は 、特に第１６図〜第２０図に示された実施例においては、既に述べた実施例とは まったく異なっている。本発明による製造ステップはしかしながら、既に示され たすべての実施例の製造をも可能にするものである。 噴射ノズルの精度及び構造寸法に対する高い要求に基づいて、マイクロ構造化 法（Mikrostrukturierungsverfahren）が、大量生産のために今日益々大きな意 味 を有している。一般に、ノズルもしくは孔付円板内部における流体例えば燃料の 流れのためには、既に述べた流れの内部における乱流形成を促進する経過通路が 必要とされる。さらに、流体例えば燃料の可能な限り効果的な霧化を達成するた めには、流出開口の幅は、数１０マイクロメートルの大きさであることが望まし い。本発明によって、フォトリソグラフィ‐ステップ（ＵＶ線を用いた深いリソ グラフィ（Tiefenlithographie））及びそれに続くマイクロ電気メッキを順次に 使用することによって、金属製の孔付円板を製造するため方法が提案される。本 発明の方向にとって特徴的なことは次のことである。すなわち本発明による方法 では、大面積の寸法においても構造体の高い精度が保証され、この結果本発明に よる方法は、極めて多くの個品数をもつ大量生産のために理想的に使用可能であ る。１つのウエハに多数の孔付円板２３を、本発明による方法ステップを用いて 同時に製造することができる。 方法の出発点は、例えば金属（銅）、ケイ素、ガラス又はセラミックから成る 平らで安定的な保持プレート６０である。この保持プレート６０の通常の厚さは 、５００μｍ〜２ｍｍの間であり、しかしながらこの厚さは、後続の方法ステッ プに対してなんら影響をもたない。保持プレート６０のクリーニング後に、ガラ ス又はケイ素のような非導電性の材料を使用して、ま ず初めに少なくとも１つの補助層６１が、保持プレート６０に電気メッキにより 被着される。これは例えば電気メッキ開始層６１′（例えばＣｕ）であり、この 電気メッキ開始層６１′は、後のマイクロ電気メッキのための導電のために必要 になる。電気メッキ開始層６１′は、後でエッチングによって孔付円板構造体の 簡単な個別化を可能にするために、犠牲層６１としても働くことができる。保持 プレート６０が既に例えば銅のような導電性の材料から成っている場合には、電 気メッキ開始層６１′を省くことが可能である。銅が犠牲層もしくは電気メッキ 開始層６１，６１′として使用される場合には、薄い（例えば８０ｎｍ）クロム 層が補助層６１′′として保持プレート６０と電気メッキ開始層６１′との間に 被着されねばならない。補助層６１，６１′，６１′′（ポリイミドがフォトレ ジストとして使用される場合、典型的にはつまりＣｒＣｕ又はＣｒＣｕＣｒ）の 被着は、例えばスパッタリング又は無電流式の金属析出によって行われる。 保持プレート６０のこのような前処理の後で、任意の補助層６１，６１′，６ ２′′にフォトレジスト（フォトラッカ）６３が全面的に被着される。これに対 しては、特に３つの異なったバリエーションが提供される： 1. 例えばほぼ１００℃での固体レジストのラミネート、 2. 液体レジストのスピン塗布（Aufschleudern）、又は 3. 液体状態におけるポリイミドのスピン塗布。 乾燥後にフォトレジスト６３は、すべての３つのバリエーションにおいて固形 の形で存在する。この場合フォトレジスト６３の厚さは、後続の電気メッキプロ セスにおいて実現される金属層の厚さ、つまり孔付円板２３の下側層３７の厚さ に相当することが望ましい。孔付円板２３の層の所望の厚さに応じて、典型的に は１０〜３００μｍの間の層厚が望ましい。実現される金属構造体は、フォトリ ソグラフィックのマスク６４を用いて、フォトレジスト６３において逆につまり 反転した形で転写されることが望ましい。一方では、フォトレジスト６３をＵＶ 露光６５を用いて、直接マスク６４の上に露光する（ＵＶ線を用いた深いリソグ ラフィ）、という可能性がある。フォトレジスト６３を構造化するためのの別の 可能性としては、フォトレジスト６３において、酸化物（例えばＳｉＯ₂）又は 窒化物を析出する、ということが挙げられる。この場合この酸化物（例えばＳｉ Ｏ₂）又は窒化物は、フォトリソグラフィク式に構造化されてフォトレジスト６ ３の乾式エッチング処理のためのマスクとして働く。さらにまた別の可能性とし てはレーザ除去がある。この場合マスクを装着した後で、爆発的にフォトレジス ト ６３の材料が、レーザを用いて除去される。上に述べたこれらの方法ステップは 、第１６図において概略的に図示されている。 ＵＶ露光されたフォトレジスト６３の現像後もしくは上に述べたその他の方法 （乾式エッチング、レーザ除去）の使用後に、マスク６４によって所定された構 造がフォトレジスト６３に生ぜしめられる（第１７図参照）。フォトレジスト６ ３におけるこの構造は、孔付円板２３の後の層３７のためのネガ構造６６である 。第１８図には、フォトレジスト６３に形成されたレジスト溝６８を、少なくと もフォトレジスト６３の表面に至るまで、電気メッキによって満たした後の構造 が、示されている。つまり電気メッキの方法ステップでは、レジスト溝６８にお いて、保持プレート６０に金属７０が析出される。この金属７０は、電気メッキ によってネガ構造６６の輪郭に緊密に接触し、この結果所定の輪郭が形状忠実に 、金属において再現される。多層の孔付円板構造を製造するためには、金属７０ の金属メッキ層の高さが、フォトレジスト６３の高さに相当することが望ましい 。フォトレジスト６３は、所望のデザインに応じて、所望の電気メッキ層よりも 高くてもよい。これによってむしろ、電気メッキ層の層厚分布の改善されること がある。析出される材料の選択は、層に対するその都度の要求に依存しており、 この場合特に、機械的な強度、化学的な耐性、溶接可 能性及びその他のファクタが重要である。通常は、Ｎｉ、ＮｉＣｏ、ＮｉＦｅ又 はＣｕが使用される。しかしながらまた、その他の金属及び合金を使用すること も可能である。 孔付円板２３の構造を実現するために、補助層６１，６１′，６１′′の選択 的な被着後におけるステップは、所望の層の数に相応して繰り返されねばならな い。第１９図から明らかなように、この場合フォトレジスト６３′の層は例えば 、孔付円板２３の後の中間層４０を形成するために働く。ダッシュを付けられた 符号は、繰り返されるプロセスを示すものである。個々の金属層は相前後して析 出され、金属的な固着によって互いに保持される。孔付円板２３の層のためには 、種々様々な金属７０を使用することができる。 最後に孔付円板２３の個別化が行われる。このために犠牲層６１がエッチング 除去され、これによって孔付円板２３が保持プレート６０から持ち上げられる。 この後で金属メッキ開始層６１′がエッチングによって除去され、残っているフ ォトレジスト６３，６３′が金属構造から溶出される。このことは例えば、ＫＯ Ｈ処理によって又は酸素プラズマによってもしくはポリアミドの場合には溶剤（ 例えばアセトン）を用いて可能である。フォトレジスト６３，６３′を除去する このようなプロセスは、一般に「ストリッピング（strippen）」という上位概念 で知られている。択一的な 解決策として、電気メッキ開始層６１′が適宜に選択されている場合には、例え ば磁石を用いて保持プレート６０を機械的に解離することも可能である。第２０ 図には、保持プレート６０から解離された３層の孔付円板２３が例として示され ており、この場合流入開口３６及び流出開口３８の高さは通常、より低いものに なる。 第２１図には、「Ｓ字型」の孔付円板２３の別の実施例が示されており、この 孔付円板２３は、上に述べた製造形式とは異なった技術によって製造されている 。この新しい技術は、「横方向における過成長（laterales Ueberwachsen）」と いう概念で呼ぶことができる。「横方向における過成長」の方法は次のことを可 能にする。すなわちこの方法によれば、従来の構成では層と呼ばれかつ層であっ た、孔付円板２３の互いに接触し合う２つの平面を、１回のステップで電気的な 析出によって構成することができ、しかもこの場合例えば「３層孔付円板」の場 合に第３の電気メッキ作業が不要である。つまり「横方向における過成長」によ って形成された２つの平面は、もはや互いに別個に構成された層ではなく、その 間に境界を有していない、個々の成長という意味でただ１つの層である。 下側層３７の製造は、まず初めに、第１６図〜第１８図に示されたように、公 知の形式で行われる。電気メッキによって析出される金属７０が、次いで公知の 形式で、第２の層のフォトレジスト６３′の構造の回りに、このフォトレジスト ６３′の上縁部に至るまで成長する（第１９図）。その後でしかしながら電気メ ッキ層はフォトレジスト６３′を越えて成長する。フォトレジスト６３′の過成 長は、水平方向及び鉛直方向においてほぼ等しい大きさで行われる。この過成長 は、別の電気メッキ層６１′の被着及び第３の電気メッキ層自体の代わりをする 。それというのは、後の孔付円板２３の２つの層３５，４０が１つの電気メッキ 層において生ぜしめられるからである。過成長の高さは次のように、すなわち、 成長する上側層３５′において形成される流入開口３６がＳ字型円板に対する要 求に相応するように、つまり流出開口３８に対するずれを有するように、調節さ れる。この過成長は早くとも、流出開口３８が成長する層３５′の材料によって 完全に覆われた時に中断される。つまりこの方法形式では、流出開口３８及び通 路４２の寸法を設定する、フォトレジスト６３，６３′の２つの層が回りに成長 させられる。そしてまた、流入開口３６の寸法を、構造化された別のラッカ層と してのフォトレジスト６３′によって規定することも可能である。このためには フォトレジスト構造６３，６３′は３つの平面において位置している。フォトレ ジスト６３′のこの３つの層は、最後に、流入開口３６の規定された構成のため に層３５′の横方向における過成長のための「ストッ パ」として働く。 このようにして円形、楕円形又は多角形の流入開口３６を得ることができる。 「横方向における過成長」によって、特に、孔付円板２３を製造するための時間 が明らかに短縮される。さらに、電気メッキ表面の粗さが減じられる。つまり被 着される層の数と共に、電気メッキ表面の粗さも増大する。例えば電解研磨を用 いたような付加的な平滑処置は、これによって必ずしも必要でなくなる。横方向 における過成長の別の利点としては次のことが挙げられる。すなわちこの場合、 流入開口３６を形成するために、非導電性のフォトレジスト６３′に新たな電気 メッキ層６１′を被着することが不要になる。 第２２図〜第３３図には、孔付円板２３の別の実施例が示されており、これら の実施例については詳しい説明を省略する。なぜならば、これらの実施例におけ る孔付円板２３は、「Ｓ字型円板」の基本的なすべての特徴を有しており、かつ 単に興味深いデザインもしくは形状を示しているに過ぎないからである。そして 以下に記載の孔付円板の実施例すべては、上に述べた電気メッキ金属析出の製造 方法によって製造することが可能である。 第２２図及び第２３図に示された孔付円板２３は、同様に少なくとも部分的に 、横方向における過成長によって製造されている。この場合上側層３５′は少な くとも２つの機能平面、つまり通路４２′が延びている平面と、その上に位置し ていて流入開口３６を備えた平面とを有している。下側層３７は例えば、上側層 ３５′よりも著しく大きな直径を有している。流入開口３６が円形の横断面を有 しているのに対して、４つの流出開口３８は、円弧の形で鎌形に配置されている 。上側層３５′の下側の平面に位置する通路４２′は、流入開口３６と同様に円 形に構成されており、そして鎌形の流出開口３８の外径よりも幾分大きな直径を 備えている。流体のいわゆるＳ字状変向は、この配置形式では半径方向外側に向 かって行われる。これによって、良好な霧化特性を備えた半径方向対称的な噴流 パターンが得られる。 第２４図には、扁平噴流噴射を可能にする孔付円板２３が平面図で示されてい る。上側層３５における４つの流入開口３６は、方形に構成されている。各流入 開口３６には、正確に１つの通路４２及び流出開口３８が配属されている。流出 開口３８は例えば正方形又は方形に構成されている。投影図で見て流入開口３６ と流出開口３８とを完全にカバーする通路４２は、６角形の輪郭を有しており、 この輪郭は、流入開口３６及び流出開口３８の大きさに相応して変化させること ができる。流入開口３６と流出開口３８とのずれは、２つの方向における扁平な 噴流パターンを有する良好な調整が行われるように、選択されている。 第２４図と同様に、第２５図〜第２７図には、扁平噴流を生ぜしめることがで きる孔付円板２３が平面図で示されている。これらの図面は、簡略化された図面 として孔付円板２３の中央部の真ん中の範囲だけを示している。通路４２′はそ れぞれ、該通路が１つの流入開口３６をすべての流出開口３８と接続するように 、構成されている。流体は、中央の方形の流入開口３６を通して流入する。流出 開口３８は例えば同様に、方形又は正方形の輪郭をもって構成されており、この 場合方形の流出開口３８の長手方向延在方向は、流入開口３６の長手方向延在方 向に対して平行であっても又は垂直であってもよい。いずれの場合でも、同様に このようなずれに基づいて扁平な噴流が形成される。流入開口３６の大きさ、流 出開口３８の形状、数及び配置形式のバリエーションによって、噴流の形状付与 をその都度の要求に適合させることができる。 第２８図には、個々の開口範囲の幾何学形状及び大きさに関して第２４図に示 された孔付円板２３に極めて類似した孔付円板２３が、示されている。例えば内 燃機関における噴射弁の通常とは異なる取付け位置のような、特別な使用目的の ためには、孔付円板２３から流出する扁平噴流だけが望ましいのではなく、弁長 手方向軸線／中心軸線２に対して規定の角度を成した噴射も望ましい（第１図及 び第３図）。このことは、第２８図に示された孔付円板２３によって可能である 。流入通路３６、通路４２及び流出開口３８の各機能ユニットは、同様にＳ字状 変向の方向における噴霧体円錐を可能にする。このような４つの機能ユニットが この実施例に設けられている。このような噴霧体円錐もしくは噴流円錐が適当な 形式で形成されると、噴流形成全体をその都度の所与性に適合させることができ る。第２８図に示された孔付円板２３によって、意図的に２つの方向において噴 射を行うことができ、この場合両方の個別噴流は互いに正確に逆方向に向けられ ているのではない。 第２９図及び第３０図には、同様に通常とは異なる噴射パターンを生ぜしめる ことができる孔付円板２３の中央の噴射範囲が示されている。第２９図及び第３ ０図に示された孔付円板２３は、それぞれ１つの流入通路３６と１つの通路４２ と１つの流出通路３８とを備えた３つの機能ユニットを有している。所望の噴流 形成に応じて、これらの機能ユニットは非対称的にもしくは偏心的に、両方の軸 線３９の交点を通って延びる、孔付円板２３の中心軸線２の回りに配置されてい る。一見無秩序に見えるこの分配配置形式によって、極めて良好な個別的な噴流 方向を得ることができる。第２９図に示された孔付円板では、円セクタ状の輪郭 を備えた各１つの通路４２が、円形の流入開口３６を鎌形の流出開口３８と接続 している。これに対して、第３０図に示された孔付円板２３における開口範囲は 方形に構成されている。流体は例えば正方形の流入開口３６に進入し、次いで６ 角形の通路４２を通って、方形に構成されている流出開口３８まで流れる。２つ の流入開口３６に配属された通路４２は、例えば次のように延びている。すなわ ちこの場合通路４２は、流出開口３８の範囲において１つにまとまり、これによ って流体がＶ字形の流出開口３８を介してしか孔付円板２３から流出しない。つ まり流入開口３６及び流出開口３８の数は必ずしも一致している必要はない。 流入開口３６と流出開口３８とが異なった数で設けられている孔付円板２３は 、第３１図〜第３３図に示されている。第３１図に示された実施例から、一貫し て円形の開口範囲を備えた配置形式が明らかである。流体は、上側層３５の中央 の円形の流入開口３６を介して流入し、そして同様に円形の４つの流出開口３８ を介して孔付円板２３から流出する。これらの流出開口３８は、下側層３７にお いて流入開口３６の回りに対称的に構成されている。円形の通路４２′の大きさ は、該通路４２′によってすべての流出開口３８が完全にカバーされるように、 選択されている。 第３２図に示された孔付円板は、開口範囲を備えた４つの機能ユニットを有し ている。流体は、それぞれの機能ユニットに所属の４つの、つまり全部で１６の 鎌形の流入開口３６を介して、孔付円板２３に流入する。各４つの流入開口３６ には、正確に１つの円形の 通路４２′が配属されており、この通路４２′は例えば、該通路が鎌形の流入開 口３６を完全にカバーするような大きさの直径を有している。各機能ユニットに はただ１つの流出開口３８だけが形成されており、この流出開口３８は円形に構 成されていて、かつ投影図で見て鎌形の流入開口３６によって取り囲まれている 。４つの機能ユニットは例えば中心軸線２に対して対称的に、軸線３９に位置す るように配置されている。 第３３図に示された孔付円板２３は、開口範囲の完全に非対称的な配置形式を 有している。中央の配置された流入開口３６は、ほぼ半円形の輪郭をもって構成 されており、これに対して明らかに小さい流出開口３８は鎌形に、流入開口３６ の丸く面取りされた側において下側層３７に延在している。流出開口３８の数は 、任意に変化させることができ、図示の実施例では、３つの流出開口３８が設け られている。円形の通路４２′はこの実施例においても、該通路４２′によって その他のすべての開口がカバーされるような大きさに構成されている。 上に述べたすべての孔付円板２３は、もっぱら噴射弁における使用のために設 けられているのではない。すなわちこれらの孔付円板２３は、例えばラッカ塗布 ノズル、吸入器、インキジェットプリンタ又はフリーズドライ法においても使用 することができる。例えば大きな角度を有する微細な噴霧体を生ぜしめるために は、孔付円板２３は極めて一般的に適している。マイクロガルバニックを用いて 孔付円板２３を製造するための詳細に記載した方法の他に、上に記載の輪郭を有 するＳ字型円板を製造するためには、例えば放電加工によるキャビティ形成（Se nkerodieren）、ワイヤ放電加工、レーザカッティング、打抜き、金属蒸着、焼 結又はプラスチック射出成形のようなその他の方法も可能である。 したがって第１５図には、上に述べたその他の製造方法を明らかにする幾つか の工具が示されている。位置決め受容部５６を用いて、個々の金属円板の接合時 に金属円板相互の正確な位置決めが可能である。しかしながら孔付円板２３の個 々の層は、接合の前に互いに別個に、例えば打抜き時には打抜きポンチ７３を用 いて、もしくは放電加工によるエロージョン時には工具電極７４を用いて加工さ れる。本発明による孔付円板のためには金属製の材料を使用する他に、Ｓ字型円 板のためにセラミック材料を使用することも可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ Ｆ０２Ｍ 61/16 9429−3Ｇ Ｆ０２Ｍ 61/18 ３６０Ｄ 61/18 ３６０ 7810−2Ｃ Ｂ４１Ｊ 3/04 １０３Ｎ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＢＲ，ＣＮ，ＪＰ，Ｋ Ｒ，ＲＵ，ＵＳ (72)発明者 ハインツ フクス ドイツ連邦共和国 Ｄ−70469 シュツッ トガルト ハッテンビュール 15 (72)発明者 ゴットフリート フリーク ドイツ連邦共和国 Ｄ−71229 レオンベ ルク ブルクハルデ 52 (72)発明者 ギュンター ダンテス ドイツ連邦共和国 Ｄ−71735 エーバー ディンゲン カールシュトラーセ 20 (72)発明者 ギルベルト メールシュ ドイツ連邦共和国 Ｄ−70563 シュツッ トガルト シャルシュトラーセ 28 (72)発明者 デートレフ ノヴァーク ドイツ連邦共和国 Ｄ−70435 シュツッ トガルト ブレットハイマー ヴェーク １ (72)発明者 イェルク ハイゼ ドイツ連邦共和国 Ｄ−71706 マルクグ レーニンゲン アイヒェンヴェーク 15 (72)発明者 ベアーテ ヴァルツ ドイツ連邦共和国 Ｄ−70499 シュツッ トガルト ニールシュタイナー シュトラ ーセ 14 (72)発明者 フランク シャツ ドイツ連邦共和国 Ｄ−70806 コルンヴ ェストハイム バーンホーフシュトラーセ 27 【要約の続き】

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．孔付円板、特に噴射弁のための孔付円板であって、流体のための完全な貫通 部と、少なくとも１つの流入開口と、少なくとも１つの流出開口とが設けられて おり、流入開口と流出開口とが、一平面への投影図で見ていかなる箇所において も重なり合っておらず、しかも各流入開口が孔付円板の上側層に設けられ、かつ 各流出開口が孔付円板の下側層に設けられている形式のものにおいて、少なくと も１つの別の中間層（４０）が、上側層（３５）と下側層（３７）との間に設け られており、該中間層（４０）が少なくとも１つの通路（４２，４２′）を有し ており、該通路（４２，４２′）が、流入開口（３６）のうちの少なくとも１つ と、流出開口（３８）のうちの少なくとも１つとを完全に接続する接続部である ことを特徴とする、孔付円板。 ２．少なくとも１つの中間層（４０）に、流入開口（３６）及び流出開口（３８ ）の数に相当する数の通路（４２）が設けられており、これにより正確に１つの 流入通路（３６）が、１つの通路（４２）を介して１つの流出開口（３８）と接 続されている、請求項１記載の孔付円板。 ３．少なくとも１つの中間層（４０）に、１つの通路（４２′）が設けられてお り、該通路（４２′）に すべての流入開口（３６）及びすべての流出開口（３８）が接続している、請求 項１記載の孔付円板。 ４．上側層（３５）が複数の流入開口（３６）を有し、かつ下側層（３７）が複 数の流出開口（３８）を有しており、各１つの流入開口（３６）が１つの流出開 口（３８）に１つの通路（４２）を介して接続されている、請求項２記載の孔付 円板。 ５．流入開口（３６）が孔付円板（２３）の中心軸線（２）に対して、流出開口 （３８）よりも近くに構成されており、これによって半径方向におけるずれが存 在している、請求項１から４までのいずれか１項記載の孔付円板。 ６．少なくとも１つの流入開口（３６）が、流出開口（３８）のうちの１つとは 異なった開口幅を有している、請求項１から５までのいずれか１項記載の孔付円 板。 ７．流入開口（３６）と流出開口（３８）とが、孔付円板（２３）の中心軸線（ ２）のまわりに完全に対称的に配置されている、請求項１から６までのいずれか １項記載の孔付円板。 ８．通路（４２，４２′）がそれぞれ、投影図で見て流入開口（３６）と流出開 口（３８）とを完全に覆うような大きさを有している、請求項１から７までのい ずれか１項記載の孔付円板。 ９．少なくとも１つの通路（４２，４２′）が少なく とも１つの通路延長部（４３，４３′）を有しており、該通路延長部（４３，４ ３′）が、流入開口（３６）から流出開口（３８）への最短の流れ経路に位置し ない領域である、請求項１から８までのいずれか１項記載の孔付円板。 10．少なくとも１つの通路延長部（４３）が、通路（４２）と同じ高さを有して いる、請求項９記載の孔付円板。 11．少なくとも１つの通路延長部（４３）の高さと幅とが、等しい寸法を有して いる、請求項９記載の孔付円板。 12．孔付円板（２３）が４層に構成されており、この場合一方の中間層（４０） に少なくとも１つの通路（４２，４２′）が延びていて、他方の中間層（４０′ ）に通路延長部（４３′）が設けられており、該通路延長部（４３′）が、流入 開口（３６）から流出開口（３８）への最短の流れ経路に位置しない領域である 、請求項１記載の孔付円板。 13．孔付円板（２３）が５層に構成されており、この場合中間層（４０）のうち の１つに、少なくとも１つの通路（４２，４２′）が延びていて、他の２つの中 間層（４０′）に通路延長部（４３′）が設けられており、該通路延長部（４３ ′）が、流入開口（３６）から流出開口（３８）への最短の流れ経路に位置しな い領域である、請求項１記載の孔付円板 。 14．通路延長部（４３，４３′）が、すべての３つの方向つまり長さと幅と深さ とにおいて、通路（４２，４２′）を起点として成形可能である、請求項９、１ ２及び１３のいずれか１項記載の孔付円板。 15．少なくとも１つの中間層（４０，４０′）に突入するように、少なくとも１ つのトリップトラップ（５０）が配置されており、該トリップトラップ（５０） によって、通路（４２，４２′）内を擦過する流れが渦列を形成する、請求項１ から１４までのいずれか１項記載の孔付円板。 16．上側層（３５）が複数の流入開口（３６）を有していて、下側層（３７）が 複数の流出開口（３８）を有しており、これらの流入開口（３６）及び流出開口 （３８）がすべて通路（４２′）と接続されている、請求項３記載の孔付円板。 17．流入開口（３６）と流出開口（３８）とが、任意の方向において互いにずら されている、請求項１記載の孔付円板。 18．流入開口（３６）の横断面輪郭が、流出開口（３８）の横断面輪郭に相当し ている、請求項１から１７までのいずれか１項記載の孔付円板。 19．流入開口（３６）の横断面輪郭と流出開口（３８）の横断面輪郭とが、互い に異なっている、請求項１から１７までのいずれか１項記載の孔付円板。 20．流入開口（３６）及び流出開口（３８）の横断面が、正方形、長方形、丸く 面取りされた正方形、丸く面取りされた長方形、円形、円形セグメント、楕円形 、楕円形セグメント、多角形又は丸く面取りされた多角形である、請求項１記載 の孔付円板。 21．流入開口（３６）と流出開口（３８）との数が異なっている、請求項１記載 の孔付円板。 22．孔付円板が、電気メッキ金属析出を用いて製造されている、請求項１記載の 孔付円板。 23．少なくとも流入開口（３６）と流出開口（３８）と通路（４２，４２′）と が、エロージョンもしくは放電加工（放電加工によるキャビティ掘り下げ、ワイ ヤ放電加工）を用いて製造されている、請求項１記載の孔付円板。 24．少なくとも流入開口（３６）と流出開口（３８）と通路（４２，４２′）と が、打抜きを用いて製造されている、請求項１記載の孔付円板。 25．孔付円板が、プラスチック射出成形を用いて製造されている、請求項１記載 の孔付円板。 26．孔付円板が、セラミック材料から製造されている、請求項１記載の孔付円板 。 27．孔付円板、特に請求項１から２２までのいずれか１項記載の孔付円板を製造 する方法であって、電気メッキ金属析出によって孔付円板（２３）の複数の層（ ３５，３７，４０，４０′）を連続的に構成す ることを特徴とする、孔付円板を製造する方法。 28．第１の方法ステップにおいて支持プレート（６０）に、保持プレート（６０ ）に、該保持プレート（６０）の材料が導電性でない場合に、次の方法ステップ を実施するために必要な少なくとも１つの補助層（６１，６１′，６１′′）を 被着し、その後でフォトレジスト（６３）を被着し、次いでフォトレジスト（６ ３）の所望の構造化を行い、これによってフォトレジスト（６３）に、孔付円板 （２３）の後の層（３７）のためのネガ構造（６６）を生ぜしめ、次いでマイク ロ電気メッキを行い、この際にフォトレジスト（６３）のネガ構造（６６）に生 じているレジスト溝（６８）を電気メッキによって金属（７０）で満たし、その 後で孔付円板（２３）の層（３５，３７，４０，４０′）の所望の数に応じて、 前記方法ステップを繰り返し、最後に孔付円板（２３）を個別化して、フォトレ ジスト（６３）を金属構造から解離する、請求項２７記載の方法。 29．補助層（６１）として電気メッキ開始層（６１′）を被着する、請求項２８ 記載の方法。 30．フォトレジスト（６３）の被着を、固体レジストのラミネーティングとして 行う、請求項２８記載の方法。 31．フォトレジスト（６３）の被着を、液体レジストのスピン塗布として行う、 請求項２８記載の方法。 32．フォトレジスト（６３）の被着を、液体状態のポリイミドのスピン塗布とし て行う、請求項２８記載の方法。 33．フォトレジスト（６３）の構造化を、マスク（６４）を介したＵＶ露光（６ ５）と次いで行われる現像とを用いて行う、請求項２８記載の方法。 34．フォトレジスト（６３）の構造化を、フォトリソグラフィック式に構造化さ れてフォトレジスト（６３）の乾式エッチングプロセスのためのマスクとして働 く、酸化物又は窒化物の析出によって行う、請求項２８記載の方法。 35．フォトレジスト（６３）の構造化を、レーザを用いた除去によって行う、請 求項２８記載の方法。 36．孔付円板（２３）の、２つの平面を有する少なくとも１つの層（３５，３５ ′，４０，４０′）を、電気メッキステップにおいて製造し、この際に金属（７ ０）をフォトレジスト（６３′）を越えて水平方向及び鉛直方向において成長さ せる、請求項２８記載の方法。