JPH10502734A - ミクロ構造の深さを測定する方法 - Google Patents
ミクロ構造の深さを測定する方法Info
- Publication number
- JPH10502734A JPH10502734A JP8504567A JP50456796A JPH10502734A JP H10502734 A JPH10502734 A JP H10502734A JP 8504567 A JP8504567 A JP 8504567A JP 50456796 A JP50456796 A JP 50456796A JP H10502734 A JPH10502734 A JP H10502734A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- depth
- diffraction grating
- light beam
- stamping
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 39
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000009365 direct transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/22—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring depth
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
スタンピング工程によりミクロ構造を変形可能な層に転写したときのミクロ構造の深さを測定する方法であって、転写すべきミクロ構造に幾何学的に単純な参照回折格子構造が設けられている方法を提供する。この参照回折格子構造が測定光ビームを干渉する。その結果得られた色分布により、形成された構造の深さに関する測定を行なう。
Description
【発明の詳細な説明】
ミクロ構造の深さを測定する方法
本発明は、スタンピング工程によりミクロ構造を変形可能な層に転写するとき
にミクロ構造の深さを測定する方法に関するものである。
近年、特に、紙幣、クレジットカード、身分証明書等のような重要書類、ある
いは価値のある物品の保全部材(security elements)に光回折効果がますます
使用されるようになっている。このような構造はいわゆる「原版(master)」に
より、適切に変形可能な層に型押し(stamp)または圧印加工(emboss)されて
いる。この方法は、例えば、スタンピングホイルの製造に用いられている。この
スタンピングホイルから、保全部材が基体にホットスタンピング操作で転写され
る。光回折効果を有するこの種の構造の製造において、操作は、一部が1μm未
満の比較的小さなスタンピング深さまたはエンボシング深さにより行なわれてい
る。この点に関して、要望される程度の透明さおよび明確さを伴う所望の効果が
生じないので、スタンピングは浅すぎるべきではない。しかしながら、深すぎる
スタンピングにも、達成される効果に不利な影響がある。結果的に、単純な手段
により、かつ特に光回折効果を有する構造を変更したり損傷を与えたりせずに、
形成された構造の深さを迅速に、かつ各々の製造工程において測定することを可
能にする方法が緊急に必要とされている。
明らかに、本来既知の方法、例えば、回折効果の程度を測定する形態の方法を
用いて、構造の深さを検出することができる。しかしながら、既知の方法の全て
は、測定方法の点で高価であり、実施するのに複雑である。
したがって、本発明の目的は、特に単純で、普遍的に用いることができ、さら
に、比較的低コストで実施することのできる、ミクロ構造の深さを測定する方法
を提供することにある。
この明細書の冒頭の部分で述べた種類の方法において、これらの目的を達成す
るために、本発明は:
転写すべきミクロ構造において、少なくとも部分的に幾何学的に単純な参照
回折格子構造を設け、この回折格子構造の回折格子要素は特に正方形、長方形ま
たは三角形のプロフィールを有していてもよく、
参照回折格子構造に、所定の波長範囲を含む光ビームを照射し、
ゼロ次回折スペクトルにおいて生じる強度の最大値および最小値の、達成さ
れたスタンピング深さに依存する位置を、透過モードまたは反射モードで測定し
、スタンピングにより形成された深さが、それぞれの参照構造および照射された
波長範囲に関する比較値に基づく測定位置から確かめるか、あるいは、
スタンピングにより形成された深さを、比較値に基づくゼロ次の回折光の色
の積分評価から推測する各工程からなる方法を提案する。
したがって、本発明による方法の基本的な原理は、ミクロ構造のスタンピング
深さを測定することにあり、参照構造物が少なくとも所定の領域内に設けられ、
その参照構造物は、好ましくは、正方形、長方形または三角形の側面を有する幾
何学的に単純な回折格子構造である。次いで、透過光または反射光のスペクトル
分布を参照回折格子構造の領域内で測定し、この場合に生じる強度の最大値また
は最小値をスタンピング深さの点で直接的な測定値として用いることができる。
なぜならば、それら最大値および最小値のそれぞれが、スタンピング深さに依存
して色スペクトルの異なる波長範囲まで移動するからである。この点に関して、
位置は一般的に、構造物の深さが減少することにより、最小波長が移動して値を
小さくするようなものである。参照回折格子プロフィールを正確に選択すれば、
最小周波数の絶対値が実質的に、構成すべき基体の屈折率に依存する。
さらに詳しくは、本発明による方法は、以下の理由に基づいている。この点に
関して、一方では透過モードの測定値について、他方では反射モードの測定値に
ついて調査を行なう。
透過モードの測定値の場合には、以下の方程式により、長方形プロフィールの
単純な線の回折格子の測定された透過度を適切な程度で実質的に記載することが
できると仮定する:
この方程式において:
T(λ): 波長に依存する透過度
a: nmで表したスタンピング深さに対応する、形成された回折格
子の深さ(ランドの深さ)
λ: nmで表した波長
n: 基体の屈折率
c1、c2: nmで表した実験定数
透過測定モードにおいて、測定方法を用いた構造の深さの評価に関して、検出
した最小波長λminに関する直接の線形関係を用いる。この点に関して、下記の
方程式を構造の深さaに関して適用する:
方程式(II)において:
λmin: nmで表した、T(λ)が最小値のときに測定した波長
n: 基体の屈折率
c3: nmで表した実験定数
上記の方程式(I)および(II)に基づいて適正な種類の回折格子を選択する
と、基体を透過する光の原色による迅速な質的評価、および構造の深さの実際の
量的測定値の両方を得ることができる。このようにして、スペクトル色分布を測
定する適切な装置を用いて、転写操作で形成された構造の深さを迅速に連続的に
確認することができる。ここで、基体を透過する光の色に基づいて、大雑把な評
価が可能である。このことにより、対応するミクロ構造の製造において、例えば
、スタンピング圧力、スタンピング操作の温度、硬化速度、およびスタンピング
を受ける現在の層の厚さを変更することにより、作業条件における変化に迅速に
対応することができる。
形成された構造の深さに関して、生じた強度の最大値または最小値の明確な関
連付けが透過測定モードにおいて可能である一方、反射測定を行なうと、より具
体的には特に白色光を用いると、その光がしばしば実質的に構造の所望の深さ未
満の波長を含み、このことは、多重干渉現象が生じることを意味するので、これ
によって困難なことが生じる。例えば、形成されたスペクトルには2つの最小値
または最大値があるかもしれない。それにもかかわらず、得られたスペクトル色
を形成された構造の深さに関する基準として用いることができる。
反射光による測定を行なう場合には、反射光の強度に関して、その波長に依存
する適切な回折格子を用いて、以下の条件を適用する:
この方程式において:
λ: nmで表した波長
a: nmで表した構造の深さ
c: nmで表した確認すべき定数(例えば、本出願人が調査した回
折格子の場合には、-50 nmに対応する)
反射による測定における複雑な条件を考慮するので、標準的な回折格子の深さ
に基づいて、それら回折格子の深さに関する色スペクトルの標準化を行なうこと
が望ましく、それによって、形成されるスタンピング深さの量的色評価が可能と
なる。
上述した理論的検討と関連して、これら全てのことは、測定はゼロ次で行なう
という事実に基づいていることに注意すべきである。
参照回折格子構造は望ましくは正方形、長方形また三角形のプロフィールのも
のであるべきである。なぜならば、それによって、最も単純な条件が得られ、上
述した方程式(I)から(III)までを補正せずに実質的に適用できるからであ
る。そうすることによって、測定経費が最小となり、さらに、可視光の範囲の測
定光ビームを用いると、測定装置を必要とせずに、単に目による質的評価が可能
となることを意味する。
以下のパラメータを満たした参照回折格子構造を本発明による方法に用いるこ
とが特に望ましいことが分かった:
回折格子定数g: 0.5 μm≦g≦4μm
ランド/回折格子定数比率b/g: 0.1 ≦b/g≦0.8
回折格子深さa: 0.3 μm≦a≦4μm
測定光ビームの評価を様々な異なる方法で行なえることがすでに指摘されてい
る。測定光ビームの色評価を分光光度計により行なうことが特に望ましい。それ
は、結果が信頼性があり、精度が高いからである。
測定を透過により行なう場合には、本発明では、参照回折格子構造を透過する
測定光ビームの色を評価する際には白色光を使用する。
これに対して、反射構造を測定する場合には、制限された波長範囲の光を測定
光ビームとして使用することがより好ましい。この場合には、白色光に関して異
なる周波数で生じる強度の最大値および最小値を除去することが十分に可能であ
るので、構造の深さの実際の測定に関して、構造の深さと強度の最小値との間に
明確な関連性がある。
ドイツ国特許35 18 774 C2号には、光学的に効果のある段の高さを形成する最
適層を作成することにより、位相回折格子(phase grating)の回折特性を最適
化する方法が開示されている。この方法には、位相回折格子の製造工程中に、周
期的な位相回折格子で実質的に単色の測定光を回折することが含まれている。少
なくとも2種類の回折オーダーの光ビームの照射強度が測定され、工程のパラメ
ータが、回折オーダーの強度の関係から誘導される。このようなパラメータによ
り、回折特性を最適化するために、位相回折格子の光学的に効果的な段の高さが
増加または減少する。
これに対比して、本発明の主題は、スタンピング操作中にミクロ構造のスタン
ピング深さを測定する方法にある。ここで、型押しされたミクロ構造を評価する
ために、参照構造を、ミクロ構造の少なくとも所定の領域に形成する。この参照
構造に、所定の波長範囲の光ビームを照射し、ゼロ次の回折格子スペクトルにお
いて生じた強度の最大値または最小値を、形成されたスタンピング深さに関する
直接的な測定値または近似値として用い、光の色を目視的に評価する。
本発明のさらなる特徴、詳細および利点は、図面に関する以下の記載から明白
である:
図1a−1cは、本発明により使用できる回折格子の3種類の実施例の概略図
を示しており、
図2は、透過測定の測定原理を示しており、
図3は、反射測定の測定原理を示しており、
図4は、図2に示した測定の場合の、構造の所定の深さによる分光光度計の受
信プロフィールを示しており、
図5a−5dは、反射測定の場合の、構造の異なる深さによる分光光度計の受
信プロフィールを示している。
図1a−1cは、本発明による方法に関して、できるだけ単純な回折格子構造
を参照回折格子構造として使用すべきであり、この点に関して、図1aに示した
回折格子構造はいわゆる長方形構造であり、図1bに示した回折格子構造は正方
形回折格子であり、図1cに示した構造は三角形回折格子であることを示してい
る。図1a−1cの回折格子構造は、基体にミクロ構造の残りの部分を製造する
のと同時に形成される。基体1に適切にスタンピングまたはエンボシングを行な
うことにより、回折格子ランド2およびこの回折格子ランド2の間の空間3が形
成される。
図1a−1cの回折格子構造の差異は、一方では、異なる幾何学的形状にある
が、他方では、伴う異なる目的にある。より具体的には、図1aおよび1cに示
した回折格子構造は、透過測定に関して使用することを意図したものであるが、
図1bの回折格子構造は反射測定に使用することができる。
これらの目的を達成するためには、図1aおよび1cの回折格子構造は適切に
透明な材料から完全にならなければならない。比較すると、図1bに示したよう
な反射測定のための回折格子構造の場合には、少なくとも、図に太線で示し、回
折格子の主板に対して平行に延在する表面4を確実に反射特性のものとすること
、例えば、この表面4に反射金属層が確実に設けられていることが必要である。
それぞれ適切な反射形態または光透過形態が用意されていれば、図1aおよび
1cの回折格子構造を反射測定にも使用することができ、図1bの回折格子構造
を透過測定に使用することもできる。
図1aおよび1bの回折格子構造は、回折格子ランドが実質的に長方形の断面
のものである限り、実質的に同一である。しかしながら、差異は、図1aの構造
においては、回折格子ランド2の幅bがランド2の間の空間3の幅g−bよりも
実質的に小さい。比較すると、図1bに示した回折格子構造においては、ランド
2の幅と間の空間3の幅とは実質的に同一である。
回折格子構造を本発明の目的に使用できるようにするには、このような構造は
以下の条件を満たさなければならない:
回折格子定数g: 0.5 μm≦g≦4μm
ランド/回折格子定数の比率b/g: 0.1 μ≦b/g≦0.8
回折格子の深さa: 0.3 μm≦a≦4μm。
図2は、透明基体5における構造の深さを測定する場合の測定方法を図に示し
ている。この目的のために、基体5には、少なくとも部分的に、適切な参照回折
格子構造が設けられている。図示した実施の形態においては、回折格子構造は正
方形の回折格子構造であり、すなわち、これは、反射特性のものではないが、断
面において、図1bの回折格子構造に対応する。
参照回折格子構造には、適切に方向付けられた光源6により白色光が照射され
、光7のスペクトル光分布が基体5を透過し、参照回折格子構造が受信器8、望
ましくは分光光度計により測定される。
波長λに依存する、受信器8に到達する光の強度分布T(λ)が、原則として
図4に示されている。ここで、透過測定を行なう場合には、照射強度T(λ)に
関する最小値が、基体5の参照回折格子構造の深さに依存して、所定の波長λmi n
で生じる。したがって、このことは、強度の最小値またはその波長λminは、参
照回折格子構造に形成される深さに関する直接的な測定値を示すことを意味する
。それゆえ、単に強度の最小値の波長を確定することにより、それぞれ形成され
た構造の深さaを容易に迅速に確認することができる。
このことを以下の実施例を参照して説明する:
透過測定の操作を、直接的な透過照射および0°の受信角度で行なった。ここ
で、使用した参照回折格子構造は、回折格子定数が2μmであり、ランドと回折
格子の定数の比率b/gが1:2である長方形の回折格子であった。基体の屈折
率はn=1.466 であった。
上述した屈折率に基づいて、c3が-285nm(方程式(III))であるとすると
、構造の深さaに関しては、以下の関係が成り立つ:
a=(2.1428・λmin-285)nm
形成された構造の深さ、最小波長および色の関係を以下に示す:
上述した詳細は明らかに、一方では、形成された構造の深さの正確な分光測定
が可能であるが、他方では、ある色の低レベルの強度の結果として生じる変化の
ような、白色測定光ビームの色の変化により純粋に目視的評価を行なうことがで
きることを示している。
反射基体に関する構造の深さを確認する測定方法が図3に示されている。基体
5′には、深さaの参照回折格子構造が設けられている。形状は、少なくとも、
光源6′およびこの光源6′が反射しているときに基体5′の同一の側に配置さ
れた受信器8′に面する基体5′の表面に、例えば、金属コーティング9が設け
られているようなものである。
根本的に、光源6′および受信器8′は、透過モード測定の配列の光源6およ
び受信器8とそれぞれ同一であって差支えない。しかしながら、反射測定の場合
には、光源6′のみが制限された波長範囲の光を放出するか、または受信器8′
が所定の波長範囲の光を受信することが望ましい場合もある。なぜならば、受信
器8′に入射する、光源6′の反射光の強度の最小値および最大値の、構造の所
定の深さとの関連付けがある条件下で可能かもしれないからである。
図5a−5dは、波長に依存する、基体5′の反射表面9により反射された光
の強度分布IRを示している。ここで、図5a−5dは、空気と金属との界面で
の、白色光を使用した反射の際の強度分布を示している。この場合、強度分布は
実質的に、前述した方程式(III)に対応している。ここで、定数cは-50 nm
であると推測される。
構造のそれぞれの深さa(各々示されている)を考慮して図5a−5dを比較
すると、強度分布の最小値および最大値が、構造の深さaが減少するにつれて、
より小さい波長のほうに移動することが分かる。この場合、受信器8′により処
理される波長を適切に選択することにより、いくつかの条件下で、各々の場合に
おいてある1つの所定の強度の最大値のみを処理することが可能かもしれない。
ここで、それぞれの強度の最大値または最小値および構造の深さaの比較的明確
な関連付けが可能である。ある使用状況に関して、さらに、白色光ではなく、可
能な最大の波長の光、例えば、赤外光で操作することが望ましい場合もある。な
ぜならば、強度の最大値および最小値の数を著しく減少できるからである。この
ことは特に、反射参照回折格子構造の深さが大きいことに関係するが、この深さ
が比較的小さい場合には、可視波長範囲の光で操作することも確かに可能である
。
赤外光を用いる場合には、構造の深さの純粋な目視による評価は、適切な装置
部材を用いずには行なうことができない。白色光を用いる場合には、生じた色に
基づいた、目視による大雑把な質的評価が、反射測定においてさえも可能である
。しかしながら、その場合には、混合色が生じてしまう。
【手続補正書】特許法第184条の8
【提出日】1996年10月18日
【補正内容】
請求の範囲
1. スタンピング工程によりミクロ構造を変形可能な層に転写したときのミク
ロ構造の深さを測定する方法であって、
転写すべきミクロ構造において、少なくとも部分的に幾何学的に単純な参照
回折格子構造を設け、
該参照回折格子構造に、所定の波長範囲を含む光ビームを照射し、
スタンピングにより形成された深さに依存する、ゼロ次回折スペクトルで生
じる強度の最大値と最小値の波長を、透過モードまたは反射モードで測定し、ス
タンピングにより形成された深さを、それぞれの参照構造および照射された波長
範囲に関する比較値に基づいて測定された波長から確認するか、または
スタンピングにより形成された深さを、比較値に基づいて回折されたゼロ次
の光の色の積分評価から推測する各工程からなることを特徴とする方法。
2. 前記参照回折格子構造が、正方形、長方形または三角形のプロフィールを
有することを特徴とする請求の範囲第1項記載の方法。
3. 前記参照回折格子構造が、以下のパラメータ
回折格子定数g: 0.5 μm≦g≦4μm
ランド/回折格子定数比率b/g: 0.1 ≦b/g≦0.8
回折格子深さa: 0.3 μm≦a≦4μm
を有することを特徴とする請求の範囲第1項または第2項記載の方法。
4. 前記測定光ビームの色評価を分光光度計により行なうことを特徴とする請
求の範囲第1項から第3項いずれか1項記載の方法。
5. 前記測定光ビームが可視光により形成されることを特徴とする請求の範囲
第1項から第4項いずれか1項記載の方法。
6. 前記参照回折格子構造を透過する測定光ビームの色を評価する際に白色光
を使用することを特徴とする請求の範囲第5項記載の方法。
7. 前記測定光ビームとして制限された波長範囲の光を使用することを特徴と
する請求の範囲第1項から第4項いずれか1項記載の方法。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE,
DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M
C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG
,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN,
TD,TG),AP(KE,MW,SD,SZ,UG),
AM,AT,AU,BB,BG,BR,BY,CA,C
H,CN,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,GB
,GE,HU,IS,JP,KE,KG,KP,KR,
KZ,LK,LR,LT,LU,LV,MD,MG,M
N,MW,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU
,SD,SE,SG,SI,SK,TJ,TM,TT,
UA,US,UZ,VN
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.スタンピング工程によりミクロ構造を変形可能な層に転写したときのミクロ 構造の深さを測定する方法であって、 転写すべきミクロ構造において、少なくとも部分的に幾何学的に単純な参照 回折格子構造を設け、 該参照回折格子構造に、所定の波長範囲を含む光ビームを照射し、 スタンピングにより形成された深さに依存する、ゼロ次回折スペクトルで生 じる強度の最大値と最小値の位置を、透過モードまたは反射モードで測定し、ス タンピングにより形成された深さを、それぞれの参照構造および照射された波長 範囲に関する比較値に基づいて測定された位置から確認するか、または スタンピングにより形成された深さを、比較値に基づいて回折されたゼロ次 の光の色の積分評価から推測する各工程からなることを特徴とする方法。 2.前記参照回折格子構造が、正方形、長方形または三角形のプロフィールを有 することを特徴とする請求の範囲第1項記載の方法。 3.前記参照回折格子構造が、以下のパラメータ 回折格子定数g: 0.5 μm≦g≦4μm ランド/回折格子定数比率b/g: 0.1 ≦b/g≦0.8 回折格子深さa: 0.3 μm≦a≦4μm を有することを特徴とする請求の範囲第1項または第2項記載の方法。 4.前記測定光ビームの色評価を分光光度計により行なうことを特徴とする請求 の範囲第1項から第3項いずれか1項記載の方法。 5.前記測定光ビームが可視光により形成されることを特徴とする請求の範囲第 1項から第4項いずれか1項記載の方法。 6.前記参照回折格子構造を透過する測定光ビームの色を評価する際に白色光を 使用することを特徴とする請求の範囲第5項記載の方法。 7.前記測定光ビームとして制限された波長範囲の光を使用することを特徴とす る請求の範囲第1項から第4項いずれか1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4424565A DE4424565C1 (de) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | Verfahren zur Messung der Tiefe einer Mikrostruktur |
| DE4424565.3 | 1994-07-13 | ||
| PCT/DE1995/000783 WO1996002807A1 (de) | 1994-07-13 | 1995-06-10 | Verfahren zur messung der tiefe einer mikrostruktur |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10502734A true JPH10502734A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=6522947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8504567A Pending JPH10502734A (ja) | 1994-07-13 | 1995-06-10 | ミクロ構造の深さを測定する方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0770201B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10502734A (ja) |
| AT (1) | ATE176526T1 (ja) |
| AU (1) | AU691622B2 (ja) |
| BR (1) | BR9508275A (ja) |
| CA (1) | CA2194883A1 (ja) |
| DE (2) | DE4424565C1 (ja) |
| ES (1) | ES2127535T3 (ja) |
| TW (1) | TW251346B (ja) |
| WO (1) | WO1996002807A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19632763C2 (de) * | 1996-08-14 | 1998-09-10 | Holger Moritz | Meßkopf für die Beobachtung der Photolackentwicklung |
| DE19652563A1 (de) * | 1996-12-17 | 1998-06-18 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Lichtelektrische Positionsmeßeinrichtung |
| DE19702851C1 (de) * | 1997-01-27 | 1998-08-06 | Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt | Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung offener, aber nicht vollständig einsehbarer Hohlräume |
| DE19739885A1 (de) * | 1997-09-11 | 1999-03-18 | Bernd Klose | Komparativer Oberflächenqualifizierer |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3518774A1 (de) * | 1985-05-24 | 1986-11-27 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut | Verfahren zur ermittlung und optimierung der optischen weglaenge einer durchgehenden transparenten schicht oder einer strukturierten schicht |
| JPH0617774B2 (ja) * | 1987-06-22 | 1994-03-09 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 微小高低差測定装置 |
| JPH0223617A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板ウェハの溝形成方法 |
| FR2665024B1 (fr) * | 1990-07-20 | 1994-02-18 | Jean Galvier | Procede de determination de l'elimination complete d'une couche mince sur un substrat non plan. |
| US5361137A (en) * | 1992-08-31 | 1994-11-01 | Texas Instruments Incorporated | Process control for submicron linewidth measurement |
-
1994
- 1994-07-13 DE DE4424565A patent/DE4424565C1/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-07 TW TW083108245A patent/TW251346B/zh active
-
1995
- 1995-06-10 EP EP95921698A patent/EP0770201B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-10 DE DE59505046T patent/DE59505046D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-10 ES ES95921698T patent/ES2127535T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-10 BR BR9508275A patent/BR9508275A/pt not_active Application Discontinuation
- 1995-06-10 WO PCT/DE1995/000783 patent/WO1996002807A1/de not_active Ceased
- 1995-06-10 AU AU26682/95A patent/AU691622B2/en not_active Ceased
- 1995-06-10 CA CA002194883A patent/CA2194883A1/en not_active Abandoned
- 1995-06-10 AT AT95921698T patent/ATE176526T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-06-10 JP JP8504567A patent/JPH10502734A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2194883A1 (en) | 1996-02-01 |
| DE4424565C1 (de) | 1995-08-24 |
| AU691622B2 (en) | 1998-05-21 |
| DE59505046D1 (de) | 1999-03-18 |
| ATE176526T1 (de) | 1999-02-15 |
| EP0770201A1 (de) | 1997-05-02 |
| BR9508275A (pt) | 1997-11-04 |
| EP0770201B1 (de) | 1999-02-03 |
| ES2127535T3 (es) | 1999-04-16 |
| TW251346B (en) | 1995-07-11 |
| WO1996002807A1 (de) | 1996-02-01 |
| AU2668295A (en) | 1996-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7719675B2 (en) | Method for optical characterization and evaluation of optically variable devices and media | |
| US8840146B2 (en) | Optically effective surface relief microstructures and method of making them | |
| US6369947B1 (en) | Surface pattern | |
| MX2015005612A (es) | Cuerpo de capa multiple y metodo para producir un elemento de seguridad. | |
| CN1133434A (zh) | 利用衍射光学显现表面轮廓的方法和装置 | |
| EP0390092A3 (en) | Encoder | |
| KR100393429B1 (ko) | 각기 다른 금속 물질의 단차 측정을 위한 두 파장 백색광간섭법과 간섭계 | |
| DE102015118068B3 (de) | Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren zur kontrollierten beidseitigen Bearbeitung eines Halbleiterwafers | |
| JPH10502734A (ja) | ミクロ構造の深さを測定する方法 | |
| HUT71645A (en) | Method for determining colours from holograms | |
| KR20000011448A (ko) | 투명재료의두께를측정하기위한방법및장치 | |
| US7518739B2 (en) | Use of optical fourier transform for dimensional control in microelectronics | |
| JP5958627B1 (ja) | 摺動装置 | |
| EP3535133B1 (en) | Optical variable device | |
| Lerondel et al. | Quantitative analysis of the light scattering effect on porous silicon optical measurements | |
| RU2628377C1 (ru) | Монетовидное изделие | |
| Tavassoly et al. | Image formation in rough surfaces | |
| Tavassoly et al. | Height distribution on a rough plane and specularly diffracted light amplitude are Fourier transform pair | |
| CN1155328A (zh) | 测量微结构深度的方法 | |
| Korol’kov et al. | Spectrophotometric method for measuring the groove depth of calibration reflection gratings | |
| DE10328412B4 (de) | Verfahren zur interferometrischen Bestimmmung optischer Ebenenabstände mit Subnanometer-Genauigkeit | |
| WO2017139857A1 (en) | Relief optical device for producing of non-spectral colour images | |
| RU205653U1 (ru) | Защитная метка для идентификации металлических объектов | |
| JP2000337836A (ja) | 多波長干渉縞による形状測定方法 | |
| SU1658041A1 (ru) | Способ определени контраста интерференционного пол |