JPH10503605A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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JPH10503605A
JPH10503605A JP8534668A JP53466896A JPH10503605A JP H10503605 A JPH10503605 A JP H10503605A JP 8534668 A JP8534668 A JP 8534668A JP 53466896 A JP53466896 A JP 53466896A JP H10503605 A JPH10503605 A JP H10503605A
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デヴィッド ビー ブラウン
カレル エルベルト クウェイク
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フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
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Abstract

(57)【要約】 半導体ポリマーの活性層を具える、例えばマトリクス状に配列された画素を有するエレクトロルミネッセンス表示装置の制御装置において、フリッカ及びクロストークを低減する。この制御装置は電圧制御に基づくものとし、この制御においては画素両端間の電圧を1.6V以上にする。しかし、この制御装置は電流制御に基づくものとし、データパルスの幅でグレーレベルを決定するものとするのが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】 表示装置 本発明は、第1の電極パターンと第2の電極パターンとの間に存在する半導体 共役ポリマーの活性層を具え、前記2つの電極パターンの少なくとも一方が放出 される光に対し透明であり、且つ前記活性層に正孔を注入するのに好適な材料か らなる第1のパターンを具えるエレクトロルミネッセント装置に関するものであ る。 活性層と2つの電極層とで一つの発光ダイオード(LED)を構成しうるが、 エレクトロルミネッセンス装置は複数のLEDを、例えばディスプレイ用に発光 表面のマトリクスの形に具えるのが好ましい。 固体LEDを照明源として使用することができるとともに、例えばディスプレ イ及び表示ランプに使用することができる。このようなLED構造内の活性層と しては、ドープGaAs及びGaPのような伝統的なIII−V半導体化合物が 一般に使用されている。その動作は、活性層の両側に位置する電極から半導体材 料内に注入される電子・正孔対の再結合に基づいている。これらの再結合により エネルギーを(可視)光の形で放出し、これがエレクトロルミネッセンスという 現象である。放出される光の波長、従って色は半導体材料のバンドギャップによ り決まる。 "Applied Physics Letters 58(18)",pp.1982-1984(May 6,1991),に発表され たD.Braun及びA.J.Heegerの論文に提案されているような半導体有機ポリマー の使用はこれらのタイプの装置に使用可能な材料の数を増大させている。半導体 有機ポリマーは共役重合体鎖を有する。バンドギャップ、電子親和力及びイオン 化ポテンシャルを、共役重合体鎖の適切な選択及び適切な側鎖の選択により調整 することができる。導電性ポリマーと異なり、これらの共役ポリマーはアンドー プである。このようなポリマー材料の活性層はCVD法により製造することがで きるが、可溶性共役ポリマーの溶液のスピンコーティングにより製造するのが好 ましい。これらのプロセスにより、LED及び大発光表面を有するディスプレイ を簡単に製造することができる。 情報表示用、例えばビデオ用のマトリクスディスプレイ及びモニタは行及び列 に配列された多数の画素に分割される。特にこのタイプのマトリクスディスプレ イの駆動時に問題が通常生ずる。第1の問題は、一つの行電極又は列電極の電圧 の変化が(非選択)画素の両端間に意図しない電圧変化の影響を与えるクロスト ークとして知られている。他の問題はフリッカの問題であり、この問題は特に、 例えばビデオ情報又はデータグラフィック情報用に使用されるような大きなマト リクスにおいて発生する。更に、特にビデオ用においては、画素により種々の値 の光強度(グレーレベル)を発生させることができる必要がある。 本発明の目的は、上述した欠点の一つ以上を解消することにある。この目的の ために、本発明のエレクトロルミネッセンス装置においては、前記第1及び第2 電極パターンがオーバラップする区域において、これらの電極パターンが中間ポ リマーと相まって画素の一部分を構成し、且つ当該装置は駆動回路を具え、該駆 動回路が、動作時に、非選択画素の位置における第1電極パターンに第2電極パ ターンに対しゼロ又は負の電圧を供給するとともに、選択画素の位置における第 1電極パターンに第2電極パターンに対し1.6V以上の正の電圧を供給するこ とを特徴とする。このような電圧では、小光出力を依然として観察することがで きる。 本発明は、LED構造の整流特性が、マトリクス構造のこのような表示装置を パッシブ表示装置に一般に使用されている駆動方法、例えばアルト及びプレシコ によるマルチプレックスモード(IEEE Transactions on Electron Devices,Vol .ED21,February 2,1974,pp.146-155)のような駆動方法により駆動すること を不可能にするという認識に基づいている。画素と関連するダイオードは非選択 中は第1電極パターンに第2電極パターンに対しゼロ又は負の電圧を与えること によりスイッチオフする必要がある。選択中は、これらのダイオードは、第1電 極パターンに第2電極パターンに対し十分に高い電圧、即ち1.6V以上の正電 圧を与えることによりスイッチオンさせてLEDに十分な電流を搬送させる必要 がある。このような電圧ではクロストークは殆ど生じない。第2電極パターンに 対する第1電極パターンの正電圧は20V以下にして、駆動電子回路(IC)を 簡単且つ安価なIC技術で実現可能にするのが好ましい。 選択時間は通常は用途及び使用するポリマー材料に依存する。第1及び第2電 極パターンがストリップ状選択電極及びデータ電極を具える本発明の装置におい ては、駆動回路は選択時に選択電極に5マイクロ秒以上のパルス幅を有する選択 パルスを供給するものとするのが好ましい。このようなパルス幅では、高い画像 周波数を何の問題もなしに実現でき、フリッカを抑える(60Hz以上)と同時 に多数の行(>1250)を駆動することができる。 本発明のエレクトロルミネッセンス装置の好適実施例においては、第1及び第 2電極パターンのオーバラップ区域において、これらの電極パターンが中間のポ リマーと相まって画素の一部分を構成し、且つ当該装置は駆動回路を具え、該駆 動回路が、動作時に、非選択画素の位置における第1電極パターンに第2電極パ ターンに対しゼロ又は負の電圧を供給するとともに、1以上の画素の各選択時に 選択画素にほぼ一定の電流を供給し、前記一定の電流の値を表示すべきグレーレ ベルにより決定することを特徴とする。 個々の画素(LED)は電流制御により極めて良好に調整することができるこ とを確かめた。この場合には、選択中駆動回路が表示すべきグレーレベルにより 決まるパルス幅を有するデータパルスをデータ電極に供給することにより光強度 変化(グレーレベル)を得ることができる。このグレーレベル調整は少なくとも 50ナノ秒のパルス幅で既に実現される。 他方、駆動回路により1以上の画素の各選択時に選択画素にほぼ一定の電流を 供給し、この電流の値を表示すべきグレーレベルにより決定することによりグレ ーレベルを得ることもできる。 本発明のこれらの特徴及び他の特徴は以下に記載する実施例の説明から明らか になる。 図面において、 図1は本発明表示装置の一部分の平面図であり、 図2は図1のII−II線上の断面図であり、 図3は本発明表示装置の等価回路図であり、 図4〜11はこのような装置における種々の制御信号を示し、 図11は図2に示す装置の変形例を示す。 これらの図は略図であり、正しい寸法比で描かれてない。対応する素子は同一 の参照番号で示されている。 図1は導電材料からなる電極層の2つのパターン12、13間に活性層11を 有する表示装置10の一部分の平面図であり、図2はその断面図である。この実 施例では、電極12が列電極又はデータ電極を構成し、電極13が行電極又は選 択電極を構成する。このようにすると、これらの電極と中間の活性材料とが相ま って発光ダイオード(LED)14のマトリクスを構成し、本願ではこれらの発 光ダイオード14を画素14又はピクセル14とも称す(図3)。少なくとも一 方の電極パターンが活性層内で放出される光に対し透明である。動作中、列電極 又はデータ電極12は、活性層に正孔を注入するためにこれらの電極が選択電極 13に対し十分に正の電圧を有するように駆動される。これらの電極12の材料 は高い仕事関数を有し、通常酸化インジウム又は酸化インジウム−錫(ITO) の層により構成される。特にITOがその高い導電率及び透明度のために好適で ある。選択電極13は活性層に電子を注入する負電極(電極12に対し)として 作用する。この実施例では、この層の材料はアルミニウムである。低い仕事関数 を有する材料、例えばインジウム、カルシウム、バリウム又はマグネシウムを選 択するのが好ましい。通常大電流が行電極を経て流れるために、これらの電極は 低い抵抗値を有し、この低抵抗値は例えば材料の選択又は層厚の選択により得ら れる。 ITOの電極12は蒸着、スパッタリング又はCVD法により設ける。これら の電極及び一般には電極13も慣例のフォトリソグラフィ法により、又は蒸着処 理中に装置10の所望のパターンと一致するマスクを用いて部分スクリーニング により所要のパターンに構成する。 活性層又は発光層11用に好適な共役ポリマーはポリ(3−アルキルチオフェ ン)及びポリ(p−フェニレンビニレン)(PPV)を主成分とするポリマーで ある。可溶性共役ポリマーが好ましい。その理由は、これらの活性層を、例えば スピンコーティング法で容易に製造することができるためである。 可溶性共役PPV誘導体の例にはポリ(ジアルコキシ−p−フェニレンビニレ ン)及びポリ(ジアルキル−p−フェニレンビニレン)がある。これらのポリマ ーのフェニレン基はしばしばアルコキシ基又はアルキル基と2,5位置で置換さ れる。第1グループの代表例は、例えばポリ[2−メトキシ,5−(2−エチル ヘキシルオキシ)−p−フェニレンビニレン](MET−PPV)及びポリ[2 −メトキシ,5−(3,7−ジメチルオクチルオキシ)−p−フェニレンビニレ ン]であり、前者は活性層に使用すると黄−橙色光を放出し、後者は橙色光を放 出する。第2のグループの代表例は、例えばポリ[2−メチル−5−(n−ドデ シル)−p−フェニレンビニレン]、ポリ[2−メチル−5−(3,7−ジメチ ルオクチル)−p−フェニレンビニレン]及びポリ[2−メチル−5−(4,6 、6−トリメチルヘプチル)−p−フェニレンビニレン]である。後者の3つの ポリマーは活性層に使用すると緑色光を放出する。 共役ポリマーの調製方法に応じて、ポリマーは15%までの非共役単位を含む ことができる。このような非共役単位は光子の数/活性層内の注入電子により定 義されるエレクトロルミネッセンス効率を向上させる。 上述の共役PPV誘導体は通常の有機溶剤、例えばクロロホルムのようなハロ ゲン化炭化水素及びトルエンのような芳香族炭化水素に可溶性である。アセトン 及びテトラハイドロフランを溶剤として使用することもできる。 共役ポリマーの重合度は10〜100,000である。 共役ポリマーの活性層は一般に10〜250nmの厚さ、特に100〜200 nmの厚さを有する。 LED構造は、例えばガラス、石英ガラス、セラミック材料又は合成材料から なる基板上に設けることができる。透光性基板又は透明基板を使用するのが好ま しい。フレキシブルエレクトロルミネッセンス装置が望ましい場合には、合成材 料の透明箔を使用する。透明でフレキシブルな好適な合成材料は、例えばポリイ ミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリエチレン及びポリ ビニルクロライドである。 図3はこのようなLED14のn行×m列のマトリクスの一部分の等価回路図 である。この装置は更に行選択回路15(例えば、マルチプレクサ回路)及びデ ータレジスタ16を具える。外部から供給される情報17、例えばビデオ信号を 処理装置18内で処理する。この処理装置18は、表示すべき情報に応じて、デ ータレジスタ16の各部分を供給リード19を経て充電し、トランジスタ22( 本例ではpnpトランジスタ)のベース23に前記情報に関連する電圧をライン 21を経て供給する。この実施例では、実際の列導体12をトランジスタ22の コレクタ24に導電接続するとともに、これらのトランジスタのエミッタ25を 抵抗26を経て固定電圧、本例では接地された電圧源27の+2Vの電圧に接続 する。ほぼ同一の抵抗値を有する抵抗26及びレジスタ16によりベース23に 供給される電圧を、この実施例ではトランジスタ22及び抵抗26の組合せがほ ぼ理想電流源とみなせるように選択する。しかし、この電流源は、その電流をコ レクタを経て放出しうる場合に流すことができるのみである。この目的のために は、行電極13の電圧は十分に低くする必要がある。この行選択電圧は行選択回 路15により供給される。行の選択とライン21への電圧供給との間の相互同期 は駆動装置18により駆動ライン20を経て行われる。 このような装置に関連する種々の駆動信号を図4〜10に示す。図4〜6は、 上述の実施例において、ライン1、2及びnを選択電圧Vselにより期間tL中選 択する行選択信号又はライン選択信号を示す。これらの選択信号は、例えば画像 周期又は(本例の場合のように)フレーム周期tfに等しい周期の残りの期間中 、非選択電圧Vnonselを供給する。 フレーム周期中に、列又はデータ電極12に、画素P11及びP12が0及び約1/ 2I0の強度で光を放出するような電圧が、画素P21及びP22が約1/2I0及びI0 の強度で光を放出するような電圧が、画素Pn1及びPn2が3/4I0及び約1/4I0の 強度で光を放出するような電圧が供給される。ここで、I0は最大輝度である。 図7及び8は、装置が電圧により制御される場合に列電極12に供給される電 圧を示す(この場合には図3に示す電流源22が存在しないで、データ電圧がレ ジスタ16から列電極12に直接供給される)。瞬時t0から、ライン1が電圧 Vselにより期間tL中選択されるとともに、電圧−VD及び−1/2VDが列1及び 列2の列電極に供給される。この場合、ダイオード構造両端間の電圧はアノード からカソードの方向に見てそれぞれ(−VD−Vsel)及び(−1/2VD− Vsel)になる。瞬時t1から、ライン2が電圧Vselにより期間tL中選択される とともに、電圧0及び+VDが列1及び列2の列電極に供給される。この場合、 ダイオード構造両端間の電圧はそれぞれ−Vsel及び(VD−Vsel)になる。同 様に、ラインnが瞬時tn-1から電圧Vselにより期間tL中選択されるとともに 、電圧−1/2VD及び−1/2VDが列1及び列2の列電極に供給される。この場合、 ダイオード構造両端間の電圧はそれぞれ(+1/2VD−Vsel)及び(−1/2VD− Vsel)になる。 この場合には、Vsel及びVDを、(例えば、負値のVselに対し)LED構造 両端間の電圧が(−VD−Vsel)のとき殆どコンダクタンスを示さず、光をちょ うど放出しなくなるが、(VD−Vsel)のとき光を強度I0で放出するように選 択する。LED両端間の電圧と放出光強度との間に直線関係が存在するものと仮 定すれば、画素は上述した強度で光を放出する。実際には、この関係は非線形で あるため、LEDの強度電圧変化(及びしきい値電圧のような他の特性)の補正 を考慮する必要がある。 電圧Vnonselは、例えば最大データ電圧より大きい正の値(Vnonsel>VDmax )に選択して、非選択期間中、列電極の電圧と無関係に、LED構造の両端間に 、アノードからカソードに見て、常に負又はゼロ電圧が存在するように選択する 。 しかし、電流源22、26を使用すると、搬送電流と光強度との間にほぼ直線 関係が得られる。これは、LEDの放出光量を電流変調により制御する可能性を もたらす。この場合にはデータレジスタ16はトランジスタ22のベース23に 入力情報に関連する電圧を供給し、関連する電流値が0とI0との間のLED放 出光に対応する値の間で変化するようにする。 しかし、入力情報17を、(例えば、ディジタル技術により)、この情報と関 連するグレーレベルをパルス幅として記憶するように処理するのが好ましい。列 1、2、nと関連するトランジスタのベースと関連する電圧変化を図9及び10 に示す。期間t0−t1中、列1と関連するトランジスタは選択されず、列2と関 連するトランジスタが1/4tL中そのベースで電圧V0により選択される。この電 圧は、抵抗26とともに、トランジスタ22が常にI0の強度の光を放出す る電流を搬送するように選択する(例えば、電圧源27に接続されたエミッタ抵 抗26の共通接続点の電圧が+2Vのとき0V)。この場合、画素P11及びP12 の光強度はそれぞれ0及び1/4I0になる。ここでも、同様に、Vnonselは、列電 極の電圧と無関係に、データ電極と行電極との間の電圧が(LED構造の両端間 で、アノードからカソードに見て)常にゼロ又は負になるするように選択する。 期間t1−t2中、列1と関連するトランジスタが1/2tL中そのベースで電圧V0 により選択され、列2と関連するトランジスタがtL中そのベースで電圧V0に より選択される。この場合、画素P21及びP22の光強度はそれぞれ1/2I0及びI0 になる。期間tn-1−tn中、列1と関連するトランジスタが3/4tL中そのベー スで電圧V0により選択され、列2と関連するトランジスタが1/4tL中そのベー スで電圧V0により選択される。この場合、画素Pn1及びPn2の光強度はそれぞ れ3/4I0及び1/4I0になる。 値I0の光強度は本例ではパルス幅tLのデータパルスで達成されるが、この値 はもっと短いパルスで達成することができる。即ち、図9及び10に示すデータ パルスは実際のライン期間tLよりはるかに短いパルス幅を有するものとするこ とができる。 前文に記載したように、LED構造(画素)両端間の順方向電圧を十分高くし て(>1.6V)これを導通させ、光放出を発生させるものとすれば、LED構 造両端間の電圧を、図4〜8につき説明した電圧制御を使用する場合には、広い 範囲内で変化させることができるが、実際上の理由(駆動電圧をICにより供給 する必要がある)のためにこの電圧は20V以下に維持するのが好ましい。しか し、これは装置の動作のために厳密に必要とされるわけではない。 また、選択パルス(従ってデータパルス)のパルス幅も両実施例において広範 囲に亘って変化させることができる。コンピュータモニタ用においては、5μs の最小パルス幅を十分に使用しうる。 電流制御を使用すると、50nsのデータパルスを使用しうる。上述の電圧はこ れらのパルス幅で満足であることが確かめられた。これより小さいパルス幅では 、必要とされる電圧が急速に大きくなり、上述した実際上の欠点を導き、原則と して使用不可能である。 図11は、透明電極12を導電性ポリマーの領域として設けた本発明装置を示 す。この目的のためにポリマーの透明電極層を構成する。この電極層は異なる電 気特性を有する領域を有する。即ち、この電極層のポリマーは、位置に応じて、 導通状態及び非導通状態である。正孔注入用の実際の電極として機能する導電領 域12に加えて、ポリマー層は電気的に絶縁性の領域8を具える。ここで電気的 に絶縁性とは使用する層厚で108Ω/スクエア以上の表面抵抗率であることを 意味する。使用する層厚では、導電領域は最大で1kΩ/スクエアの表面抵抗率 を有し、従って電極として好適である。 透明電極層用に好適なポリマーはポリアニリン(PANI)及びポリ−3,4 −エチレンジオキシチオフェン(PEDOT)である。これらのポリマーは導電 状態にも絶縁状態にもすることができる。 要するに、本発明は、半導体ポリマーの活性層を有する、例えばマトリクスの 形態に配列された画素からなるエレクトロルミネッセンス表示装置の制御装置に 関するものであり、これによりフリッカ及びクロストークを低減するすることに ある。制御装置は電圧制御に基づくものとし、画素両端間の電圧を1.6V〜2 0Vの範囲にすることができるが、電流制御に基づくものとし、選択パルスの幅 でグレーレベルを決定するものとする方が好ましい。 本発明はマトリクスディスプレイに関し説明したが、上述の駆動方法及び装置 はセグメント画像電極を有する表示装置(英数字ディスプレイ)又は単−LED 構造にも使用することができる。 図示の電流源の代わりに、npnトランジスタ又はMOSトランジスタからな る電流源を使用することもできるとともに、演算増幅器からなる電流源を使用す ることもできる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クウェイク カレル エルベルト オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ 1

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.第1の電極パターンと第2の電極パターンとの間に存在する半導体共役ポリ マーの活性層を具え、前記2つの電極パターンの少なくとも一方が放出される光 に対し透明であり、且つ前記活性層に正孔を注入するのに好適な材料からなる第 1のパターンを具えるエレクトロルミネッセンス装置において、前記第1及び第 2電極パターンがオーバラップする区域において、これらの電極パターンが中間 のポリマーと相まって画素の一部分を構成し、且つ当該装置は駆動回路を具え、 該駆動回路が、動作時に、非選択画素の位置における第1電極パターンに第2電 極パターンに対しゼロ又は負の電圧を供給するとともに、選択画素の位置におけ る第1電極パターンに第2電極パターンに対し1.6V以上の正の電圧を供給す ることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。 2.前記正電圧は20V以下であることを特徴とする請求項1記載のエレクトロ ルミネッセンス装置。 3.前記第1及び第2電極パターンがストリップ状の選択電極及びデータ電極を 具え、且つ選択時に、前記駆動回路が選択電極に少なくとも5マイクロ秒のパル ス幅を有する選択パルスを供給することを特徴とする請求項1又は2記載のエレ クトロルミネッセンス装置。 4.前記駆動回路が選択中の画素にほぼ固定値を有する電流を供給するとともに 、グレーレベルを選択パルスの幅により決定することを特徴とする請求項3記載 のエレクトロルミネッセンス装置。 5.第1の電極パターンと第2の電極パターンとの間に存在する半導体共役ポリ マーの活性層を具え、前記2つの電極パターンの少なくとも一方が放出される光 に対し透明であり、且つ前記活性層に正孔を注入するのに好適な材料からなる第 1のパターンを具えるエレクトロルミネッセンス装置において、前記第1及び第 2電極パターンがオーバラップする区域において、これらの電極パターンが中間 のポリマーと相まって画素の一部分を構成し、且つ当該装置は駆動回路を具え、 該駆動回路が、動作時に、非選択画素の位置における第1電極パターンに第2電 極パターンに対しゼロ又は負の電圧を供給するとともに、1以上 の画素の各選択時に選択画素にほぼ一定の電流を供給し、前記一定の電流の値が 表示すべきグレーレベルにより決定されることを特徴とするエレクトロルミネッ センス装置。 6.選択時に、前記駆動回路が選択画素に少なくとも50ナノ秒のパルス幅を有 するパルスを供給することを特徴とする請求項5記載のエレクトロルミネッセン ス装置。 7.前記第1及び第2電極パターンがストリップ状の選択電極及びデータ電極を 具え、且つ選択時に、前記駆動回路が選択電極に少なくとも5マイクロ秒のパル ス幅を有する選択パルスを供給することを特徴とする請求項1又は2記載のエレ クトロルミネッセンス装置。 8.前記第1電極パターンが電極層の一部分を構成し、該電極層には電気的に絶 縁性のポリマーの領域がパターンに配列されていることを特徴とする請求項1〜 7の何かに記載のエレクトロルミネッセンス装置。 9.前記電極層はポリアニリン又はポリ−3,4−エチレンジオキシチオフェン からなることを特徴とする請求項8記載のエレクトロルミネッセンス装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4864207B2 (ja) * 1999-04-30 2012-02-01 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法

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