JPH10504603A - タンタルの製造および製品 - Google Patents

タンタルの製造および製品

Info

Publication number
JPH10504603A
JPH10504603A JP7530346A JP53034695A JPH10504603A JP H10504603 A JPH10504603 A JP H10504603A JP 7530346 A JP7530346 A JP 7530346A JP 53034695 A JP53034695 A JP 53034695A JP H10504603 A JPH10504603 A JP H10504603A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reduction
reducing agent
tantalum
temperature
sodium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP7530346A
Other languages
English (en)
Inventor
ヒルドレス,リチャード
Original Assignee
エイチ・シー・スターク・インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エイチ・シー・スターク・インコーポレーテッド filed Critical エイチ・シー・スターク・インコーポレーテッド
Publication of JPH10504603A publication Critical patent/JPH10504603A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B34/00Obtaining refractory metals
    • C22B34/20Obtaining niobium, tantalum or vanadium
    • C22B34/24Obtaining niobium or tantalum
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/24Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 大きな表面積と大きなキャパシタンスと低い漏れおよび高いブレイクダウン電圧を有する微細なタンタル粉末が、高度に希釈されたフルオロタンタル錯塩の装填材(32)を高い反応温度においてナトリウム還元することによって製造され、この場合、ナトリウム還元剤(40)を装填材(34)の溶融物に還元反応の全工程にわたって添加される実質的に同じ重量のスラグの時系列の形で段階的に添加し、そして温度制御因子としての各々のスラグによって与えられる還元の発熱を用いて行う。

Description

【発明の詳細な説明】 タンタルの製造および製品発明の背景 本発明は、高い比キャパシタンスと低い比漏れおよび高いブレイクダウン電圧 を有するコンデンサ用タンタル粉末の製造に関する。 一般に、ナトリウムの還元によってフルオロタンタル錯塩の供給源から、この 供給源をNaClのような希釈剤でできるだけ高く希釈して、タンタルを製造する ときに、より微細なタンタル粉末を得ることができる。しかし、希釈率が高いほ どタンタルはより多くのナトリウムを取り込み、その結果、高い漏れと低いブレ イクダウン電圧を招く。 本発明の主要な目的は、それにもかかわらず高い希釈還元を用いて、そのよう な困難を避けるような効果的な方法を提供することである。発明の概要 上記の目的は、1000℃のオーダーの高い温度で行われる高い希釈還元によ って達成される。これは通常、相反する要件である。というのは、温度が高いほ ど、還元によって生じる新しく形成されるタンタルの結晶粒の望ましくない成長 を招き、また、反応温度が高いほど反応容器の壁(典型的にはニッケル合金)か ら金属が捕捉される傾向が高く、これによって、得られるタンタル粉末の漏れが 高くなるからである。本発明においては、より高い温度とナトリウム還元剤の段 階的な添加を結び付け、ナトリウムの供給全体にわたって時間間隔をおいて連続 してスラグの細分を行う。これによって上記の困難が克服され、本発明の上記の 主要な目的を満足するタンタルの最終製品が得られる。そのプロセスはタンタル の還元のみならずニオブにも適用でき、また多くの塩の供給源と還元剤およびそ のような供給源とともに用いられる希釈物質にも適用できる。 本発明の特徴とするところは、目的とするタンタルおよび/またはニオブの粉 末を、反応容器内でアルカリ金属ハロゲン化物の塩で希釈された前記目的金属の 錯体アルカリ金属のフルオロ金属塩の装填材のアルカリ金属還元によって製造す る方法であって、:還元処理を高速度で行い、装填材にアルカリ金属還元剤のス ラグユニットを時折添加し、このとき還元剤のスラグユニットを添加する周期と スラグの添加量は装填材の量と還元処理温度と還元物質の移動度に応じてコント ロールされ: (a)還元反応において還元剤を実質的に完全に使用して、それによって単離し た目的の金属製品(Ta、Nb)の中の還元剤の残留汚染物質の量を10ppm未満 とし、 (b)同時に、捕捉された還元容器材料を還元剤によって還元し、それによって 単離した目的の金属製品(Ta、Nb)の中のその全ての材料の残留汚染物質の量 を約50ppm未満とし、 (c)還元処理温度を通常のレベルより高い温度すなわちタンタルについて95 0〜1050℃(そしてニオブについても通常の還元温度よりも高い同等の温度 )に維持し、そしてより正確には還元処理の実質的に全体にわたってその広い範 囲内で約10℃以下の狭い領域に維持し、これを還元反応による発熱によって得 られる熱エネルギーを利用して行い、またこのわずかに狭い選ばれた範囲を達成 するのに必要な場合は反応物質を補助的に加熱または冷却し、しかし還元温度を その範囲内に維持するためには還元剤を時折添加することを主として利用し、そ して (d)反応物質の強制流動を連続的にまたは規則的に行い、その結果、還元処理 の実質的に全体にわたって反応物質を均質化して、 それによって、化学的、電気的および幾何学的特性が向上した単離した目的の 金属粉末が得られ、同時にこれを、単一の反応容器内で大容量かつ高速度で行う ことのできる製造プロセスによって得る、という方法である。 その他の目的、特徴および利点は、添付図面を参照して以下で行う好ましい実 施態様の説明によって明らかになろう。図面の簡単な説明 図1は、本発明の実施において用いられる反応容器および関連するコントロー ルの断面図である。好ましい実施態様の詳細な説明 本発明の方法は、好ましくは垂直に配置した撹拌式反応器バッチ処理装置で実 施される。そのような反応器10が図1に示されている。これは、ドーム状の底 部14と容器のフランジ18に嵌合された反応器ヘッド16とを有する反応容器 12からなる。容器のサイズは典型的には、直径3〜8フィート(91〜244 cm)および高さ4〜8フィート(122〜244cm)のオーダーである。撹拌機 20が、容器の最初の固体内容物が溶融した後に容器内の溶融充填物を撹拌する ために設けられている。撹拌機は、放射状の、あるいは円周方向の、あるいはら せん状の羽根22を有することができて、羽根は、カップリングCとシャフトシ ールSを介してモーターM1によって駆動される中央の回転シャフト24を取り 囲んでいる。別のモーターM2はシャフトを長手方向に移動させる(従って撹拌 機の羽根を長手方向に移動させる)。シールSからこぼれたものがあれば、これ を捕捉ディスクが捕捉する。 最初の充填物30はタンタル塩供給源(例えばK2TaF7)からなる底の層3 2であり、これは散布された希釈塩(NaCl)の厚い層34と微細なタンタル粒 子の薄い層36で覆われている。典型的な充填物は、660ポンド(299kg) のK2TaF7(層32)と、各々100ポンド(45.4kg)のNaClの4層(3 4)と、各々2.5ポンド(1.13kg)のタンタル微細粒子(サブミクロンの粉 末)の4層(36)とからなる。充填物を入れた容器は通常の流体処理装置(図 示せず)を用いてアルゴンまたはその他の不活性ガスで3〜6時間フラッシされ て不純物が除去され(パージされ)、容器の回りに配置された外部ヒーターHを 用いて加熱され、そして還流する空気の流れF(これはコントロールされた冷却 を与えるためにも用いられる)を用いてヒーターの温度に実質的に長手方向で追 従する均一で選択された容器温度にされる。温度をモニターするために熱電対T C-1およびTC-2がヒーターと撹拌機シャフト上に設けられる。追加の熱電対 TC-3、TC-4、その他を設けてもよい。 最初のパージを行い、撹拌機を上昇させた後、容器は975℃の充填物温度と なるようにコントロールされた熱エネルギー入カ条件において4〜5時間加熱さ れる(そしてパージは続けられる)。NaClとK2TaF7は溶融する。撹拌機が 溶融物中に下降され、回転が開始される。充填物が980℃になるように熱エ ネルギーが調整される。次いで、供給ポート40を通して還元剤(ナトリウム、 Na)の添加が、多数の’スラグ’を添加する形で、例えば5.5〜6.5ポンド (2.49〜2.95kg)の25〜35のスラグの形で、開始される(Naの蒸留 を制限するために最後の5〜10の添加は平均以下にされる)。各々のスラグは 液体の状態であり、この添加はさらに1〜2時間以上に及ぶ。Naのスラグは1 5〜20秒すなわち900〜1000ポンド/時(408〜454kg/時)の供 給速度で反応器に装入される。 Naを添加する全期間にわたって撹拌機を溶融物中で回転させる。各々のNaス ラグが添加された後、撹拌機を約1分間下降させ、次いで、次のスラグのために 最初の高さレベルまで上昇させる。 各々のスラグが溶融した充填物とぶつかり、それによって数秒間還元反応が行 われ、またそれと同時に溶融物の撹拌(これに加えて対流撹拌)によってスラグ は拡散する。還元反応によってK2TaF7からタンタルが化学的に解放され、そ して幾つかの副生物としての塩が生じる。このことは当分野において周知である 。この反応は発熱反応であり、熱エネルギーによって溶融物の温度が1000℃ まで上昇するが、このとき必要であれば外部の加熱/冷却手段によって調整され る。 全てのNaの添加が完了し、K2TaF7が実質的に完全に還元された後、溶融物 を900℃に0〜2時間保持してもよく、次いで周囲温度までゆっくり冷却させ る。’固まった’物質が残り、当分野で知られた工程で、これを粉砕し、浸出を 行い(leach)、洗浄し、濾過し、これによってタンタル粉末を単離する。この 粉末をふるいにかけ、ブレンドしてもよく、次いでキャパシタンスを形成するた めの一次粉末として用いる。あるいは凝集/予備焼結によって多孔質の粉末物質 (二次粉末)に凝集させる。 一次または二次粉末を、一次または二次段階で(あるいは最初の還元の間に) 他の材料(例えばリン、ケイ素、窒素)を添加することによって改質することが できる。そのような添加物(あるいはそれらの配合物源)が還元の間に添加され る場合、それを、反応器内で酸化条件が形成されることが避けられるような方法 で行う必要がある。これは、添加剤種の還元(例えば酸化剤配合物源は好ましく ない)およびそれらの添加のタイミング調整によってコントロールすることがで きる。粉末(特に二次粉末)は、マグネシウムまたはカルシウム還元剤を用いた 加熱によって脱酸することができる。 完成した一次および二次粉末製品の試験が従来技術による対照物との比較によ って行われ、本発明によって製造された粉末のキャパシタンスの向上と漏れの減 少がおおむね示された。 本発明の実施とそれによって得られた結果を、以下の非限定的な実施例によっ てさらに説明する。実施例 1 6つのロットのタンタル粉末が上述のプロセスを用いて製造された(すなわち 上述の還元プロセス、凝集、および脱酸によって製造された)。これらの粉末中 の7種の不純物の濃度を表1に要約して記載する。酸素の濃度は平均で1200 ppm未満であり、炭素の濃度は平均で13ppmである。金属の濃度は検出限度近傍 またはそれ以下である。 炭素、ナトリウム、カリウム、および高い酸素は、タンタル粉末の電気的品質 を低下させることが知られている。遷移金属は、不均質な形態で存在している場 合は品質上の問題を生じさせることがある。これらの結果は、この方法によって 化学的品質が著しく改善されたコンデンサ用のタンタル粉末が製造されることを 証明している。実施例 2 実施例1で挙げた粉末からタンタル0.14グラムを含有するペレットを圧縮 成形した。ペレットを真空中で1400℃または1500℃で20分間焼結した 。1400℃で焼結したペレットを0.1V/V%のリン酸溶液中で100Vま で陽極酸化した。1400℃で焼結したペレットは140Vまで陽極酸化した。 生成温度(formation temperature)は80℃で、電流密度は100mA/gm、そ して生成電圧は2時間であった。陽極酸化したペレットを、生成電圧の70%の 電圧を負荷した後、2分間の漏れ試験に供した。キャパシタンスを、当分野で周 知の方法を用いて測定した。 粉末の電気特性を表2に要約して記載する。キャパシタンスは、従来の連続的 で緩慢な供給による還元プロセスを用いて得られたものよりも著しく高い。14 00℃の焼結と140Vの生成における非常に低い漏れ電流は、粉末の優れた化 学的特性を表している。 他の実施態様、改良、細部、および用途を、上記の開示の字句および精神と調 和して、そして本特許の範囲内で成し得て、その範囲は以下の請求の範囲によっ てのみ限定され、請求の範囲は特許法に従って、同等物の原則を包含して解釈さ れる、ということが当業者には自明であろう。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.目的とするタンタルおよび/またはニオブの粉末を、反応容器内でアルカリ 金属ハロゲン化物の塩で希釈された前記目的金属の錯体アルカリ金属のフルオロ 金属塩の装填材のアルカリ金属還元によって製造する方法であって、改良点が: (a)還元処理を高速度で行い、装填材にアルカリ金属還元剤のスラグユニット を時折添加し、このとき還元剤のスラグユニットを添加する周期とスラグの添加 量は装填材の量と還元処理温度と還元物質の移動度に応じてコントロールされ、 それによって還元反応において還元剤を実質的に完全に使用して、その結果、単 離した目的の金属製品(Ta、Nb)の中の還元剤の残留汚染物質の量を10ppm 未満とし、 (b)還元処理温度を通常のレベルより高い温度すなわちタンタルについて95 0〜1150℃(そしてニオブについても通常の還元温度よりも高い同等の温度 )に維持し、そしてより正確には還元処理の実質的に全体にわたってその広い範 囲内で約10℃以下の狭い領域に維持し、これを還元反応による発熱によって得 られる熱エネルギーを利用して行い、またこのわずかに狭い選ばれた範囲を達成 するのに必要な場合は反応物質を補助的に加熱または冷却し、しかし還元温度を その範囲内に維持するためには還元剤を時折添加することを主として利用し、そ して (c)反応物質の強制流動を連続的にまたは規則的に行い、その結果、還元処理 の実質的に全体にわたって反応物質を均質化して、 それによって、化学的、電気的および幾何学的特性が向上した単離した目的の 金属粉末が得られ、同時にこれを、単一の反応容器内で大容量かつ高速度で行う ことのできる製造プロセスによって得る、という方法。 2.請求項1に記載の方法において、タンタルが目的金属であり、塩の供給源が 本質的にK2TaF7であり、希釈剤が主としてNaClからなり、還元温度の範囲 が1000℃〜1100℃(直接測定したとき、あるいはこれに対応して容器壁 においてはこれよりも低い温度)であり、反応物質の混合が反応容器内の回転可 能な撹拌機によって促進され、撹拌機はその回転軸に沿って周期的に移動し、 それによって反応物質内の異なる位置において規則的に撹拌が行われる、方法。 3.請求項2に記載の方法において、ナトリウムの利用がフルオロタンタル錯塩 物質の102〜106%(タンタルに対するモル%)において行われ、ナトリウ ム添加物のスラグユニットの大多数が各々、添加される全ナトリウムの2〜7% である、方法。 4.請求項3に記載の方法において、装填材とナトリウム還元剤の量が、(a) フルオロタンタル錯塩が約660ポンド(299kg)および還元剤が約200ポ ンド(90.7kg)、あるいは(b)それよりも高いかまたは低いレベルでの前 記と対応する量(同じ化学量論比)、のいずれかであり、前記の量はすべて0. 4〜1.5の希釈範囲(希釈塩対フルオロタンタル錯塩の重量比)において適用 され、ナトリウムの供給速度がその全部の添加の大部分(重量の大多数として) が1時間以内に行われるような速度であり、いずれにしても得られるタンタル粒 子のサイズが約2.0FAPD以下に限定されるような速度である、方法。 5.請求項4に記載の方法において、Ta粒子サイズ調節剤が装填材に添加され 、ただしこれは、その添加に伴う反応物質内に酸化条件が生じるのが避けられる ような方法とタイミングで行われる、方法。 6.請求項2に記載の還元プロセスによって製造される製品であって、引き続い て、反応物質からの分離工程と、サイズの選別工程と、予備焼結(凝集)工程を 行うことによって製造される製品。
JP7530346A 1994-05-19 1995-05-16 タンタルの製造および製品 Ceased JPH10504603A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/245,895 1994-05-19
US08/245,895 US5442978A (en) 1994-05-19 1994-05-19 Tantalum production via a reduction of K2TAF7, with diluent salt, with reducing agent provided in a fast series of slug additions
PCT/US1995/006012 WO1995032313A1 (en) 1994-05-19 1995-05-16 Tantalum production and product

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10504603A true JPH10504603A (ja) 1998-05-06

Family

ID=22928546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7530346A Ceased JPH10504603A (ja) 1994-05-19 1995-05-16 タンタルの製造および製品

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5442978A (ja)
EP (1) EP0763141B1 (ja)
JP (1) JPH10504603A (ja)
AT (1) ATE176504T1 (ja)
CA (1) CA2190603C (ja)
DE (1) DE69507698T2 (ja)
WO (1) WO1995032313A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005077573A1 (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Cabot Supermetals K.K. バルブ金属の製造方法
WO2005077572A1 (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Cabot Supermetals K.K. バルブ金属粉末または低級酸化物粉末の製造方法
KR20180073853A (ko) * 2016-12-23 2018-07-03 한국기초과학지원연구원 탄탈륨 분말의 제조방법

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0897096A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Sutaruku Buitetsuku Kk タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
KR100522066B1 (ko) 1997-02-19 2005-10-18 하.체. 스타르크 게엠베하 탄탈 분말, 그의 제조 방법 및 그로부터 얻어진 소결 양극
BR9807239A (pt) 1997-02-19 2000-04-25 Starck H C Gmbh Co Kg Pós de tântalo, processos para a sua preparação, bem como anodos de sinterização preparados a partir deles
CN1068809C (zh) * 1997-04-29 2001-07-25 宁夏有色金属冶炼厂 团化钽粉的生产方法
CZ303685B6 (cs) 1998-05-06 2013-03-06 H. C. Starck Inc. Práskový niob ve forme aglomerovaných primárních cástic, anoda kondenzátoru z tohoto práskového niobu a kondenzátor
DE19831280A1 (de) * 1998-07-13 2000-01-20 Starck H C Gmbh Co Kg Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern
US6323055B1 (en) * 1998-05-27 2001-11-27 The Alta Group, Inc. Tantalum sputtering target and method of manufacture
CN1069564C (zh) * 1998-07-07 2001-08-15 宁夏有色金属冶炼厂 钽粉末的制造方法
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
US6348113B1 (en) * 1998-11-25 2002-02-19 Cabot Corporation High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same
US6432161B1 (en) * 2000-02-08 2002-08-13 Cabot Supermetals K.K. Nitrogen-containing metal powder, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the metal powder
WO2001096620A2 (en) * 2000-05-22 2001-12-20 Cabot Corporation High purity niobium and products containing the same, and methods of making the same
US6659283B1 (en) * 2001-05-17 2003-12-09 Wilson Greatbatch Ltd. Capacitor grade powders
RU2189294C1 (ru) * 2001-05-23 2002-09-20 Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В.Тананаева Кольского научного центра РАН Способ получения порошка вентильного металла
US7442227B2 (en) 2001-10-09 2008-10-28 Washington Unniversity Tightly agglomerated non-oxide particles and method for producing the same
JP4236906B2 (ja) * 2002-11-01 2009-03-11 キャボットスーパーメタル株式会社 金属粉末の製造方法およびこれに使用する原料または希釈塩の評価方法
US20080011124A1 (en) * 2004-09-08 2008-01-17 H.C. Starck Gmbh & Co. Kg Deoxidation of Valve Metal Powders
RU2349656C2 (ru) * 2004-10-06 2009-03-20 Акционерное общество "Ульбинский металлургический завод" Способ производства порошка тантала и устройство для его осуществления
RU2347831C2 (ru) * 2004-10-06 2009-02-27 Акционерное общество "Ульбинский металлургический завод" Способ производства порошка тантала высокой химической чистоты и устройство для его осуществления
RU2338628C2 (ru) * 2004-10-06 2008-11-20 Акционерное общество "Ульбинский металлургический завод" Способ получения порошка тантала
EP1827739B1 (de) * 2004-12-09 2009-08-19 H.C. Starck GmbH Herstellung von ventilmetallpulvern
CN101268205A (zh) 2005-09-16 2008-09-17 H.C.施塔克有限公司 还原方法
US8257463B2 (en) * 2006-01-23 2012-09-04 Avx Corporation Capacitor anode formed from flake powder
US7511943B2 (en) 2006-03-09 2009-03-31 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a cathode coating
US7480130B2 (en) 2006-03-09 2009-01-20 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
US20080105084A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-08 Niotan, Inc. Method of production of tantalum powder with low impurity level
GB0622463D0 (en) * 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
WO2008067391A2 (en) * 2006-11-28 2008-06-05 Cima Nano Tech Israel Ltd. Process for producing ultra-fine powder of crystalline silicon
US7554792B2 (en) 2007-03-20 2009-06-30 Avx Corporation Cathode coating for a wet electrolytic capacitor
US7460356B2 (en) 2007-03-20 2008-12-02 Avx Corporation Neutral electrolyte for a wet electrolytic capacitor
US7649730B2 (en) 2007-03-20 2010-01-19 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes
DE102008064648A1 (de) * 2008-01-23 2010-05-20 Tradium Gmbh Reaktionsgefäß zur Herstellung von Metallpulvern
US8500844B2 (en) 2008-05-09 2013-08-06 Cima Nanotech Israel Ltd. Process for producing powders of germanium
US20100085685A1 (en) * 2008-10-06 2010-04-08 Avx Corporation Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates
CN101879603B (zh) * 2010-06-18 2012-05-30 江门富祥电子材料有限公司 钽粉的生产方法和装置
CN101879605B (zh) * 2010-06-18 2012-07-04 江门富祥电子材料有限公司 搅拌钠还原氟钽酸钾制取钽粉的方法及装置
US9764388B2 (en) * 2013-12-10 2017-09-19 Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd. Method for preparing tantalum powder of capacitor grade with high nitrogen content, tantalum powder of capacitor grade prepared thereby, and anode and capacitor prepared from tantalum powder
CN104801725B (zh) * 2015-05-18 2018-01-23 江门富祥电子材料有限公司 一种钠还原氟钽酸钾的反应装置及用其制造钽粉的方法
RU2647971C2 (ru) * 2015-10-20 2018-03-21 Акционерное общество "Ульбинский металлургический завод" Способ получения порошка тантала регулируемой крупности
CN107917528B (zh) * 2017-11-22 2020-11-03 泗县泽农秸秆回收利用有限公司 一种用于稀土料液的易于清洗型温度调整装置
CN119952047B (zh) * 2025-02-07 2025-11-25 湖南同创普润新材料有限公司 一种利用钽冶金副产物生产钽粉的方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL252366A (ja) * 1958-06-13
GB955832A (en) * 1959-10-21 1964-04-22 Ciba Ltd Process for the manufacture of metallic niobium or tantalum or alloys thereof
US4169876A (en) * 1978-04-24 1979-10-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for spinning flame-resistant acrylonitrile polymer fibers
US4141720A (en) * 1978-05-16 1979-02-27 Nrc, Inc. Tantalum powder reclaiming
US4149876A (en) * 1978-06-06 1979-04-17 Fansteel Inc. Process for producing tantalum and columbium powder
JPS595642B2 (ja) * 1979-02-23 1984-02-06 昭和ケ−・ビ−・アイ株式会社 タンタル粉末の製造方法
FR2595101A1 (fr) * 1986-02-28 1987-09-04 Rhone Poulenc Chimie Procede de preparation par lithiothermie de poudres metalliques
US4684399A (en) * 1986-03-04 1987-08-04 Cabot Corporation Tantalum powder process

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005077573A1 (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Cabot Supermetals K.K. バルブ金属の製造方法
WO2005077572A1 (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Cabot Supermetals K.K. バルブ金属粉末または低級酸化物粉末の製造方法
KR20180073853A (ko) * 2016-12-23 2018-07-03 한국기초과학지원연구원 탄탈륨 분말의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5442978A (en) 1995-08-22
CA2190603C (en) 2010-05-11
ATE176504T1 (de) 1999-02-15
EP0763141A4 (en) 1997-08-27
DE69507698T2 (de) 1999-06-17
WO1995032313A1 (en) 1995-11-30
EP0763141B1 (en) 1999-02-03
CA2190603A1 (en) 1995-11-30
EP0763141A1 (en) 1997-03-19
DE69507698D1 (de) 1999-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10504603A (ja) タンタルの製造および製品
JP4215911B2 (ja) ニオブ粉末凝集物
US6786951B2 (en) Process for the production of high surface area tantalum and/or niobium powders
JPS5835564B2 (ja) タンタルおよびニオブ粉末からなる群の金属粉末の製造方法
US9030799B2 (en) Processes for preparing valve metal powders, powders prepared thereby and uses therefor
US11858046B2 (en) Methods for producing metal powders
JP4187953B2 (ja) 窒素含有金属粉末の製造方法
CN1069564C (zh) 钽粉末的制造方法
RU2089350C1 (ru) Способ получения танталового порошка
RU2189294C1 (ru) Способ получения порошка вентильного металла
JP2688452B2 (ja) 高表面積、低金属不純物のタンタル粉末の製造方法
RU2284248C1 (ru) Способ получения порошка вентильного металла
RU2242329C2 (ru) Способ получения порошка тантала
JPH05331589A (ja) 稀土類−鉄合金の製造方法
CN101879605B (zh) 搅拌钠还原氟钽酸钾制取钽粉的方法及装置
JP2003213309A (ja) 多孔質金属ニオブ粉末の製造方法及び多孔質金属ニオブ粉末
RU2537338C1 (ru) Способ получения порошка тантала
IL319868A (en) Method for producing tantalum powder by potassium reduction
Rerat Producing tantalum or columbium powder

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060613

A313 Final decision of rejection without a dissenting response from the applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A313

Effective date: 20061030

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061205