JPH10506765A - 第2世代低ノイズマイクロ波電圧制御発振器 - Google Patents
第2世代低ノイズマイクロ波電圧制御発振器Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 241000282376 Panthera tigris Species 0.000 description 1
- 241001648319 Toronia toru Species 0.000 description 1
- 241000287433 Turdus Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- RDYMFSUJUZBWLH-UHFFFAOYSA-N endosulfan Chemical compound C12COS(=O)OCC2C2(Cl)C(Cl)=C(Cl)C1(Cl)C2(Cl)Cl RDYMFSUJUZBWLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/20—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/0058—Circuit elements of oscillators with particular transconductance characteristics, e.g. an operational transconductance amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0062—Bias and operating point
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0078—Functional aspects of oscillators generating or using signals in quadrature
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B27/00—Generation of oscillations providing a plurality of outputs of the same frequency but differing in phase, other than merely two anti-phase outputs
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/20—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator
- H03B5/24—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator active element in amplifier being semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
低ノイズの線形増幅器およびその増幅器からなるマイクロ波電圧制御発振器であり、VCO内の各増幅器は、比率トランジスタを用いて入力の広範囲に渡って線形出力を生成する。この増幅器からの出力は、主出力電流と同相および180°逆相電流成分とに分けられる。対数同調制御は、同相成分および180°逆相電流成分を逆比率で結合し、一定の直流帰還電流を得る。
Description
【発明の詳細な説明】発明の名称
第2世代低ノイズマイクロ波電圧制御発振器発明の属する技術分野
本発明は可変遅延を有する線形増幅器、およびそのような線形増幅器から構成
される低ノイズ・高周波電圧制御発振器に関するものである。従来の技術
セルラ無線電話配信システムの出現と情報時代の発展に伴い、VHF及びUH
Fパーソナル通信システムの重要性は増加しつつある。ここで明らかなことは、
クロック再生とアナログUHF信号処理に対する、低コストの総合的な解決策が
必要なことである。そのような通信システムを構成する主要な構成要素の一つと
して、低ノイズ(ジッタ)で、UHFの周波数で作動する必要のある電圧制御発
振器(VCO)がある。現在、コスト軽減のために、そのようなUHF発振器に
対する総合的な解決策が求められるようになってきている。
それぞれ1992年12月15日、1993年2月9日に登録となった、本願
出願人による米国特許第5,172,076号および第5,185,581号は
、差動増幅器から構成される小信号電圧制御発振器を開示している。このような
VCOは1GHzで動作可能であり、ピーク間で最大約0.15Vまでの電圧を
発生でき、代表的な値として約5ps rms、すなわち0.005単位間隔(
UI)のノイズジッタを供給する。UIは、発振周期で割った実効値のジッタで
ある。多くの場合、約0.01UIのジッタで十分であるが、将来のアナログ/
ディジタル変換技術には、1GHzで0.001UIあるいはそれ以下のジッタ
が求められる。このことは、上記の特許で達成されるものより14dBの改善が
必要であることを示している。本発明はこのような条件を満たすVCOに関する
ものである。発明の概要
本発明の目的は、マイクロ波の周波数で低ノイズの線形増幅器を提供すること
である。
また、本発明の目的は、一組の相互接続された線形増幅器からなる低ノイズの
電圧制御発振器を提供することである。
本発明のさらなる目的は、高信号レベルで高い線形特性を有する電圧制御発振
器を提供することである。
本願の第1の発明によれば、本発明は可変遅延手段を有する線形増幅器を提供
することである。この増幅器は、第1、第2、および第3のバイポーラ差動対と
、この第1、第2、および第3の差動対にそれぞれ接続された第1、第2、およ
び第3の定電流源とを備える。前記差動対で差動電流出力が生成される。また、
入力エミッタフォロワおよび関連する電流ミラーの形式をとる比率トランジスタ
で利得線形オフセット電圧を得る。
線形位相スプリッタは、前記差動電流出力を受信し、主電流出力および同相、
180°逆相電流成分を供給する。対数同調制御は、一定の直流帰還電流を供給
するために、前記同相成分および180°逆相電流成分を逆比率で結合させる。
好適な実施の形態では、帰還電流は、タップを有する負荷抵抗において主電流
と加算される。
本願の他の発明によれば、1対の線形増幅器が相互に接続されることによって
、第1の増幅器の正出力および負出力が、第2の増幅器の正入力および負入力に
それぞれ接続され、また、第2の増幅器の負出力が第1の増幅器の正入力に接続
され、第2の増幅器の正出力が第1の増幅器の負入力に接続される。各増幅器の
出
力間には、90°の位相推移が存在する。図面の簡単な説明
図1は、従来の線形増幅器を示す回路図である。
図2は、従来の2段リングオシレータの同調方法を示すブロック図である。
図3は、同調回路を含む本発明の概念を示す図である。
図4は、本発明に係る線形増幅器の詳細回路図である。
図5は、変形した同調回路を有する図4の増幅器を示す図である。
図6Aは、電圧制御発振器を形成する2つの線形増幅器の接続を示す図である
。
図6Bは、図6Aの電流制御発振器において用いられるシンボルを示す図であ
る。
図7は、ミラーフィードバック、遅延および同調を有するジャイレータのモデ
ルを示す図である。
図8Aは、本発明で用いられる図7の同調構成を示すブロック図である。
図8Bは、電流ベクトル加算の概略図である。
図9は、対数同調範囲を示すグラフである。
図10は、基本的な自動利得制御を示す回路図である。
図11,図12は、多共振器の設計を示す図である。発明の詳細な説明
本願出願人による米国特許第5,185,581号(ここで参照することによ
って、その開示内容を含む)に係る増幅器は、低ノイズVCOとして、正帰還を
有するジャイレータの原理に基づいて動作し、その主な極は右側のs面上に位置
する。同調は増幅器の利得を変化させることによって得られ、増幅器利得を変化
させることによってミラーフィードバック容量も変化し、従って、ジャイレータ
共振周波数が制御される。共振器のQ係数は、回路における損失、そして増幅器
の非線形特性および増幅器に組み込まれた遅延に依存する。共振器のQ係数を最
大にする方法を示す式は、本願出願人による現在審査中の米国特許出願番号08
/070,828に開示されており、ここでは参照することによって、その開示
内容を含むものとする。以下の式は、2つの直交小信号単一利得状態を示す。
ωo=gm/(C+GD)・・・・・・(1)
D=G/(ωo 2C)・・・・・・・・(2)
この式(1)において、共振角周波数ωoは、増幅器変換コンダクタンスgm、
ジャイレータ容量C、および、ジャイレータ損失アドミタンスGと増幅器組み込
み遅延との積で表わされ無視できる第2項によって表わされる。式(2)は、共
振器のQ係数を制御する直交条件を示しており、この条件が満たされるとQが無
限になる。実際には、発振を確実にするため、遅延Dを単一利得値より少し大き
くしなければならない。
ロビンズによる式(W.P.ロビンズ,「信号源における位相ノイズ」の52
ページ、ペレグリムス Ltd、1984年)は、発振器のノイズ特性に直接関連
する発振器の実効Q係数であるQ’は、式(3)に示すように、負荷Pにおける
発振器電力、増幅器ノイズ係数Nおよび共振器Q係数に左右されることを教示し
ている。
Q’=2QP/πNkTB・・・・・(3)
ここで、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、Bは共振器の3dB帯域幅を指
す。式(3)は、式(4)のように表すこともできる。
Q’=4Q2P/NkTωo・・・・・(4)
この式(4)から、与えられた共振角振動数ωoに対してノイズ性能は、共振
器Q係数の2乗と負荷の電力Pに比例することが明らかである。本発明の目的は
、大信号Q係数と電力Pの両方を最大にするため、大信号に対して、式(1),
式(2)で設定される理想小信号条件を近似することにある。これは、上記の米
国
特許第5,172,076号および米国特許第5,185,581号に係る増幅
器を、より大きな信号処理能力および改善された線形特性を持った増幅器に置き
換えなければならないことを意味している。同時に、ある場合には周波数が変え
られるように、この増幅器は同調可能でなければならない。
マイクロ波周波数で線形増幅器を得るために使用される本質的な原理は、現在
審査中の本願出願人の米国特許出願番号08/257,975に述べられており
、図1にその一形態が示されている。このような増幅器は、約10GHzのfT
を有した代表的なバイポーラ処理において、2GHzの3dB帯域幅を有する2
7dBの利得を持つことが可能である。また、この増幅器はピーク間電圧140
mVの入力信号を、全高調波ひずみ1%以下で増幅することができる。選択され
た増幅利得によっては、この増幅器は、負荷に少なくともピーク間電圧1.5V
を供給することができ、これは従来の増幅器で生成される信号よりも振幅が大き
い。この増幅器において重要な特徴は、カレントミラーに印加されたバイアス電
圧によって動作する自動利得制御により、利得を変化させることが可能である点
にある。従って、発振器の線形領域で動作するように、発振器の振幅を制御する
ことが可能であり、これにより共振器の大信号Q係数を最大にできる。
上記の増幅器に必要なもう一つの条件は、VCOとして動作するよう、何らか
の形で同調が可能でなければならないことである。わずかな程度(約10%)の
制御を行うための方法の一つに、図1の増幅器中に2つの信号経路(その一つは
、より大きな組み込み遅延を有する)と、それら2つの経路間の信号を変化させ
る同調手段を設ける方法がある。この方法は、異なった経路遅延を有する2つの
正弦波信号の組み合わせが歪みのない正弦波を残すので、有効となる。しかしな
がら、実際の目的のため、正常な集積回路の製造ばらつきに対処するには、10
%の同調範囲は不十分であると考えられる。
2段のリング発振器を同調するもう一つの方法は、ポットバッカー・アンド・
ラングマン著「8GHzシリコン・バイポーラのクロック回復およびデータ再生
IC」(技術論文ダイジェスト、1994年、IEEE国際半導体回路会議の1
16ページ)に説明されている。この構成では、図2に示すように、エミッタフ
ォロワEFおよび増幅器CS2、CS3における電流が、加算点S1で位相遅延
を得るよう調節されており、この遅延は増幅器CS1における遅延と一致する。
この加算点S1は、加算点S2において±90°の信号ベクトルが増幅器CS1
の出力に加えられた量を変化させるのに用いられ、これにより、組み合わされた
信号位相が変化し、その変化に伴い周波数も変化する。この回路には、約±90
°において信号位相器となるようにするため、増幅器CS1,CS2,CS3と
エミッタ・フォロワのバイアスレベルを調整する必要があるという不利な点があ
る。このようなバイアスレベル調整は、処理と温度に依存し、やっかいなもので
ある。それに加え、この従来技術に係る増幅器は、高レベルの非線形特性を有し
ている。
本発明は、本願出願人の上記米国特許、特に本願の図6Aに示すように、ジャ
イレータ共振器中の2つの増幅器によって自動的に設定される、ちょうど90°
の位相推移を利用して発振器周波数を制御する改善された方法を提供するもので
ある。この構成により、増幅器の出力の同相成分と180°の逆相成分の双方が
自動的に、正確な±90°の位相器として増幅器の入力に現れる。本発明によれ
ば、入力において一定の直流電流の和を得るために、逆変量中のこれらの成分を
制御することにより同調が行われる。
図3は、ジャイレータの1つの増幅器に対する同調構成を概念的に示すもので
ある。図3において、増幅器/電流源50は、図1に示される線形増幅器を含ん
でいる。この線形増幅器は3つの差動対を有しており、トランジスタ20,21
が第1の対を構成し、トランジスタ22,23が第2の対を、そして、トランジ
スタ24,25が第3の対を構成している。トランジスタ20,21で構成され
る対は、ノード27に接続される電流源26を備え、トランジスタ22,23で
構成される対は、ノード29に接続される電流源28を備えている。そして、ト
ランジスタ24,25で構成される対は、ノード32に接続される電流源30を
備えている。比率エミッタフォロワ34,35および逆比率カレントミラー36,
37は、トラ
ンジスタ20,22,24に入力を供給し、比率エミッタフォロワ38,39、お
よび逆比率カレントミラー40,41は、トランジスタ21,23,25に入力を
供給する。増幅器の出力は、トランジスタ42,43から構成されるカスケード
出力段を介して出力される。この出力は、審査中の本出願人による米国特許出願
番号08/257,975中で論じられているように、広範囲にわたって線形で
ある。
図1に示す線形増幅器および図3の枠50内の線形増幅器は、図4の点線の枠
51により詳細に示されている。この線形増幅器からの出力は、比M=5を有す
るカスケードトランジスタから構成される位相スプリッタ52へ供給される。同
図に示すように、2つの5xトランジスタ56,58の出力は差動出力である。
1xトランジスタ60,62からの出力は、図3に概念的に示されている調整制
御54へ供給される。再び図3を参照すると、主な出力は増幅器/電流源50の
MX出力である。1xトランジスタの出力は、各々がエミッタ結合トランジスタ
で構成される差動対に接続される。各差動対のベース電圧は、同調入力より供給
される。コレクタ出力は、負荷抵抗を介して取り出され、その出力は、図示のよ
うに増幅器の入力に接続される。
図4は、増幅器の回路をより詳細に図示しており、特にそれぞれの増幅器の入
力を介して出力が得られている点について詳細に示している。図示されているよ
うに、増幅器の過負荷を避けるため、負荷抵抗をタップ接続して減衰された入力
レベルを供給している。図4にはまた、ジャイレータミラー容量83,85が示
されている。図4では、位相スプリッタ52中の1xトランジスタ60,62は
、同調制御54内の1xトランジスタ70,72,74,76に入力される。これ
ら1xトランジスタのベースには、正入力78および負入力80を介して、差動
制御信号が入力される。位相スプリッタトランジスタ60,62の出力は、差動
同調制御入力ライン78,80における電圧入力値に応じて、入力ノード82,8
4に入力される。ノード82,84における出力は、タップ接続された負荷抵抗
86,88,90,92を介して現れ、そこでは、ノード82,84における出力は
、図6Aと関連させて説明するジャイレータの他の増幅器の位相スプリッタ内に
ある5xト
ランジスタ56,58の出力と加算される。従って差動制御入力で、出力電流が
タップ接続された負荷抵抗に向かい、これにより、次に入力電圧が線形増幅器に
入力される。
図5は、図4に示された回路の他の形態である。図5における同調制御は、図
4に示すような差動電圧ではなく、トランジスタ70,72,74,76へ入力さ
れる差動電流で行われる。
図4はまた、同調制御においてノイズの影響を軽減させる抵抗95,96,97
,98を示している。図5は、同様の目的を有する抵抗99,100を備えている
。これら全ての抵抗は同じ値を有しているが、通常は、負荷抵抗(86+88)
および(90+92)を越えない値である。
本発明の一実施の形態に係る電圧制御発振器は、図6Aに示すように、ジャイ
レータ共振器の形態をとる一対の線形増幅器で構成される。この図の中では、2
つの増幅器A1およびA2は、A2の出力がA1の入力に結合された状態で相互接続
されている。A1の正出力は、A2の負入力に接続されており、A1の負出力は、
A2の正入力に接続されている。
図6Bは、図6Aのジャイレータ共振器のシンボル表記を示している。
本発明の同調構成は、図7に示されるジャイレータモデルを参照すると、より
よく理解できる。ジャイレータは、ミラーフィードバック、遅延および同調を有
する。この同調は、電流フィードバックにより、ノード(1)からノード(2)
へ、またはノード(2)からノード(1)へ行われる。正規化された周波数偏移
は、フィードバック比に関係する。図7において、電流フィードバック比ρは、
ρ=f/gであり、そして、
δω/ω=asinρ/(asinρ+π/2)・・・・(5)
である。ここで、δω/ωは周波数偏移を示す。
図8Aは、図6Aに示されたVCOに関連する同調構成を図示したものである
。図8Aにおいて、ジャイレータポートは直交位相にある。あるポートから他の
ポートへの電流フィードバックは、そのポートの変換コンダクタ出力に加算され
、新たに組み合わせた出力を生成する。その出力は、組み合わされた成分のベク
トル和である。従って、図8Aにおいて点線で示される可変電流フィードバック
経路3および6は、それぞれ出力1および4と加算される。このベクトル加算は
、図8Bに簡潔に示されている。図8Bにおいて、ベクトル1と3が加算されて
ベクトル2が生成され、ベクトル4と6が加算されてベクトル5が生成される。
図4,5において、位相スプリッタのカスケードミラー比Mは1:5である。
そこで、式(5)に代入すると、
δω/ω=14.7%および−12.8%
が得られる。
図9で示されるように、広い周波数範囲において、同調範囲は対数特性を有す
る。この同調範囲は、周囲温度と処理変数には影響されない。
厳格に制御されたバイポーラ処理の場合、処理を補うのに必要とされる制御量
は少なくなり、供給できるフィードバック電流量を減らすことによって、発振器
の電力/周波数利得が減少し、位相ノイズが改善される。
上記のように、本発明の目的は、本願出願人の米国特許出願番号08/070
,828による小信号条件、すなわち共振器Q係数を最大にし、位相ノイズを最
小にするための式(1)および式(2)で表される条件を、大信号レベルで厳密
に
近似することにある。そのためには、増幅器が線形領域において、すなわち一定
の利得で動作する必要がある。本願出願人の米国特許第5,172,076号と
第5,185,581号に開示されている、ミラー容量を変更するために増幅利
得を変える同調方法と違って、本発明の発振器における同調メカニズムは、増幅
器の変換コンダクタンス(gm)を間接的に変更し、式(1)に従って共振器周
波数(ωo)を変更することにより、その目的を達成することができる。これは
、増幅器遅延Dを直接調整して行う。このとき、増幅器の線形領域での動作によ
って式(2)がほぼ実現されるように、自動利得制御がバイアス入力に適用され
る。式(2)によれば、損失アドミタンスGとミラー容量Cは一定に保たれてい
るため、遅延Dの変化を補う変数はωo 2である。式(1)において、ミラー容量
Cは一定であり、積GDは値の小さい第2項である。そして、ωoが式2をほぼ
満たすように、増幅器の変換コンダクタンスgmを変化させる。従って、大信号
レベルではQが最大となる。
図10は、本発明のVCOに対する基本的な自動利得制御(AGC)回路を示
す。このVCOからの出力は、容量102を介して、バイポーラトランジスタ1
04、抵抗100,108で構成されるレベル検出器と容量的に結合される。ト
ランジスタ104のベース105は、約0.75Vbeのレベルで、カットオフ以
下にバイアスされている。VCOからの出力が約0.25Vbe以上に増加すると
、トランジスタ104は、抵抗110,112を通じて導通を開始する。これに
よってコンデンサ114は放電し、ライン116上のVCOバイアス電圧を低下
させる。その結果、それぞれの出力が約0.5Vbeppの平衡状態になるまで、
VCO出力電圧が低下する。
この基本設計は、様々な形で応用することができる。例えば、VCO出力とA
GC制御入力間の固定利得の差動増幅器を、コモンモードのフィードバックを除
去するのに用いることができる。また、供給電圧を調整することも可能である。
さらに、直列の3つのシリコンダイオードを用い、1/Tに比例させて、AGC
供給電圧を調整することで、VCOの温度の安定性を500ppm/℃より良好
にすることができる。
本発明に係るVCOの更なる特徴は、増幅器の利得のため、適当な入力信号レ
ベルを低ひずみ増幅器に供給するよう、負荷抵抗がタップ接続されていることで
ある。マルチ共振器による構成において、共振器のリングが発振のリングモード
を確立し、そのマルチ共振器に対して、カスケードに動作する共振器を提供する
ため、タップ率は要求に応じて変えることができる。図11,12は、マルチ共
振器の設計の一例を示す。リングによるカスケードフィルタリングは、発振器の
Qを高める。シュミレーションをすることで、本発明に基づく単一の共振発振器
は、ピーク間電圧1.5Vの出力レベルで約1%の高調波ひずみを持つことが分
かった。この場合、支配的な歪みは第3高調波である。図12に示すように、6
つの共振器をリング状に配置することによって、カスケード接続された共振器は
、更なる高調波の高周波フィルタリングを供給する。つまり本発明は、高調波が
少なく、低ノイズの信号源をマイクロ波の周波数で供給する手段となる。
上述のように、リング状のマルチ共振器において、ピーク間電圧1.5Vの出
力レベルで、1%あるいはそれ以下の全高周波歪みレベルを得ることが可能であ
る。このような歪みレベルは、この信号振幅における約1%の残留非線形による
ものである。自動利得制御によって得られた安定動作の下では、発振の1サイク
ルにおける利得の積分は、正確に1になる。このことは、単一およびマルチ共振
発振器においても同様である。マルチ共振器の場合、1サイクルにおけるリング
利得の積分は1となる。また、残留利得の非線形のため、小信号利得は1よりわ
ずかに大きい。しかしながら、変換コンダクタンス率R>1に対して、共振器ル
ープ利得は、常にマルチ共振器のリング利得より小さい。従って、比率Rを調節
することが可能であり、1よりわずかに大きい小信号リング利得に対して、共振
器ループ利得は1に近くなる。よって、小信号レベルにおける個々の共振器のQ
係数が最大になり、発振器のQ係数が全体的に改善される。
正常な動作信号レベルで、ジャイレータの出力において生成された全高周波歪
みをTHDとすると、Rに最適な値は(1+THD)となる。
本発明の具体的な実施の形態を図示し説明したが、当業者には、これらの実施
の形態の変形や他の方法が可能であることは明らかである。しかしながら、その
ような変形や他の方法は、本願の請求項で定義される発明の範囲内のものである
ことが理解される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1. 可変遅延手段を有する線形増幅器において、 第1、第2、および第3のバイポーラ差動対と、 前記第1、第2、および第3の差動対にそれぞれ接続された第1、第2、およ び第3の定電流源と、 前記差動対で生成される差動電流出力と、 比率入力エミッタフォロワおよび関連する電流ミラーで供給される利得線形オ フセットと、 前記差動電流出力を受信し、主電流出力と、同相および180°逆相電流成分 とを供給する線形位相スプリッタと、 前記同相成分および180°逆相電流成分を逆比率で結合させ、直流帰還電流 を供給する対数同調制御とを備えることを特徴とする線形増幅器。 2. 前記位相スプリッタは、カスケード接続された比率バイポーラトランジス タを備えることを特徴とする請求項1記載の線形増幅器。 3. 前記帰還電流は、前記位相スプリッタ中のトランジスタの比率に依存する ことを特徴とする請求項2記載の線形増幅器。 4. 前記対数同調制御は、差動入力制御電圧を有することを特徴とする請求項 3記載の線形増幅器。 5. 請求項4記載の線形増幅器対を備える電圧制御発振器において、 第1の増幅器の正出力が第2の増幅器の正入力に接続され、第1の増幅器の負 出力が第2の増幅器の負入力に接続され、第2の増幅器の正出力が第1の増幅器 の負入力に接続され、第2の増幅器の負出力が第1の増幅器の正入力に接続され ることを特徴とする電圧制御発振器。 6. 前記第1の増幅器の結合された同相および180°逆相電流は、前記第1 の増幅器の入力負荷抵抗において、前記第2の増幅器の主電流出力と加算される ことを特徴とする請求項5記載の電圧制御発振器。 7. 前記入力負荷抵抗はタップ付きであることを特徴とする請求項6記載の電 圧制御発振器。 8. 抵抗のタップ率は、利得が得られるよう可変であることを特徴とする請求 項7記載の電圧制御発振器。 9. 前記帰還電流は、発振器の同調範囲を制御することを特徴とする請求項8 記載の電圧制御発振器。 10.入力エミッタフォロワに関連する電流ミラーは、バイアス入力を有するこ とを特徴とする請求項9記載の電圧制御発振器。 11.前記バイアス入力は、各増幅器の利得を制御することを特徴とする請求項 10記載の電圧制御発振器。 12.請求項1記載の線形増幅器を複数備え、前記増幅器はマルチ共振器の構成 によって接続されることを特徴とする電圧制御発振器。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/327,155 | 1994-10-20 | ||
| US08/327,155 US5483195A (en) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | Second generation low noise microwave voltage controlled oscillator |
| PCT/CA1995/000534 WO1996013095A1 (en) | 1994-10-20 | 1995-09-20 | A second generation low noise microwave voltage controlled oscillator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10506765A true JPH10506765A (ja) | 1998-06-30 |
Family
ID=23275395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8513552A Pending JPH10506765A (ja) | 1994-10-20 | 1995-09-20 | 第2世代低ノイズマイクロ波電圧制御発振器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5483195A (ja) |
| EP (1) | EP0787382B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10506765A (ja) |
| DE (1) | DE69505690T2 (ja) |
| WO (1) | WO1996013095A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635880A (en) * | 1996-03-14 | 1997-06-03 | Northern Telecom Limited | CMOS microwave multiphase voltage controlled oscillator |
| US5748050A (en) | 1996-03-29 | 1998-05-05 | Symbios Logic Inc. | Linearization method and apparatus for voltage controlled oscillator |
| US5734299A (en) * | 1996-07-25 | 1998-03-31 | Nortel Networks Corp | Microwave VCO having reduced supply voltage |
| JP2871615B2 (ja) * | 1996-09-09 | 1999-03-17 | トヨタ自動車株式会社 | 内燃機関の排気浄化装置 |
| US5880643A (en) * | 1997-11-17 | 1999-03-09 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson | Monolithic high frequency voltage controlled oscillator trimming circuit |
| US6194972B1 (en) | 1999-02-04 | 2001-02-27 | Nortel Networks Limited | Gyrator with loop amplifiers connected to inductive elements |
| US6025765A (en) * | 1998-04-08 | 2000-02-15 | Nortel Networks Corporation | Gyrator with loop amplifiers connected to inductive elements |
| EP1435842B8 (en) * | 2000-09-08 | 2011-03-02 | Abbott Vascular Inc. | Device for locating a puncture hole in a liquid-carrying vessel |
| US7361183B2 (en) * | 2003-10-17 | 2008-04-22 | Ensure Medical, Inc. | Locator and delivery device and method of use |
| US7262677B2 (en) * | 2004-10-25 | 2007-08-28 | Micro-Mobio, Inc. | Frequency filtering circuit for wireless communication devices |
| US8816659B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-08-26 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
| EP2311184A4 (en) * | 2008-07-18 | 2014-02-26 | Peregrine Semiconductor Corp | SOFTENER HIGH PERFORMANCE VOLTAGE GENERATION CIRCUITS AND METHOD |
| US9660590B2 (en) | 2008-07-18 | 2017-05-23 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
| US9030248B2 (en) * | 2008-07-18 | 2015-05-12 | Peregrine Semiconductor Corporation | Level shifter with output spike reduction |
| US8686787B2 (en) | 2011-05-11 | 2014-04-01 | Peregrine Semiconductor Corporation | High voltage ring pump with inverter stages and voltage boosting stages |
| US9413362B2 (en) | 2011-01-18 | 2016-08-09 | Peregrine Semiconductor Corporation | Differential charge pump |
| CN118117992A (zh) * | 2022-11-30 | 2024-05-31 | 华为技术有限公司 | 一种环形振荡器和通信装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1334362A1 (ru) * | 1985-10-05 | 1987-08-30 | Предприятие П/Я Р-6149 | Дифференциальный усилитель |
| JPS62144412A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-27 | Nec Corp | Cmos形差動増巾器 |
| US5079515A (en) * | 1989-05-31 | 1992-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Linearized differential amplifier |
| US5093634A (en) * | 1990-10-31 | 1992-03-03 | At&T Bell Laboratories | Merged current clamp in triple-input transconductor, for use in oscillator |
| US5172076A (en) * | 1992-03-26 | 1992-12-15 | Northern Telecom Limited | Resonant circuit formed of two amplifiers connected in a loop and multiple resonator circuits constructed therefrom |
| US5185581A (en) * | 1992-03-26 | 1993-02-09 | Northern Telecom Limited | Differential amplifier and high frequency resonant circuits constructed therefrom |
| US5239274A (en) * | 1992-05-26 | 1993-08-24 | Digital Equipment Corporation | Voltage-controlled ring oscillator using complementary differential buffers for generating multiple phase signals |
-
1994
- 1994-10-20 US US08/327,155 patent/US5483195A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-09-20 EP EP95931115A patent/EP0787382B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-20 JP JP8513552A patent/JPH10506765A/ja active Pending
- 1995-09-20 DE DE69505690T patent/DE69505690T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-20 WO PCT/CA1995/000534 patent/WO1996013095A1/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69505690T2 (de) | 1999-03-18 |
| EP0787382A1 (en) | 1997-08-06 |
| EP0787382B1 (en) | 1998-10-28 |
| WO1996013095A1 (en) | 1996-05-02 |
| US5483195A (en) | 1996-01-09 |
| DE69505690D1 (de) | 1998-12-03 |
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