JPH10508952A - Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 薄膜アクチュエーテッドミラー（Ｍ及びＮは正の整数）からなるアレイは光投射システムに用いられ、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及びＭ×Ｎ個の接続端子のアレイを有する基板を備える能動マトリックスと、各々が、第２バイアス電極用の第２薄膜電極、電気的に変形可能な下部薄膜部、信号電極用の中間薄膜電極、電気的に変形可能な上部薄膜部、ミラーのみならず第１バイアス電極の両方の働きをも果たす第１薄膜電極を備えるＭ×Ｎ個の駆動構造体のアレイとを含み、変形可能な両薄膜部は中間薄膜電極によって分離され、第１薄膜電極は上部薄膜部の上に、第２薄膜電極は下部薄膜部の底面に各々設けられ、中間薄膜電極は各接続端子を通じて各トランジスタに電気的に接続され、各駆動構造体の近位端は能動マトリックスの上面に付着されてバイモフ構造になった薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法発明の技術分野 本発明は光投射システムに関し、特に、光投射システムに用いられ、バイモフ 構造を有するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 に関する。背景技術 従来、多様なビデオディスプレーシステムのうち、光投射システムは大画面で 高画質の映像を表示し得るものとして知られている。そのような光投射システム において、ランプから発せられた光線は、例えば、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッ ドミラーからなるアレイ（以下、「アクチュエーテッドミラーアレイ」と称す） に向かって一様に入射される。ここで、各ミラーは各アクチュエータに接続され ている。このアクチュエータは、印加された電界信号に応じて変形を起こす圧電 物質または電歪物質のような電気的に変形可能な物質でできている。 各ミラーから反射された光線（以下、「反射光線」と称す）は開口（例えば、 光学バッフル）へ入射される。電気信号を各アクチュエータへ印加することによ って、入射光線に対する各ミラーの相対的な位置が変更されて、各ミラーからの 反射光線の光路が偏向される。このように、各反射光線の光路が変更されるため 、開口を通じて各ミラーから反射された光線の量が変化されることによって、該 当光線の強さが調節されることになる。開口を通じて調節された光線は適切な光 学デバイス（例えば、投射レンズ）を介して投射スクリーンに入射されて、その 上に像をディスプレイする。 図１Ａ〜図１Ｇには、光投射システムに用いられ、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエ ーテッドミラー（Ｍ及びＮは正の整数）１１からなるアレイ１０の製造過程を説 明するための断面図が各々示されている。このアレイ１０は、本特許出願と出願 人を同じくする係属中の米国特許出願０８／４３０，６２８号明細書に、「THIN FILM ACTUATED MIRRORS ARRAY」との名称で開示されている。 上記の製造プロセスにおいて、最初、上面を有し、基板２２、Ｍ×Ｎ個のトラ ンジスタ（図示せず）のアレイ、導電性ラインパターン（図示せず）及びＭ×Ｎ 個の接続端子２４のアレイからなる能動マトリックス２０が準備される。 その後、能動マトリックス２０の上面に薄膜犠牲層４０が被着される。この被 着は、薄膜犠牲層４０が金属からなる場合はスパッタリング法または蒸着法を、 ＰＳＧからなる場合は化学気相成長法（ＣＶＤ）またはスピンコーティング法を 、またはポリシリコンからなる場合はＣＶＤ法を各々用いることによって行われ る。 その後は、薄膜犠牲層４０によって取り囲まれたＭ×Ｎ個の支持部３０のアレ イを有する支持層１５が形成される。この支持層１５は、図１Ａに示したように 、フォトリソグラフィー法を用いて、薄膜犠牲層４０の上に各接続端子２４周り に位置するＭ×Ｎ個の空スロット（図示せず）のアレイを形成し、スパッタリン グ法またはＣＶＤ法を用いて、各接続端子２４周りに位置する各空スロット内に 支持部３０を形成することによって設けられる。ここで、支持部３０は絶縁性物 質からなる。 続いて、支持部３０と同様に絶縁性物質からなる弾性層７０がゾル−ゲル法、 スパッタリング法またはＣＶＤ法を用いて支持層１５の上に被着される。 しかる後、図１Ｂに示したように、最初、エッチング法を用いて、弾性層７０ の上部から各接続端子２４の上部まで延在されている、Ｍ×Ｎ個の孔（図示せず ）からなるアレイを形成し、該孔内に金属を埋め込むことによって、金属からな るコンジット３５が形成される。 その後、電気的に変形可能な物質からなる第２薄膜層６０が、スパッタリング 法によって、コンジット３５を有する弾性層７０の上部に形成される。この第２ 薄膜層６０は、支持部３０内に形成されたコンジット３５を通じてトランジスタ に電気的に接続されている。 その後、圧電物質（例えば、ＰＺＴ）からなる電気的に変形可能な薄膜層８０ （以下、「変形可能層８０と称す」）が、図１Ｃに示したように、スパッタリン グ法、ＣＶＤ法またはゾル−ゲル法を用いて、第２薄膜層６０の上部に被着され る。 続いて、変形可能層８０、第２薄膜層６０及び弾性層７０が、図１Ｄに示した ように、支持層１５が露出されるまで、フォトリソグラフィー法またはレーザ切 断法を用いて、電気的に変形可能な薄膜部８５（以下、「変形可能部８５」と称 す）のアレイ、Ｍ×Ｎ個の第２薄膜電極層６５のアレイ及びＭ×Ｎ個の弾性部７ ５のアレイに各々パターン化される。各々の第２薄膜電極層６５は、各支持部３ ０内の各コンジット３５を通じて各トランジスタに電気的に接続され、Ｍ×Ｎ個 の薄膜アクチュエーテッドミラー１１において信号電極として機能する。 しかる後、各変形可能部８５が高温（例えば、ＰＺＴからなっている場合、約 ６５０℃）にて熱処理されることによって、相転移が生じ、Ｍ×Ｎ個の熱処理済 みの構造（図示せず）のアレイが形成される。この際、熱処理済みの変形可能部 ８５の厚さは十分に薄くなっているため、圧電物質からなる場合は別に分極すべ き必要がない。これは、薄膜アクチュエーテッドミラー１１の作動の際、印加さ れた電気信号によって分極され得るためである。 その後、導電性及び光反射性物質からなるＭ×Ｎ個の第１薄膜電極層５０のア レイが、最初、図１Ｅに示したように、スパッタリング法を用いて、Ｍ×Ｎ個の 熱処理済みの構造のアレイの上部と露出された支持層１５とを完全に覆い、導電 性及び光反射性物質からなる層８８を変形可能部８５の上部に形成した後、図１ Ｆに示したように、エッチング法を用いて、層８８を選択的に取り除いて形成さ れる。その結果、一つの上面及び四つの側面を有するＭ×Ｎ個のアクチュエーテ ッドミラー構造９５からなるアレイ９０が形成される。各第１薄膜電極層５０は Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１１においてミラーだけでなくバイア ス電極としての働きをも果たす。 その後は、薄膜保護層（図示せず）が各アクチュエーテッドミラー構造９５の 一つの上面及び四つの側面全体を完全に覆うことになる。 しかる後、支持層１５の薄膜犠牲層４０がエッチング法を用いて取り除かれる 。最後に、図１Ｇに示したように、薄膜保護層が取り除かれてＭ×Ｎ個の薄膜ア クチュエーテッドミラー１１からなるアレイ１０が形成される。 しかしながら、上述したＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１１のアレ イ１０の製造方法には多くの欠陥がある。まず、変形可能部８５を形成するには 高温を要するので、薄膜犠牲層４０用の高温に耐える物質を注意深く選択しなけ ればならない。さらに、アレイ１０の製造方法も高温で行われるので、Ｍ×Ｎ個 の薄膜アクチュエーテッドミラー１１においての電極用物質及び能動マトリック ス２０における導電性ラインパターンも耐高温性を有するべきである。従って、 そのような耐高温性を有する物質は一般的に高価のため、アレイ１０の製造コス トが高まる欠点を有する。 さらに、変形可能部８５の形成の際の高温は、各薄膜アクチュエーテッドミラ ー１１の構造にも不都合の影響を与えることになり、アレイ１０の全体的な駆動 性能を低下させる短所を有する。発明の開示 従って、本発明の目的は、アレイ製造の際、高温処理を不要とする、光投射シ ステムで用いる、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを提供するこ とにある。 本発明の他の目的は、その製造の際に高温処理を要せず、かつ薄膜犠牲層に用 いる物質をより一層容易に選択し得る光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュ エーテッドミラーアレイの製造方法を提供することにある。 上記の目的を達成するために、本発明の一実施例によれば、光投射システムに 用いられ、各々がバイモフ構造を有するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ー（Ｍ及びＮは正の整数）からなるアレイであって、 上面を有し、Ｍ×Ｎ個のトランジスタからなるアレイ及びＭ×Ｎ個の接続端子 からなるアレイを有する基板を備える能動マトリックスと、 各々が、近位端及び遠位端を有し、第２バイアス電極としての機能を果たす第 ２薄膜電極、上面及び底面を有する電気的に変形可能な下部薄膜部、信号電極と しての機能を果たす中間薄膜電極、上面及び底面を有する電気的に変形可能な上 部薄膜部及びミラーだけでなく第１バイアス電極としての働きをも果たす第１薄 膜電極を備えるＭ×Ｎ個の駆動構造体のアレイとを含み、 前記電気的に変形可能な上部、下部薄膜部は前記中間薄膜電極によって分離さ れ、前記第１薄膜電極は前記上部薄膜部の上面に設けられ、前記第２薄膜電極は 前記下部薄膜部の底面に設けられ、前記中間薄膜電極は前記各接続端子を通じて 前記各トランジスタに電気的に接続され、前記各駆動構造体の近位端は前記能動 マトリックスの上面に付着されることによって前記バイモフ構造になった薄膜ア クチュエーテッドミラーを形成することを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエ ーテッドミラーアレイが提供される。 本発明の他の実施例によれば、光投射システムに用いられ、各々がバイモフ構 造を有するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー（Ｍ及びＮは正の整数）か らなるアレイの製造方法であって、 上面を有し、Ｍ×Ｎ個のトランジスタからなるアレイ及びＭ×Ｎ個の接続端子 からなるアレイを有する基板を備える能動マトリックスを形成する第１工程と、 前記能動マトリックスの上面に薄膜犠牲層を形成する第２工程と、 前記能動マトリックス上の、各接続端子の上面に形成された前記薄膜犠牲層の 一部分を取り除く第３工程と、 前記薄膜犠牲層を有する前記能動マトリックスの上面に第２導電性物質からな る第２薄膜電極層を形成する第４工程と、 前記能動マトリックスで各接続端子の上部に形成された前記第２薄膜電極層の 一部分を取り除く第５工程と、 前記能動マトリックス及び前記第２薄膜電極層の上部に電気的に変形可能な下 部層を形成する第６工程と、 各々が内面を有し、前記電気的に変形可能な下部層から前記各接続端子の上部 まで延在するＭ×Ｎ個の孔を形成する第７工程と、 前記各孔の内面を有する前記電気的に変形可能な下部層の上部に第１導電性物 質からなる中間電極層を形成する第８工程と、 前記孔を埋め込むとともに、前記中間電極層の上部に電気的に変形可能な上部 層を形成する第９工程と、 前記電気的に変形可能な上部層の上部に導電性及び光反射性物質からなる第１ 薄膜電極層を形成することによって、前記薄膜電極層、前記電気的に変形可能な 上部層、前記中間電極層、前記電気的に変形可能な下部層及び前記第２薄膜電極 層からなる、多層構造体を形成する第１０工程と、 前記多層構造体を、第１薄膜電極、電気的に変形可能な上部部材、中間薄膜電 極、電気的に変形可能な下部部材及び第２薄膜電極からなる、Ｍ×Ｎ個の未完成 駆動構造体にパターニングする第１１工程と、 前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー アレイを形成する第１２工程と を含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造 方法が提供される。図面の簡単な説明 図１Ａ〜図１Ｇは、従来によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレ イの製法を説明するための概略的な断面図である。 図２は、本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの斜視 断面図である。 図３Ａ〜図３Ｈは、本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア レイの製法を説明するための概略的な断面図である。発明の実施の態様 以下、本発明の好適実施例について図面を参照しながらより詳しく説明する。 図２及び図３Ａ〜図３Ｈには、本発明に基づいて、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエ ーテッドミラー１０１からなるアレイ１００の製造方法を説明するための斜視断 面図及び断面図が各々示されている。ここで、Ｍ及びＮは正の整数である。各図 中で、同一部分は同一の参照符号を付して表示したことに注意されたい。 図２を参照すると、能動マトリックス１２０とバイモフ構造のＭ×Ｎ個の駆動 構造体１１１のアレイとからなる、本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ ッドミラー１０１のアレイ１００の斜視断面図が示されている。 能動マトリックス１２０は、上面を有し、各トランジスタに電気的に接続され ているＭ×Ｎ個の接続端子１２４からなるアレイを有する基板１２２、導電性ラ インパターン（図示せず）及びＭ×Ｎ個のトランジスタ（図示せず）のアレイを 備える。 近位端及び遠位端を有する駆動構造体１１１の各々は、第２バイアス電極用の 第２薄膜電極１６５と、上面及び底面を有する電気的に変形可能な下部部材１８ ５（以下、「変形可能下部部材」と称す）と、信号電極用の中間薄膜電極１３５ と、上面及び底面を有する電気的に変形可能な上部部材１７５（以下、「変形可 能上部部材」称す）と、ミラー及び第１バイアス電極の双方用の第１薄膜電極１ ５５とを備える。ここで、各駆動構造体１１１の遠位端は能動マトリックス１２ ０の上面に付着され、第１及び第２薄膜電極１５５、１６５は電気的に接続し合 っている。変形可能上部部材１７５及び変形可能下部部材１８５は、中間薄膜電 極１３５によって区切られている。第１薄膜電極１５５は変形可能上部部材１７ ５の上面に形成され、第２薄膜電極１６５は変形可能下部部材１８５の底面に位 置する。中間薄膜電極１３５は、各接続端子１２４を通じて各トランジスタに電 気的に接続されている。各薄膜アクチュエーテッドミラー１０１に於ける変形可 能上部部材１７５、変形可能下部部材１８５は、結晶学的非対称性物質（例えば 、酸化亜鉛ＺｎＯ）からなる。この物質は、ヒステリシスループがなく２００℃ 〜３００℃の温度にて形成され得る。さらに、変形可能上部部材１７５及び変形 可能下部部材１８５に対してそのような物質を用いると、第１薄膜電極１５５、 第２薄膜電極１６５及び中間薄膜電極１３５においてアルミニウム（Ａｌ）また は銀（Ａｇ）のような低融点及び低価の電極材料を用い得るため、アレイ１００ の全体的な製造コストを大幅に軽減させ得る。 変形可能上部部材１７５の分極方向は変形可能下部部材１８５の分極方向と同 一である。電界が各薄膜アクチュエーテッドミラー１０１における変形可能上部 部材１７５及び変形可能下部部材１８５の両端に印加されると、一つの変形可能 薄膜部の分極方向は該電界と一致し、その他は反対になる。この場合、電界と同 一の分極方向を有する電気的に変形可能な薄膜部は垂直へ拡張すると共に水平へ 収縮し、電界と反対の分極方向を有する電気的に変形可能な薄膜部は垂直へ収縮 すると共に水平へ拡張することによって、バイモフ構造を形成することになる。 図３Ａ〜３Ｈには、本発明による、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー １０１からなるアレイ１００の製造方法を説明するための概略的な断面図が各々 示されている。 アレイ１００の製造プロセスは、上面を有し、Ｍ×Ｎ個の接続端子１２４、導 電性ラインパターン（図示せず）及びＭ×Ｎ個のトランジスタからなるアレイ（ 図示せず）から構成される能動マトリックス１２０の準備から始まる。 その後、酸化物（例えば、ＺｎＯ）または重合体（例えば、ポリイミド）から なり、１〜２μｍの厚さを有する薄膜犠牲層１４０が能動マトリックス１２０の 上に被着される。この被着は、薄膜犠牲層１４０が酸化物からなる場合はスパッ タリング法または蒸着法を、重合体からなる場合はスピンコーティング法を各々 用いることによって行われる。 上述したように、変形可能上部部材１７５、変形可能下部部材１８５に対して ＺｎＯを用いると、従来の問題となった高温処理プロセスが除去されて、薄膜犠 牲層１４０に適した物質をより一層容易に選択し得る。 しかる後、図３Ａに示したように、フォトリソグラフィー法を用いて、能動マ トリックス１２０における各接続端子１２４の上部に形成された薄膜犠牲層１４ ０の一部分が取り除かれる。 続いて、第２導電性物質（例えば、Ａｌ）からなり、０．１〜２μｍの厚さを 有する第２薄膜電極層１６０が、スパッタリング法または蒸着法を用いて、薄膜 犠牲層１４０を含む能動マトリックス１２０の上部に被着される。 その後、図３Ｂに示したように、能動マトリックス１２０に於ける各接続端子 １２４の上部に被着された第２薄膜電極層１６０の各部分がフォトリソグラフィ ー法またはレーザ切断法を用いて取り除かれる。 図３Ｃに示したように、ＺｎＯからなり、０．１〜２μｍの厚さを有する下部 変形可能層１８０が、蒸着法またはスパッタリング法を用いて、第２薄膜電極層 １６０を含む能動マトリックス１２０の上部に形成される。ＺｎＯの薄膜は約２ ００℃〜３００℃にて形成され得る。 しかる後、図３Ｄに示したように、Ｍ×Ｎ個の孔１９０からなるアレイが形成 される。各孔１９０は内面を有し、エッチング法を用いて、能動マトリックス１ ２０を通じて下部変形可能層１８０の上部から各接続端子１２４の上部まで延在 されて形成される。 図３Ｅに示したように、第１導電性物質（例えば、Ａｌ）からなり、０．１〜 ２μｍの厚さを有する中間電極層１３０が、スパッタリング法または蒸着法を用 いて、Ｍ×Ｎ個の孔１９０の内面を内含する下部変形可能層１８０の上に形成さ れる。 続いて、図３Ｆに示したように、下部変形可能層１８０と同一の物質からなり 、０．１〜２μｍの厚さを有する上部変形可能層１７０が、蒸着法またはスパッ タリング法を用いて、Ｍ×Ｎ個の孔１９０を埋めると同時に、中間電極層１３０ の上面に形成される。 図３Ｇに示したように、導電性または光反射性物質（例えば、ＡｌまたはＡｇ ）からなり、０．１〜２μｍの厚さを有する第１薄膜電極層１５０が、スパッタ リング法または蒸着法を用いて、上部変形可能層１７０の上に被着されることに よって、第１薄膜電極層１５０、上部変形可能層１７０、中間電極層１３０、下 部変形可能層１８０及び第２薄膜電極層１６０を備える、多層構造体２００を形 成することになる。 その後、多層構造体２００は、薄膜犠牲層１４０がフォトリソグラフィー法ま たはレーザ切断法によって露出されるまで、第１薄膜電極１５５、変形可能上部 部材１７５、中間薄膜電極１３５、変形可能下部部材１８５及び第２薄膜電極１ ６５を備えるＭ×Ｎ個の未完成の駆動構造体２５０のアレイに各々パターニング される。 しかる後、図３Ｈに示したように、薄膜犠牲層１４０がエッチング法によって 取り除かれることによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１０１か らなるアレイ１００が形成される。 本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１０１のアレイ１００ では、従来のアレイ製造とは異なり、各駆動構造体１１１の変形可能上部部材１ ７５、変形可能下部部材１８５がＺｎＯからなっているため、薄膜変形可能層８ ０に対して相転移を引き起こすようにする高温処理プロセスの必要がなくなるこ とによって、薄膜犠牲層１４０に使用すべき物質をより多様に選択することがで きる。 さらに、変形可能上部部材１７５、変形可能下部部材１８５に対してＺｎＯを 用いると、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１０１に於ける第１薄膜電 極１５５、第２薄膜電極１６５、中間薄膜電極１３５及び能動マトリックス１２ ０の導電性ラインパターンにおいて、低融点かつ低価格の物質を用いることによ って、アレイ１００の全体的な製造コストを減らすことができる。 また、アレイ１００は高温処理プロセスなしに形成されるため、構造及びアレ イの駆動効率を一層高めることができる。 上記において、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の請求 範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．光投射システムに用いられ、各々がバイモフ構造を有するＭ×Ｎ個の薄膜ア クチュエーテッドミラー（Ｍ及びＮは正の整数）からなるアレイであって、 上面を有し、Ｍ×Ｎ個のトランジスタからなるアレイ及びＭ×Ｎ個の接続端 子からなるアレイを有する基板を備える能動マトリックスと、 各々が、近位端及び遠位端を有し、第２バイアス電極としての機能をする第 ２薄膜電極、上面及び底面を有する電気的に変形可能な下部薄膜部、信号電極と しての機能をする中間薄膜電極、上面及び底面を有する電気的に変形可能な上部 薄膜部及びミラーだけでなく第１バイアス電極としての働きをも果たす第１薄膜 電極を備えるＭ×Ｎ個の駆動構造体のアレイとを含み、 前記電気的に変形可能な上部、下部薄膜部は前記中間薄膜電極によって分離 され、前記第１薄膜電極は前記上部薄膜部の上面に設けられ、前記第２薄膜電極 は前記下部薄膜部の底面に設けられ、前記中間薄膜電極は前記各接続端子を通じ て前記各トランジスタに電気的に接続され、前記各駆動構造体の近位端は前記能 動マトリックスの上面に付着されることによって前記バイモフ構造になった薄膜 アクチュエーテッドミラーを形成することを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュ エーテッドミラーアレイ。 ２．前記第１薄膜電極が、前記第２薄膜電極に電気的に接続されていることを特 徴とする請求の範囲１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ 。 ３．光投射システムに用いられ、各々がバイモフ構造を有するＭ×Ｎ個の薄膜ア クチュエーテッドミラー（Ｍ及びＮは正の整数）からなるアレイの製造方法であ って、 上面を有し、Ｍ×Ｎ個のトランジスタからなるアレイ及びＭ×Ｎ個の接続端 子からなるアレイを有する基板を備える能動マトリックスを形成する第１工程と 、 前記能動マトリックスの上面に薄膜犠牲層を形成する第２工程と、 前記能動マトリックス上の、各接続端子の上面に形成された前記薄膜犠牲層 の一部分を取り除く第３工程と、 前記薄膜犠牲層を有する前記能動マトリックスの上面に第２導電性物質から なる第２薄膜電極層を形成する第４工程と、 前記能動マトリックスで各接続端子の上部に形成された前記第２薄膜電極層 の一部分を取り除く第５工程と、 前記能動マトリックス及び前記第２薄膜電極層の上部に電気的に変形可能な 下部層を形成する第６工程と、 各々が内面を有し、前記電気的に変形可能な下部層から前記各接続端子の上 部まで延在するＭ×Ｎ個の孔を形成する第７工程と、 前記各孔の内面を有する前記電気的に変形可能な下部層の上部に第１導電性 物質からなる中間電極層を形成する第８工程と、 前記孔を埋め込むとともに、前記中間電極層の上部に電気的に変形可能な上 部層を形成する第９工程と、 前記電気的に変形可能な上部層の上部に導電性及び光反射性物質からなる第 １薄膜電極層を形成することによって、前記薄膜電極層、前記電気的に変形可能 な上部層、前記中間電極層、前記電気的に変形可能な下部層及び前記第２薄膜電 極層からなる、多層構造体を形成する第１０工程と、 前記多層構造体を、第１薄膜電極、電気的に変形可能な上部部材、中間薄膜 電極、電気的に変形可能な下部部材及び第２薄膜電極からなる、Ｍ×Ｎ個の未完 成駆動構造体にパターニングする第１１工程と、 前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイを形成する第１２工程と を含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製 造方法。 ４．前記電気的に変形可能な上部、下部層が、結晶学的非対称性物質からなるこ とを特徴とする請求の範囲３に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー アレイの製造方法。 ５．前記結晶学的非対称性物質が、酸化亜鉛（ＺｎＯ）であることを特徴とする 請求の範囲３に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造 方法。 ６．前記電気的に変形可能な上部層、下部層が、０．１〜２μｍの厚さで形成さ れることを特徴とする請求の範囲３に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド ミラーアレイの製造方法。 ７．前記電気的に変形可能な上部層、下部層が、蒸着法またはスパッタリング法 を用いて形成されることを特徴とする請求の範囲３に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アク チュエーテッドミラーアレイの製造方法。 ８．前記薄膜犠牲層が、酸化物または重合体からなることを特徴とする請求の範 囲３に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 ９．前記薄膜犠牲層が、酸化物からなっている場合はスパッタリング法または蒸 着法を、重合体からなっている場合にはスピンコーティング法を各々用いて形成 されることを特徴とする請求の範囲３に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ ドミラーアレイの製造方法。 １０．前記第１薄膜電極層、前記第２薄膜電極層及び前記中間電極層が、スパッ タリング法または蒸着法を用いて形成されることを特徴とする請求の範囲３に記 載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 １１．前記第１薄膜電極層、前記第２薄膜電極層及び前記中間電極層が、０．１ 〜２μｍの厚さで形成されることを特徴とする請求の範囲３に記載のＭ×Ｎ個の 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。