JPH1050908A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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Publication number
JPH1050908A
JPH1050908A JP8199288A JP19928896A JPH1050908A JP H1050908 A JPH1050908 A JP H1050908A JP 8199288 A JP8199288 A JP 8199288A JP 19928896 A JP19928896 A JP 19928896A JP H1050908 A JPH1050908 A JP H1050908A
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JP
Japan
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semiconductor device
heat
screw hole
screw
heat radiating
Prior art date
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Application number
JP8199288A
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Japanese (ja)
Inventor
Mamoru Ando
守 安藤
Yoshihiko Yanase
芳彦 柳瀬
Koji Iketani
浩司 池谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体パッケージのヒートシンクと放熱フ
ィンとをビス止めにより常に良好な電気的な導通状態が
得られるようにすることのできる半導体装置を提供す
る。 【解決手段】モールド樹脂封止された半導体パッケージ
の一面には、放熱板を露出させ、該放熱板を放熱フィン
にビス50でビス止めにより密着固定するためのビス穴
部21をモールド樹脂部分に備えた半導体装置におい
て、前記放熱板に連通するリードフレームの一部分が前
記ビス穴部21の側面に沿って導出され、その先端部が
前記ビス穴部21周辺の封止樹脂表面上に配置されたコ
ンタクト端子32を有することを特徴としている。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of always obtaining a good electrical conduction state by screwing a heat sink and a heat radiation fin of a semiconductor package. A heat-dissipating plate is exposed on one surface of a semiconductor package sealed with a mold resin, and a screw hole portion for fixing the heat-dissipating plate to a heat-dissipating fin with screws by screws is provided on a mold resin portion. In the semiconductor device provided, a part of the lead frame communicating with the heat radiating plate is led out along the side surface of the screw hole 21, and the tip is disposed on the sealing resin surface around the screw hole 21. It is characterized by having a contact terminal 32.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係
り、特にモールド樹脂封止された半導体パッケージの一
面に半導体素子が実装された放熱板を露出させ、該放熱
板を放熱フィンに密着させるようにモールド樹脂部分を
ビス止めにより固定する半導体装置の構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a method of exposing a heat sink on which a semiconductor element is mounted on one surface of a semiconductor package sealed with a molded resin, and bringing the heat sink into close contact with a heat sink. And a structure of a semiconductor device in which a mold resin portion is fixed by screws.

【0002】[0002]

【従来の技術】TV、HDTV等のビデオ出力回路をデ
ィスクリート部品で集積化したビデオパック(商品名)
なる半導体装置が本願出願人において商品化されてい
る。図3、図4はこの半導体装置の一例を示したもので
ある。リードフレームは、複数のリード1を含む枠体2
からなる第1の部材と、板厚がリード1より厚い放熱板
3からなる第2の部材が個別に製造され、第1の部材に
放熱板3からなる第2の部材を4カ所の取付部4でカシ
メることにより一体化したものである。リード1の先端
が金属製の放熱板3の上を延在することから、両者間に
は約0.5mm程度のすき間が設けられ電気的絶縁が保
たれている。
2. Description of the Related Art Video packs (product names) in which video output circuits such as TVs and HDTVs are integrated with discrete components.
Semiconductor device has been commercialized by the present applicant. 3 and 4 show an example of the semiconductor device. The lead frame is a frame 2 including a plurality of leads 1.
And a second member made of a heat radiating plate 3 having a thickness greater than that of the lead 1 are separately manufactured, and the second member made of the heat radiating plate 3 is attached to the first member at four mounting portions. It is integrated by caulking in 4. Since the tip of the lead 1 extends on the metal heat sink 3, a gap of about 0.5 mm is provided between the two to maintain electrical insulation.

【0003】そして、表面に能動、受動素子とこれらを
接続する回路導体および外部接続用パッドとを予め形成
したセラミック基板5を放熱板3上に固定し、前記パッ
ドとリード1とを金属細線でワイヤボンドし,さらに必
要に応じてグランドを取るために放熱板上にワイヤーボ
ンディングを行った後、放熱板3表面を露出させるよう
に、図示一点鎖線7近傍の位置までの主要部分を熱硬化
性樹脂8で封止するものである。
A ceramic substrate 5 on which active and passive elements, circuit conductors for connecting these elements and external connection pads are formed in advance is fixed on a heat sink 3, and the pads and the leads 1 are connected by thin metal wires. After wire bonding and further performing wire bonding on the heat radiating plate to obtain a ground if necessary, the main part up to a position near the dashed line 7 in the drawing is thermosetting so that the surface of the heat radiating plate 3 is exposed. It is sealed with resin 8.

【0004】かかる、半導体装置は、その両端部に放熱
フィン等の取付体に取り付けるためのビス穴部が設けら
れており、そのビス穴部にビスを貫通させ取付体に設け
られたビス穴にビス止めし、取付体上に半導体装置を密
着固定する。このような、半導体装置は用途によって
は、放熱板を放熱フィンに密着させて、完全に電気的に
導通していなければならない場合がある。特に、高周波
用途のパワー半導体装置においては、IC等のチップを
搭載した放熱板と密着すべき放熱フィンとの間に僅かな
抵抗が生じるとIC等の特性が損なわれてしまうので、
放熱フィンにビス止め固定したときに、放熱板と放熱フ
ィンとが電気的に完全な導通状態となることが要求され
る。
[0004] Such a semiconductor device is provided with screw holes for mounting to a mounting body such as a radiation fin at both ends thereof, and a screw is penetrated through the screw hole to form a screw hole provided in the mounting body. Screws are attached and the semiconductor device is tightly fixed on the mounting body. Depending on the application, such a semiconductor device may have to be completely electrically connected with a heat radiating plate in close contact with a heat radiating fin. In particular, in a power semiconductor device for high-frequency use, if a small resistance is generated between a radiating plate on which a chip such as an IC is mounted and a radiating fin to be adhered to, the characteristics of the IC and the like are impaired.
It is required that the heat radiating plate and the heat radiating fin be in an electrically complete conduction state when fixed to the heat radiating fin with screws.

【0005】しかしながら、モールド樹脂部分をビス止
めにより固定する構造の半導体装置では、ビス穴部の構
造は以下の様になっている。図6はビス穴部21の断面
構造であり、図7は該当する部分のリードフレーム30
の形状を示す。リードフレーム30は、かしめ部31に
おいて半導体チップが実装されたセラミック基板を搭載
する放熱板に、かしめにより接続固定される。従って、
リードフレーム30は放熱板3と導通しているが、モー
ルド樹脂Aのビス50を貫通するビス穴部21のU字型
の壁面には、リードフレーム30の露出部分はない。係
るビス穴部21の構造では、放熱板と放熱フィンとの電
気的な導通をビス50を介して取るということは不可能
である。
However, in a semiconductor device having a structure in which a mold resin portion is fixed by screws, the structure of a screw hole is as follows. FIG. 6 shows a cross-sectional structure of the screw hole 21, and FIG.
Is shown. The lead frame 30 is connected and fixed by caulking to a heat sink on which a ceramic substrate on which a semiconductor chip is mounted is mounted at the caulking portion 31. Therefore,
Although the lead frame 30 is electrically connected to the heat radiating plate 3, there is no exposed portion of the lead frame 30 on the U-shaped wall surface of the screw hole 21 penetrating the screw 50 of the mold resin A. In the structure of the screw hole 21, it is impossible to establish electrical continuity between the radiator plate and the radiator fin through the screw 50.

【0006】また、放熱板と放熱フィンを密着させるこ
とにより、電気的な導通状態を確保することも必ずしも
容易でない。図5に示すように、放熱板はモールド樹脂
に取り囲まれており、例えばモールド樹脂にバリ等が生
じると、良好な接触状態が取れなくなる。また、放熱板
の金属厚板は完全な平坦性が要求されるが、モールド樹
脂封止された放熱板は、モールド樹脂の硬化収縮時に僅
かに湾曲し完全に平坦ではない。仮に、放熱板表面が平
坦に形成できたとしても、放熱フィン表面も必ずしも平
坦ではないため、多くの場合両者間に隙間ができるのが
現状である。
Also, it is not always easy to secure an electrical conduction state by bringing the heat radiation plate and the heat radiation fin into close contact. As shown in FIG. 5, the heat radiating plate is surrounded by the mold resin. For example, if the mold resin has burrs or the like, a good contact state cannot be obtained. Further, the metal thick plate of the heat radiating plate is required to have complete flatness, but the heat radiating plate sealed with the mold resin is slightly curved when the mold resin cures and contracts, and is not completely flat. Even if the surface of the heat radiating plate can be formed flat, the surface of the heat radiating fin is not always flat.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】係る問題を解決するた
め、半導体装置を放熱フィンにビス止めする際に、半導
体装置の裏面の放熱板の部分に導電グリースを塗り、放
熱板と放熱フィンとの密着性を向上させ、且つ、電気的
な導通状態を良好に保つことが考えられる。しかしなが
ら、導電グリースは比較的高価であり、また放熱フィン
に半導体パッケージをビス止めする際にいちいち導電グ
リースを塗布するのは面倒であり、放熱フィンにビス止
めする組立工程におけるコストの増大を招く。
In order to solve the above problem, when the semiconductor device is screwed to the radiating fins, conductive grease is applied to a portion of the radiating plate on the back surface of the semiconductor device, so that the radiating plate and the radiating fin may be connected to each other. It is conceivable to improve the adhesion and keep the electrical conduction state good. However, the conductive grease is relatively expensive, and it is troublesome to apply the conductive grease to each of the heat radiation fins with screws when screwing the semiconductor package to the heat radiation fins.

【0008】一方、半導体パッケージ側での対策とし
て、放熱板をモールド樹脂の外側に延長させ、放熱板に
ビス穴の貫通孔を設け、モールド樹脂の外側の放熱板部
分を直接放熱フィンにビス止め固定することが考えられ
る。しかしながら、このような場合には放熱板と放熱フ
ィンとの密着性は良くなるが、モールド樹脂の部分には
放熱フィンに向かって抑える力が働かないため、放熱板
が温度上昇すると熱による歪みのためモールド樹脂にク
ラック等が生じやすく半導体装置の信頼性を低下させ
る。
On the other hand, as a countermeasure on the semiconductor package side, the radiator plate is extended outside the mold resin, a through hole of a screw hole is provided in the radiator plate, and the radiator plate portion outside the mold resin is directly screwed to the radiator fin. It can be fixed. However, in such a case, although the adhesion between the heat sink and the heat radiation fins is improved, the force of suppressing the heat radiation fins does not act on the mold resin portion. For this reason, cracks and the like are likely to occur in the mold resin, which lowers the reliability of the semiconductor device.

【0009】そこで、本願出願人は、上記問題を解決す
るために、図8に示すように、放熱板とかしめにより接
合されるリードフレーム30の一部分をビス穴部21か
ら水平方向に突出させた突出部23を設け、その突出部
23とビス50のねじ山とを接触させることで放熱板と
放熱フィンとの導通を行うことを提案した。しかしなが
ら、この構造では、半導体装置を放熱フィンに取付を行
えばビス穴部21に設けた突出部がビス50の進行方向
に曲がるため、一旦取付を行い取り外し後の再取付を行
う場合、突出部とビス50のねじ山が確実に接触せず導
通しない問題がある。
In order to solve the above-mentioned problem, the applicant of the present invention protrudes a part of the lead frame 30 to be joined to the heat radiating plate by swaging as shown in FIG. It has been proposed that the projecting portion 23 is provided, and the projecting portion 23 and the screw thread of the screw 50 are brought into contact with each other to conduct the heat radiating plate and the heat radiating fin. However, in this structure, when the semiconductor device is mounted on the heat radiation fin, the protrusion provided in the screw hole 21 bends in the traveling direction of the screw 50. There is a problem that the screw thread of the screw 50 and the screw 50 do not come into contact with each other and do not conduct.

【0010】さらに、取り付ける場合、ビス50のサイ
ズはユーザーによって異なっているために、ビス50の
サイズによって導通する場合としない場合があり、取付
側の作業性が低下する問題がある。本発明は、上記の課
題に鑑みて成されたものであり、モールド樹脂のクラッ
クによる破損等の半導体装置の信頼性の低下を招くこと
なく、また放熱フィンにビス止め固定する際に導電グリ
ースの塗布を必要とすることなく、放熱フィンに取付、
取り外しを繰り返し行った場合でも、常にヒートシンク
と放熱フィンとの間の電気的な導通状態を良好に保つこ
とのできる半導体装置を提供することを目的とする。
Further, when the screw 50 is mounted, the size of the screw 50 varies depending on the user, and depending on the size of the screw 50, there may be a case where conduction is not performed and a case where the conduction is not performed, and there is a problem that workability on the mounting side is reduced. The present invention has been made in view of the above problems, and does not cause a decrease in the reliability of a semiconductor device such as breakage due to cracks in a mold resin, and also uses a conductive grease when screwed and fixed to a radiation fin. Attach to the radiation fin without the need for coating,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of always maintaining good electrical conduction between a heat sink and a radiating fin even when it is repeatedly removed.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために以下の構成を採用した。即ち、本発明の半導
体装置は、モールド樹脂封止された半導体パッケージの
一面には、放熱板を露出させ、該放熱板を放熱フィンに
ビスでビス止めにより密着固定するためのビス穴部をモ
ールド樹脂部分に備えた半導体装置において、前記放熱
板に連通するリードフレームの一部分が前記ビス穴部の
側面に沿って導出され、その先端部が前記ビス穴部周辺
の封止樹脂表面上に配置されたコンタクト端子32を有
することを特徴とする半導体装置。
The present invention has the following features to attain the object mentioned above. That is, in the semiconductor device of the present invention, a heat dissipation plate is exposed on one surface of a semiconductor package sealed with a molded resin, and a screw hole portion for tightly fixing the heat dissipation plate to the heat dissipation fin with a screw with a screw is molded. In the semiconductor device provided in the resin portion, a part of the lead frame communicating with the heat sink is led out along the side surface of the screw hole, and the tip is disposed on the sealing resin surface around the screw hole. A semiconductor device having a contact terminal 32.

【0012】ここで、前記コンタクト端子の先端部と前
記ビスの座面とを導通させ、前記放熱板と前記放熱フィ
ンとが導通されることを特徴としている。上述したよう
に、放熱板に連通するリードフレームの一部分が前記ビ
ス穴部の側面に沿って導出され、その先端部が前記ビス
穴部周辺の封止樹脂表面上に配置されたコンタクト端子
を備えたことにより、半導体装置のビス止めに際して、
金属のコンタクト端子の先端部分は確実にビスの座面に
接触する。したがって、金属のコンタクト端子は放熱板
に連通しているので、放熱板は金属のビスを介して放熱
フィンに電気的に完全に導通状態となる。それ故、モー
ルド樹脂のバリ、あるいは放熱板の僅かな湾曲、あるい
は温度上昇による放熱板の変形等があっても、放熱番に
連通する金属のコンタクト端子の先端部分が常にビスの
座面と導通し放熱フィンと接続されるので、良好な電気
的な導通状態を常に保つことができる。
Here, the tip of the contact terminal and the seat surface of the screw are conducted, and the radiator plate and the radiator fin are conducted. As described above, a part of the lead frame communicating with the heat radiating plate is led out along the side surface of the screw hole, and the tip end includes a contact terminal arranged on the sealing resin surface around the screw hole. As a result, when screwing semiconductor devices,
The tip portion of the metal contact terminal surely contacts the bearing surface of the screw. Therefore, since the metal contact terminals communicate with the heat radiating plate, the heat radiating plate is completely electrically connected to the heat radiating fins via the metal screws. Therefore, even if there is a burr of the mold resin, a slight curvature of the radiator plate, or a deformation of the radiator plate due to a rise in temperature, the tip of the metal contact terminal communicating with the radiator is always in contact with the seat surface of the screw. Since it is connected to the radiating fins, a good electrical conduction state can always be maintained.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。本発明は、半導体
装置のモールド樹脂部分のビス穴部21の構造に特徴が
あり、半導体装置の各構成は従来で説明した半導体装置
と同様であるために、この実施形態では、本発明の特徴
であるビス穴部21を中心に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The present invention is characterized by the structure of the screw hole portion 21 of the mold resin portion of the semiconductor device, and each configuration of the semiconductor device is the same as the semiconductor device described in the related art. The following description will be focused on the screw hole portion 21 which is.

【0014】図1は半導体装置を放熱フィンに取り付け
る組立分解図、図2はリードフレーム30を示す平面図
である。リードフレーム30には、かしめ部31が設け
られ、このカシメ部31は従来例で説明したように、放
熱板3に設けられた突起と、かしめられ、放熱板とリー
ドフレーム30とが接続固定されている。本発明はカシ
メ部から延在して半導体装置を取付するビス50と接続
されるコンタクト端子32を導出することを特徴として
いる(図2参照)。
FIG. 1 is an exploded view in which the semiconductor device is mounted on a radiation fin, and FIG. 2 is a plan view showing a lead frame 30. The caulking portion 31 is provided on the lead frame 30, and the caulking portion 31 is caulked with the projection provided on the heat sink 3, and the heat sink and the lead frame 30 are connected and fixed as described in the conventional example. ing. The present invention is characterized in that a contact terminal 32 extending from a caulking portion and connected to a screw 50 for mounting a semiconductor device is derived (see FIG. 2).

【0015】このコンタクト端子32は、図2に示すよ
うに、カシメ部間のほぼ中央部分からビス50穴部21
となる領域に導出される。導出されたコンタクト端子3
2は、半導体素子が実装されたセラミック基板を実装し
た放熱板3と、リードフレーム30とをカシメ固定し、
所定のワイヤーボンディング接続し、さらにモールド樹
脂で被覆保護し、リードフレーム30と連結した状態
で、折り曲げ加工され、個々の半導体装置に分離され
る。また、上記折り曲げ加工は、半導体装置を分離分割
する前に行っても良い。
As shown in FIG. 2, the contact terminal 32 is provided with a screw 50 hole 21 from a substantially central portion between the caulking portions.
Is derived to the region where Derived contact terminal 3
2 is caulked and fixed to a heat sink 3 on which a ceramic substrate on which a semiconductor element is mounted and a lead frame 30;
A predetermined wire bonding connection is performed, and further the coating and protection is performed with a mold resin. In a state where the semiconductor device is connected to the lead frame 30, the semiconductor device is bent and separated into individual semiconductor devices. The bending may be performed before the semiconductor device is separated and divided.

【0016】コンタクト端子32はビス穴部21の側面
に沿って折り曲げ加工され、コンタクト端子32の先端
部分は、モールド樹脂表面Aと当接するようにさらに折
り曲げ配置される。さらに述べると、コンタクト端子3
2の先端部分は、ビス穴部21の周辺近傍のモールド樹
脂上に配置され、コンタクト端子32の先端部分表面は
モールド樹脂表面Aよりも若干突出するように配置され
ている(図1参照)。
The contact terminal 32 is bent along the side surface of the screw hole 21, and the tip of the contact terminal 32 is further bent so as to be in contact with the mold resin surface A. More specifically, the contact terminal 3
2 is disposed on the mold resin near the periphery of the screw hole 21, and the surface of the contact terminal 32 is disposed so as to slightly protrude from the mold resin surface A (see FIG. 1).

【0017】コンタクト端子32は図2から明らかなよ
うに、かしめ部31につながっており、そのかしめ部3
1は前述のように放熱板に接続固定されている。したが
って、放熱板はコンタクト端子32に電気的に接続され
ており、図3に示すように、半導体装置を放熱フィンに
ビス止めにより固定するときは、金属のビス50の座面
とコンタクト端子32とが接触、或いはワッシャー51
がある場合はワッシャー51を介してコンタクト端子3
2と放熱フィンとが電気的に良好な導通状態となる。
As is apparent from FIG. 2, the contact terminal 32 is connected to the caulking portion 31 and the caulking portion 3
1 is connected and fixed to the heat sink as described above. Therefore, the heat radiating plate is electrically connected to the contact terminal 32. As shown in FIG. 3, when the semiconductor device is fixed to the heat radiating fin by screwing, the seat surface of the metal screw 50 and the contact terminal 32 are connected. Contact or washer 51
If there is, contact terminal 3 via washer 51
2 and the radiating fins are in an electrically good conduction state.

【0018】上述したように、放熱板に連通するリード
フレーム30の一部分が前記ビス穴部21の側面に沿っ
て導出され、その先端部が前記ビス穴部21周辺の封止
樹脂表面上に配置されたコンタクト端子32を備えたこ
とにより、半導体装置のビス止めに際して、金属のコン
タクト端子32の先端部分は確実にビス50の座面に接
触する。したがって、金属のコンタクト端子32は放熱
板に連通しているので、放熱板は金属のビス50を介し
て放熱フィンに電気的に完全に導通状態となる。それ
故、モールド樹脂のバリ、あるいは放熱板の僅かな湾
曲、あるいは温度上昇による放熱板の変形等があって
も、放熱番に連通する金属のコンタクト端子32の先端
部分が常にビス50の座面と導通し放熱フィンと接続さ
れるので、良好な電気的な導通状態を常に保つことがで
きる。
As described above, a part of the lead frame 30 communicating with the heat radiating plate is led out along the side surface of the screw hole 21, and the tip is disposed on the sealing resin surface around the screw hole 21. The provision of the contact terminals 32 ensures that the tips of the metal contact terminals 32 securely contact the bearing surfaces of the screws 50 when the semiconductor device is screwed. Therefore, since the metal contact terminal 32 communicates with the heat radiating plate, the heat radiating plate is completely electrically connected to the heat radiating fin through the metal screw 50. Therefore, even if there is a burr of the mold resin, a slight curvature of the radiator plate, or a deformation of the radiator plate due to a rise in temperature, etc., the tip of the metal contact terminal 32 communicating with the radiator is always at the seat surface of the screw 50. And the fins are connected to the radiating fins, so that good electrical continuity can always be maintained.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明は放熱板
に連通するリードフレームの一部分が前記ビス穴部の側
面に沿って導出され、その先端部が前記ビス穴部周辺の
封止樹脂表面上に配置されたコンタクト端子を備えたも
のである。したがって、半導体装置を放熱フィンにビス
止めにより固定させる時には、放熱板に連通する金属の
コンタクト端子の先端部がビスの座面を介して放熱フィ
ンに接続固定される。それ故、半導体装置を放熱フィン
に取付、取り外しを何度行っても常に両者間の導通を確
実に行える。従って、モールド樹脂のバリ、ヒートシン
クの金属板の湾曲、ヒートシンクの温度上昇に伴う熱膨
張による変形等が生じても常に安定にヒートシンクと放
熱フィンの間の電気的な導通状態を保つことができる。
As described above, according to the present invention, a part of the lead frame communicating with the heat radiating plate is led out along the side surface of the screw hole, and the leading end is formed of a sealing resin around the screw hole. It has a contact terminal disposed on the surface. Therefore, when the semiconductor device is fixed to the radiating fins with screws, the tip of the metal contact terminal communicating with the radiating plate is connected and fixed to the radiating fins via the seat surface of the screw. Therefore, no matter how many times the semiconductor device is attached to and detached from the heat radiation fins, conduction between them can always be ensured. Therefore, even if burrs of the mold resin, bending of the metal plate of the heat sink, deformation due to thermal expansion due to a rise in the temperature of the heat sink, and the like occur, the electrical conduction state between the heat sink and the radiation fins can always be stably maintained.

【0020】さらに、係る半導体装置によれば、従来の
半導体装置の放熱フィンへのビス止めによる取付けに際
して、導電グリースを塗布しなければならないという問
題点が解決され、また、従来通りモールド樹脂部分のビ
ス穴部をビス止めにより固定するため、半導体装置の信
頼性を損なうというような問題も生じない。
Further, according to the semiconductor device, it is possible to solve the problem that the conductive grease must be applied when mounting the conventional semiconductor device to the heat radiation fins with screws. Since the screw holes are fixed by screws, there is no problem that the reliability of the semiconductor device is impaired.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体装置を放熱フィンに取付る組立
分解図。
FIG. 1 is an exploded view in which a semiconductor device of the present invention is mounted on a radiation fin.

【図2】本発明の半導体装置に用いられるリードフレー
ムを示す平面図。
FIG. 2 is a plan view showing a lead frame used in the semiconductor device of the present invention.

【図3】従来の半導体装置を説明する図。FIG. 3 illustrates a conventional semiconductor device.

【図4】従来の半導体装置を説明する図。FIG. 4 illustrates a conventional semiconductor device.

【図5】従来の半導体装置を説明する図。FIG. 5 illustrates a conventional semiconductor device.

【図6】従来の半導体装置のビス穴部を説明する図。FIG. 6 is a diagram illustrating screw holes of a conventional semiconductor device.

【図7】従来の半導体装置のリードフレームを説明する
図。
FIG. 7 illustrates a lead frame of a conventional semiconductor device.

【図8】従来の半導体装置のビス穴部を説明する図。FIG. 8 is a diagram illustrating screw holes of a conventional semiconductor device.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 モールド樹脂封止された半導体パッケー
ジの一面には、放熱板を露出させ、該放熱板を放熱フィ
ンにビスでビス止めにより密着固定するためのビス穴部
をモールド樹脂部分に備えた半導体装置において、前記
放熱板に連通するリードフレームの一部分が前記ビス穴
部の側面に沿って導出され、その先端部が前記ビス穴部
周辺の封止樹脂表面上に配置されたコンタクト端子を有
することを特徴とする半導体装置。
1. A mold resin portion is provided with a screw hole for exposing a heat sink on one surface of a semiconductor package sealed with a mold resin, and fixing the heat sink to a heat radiation fin with screws by screws. In the semiconductor device, a part of a lead frame communicating with the heat radiating plate is led out along a side surface of the screw hole, and a tip end of the contact frame is disposed on a sealing resin surface around the screw hole. A semiconductor device comprising:
【請求項2】 前記コンタクト端子の先端部と前記ビス
の座面とを導通させ、前記放熱板と前記放熱フィンとが
導通されることを特徴とする請求項1記載の半導体装
置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the tip of said contact terminal and said bearing surface of said screw are electrically connected, and said heat radiating plate and said heat radiating fin are electrically connected.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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