JPH10509449A - ▲上11▼c−沃化メチルの製造 - Google Patents

▲上11▼c−沃化メチルの製造

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JPH10509449A JP8515964A JP51596496A JPH10509449A JP H10509449 A JPH10509449 A JP H10509449A JP 8515964 A JP8515964 A JP 8515964A JP 51596496 A JP51596496 A JP 51596496A JP H10509449 A JPH10509449 A JP H10509449A
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(57)【要約】 本発明は11C−メタンを選択的にモノハロゲン化することにより11C−沃化メチルを高収率で製造するための方法および装置につき開示し、この方法は多数の接続した循環部材(1〜7)を備える循環系を内蔵した装置に11CH4を導入する第1工程からなり、循環系は循環を制御するための多数の弁(V1〜V5)と少なくとも1個のポンプ(8)とをさらに備える。この方法は、循環系を有する装置内の加熱反応室(3)を通過した循環ガス流中へ11CH4を循環さ、沃素蒸気を所定時間にわたり第2トラップ(7)により生成11CH3Iを連続除去しながら導入する第2工程と、不活性ガスの流れを第2トラップへ導入しながら、生成11CH3Iを含有する第2トラップ(7)を加熱することにより、生成11C−沃化メチルをさらに処理するために、所定の時間後に放出させる第3工程とをさらに含み、この第2トラップ(7)は所望の11CH3Iを精製するスモールサイズクロマトグラフとして作用する。

Description

【発明の詳細な説明】 11C−沃化メチルの製造技術分野 本発明は、ポジトロン発生性化合物である11C−沃化メチルを高収率、良好な 放射化合物の純度および高い比活性にて製造するための方法およびシステムに関 するものである。従来技術 1群の医療診断法は、放射能標識された化合物を利用する。この原理は、放射 性原子がポジトロン発生体である診断法PET(ポジトロン発生性トモグラフィ ー)についても使用される。ポジトロン発生元素の幾種かの例は炭素(C)、酸 素(O)、窒素(N)もしくは弗素(F)の核を包含する。これら元素は殆ど全 ての生物学上活性な化合物の骨格である。この方法を使用しうるためには、安定 な同位元素を放射性同位元素で置換する。放射能標識された化合物(トレーサと 呼ぶ)は非放射性化合物と全く同様に輸送、蓄積および変換される。PET法は 、検査組織もしくは器官における細胞レベルでの機能障害を検出する可能性を有 する。この方法は極めて敏感であって、ナノモル量程度の生成放射性トレーサし か必要としない。これら放射性トレーサの半減期は2〜110分間の範囲であり 、放射性核および生物学上活性 なトレーサの生成をその使用直前に行わねばならない。放射性核はアクセラレー タで生成され、直ちに小分子に処理される。これら小分子はより大きい非放射性 構築ブロックと反応して所望のトレーサを生成する。1種の重要かつ極めて有用 な出発化合物は炭素−11標識された沃素メチル(11C−CH3I)である。炭 素は生物学上活性な化合物および医薬品における最も多い種類の原子である。11 C−標識された沃化メチルを用いて、多種類の11C−標識化合物を作成すること ができる。これらは、癌、癲癇もしくは痴呆症等の診断および治療の経過に対し て興味深いものである。 11C−標識沃素メチルは、現在最も頻繁に、11C−標識二酸化炭素(11CO2 )を水素化リチウムアルミニウム(LAH)を用いて還元し、生成した11C−標 識メタノールをHIと反応させる方法により形成される。反応は有機溶剤中で行 われる。この方法は幾つかの欠点を有する:すなわち薬品類は使用が面倒であっ て、方法が確立されておらず、LAHは変動する量の冷二酸化炭素を含有して、 生成された放射性11C−標識沃化メチルと放射性11Cで標識されていない沃化メ チルとの間の比を低下させる。多くの検査においては高い比を有することが望ま しい。 この化合物を生成させる他の方法は、沃素による11C−標識メタン(11CH4 )のハロゲン化である。11CH411C−標識二酸化炭素の接触還元により生成 される。11 CH4のハロゲン化反応は、高温で生ずる非選択的なラジカル反応である。沃 素が常に大過剰で存在すれば、ポリハロゲン化を防止するのが困難であり、低い 放射化合物純度をもたらす。刊行物においてはモノ−、ジ−、トリ−およびテト ラ−沃素化メタンの間の混合物が生成される(LIT REF)とある。反応条 件が、高純度のモノ−ハロゲン化された化合物のみの生成に適する場合でも、さ らにハロゲン化されるのを防止するのに必要な極めて短い反応時間のため収率は 低くなる(<10%)。発明の開示 本発明は、ラジカル沃素化反応の化合物収率および放射化合物純度が低いとい う問題を解決する。反応時間および温度が最適化されて、純粋なモノハロゲン化 された沃化メチルを与える。生成した少量の11C−標識沃化メチルがガス混合物 から除去され、残余の11C−標識メタンが精製されて循環される。新鮮な沃素を 添加し、11CH4の変換が完結するまで処理を反復する。 本発明の第1の目的によれば、11C−メタンを選択的にモノハロゲン化するこ とにより11C−沃化メチルを製造する方法が開示され、この方法は多数の接続さ れた循環部材からなる循環系に11CH4を導入する第1工程(循環系は循環を制 御するための多数の弁および少なくとも1個のポンプをさらに備える)と、11C H4を循環させ、前記循環系内の少なくとも1つの加熱反応室を通過した循環ガ ス流中へ、所定時間にわたり生成11CH3 Iを第2トラップにより連続除去しながら、沃素蒸気を導入する第2工程と、生 成11CH3Iを含有した第2トラップを加熱し、不活性ガスの流れを第2トラッ プに導入することにより、さらに処理するために、所定時間の後に生成11C−沃 化メチルを放出させる第3工程とからなり、前記第2トラップは所望の11CH3 Iを精製するスモールサイズクロマトグラフとして作用する。 本発明の第2の目的によれば、11C−メタンを選択的にモノハロゲン化するこ とにより11C−沃化メチルを生成させる装置が開示され、この方法を行う装置は 第1トラップと沃素室と少なくとも1つの加熱反応室と凝縮室と捕獲室と第2ト ラップと少なくとも1個のポンプとを備えた循環系からなり、循環系は循環を制 御するための多数の弁をさらに備え、適する含有物質によるトラップまたは低温 トラップである第2トラップは、高収率の生成11CH3Iを捕獲または貯蔵し、 生成11CH3Iを含む第2トラップを加熱することにより、さらに処理するため に放出される。 この方法およびこの方法を利用する装置の他の実施形態については、それぞれ 請求の範囲第2〜6項および第9〜12項により規定される。図面の簡単な説明 本発明を添付図面を参照して好適実施例により説明する。全体を通じ、同じ参 照符号は同じ部材を示すべく使用される: 第1図は循環系に11C−メタン供給源を含むと共に本発明による方法を利用す るシステムの実施例を示し; 第2図は循環系に対し外部の11C−メタン供給源を有すると共に本発明による 方法を利用する他の実施例を示す。実施例の説明 第1図は、本発明による方法を実施するための装置の第1実施例を示す。第1 図の装置は、それぞれ2個の弁V1およびV2を介し回路内に含まれる11C−メ タン+窒素の供給源としてトラップ1(たとえば低温トラップもしくは分子篩ト ラップ)を備える閉鎖循環回路を表す。窒素の代わりに他の任意の不活性ガスを 使用することができる。さらに、閉鎖回路には沃素供給源2と反応室3と凝縮帯 域5とアスカライト トラップ6とCH3I−トラップ7とポンプ8とが存在す る。沃素供給源2は石英チューブであって、沃素蒸気は沃素結晶が適当に加熱さ れると発生する。反応室3はオーブン4により加熱される。この室3はさらに、11 C−メタンを選択的にモノハロゲン化して11C−沃化メチルを発生させる反応 に適した触媒を含有する。室3の後には凝縮帯域5を存在させて、反応室3での 処理により消費されなかった沃素蒸気を固体型に戻す。凝縮帯域3の後にはトラ ップ6が存在し、これは好適実施例においてはアスカライトを含有し、HIと11 CO2と沃素の残部とを捕獲する。トラップ6の後には、生成沃化メチルを循環 ガスから除去およ び貯蔵するのに適した他のトラップが存在する。系におけるガスの循環は少なく とも1個のポンプによって達成される。第2トラップ7とポンプ8との間には他 の弁V3、V4およびV5を存在させる。弁V4およびV5は生成かつ貯蔵され た11C−沃化メチルをトラップ7から放出させるよう切換えることができる。弁 V3を用いて不活性ガス(たとえばヘリウム)を下記するように系中へ添加する 。 第2図には、第2実施例にて本発明による方法を実施するための代案装置を示 す。第1図の装置と同様な第2図の装置はトラップ1(たとえば低温トラップも しくは分子篩トラップ)と沃素供給源2と反応室3と凝縮帯域5とアスカライト トラップ6とCH3I−トラップ7とポンプ8とを内蔵する。第1図との相違 点は、トラップ1が循環系の1部でなく閉鎖循環が弁V4とV3との間の通路を 切換えることにより達成される点である。第2図の装置においてはヘリウムのよ うな不活性ガスを弁V2を介して導入するのに対し、第1図においては不活性ガ スを弁V3を介して導入する。第2図の装置において、全ての弁V1、V2、V 3、V4およびV5は第2トラップ7とポンプ8との間に設置される。トラップ 1が低温トラップである第1図および第2図の両実施例においては、好ましくは −162℃未満の沸点を有する液体により冷却する。第2トラップ7は、弁V4 およびV5を介し捕獲CH3Iを放出させるべくヒーター10に より加熱することができる。弁V5を使用して、流出物を廃棄物として或いは所 望生産物として指向させる。 11C−メタンを選択的にモノハロゲン化することにより11C−沃化メチルを製 造する本発明による方法は下記する3つの工程に分割することができる。工程1:循環系中への11CH4の導入 系における純不活性ガス中に純粋11CH4を充填することが合成につき必須で ある。 N2中の11CH4を、N2とH2との混合物のフォトンによる照射で標的中に発生 させることができ、或いは11CH4を、N2中の11CO2もしくは11COの接触還 元もしくは非接触還元により標的の外部で発生させることもできる。 11CH4の精製および濃縮は、ポラパック(Porapak)Nが充填されて 液体N2中で冷却されたトラップ1にガス混合物を導入して行われる(第1図お よび第2図)。このトラップ1にはメタンが保持され、不純物が掃去される。捕 獲の後、11CH4が冷却浴からトラップを移動することによりヘリウム(He) の流れ中に放出される。トラップ1が系の循環部分の内部に設置されれば(第1 図)、11CH4は所定位置に存在し、循環を開始することができる。トラップが 系の循環部分の外部に存在すれば(第2図)、11CH4を弁V1およびV3を介 し、たとえば少量のHeにて系中へ充填する。 ヘリウム(He)の代案として、たとえばNe、Ar、 Kr、Xeのような他の任意の不活性ガスまたはたとえばN2のような他のガス を用いることもできる。 低温トラップの冷却は液体窒素、液体空気、液体酸素または液体He、Ne、 Arなど、または固体CO2、冷却コンプレッサ、渦巻チューブなどを用いるこ とができる。 代案実施例においては低温トラップを用いる代わりに、11CH4をより高温( 室温)にて捕獲し加熱により放出することができる。ポラパックNの代わりに多 数の捕獲用物質を用いることもできる。この種の物質の例は次の通りである:活 性炭、分子篩、多数のGC充填物質、プラスチック粉末、高沸点溶液で被覆され たポリマーまたは無機キャリヤ或いは化学結合した有機分子で被覆されたキャリ ヤなど。 11CH4を捕獲すべく低温トラップを使用する代わりに、微量のO2を含有する N2をプロトンで照射して発生した11CO2を、分子篩とH2で飽和された触媒( Ni、Pd、Pt、Rh、Fe……)との混合物を含有するトラップで捕獲する こともできる。次いで、このトラップを不活性ガスでフラッシュし、閉鎖して加 熱する。11CO2を分子篩から放出させ、触媒上の水素(H2)で11CH4まで還 元する。トラップを開放し、11CH4を不活性ガスの流れ中に放出させる。 トラップが系の循環部分の内部に位置すれば(第1図)、11CH4は所定位置 に存在し、循環を開始することがで きる。 トラップが系の循環部分の外部に位置すれば(第2図)、11CH4を弁V1お よびV3を介し小容量の不活性ガスにて系中へ充填する。工程2:生成11CH3Iを連続除去する際の11CH4の循環 全ての弁は、ポンプが11CH4とたとえばHeとの混合物をトラップ1から石 英チューブ2中へ循環させるよう切換えられ、ここで沃素結晶を加熱し生成した 沃素蒸気と混合する。次いでガス混合物を、電気オーブン4により720℃程度 まで加熱された石英チューブ3に通過させ、これによりメタンの沃素化を生ぜし める。 オーブンの後、ガスは室温(すなわち約20℃)に保たれた石英チューブ(凝 縮帯域5)を通過し、ここで過剰の沃素の大部分が結晶化し、次いでアスカライ トが充填されたチューブ6を通過し、ここで不純物(主としてHI、11CO2お よび沃素の残部)が捕獲される。11C−沃化メチルがCH3I−トラップで捕獲 され、未変化の11CH4が循環される。 任意の種類の適する装置、たとえば膜ポンプ、回転羽根ポンプ、ピストンポン プ、ギヤポンプ、ルーツポンプ、スクリューポンプ、蠕動ポンプなどの循環に用 られるポンプ8は実用的に閉鎖回路の任意の箇所に設置することができる。 I2室2と反応室3と凝縮帯域5とアスカライト室6 とは好適実施例において典型的には単一片の石英チューブに設置されるが、異な る材料で作成されてチューブもしくはホースにより互いに接続された別々のチャ ンバとすることもできる。 反応室は化学的に不活性かつ11CH411CH3Iまで変換するのに要する温度 (200〜1000℃)に耐えることができねばならない。これは石英、金属、 合金またはセラミックから作成することができる。これは電気オーブン、火炎ま たは熱風流により加熱される。11CH4とI2との間の反応を触媒する物質を充填 してもよいし、しなくてもよい。 凝縮帯域5は室温に保つことができ、或いは低温空気の流れ、渦巻チューブま たは他の任意の冷却装置により+20〜−100℃まで冷却することができる。 アスカライト室6におけるアスカライトの代わりにSb、Na2SO3またはた とえばKOHもしくはCa(OH)2のような強塩基を用いることもできる。 好適実施例において、CH3I−トラップ7には典型的にはポラパックNを充 填する。捕獲は室温にて行われ、放出は電気オーブン10により或いは熱空気流 により190℃まで加熱して行われる。このポラパックNの代わりに、多数の捕 獲材料を用いることもできる。この種の物質の例は次の通りである:活性炭、分 子篩、多数のGC充填物質、プラスチック粉末、高沸点液で被覆されたポリマー または無機キャリヤ、或いは化学結合した有機 分子で被覆されたキャリヤなど。さらに11CH3I−トラップ7は、たとえばエ タノールもしくはアセトン中に固体CO2を含有した冷却用トラップとして設計 することもできる。 捕獲および放出は−250〜+300℃の範囲で行うことができる。工程3:捕獲11CH3Iの放出および精製 11CH3Iは、トラップ7を加熱し、ヘリウムの流れを系およびトラップに導 入して放出される。使用する捕獲材料に応じ、トラップはスモールサイズクロマ トグラフとして作用する。この作用を用いて、V5(第1図および第2図)を使 用することにより11CH3Iフラクションを回収して純生成物を得ることができ る。 生成11CH3Iを連続除去する際に、たとえばヘリウムと混合した11CH4を循 環させる方法および装置は、従来技術と比較してずっと高い収率を与える。循環 過程のための時間はたとえばポンプ8の能力に依存するが、約20秒の時間が好 適実施例にて典型的である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AP(KE,MW,SD,SZ,UG), AM,AT,AU,BB,BG,BR,BY,CA,C H,CN,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,GB ,GE,HU,IS,JP,KE,KG,KP,KR, KZ,LK,LR,LT,LU,LV,MD,MG,M N,MW,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU ,SD,SE,SG,SI,SK,TJ,TM,TT, UA,UG,US,UZ,VN (72)発明者 ウリン、ヨハン スウェーデン国 エス−752 38 ウプサ ラ クロンガータン 37

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 11C−メタンを選択的にモノハロゲン化することによる11C−沃化メチル の製造方法において、 多数の接続された循環部材を備える循環系に11CH4を導入し、前記循環系は 循環を制御するための多数の弁手段(V1〜V5)と少なくとも1個のポンプ手 段(8)とをさらに備え、 11CH4を循環させ、CH3Iを捕獲するのに適する物質を含有する第2捕獲手 段(7)により生成11CH3Iを所定時間にわたり連続的に除去しながら、前記 循環系内の少なくとも1個の加熱反応室手段(3)を通過した循環ガス流に、沃 素蒸気を導入し、 不活性ガスの流れを前記第2捕獲手段(7)中へ導入しながら、生成11CH3 Iを含有する前記第2捕獲手段(7)を加熱することにより、生成11C−沃化メ チルをさらに処理するために、所定の時間後に放出させることを特徴とする11C −沃化メチルの製造方法。 2. 生成11CH3Iを放出させる際の前記第2捕獲手段(7)が、所望の11C H3Iを精製するスモールサイズクロマトグラフとして作用することを特徴とす る請求の範囲第1項に記載の方法。 3. 沃素室手段(2)が、この沃素室手段にて沃素結晶を加熱することにより 沃素の蒸気を発生することを特徴とする請求の範囲第1項または第2項に記載の 方法。 4. 捕獲室手段(6)が、凝縮室手段(6)を通過した後の循環ガスにおける 不純物、主としてHI、11CO2および沃素の残部を捕獲することを特徴とする 請求の範囲第3項に記載の方法。 5. 第1捕獲手段(1)を、不活性ガスでフラッシュし、閉鎖しかつ加熱する ことにより循環過程の前に準備し、これにより11CO2を分子篩または低温トラ ップから放出させ、触媒上のH2により11CH4まで還元した後、前記第1捕獲手 段を開放して11CH4を前記第2捕獲手段(7)にて、捕獲すべき11C−沃化メ チルを生成させるべく前記循環系における不活性ガスの流れ中に放出させること を特徴とする請求の範囲第1項に記載の方法。 6. 第1捕獲手段(1)を、不活性ガスでフラッシュし、閉鎖しかつ加熱する ことにより循環過程を開始する前に準備し、これにより11CO2を分子篩または 低温トラップから放出させ、触媒におけるH2により11CH4まで還元した後、前 記第1捕獲手段を開放して11CH4を前記第2捕獲手段にて、捕獲すべき11C− 沃化メチルを生成させるべく前記循環系における不活性ガスの流れ中に放出させ ることを特徴とする請求の範囲第1〜5項のいずれか一項に記載の方法。 7. 11C−メタンを選択的にモノハロゲン化することにより11C−沃化メチル を製造するための装置において、第1捕獲手段(1)、沃素室手段(2)、加熱 反応室手 段(3)、凝縮室手段(5)および捕獲室手段(6)を備える循環系と、第2捕 獲手段(7)と、ポンプ手段(8)とを備え、前記循環系は循環を制御するため の多数の弁(V1〜V5)をさらに備え、前記第2捕獲手段(7)は適する含有 物質により生成11C−沃化メチルを捕獲して貯蔵し、生成11CH3Iを含有した 前記第2捕獲手段(7)を加熱することにより、さらに処理するために放出させ ることを特徴とする11C−沃化メチルの製造装置。 8. 11C−メタンを選択的にモノハロゲン化することにより11C−沃化メチル を製造するための装置において、第1捕獲手段(1)、沃素室手段(2)、加熱 反応室手段(3)、凝縮室手段(5)および捕獲室手段(6)を備える循環系と 、第2捕獲手段(7)と、ポンプ手段(8)とからなり、前記循環系は循環を制 御するための多数の弁(V1〜V5)をさらに備え、前記第2捕獲手段(7)は 生成11C−沃化メチルを捕獲し、貯蔵する低温トラップであって、生成11CH3 Iを含有した前記第2捕獲手段(7)を加熱することにより、さらに処理するた めに放出させることを特徴とする11C−沃化メチルの製造装置。 9. 前記沃素室手段(2)が、この沃素室手段にて沃素結晶を加熱することに より沃素の蒸気を発生することを特徴とする請求の範囲第7項または第8項に記 載の装置。 10. 前記捕獲室手段(6)が、凝縮室手段(5)を通過した後の循環ガスに おけるHI、11CO2および沃素の残部を捕獲することを特徴とする請求の範囲 第9項に記載の装置。 11. 前記第1捕獲手段(1)が、11CH4のための適する捕獲物質、たとえ ば活性炭、分子篩、GC充填物質、プラスチック粉末、高沸点液で被覆されたポ リマーもしくは無機キャリヤまたは化学結合した有機分子で被覆されたキャリヤ を含有することを特徴とする請求の範囲第10項に記載の装置。 12. 前記第1捕獲手段(1)が低温トラップであることを特徴とする請求の 範囲第10項に記載の装置。
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