JPH1051069A - 光半導体装置 - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光パルスの伝送品質の劣化が生じにくい光半
導体装置を安価に提供すること。 【解決手段】 変調器付ＬＤ１４のレーザ側表面電極９
と接続された第１の抵抗３１と、変調器付ＬＤ１４の変
調器側表面電極８と共通接地裏面電極１１との間に接続
された第２の電極３２と、変調器付ＬＤ１４の共通接地
裏面電極１１にその一端が接地され、その他端が接地さ
れた第３の電極３３とを設けた。
導体装置を安価に提供すること。 【解決手段】 変調器付ＬＤ１４のレーザ側表面電極９
と接続された第１の抵抗３１と、変調器付ＬＤ１４の変
調器側表面電極８と共通接地裏面電極１１との間に接続
された第２の電極３２と、変調器付ＬＤ１４の共通接地
裏面電極１１にその一端が接地され、その他端が接地さ
れた第３の電極３３とを設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は光半導体装置に関
し、特に光ファイバ通信に用いる光半導体装置に関する
ものである。
し、特に光ファイバ通信に用いる光半導体装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信においては、２．５Ｇｂ
／ｓ以上の広帯域伝送用光源として、光吸収型変調器
（Electroabsorption modulater)と半導体レーザダイオ
ード（以下、ＬＤとも称す）とを１チップに集積した変
調器付ＬＤが用いられる。
／ｓ以上の広帯域伝送用光源として、光吸収型変調器
（Electroabsorption modulater)と半導体レーザダイオ
ード（以下、ＬＤとも称す）とを１チップに集積した変
調器付ＬＤが用いられる。
【０００３】図１０は従来の変調器付ＬＤの構造を示す
一部切り欠き斜視図であり、図において、１４は変調器
付ＬＤ、１００は変調器、２００は分布帰還型（ＤＦ
Ｂ）レーザダイオード、１はｎ型（以下、ｎ−と称す）
ＩｎＰ基板，２はｎ−ＩｎＰクラッド層，３はＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層，４はｐ型（以下、ｐ−と称す）ＩｎＰ第
１クラッド層，４０は回折格子、５は真性（以下、ｉ−
と称す）ＩｎＰ電流ブロック層，６はｐ−ＩｎＰ第２ク
ラッド層，７はｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、８は
変調器側表面電極、９はレーザ側表面電極、１０はＳｉ
Ｏ2 等の絶縁膜，１１は変調器１００の接地電極及びＬ
Ｄ２００の接地電極となる共通接地裏面電極である。変
調器１００とレーザダイオード２００との間にはｐ−Ｉ
ｎＰ第２クラッド層６に達する深さの分離溝４１が設け
られており、変調器側表面電極８とＬＤ側表面電極９と
はこの分離溝４１により電気的に絶縁されているが、そ
の絶縁抵抗ｒは数ｋΩ程度となっている。
一部切り欠き斜視図であり、図において、１４は変調器
付ＬＤ、１００は変調器、２００は分布帰還型（ＤＦ
Ｂ）レーザダイオード、１はｎ型（以下、ｎ−と称す）
ＩｎＰ基板，２はｎ−ＩｎＰクラッド層，３はＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層，４はｐ型（以下、ｐ−と称す）ＩｎＰ第
１クラッド層，４０は回折格子、５は真性（以下、ｉ−
と称す）ＩｎＰ電流ブロック層，６はｐ−ＩｎＰ第２ク
ラッド層，７はｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、８は
変調器側表面電極、９はレーザ側表面電極、１０はＳｉ
Ｏ2 等の絶縁膜，１１は変調器１００の接地電極及びＬ
Ｄ２００の接地電極となる共通接地裏面電極である。変
調器１００とレーザダイオード２００との間にはｐ−Ｉ
ｎＰ第２クラッド層６に達する深さの分離溝４１が設け
られており、変調器側表面電極８とＬＤ側表面電極９と
はこの分離溝４１により電気的に絶縁されているが、そ
の絶縁抵抗ｒは数ｋΩ程度となっている。
【０００４】図８は変調器付ＬＤ１４をＡｌ2 Ｏ3 等の
誘電体を材料とするサブマウントに実装してなる従来の
光半導体装置の構造を示す斜視図であり、図において、
図１０と同一符号は同一または相当する部分を示してお
り、３０３は光半導体装置、１６は裏面に接地用のメタ
ライズ（図示せず）が施されているＡｌ2 Ｏ3 基板、２
０は接地側ストリップライン、１５は接地側ストリップ
ライン２０と上記接地用メタライズとを接続するための
スルーホール、１７はＬＤ給電側ストリップライン、１
８は変調器給電側ストリップライン、１９は抵抗、２１
はマウント用電極、２２は金線等のワイヤである。変調
器付ＬＤ１４の変調器側表面電極８はワイヤ２２によ
り、給電側ストリップライン１８の一端に、また、抵抗
１９の一端に接続されている。また、ＬＤ電極９はワイ
ヤ２２によりＬＤ給電側ストリップライン１７と接続さ
れている。また、変調器付ＬＤ１４の共通接地裏面電極
１１はマウント用電極２１と接続され、接地側ストリッ
プライン２０，及びスルーホール１５を介して接地され
ている。
誘電体を材料とするサブマウントに実装してなる従来の
光半導体装置の構造を示す斜視図であり、図において、
図１０と同一符号は同一または相当する部分を示してお
り、３０３は光半導体装置、１６は裏面に接地用のメタ
ライズ（図示せず）が施されているＡｌ2 Ｏ3 基板、２
０は接地側ストリップライン、１５は接地側ストリップ
ライン２０と上記接地用メタライズとを接続するための
スルーホール、１７はＬＤ給電側ストリップライン、１
８は変調器給電側ストリップライン、１９は抵抗、２１
はマウント用電極、２２は金線等のワイヤである。変調
器付ＬＤ１４の変調器側表面電極８はワイヤ２２によ
り、給電側ストリップライン１８の一端に、また、抵抗
１９の一端に接続されている。また、ＬＤ電極９はワイ
ヤ２２によりＬＤ給電側ストリップライン１７と接続さ
れている。また、変調器付ＬＤ１４の共通接地裏面電極
１１はマウント用電極２１と接続され、接地側ストリッ
プライン２０，及びスルーホール１５を介して接地され
ている。
【０００５】図９は図８に示した光半導体装置の等価回
路図であり、図において図８と同一符号は同一または相
当する部分を示しており、Ｉ0 は直流電源，Ｖは変調器
に加える変調信号である。また、Ｒ3 は抵抗１９の抵抗
値を示している。この抵抗１９は変調信号Ｖの供給源の
終端抵抗となっている。
路図であり、図において図８と同一符号は同一または相
当する部分を示しており、Ｉ0 は直流電源，Ｖは変調器
に加える変調信号である。また、Ｒ3 は抵抗１９の抵抗
値を示している。この抵抗１９は変調信号Ｖの供給源の
終端抵抗となっている。
【０００６】次に従来の光半導体装置の動作について説
明する。直流電源Ｉ0 より変調器付ＬＤ１４のレーザ側
表面電極９に順バイアスとなる駆動電流を流すと、ＬＤ
２００の活性層３においてレーザ光が発生する。そし
て、変調器１００内のｐｎ接合が逆バイアスとなるよう
な変調信号（Ｖ＜０）を変調器側表面電極８に印加する
と、変調器１００の活性層３はＬＤ２００の活性層３か
らのレーザ光を吸収する。このように変調器１００が光
を吸収している状態にある場合、光半導体装置３０３は
“０”パターンにある，と以下言うことにする。一方、
変調信号Ｖを０Ｖとすると、変調器１００はＬＤ２００
の発光を吸収せずに透過するようになり、この場合、光
半導体装置３０３は“１”パターンにある，と以下言う
こととする。
明する。直流電源Ｉ0 より変調器付ＬＤ１４のレーザ側
表面電極９に順バイアスとなる駆動電流を流すと、ＬＤ
２００の活性層３においてレーザ光が発生する。そし
て、変調器１００内のｐｎ接合が逆バイアスとなるよう
な変調信号（Ｖ＜０）を変調器側表面電極８に印加する
と、変調器１００の活性層３はＬＤ２００の活性層３か
らのレーザ光を吸収する。このように変調器１００が光
を吸収している状態にある場合、光半導体装置３０３は
“０”パターンにある，と以下言うことにする。一方、
変調信号Ｖを０Ｖとすると、変調器１００はＬＤ２００
の発光を吸収せずに透過するようになり、この場合、光
半導体装置３０３は“１”パターンにある，と以下言う
こととする。
【０００７】従来の変調器付ＬＤ１４を備えた光半導体
装置３０３においては、変調器１００とＬＤ２００と
は、これらが接する部分の上部に設けられたｐ−ＩｎＰ
第２クラッド層６に達する深さの分離溝４１により分離
されているが、変調器１００とＬＤ２００とが、ｐ−Ｉ
ｎＰ第１クラッド層４やｐ−ＩｎＰ第２クラッド層６に
より接続されているため、変調器１００とＬＤ２００と
の分離抵抗ｒは、十分に大きな値ではない。このため、
光半導体装置を“０”パターンとするために変調器１０
０に電圧Ｖ＜０の変調信号を印加すると、ＬＤ２００に
流れる駆動電流がＩ0 からＩ0 ＋Ｖ／ｒ（Ｖ＜０）に減
少する。ＬＤ２００において駆動電流が小さくなると活
性層３内のキャリア濃度が下がり、活性層３の屈折率が
大きくなり、その結果、発振波長は長波長側にシフトす
る。従って、変調信号Ｖを変化させて光の強度を
“１”，“０”と変化させると、変調器１００を経てＬ
Ｄ２００から出力される出力光に波長変動が生じる。
装置３０３においては、変調器１００とＬＤ２００と
は、これらが接する部分の上部に設けられたｐ−ＩｎＰ
第２クラッド層６に達する深さの分離溝４１により分離
されているが、変調器１００とＬＤ２００とが、ｐ−Ｉ
ｎＰ第１クラッド層４やｐ−ＩｎＰ第２クラッド層６に
より接続されているため、変調器１００とＬＤ２００と
の分離抵抗ｒは、十分に大きな値ではない。このため、
光半導体装置を“０”パターンとするために変調器１０
０に電圧Ｖ＜０の変調信号を印加すると、ＬＤ２００に
流れる駆動電流がＩ0 からＩ0 ＋Ｖ／ｒ（Ｖ＜０）に減
少する。ＬＤ２００において駆動電流が小さくなると活
性層３内のキャリア濃度が下がり、活性層３の屈折率が
大きくなり、その結果、発振波長は長波長側にシフトす
る。従って、変調信号Ｖを変化させて光の強度を
“１”，“０”と変化させると、変調器１００を経てＬ
Ｄ２００から出力される出力光に波長変動が生じる。
【０００８】一般に光ファイバを伝搬する光の速度は光
の波長により異なるが、通常用いられる１．３μｍ零分
散の光ファイバを波長帯１．５５μｍで用いると、波長
の長い光ほど光の速度は遅くなる。このため、波長の長
い光ほど長い距離を伝搬するにつれてパルス光の幅は広
がり、波形がなまり、伝送品質の劣化が生じる。従っ
て、上述したような従来の光半導体装置３０３を光ファ
イバ通信の光源として用いた場合、光半導体装置を
“０”パターンとするために変調器１００に電圧Ｖ＜０
の変調信号を印加すると、発振波長が長波長側にシフト
してしまい、パルス光の幅が広がり、波形がなまり、パ
ルス光の伝送品質の劣化が生じてしまう。
の波長により異なるが、通常用いられる１．３μｍ零分
散の光ファイバを波長帯１．５５μｍで用いると、波長
の長い光ほど光の速度は遅くなる。このため、波長の長
い光ほど長い距離を伝搬するにつれてパルス光の幅は広
がり、波形がなまり、伝送品質の劣化が生じる。従っ
て、上述したような従来の光半導体装置３０３を光ファ
イバ通信の光源として用いた場合、光半導体装置を
“０”パターンとするために変調器１００に電圧Ｖ＜０
の変調信号を印加すると、発振波長が長波長側にシフト
してしまい、パルス光の幅が広がり、波形がなまり、パ
ルス光の伝送品質の劣化が生じてしまう。
【０００９】このような問題点を解消する方法として
は、変調器１００に光を吸収させるための変調信号を印
加する際にＬＤ２００の注入電流を大きくし、変調器１
００に光を吸収させない際にはＬＤ２００の注入電流を
小さくすることが有効である。このようにすれば、光半
導体装置３０３を“１”レベルで動作させる際の変調光
の波長は、光半導体装置３０３を“０”レベルで動作さ
せる場合の波長よりも長くなる。このような波長変動を
有する光を前述の光ファイバ中を伝搬させると、光パル
スの幅が狭くなり、波形のなまりが生じにくくなる。
は、変調器１００に光を吸収させるための変調信号を印
加する際にＬＤ２００の注入電流を大きくし、変調器１
００に光を吸収させない際にはＬＤ２００の注入電流を
小さくすることが有効である。このようにすれば、光半
導体装置３０３を“１”レベルで動作させる際の変調光
の波長は、光半導体装置３０３を“０”レベルで動作さ
せる場合の波長よりも長くなる。このような波長変動を
有する光を前述の光ファイバ中を伝搬させると、光パル
スの幅が狭くなり、波形のなまりが生じにくくなる。
【００１０】従って、このような動作を実現するため
に、従来から、ＬＤ２００を駆動させる電源に、変調器
１００を駆動する変調信号の出力回路と同期させて駆動
電流を変化させることのできる専用回路を設ける方法が
用いられてきた。
に、従来から、ＬＤ２００を駆動させる電源に、変調器
１００を駆動する変調信号の出力回路と同期させて駆動
電流を変化させることのできる専用回路を設ける方法が
用いられてきた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな変調器を駆動する回路と同期して電流を変化させる
ことのできる専用回路は、伝送品質の劣化は生じにくい
が、その内部に同期回路や電流変調回路等の複雑な電子
回路を必要とし、非常に高価となるため、上述したよう
に、ＬＤを駆動させる電源に、その駆動電流を変調器を
駆動する変調信号を出力する回路と同期させて変化させ
る専用回路を設ける方法は、結果としてコスト増大をま
ねくという問題があった。
うな変調器を駆動する回路と同期して電流を変化させる
ことのできる専用回路は、伝送品質の劣化は生じにくい
が、その内部に同期回路や電流変調回路等の複雑な電子
回路を必要とし、非常に高価となるため、上述したよう
に、ＬＤを駆動させる電源に、その駆動電流を変調器を
駆動する変調信号を出力する回路と同期させて変化させ
る専用回路を設ける方法は、結果としてコスト増大をま
ねくという問題があった。
【００１２】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたものであり、光パルスの伝送品質の劣化が
生じにくい光半導体装置を安価に提供することを目的と
する。
めになされたものであり、光パルスの伝送品質の劣化が
生じにくい光半導体装置を安価に提供することを目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光半導体
装置は、半導体レーザダイオードと、その接地電極が上
記半導体レーザダイオードの接地電極に接続された、上
記半導体レーザダイオードの出力光を変調する変調器
と、その一端が、上記半導体レーザダイオードの該レー
ザダイオードを駆動させるための電流が入力される電極
に接続された第１の抵抗と、上記変調器の該変調器を駆
動させるための電流が入力される電極と、上記変調器の
接地電極との間に接続された第２の抵抗と、上記変調器
の接地電極にその一端が接続され、その他端が接地され
た第３の抵抗とを備えるようにしたものである。
装置は、半導体レーザダイオードと、その接地電極が上
記半導体レーザダイオードの接地電極に接続された、上
記半導体レーザダイオードの出力光を変調する変調器
と、その一端が、上記半導体レーザダイオードの該レー
ザダイオードを駆動させるための電流が入力される電極
に接続された第１の抵抗と、上記変調器の該変調器を駆
動させるための電流が入力される電極と、上記変調器の
接地電極との間に接続された第２の抵抗と、上記変調器
の接地電極にその一端が接続され、その他端が接地され
た第３の抵抗とを備えるようにしたものである。
【００１４】また、上記光半導体装置において、上記電
極に接続された第１の抵抗に対し直列に接続されたイン
ダクタンス素子を備えるようにしたものである。
極に接続された第１の抵抗に対し直列に接続されたイン
ダクタンス素子を備えるようにしたものである。
【００１５】また、上記光半導体装置において、上記第
２の抵抗及び第３の抵抗のそれぞれと、上記変調器の接
地電極との間に、インダクタンス素子を接続するように
したものである。
２の抵抗及び第３の抵抗のそれぞれと、上記変調器の接
地電極との間に、インダクタンス素子を接続するように
したものである。
【００１６】また、上記光半導体装置において、上記レ
ーザダイオードは分布帰還型レーザダイオードであり、
上記レーザダイオードと変調器とは、同一半導体基板上
に互いに接するよう設けられており、上記レーザダイオ
ードと変調器とが接する部分の上部には、上記半導体レ
ーザダイオードの該レーザダイオードを駆動させるため
の電流が入力される電極と上記変調器の該変調器を駆動
させるための電流が入力される電極とを電気的に分離す
る所定の深さの分離溝を備えているようにしたものであ
る。
ーザダイオードは分布帰還型レーザダイオードであり、
上記レーザダイオードと変調器とは、同一半導体基板上
に互いに接するよう設けられており、上記レーザダイオ
ードと変調器とが接する部分の上部には、上記半導体レ
ーザダイオードの該レーザダイオードを駆動させるため
の電流が入力される電極と上記変調器の該変調器を駆動
させるための電流が入力される電極とを電気的に分離す
る所定の深さの分離溝を備えているようにしたものであ
る。
【００１７】
実施の形態１．図１は本発明の実施の形態１に係る光半
導体装置の構造を示す斜視図であり、図において、３０
０は光半導体装置、１４は変調器付ＬＤ、８は変調器側
表面電極、９はレーザ側表面電極、１１は変調器付ＬＤ
１４の基板の裏面に設けられた、変調器，及びレーザダ
イオードの接地電極となる共通接地裏面電極、１６は裏
面に接地用のメタライズ（図示せず）が施されているＡ
ｌ2 Ｏ3 等の誘電体基板、２０は金等の材料からなる接
地側ストリップライン、１５は接地側ストリップライン
２０と上記接地用メタライズとを接続するためのスルー
ホール、１７はＬＤ給電側ストリップライン、１８は変
調器給電側ストリップライン、３１〜３３はストリップ
ラインの材料よりも十分に高抵抗な窒化タンタル（Ｔａ
2 Ｎ）層等の材料からなる第１〜第３の抵抗、２１はマ
ウント用電極、２２は金線等のワイヤである。
導体装置の構造を示す斜視図であり、図において、３０
０は光半導体装置、１４は変調器付ＬＤ、８は変調器側
表面電極、９はレーザ側表面電極、１１は変調器付ＬＤ
１４の基板の裏面に設けられた、変調器，及びレーザダ
イオードの接地電極となる共通接地裏面電極、１６は裏
面に接地用のメタライズ（図示せず）が施されているＡ
ｌ2 Ｏ3 等の誘電体基板、２０は金等の材料からなる接
地側ストリップライン、１５は接地側ストリップライン
２０と上記接地用メタライズとを接続するためのスルー
ホール、１７はＬＤ給電側ストリップライン、１８は変
調器給電側ストリップライン、３１〜３３はストリップ
ラインの材料よりも十分に高抵抗な窒化タンタル（Ｔａ
2 Ｎ）層等の材料からなる第１〜第３の抵抗、２１はマ
ウント用電極、２２は金線等のワイヤである。
【００１８】また、図２は本発明の実施の形態１に係る
光半導体装置の等価回路図であり、図において、図１と
同一符号は同一または相当する部分を示しており、Ｖ0
は直流電源，Ｖは変調器に加える変調信号、１００は変
調器付ＬＤ１４の変調器、２００は変調器付ＬＤ１４の
レーザダイオードを示している。また、Ｒ0 は第１の抵
抗３１の抵抗値、Ｒ1 は第２の抵抗３２の抵抗値、Ｒ2
は第３の抵抗３３の抵抗値である。
光半導体装置の等価回路図であり、図において、図１と
同一符号は同一または相当する部分を示しており、Ｖ0
は直流電源，Ｖは変調器に加える変調信号、１００は変
調器付ＬＤ１４の変調器、２００は変調器付ＬＤ１４の
レーザダイオードを示している。また、Ｒ0 は第１の抵
抗３１の抵抗値、Ｒ1 は第２の抵抗３２の抵抗値、Ｒ2
は第３の抵抗３３の抵抗値である。
【００１９】また、図３は本発明の実施の形態１に係る
光半導体装置の変調器付ＬＤ１４の構造を示す一部切り
欠き斜視図であり、図において、１はｎ型（以下、ｎ−
と称す）ＩｎＰ基板，２はｎ−ＩｎＰクラッド層，３は
ＩｎＧａＡｓＰ活性層，４はｐ型（以下、ｐ−と称す）
ＩｎＰ第１クラッド層，４０は回折格子、５は真性（以
下、ｉ−と称す）ＩｎＰ電流ブロック層，６はｐ−Ｉｎ
Ｐ第２クラッド層，７はｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト
層、８は変調器側表面電極，９はレーザ側表面電極、１
０はＳｉＯ2 等の絶縁膜である。変調器１００とレーザ
ダイオード２００との間にはｐ−ＩｎＰ第２クラッド層
６に達する深さの分離溝４１が設けられており、変調器
アノード電極８とＬＤアノード電極９とはこの分離溝４
１により電気的に絶縁されているが、その絶縁抵抗ｒは
数ｋΩ程度となっている。
光半導体装置の変調器付ＬＤ１４の構造を示す一部切り
欠き斜視図であり、図において、１はｎ型（以下、ｎ−
と称す）ＩｎＰ基板，２はｎ−ＩｎＰクラッド層，３は
ＩｎＧａＡｓＰ活性層，４はｐ型（以下、ｐ−と称す）
ＩｎＰ第１クラッド層，４０は回折格子、５は真性（以
下、ｉ−と称す）ＩｎＰ電流ブロック層，６はｐ−Ｉｎ
Ｐ第２クラッド層，７はｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト
層、８は変調器側表面電極，９はレーザ側表面電極、１
０はＳｉＯ2 等の絶縁膜である。変調器１００とレーザ
ダイオード２００との間にはｐ−ＩｎＰ第２クラッド層
６に達する深さの分離溝４１が設けられており、変調器
アノード電極８とＬＤアノード電極９とはこの分離溝４
１により電気的に絶縁されているが、その絶縁抵抗ｒは
数ｋΩ程度となっている。
【００２０】この光半導体装置３００は、変調器付ＬＤ
１４をＡｌ2 Ｏ3 等の誘電体基板１６を材料とするサブ
マウントに実装してなるものである。この光半導体装置
３００においては、変調器１００とレーザダイオード２
００とのそれぞれの接地電極は、共通接地裏面電極１１
として一体化形成されている。また、レーザダイオード
２００のレーザ側表面電極９は、ワイヤ２２を介して第
１の抵抗３１と接続され、この第１の抵抗３１はＬＤ給
電側ストリップライン１７を介して直流電源Ｖ0 と接続
されている。上記変調器１００の変調器側表面電極８
は、変調信号Ｖが供給される変調器給電側ストリップラ
イン１８と接続されているとともに、第２の抵抗３２
と、マウント用電極２１とを介して、変調器付ＬＤの共
通接地裏面電極１１と接続されている。さらに、変調器
付ＬＤ１４の共通接地裏面電極１１は、マウント用電極
２１、第３の抵抗３３、接地用ストリップライン２０、
及びスルーホール１５を介して接地されている。
１４をＡｌ2 Ｏ3 等の誘電体基板１６を材料とするサブ
マウントに実装してなるものである。この光半導体装置
３００においては、変調器１００とレーザダイオード２
００とのそれぞれの接地電極は、共通接地裏面電極１１
として一体化形成されている。また、レーザダイオード
２００のレーザ側表面電極９は、ワイヤ２２を介して第
１の抵抗３１と接続され、この第１の抵抗３１はＬＤ給
電側ストリップライン１７を介して直流電源Ｖ0 と接続
されている。上記変調器１００の変調器側表面電極８
は、変調信号Ｖが供給される変調器給電側ストリップラ
イン１８と接続されているとともに、第２の抵抗３２
と、マウント用電極２１とを介して、変調器付ＬＤの共
通接地裏面電極１１と接続されている。さらに、変調器
付ＬＤ１４の共通接地裏面電極１１は、マウント用電極
２１、第３の抵抗３３、接地用ストリップライン２０、
及びスルーホール１５を介して接地されている。
【００２１】次に動作について説明する。直流電源Ｖ0
から第１の抵抗３１を経て変調器付ＬＤ１４のレーザ側
表面電極９に順バイアスとなる駆動電流を流すと、ＬＤ
２００の活性層３においてレーザ光が発生する。そし
て、このレーザ光が変調器１００の活性層３近傍を経て
変調器付ＬＤ１４の端面から出力されるが、この変調器
１００内のｐｎ接合が逆バイアスとなるような変調信号
（Ｖ＜０）を変調器給電用ストリップライン１８を通じ
て変調器側表面電極８に印加すると変調器１００の活性
層３はＬＤ２００の活性層３からの発光を吸収する。こ
の変調器１００において光を吸収している状態が光半導
体装置３００の“０”パターンとなる。また、印加する
変調信号Ｖを０Ｖとすると、変調器１００はＬＤ２００
の発光を吸収せずに透過するようになり、光半導体装置
３００は“１”パターンとなる。
から第１の抵抗３１を経て変調器付ＬＤ１４のレーザ側
表面電極９に順バイアスとなる駆動電流を流すと、ＬＤ
２００の活性層３においてレーザ光が発生する。そし
て、このレーザ光が変調器１００の活性層３近傍を経て
変調器付ＬＤ１４の端面から出力されるが、この変調器
１００内のｐｎ接合が逆バイアスとなるような変調信号
（Ｖ＜０）を変調器給電用ストリップライン１８を通じ
て変調器側表面電極８に印加すると変調器１００の活性
層３はＬＤ２００の活性層３からの発光を吸収する。こ
の変調器１００において光を吸収している状態が光半導
体装置３００の“０”パターンとなる。また、印加する
変調信号Ｖを０Ｖとすると、変調器１００はＬＤ２００
の発光を吸収せずに透過するようになり、光半導体装置
３００は“１”パターンとなる。
【００２２】ここで、この実施の形態１に係る光半導体
装置においても、従来の技術において述べたように、変
調器付ＬＤ１４の変調器側表面電極８とレーザ側表面電
極９との間には絶縁抵抗ｒが存在しているが、Ｒ1 ≪ｒ
であることよりｒは無視できるので、ＬＤ２００に流れ
る電流をＩとすると、
装置においても、従来の技術において述べたように、変
調器付ＬＤ１４の変調器側表面電極８とレーザ側表面電
極９との間には絶縁抵抗ｒが存在しているが、Ｒ1 ≪ｒ
であることよりｒは無視できるので、ＬＤ２００に流れ
る電流をＩとすると、
【００２３】
【数１】
【００２４】となる。このとき、抵抗Ｒ1 ＋抵抗Ｒ2 は
変調信号Ｖを出力する変調器電源（図示せず）の終端抵
抗となるため、変調器電源の内部インピーダンスをＺと
すると、Ｒ1 ＋Ｒ2 ＝Ｚとなる。そして、抵抗Ｒ0 ，Ｒ
1 ，Ｒ2 ＞０，Ｖ0 ＞０，Ｖ≦０であるので、変調器付
ＬＤ１４が“０”レベルの状態，即ち変調器側表面電極
８に印加される電圧ＶをＶ＜０として、変調器１００が
光を吸収可能な状態にあるとした時のＬＤ２００に流れ
る電流は、変調器付ＬＤ１４が“１”レベルの状態，即
ち変調器側表面電極８に印加される電圧ＶをＶ＝０とし
て、変調器１００が光を吸収しない状態にあるとした時
に比して、
変調信号Ｖを出力する変調器電源（図示せず）の終端抵
抗となるため、変調器電源の内部インピーダンスをＺと
すると、Ｒ1 ＋Ｒ2 ＝Ｚとなる。そして、抵抗Ｒ0 ，Ｒ
1 ，Ｒ2 ＞０，Ｖ0 ＞０，Ｖ≦０であるので、変調器付
ＬＤ１４が“０”レベルの状態，即ち変調器側表面電極
８に印加される電圧ＶをＶ＜０として、変調器１００が
光を吸収可能な状態にあるとした時のＬＤ２００に流れ
る電流は、変調器付ＬＤ１４が“１”レベルの状態，即
ち変調器側表面電極８に印加される電圧ＶをＶ＝０とし
て、変調器１００が光を吸収しない状態にあるとした時
に比して、
【００２５】
【数２】
【００２６】だけ増加する。ただし、ΔＩは変調器付Ｌ
Ｄ１４が“１”レベルの状態とした時にＬＤ２００に流
れる電流と、変調器付ＬＤ１４が“０”レベルの状態と
した時にＬＤ２００に流れる電流との差の電流値とす
る。したがって、変調器付ＬＤ１４を“０”レベルとし
て動作させる場合のレーザ側表面電極９に流れる電流
を、変調器付ＬＤ１４を“１”レベルとして動作させる
場合に比べ、必ず大きくすることができる。
Ｄ１４が“１”レベルの状態とした時にＬＤ２００に流
れる電流と、変調器付ＬＤ１４が“０”レベルの状態と
した時にＬＤ２００に流れる電流との差の電流値とす
る。したがって、変調器付ＬＤ１４を“０”レベルとし
て動作させる場合のレーザ側表面電極９に流れる電流
を、変調器付ＬＤ１４を“１”レベルとして動作させる
場合に比べ、必ず大きくすることができる。
【００２７】例えば、Ｚ＝５０Ω，Ｖ＝−１Ｖ，Ｒ0 ＝
４５Ω，Ｒ1 ＝２０Ω，Ｒ2 ＝３０Ωとすれば、上記式
２より、電流Ｉの変化としてΔＩ＝１０ｍＡが得られ
る。通常、ＬＤの発振波長の注入電流に対する変化率は
約−０．１オングストローム／ｍＡであるので、ΔＩ＝
１０ｍＡでもって約−１オングストロームの波長変動を
実現できる。即ち、変調器付ＬＤ１４を“０”レベルと
して動作させる場合は、“１”レベルとした場合に比
べ、波長を約１オングストローム短波長化することがで
きる。
４５Ω，Ｒ1 ＝２０Ω，Ｒ2 ＝３０Ωとすれば、上記式
２より、電流Ｉの変化としてΔＩ＝１０ｍＡが得られ
る。通常、ＬＤの発振波長の注入電流に対する変化率は
約−０．１オングストローム／ｍＡであるので、ΔＩ＝
１０ｍＡでもって約−１オングストロームの波長変動を
実現できる。即ち、変調器付ＬＤ１４を“０”レベルと
して動作させる場合は、“１”レベルとした場合に比
べ、波長を約１オングストローム短波長化することがで
きる。
【００２８】このように、本実施の形態１に係る光半導
体装置によれば、変調器付ＬＤ１４のレーザ側表面電極
９と接続された第１の抵抗３１と、変調器付ＬＤ１４の
変調器側表面電極８と共通接地裏面電極１１との間に接
続された第２の電極３２と、変調器付ＬＤ１４の共通接
地裏面電極１１にその一端が接続され、その他端が接地
された第３の電極３３とを備えたものとしたから、変調
器付ＬＤ１４を“０”レベルとして動作させる場合のレ
ーザ側表面電極９に流れる電流を、変調器付ＬＤ１４を
“１”レベルとして動作させる場合に比べ大きくして、
波長を短波長化することができ、従来のように直流電源
Ｖ0 に、電流を変調信号に合わせて変化させる専用の回
路等を設けることなく、変調器付ＬＤ１４が“０”レベ
ルの状態にある時のＬＤ２００の駆動電流の低下を防ぐ
ことができ、光パルスの伝送品質の劣化が生じにくい光
半導体装置を安価に提供することができる効果がある。
体装置によれば、変調器付ＬＤ１４のレーザ側表面電極
９と接続された第１の抵抗３１と、変調器付ＬＤ１４の
変調器側表面電極８と共通接地裏面電極１１との間に接
続された第２の電極３２と、変調器付ＬＤ１４の共通接
地裏面電極１１にその一端が接続され、その他端が接地
された第３の電極３３とを備えたものとしたから、変調
器付ＬＤ１４を“０”レベルとして動作させる場合のレ
ーザ側表面電極９に流れる電流を、変調器付ＬＤ１４を
“１”レベルとして動作させる場合に比べ大きくして、
波長を短波長化することができ、従来のように直流電源
Ｖ0 に、電流を変調信号に合わせて変化させる専用の回
路等を設けることなく、変調器付ＬＤ１４が“０”レベ
ルの状態にある時のＬＤ２００の駆動電流の低下を防ぐ
ことができ、光パルスの伝送品質の劣化が生じにくい光
半導体装置を安価に提供することができる効果がある。
【００２９】実施の形態２．図４は本発明の実施の形態
２に係る光半導体装置の構造を示す斜視図であり、図に
おいて、図１と同一符号は同一または相当する部分を示
しており、３０１は光半導体装置、２３はインダクタン
ス素子で、例えば２５ｍφの金線からなるワイヤインダ
クタンス等が用いられる。
２に係る光半導体装置の構造を示す斜視図であり、図に
おいて、図１と同一符号は同一または相当する部分を示
しており、３０１は光半導体装置、２３はインダクタン
ス素子で、例えば２５ｍφの金線からなるワイヤインダ
クタンス等が用いられる。
【００３０】また、図５は本発明の実施の形態２に係る
光半導体装置の等価回路図であり、図において、図３と
同一符号は同一又は相当する部分を示しており、Ｌ1 は
インダクタンス素子２３のインダクタンスを示してい
る。
光半導体装置の等価回路図であり、図において、図３と
同一符号は同一又は相当する部分を示しており、Ｌ1 は
インダクタンス素子２３のインダクタンスを示してい
る。
【００３１】この実施の形態２に係る光半導体装置は、
上記実施の形態１に係る光半導体装置において、レーザ
側表面電極９と接続された第１の抵抗３１に対して、さ
らに直列にインダクタンス素子２３を接続するようにし
たものである。
上記実施の形態１に係る光半導体装置において、レーザ
側表面電極９と接続された第１の抵抗３１に対して、さ
らに直列にインダクタンス素子２３を接続するようにし
たものである。
【００３２】次に動作について説明する。変調器付ＬＤ
１４の変調器１００を駆動する変調信号Ｖの周波数をｆ
とすると、変調信号Ｖの変化に伴って変化するＬＤ２０
０の駆動電流Ｉ(f) は、
１４の変調器１００を駆動する変調信号Ｖの周波数をｆ
とすると、変調信号Ｖの変化に伴って変化するＬＤ２０
０の駆動電流Ｉ(f) は、
【００３３】
【数３】
【００３４】となる。但し、ｊは虚数単位である。この
とき、ＬＤ２００の駆動電流Ｉ(f) の変調電圧Ｖに対す
る位相遅れは、
とき、ＬＤ２００の駆動電流Ｉ(f) の変調電圧Ｖに対す
る位相遅れは、
【００３５】
【数４】
【００３６】である。したがって、上記実施の形態１に
おいては、変調信号Ｖの位相と、変調信号Ｖに伴って変
化するＬＤ２００の駆動電流の位相との位相差は０であ
ったが、本実施の形態２によれば、所定のインダクタン
スＬ1 を有するインダクタンス素子２３を設けることに
より、変調信号Ｖに対してＬＤ２００の駆動電流の変化
の位相を遅らせることが可能となる。
おいては、変調信号Ｖの位相と、変調信号Ｖに伴って変
化するＬＤ２００の駆動電流の位相との位相差は０であ
ったが、本実施の形態２によれば、所定のインダクタン
スＬ1 を有するインダクタンス素子２３を設けることに
より、変調信号Ｖに対してＬＤ２００の駆動電流の変化
の位相を遅らせることが可能となる。
【００３７】例えば、インダクタンス素子２３として、
φ２５μｍ，長さ１ｍｍの金線からなるワイヤインダク
タンスを用いたとすると、このワイヤインダクタンス２
３のインダクタンスＬ1 は、Ｌ1 ＝０．８７ｎＨであ
り、Ｒ0 ＝４５Ω、Ｖ＝−１Ｖ、Ｚ＝５０Ω、Ｒ1 ＝２
０Ω、Ｒ2 ＝３０Ω、ｆ＝２．５ＧＨｚとすると、上記
式４より、θ＝１３．５°を得る。また、このとき、実
施の形態１において示した式２より、“１”レベル時と
“０”レベル時とのレーザダイオード２００に流れる電
流値の差ΔＩの絶対値｜ΔＩ｜は、｜ΔＩ｜＝１０ｍＡ
となる。
φ２５μｍ，長さ１ｍｍの金線からなるワイヤインダク
タンスを用いたとすると、このワイヤインダクタンス２
３のインダクタンスＬ1 は、Ｌ1 ＝０．８７ｎＨであ
り、Ｒ0 ＝４５Ω、Ｖ＝−１Ｖ、Ｚ＝５０Ω、Ｒ1 ＝２
０Ω、Ｒ2 ＝３０Ω、ｆ＝２．５ＧＨｚとすると、上記
式４より、θ＝１３．５°を得る。また、このとき、実
施の形態１において示した式２より、“１”レベル時と
“０”レベル時とのレーザダイオード２００に流れる電
流値の差ΔＩの絶対値｜ΔＩ｜は、｜ΔＩ｜＝１０ｍＡ
となる。
【００３８】このように、本発明の実施の形態２によれ
ば、上記実施の形態１と同様の効果を奏するとともに、
上記実施の形態１に示した光半導体装置において、レー
ザ側表面電極９と接続された第１の抵抗３１に対して、
さらにインダクタンス素子２３を直列に接続するように
したから、変調信号Ｖに対してＬＤ２００の駆動電流の
変化の位相を遅らせることができる効果がある。
ば、上記実施の形態１と同様の効果を奏するとともに、
上記実施の形態１に示した光半導体装置において、レー
ザ側表面電極９と接続された第１の抵抗３１に対して、
さらにインダクタンス素子２３を直列に接続するように
したから、変調信号Ｖに対してＬＤ２００の駆動電流の
変化の位相を遅らせることができる効果がある。
【００３９】実施の形態３．図６は本発明の実施の形態
３に係る光半導体装置の構造を示す斜視図であり、図に
おいて、図４と同一符号は同一または相当する部分を示
しており、３０２は光半導体装置、２４はインダクタン
ス素子で、例えば２５ｍφの金線からなるワイヤインダ
クタンス等が用いられる。
３に係る光半導体装置の構造を示す斜視図であり、図に
おいて、図４と同一符号は同一または相当する部分を示
しており、３０２は光半導体装置、２４はインダクタン
ス素子で、例えば２５ｍφの金線からなるワイヤインダ
クタンス等が用いられる。
【００４０】また、図７は本発明の実施の形態３に係る
光半導体装置の等価回路図であり、図において、図５と
同一符号は同一又は相当する部分を示しており、Ｌ2 は
インダクタンス素子２４のインダクタンスを示してい
る。
光半導体装置の等価回路図であり、図において、図５と
同一符号は同一又は相当する部分を示しており、Ｌ2 は
インダクタンス素子２４のインダクタンスを示してい
る。
【００４１】本実施の形態３においては、上記実施の形
態２において説明した光半導体装置において、レーザ側
表面電極９と接続された第１の抵抗３１に対してインダ
クタンス素子２３を接続するのに代えて、変調器付ＬＤ
１４の共通接地裏面電極１１と、抵抗３２及び抵抗３３
のそれぞれとの接続をインダクタンス素子２４を介して
行うようにしたものである。このような回路構成の本実
施の形態３に係る光半導体装置においても、上記実施の
形態２と同様に、ＬＤ２００の駆動電流Ｉ(f)は、
態２において説明した光半導体装置において、レーザ側
表面電極９と接続された第１の抵抗３１に対してインダ
クタンス素子２３を接続するのに代えて、変調器付ＬＤ
１４の共通接地裏面電極１１と、抵抗３２及び抵抗３３
のそれぞれとの接続をインダクタンス素子２４を介して
行うようにしたものである。このような回路構成の本実
施の形態３に係る光半導体装置においても、上記実施の
形態２と同様に、ＬＤ２００の駆動電流Ｉ(f)は、
【００４２】
【数５】
【００４３】で表され、ＬＤ２００の駆動電流Ｉ(f) の
変調信号Ｖに対する位相遅れは、
変調信号Ｖに対する位相遅れは、
【００４４】
【数６】
【００４５】となり、上記実施の形態２と同様に、上記
実施の形態１と同様の効果を奏するとともに、変調信号
Ｖに対してＬＤ２００の駆動電流の変化の位相を遅らせ
ることができる効果が得られる。
実施の形態１と同様の効果を奏するとともに、変調信号
Ｖに対してＬＤ２００の駆動電流の変化の位相を遅らせ
ることができる効果が得られる。
【００４６】なお、上記実施の形態１〜３においては、
分布帰還型（ＤＦＢ）レーザダイオードと変調器とが、
同一半導体基板上に互いに接するよう設けられている変
調器付ＬＤを備えた光半導体装置について説明したが、
本発明は、レーザダイオードと，このレーザダイオード
の出力光を変調する変調器とを備えた光半導体装置であ
れば、どのような構造の光半導体装置においても適用で
きるものであり、このような場合においても上記実施の
形態１〜３と同様の効果を奏する。
分布帰還型（ＤＦＢ）レーザダイオードと変調器とが、
同一半導体基板上に互いに接するよう設けられている変
調器付ＬＤを備えた光半導体装置について説明したが、
本発明は、レーザダイオードと，このレーザダイオード
の出力光を変調する変調器とを備えた光半導体装置であ
れば、どのような構造の光半導体装置においても適用で
きるものであり、このような場合においても上記実施の
形態１〜３と同様の効果を奏する。
【００４７】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、半導体
レーザダイオードと、その接地電極が上記半導体レーザ
ダイオードの接地電極に接続された、上記半導体レーザ
ダイオードの出力光を変調する変調器と、その一端が、
上記半導体レーザダイオードの該レーザダイオードを駆
動させるための電流が入力される電極に接続された第１
の抵抗と、上記変調器の該変調器を駆動させるための電
流が入力される電極と、上記変調器の接地電極との間に
接続された第２の抵抗と、上記変調器の接地電極にその
一端が接続され、その他端が接地された第３の抵抗とを
備えるようにしたから、変調器に光吸収動作を行わせて
いる時のレーザダイオードの駆動電流を、変調器に光吸
収動作を行わせていない時のレーザダイオードの駆動電
流よりも大きくして発振波長を短くすることができ、光
パルスの伝送品質の劣化が生じにくい光半導体装置を安
価に提供することができる効果がある。
レーザダイオードと、その接地電極が上記半導体レーザ
ダイオードの接地電極に接続された、上記半導体レーザ
ダイオードの出力光を変調する変調器と、その一端が、
上記半導体レーザダイオードの該レーザダイオードを駆
動させるための電流が入力される電極に接続された第１
の抵抗と、上記変調器の該変調器を駆動させるための電
流が入力される電極と、上記変調器の接地電極との間に
接続された第２の抵抗と、上記変調器の接地電極にその
一端が接続され、その他端が接地された第３の抵抗とを
備えるようにしたから、変調器に光吸収動作を行わせて
いる時のレーザダイオードの駆動電流を、変調器に光吸
収動作を行わせていない時のレーザダイオードの駆動電
流よりも大きくして発振波長を短くすることができ、光
パルスの伝送品質の劣化が生じにくい光半導体装置を安
価に提供することができる効果がある。
【００４８】また、この発明によれば、上記光半導体装
置において、上記電極に接続された第１の抵抗に対し直
列になるよう接続されたインダクタンス素子を備えるよ
うにしたから、変調器を動作させる変調信号の位相に対
して、レーザダイオードに流れる電流の位相を遅らせる
ことができる効果がある。
置において、上記電極に接続された第１の抵抗に対し直
列になるよう接続されたインダクタンス素子を備えるよ
うにしたから、変調器を動作させる変調信号の位相に対
して、レーザダイオードに流れる電流の位相を遅らせる
ことができる効果がある。
【００４９】また、この発明によれば、上記光半導体装
置において、上記第２の抵抗及び第３の抵抗のそれぞれ
と、上記光変調器の接地電極との間に、インダクタンス
素子を接続するようにしたから、変調器を動作させる変
調信号の位相に対して、レーザダイオードに流れる電流
の位相を遅らせることができる効果がある。
置において、上記第２の抵抗及び第３の抵抗のそれぞれ
と、上記光変調器の接地電極との間に、インダクタンス
素子を接続するようにしたから、変調器を動作させる変
調信号の位相に対して、レーザダイオードに流れる電流
の位相を遅らせることができる効果がある。
【００５０】また、この発明によれば、上記光半導体装
置において、上記レーザダイオードは分布帰還型レーザ
ダイオードであり、上記レーザダイオードと光変調器と
は、同一半導体基板上に互いに接するよう設けられてお
り、上記レーザダイオードと光変調器とが接する部分の
上部には、上記半導体レーザダイオードの該レーザダイ
オードを駆動させるための電流が入力される電極と上記
光変調器の該光変調器を駆動させるための電流が入力さ
れる電極とを電気的に分離する所定の深さの分離溝を備
えているようにしたから、変調器に光吸収動作を行わせ
ている時のレーザダイオードの駆動電流を、変調器に光
吸収動作を行わせていない時のレーザダイオードの駆動
電流よりも大きくして発振波長を短くすることができ、
光パルスの伝送品質の劣化が生じにくい光半導体装置を
安価に提供することができる効果がある。
置において、上記レーザダイオードは分布帰還型レーザ
ダイオードであり、上記レーザダイオードと光変調器と
は、同一半導体基板上に互いに接するよう設けられてお
り、上記レーザダイオードと光変調器とが接する部分の
上部には、上記半導体レーザダイオードの該レーザダイ
オードを駆動させるための電流が入力される電極と上記
光変調器の該光変調器を駆動させるための電流が入力さ
れる電極とを電気的に分離する所定の深さの分離溝を備
えているようにしたから、変調器に光吸収動作を行わせ
ている時のレーザダイオードの駆動電流を、変調器に光
吸収動作を行わせていない時のレーザダイオードの駆動
電流よりも大きくして発振波長を短くすることができ、
光パルスの伝送品質の劣化が生じにくい光半導体装置を
安価に提供することができる効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る光半導体装置
の構造を示す斜視図である。
の構造を示す斜視図である。
【図２】 この発明の実施の形態１に係る光半導体装置
の等価回路図である。
の等価回路図である。
【図３】 この発明の実施の形態１に係る光半導体装置
の変調器付ＬＤの構造を示す斜視図である。
の変調器付ＬＤの構造を示す斜視図である。
【図４】 この発明の実施の形態２に係る光半導体装置
の構造を示す斜視図である。
の構造を示す斜視図である。
【図５】 この発明の実施の形態２に係る光半導体装置
の等価回路図である。
の等価回路図である。
【図６】 この発明の実施の形態３に係る光半導体装置
の構造を示す斜視図である。
の構造を示す斜視図である。
【図７】 この発明の実施の形態３に係る光半導体装置
の等価回路図である。
の等価回路図である。
【図８】 従来の光半導体装置の構造を示す斜視図であ
る。
る。
【図９】 従来の光半導体装置の等価回路図である。
【図１０】 従来の変調器付ＬＤの構造を示す斜視図で
ある。
ある。
１ ｎ−ＩｎＰ基板、２ ｎ−ＩｎＰクラッド層、３
ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４ ｐ−ＩｎＰ第１クラッド
層、５ ｉ−ＩｎＰ電流ブロック層、６ ｐ−ＩｎＰ第
２クラッド層、７ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、
８ 変調器側表面電極、９ レーザ側表面電極、１０
絶縁膜、１１ 共通接地裏面電極、１４変調器付ＬＤ、
１５ スルーホール、１６ 誘電体基板、１７ ＬＤ給
電側ストリップライン、１８ 変調器給電側ストリップ
ライン、１９ 終端抵抗、２０接地側ストリップライ
ン、２１ マウント用電極、２２ ワイヤ、２３，２４
インダクタンス素子、３１ 第１の抵抗、３２ 第２の
抵抗、３３ 第３の抵抗、４０ 回折格子、４１ 分離
溝、１００ 変調器、２００ レーザダイオード、３０
０〜３０３ 光半導体装置。
ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４ ｐ−ＩｎＰ第１クラッド
層、５ ｉ−ＩｎＰ電流ブロック層、６ ｐ−ＩｎＰ第
２クラッド層、７ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、
８ 変調器側表面電極、９ レーザ側表面電極、１０
絶縁膜、１１ 共通接地裏面電極、１４変調器付ＬＤ、
１５ スルーホール、１６ 誘電体基板、１７ ＬＤ給
電側ストリップライン、１８ 変調器給電側ストリップ
ライン、１９ 終端抵抗、２０接地側ストリップライ
ン、２１ マウント用電極、２２ ワイヤ、２３，２４
インダクタンス素子、３１ 第１の抵抗、３２ 第２の
抵抗、３３ 第３の抵抗、４０ 回折格子、４１ 分離
溝、１００ 変調器、２００ レーザダイオード、３０
０〜３０３ 光半導体装置。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体レーザダイオードと、 その接地電極が上記半導体レーザダイオードの接地電極
に接続された、上記半導体レーザダイオードの出力光を
変調する変調器と、 その一端が、上記半導体レーザダイオードの該レーザダ
イオードを駆動させるための電流が入力される電極に接
続された第１の抵抗と、 上記変調器の該変調器を駆動させるための電流が入力さ
れる電極と、上記変調器の接地電極との間に接続された
第２の抵抗と、 上記変調器の接地電極にその一端が接続され、その他端
が接地された第３の抵抗とを備えたことを特徴とする光
半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光半導体装置におい
て、 上記電極に接続された第１の抵抗に対し直列に接続され
たインダクタンス素子を備えたことを特徴とする光半導
体装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光半導体装置におい
て、 上記第２の抵抗及び第３の抵抗のそれぞれと、上記変調
器の接地電極との間に、インダクタンス素子を接続した
ことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の光半導体装置におい
て、 上記レーザダイオードは分布帰還型レーザダイオードで
あり、 上記レーザダイオードと変調器とは、同一半導体基板上
に互いに接するよう設けられており、 上記レーザダイオードと変調器とが接する部分の上部に
は、上記半導体レーザダイオードの該レーザダイオード
を駆動させるための電流が入力される電極と上記変調器
の該変調器を駆動させるための電流が入力される電極と
を電気的に分離する所定の深さの分離溝を備えているこ
とを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8198783A JPH1051069A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 光半導体装置 |
| US08/735,080 US5781578A (en) | 1996-07-29 | 1996-10-18 | Optical semiconductor device |
| DE19700261A DE19700261A1 (de) | 1996-07-29 | 1997-01-07 | Optisches Halbleiterbauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8198783A JPH1051069A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1051069A true JPH1051069A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16396848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8198783A Pending JPH1051069A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 光半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5781578A (ja) |
| JP (1) | JPH1051069A (ja) |
| DE (1) | DE19700261A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257435A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送信器 |
| JP2002319644A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 |
| JP2021180293A (ja) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社 | 光モジュール |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE59901985D1 (de) * | 1998-05-26 | 2002-08-14 | Infineon Technologies Ag | Hochfrequenz-Lasermodul und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US6057954A (en) * | 1998-09-18 | 2000-05-02 | Lucent Technologies Inc. | Asymmetric inductive peaking for optoelectronic devices |
| JP4290314B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2009-07-01 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 高周波回路及びそれを実装したモジュール、通信機 |
| US6480316B1 (en) | 2001-06-15 | 2002-11-12 | Yotta Networks | System and method for reading data content out of optical data stream without altering the optical data stream |
| EP1389812A1 (en) * | 2002-08-13 | 2004-02-18 | Agilent Technologies Inc | A mounting arrangement for high frequency electro-optical components |
| US6873449B1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Signal transmission line for an optical modulator |
| JP4856465B2 (ja) | 2006-04-19 | 2012-01-18 | 日本オプネクスト株式会社 | 光半導体素子搭載基板、および光送信モジュール |
| JP7124741B2 (ja) * | 2019-02-06 | 2022-08-24 | 日本電信電話株式会社 | 光送信器 |
| JP2021180296A (ja) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体装置、光送信モジュール及び光トランシーバ |
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| JP2820442B2 (ja) * | 1989-08-15 | 1998-11-05 | 富士通株式会社 | 電界吸収型光変調器の出力波形安定化方法 |
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| CA2127060A1 (en) * | 1993-06-30 | 1994-12-31 | Hiromitsu Kawamura | Modulator integrated distributed feed-back laser diode module and device using the same |
| JP3453406B2 (ja) * | 1993-07-23 | 2003-10-06 | 三菱電機株式会社 | 光変調器 |
| EP0673093B1 (en) * | 1994-03-18 | 2002-11-27 | Fujitsu Limited | Drive circuit of a semiconductor optical modulator |
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| JP3553222B2 (ja) * | 1995-09-20 | 2004-08-11 | 三菱電機株式会社 | 光変調器モジュール |
-
1996
- 1996-07-29 JP JP8198783A patent/JPH1051069A/ja active Pending
- 1996-10-18 US US08/735,080 patent/US5781578A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-07 DE DE19700261A patent/DE19700261A1/de not_active Withdrawn
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| JP2021180293A (ja) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社 | 光モジュール |
| US12027815B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-07-02 | CIG Photonics Japan Limited | Optical module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5781578A (en) | 1998-07-14 |
| DE19700261A1 (de) | 1998-02-05 |
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