JPH10512975A - 多層薄膜バンドパスフィルタ - Google Patents
多層薄膜バンドパスフィルタInfo
- Publication number
- JPH10512975A JPH10512975A JP9504057A JP50405797A JPH10512975A JP H10512975 A JPH10512975 A JP H10512975A JP 9504057 A JP9504057 A JP 9504057A JP 50405797 A JP50405797 A JP 50405797A JP H10512975 A JPH10512975 A JP H10512975A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layers
- resonators
- wave
- quarter
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 117
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 30
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 52
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 21
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 461
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 10
- YBJHBAHKTGYVGT-ZKWXMUAHSA-N (+)-Biotin Chemical compound N1C(=O)N[C@@H]2[C@H](CCCCC(=O)O)SC[C@@H]21 YBJHBAHKTGYVGT-ZKWXMUAHSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 8
- FEPMHVLSLDOMQC-UHFFFAOYSA-N virginiamycin-S1 Natural products CC1OC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)NC(=O)C2CC(=O)CCN2C(=O)C(CC=2C=CC=CC=2)N(C)C(=O)C2CCCN2C(=O)C(CC)NC(=O)C1NC(=O)C1=NC=CC=C1O FEPMHVLSLDOMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MZQZQKZKTGRQCG-UHFFFAOYSA-J thorium tetrafluoride Chemical compound F[Th](F)(F)F MZQZQKZKTGRQCG-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 6
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 4
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910004366 ThF4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGSUDXWHMRLFDV-UHFFFAOYSA-M [F-].[Th+4].[S-2].[Zn+2] Chemical compound [F-].[Th+4].[S-2].[Zn+2] UGSUDXWHMRLFDV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 2
- 239000008149 soap solution Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
- G02B5/288—Interference filters comprising deposited thin solid films comprising at least one thin film resonant cavity, e.g. in bandpass filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
通過帯域ゾーンにおいて殆どまたは全くリプルのない実質的に方形状をなす帯域通過フィルタを製造するための新規な設計を提供する。フィルタは、内側の共振器よりも4層少ない層からなる最初と最後の共振器を備えた帯域通過の多共振器を含む絶縁タイプですべてできている。内側の共振器はすべて同じ層数でできている。全ての共振器は低屈折率材よりなる4分の1波長厚の層によりお互いに分離されている。フィルタと入射媒質と出射媒質との間に低屈折率材よりなる層が付加されていてもよい。複数の2分の1波長層が外側共振器の4分の1波長積層体に特に付加され、また内側共振器の積層体の幾つかにも付加されてもよい。これらは高透過ゾーンに対して過度にリプルを付加することなく低透過から高透過への移行を急峻にする。最初の数層および最後の数層の厚さは、隣接する媒質に対する通過帯域の屈折率構造をマッチングさせることによりフィルタの透過性を高めるために変えられてもよい。
Description
【発明の詳細な説明】
多層薄膜バンドパスフィルタ
発明の分野
本発明は絶縁体バンドパスフィルタに関し、特に通過帯域における透過リプル
を低減する多層多共振器構造に関する。
発明の背景
光の干渉は、光の伝送および反射の強度を変え、2または3以上の光のビーム
の重畳を生じる。重畳の原理は、生じた振幅が個々のビームの振幅の合計である
ということを言明している。光り輝く色は、例えば光が石鹸の泡や水の上に浮い
ている油の薄膜により反射される時に見られ、2つの光波列間での干渉効果によ
り生じる。光波は石鹸溶液または油の薄膜の反対の面で反射される。
更に重要なことには、薄膜における干渉効果の実際の適用には、被覆した光学
的な表面を製造することが含まれる。透明な物質でできた膜がガラスのような透
明基板上に、例えばガラスの屈折率に対して適当な特定の屈折率を有し、かつそ
の膜における光の特定の波長の4分の1となる厚さを有するように堆積される場
合、その波長の光のガラス表面からの反射は殆ど完全に抑えられ得る。そうでな
ければ反射光は非反射膜によって吸収されず、むしろ、入射光のエネルギーが再
分配され、そのため伝送される光の強度が増大するのに伴って反射が減少する。
2または3以上の重畳された層を有する合成の膜を用いて、そのような膜の反
射防止性能の改善が相当なされてきた。そのような膜を形成するのに、比較的屈
折率が高い材料と比較的屈折率が低い材料の2つの異なる材料が用いられてもよ
い。その2つの材料は、その膜に適した所望の光特性を得るために所定の厚さに
達するまで交互に堆積される。理論的にはこの手法で、極めて多様な伝送および
反射のスペクトルに適した多層干渉被覆を設計することができる。これによって
、複雑なスペクトルのフィルタ構造を利用した多くの新しい光デバイスが開発さ
れてきた。反射防止被覆、レーザ誘電ミラー、テレビカメラのエッジフィルタ、
光帯域通過フィルタ、および帯域消去フィルタが薄膜の干渉被覆を用いた有用な
デバイスの幾つかの例である。
ある特定のタイプの干渉被覆は帯域通過フィルタであり、所望の通過帯域の所
定の範囲内の波長が伝送されるのに対して、その通過帯域の両側の波長範囲は著
しく反射されることを可能とするように設計されている。理想的には帯域通過フ
ィルタは、リプルの殆どない均一な通過帯域を得ながらも、方形状の応答特性を
なすべきであり、従って帯域消去領域から帯域通過領域への移行はできるだけ迅
速でなければならず、あるいは別の言い方をすればその傾斜すなわち移行領域は
急峻であるべきである。
多共振器フィルタは40年以上も前から製造されている。フィルタ設計者の通
常のアプローチは基板および出口の媒質に対して等長共振器構造を単純に反射防
止とすることである。しかしながら、これは通過帯域に過剰なリプルを有するフ
ィルタを生じる。この問題を取り除くための試みにおいて、共振器の長さを変更
する必要性が薄膜分野の専門家らによって徹底的に研究されてきた。P.W.Baum
eisterは1982年8月15日に発行されたApplied Optics Vol.21,No.16の「
Use of microwave prototype filters to design multilayer dielectric bandp
ass filters」という論文の中で、マイクロ波フィルタの合成を適用した反射ゾ
ーンを適合させるために定在波比技術を用いることについて述べている。C.Jac
obs は1981年3月15日に発行されたApplied Optics Vol.20,No.6 の「Di
electric square bandpass design」という論文の中で、等価屈折率法を用いる
ことについて述べている。A.Thelen は1989年にMcGraw-Hill Book Company
から出版された「光干渉被覆の設計」という本の中で、リプルを低減するための
等価層および他の方法について述べている。しかしながら、これらの方法から開
発された連続層体は一般的であるとは考えられず、また異なる屈折率比の多層体
に対して同様に適用できない。
一般に透過性が高いと、透過から透過阻止へ移行する際の傾斜特性が悪くなっ
て(すなわち変化が緩慢になって)この透過の帯域幅が狭くなる。透過の改善は
傾斜の変化よりも重要であるので、その傾斜を改善するためにフィルタに付加的
な共振器が付加されてもよい。
従来技術の制約を考慮して、本発明の目的は、これらの多くの制約を克服する
帯域通過フィルタを提供することにある。
さらには、本発明の目的は、通常他の帯域通過フィルタと結合されて通過帯域
における透過リプルを低減する多層形態で多共振器構造の帯域通過フィルタを提
供することである。
さらには、本発明の目的は、通過帯域における透過リプルを低減する多層形態
で多共振器構造の帯域通過フィルタを提供するとともに、通常リプルを低減する
ように設計された他の帯域通過フィルタと結合したフィルタよりも優れた傾斜特
性を提供することである。
発明の開示
本発明は、屈折率の異なる2(または3以上)の透明な絶縁膜の交互層からな
る多層膜で構成されている。本発明は、通過帯域において低反射特性を形成する
ために、フィルタ構造から基板および出力界面(必要な場合)への反射防止を利
用し、またコア構造の両側に内側のコア構造よりも少ない4層を備えた出力共振
器を利用している。最も方形状の特性をなすフィルタは、選択された共振器の種
々の層に付加された追加の2分の1波長層を有している。これらの設計の何れに
対しても帯域通過フィルタは等長共振器構造に比べて透過帯域幅を狭くする。説
明したようにこのフィルタは、(リプルの低減されたフィルタに対する)背景情
報において上記引用されたフィルタよりも高透過領域においてより優れた傾斜を
有している。上述した構造は極めて急峻な傾斜を有する高透過特性のフィルタを
設計するための極めて一般的なアプローチである。
都合よく、本発明に従って説明されたフィルタは先述した従来技術のフィルタ
よりも極めてより優れた傾斜を有している。実際に関心のあるスペクトル領域で
透明な何らかの適切な材料を用いることにより所望の結果が得られる。
本発明によれば、2つの外側共振器および1または2以上の別の内側コア共振
器を含む一続きの共振器を備え、各共振器は高屈折率材の層と低屈折率材の層が
交互に並ぶ複数の4分の1波長反射積層体を備え、前記複数の積層体は絶縁材か
らなる2分の1波長厚の層によって分離されており、各共振器は低屈折率材から
なる4分の1波長厚の層によって分離されており、少なくとも1または2以上の
別の共振器における層数は7または7より大きい奇数であり、また前記一続きの
共振器の最初と最後の共振器はそれぞれ各4分の1波長反射積層体において前記
一続きにおける少なくとも1または2以上の別の共振器の別の4分の1波長反射
積層体の層数よりも2層少ない層を有する帯域通過フィルタが提供される。
本発明によれば、2つの外側共振器および1または2以上の別の内側コア共振
器を含む一続きの共振器を備え、各共振器は高屈折率材の層と低屈折率材の層が
交互に並ぶ複数の4分の1波長反射積層体を備え、前記複数の積層体は絶縁材か
らなる2分の1波長厚の層によって分離されており、各共振器は低屈折率材から
なる4分の1波長厚の層によって分離されており、少なくとも1または2以上の
別の共振器における層数は7または7より大きい奇数であり、また前記一続きの
共振器の最初と最後の共振器はそれぞれ各4分の1波長反射積層体において前記
一続きにおける少なくとも1または2以上の別の共振器の別の4分の1波長反射
積層体の層数よりも2層少ない層を有する帯域通過フィルタが提供される。加え
て通過帯域の傾斜を変えるために2分の1波長厚の層は外側共振器内の選択され
た4分の1波長厚の層に付加される。また変更された外側共振器によって引き起
こされるリプルを取り除くために2分の1波長厚の層は内側共振器内に設けられ
て4分の1波長厚の層に付加される。
本発明によれば、2つの外側共振器および少なくとも1または2以上の別の共
振器を含む一続きの共振器を備え、各共振器は高屈折率材の層と低屈折率材の層
が交互に並ぶ複数の4分の1波長反射積層体を備え、少なくとも1または2以上
の別の積層体は絶縁材からなる2分の1波長厚の層によって分離されており、フ
ィルタの通過帯域の帯域幅を広げるとともに残りの反射を低減するために前記外
側共振器の複数の積層体は絶縁材からなる複数の2分の1波長厚の層によって分
離されており、各共振器は低屈折率材からなる4分の1波長厚の層によって分離
されており、少なくとも1または2以上の別の共振器における層数は7または7
より大きい奇数であり、また前記一続きの共振器の最初と最後の共振器はそれぞ
れ各4分の1波長反射積層体において前記一続きにおける少なくとも1または2
以上の別の共振器の別の4分の1波長反射積層体の層数よりも2層少ない層を有
する帯域通過フィルタがさらに提供される。
加えて通過帯域の傾斜を変えるために2分の1波長厚の層は外側共振器内の選
択された4分の1波長厚の層に付加される。また変更された外側共振器によって
引き起こされるリプルを取り除くために2分の1波長厚の層は内側共振器内に設
けられて選択された4分の1波長厚の層に付加される。
本発明によれば、2つの外側共振器および少なくとも1または2以上の別の共
振器を含む一続きの共振器を備え、各共振器は高屈折率材の層と低屈折率材の層
が交互に並ぶ複数の4分の1波長反射積層体を備え、少なくとも1または2以上
の別の積層体は絶縁材からなる複数の2分の1波長厚の層によって分離されてお
り、またフィルタの通過帯域の帯域幅を広げるとともに残りの反射を低減するた
めに前記外側共振器の複数の積層体は絶縁材からなる複数の2分の1波長厚の層
によって分離されており、各共振器は低屈折率材からなる4分の1波長厚の層に
よって分離されており、少なくとも1または2以上の別の共振器における層数は
7または7より大きい奇数であり、また前記一続きの共振器の最初と最後の共振
器はそれぞれ各4分の1波長反射積層体において前記一続きにおける少なくとも
1または2以上の別の共振器の別の4分の1波長反射積層体の層数よりも2層少
ない層を有する帯域通過フィルタがさらに提供される。加えて通過帯域の傾斜を
変えるために2分の1波長厚の層は外側共振器内の選択された4分の1波長厚の
層に付加される。また変更された外側共振器によって引き起こされるリプルを取
り除くために2分の1波長厚の層は内側共振器内に設けられて選択された4分の
1波長厚の層に付加される。
図面の簡単な説明
以下に本発明の具体例を図面とともに説明する。
図1aは従来技術の帯域通過フィルタ全体の断面図であり、
図1bは本発明による帯域通過フィルタ全体の断面図であり、
図2は従来技術による固体エタロンフィルタの断面図であり、
図3は従来技術の4分の1波長積層体(QWS)の断面図であり、
図4aは従来技術の絶縁体フィルタ共振器の断面図であり、
図4bは本発明による絶縁体フィルタ共振器の断面図であり、
図5aは従来技術の多共振器フィルタの断面図であり、
図5bは本発明による多共振器フィルタの断面図であり、
図6は各共振器が低屈折率の4分の1波長層により分離された13層を有する従
来の5共振器フィルタの透過率対波長のグラフであり、
図7aは9層の共振器、3つの13層でできた共振器および第2の9層の共振器
を有する本発明による構造に対する透過率対波長のグラフであり、
図7bは11層の共振器、2つの15層でできた共振器および第2の11層の共
振器を有する、79の4分の1波長層を伴う55層からなる本発明による4共振
器構造(太線)に対する透過率対波長のグラフである。そのグラフの細線は2分
の1波長層が付加されていない同じ共振器構造に対する透過率対波長のグラフで
あり、
図8は本発明に従って設計されてなる79の4分の1波長層を伴う55層の4共
振器フィルタを表すグラフ(太線)である。基板はシリコンであり表面の媒質は
空気である。細線は比較のためにガラスに埋め込まれた図7の構成のフィルタを
示しており、
図9aは従来技術の97層からなる7共振器(細線)のフィルタと、本発明に従
って91層に変更されてなり、変更された構造のタイプにおいてフィルタと媒質
の間に低屈折率層が付加された共振器(太線)フィルタの透過率対波長を示すグ
ラフであり、
図9bは本発明に従って設計された90の4分の1波長層を伴う73層からなる
4共振器フィルタを表すグラフであり、
図10aは62層の5共振器フィルタに対する透過率対波長を示すグラフであり
、
図10bは本発明に従って設計されてなる107の4分の1波長層を伴う89層
の4共振器フィルタを表すグラフであり、
図11aは(変更された)8共振器を備えた105層の帯域通過フィルタに対す
る透過率対波長のグラフであり、
図11bは材料として五酸化タンタルおよび二酸化シリコンを用いた5共振器構
造を備えた51層の帯域通過フィルタに対する透過率対波長のグラフであり、
図12は8共振器フィルタに対する透過率対波長のグラフである。
フィルタ構造についての一般的な知識
波長分割多重および他の通信産業の用途のためのフィルタは低損失でかつ殆ど
リプルのない極めて直線的な傾斜を必要とする。典型的な帯域幅は1250nmか
ら1650nmまでの波長範囲に対して0.5nmから100nmまでの範囲である。
本発明によりもたらされる技術的な改善から得られる利益によって、フィルタの
用途がさらに広がる。
最も単純なフィルタは、図2の従来技術に示すように、透明な絶縁材からなる
2分の1波長層により分離された2つの部分反射鏡またはハーフミラーでできて
いる(エタロンと同様である)。
ここで、図3に替わって、全ての絶縁体フィルタに対して、図示された部分的
な反射鏡は高屈折率材と低屈折率材からなる交互層でできている。各層の厚さは
所望のフィルタの波長で4分の1波長(QW)になるように調整されている。各
部分反射鏡(単一層のみでできていてもよい)は4分の1波長積層体と呼ばれる
。フィルタの帯域幅はこの構造における4分の1波長積層体の反射率の関数であ
る。
ここで、図4aを参照すると、全ての絶縁体干渉フィルタにとって最も普遍的
で基本的なビルディングブロックの一つであるフィルタ共振器が示されている。
その共振器は、図4aに示すように、2分の1波長(または複数の2分の1波長
)層により分離された4分の1波長積層体でできた2つの理想的な反射鏡で構成
されている。共振器は他の共振器の上に堆積され、傾斜を急峻にするために、間
に低屈折率材からなる4分の1波長層を有している。これによって図5aに示す
多層共振器フィルタが作製される。
実施の観点から、堆積される層の全数は実施可能な共振器数に調整される。0
.3nmおよびそれよりも大きな帯域幅であれば多共振器を設計することができる
。10nmの帯域幅までのフィルタは3または4の共振器で容易に製造され得る。
帯域幅が6nmよりも大きいと、不要な波長の光が透過するのを遮るための傾斜を
達成するために、さらにより多くの共振器が必要になるかもしれない。これらの
フィルタは多数の層を有している。表面積の収率は小さく、より狭い帯域に対し
ては直径25mmが典型的であるかもしれない。等長共振器は最も広い通過ゾーン
とともに最もよいロールオフを生じるが、しかし同等の共振器フィルタに対する
グラフを検討すると、図6に示すように通過帯域におけるリプルを許容レベルま
で低減するためには改善が必要であるということが明らかとなる。
発明の詳細な説明
図1bに示すように、本発明のフィルタの全体は、透明な基板6、必要であれ
ばその基板上に光マッチング層(図示せず)、N層を有する外側のフィルタ共振
器10a、ここでN>3でかつそれらの層の幾つかの厚さは4分の3波長であっ
てもよく、低屈折率層12、それぞれが(N+4)層を有する一連のフィルタコ
ア共振器10b、隣接する共振器10a,10bの間で層12は低屈折率を有し
ており、N層を有しかつそれらの層の幾つかの厚さが4分の3波長であってもよ
い別の外側のフィルタ共振器10a、および必要ならば別のマッチング層(図示
せず)を含んでいる。2分の1波長層は傾斜を改善するために4分の1波長積層
体の中に所々入れられる。これらの付加された2分の1波長層の数と位置は個々
の適用でもって変わる。対称的に、図1aの従来技術は、5共振器を有する一般
的なフィルタを示しており、各共振器は最も外側の共振器を含めてM層を有して
いる。
再び本発明の図1bを参照して、通常、光マッチング層は4分の1波長の厚さ
を有する低屈折率材よりなる。しかしながら、マッチング層の材料、厚さおよび
屈折率は低屈折率材12のそれとは異なっていてもよい。共振器10a,10b
は4分の1波長の厚さの高屈折率材および低屈折率材が交互に積層されてできて
いる。共振器10aの第1の材料は高屈折率であり、その後に低屈折率材が続く
。最も単純な場合は低屈折率材は複数の2分の1波長の厚さであり、その後に高
屈折率材が続き、すなわちHLLHとなる。ここでHとLの各層は4分の1波長
厚の高屈折率材または低屈折率材を表している。従って、HLLHは、低屈折率
材よりなる2分の1波長層LLがそれぞれ高屈折率材よりなる4分の1波長厚の
2つの層H Hの間に設けられた3層構造であると考えられる。傾斜を改善する
ために、H層はHHH層に変更され、LL層はLLLL層に変更される。つぎに
、低屈折率層12が各共振器10aおよび/ またはその後の共振器10bの間に
設けられる。つぎのコア共振器10bは最も単純な場合にはHLH LL HL
Hの層構造でできている。従って、コア共振器10bは、2分の1波長層LLが
2つの4分の1波長積層体HLHの間に設けられた7層構造であると考えられる
。付加された2分の1波長層によってもたらされるリプルを低減するために、コ
ア共振器内の幾つかの層もまたそれらの層に付加される2分の1波長層を有して
いる。コア共振器10bは、急峻な傾斜を有するフィルタを作製するために何回
も繰り返されてもよい。それから第1の共振器10aが繰り返され、そして必要
であれば最後につぎの媒質に対する別のマッチング層が付加される。
基板6は重要な波長に亘って透明であり、ガラス、石英、透明なプラスチック
、シリコンおよびゲルマニウムを含み、これらに限定はされないが、多種多様の
材料でできていてもよい。この適用のために使用される絶縁材料は1.3から4
.0よりも大きい範囲の屈折率を有している。好ましい材料はフッ化マグネシウ
ム(1.38)、フッ化トリウム(1.47)、氷晶石(Cryolith)(1.35
)、二酸化シリコン(1.46)、酸化アルミニウム(1.63)、酸化ハフニ
ウム(1.85)、五酸化タンタル(2.05)、酸化ニオブ(2.19)、硫
化亜鉛(2.27)、酸化チタン(2.37)、シリコン(3.5)、ゲルマニ
ウム(4.0)およびテルル化鉛(5.0)である。他の絶縁材料も同様に役に
立つ。
各共振器内の層数を決めた後、本発明の教えに従って、フィルタの設計が最適
化ルーチンを備えた商業的に利用可能なコンピュータプログラム(例えばSof
tware Spectra株式会社製のTFCalcTMの支援によって容易に
達成される。設計の要点をそのプログラムに入力すると、スペクトルの応答が計
算される。要求された名目上の帯域幅に一致するように適切なサイズの共振器を
備えた設計が選択される場合、マッチング層に対してフィルタの透過を最適化す
ることがなされる。設計者は、4分の1波長に相当する状態で使用すべき材料の
範囲から選択するか、または同じ低屈折率材料をマッチングをなすように厚さを
調整して使用することを選んでもよい。
図1bのフィルタは共振器のアレイを含んでおり、それぞれ低屈折率材よりな
る4分の1波長層により分離されている。コア共振器10bにおける層数は5よ
りも大きい奇数である。コア共振器10bが7層以上であれば完全にリプルの低
減が改善されると断言できる。本発明に従えば、最初および最後の共振器10a
は各4分の1波長積層体において2層少なく、全体では各共振器で4層少ない。
これらの外側の共振器10aにおける2分の1波長の数はコア積層体10bにお
ける数と同じかそれよりも多くなるはずである。理論的なプロットによりそれぞ
れの位置に適した2分の1波長層の最適な層数が決まる。傾斜を改善するために
外側の積層体の4分の1波長層に付加的な2分の1波長層が付け加えられて4分
の3波長層となる。しかしながら、これによってリプルが生じる。それにもかか
わらず傾斜が満足いく時には、内側の積層体の4分の1波長層に2分の1波長層
を付加することによってリプルが低減されるかもしれず、それゆえ4分の3波長
層を生じる。
フィルタの一般的な性質が満足いく場合には、付加される多様な波長の層の位
置は角度に対する感度に対して試験されるであろう。僅かにその位置を変えるこ
とによって、いろいろな入射角に対してフィルタ特性の改善がもたらされ得るも
のである。
図7aは3つの13層のコア積層体および9層の外側積層体を有する帯域通過
フィルタの透過特性を示す。9層の外側積層体は1または2の2分の1波長層を
有している。2つの2分の1波長すなわち1波長積層体に対する透過特性は太線
で示されており、2分の1波長積層体に対する透過特性は細線で示されている。
基板および媒質はガラスであり、何れも屈折率は1.51である。
図7b(太線)は2つの15層のコア積層体および11層の外側積層体を有す
る帯域通過フィルタの透過特性を示している。11層の外側積層体はHLH 3
L 3H 4L H 3L HLHの形態をなしている。ここでHは4分の1波
長の光路長に相当する厚さの高屈折率材でできた層を表しており、3Hは高屈折
率材でできた付加的な2分の1波長層を示しており、Lは4分の1波長の光路長
に相当する厚さの低屈折率材でできた層を示しており、その他も同様である。内
側積層体は一方の共振器にのみ(LL)が付加されてなるHLHLHLH LL
HL(LL)HLHLHでできている。この(LL)は同様の効果を奏するた
めに同じ位置で2分の1波長層の前に設けられ得る。高屈折率材は2.24の屈
折率を有し、一方低屈折率材は1.45の屈折率を有する。細線は2分の1波長
層のみを伴った層数か11−15−15−11の基本的なフィルタのスペクトル
特性を示している。基板および媒質はガラスであり、何れも屈折率は1.51で
ある。透過ゾーンにおいて小さいリプルを有する傾斜が明らかに改善されている
。電力半減点での帯域幅は実質的に変化していないか、しかし更に除去された点
での帯域外の遮断は実質的によりよくなっている。
基板および表面(すなわち出口)の媒質の屈折率はリプルに影響する。リプル
を最小に低減するために、フィルタ構造を表面媒質に一致させる必要があるかも
しれない。例えば、表面媒質の屈折率nが1.44と1.8の間にある場合、低
屈折率材でできた4分の1波長層は(おおよそ1.48かまたはそれよりも小さ
い屈折率の低屈折率材に対して)適切なマッチングをなすかもしれない。1.8
よりも大きいかまたは1.44よりも小さい屈折率に対しては、表面媒質とフィ
ルタとの間で層の変更が必要となる。この特定の問題は周知であり、当該分野の
専門家らによって述べられてきた。図8はフィルタを出射媒質とマッチングさせ
ることの効果を実証している。図7bと同じ4共振器フィルタが層1を除去する
ことによってシリコン基板にマッチングさせられている。またその4共振器フィ
ルタは、ZnSでできた屈折率0.7185の4分の1波長層よりなる層54お
よびThF4でできた屈折率0.643の4分の1波長層よりなる付加層55を
含む反射防止マッチング層でもって出射媒質である空気にマッチングさせられて
いる。通過帯域のリプルは図7bにおけるリプルと実質的に同じである。如何な
る基板および出射媒質に対しても、その媒質の隣の構造変化はフィルタの特性を
高めるため基板および出力媒質の屈折率は障害にならない。
実施例
硫化亜鉛(屈折率2.24)およびフッ化トリウム(屈折率1.45)よりな
る多層を用いて、終端の共振器(終端に付加された超低屈折率層を有している)
がリプルを低減する場合とそうでない場合とで7共振器フィルタが計算された。
図9aに示すようにリプルの低減は相当のものである。
5共振器フィルタが種々の基板を用いて計算された。図7aは屈折率1.51
を有するガラス内に埋没された状態での特性を示している。5共振器フィルタに
対して媒質が1.45と1.8との間の屈折率を有している場合には、1518
nmから1542nmまでの範囲での透過はフィルタ手段の最初と最後に低屈折率層
が付加された状態で98%を超える。
基板の屈折率を4.0(ゲルマニウム)に変え、かつ表面媒質を空気(屈折率
1.0)に変えた同一の5共振器構造に対して、フィルタの最初の2層および最
後の2層の厚さを最適化するために計算機のプログラムが使用された。図10a
は反射防止後にフィルタ特性が図7aに示す結果から殆ど変わっていないことを
実証している。
高屈折率(n=3.5)のシリコンおよび低屈折率(n=1.85)の一酸化
シリコンで構成された105層からなる8共振器フィルタの出力応答が図11a
に示されている。通過帯域に多少のリプルがあるか、その透過特性は従来の共振
器フィルタよりも非常に優れている。1波長層がリプルを取り除くのに使用され
る。
酸化ハフニウム(n=1.9)および石英(n=1.46)を終端でフッ化マ
グネシウムとともに用いた8共振器フィルタの出力応答が図12に示されており
、ここでは材料は酸化ハフニウム(n=1.85)および石英(n=1.44)
であり、このフィルタは該フィルタと媒質との間に付加されたフッ化マグネシウ
ム(n=1.38)よりなる層を備えている。これらおよびつぎのHfO2から
なる内側層は媒質にマッチさせるためにその厚さが調整されている。最初および
最後の層はフッ化マグネシウムである。それらの層はつぎの内側層とともにその
媒質にマッチさせられている。
図11aとの比較は、基本的な帯域形状(出力応答)は屈折率比および各屈折
率の絶対値の両方に依存していないことを実証している。比較として低屈折率を
一定にして高屈折率を変えると通過帯域内のピークでの反射値にわずかな変化を
示す。
硫化亜鉛(屈折率2.24)およびフッ化トリウム(屈折率1.45)よりな
る多層を用い、付加される2分の1波長層の量および位置を異ならせて種々の4
共振器フィルタが計算された。
本発明によるフィルタは、外側の共振器を除いて他は等長共振器(同じ層数)
のアレイでできている。外側の共振器はそれぞれ4より少ない層(2分の1波長
層の各側で2より少ない)を含んでいる。この構成の通過帯域の形状はたとえあ
ってもリプルの小さい滑らかなグラフとなる。結果として生じたグラフの傾斜は
都合のよいパーセントの透過率位置での帯域幅を分析することによって任意に決
められてもよい。比較の目的で我々は帯域幅比を50%に対する0.01%Tと
定義する。それは傾斜に関するSと呼ばれる。
帯域幅比Sは、リプルを改善するために変更されてきたフィルタ構造に対する
よりも全等長共振器を備えたフィルタに対する方が極めて小さい。外側の共振器
により少ない層を有するフィルタにとって、その比は、外側の共振器の2分の1
波長層に2分の1波長層を付加することによってかなり改善される。0.01%
の点(および間の全ての他の点)での帯域幅の更なる改善は、特に外側の共振器
の4分の1波長積層体を構成する層に2分の1波長厚の層を付加することによっ
て達成され得る。これらは4分の3波長の厚さになる。これは帯域にリプルを加
えるが、しかしその大きさは付加する2分の1波長層の数および位置を変えるこ
とによって制御され得る。加えて、リプルの制御は内側の共振器に付加された2
分の1波長層の影響を受ける。帯域ファクターも同時に低下し、それゆえこの設
計ツールの使用が個々別々に考慮されなければならない。
帯域形状S=(帯域幅@0.01%T/(帯域幅@50%T))およびリプル
R=100%−%T@通過帯域における最小値と定義することによって、フィル
タタイプ間で比較を行うことができる。上述したファクターに加えて4分の1波
長層の全数および全層数は最小化される。4分の1波長層構造に2分の1波長層
を付加したことによる帯域幅の改善を測定するために、最初に基本的な帯域幅情
報が検討されなければならない。共振器として15層でできた硫化亜鉛−フッ化
トリウム多層フィルタをもちいてこれを示すと以下のようになる。
4共振器−−それぞれ15層:S=2.35 R=81%
これは67の4分の1波長層とともに63層を含む
これらは基準となるものである。以下の4共振器の設計は何れもこれよりも優れ
た傾斜を有することはできない。
比較例は以下のように設計され、
11−15−15−11層からなる4共振器タイプ:S=3.37 R
=99.8% (ケース1)
全部で2分の1波長層(2−2−2−2)を有し、媒質にマッチングしており、
これは61の4分の1波長層とともに57層でできている。
このファクターを改善するために最初と最後の共振器に対して2分の1波長層
が1波長層(またはそれ以上)に変更されてもよい。
ケース1と同様の4共振器であるが、しかし2分の1波長層を以下のよ
うに変更する
共振器の4−2−2−4からなる4分の1波長層の#:S=2.85
R=99.6% (ケース2)
媒質にマッチングしており、これは63の4分の1波長層とともに57
層でできている。
この形状は、再び4分の1波長積層体のある層に2分の1波長層を付加するこ
とによって、更に改善されるかもしれない。目標が厳し過ぎなければ、少しの層
を付加するだけで十分な特性が得られ、他の所望の特性も生じるであろう。
形状ファクターを改善するために付加される層の数を厳密に最も少なくして用
いると、
最初と最後の共振器に対してZTZT 3Z 4T 3Z TZTZ
R=95%でS=2.6 これは71の4分の1波長層とともに55層を含み、
また
最初と最後の共振器に対してZTZ 3T 3Z 2T 3Z 3T
ZTZ R=95%でS=2.62 これは75の4分の1波長層とともに55
層を有している。
これらのフィルタ特性は殆どの適用に対して妥当である。光ファイバー通信で
はリプルがより少ないことが要求される。リプルファクターがより優れるには4
分の3または2分の1の波長層を必要とし、また非常にリプルの低いフィルタは
2.85に近いS値を有している。例えば、ZTZ 3T 3Z 2T ZTZ
TZの外側共振器は前記4−2−2−4タイプと同様の結果を生じる。
R=99.5% S=2.85
外側共振器をZTZ 3T 3Z 2T 3Z TZTZに変更すると以下の
ような中間の結果を生じる。
R=97.6%およびS=2.74
4分の3波長層を2分の1波長層から離すように移すことはリプルをなめらか
にするが、しかしバンド形状比は悪化する。一般的な適用のためには、光の入射
角が変化するのに伴うフィルタの特性変化が極めて小さいのが望ましい。最初に
検討されたフィルタ(ケース1)では13度を含む角度での等価損失すなわち帯
域ファクターの変化が全くない。
ケース2と同様に1波長層が用いられれば、13度で10%の透過損失が生じ
る。ZTZ 3T 3Z 2T ZTZTZからなる最初と最後の共振器に対し
ては、13度で4%の透過損失が生じる。種々の構造が調べられた結果、全てに
亘って最も特性がよいのは以下の通りである。
そのタイプは、外側共振器としてZTZ 3T 3Z 4T Z 3T ZT
Zであり、また内側共振器の何れに対しても如何なる方向においても2分の1波
長層から離れた第2層目の位置に2分の1波長層が1つ付加されている。79の
4分の1波長層からなる55層のフィルタが生じる。透過の結果は、13度で9
6%T、リプルR=97.5%最小および形状ファクターS=2.72を維持し
ている。
これは図7bに示されている。
リプルファクターR=92%最小および比S=2.55を有するフィルタは、
最初と最後の共振器に対して以下のようになる。
Z 3T 3Z 3T 3Z 2T 3Z 3T 3Z 3TZ
これは全層数を87層とするためにフィルタに32の4分の1波長層を付加して
いる。代わりにもう1つ共振器を付加すればより多くの利益が得られるであろう
。
以下の構造を有する5共振器は73層および90の4分の1波長層を有してい
る。
ZTZ 3T 3Z 4T 3Z 3T(ZT)6(TZ)7 T 3Z 4T
(ZT)8(TZ)6 3T 3Z 4T 3Z 3T ZTZ
13度での透過率は97%である。リプルR=97.5%および形状ファクター
S=2.0である。
これは図9bに示されている。
5共振器に対してよりよい形状を達成するために、その構造は以下の通りであ
り、73層と90の4分の1波長層を有している。
TZT 3Z 3T 3Z 4T 3Z 3T Z 3T(ZT)5(TZ)7
3T 3Z 2T Z 3T(ZT)7(TZ)5 3T Z 3T 3Z
4T 3Z 3T 3Z TZT
13度での透過率は91%最小である。リプルR=96%および形状ファクター
S=1.90である。4分の1波長層の少ない6共振器フィルタは以下のように
より優れた特性を有している。
以下の構造を有する6共振器は89層および107の4分の1波長層を有して
いる。
T(ZT)2 3Z 4T(ZT)7(TZ)8 2T Z 3T(ZT)4
Z 3T 3Z T Z 2T(ZT)8(TZ)7 4T 3Z(TZ)2
T
13度での透過率は96%である。リプルR=98.5%および形状ファクター
S=1.73である。
特性が図10bに示されている。
五酸化タンタルおよび二酸化シリコンの交互層からなるフィルタのスペクトル
特性が図11bにプロットされている。その設計は以下のようであり、76の4
分の1波長層とともに51層を含んでいる。
T 3Q 3T 4Q 3T Q(TQ)4(QT)5 3Q T 4Q(TQ
)6(QT)4 Q 3T 4Q 3T 3Q T
透過率は98.5%最小よりも大きい。
傾斜S=2.2である。透過率対波長のグラフが図11bに示されている。
これは、基本的な帯域が屈折率比および各屈折率の絶対値の両方に殆ど依存し
ていない、ということを実証している。低屈折率を一定にして高屈折率を変えた
比較例は通過帯域内のピークでの反射値にわずかな変化を示す。
要するに、本発明によるフィルタはその出力応答において従来のフィルタを上
回る実質的な改善をもたらす。これは、確実に外側共振器を内側共振器よりも4
層少なくすることと2分の1波長層を4分の1波長積層体に付加すること(およ
びできれは外側共振器を2分の1波長層とすること)によって達成される。
勿論、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく多くの他の具体例および
適用が考えられてもよい。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項
【提出日】1997年4月4日
【補正内容】
多層薄膜バンドパスフィルタ
発明の分野
本発明は絶縁体バンドパスフィルタに関し、特に通過帯域における透過リプル
を低減する多層多共振器構造に関する。
発明の背景
光の干渉は、光の伝送および反射の強度を変え、2または3以上の光のビーム
の重畳を生じる。重畳の原理は、生じた振幅が個々のビームの振幅の合計である
ということを言明している。光り輝く色は、例えば光が石鹸の泡や水の上に浮い
ている油の薄膜により反射される時に見られ、2つの光波列間での干渉効果によ
り生じる。光波は石鹸溶液または油の薄膜の反対の面で反射される。
更に重要なことには、薄膜における干渉効果の実際の適用には、被覆した光学
的な表面を製造することが含まれる。透明な物質でできた膜がガラスのような透
明基板上に、例えばガラスの屈折率に対して適当な特定の屈折率を有し、かつそ
の膜における光の特定の波長の4分の1となる厚さを有するように堆積される場
合、その波長の光のガラス表面からの反射は殆ど完全に抑えられ得る。そうでな
ければ反射光は非反射膜によって吸収されじ、むしろ入射光のエネルギーが再分
配され、そのため伝送される光の強度が増大するのに伴って反射が減少する。
2または3以上の重畳された層を有する合成の膜を用いて、そのような膜の反
射防止性能の改善が相当なされてきた。そのような膜を形成するのに、比較的屈
折率が高い材料と比較的屈折率が低い材料の2つの異なる材料が用いられてもよ
い。その2つの材料は、その膜に適した所望の光特性を得るために所定の厚さに
達するまで交互に堆積される。理論的にはこの手法で、極めて多様な伝送および
反射のスペクトルに適した多層干渉被覆を設計することができる。これによって
、複雑なスペクトルのフィルタ構造を利用した多くの新しい光デバイスが開発さ
れてきた。反射防止被覆、レーザ誘電ミラー、テレビカメラのエッジフィルタ、
光帯域通過フィルタ、および帯域消去フィルタが薄膜の干渉被覆を用いた有用な
デバイスの幾つかの例である。
ある特定のタイプの干渉被覆は帯域通過フィルタであり、所望の通過帯域の所
定の範囲内の波長が伝送されるのに対して、その通過帯域の両側の波長範囲は著
しく反射されることを可能とするように設計されている。理想的には帯域通過フ
ィルタは、リプルの殆どない均一な通過帯域を得ながらも、方形状の応答特性を
なすべきであり、従って帯域消去領域から帯域通過領域への移行はできるだけ迅
速でなければならず、あるいは別の言い方をすればその傾斜すなわち移行領域は
急峻であるべきである。
多共振器フィルタは40年以上も前から製造されている。フィルタ設計者の通
常のアプローチは基板および出口の媒質に対して等長共振器構造を単純に反射防
止とすることである。しかしながら、これは通過帯域に過剰なリプルを有するフ
ィルタを生じる。この問題を取り除くための試みにおいて、共振器の長さを変更
する必要性が薄膜分野の専門家らによって徹底的に研究されてきた。P.W.Baum
eisterは1982年8月15日に発行されたApplied Optics Vol.21,No.16の「
Use of microwave prototype filters to design multilayer dielectric bandp
ass filters」という論文の中で、マイクロ波フィルタの合成を適用した反射ゾ
ーンを適合させるために定在波比技術を用いることについて述べている。C.Jac
obs は1981年3月15日に発行されたApplied Optics Vol.20,No.6 の「Di
electric square bandpass design」という論文の中で、等価屈折率法を用いる
ことについて述べている。A .Thelenは1989年にMcGraw-Hill Book Company
から出版された「光干渉被覆の設計」という本の中で、リプルを低減するための
等価層および他の方法について述べている。しかしながら、これらの方法から開
発された連続層体は一般的であるとは考えられず、また異なる屈折率比の多層体
に対して同様に適用できない。
別の従来技術のフィルタが、1984年3月27日に出願人VEB Carl Zeissに
より出願された英国特許出願番号第2 137 769 A 号に開示されている。この出願
は通過帯域を有する干渉膜について開示し、多層膜を構成しており、以後出願人
により開示された出願よりも製造するのがややより困難である。
一般に透過性が高いと、透過から透過阻止へ移行する際の傾斜特性が悪くなっ
て(すなわち変化が緩慢になって)この透過の帯域幅が狭くなる。透過の改善は
傾斜の変化よりも重要であるので、その傾斜を改善するためにフィルタに付加的
な共振器が付加されてもよい。
従来技術の制約を考慮して、本発明の目的は、これらの多くの制約を克服する
帯域通過フィルタを提供することにある。
さらには、本発明の目的は、通常他の帯域通過フィルタと結合されて通過帯域
における透過リプルを低減する多層形態で多共振器構造の帯域通過フィルタを提
供することである。
さらには、本発明の目的は、通過帯域における透過リプルを低減する多層形態
で多共振器構造の帯域通過フィルタを提供するとともに、通常リプルを低減する
ように設計された他の帯域通過フィルタと結合したフィルタよりも優れた傾斜特
性を提供することである。
発明の開示
本発明は、屈折率の異なる2(または3以上)の透明な絶縁膜の交互層からな
る多層膜で構成されている。本発明は、通過帯域において低反射特性を形成する
ために、フィルタ構造から基板および出力界面(必要な場合)への反射防止を利
用し、またコア構造の両側に内側のコア構造よりも少ない4層を備えた出力共振
器を利用している。最も方形状の特性をなすフィルタは、選択された共振器の種
々の層に付加された追加の2分の1波長層を有している。これらの設計の何れに
対しても帯域通過フィルタは等長共振器構造に比べて透過帯域幅を狭くする。
説明したようにこのフィルタは、(リプルの低減されたフィルタに対する)背
景情報において上記引用されたフィルタよりも高透過領域においてより優れた傾
斜を有している。上述した構造は極めて急峻な傾斜を有する高透過特性のフィル
タを設計するための極めて一般的なアプローチである。
都合よく、本発明に従って説明されたフィルタは先述した従来技術のフィルタ
よりも極めてより優れた傾斜を有している。実際に関心のあるスペクトル領域で
透明な何らかの適切な材料を用いることにより所望の結果が得られる。
本発明によれば、2つの外側共振器および1または2以上の別の内側コア共振
器を含む一続きの共振器を備え、各共振器は高屈折率材の層と低屈折率材の層が
交互に並ぶ2つの4分の1波長反射積層体を備え、前記2つの積層体は絶縁材か
らなる2分の1波長厚の層によって分離されており、各共振器は低屈折率材から
なる4分の1波長厚の層によって分離されており、1または2以上の別の共振器
における層数は7または7より大きい奇数であり、また前記一続きの共振器の最
初と最後の共振器はそれぞれ各4分の1波長反射積層体において前記一続きにお
ける1または2以上の別の共振器の別の4分の1波長反射積層体の層数よりも2
層少ない層を有する帯域通過フィルタが提供される。
本発明によれは、2つの外側共振器および1または2以上の別の内側コア共振
器を含む一続きの共振器を備え、各共振器は高屈折率材の層と低屈折率材の層が
交互に並ぶ複数の4分の1波長反射積層体を備え、前記複数の積層体は絶縁材か
らなる2分の1波長厚の層によって分離されており、各共振器は低屈折率材から
なる4分の1波長厚の層によって分離されており、1または2以上の別の共振器
における層数は7または7より大きい奇数であり、また前記一続きの共振器の最
初と最後の共振器はそれぞれ各4分の1波長反射積層体において前記一続きにお
ける1または2以上の別の共振器の別の4分の1波長反射積層体の層数よりも2
層少ない層を有する帯域通過フィルタが提供される。加えて通過帯域の傾斜を変
えるために2分の1波長厚の層は外側共振器内の選択された4分の1波長厚の層
に付加される。また変更された外側共振器によって引き起こされるリプルを取り
除くために2分の1波長厚の層は内側共振器内に設けられて4分の1波長厚の層
に付加される。
加えて通過帯域の傾斜を変えるために2分の1波長厚の層は外側共振器内の選
択された4分の1波長厚の層に付加される。また変更された外側共振器によって
引き起こされるリプルを取り除くために2分の1波長厚の層は内側共振器内に設
けられて選択された4分の1波長厚の層に付加される。
本発明によれば、2つの外側共振器および1または2以上の別共振器を含む一
続きの共振器を備え、各共振器は高屈折率材の層と低屈折率材の層が交互に並ぶ
複数の4分の1波長反射積層体を備え、1または2以上の別の積層体は絶縁材か
らなる複数の2分の1波長厚の層によって分離されており、またフィルタの通過
帯域の帯域幅を広げるとともに残りの反射を低減するために前記外側共振器の複
数の積層体は絶縁材からなる複数の2分の1波長厚の層によって分離されており
、各共振器は低屈折率材からなる4分の1波長厚の層によって分離されており、
1または2以上の別の共振器における層数は7または7より大きい奇数であり、
また前記一続きの共振器の最初と最後の共振器はそれぞれ各4分の1波長反射積
層体において前記一続きにおける1または2以上の別の共振器の別の4分の1波
長反射積層体の層数よりも2層少ない層を有する帯域通過フィルタがさらに提供
される。加えて通過帯域の傾斜を変えるために2分の1波長厚の層は外側共振器
内の選択された4分の1波長厚の層に付加される。また変更された外側共振器に
よって引き起こされるリプルを取り除くために2分の1波長厚の層は内側共振器
内に設けられて選択された4分の1波長厚の層に付加される。
図面の簡単な説明
以下に本発明の具体例を図面とともに説明する。
図1aは従来技術の帯域通過フィルタ全体の断面図であり、
図1bは本発明による帯域通過フィルタ全体の断面図であり、
図2は従来技術による固体エタロンフィルタの断面図であり、
図3は従来技術の4分の1波長積層体(QWS)の断面図であり、
図4aは従来技術の絶縁体フィルタ共振器の断面図であり、
図4bは本発明による絶縁体フィルタ共振器の断面図であり、
図5aは従来技術の多共振器フィルタの断面図であり、
図5bは本発明による多共振器フィルタの断面図であり、
図6は各共振器が低屈折率の4分の1波長層により分離された13層を有する従
来の5共振器フィルタの透過率対波長のグラフであり、
図7aは9層の共振器、3つの13層でできた共振器および第2の9層の共振器
を有する本発明による構造に対する透過率対波長のグラフであり、
図7bは11層の共振器、2つの15層でできた共振器および第2の11層の共
振器を有する、79の4分の1波長層を伴う55層からなる本発明による4共振
器構造(太線)に対する透過率対波長のグラフである。そのグラフの細線は2分
の1波長層が付加されていない同じ共振器構造に対する透過率対波長のグラフで
あり、
図8は本発明に従って設計されてなる79の4分の1波長層を伴う55層の4共
振器フィルタを表すグラフ(太線)である。基板はシリコンであり表面の媒質は
空気である。細線は比較のためにガラスに埋め込まれた図7の構成のフィルタを
示しており、
図9aは従来技術の97層からなる7共振器(細線)のフィルタと、本発明に従
って91層に変更されてなり、変更された構造のタイプにおいてフィルタと媒質
の間に低屈折率層が付加された共振器(太線)フィルタの透過率対波長を示すグ
ラフであり、
図9bは本発明に従って設計された90の4分の1波長層を伴う73層からなる
4共振器フィルタを表すグラフであり、
図10aは62層の5共振器フィルタに対する透過率対波長を示すグラフであり
、
図10bは本発明に従って設計されてなる107の4分の1波長層を伴う89層
の4共振器フィルタを表すグラフであり、
図11aは(変更された)8共振器を備えた105層の帯域通過フィルタに対す
る透過率対波長のグラフであり、
図11bは材料として五酸化タンタルおよび二酸化シリコンを用いた5共振器構
造を備えた51層の帯域通過フィルタに対する透過率対波長のグラフであり、
図12は8共振器フィルタに対する透過率対波長のグラフである。
フィルタ構造についての一般的な知識
波長分割多重および他の通信産業の用途のためのフィルタは低損失でかつ殆ど
リプルのない極めて直線的な傾斜を必要とする。典型的な帯域幅は1250nmか
ら1650nmまでの波長範囲に対して0.5nmから100nmまでの範囲である。
本発明によりもたらされる技術的な改善から得られる利益によって、フィルタの
用途がさらに広がる。
最も単純なフィルタは、図2の従来技術に示すように、透明な絶縁材からなる
2分の1波長層により分離された2つの部分反射鏡またはハーフミラーでできて
いる(エタロンと同様である)。
ここで、図3に替わって、全ての絶縁体フィルタに対して、図示された部分的
な反射鏡は高屈折率材と低屈折率材からなる交互層でできている。各層の厚さは
所望のフィルタの波長で4分の1波長(QW)になるように調整されている。各
部の反射鏡(単一層のみでできていてもよい)は4分の1波長積層体と呼ばれる
。フィルタの帯域幅はこの構造における4分の1波長積層体の反射率の関数であ
る。
ここで、図4aを参照すると、全ての絶縁体干渉フィルタにとって最も普遍的
で基本的なビルディングブロックの一つであるフィルタ共振器が示されている。
その共振器は、図4aに示すように、2分の1波長(または複数の2分の1波長
)層により分離された4分の1波長積層体でできた2つの理想的な反射鏡で構成
されている。共振器は他の共振器の上に堆積され、傾斜を急峻にするために、間
に低屈折率材からなる4分の1波長層を有している。これによって図5aに示す
多層共振器フィルタが作製される。
実施の観点から、堆積される層の全数は実施可能な共振器数に調整される。0
.3nmおよびそれよりも大きな帯域幅であれば多共振器を設計することができる
。10nmの帯域幅までのフィルタは3または4の共振器で容易に製造され得る。
帯域幅が6nmよりも大きいと、不要な波長の光が透過するのを遮るための傾斜を
達成するために、さらにより多くの共振器が必要になるかもしれない。これらの
フィルタは多数の層を有している。表面積の収率は小さく、より狭い帯域に対し
ては直径25mmが典型的であるかもしれない。等長共振器は最も広い通過ゾーン
とともに最もよいロールオフを生じるが、しかし同等の共振器フィルタに対する
グラフを検討すると、図6に示すように通過帯域におけるリプルを許容レベルま
で低減するためには改善が必要であるということが明らかとなる。
発明の詳細な説明
図1bに示すように、本発明のフィルタの全体は、透明な基板6、必要であれ
ばその基板上に光マッチング層(図示せず)、N層を有する外側のフィルタ共振
器10a、ここでN>3でかつそれらの層の幾つかの厚さは4分の3波長であっ
てもよく、低屈折率層12、それぞれが(N+4)層を有する一連のフィルタコ
ア共振器10b、隣接する共振器10a,10bの間で層12は低屈折率を有し
ており、N層を有しかつそれらの層の幾つかの厚さが4分の3波長であってもよ
い別の外側のフィルタ共振器10a、および必要ならば別のマッチング層(図示
せず)を含んでいる。2分の1波長層は傾斜を改善するために4分の1波長積層
体の中に所々入れられる。これらの付加された2分の1波長層の数と位置は個々
の適用でもって変わる。対称的に、図1aの従来技術は、5共振器を有する一般
的なフィルタを示しており、各共振器は最も外側の共振器を含めてM層を有して
いる。
再び本発明の図1bを参照して、通常、光マッチング層は4分の1波長の厚さ
を有する低屈折率材よりなる。しかしながら、マッチング層の材料、厚さおよび
屈折率は低屈折率材12のそれとは異なっていてもよい。共振器10a,10b
は4分の1波長の厚さの高屈折率材および低屈折率材が交互に積層されてできて
いる。共振器10aの第1の材料は高屈折率であり、その後に低屈折率材が続く
。最も単純な場合は低屈折率材は複数の2分の1波長の厚さであり、その後に高
屈折率材が続き、すなわちHLLHとなる。ここでHとLの各層は4分の1波長
厚の高屈折率材または低屈折率材を表している。従って、HLLHは、低屈折率
材よりなる2分の1波長層LLがそれぞれ高屈折率材よりなる4分の1波長厚の
2つの層H Hの間に設けられた3層構造であると考えられる。傾斜を改善する
ために、H層はHHH層に変更され、LL層はLLLL層に変更される。つぎに
、低屈折率層12が各共振器10aおよび/ またはその後の共振器10bの間に
設けられる。つぎのコア共振器10bは最も単純な場合にはHLH LL HL
Hの層構造でできている。従って、コア共振器10bは、2分の1波長層LLが
2つの4分の1波長積層体HLHの間に設けられた7層構造であると考えられる
。付加された2分の1波長層によってもたらされるリプルを低減するために、コ
ア共振器内の幾つかの層もまたそれらの層に付加される2分の1波長層を有して
いる。コア共振器10bは、急峻な傾斜を有するフィルタを作製するために何回
も繰り返されてもよい。それから第1の共振器10aが繰り返され、そして必要
であれば最後につぎの媒質に対する別のマッチング層が付加される。
基板6は重要な波長に亘って透明であり、ガラス、石英、透明なプラスチック
、シリコンおよびゲルマニウムを含み、これらに限定はされないが、多種多様の
材料でできていてもよい。この適用のために使用される絶縁材料は1.3から4
.0よりも大きい範囲の屈折率を有している。好ましい材料はフッ化マグネシウ
ム(1.38)、フッ化トリウム(1.47)、氷晶石(Cryolith)(1.35
)、二酸化シリコン(1.46)、酸化アルミニウム(1.63)、酸化ハフニ
ウム(1.85)、五酸化タンタル(2.05)、酸化ニオブ(2.19)、硫
化亜鉛(2.27)、酸化チタン(2.37)、シリコン(3.5)、ゲルマニ
ウム(4.0)およびテルル化鉛(5.0)である。他の絶縁材料も同様に役に
立つ。
各共振器内の層数を決めた後、本発明の教えに従って、フィルタの設計が最適
化ルーチンを備えた商業的に利用可能なコンピュータプログラム(例えばSof
tware Spectra株式会社製のTFCalcTM)の支援によって容易
に達成される。設計の要点をそのプログラムに入力すると、スペクトルの応答が
計算される。要求された名目上の帯域幅に一致するように適切なサイズの共振器
を備えた設計が選択される場合、マッチング層に対してフィルタの透過を最適化
することがなされる。設計者は、4分の1波長に相当する状態で使用すべき材料
の範囲から選択するか、または同じ低屈折率材料をマッチングをなすように厚さ
を調整して使用することを選んでもよい。
図1bのフィルタは共振器のアレイを含んでおり、それぞれ低屈折率材よりな
る4分の1波長層により分離されている。コア共振器10bにおける層数は5よ
りも大きい奇数である。コア共振器10bが7層以上であれば完全にリプルの低
減が改善されると断言できる。本発明に従えば、最初および最後の共振器10a
は各4分の1波長積層体において2層少なく、全体では各共振器で4層少ない。
これらの外側の共振器10aにおける2分の1波長の数はコア積層体10bにお
ける数と同じかそれよりも多くなるはずである。理論的なプロットによりそれぞ
れの位置に適した2分の1波長層の最適な層数が決まる。傾斜を改善するために
外側の積層体の4分の1波長層に付加的な2分の1波長層が付け加えられて4分
の3波長層となる。しかしなから、これによってリプルが生じる。それにもかか
わらず傾斜が満足いく時には、内側の積層体の4分の1波長層に2分の1波長層
を付加することによってリプルが低減されるかもしれず、それゆえ4分の3波長
層を生じる。
フィルタの一般的な性質が満足いく場合には、付加される多様な波長の層の位
置は角度に対する感度に対して試験されるであろう。僅かにその位置を変えるこ
とによって、いろいろな入射角に対してフィルタ特性の改善がもたらされ得るも
のである。
図7aは3つの13層のコア積層体および9層の外側積層体を有する帯域通過
フィルタの透過特性を示す。9層の外側積層体は1または2の2分の1波長層を
有している。2つの2分の1波長すなわち1波長積層体に対する透過特性は太線
で示されており、2分の1波長積層体に対する透過特性は細線で示されている。
基板および媒質はガラスであり、何れも屈折率は1.51である。
図7b(太線)は2つの15層のコア積層体および11層の外側積層体を有す
る帯域通過フィルタの透過特性を示している。11層の外側積層体はHLH 3
L 3H 4L H 3L HLHの形態をなしている。ここでHは4分の1波
長の光路長に相当する厚さの高屈折率材でできた層を表しており、3Hは高屈折
率材でできた付加的な2分の1波長層を示しており、Lは4分の1波長の光路長
に相当する厚さの低屈折率材でできた層を示しており、その他も同様である。内
側積層体は一方の共振器にのみ(LL)が付加されてなるHLHLHLH LL
HL(LL)HLHLHでできている。この(LL)は同様の効果を奏するた
めに同じ位置で2分の1波長層の前に設けられ得る。高屈折率材は2.24の屈
折率を有し、一方低屈折率材は1.45の屈折率を有する。細線は2分の1波長
層のみを伴った層数が11−15−15−11の基本的なフィルタのスペクトル
特性を示している。基板および媒質はガラスであり、何れも屈折率は1.51で
ある。透過ゾーンにおいて小さいリプルを有する傾斜が明らかに改善されている
。電力半減点での帯域幅は実質的に変化していないが、しかし更に除去された点
での帯域外の遮断は実質的によりよくなっている。
基板および表面(すなわち出口)の媒質の屈折率はリプルに影響する。リプル
を最小に低減するために、フィルタ構造を表面媒質に一致させる必要があるかも
しれない。例えば、表面媒質の屈折率nが1.44と1.8の間にある場合、低
屈折率材でできた4分の1波長層は(おおよそ1.48かまたはそれよりも小さ
い屈折率の低屈折率材に対して)適切なマッチングをなすかもしれない。1.8
よりも大きいかまたは1.44よりも小さい屈折率に対しては、表面媒質とフィ
ルタとの間で層の変更が必要となる。この特定の問題は周知であり、当該分野の
専門家らによって述べられてきた。図8はフィルタを出射媒質とマッチングさせ
ることの効果を実証している。図7bと同じ4共振器フィルタが層1を除去する
ことによってシリコン基板にマッチングさせられている。またその4共振器フィ
ルタは、ZnSでできた屈折率0.7185の4分の1波長層よりなる層54お
よびThF4でできた屈折率0.643の4分の1波長層よりなる付加層55を
含む反射防止マッチング層でもって出射媒質である空気にマッチングさせられて
いる。通過帯域のリプルは図7bにおけるリプルと実質的に同じである。如何な
る基板および出射媒質に対しても、その媒質の隣の構造変化はフィルタの特性を
高めるため基板および出力媒質の屈折率は障害にならない。
実施例
硫化亜鉛(屈折率2.24)およびフッ化トリウム(屈折率1.45)よりな
る多層を用いて、終端の共振器(終端に付加された超低屈折率層を有している)
がリプルを低減する場合とそうでない場合とで7共振器フィルタが計算された。
図9aに示すようにリプルの低減は相当のものである。
5共振器フィルタが種々の基板を用いて計算された。図7aは屈折率1.51
を有するガラス内に埋没された状態での特性を示している。5共振器フィルタに
対して媒質が1.45と1.8との間の屈折率を有している場合には、1518
nmから1542nmまでの範囲での透過はフィルタ手段の最初と最後に低屈折率層
が付加された状態で98%を超える。
基板の屈折率を4.0(ゲルマニウム)に変え、かつ表面媒質を空気(屈折率
1.0)に変えた同一の5共振器構造に対して、フィルタの最初の2層および最
後の2層の厚さを最適化するために計算機のプログラムが使用された。図10a
は反射防止後にフィルタ特性が図7aに示す結果から殆ど変わっていないことを
実証している。
高屈折率(n=3.5)のシリコンおよび低屈折率(n=1.85)の一酸化
シリコンで構成された105層からなる8共振器フィルタの出力応答が図11a
に示されている。通過帯域に多少のリプルがあるが、その透過特性は従来の共振
器フィルタよりも非常に優れている。1波長層がリプルを取り除くのに使用され
る。
酸化ハフニウム(n=1.9)および石英(n=1.46)を終端でフッ化マ
グネシウムとともに用いた8共振器フィルタの出力応答が図12に示されており
、ここでは材料は酸化ハフニウム(n=1.85)および石英(n=1.44)
であり、このフィルタは該フィルタと媒質との間に付加されたフッ化マグネシウ
ム(n=1.38)よりなる層を備えている。これらおよびつぎのHfO2 から
なる内側層は媒質にマッチさせるためにその厚さが調整されている。最初および
最後の層はフッ化マグネシウムである。それらの層はつぎの内側層とともにその
媒質にマッチさせられている。
図11aとの比較は、基本的な帯域形状(出力応答)は屈折率比および各屈折
率の絶対値の両方に依存していないことを実証している。比較として低屈折率を
一定にして高屈折率を変えると通過帯域内のピークでの反射値にわずかな変化を
示す。
硫化亜鉛(屈折率2.24)およびフッ化トリウム(屈折率1.45)よりな
る多層を用い、付加される2分の1波長層の量および位置を異ならせて種々の4
共振器フィルタが計算された。
本発明によるフィルタは、外側の共振器を除いて他は等長共振器(同じ層数)
のアレイでできている。外側の共振器はそれぞれ4より少ない層(2分の1波長
層の各側で2より少ない)を含んでいる。この構成の通過帯域の形状はたとえあ
ってもリプルの小さい滑らかなグラフとなる。結果として生じたグラフの傾斜は
都合のよいパーセントの透過率位置での帯域幅を分析することによって任意に決
められてもよい。比較の目的で我々は帯域幅比を50%に対する0.01%Tと
定義する。それは傾斜に関するSと呼ばれる。
帯域幅比Sは、リプルを改善するために変更されてきたフィルタ構造に対する
よりも全等長共振器を備えたフィルタに対する方が極めて小さい。外側の共振器
により少ない層を有するフィルタにとって、その比は、外側の共振器の2分の1
波長層に2分の1波長層を付加することによってかなり改善される。0.01%
の点(および間の全ての他の点)での帯域幅の更なる改善は、特に外側の共振器
の4分の1波長積層体を構成する層に2分の1波長厚の層を付加することによっ
て達成され得る。これらは4分の3波長の厚さになる。これは帯域にリプルを加
えるが、しかしその大きさは付加する2分の1波長層の数および位置を変えるこ
とによって制御され得る。加えて、リプルの制御は内側の共振器に付加された2
分の1波長層の影響を受ける。帯域ファクターも同時に低下し、それゆえこの設
計ツールの使用が個々別々に考慮されなければならない。
帯域形状S=(帯域幅@0.01%T)/(帯域幅@50%T)およびリプル
R=100%−%T@通過帯域における最小値と定義することによって、フィル
タタイプ間で比較を行うことができる。上述したファクターに加えて4分の1波
長層の全数および全層数は最小化される。4分の1波長層構造に2分の1波長層
を付加したことによる帯域幅の改善を測定するために、最初に基本的な帯域幅情
報が検討されなければならない。共振器として15層でできた硫化亜鉛−フッ化
トリウム多層フィルタをもちいてこれを示すと以下のようになる。
4共振器−−それぞれ15層:S=2.35 R=81%
これは67の4分の1波長層とともに63層を含む
これらは基準となるものである。以下の4共振器の設計は何れもこれよりも優れ
た傾斜を有することはできない。
比較例は以下のように設計され、
11−15−15−11層からなる4共振器タイプ:S=3.37 R
=99.8% (ケース1)
全部で2分の1波長層(2−2−2−2)を有し、媒質にマッチングしており、
これは61の4分の1波長層とともに57層でできている。
このファクターを改善するために最初と最後の共振器に対して2分の1波長層
が1波長層(またはそれ以上)に変更されてもよい。
ケース1と同様の4共振器であるが、しかし2分の1波長層を以下のよ
うに変更する
共振器の4−2−2−4からなる4分の1波長層の#:S=2.85
R=99.6% (ケース2)
媒質にマッチングしており、これは63の4分の1波長層とともに57
層でできている。
この形状は、再び4分の1波長積層体のある層に2分の1波長層を付加するこ
とによって、更に改善されるかもしれない。目標が厳し過ぎなければ、少しの層
を付加するだけで十分な特性が得られ、他の所望の特性も生じるであろう。
形状ファクターを改善するために付加される層の数を厳密に最も少なくして用
いると、
最初と最後の共振器に対してZTZT 3Z 4T 3Z TZTZ
R=95%でS=2.6 これは71の4分の1波長層とともに55層を含み、
また
最初と最後の共振器に対してZTZ 3T 3Z 2T 3Z 3T
ZTZ R=95%でS=2.62 これは75の4分の1波長層とともに55
層を有している。
これらのフィルタ特性は殆どの適用に対して妥当である。光ファイバー通信で
はリプルがより少ないことが要求される。リプルファクターがより優れるには4
分の3または2分の1の波長層を必要とし、また非常にリプルの低いフィルタは
2.85に近いS値を有している。例えば、ZTZ 3T 3Z 2T ZTZ
TZの外側共振器は前記4−2−2−4タイプと同様の結果を生じる。
R=99.5% S=2.85
外側共振器をZTZ 3T 3Z 2T 3Z TZTZに変更すると以下の
ような中間の結果を生じる。
R=97.6%およびS=2.74
4分の3波長層を2分の1波長層から離すように移すことはリプルをなめらか
にするが、しかしバンド形状比は悪化する。一般的な適用のためには、光の入射
角が変化するのに伴うフィルタの特性変化が極めて小さいのが望ましい。最初に
検討されたフィルタ(ケース1)では13度を含む角度での等価損失すなわち帯
域ファクターの変化が全くない。
ケース2と同様に1波長層が用いられれば、13度で10%の透過損失が生じ
る。ZTZ 3T 3Z 2T ZTZTZからなる最初と最後の共振器に対し
ては、13度で4%の透過損失が生じる。種々の構造が調べられた結果、全てに
亘って最も特性がよいのは以下の通りである。
そのタイプは、外側共振器としてZTZ 3T 3Z 4T Z 3T ZT
Zであり、また内側共振器の何れに対しても如何なる方向においても2分の1波
長層から離れた第2層目の位置に2分の1波長層が1つ付加されている。79の
4分の1波長層からなる55層のフィルタが生じる。透過の結果は、13度で9
6%T、リプルR=97.5%最小および形状ファクターS=2.72を維持し
ている。
これは図7bに示されている。
リプルファクターR=92%最小および比S=2.55を有するフィルタは、
最初と最後の共振器に対して以下のようになる。
Z 3T 3Z 3T 3Z 2T 3Z 3T 3Z 3TZ
これは全層数を87層とするためにフィルタに32の4分の1波長層を付加して
いる。代わりにもう1つ共振器を付加すれば、より多くの利益が得られるであろ
う。
以下の構造を有する5共振器は73層および90の4分の1波長層を有してい
る。
ZTZ 3T 3Z 4T 3Z 3T(ZT)6(TZ)7 T 3Z 4T
(ZT)8(TZ)6 3T 3Z 4T3Z 3T ZTZ
13度での透過率は97%である。リプルR=97.5%および形状ファクター
S=2.0である。
これは図9bに示されている。
5共振器に対してよりよい形状を達成するために、その構造は以下の通りであ
り、73層と90の4分の1波長層を有している。
TZT 3Z 3T 3Z 4T 3Z 3T Z 3T(ZT)5(TZ)7
3T 3Z 2T Z 3T(ZT)7(TZ)5 3T Z 3T 3Z
4T 3Z 3T 3Z TZT
13度での透過率は91%最小である。リプルR=96%および形状ファクター
S=1.90である。4分の1波長層の少ない6共振器フィルタは以下のように
より優れた特性を有している。
以下の構造を有する6共振器は89層および107の4分の1波長層を有して
いる。
T(ZT)2 3Z 4T(ZT)7(TZ)8 2T Z 3T(ZT)4
Z 3T 3Z T Z 2T(ZT)8(TZ)7 4T 3Z(TZ)2
T
13度での透過率は96%である。リプルR=98.5%および形状ファクター
S=1.73である。
特性が図10bに示されている。
五酸化タンタルおよび二酸化シリコンの交互層からなるフィルタのスペクトル
特性が図11bにプロットされている。その設計は以下のようであり、76の4
分の1波長層とともに51層を含んでいる。
T 3Q 3T 4Q 3T Q(TQ)4(QT)5 3Q T 4Q(TQ
)6(QT)4 Q 3T 4Q 3T 3Q T
透過率は98.5%最小よりも大きい。
傾斜S=2.2である。透過率対波長のグラフが図11bに示されている。
これは、基本的な帯域が屈折率比および各屈折率の絶対値の両方に殆ど依存し
ていない、ということを実証している。低屈折率を一定にして高屈折率を変えた
比較例は通過帯域内のピークでの反射値にわずかな変化を示す。
要するに、本発明によるフィルタはその出力応答において従来のフィルタを上
回る実質的な改善をもたらす。これは、確実に外側共振器を内側共振器よりも4
層少なくすることと2分の1波長層を4分の1波長積層体に付加すること(およ
びできれば外側共振器を2分の1波長層とすること)によって達成される。
勿論、本発明の要旨から逸脱することなく多くの他の具体例および適用が考え
られてもよい。
【図1】
【図1】
【図2】
【図3】
【手続補正書】特許法第184条の8第1項
【提出日】1997年6月19日
【補正内容】
請求の範囲
1.2つの外側共振器[10a]および1または2以上の別の内側コア共振器[
10b]を含む複数の共振器[10a,10b]を備え、各共振器[10a,1
0b]は高屈折率材の層と低屈折率材の層が交互に並ぶ2つの4分の1波長反射
積層体を備え、各共振器[10a,10b]の前記積層体は絶縁材からなる2分
の1波長厚の層によって分離されており、各共振器[10a,10b]は低屈折
率材からなる4分の1波長厚の層によって隣の共振器[10a,10b]から分
離されてなる帯域通過フィルタであって、1または2以上の内側コア共振器[1
0b]における層数は7または7より大きい奇数であり、外側共振器[10a]
はそれぞれ各4分の1波長反射積層体において1または2以上の内側コア共振器
[10b]の別の4分の1波長反射積層体の層数よりも2層少ない層を有してい
ることを特徴とする帯域通過フィルタ。
2.2つの外側共振器および1または2以上の別の共振器[10a,10b]を
含む複数の共振器を備え、各共振器[10a,10b]は高屈折率材の層と低屈
折率材の層が交互に並ぶ2つの4分の1波長反射積層体を備え、1または2以上
の別の共振器[10b]は絶縁材からなる3またはそれよりも少ない2分の1波
長厚の層を有する単一の2分の1波長厚の層または複数の2分の1波長厚の層に
よって分離されており、またフィルタの通過帯域の帯域幅を広げるとともに残り
の反射を低減するために前記外側共振器[10a]の積層体は絶縁材からなる複
数の2分の1波長厚の層によって分離されてなる帯域通過フィルタであって、各
共振器[10a,10b]は低屈折率材からなる4分の1波長厚の層によって分
離されており、1または2以上の別の共振器[10b]における層数は7または
7より大きい奇数であり、前記複数の共振器における外側共振器[10a]はそ
れぞれ各4分の1波長反射積層体において1または2以上の別の共振器[10b
]の別の4分の1波長反射積層体の層数よりも2層少ない層を有していることを
特徴とする帯域通過フィルタ。
3.2つの外側共振器[10a]および1または2以上の別の共振器を含む複数
の共振器[10a,10b]を備え、各共振器[10a,10b]は高屈折率材
の層と低屈折率材の層が交互に並ぶ2つの4分の1波長反射積層体を備え、1ま
たは2以上の別の共振器[10b]の積層体は絶縁材からなる3またはそれより
も少ない2分の1波長厚の層を有する単一の2分の1波長厚の層または複数の2
分の1波長厚の層によって分離されており、フィルタの通過帯域の帯域幅を広げ
るとともに残りの反射を低減するために前記外側共振器[10a]の積層体は絶
縁材からなる複数の2分の1波長厚の層によって分離されてなる帯域通過フィル
タであって、各共振器[10a,10b]は低屈折率材からなる4分の1波長厚
の層によって分離されており、1または2以上の別の共振器[10b]における
層数は7または7より大きい奇数であり、前記複数の共振器[10a,10b]
における外側共振器[10a]はそれぞれ各4分の1波長反射積層体において1
または2以上の別の共振器[10b]の別の4分の1波長反射積層体の層数より
も2層少ない層を有していることを特徴とする帯域通過フィルタ。
4.1または2以上の別の共振器[10b]の絶縁材からなる複数の2分の1波
長厚の層は、2つの外側共振器[10a]の複数の2分の1波長厚の層よりも少
ない層数の2分の1波長厚の複数層を有することを特徴とする請求項3に記載の
帯域通過フィルタ。
5.幾つかの4分の1波長反射積層体は少なくとも1つの4分の3波長厚の層を
含み、通過帯域の傾斜を変えるために、何れの外側共振器[10a]にも3つの
4分の1波長厚の層があり、また何れかの外側共振器[10a]にある何れか3
つの4分の1波長厚の層によりもたらされるリプルを小さくするために、内側共
振器[10b]に設けられた3つの4分の1波長厚の層があることを特徴とする
請求項1、2または3に記載の帯域通過フィルタ。
6.通過帯域の傾斜を増大するために外側共振器[10a]の4分の1波長反射
積層体のうちの少なくとも一つは外側共振器[10a]内に4分の3波長厚の選
択された層を有しており、また外側共振器[10a]の一方または両方の中にあ
る4分の3波長厚の層によって引き起こされるリプルを小さくするために1また
は2以上の内側共振器[10b]の4分の1波長積層体の選択された層は4分の
3波長厚であることを特徴とする請求項1、2または3に記載の帯域通過フィル
タ。
7.通過帯域の傾斜を変えるために外側共振器[10a]の4分の1波長反射積
層体のうちの幾つかは外側共振器[10a]内に4分の3波長厚の選択された層
を有しており、また外側共振器[10a]の一方または両方の中にある4分の3
波長厚の層によって引き起こされるリプルを小さくするために1または2以上の
内側共振器[10b]の4分の1波長積層体の選択された層は4分の3波長厚で
あることを特徴とする請求項1、2または3に記載の帯域通過フィルタ。
8.外側共振器[10a]の隣の1または2以上の別の共振器[10b]の絶縁
材からなる複数の2分の1波長厚の層は、2つの外側共振器[10a]の複数の
2分の1波長厚の層よりも少ない層数の2分の1波長厚の複数層を有することを
特徴とする請求項3に記載の帯域通過フィルタ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE,
DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L
U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF
,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,
SN,TD,TG),AP(KE,LS,MW,SD,S
Z,UG),UA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD
,RU,TJ,TM),AL,AM,AT,AU,AZ
,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CZ,
DE,DK,EE,ES,FI,GB,GE,HU,I
S,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LK,LR
,LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN,
MW,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,S
D,SE,SG,SI,SK,TJ,TM,TR,TT
,UA,UG,US,UZ,VN
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.2つの外側共振器および1または2以上の別の内側コア共振器を含む一続き の共振器を備え、各共振器は高屈折率材の層と低屈折率材の層が交互に並ぶ複数 の4分の1波長反射積層体を備え、前記複数の積層体は絶縁材からなる2分の1 波長厚の層によって分離されており、各共振器は低屈折率材からなる4分の1波 長厚の層によって分離されてなる帯域通過フィルタであって、少なくとも1また は2以上の別の共振器における層数は7または7より大きい奇数であり、また前 記一続きの共振器における最初と最後の共振器はそれぞれ各4分の1波長反射積 層体において、前記一続きにおける少なくとも1または2以上の別の共振器の別 の4分の1波長反射積層体の層数よりも2層少ない層を有していることを特徴と する帯域通過フィルタ。 2.2つの外側共振器および少なくとも1または2以上の別の共振器を含む一続 きの共振器を備え、各共振器は高屈折率材の層と低屈折率材の層が交互に並ぶ複 数の4分の1波長反射積層体を備え、少なくとも1または2以上の別の共振器は 絶縁材からなる2分の1波長厚の層によって分離されており、フィルタの通過帯 域の帯域幅を広げるとともに残りの反射を低減するために前記外側共振器の複数 の積層体は絶縁材からなる複数の2分の1波長厚の層によって分離されてなる帯 域通過フィルタであって、各共振器は低屈折率材からなる4分の1波長厚の層に よって分離されており、少なくとも1または2以上の別の共振器における層数は 7または7より大きい奇数であり、また前記一続きの共振器における最初と最後 の共振器はそれぞれ各4分の1波長反射積層体において、前記一続きにおける少 なくとも1または2以上の別の共振器の別の4分の1波長反射積層体の層数より も2層少ない層を有していることを特徴とする帯域通過フィルタ。 3.2つの外側共振器および少なくとも1または2以上の別の共振器を含む一続 きの共振器を備え、各共振器は高屈折率材の層と低屈折率材の層が交互に並ぶ複 数の4分の1波長反射積層体を備え、少なくとも1または2以上の別の共振器は 絶縁材からなる複数の2分の1波長厚の層によって分離されており、フィルタの 通過帯域の帯域幅を広げるとともに残りの反射を低減するために前記外側共振器 の複数の積層体は絶縁材からなる複数の2分の1波長厚の層によって分離されて なる帯域通過フィルタであって、各共振器は低屈折率材からなる4分の1波長厚 の層によって分離されており、少なくとも1または2以上の別の共振器における 層数は7または7より大きい奇数であり、また前記一続きの共振器における最初 と最後の共振器はそれぞれ各4分の1波長反射積層体において、前記一続きにお ける少なくとも1または2以上の別の共振器の別の4分の1波長反射積層体の層 数よりも2層少ない層を有していることを特徴とする帯域通過フィルタ。 4.少なくとも1または2以上の別の共振器の絶縁材からなる複数の2分の1波 長厚の層は、2つの外側共振器の複数の2分の1波長厚の層よりも少ない層数の 2分の1波長厚の複数層を有することを特徴とする請求項3に記載の帯域通過フ ィルタ。 5.2つの外側共振器および1または2以上の別の内側コア共振器を含む一続き の共振器を備え、各共振器は複数の4分の1波長反射積層体を備え、幾つかの4 分の1波長反射積層体は少なくとも1つの4分の3波長厚の層を含み、その反射 積層体は高屈折率材の層と低屈折率材の層が交互に並んでできており、前記複数 の積層体は絶縁材からなる2分の1波長厚の層によって分離されてなる帯域通過 フィルタであって、各共振器は低屈折率材からなる4分の1波長厚の層によって 分離されており、少なくとも1または2以上の別の共振器における層数は7また は7より大きい奇数であり、また前記一続きの共振器における最初と最後の共振 器はそれぞれ各4分の1波長反射積層体において、前記一続きにおける少なくと も1または2以上の別の共振器の別の4分の1波長反射積層体の層数よりも2層 少ない層を有しており、何れの外側共振器にもあるあらゆる少なくとも4分の3 波長厚の層は通過帯域の傾斜を変えるためにあり、また内側共振器に設けられた あらゆる4分の3波長厚の層は、外側共振器の何れにもあるあらゆる4分の3波 長厚の層により引き起こされるリプルを小さくするためにあることを特徴とする 帯域通過フィルタ。 6.2つの外側共振器および少なくとも1または2以上の別の共振器を含む一続 きの共振器を備え、各共振器は高屈折率材の層と低屈折率材の層が交互に並ぶ複 数の4分の1波長反射積層体を備え、少なくとも1または2以上の別の積層体は 絶縁材からなる2分の1波長厚の層によって分離されており、フィルタの通過帯 域の帯域幅を広げるとともに残りの反射を低減するために前記外側共振器の複数 の積層体は絶縁材からなる複数の2分の1波長厚の層によって分離されてなる帯 域通過フィルタであって、各共振器は低屈折率材からなる4分の1波長厚の層に よって分離されており、少なくとも1または2以上の別の共振器における層数は 7または7より大きい奇数であり、また前記一続きの共振器における最初と最後 の共振器はそれぞれ各4分の1波長反射積層体において、前記一続きにおける少 なくとも1または2以上の別の共振器の別の4分の1波長反射積層体の層数より も2層少ない層を有しており、通過帯域の傾斜を増大するために外側共振器の4 分の1波長反射積層体のうちの少なくとも一つは外側共振器内に4分の3波長厚 の選択された層を有しており、また外側共振器の一方または両方の中にある4分 の3波長厚の層によって引き起こされるリプルを小さくするために1または2以 上の内側共振器の4分の1波長積層体の選択された層は4分の3波長厚であるこ とを特徴とする帯域通過フィルタ。 7.2つの外側共振器および少なくとも1または2以上の別の共振器を含む一続 きの共振器を備え、各共振器は高屈折率材の層と低屈折率材の層が交互に並ぶ複 数の4分の1波長反射積層体を備え、少なくとも1または2以上の別の積層体は 絶縁材からなる複数の2分の1波長厚の層によって分離されており、フィルタの 通過帯域の帯域幅を広げるとともに残りの反射を低減するために前記外側共振器 の複数の積層体は絶縁材からなる複数の2分の1波長厚の層によって分離されて なる帯域通過フィルタであって、各共振器は低屈折率材からなる4分の1波長厚 の層によって分離されており、少なくとも1または2以上の別の共振器における 層数は7または7より大きい奇数であり、また前記一続きの共振器における最初 と最後の共振器はそれぞれ各4分の1波長反射積層体において、前記一続きにお ける少なくとも1または2以上の別の共振器の別の4分の1波長反射積層体の層 数よりも2層少ない層を有しており、通過帯域の傾斜を変えるために外側共振器 の4分の1波長反射積層体のうちの幾つかは外側共振器内に4分の3波長厚の選 択された層を有しており、また外側共振器の一方または両方の中にある4分の3 波長厚の層によって引き起こされるリプルを小さくするために1または2以上の 内側共振器の4分の1波長積層体の選択された層は4分の3波長厚であることを 特徴とする帯域通過フィルタ。 8.外側共振器の隣の少なくとも1または2以上の別の共振器の絶縁材からなる 複数の2分の1波長厚の層は、2つの外側共振器の複数の2分の1波長厚の層よ りも少ない層数の2分の1波長厚の複数層を有することを特徴とする請求項3に 記載の帯域通過フィルタ。
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/496,097 US5999322A (en) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | Multilayer thin film bandpass filter |
| US08/496,097 | 1995-06-28 | ||
| US08/529,449 | 1995-09-18 | ||
| US496,097 | 1995-09-18 | ||
| US529,449 | 1995-09-18 | ||
| US08/529,449 US5719989A (en) | 1995-06-28 | 1995-09-18 | Multilayer thin film bandpass filter |
| PCT/CA1996/000415 WO1997001777A1 (en) | 1995-06-28 | 1996-06-19 | Multilayer thin film bandpass filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10512975A true JPH10512975A (ja) | 1998-12-08 |
| JP3133765B2 JP3133765B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=23971222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09504057A Expired - Fee Related JP3133765B2 (ja) | 1995-06-28 | 1996-06-19 | 多層薄膜バンドパスフィルタ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5999322A (ja) |
| EP (1) | EP0835466B1 (ja) |
| JP (1) | JP3133765B2 (ja) |
| AU (1) | AU6119296A (ja) |
| DE (1) | DE69605116T2 (ja) |
| WO (1) | WO1997001777A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1074519A2 (en) | 1999-08-02 | 2001-02-07 | Hoya Corporation | WDM optical filter and glass substrate for use in a WDM optical filter |
| US6410466B1 (en) | 1999-08-10 | 2002-06-25 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramics for a light filter |
| US6461733B1 (en) | 1999-08-30 | 2002-10-08 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass for a light filter and light filter |
| JP2004501347A (ja) * | 2000-04-17 | 2004-01-15 | ベクトン・ディキンソン・アンド・カンパニー | 混合物の分析方法 |
| US7091144B2 (en) | 2002-05-27 | 2006-08-15 | Central Glass Co., Ltd. | Glass for wavelength division multiplexing optical filter |
| JP2022070828A (ja) * | 2020-10-27 | 2022-05-13 | 三星電子株式会社 | 分光フィルタ、それを含むイメージセンサ、及び電子装置 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6018421A (en) * | 1995-06-28 | 2000-01-25 | Cushing; David Henry | Multilayer thin film bandpass filter |
| US5926317A (en) * | 1996-11-06 | 1999-07-20 | Jds Fitel Inc. | Multilayer thin film dielectric bandpass filter |
| GB9708468D0 (en) * | 1997-04-25 | 1997-06-18 | Screen Tech Ltd | Collimator |
| US6631018B1 (en) | 1997-08-27 | 2003-10-07 | Nortel Networks Limited | WDM optical network with passive pass-through at each node |
| AU2228799A (en) * | 1998-01-15 | 1999-08-02 | Ciena Corporation | Optical interference filter |
| GB9901858D0 (en) | 1999-01-29 | 1999-03-17 | Secr Defence | Optical filters |
| GB2350533B (en) | 1999-05-28 | 2001-07-04 | Mitel Corp | Method to control data reception buffers for packetized voice channels |
| US20040032661A1 (en) * | 2000-04-28 | 2004-02-19 | Kazuro Kikuchi | Optical dispersion compensating device and optical dispersion compensating method using the device |
| US6587608B2 (en) | 2000-11-14 | 2003-07-01 | Chameleon Optics, Inc. | Reconfigurable, all optical add/drop nodes using non-interrupting switching apparatus and methods |
| US6781757B2 (en) | 2001-04-20 | 2004-08-24 | Micron Optics, Inc. | Polarization insensitive tunable optical filters |
| US6724516B2 (en) * | 2001-09-06 | 2004-04-20 | Intpax, Inc. | Robust multi-layered thin-film membrane for micro-electromechanical systems (MEMS) photonic devices |
| US20030128432A1 (en) * | 2001-09-21 | 2003-07-10 | Cormack Robert H. | Polarization independent thin film optical interference filters |
| US6611378B1 (en) | 2001-12-20 | 2003-08-26 | Semrock, Inc. | Thin-film interference filter with quarter-wavelength unit sub-layers arranged in a generalized pattern |
| TW584742B (en) * | 2002-01-25 | 2004-04-21 | Alps Electric Co Ltd | Multilayer film optical filter, method of producing the same, and optical component using the same |
| US6850366B2 (en) * | 2002-10-09 | 2005-02-01 | Jds Uniphase Corporation | Multi-cavity optical filter |
| DE10302142A1 (de) | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Siemens Ag | Bandpassfilter und Verfahren zur Steigerung der Empfindlichkeit beim Empfang eines optischen Signals |
| US7030991B1 (en) | 2003-08-01 | 2006-04-18 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Field condensing imaging system for remote sensing of atmospheric trace gases |
| US7050215B1 (en) | 2003-08-01 | 2006-05-23 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Method and apparatus for providing a gas correlation filter for remote sensing of atmospheric trace gases |
| TWI245934B (en) * | 2004-07-21 | 2005-12-21 | Asia Optical Co Inc | CWDM filter with four channels |
| CN100383567C (zh) * | 2004-08-10 | 2008-04-23 | 亚洲光学股份有限公司 | 消除噪声之cwdm滤光片 |
| JP2011507268A (ja) * | 2007-12-12 | 2011-03-03 | ニューポート コーポレーション | 性能が改善された光学的に被覆された半導体デバイス及び関連した製造方法 |
| CN102841396A (zh) * | 2011-06-21 | 2012-12-26 | 亚洲光学股份有限公司 | 滤光装置 |
| US8724221B2 (en) * | 2011-06-22 | 2014-05-13 | Asia Optical Co., Inc. | Optical interference bandpass filter |
| TWI794145B (zh) | 2015-10-28 | 2023-03-01 | 美商加州太平洋生物科學公司 | 包含整合性帶通濾波器之光學裝置陣列 |
| CN116413847B (zh) * | 2023-03-15 | 2025-07-15 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种扩展带阻区的带通滤光膜及其调控方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD226742A3 (de) * | 1983-04-04 | 1985-08-28 | Zeiss Jena Veb Carl | Interferenzfilter mit einem durchlassband |
| US4756602A (en) * | 1987-06-05 | 1988-07-12 | Rockwell International Corporation | Narrowband optical filter with partitioned cavity |
| JPS6491104A (en) * | 1987-10-02 | 1989-04-10 | Fujitsu Ltd | Lamination structure of optical multi-layered film filter |
| US5023944A (en) * | 1989-09-05 | 1991-06-11 | General Dynamics Corp./Electronics Division | Optical resonator structures |
| US5144498A (en) * | 1990-02-14 | 1992-09-01 | Hewlett-Packard Company | Variable wavelength light filter and sensor system |
| US5583683A (en) * | 1995-06-15 | 1996-12-10 | Optical Corporation Of America | Optical multiplexing device |
| US5719989A (en) * | 1995-06-28 | 1998-02-17 | Jds Fitel Inc. | Multilayer thin film bandpass filter |
-
1995
- 1995-06-28 US US08/496,097 patent/US5999322A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-06-19 WO PCT/CA1996/000415 patent/WO1997001777A1/en not_active Ceased
- 1996-06-19 AU AU61192/96A patent/AU6119296A/en not_active Abandoned
- 1996-06-19 EP EP96918558A patent/EP0835466B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-19 DE DE69605116T patent/DE69605116T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-19 JP JP09504057A patent/JP3133765B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1074519A2 (en) | 1999-08-02 | 2001-02-07 | Hoya Corporation | WDM optical filter and glass substrate for use in a WDM optical filter |
| US6465105B1 (en) | 1999-08-02 | 2002-10-15 | Hoya Corporation | WDM optical filter and glass substrate for use in the WDM optical filter |
| US6410466B1 (en) | 1999-08-10 | 2002-06-25 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramics for a light filter |
| US6461733B1 (en) | 1999-08-30 | 2002-10-08 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass for a light filter and light filter |
| JP2004501347A (ja) * | 2000-04-17 | 2004-01-15 | ベクトン・ディキンソン・アンド・カンパニー | 混合物の分析方法 |
| US7091144B2 (en) | 2002-05-27 | 2006-08-15 | Central Glass Co., Ltd. | Glass for wavelength division multiplexing optical filter |
| JP2022070828A (ja) * | 2020-10-27 | 2022-05-13 | 三星電子株式会社 | 分光フィルタ、それを含むイメージセンサ、及び電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1997001777A1 (en) | 1997-01-16 |
| DE69605116D1 (de) | 1999-12-16 |
| DE69605116T2 (de) | 2000-07-13 |
| US5999322A (en) | 1999-12-07 |
| EP0835466A1 (en) | 1998-04-15 |
| AU6119296A (en) | 1997-01-30 |
| EP0835466B1 (en) | 1999-11-10 |
| JP3133765B2 (ja) | 2001-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3133765B2 (ja) | 多層薄膜バンドパスフィルタ | |
| US7006292B2 (en) | Multi-cavity optical filter | |
| US6018421A (en) | Multilayer thin film bandpass filter | |
| US5719989A (en) | Multilayer thin film bandpass filter | |
| CA2220291C (en) | Multilayer thin film dielectric bandpass filter | |
| CA2254679C (en) | Multilayer thin film dielectric bandpass filter | |
| US4756602A (en) | Narrowband optical filter with partitioned cavity | |
| US4666250A (en) | Interference filter design using flip-flop optimization | |
| US4952025A (en) | Rugate filter incorporating parallel and series addition | |
| US5410431A (en) | Multi-line narrowband-pass filters | |
| US4826267A (en) | Spectral filter with integral antireflection coating | |
| WO2005116696A1 (ja) | 反射防止膜 | |
| JP3373182B2 (ja) | 多層膜光フィルタ | |
| US11668858B2 (en) | Antireflective lens for infrared rays having four layers of specified refractive indices | |
| JPH0784105A (ja) | 反射膜 | |
| JP2025511768A5 (ja) | ||
| JPH07104122A (ja) | バンドパスフィルタ | |
| Liou | Designing a broadband visible antireflection coating by flip-flop tuning search technique | |
| KR20250061224A (ko) | 다층 유전체 박막 구조 최적화 설계 시뮬레이션 방법 | |
| JPH0419521B2 (ja) | ||
| SU1672393A1 (ru) | Просветл ющее покрытие дл видимой области спектра и длины волны 1060 нм | |
| JPH0868906A (ja) | 誘電体多層膜反射鏡製造方法 | |
| JP3107898B2 (ja) | 光学部品 | |
| Zorc et al. | A quest for convenient procedures in designing of narrow band reflector coatings | |
| JPH0763907A (ja) | レーザ用反射鏡 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |