JPH10513012A - 高性能集積回路パッケージ - Google Patents

高性能集積回路パッケージ

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Abstract

(57)【要約】 プリント回路(PC)ボード(56)上に配置され第1の誘電層を有する高性能集積回路パッケージ(10)。この第1の誘電層上に、金属化ダイ・パッド(22)と、この金属化ダイ・パッドを囲む第1の金属リング(38a)が位置決めされる。金属化ダイ・パッドおよび第1の金属リングはそれぞれ、第1の電源信号および第2の電源信号を受信するためにPCボードに電気的に結合される。次いで、金属化ダイ・パッドに集積回路ダイ(12)が取り付けられる。この集積回路ダイ(12)は、それぞれ、金属化ダイ・パッドおよび第1の金属リングに結合された、第1の電源信号ボンド・パッド(28、30)と第2の電源信号ボンド・パッド(33、34)とを有する。したがって、金属化ダイ・パッドおよび第1の金属リングは、PCボードから来る第1および第2の電源信号を集積回路ダイ上の第1および第2の電源信号ボンド・パッドに結合する第1の電源平面および第2の電源平面として動作する。

Description

【発明の詳細な説明】 高性能集積回路パッケージ 発明の背景 1.発明の分野 本発明は、高性能集積回路実装の分野に関する。 2.技術の背景 従来、マイクロプロセッサは、電気的性能要件および熱的性能要件のためにセ ラミック・ピン・グリッド・アレイ・パッケージとして実装される。具体的には 、マイクロプロセッサの命令実行速度が高いので、マイクロプロセッサの実装の 設計に2つの制限が課される。第1に、マイクロプロセッサは高い命令実行速度 で動作するが、電力消費量はその命令実行速度の関数であるので、マイクロプロ セッサの実装の設計に対して課される1つの制限はエネルギーの節約である。第 2に、マイクロプロセッサの命令実行速度が高いので、実装では、回路ノードが できるだけ迅速に充電し放電することができるようにマイクロプロセッサ・ダイ との間の過渡電源電流(たとえば、過渡グラウンド電流および過渡Vcc供給電流 )の除去および供給に要する時間を最小限に抑える必要がある。 エネルギーの節約と時間の制約は共に、電源信号(たとえば、グラウンド供給 信号やVcc供給信号)にプリント回路(PC)ボードからダイへの最も短い経路 を与えることによって満たすことができる。言い換えれば、電源信号がPCボー ドからダイへ移動する必要がある距離を最小限に抑えることによって、電源信号 が経路内で出会う障害物(すなわち、抵抗およびインダクタンス)が少なくなる ので、エネルギーが節約される。さらに、電源信号がPCボードからダイへ移動 する必要がある距離を最小限に抑えることによって、PCボードとダイとの間で 過渡電源電流を供給し除去するための時間も最小限に抑えられる。 従来、(PCボードからダイへの)電源信号経路を短くする従来技術の解決策 は他のタイプの実装では首尾良く実施できないことが多いので、マイクロプロセ ッサは主としてセラミック・ピン・グリッド・アレイ・パッケージとして実装さ れている。電源信号経路を短くする従来技術の一方法は、容量性電気平面をパッ ケージ内に配置することである。このような容量性電気平面(薄層キャパシタと も呼ばれる)は、電源信号に接続され、したがって迅速にダイからアクセスでき るローカル・オンチップ電源を形成する。 残念なことに、容量性電気平面は数種類の材料でしか実施できない。容量性電 気平面を実施できるかどうかは、各電力平面と接地平面との間で達成できる最小 分離距離と、パッケージの誘電定数に依存する。したがって、セラミック・パッ ケージが高誘電定数を有し、小さな分離距離を与えるので、セラミック・パッケ ージでは容量性電気平面を実施することができる。しかし、前述のように、容量 性電気平面は、すべてのタイプのパッケージで実施できるわけではない。たとえ ば、プラスチック・パッケージは、誘電定数が低く、隣接する電気平面間に小さ な分離距離を与えることができないので、より廉価なプラスチック・パッケージ 技法では容量性電気平面を使用して電源信号経路を短くすることはできない。 電源信号の経路を短くする従来技術の他の解決策は、パッケージ上にチップ・ キャパシタを実装し、このキャパシタを、電源信号に結合してローカル電源とし て働くようにすることである。しかし、チップ・キャパシタが高価なので、従来 技術のこの解決策では、マイクロプロセッサの処理コストが増大する。 したがって、電源信号をPCボードからダイへ転送する際にエネルギーおよび 時間を費用有効に節約する、マイクロプロセッサ用の実装方法および装置を提供 することが望ましい。具体的には、(すべてのタイプの実装で実施できるわけで はない)容量性電気平面を使用せず、かつ(高価な)チップ・キャパシタを使用 せずに、PCボードからダイへの最も短い電源信号経路を与える、マイクロプロ セッサ用の実装方法および装置が必要である。 発明の概要 本発明の目的は、電源信号をPCボードからダイへ転送する際にエネルギーお よび時間を費用有効に節約する、マイクロプロセッサ用の実装方法および装置を 提供することである。具体的には、本発明の目的は、容量性電気平面を使用せず 、 かつチップ・キャパシタを使用せずに、PCボードからダイへの最も短い電源信 号経路を与える、マイクロプロセッサ用の実装方法および装置を提供することで ある。 本発明のこれらおよびその他の目的は、プリント回路(PC)ボード上に配置 された高性能集積回路パッケージによって達成される。この高性能パッケージは 、上部に、金属化ダイ・パッドと、この金属化ダイ・パッドを囲む第1の金属リ ングとが位置決めされた、第1の誘電層を有する。金属化ダイ・パッドおよび第 1の金属リングはそれぞれ、第1の電源信号および第2の電源信号を受信するた めにPCボードに電気的に結合される。次いで、金属化ダイ・パッドに集積回路 ダイが取り付けられる。この集積回路ダイは、それぞれ、金属化ダイ・パッドお よび第1の金属リングに結合された、第1の電源信号ボンド・パッドと第2の電 源信号ボンド・パッドとを有する。したがって、金属化ダイ・パッドおよび第1 の金属リングは、PCボードから来る第1および第2の電源信号を集積回路ダイ 上の第1および第2の電源信号ボンド・パッドに結合する第1の電源平面および 第2の電源平面として動作する。 図面の簡単な説明 当業者には、本発明の目的および利点が、下記の詳細な説明および添付の図面 を調べた後に容易に明らかになろう。 第1図は、本発明の一実施形態のボール・グリッド・アレイ・パッケージの平 面図である。 第2図は、第1図のボール・グリッド・アレイ・パッケージの側面断面図であ る。 第3図は、第1図のボール・グリッド・アレイ・パッケージの拡大断面図であ る。 第4図は、汎用コンピュータ・システムのマイクロプロセッサを収納する本発 明の高性能集積回路パッケージを示す図である。 発明の詳細な説明 本発明は、ボール・グリッド・アレイ(BGA)パッケージの高性能品質を利 用する集積回路実装方法および装置を提供する。具体的には、はんだボールを、 隣接するボール間の距離を比較的短くして(たとえば、50ミル)集積回路パッ ケージに取り付けることができるので、BGAパッケージは高いはんだボール密 度を有する。さらに、BGAパッケージの高はんだボール密度のために、このよ うなパッケージは比較的小さな寸法を有することができる。後述のように、本発 明のパッケージ設計では、BGAパッケージのはんだボール密度が高く寸法が小 さいことを使用して、最も短い電源信号経路がえられる。 下記の説明では、説明の都合上、本発明を完全に理解していただくために多数 の詳細について述べる。しかし、当業者には、このような特定の詳細なしに本発 明を実施できることが明らかになろう。たとえば、本発明の下記の説明はBGA パッケージに関するものであるが、当業者には、ピン・グリッド・アレイ(PG A)パッケージのピン密度および隣接ピン間隔が、BGAパッケージのボール密 度および隣接ボール間隔に匹敵する場合にはピン・グリッド・アレイ(PGA) パッケージを使用して本発明を実施できることが理解されよう。 第1図ないし第3図は、本発明の実装方法および装置の一実施形態を示す。こ れらの図に示したように、プラスチック・パッケージ10は集積回路12を収納 する。集積回路12は、本発明の一実施形態ではマイクロプロセッサである。ま た、第1図ないし第3図で述べる本発明の実施形態ではプラスチック・パッケー ジについて説明するが、パッケージ10が他のタイプの材料で構成できることを 理解されたい。パッケージ10は、その底面に取り付けられた複数のコネクタ1 4を有する。これらのコネクタは、PCボード上の金属パッドとの接点を形成し 、それによってパッケージ10をPCボードに結合する。第1図ないし第3図で 述べる本発明の実施形態では、コネクタははんだボールである。しかし、前述の ように、密度および隣接間隔が、BGAパッケージのボール密度および隣接ボー ル間隔に匹敵する場合には他のタイプのコネクタ(たとえば、ピン)を使用する ことができる。 第1図ないし第3図で述べる本発明の実施形態では、パッケージ10は、第1 の誘電層16と、第2の誘電層18と、第3の誘電層20の3つの誘電材料層を 有する。パッケージ10の第1の誘電層の表面にパッケージ10に第1の金属化 ダイ・パッド22が取り付けられる。本発明の一実施形態では、第1の金属化ダ イ・パッド22は、積層プロセスを通じてパッケージ10に取り付けられる。こ のダイ・パッドは、メッキ・バイア24を通じて第2の金属化パッド26に電気 的および熱的に接続されている。この第2の金属化パッド26は第1の誘電層1 6の底面に取り付けられている。さらに、第1の金属化ダイ・パッド22は、第 2の金属化パッド26に結合されたはんだボール14aを通じて、PCボード上 の第1の電源信号に結合される。第1図ないし第3図で述べる本発明の実施形態 では、第1の電源信号はコア・グラウンド供給信号Vssである。しかし。第1の 供給信号が、いくつかの異なるタイプの電源供給信号のうちの1つでよいことを 理解されたい。 マイクロプロセッサ・ダイ12は次いで、電気的および熱的に伝導性の接着剤 によって第1の金属化ダイ・パッド22に取り付けられる。マイクロプロセッサ ・ダイ12は、コア・グラウンド・ボンド・パッド28、周辺グラウンド・ボン ド・パッド30、コアVccボンド・パッド32、周辺Vccボンド・パッド34、 個別の信号ボンド・パッド36を含め、複数のボンド・パッドを含む。コア・グ ラウンド・ボンド・パッドはすべて、ダイ・パッド22にワイヤ・ボンディング されることによって短絡される。したがって、ダイ上のコア・グラウンド・ボン ド・パッドからPCボード上のコア・グラウンド供給信号への最も短い電気(す なわち、最低インダクタンス)経路は、第1の金属化ダイ・パッド22と、バイ ア24と、第2の金属化パッド26と、はんだボール14aを通じて確立される 。この最も短い経路は、ダイ寸法およびパッケージ寸法とは独立したものである 。 パッケージ10は、第1の誘電層16の表面と底面の両方に金属化パッドを囲 む第1の1組の金属リング38も含む。第1の1組の金属リングの表側部リング 38aと底側部リング38bは、メッキ・バイア40を通じて接続される。底側 部第1の金属リングは、はんだボール14bを通じて、PCボード上の第2の電 源信号に結合される。第1図ないし第3図で述べる本発明の実施形態では、第2 の電源信号はコアVcc供給信号である。しかし、第2の電源信号がいくつかの異 なるタイプの電源信号のうちの1つでよいことを理解されたい。マイクロプロセ ッサ・ダイ上のコアVccボンド・パッドはすべて、表部の第1の金属リングにワ イヤ・ボンディングされることによって短絡される。したがって、ダイ上のコア Vccボンド・パッドからPCボード上のコアVcc供給信号への短い電気(すなわ ち、低インダクタンス)経路は、表部の第1の金属リング38aと、バイア40 と、底部の第1の金属リング38bと、はんだボール14bを通じて確立される 。 さらに図示したように、パッケージ10は、第1の誘電層16の表面と底面の 両方の金属化パッドおよび第1の1組の金属リングを囲む第2の1組の金属リン グ42も含む。第2の1組の金属リングの表側部リング42aと底側部リング4 2bは、メッキ・バイア44を通じて電気的および熱的に接続される。底側部の 第2の金属リングは、それに取り付けられたはんだボール14cを通じてPCボ ード上の第3の電源信号に結合される。第1図ないし第3図で述べる本発明の実 施形態では、第3の供給信号は周辺グラウンド供給信号Vsspである。しかし、 第3の電源信号がいくつかの異なるタイプの電源信号のうちの1つでよいことを 理解されたい。 マイクロプロセッサ・ダイ上の周辺グラウンド・ボンド・パッドはすべて、表 部の第2の金属リングにワイヤ・ボンディングされることによって短絡される。 このように、第2の1組の金属リングを使用して、ダイ上の周辺グラウンド・ボ ンド・パッドがPCボード上の周辺グラウンド供給信号に結合される。本発明の この実施形態は、マイクロプロセッサのコア活動(たとえば、命令の実行)によ って使用される電源を、マイクロプロセッサの周辺活動(たとえば、他の装置と の通信)に使用される「雑音の多い」電源から絶縁するために周辺電源接続を形 成する。 さらに図示したように、パッケージ10は2つのボンド・フィンガの列も含む 。第1のボンド・フィンガの列46は、金属化ダイ・パッド22、表部の第1の 金属リング38a、第2の金属リング42aと共に(第1の下部ボンディング・ シェルフを構成する)第1の誘電層16の表面上に配置される。第1のボンド・ フィンガの列46は、個別の信号接続に使用されるいくつかの個別の信号ボンド ・フィンガを有する。具体的には、特定の信号ボンド・パッドを特定の信号フィ ンガにワイヤ・ボンディングすることによって、マイクロプロセッサ・ダイ上の 特 定の信号ボンド・パッドを、PCボードから来る特定の信号に結合することがで きる。さらに、特定の信号フィンガは、パッケージの長さまたは幅に沿って、P Cボード上の特定の信号を受信する個別のバイアおよび個別のはんだボールへ横 切る(すなわち、パッケージの長さまたは幅の一部あるいはパッケージの長さま たは幅全体に沿って横切る)個別のトレースに結合される。 第2の誘電層18上に位置決めされた(第2のより高いボンディング・シェル フを構成する)第3の誘電層20の表面上に第2のボンド・フィンガの列48が 配置される。第1図ないし第3図に示したように、第2および第3の誘電層は、 第1の金属化ダイ・パッド22と、第1の表部の金属リング38aと、第2の表 部の金属リング42aと、第1のボンド・フィンガの列46を囲む。また、第2 および第3の誘電層は、ダイ・パッド、表部の金属層、第1のボンド・フィンガ の列を露出することができるようにパッケージの中央軸から所定の量だけオフセ ットされる。 第2のボンド・フィンガの列は、2つのタイプのボンド・フィンガを含む。第 1のタイプのボンド・フィンガは、第4の電源ボンド・フィンガ50であり、第 1図ではより長いボンド・フィンガとして示されている。この第4の電源ボンド ・フィンガは、第1、第2、第3の誘電層で形成されたキャビティの縁部を横切 り、第2の誘電層の表面と第3の誘電層の底面との間に位置決めされた金属化平 面54に結合される。この金属化平面は、少なくとも1つのバイアを通じて少な くとも1つのはんだボールに結合され、このはんだボールはPCボード上の第4 の電源信号に結合される。このように、金属化平面54は、すべての第4の電源 フィンガを第4の電源信号に対して短絡させる。 第1図ないし第3図で述べる本発明の実施形態では、第4の電源信号は周辺Vcc 供給信号(Vccp)である。しかし、第4の電源信号が、いくつかの異なるタ イプの電源信号のうちの1つでよいことを理解されたい。また、前述のように、 本発明のこの実施形態は、マイクロプロセッサのコア活動に使用されるVcc供給 信号を、マイクロプロセッサの周辺活動に使用される「雑音の多い」Vcc供給信 号から分離するために周辺Vcc供給信号接続を形成する。 第1図ないし第3図で述べる本発明の実施形態では、第2のボンド・フィンガ の列は第2のタイプのボンド・フィンガも含む。しかし、本発明の代替実施形態 では、第2のボンド・フィンガの列に第4の電源ボンド・フィンガしか含められ ないことを理解されたい。第1図ないし第3図で述べる実施形態では、第2の列 上の第2のタイプのボンド・フィンガは個別の追加信号ボンド・フィンガ52で あり、それによって特定の各信号フィンガは、マイクロプロセッサ・ダイ上の特 定の信号ボンド・パッドを、ワイヤ相互接続部、(パッケージの長さまたは幅を 横切る)特定のトレース、特定のバイア、特定のはんだボールを通じて、PCボ ードから来る特定の信号に結合する。この実施形態では、第2の個別信号ボンド ・フィンガの列は、ダイ上の隣接する個別の信号ボンド・パッドを個別の信号ボ ンド・フィンガに結合することができるように設けられる。具体的には、現在の 所、個別のボンド・フィンガ間で達成できる最小離隔距離が200ミクロンであ り、それに対して個別のボンド・パッド間で達成できる最小離隔距離が100ミ クロンであるので、本発明のこの実施形態は、隣接する個別の信号ボンド・パッ ドを個別の信号ボンド・フィンガに結合することができるように第2の信号フィ ンガの列を備える。最後に、パッケージ10は、さらに、(第1、第2、第3の 誘電層と共に)BGAパッケージの表部を密閉するために成形化合物封止剤が注 入されるキャビティを形成する、プラスチック表部56を有する。 第4図は、汎用コンピュータ・システムのマイクロプロセッサを収納する本発 明の高性能集積回路パッケージを示す。この図に示したように、コンピュータ・ システム60は、プリント回路(PC)ボード62上に収納され、バス64と、 マイクロプロセッサ66と、高性能マイクロプロセッサ・パッケージ68と、電 源信号生成装置70と、メモリ72とを含む。高性能マイクロプロセッサ・パッ ケージ68は、マイクロプロセッサ66とバス64に結合された装置との間で電 源信号および非電源信号を伝達するためにマイクロプロセッサ66をバス64に 結合する。第4図に示した本発明の実施形態では、バス64はマイクロプロセッ サ66をメモリ72および電源信号生成装置70に結合する。しかし、本発明の 代替実施形態では、マイクロプロセッサ66を2つの異なるバスを通じてメモリ 72および電源信号生成装置70に結合できることを理解されたい。また、本発 明の代替実施形態では、電源信号生成装置70は、PCボード62上に位置決め されずにバス64に結合される。 したがって、本発明は多数の利点を有する。たとえば、本発明は、ダイからP Cボードへの最も短い経路を電源信号経路として使用する(すなわち、パッケー ジの中央付近のボールをVcc接続および接地接続用に使用する)ことによって、 オンチップ・キャパシタおよび容量性電気平面を使用せずに電源ループ・インダ クタンスを低下させることができる。また、この設計では、パッケージの中央付 近のボールが電源接続に使用され、パッケージの外側の列のボールが信号接続に 使用されるので、PCボード上の信号ルーティングが簡略化される(すなわち、 追加ルーティング層がなくてもパッケージの中央付近のボールをルーティングす ることができる)。さらに、本発明の方法および装置は、ダイ・パッド、表部の 第1および第2の金属リングを1つのボンディング・シェルフ(すなわち、第1 のボンディング・シェルフ)上に配置することによって、複数の金属層および基 板層を最小限に抑え、それによってパッケージの表側面上の金属リングの外側の 領域を信号接続に使用できるようにする。 前述の本発明が、本開示の趣旨や基本的な特性から逸脱せずに他の特定の形態 で具体化できることが認識されよう。たとえば、上記の説明は、2つのボンディ ング・シェルフを有するパッケージに関するものであるが、当業者には、本発明 の代替実施形態に、1つのボンディング・シェルフしか有さない集積回路パッケ ージが含まれることが理解されよう。たとえば、本発明の一実施形態が1つのボ ンディング・シェルフしか有さないのは、(1)第4の電源ボンド・フィンガ5 0および金属化平面54ではなく、第2の1組の金属リング42を囲む第3の1 組の金属リングを使用して第4の電源ボンド・パッド34をPCボード上の第4 の電源に結合し、(2)金属化パッド22、表部の第1の金属リング36a、表 部の第2の金属リング42a、表部の第3の金属リングを囲む1つの信号ボンド ・フィンガの列(すなわち、第1の信号ボンド・フィンガの列)しか使用せずに ダイ上の個別の信号ボンド・パッドがPCボード上の個別の信号に結合されるか らである。したがって、ある種の例示的な実施形態を説明し添付の図面に図示し たが、本発明が上記の例示的な詳細に限らず、添付の請求の範囲によって定義さ れるものであることを理解されたい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AP(KE,LS,MW,SD,SZ,U G),UA(AZ,BY,KZ,RU,TJ,TM),A L,AM,AT,AT,AU,AZ,BB,BG,BR ,BY,CA,CH,CN,CZ,CZ,DE,DE, DK,DK,EE,EE,ES,FI,FI,GB,G E,HU,IS,JP,KE,KG,KP,KR,KZ ,LK,LR,LS,LT,LU,LV,MD,MG, MK,MN,MW,MX,NO,NZ,PL,PT,R O,RU,SD,SE,SG,SI,SK,SK,TJ ,TM,TR,TT,UA,UG,UZ,VN (72)発明者 ナタラジャン,シヴァ アメリカ合衆国・85234・アリゾナ州・ギ ルバート・イースト ヘザー アヴェニ ュ・1232

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.プリント回路(PC)ボードに結合され、第1の電源信号ボンド・パッドと 第2の電源信号ボンド・パッドとを有する集積回路ダイを収納する、高性能集積 回路パッケージであって、 a)第1の誘電層と、 b)第1の電源信号を受信するためにPCボードに電気的に結合され、前記第 1の誘電層に取り付けられ、前記集積回路ダイを収納し前記第1の電源信号ボン ド・パッドに結合される金属化ダイ・パッドと、 c)金属化ダイ・パッドを囲み、第2の電源信号を受信するためにPCボード に電気的に結合され、前記第2の電源信号ボンド・パッドに結合される第1の金 属リングと を備えることを特徴とするパッケージ。 2.集積回路ダイがさらに、第3の電源信号ボンド・パッドを有し、パッケージ がさらに、第1の金属リングを囲む第2の金属リングを備え、前記第2の金属リ ングが、第3の電源信号を受信するためにPCボードに電気的に結合され前記第 3の電源信号ボンド・パッドに結合されることを特徴とする請求項1に記載の高 性能集積回路パッケージ。 3.集積回路ダイがさらに、第1の非電源信号ボンド・パッドを有し、パッケー ジがさらに、第2の金属リングを囲む第1のボンド・フィンガの列を備え、前記 第1のボンド・フィンガの列が、PCボードから第1の非電源信号を受信し前記 第1の非電源信号ボンド・パッドに結合される第1のボンド・フィンガを有する ことを特徴とする請求項2に記載の高性能集積回路パッケージ。 4.集積回路ダイがさらに、第4の電源信号ボンド・パッドを有し、パッケージ がさらに、 a)金属化ダイ・パッド、金属リング、第1のボンド・フィンガの列を露出さ せるように第1の誘電層上に位置決めされた第2の誘電層と、 b)第2の誘電層上に位置決めされ、PCボードから第4の電源信号を受信し 前記第4の電源信号ボンド・パッドに結合される第2のボンド・フィンガを有す る第2のボンド・フィンガの列とを備えることを特徴とする請求項3に記載の高 性能集積回路パッケージ。 5.さらに、 a)第1の誘電層と第2の誘電層との間に位置決めされた第3の誘電層と、 b)前記第4の電源信号を前記第2のボンド・フィンガに結合するために第2 の誘電層と第3の誘電層との間に位置決めされた金属化平面とを備えることを特 徴とする請求項4に記載の高性能集積回路パッケージ。 6.集積回路ダイがさらに、第2の非電源信号ボンド・パッドを有し、第2のボ ンド・フィンガの列がさらに、PCボードから第2の非電源信号を受信し前記第 2の非電源信号ボンド・パッドに結合される第3のボンド・フィンガを有するこ とを特徴とする請求項5に記載の高性能集積回路パッケージ。 7.前記集積回路がマイクロプロセッサであることを特徴とする請求項5に記載 の高性能集積回路パッケージ。 8.前記パッケージがボール・グリッド・アレイ・パッケージであることを特徴 とする請求項5に記載の高性能集積回路パッケージ。 9.プリント回路(PC)ボードに結合される高性能集積回路パッケージであっ て、 a)第1の誘電層と、 b)第1の電源信号を受信するためにPCボードに電気的に結合される、第1 の誘電層に取り付けられた金属化ダイ・パッドと、 c)金属化ダイ・パッドの一部を露出させるように前記金属化ダイ・パッド上 に位置決めされ、前記金属化ダイ・パッドの露出部分に結合された第1の電源信 号ボンド・パッドと第2の電源信号ボンド・パッドとを有する集積回路ダイと、 d)金属化ダイ・パッドを囲み、第2の電源信号を受信するためにPCボード に電気的に結合され、第2の電源信号ボンド・パッドに結合される、第1の金属 リングと を備えることを特徴とするパッケージ。 10.集積回路ダイがさらに、第3の電源信号ボンド・パッドを有し、パッケー ジがさらに、第1の金属リングを囲む第2の金属リングを備え、前記第2の金属 リングが、第3の電源信号を受信するためにPCボードに電気的に結合され前記 第3の電源信号ボンド・パッドに結合されることを特徴とする請求項9に記載の 高性能集積回路パッケージ。 11.集積回路ダイがさらに、第1の非電源信号ボンド・パッドを有し、パッケ ージがさらに、第2の金属リングを囲む第1のボンド・フィンガの列を備え、前 記第1のボンド・フィンガの列が、PCボードから第1の非電源信号を受信する ために前記第1の非電源信号ボンド・パッドに結合された第1のボンド・フィン ガを有することを特徴とする請求項10に記載の高性能集積回路パッケージ。 12.集積回路ダイがさらに、第4の電源信号ボンド・パッドを有し、パッケー ジがさらに、 a)金属化ダイ・パッド、金属リング、第1のボンド・フィンガの列を露出さ せるように第1の誘電層上に位置決めされた第2の誘電層と、 b)金属化ダイ・パッド、金属リング、第1のボンド・フィンガの列を露出さ せるように第2の誘電層上に位置決めされた第3の誘電層と、 c)第3の誘電層上に位置決めされ、第4の電源信号を受信するために前記第 4の電源信号ボンド・パッドに結合された第2のボンド・フィンガを有する、第 2のボンド・フィンガの列とを備えることを特徴とする請求項11に記載の高性 能集積回路パッケージ。 13.さらに、第2の誘電層と第3の誘電層との間に位置決めされ、前記第4の 電源信号を前記第2のボンド・フィンガに結合する、金属化平面を備えることを 特徴とする請求項12に記載の高性能集積回路パッケージ。 14.集積回路ダイがさらに、第2の非電源信号ボンド・パッドを有し、第2の ボンド・フィンガの列がさらに、PCボードから第2の非電源信号を受信するた めに前記第2の非電源信号ボンド・パッドに結合された第3のボンド・フィンガ を有することを特徴とする請求項13に記載の高性能集積回路パッケージ。 15.前記集積回路がマイクロプロセッサであることを特徴とする請求項13に 記載の高性能集積回路パッケージ。 16.前記パッケージがボール・グリッド・アレイ・パッケージであることを特 徴とする請求項13に記載の高性能集積回路パッケージ。 17.プリント回路(PC)ボードに結合される高性能集積回路パッケージであ って、 a)表面と底面とを有する第1の誘電層と、 b)第1の誘電層の表面に取り付けられた表部の金属化ダイ・パッドと、 c)第1の電源信号を受信するためにPCボードに電気的に結合される、第1 の誘電層の底面に取り付けられ、表部の金属化ダイ・パッドに電気的に結合され た底部の金属化パッドと、 d)前記表部の金属化ダイ・パッドの一部を露出させるように金属化ダイ・パ ッド上に位置決めされ、前記表部の金属化ダイ・パッドの露出部分に結合された 第1の電源信号ボンド・パッドと第2の電源信号ボンド・パッドとを有する集積 回路ダイと、 e)表部の金属化ダイ・パッドを囲み、第2の電源信号ボンド・パッドに結合 された表部の第1の金属リングと、 f)第2の電源信号を受信するためにPCボードに電気的に結合される、底部 の金属化パッドを囲み表部の第1の金属リングに電気的に結合された底部の第1 の金属リングと を備えることを特徴とするパッケージ。 18.集積回路ダイがさらに、第3の電源信号ボンド・パッドを有し、さらに、 a)表部の第1の金属リングを囲み、第3の電源信号ボンド・パッドに結合さ れた表部の第2の金属リングと、 b)第3の電源信号を受信するためにPCボードに電気的に結合される、底部 の第1の金属リングを囲み表部の第2の金属リングに電気的に結合された底部の 第2の金属リングとを備えることを特徴とする請求項17に記載の高性能集積回 路パッケージ。 19.集積回路ダイがさらに、第1の非電源信号ボンド・パッドを有し、パッケ ージがさらに、表部の第2の金属リングを囲む第1のボンド・フィンガの列を備 え、前記第1のボンド・フィンガの列が、PCボードから第1の非電源信号を受 信するために前記第1の非電源信号ボンド・パッドに結合された第1のボンド・ フィンガを有することを特徴とする請求項18に記載の高性能集積回路パッケー ジ。 20.集積回路ダイがさらに、第4の電源信号ボンド・パッドを有し、パッケー ジがさらに、 a)金属化ダイ・パッド、表部の金属リング、第1のボンド・フィンガの列を 露出させるように第1の誘電層の表面上に位置決めされた第2の誘電層と、 b)金属化ダイ・パッド、表部の金属リング、第1のボンド・フィンガの列を 露出させるように第2の誘電層上に位置決めされた第3の誘電層と、 c)第3の誘電層上に位置決めされ、第4の電源信号を受信するために前記第 4の電源信号ボンド・パッドに結合された第2のボンド・フィンガを有する、第 2のボンド・フィンガの列とを備えることを特徴とする請求項19に記載の高性 能集積回路パッケージ。 21.さらに、第2の誘電層と第3の誘電層との間に位置決めされ、前記第4の 電源信号を前記第2のボンド・フィンガに結合する、金属化平面を備えることを 特徴とする請求項20に記載の高性能集積回路パッケージ。 22.集積回路ダイがさらに、第2の非電源信号ボンド・パッドを有し、第2の ボンド・フィンガの列がさらに、PCボードから第2の非電源信号を受信するた めに前記第2の非電源信号ボンド・パッドに結合された第3のボンド・フィンガ を有することを特徴とする請求項21に記載の高性能集積回路パッケージ。 23.前記集積回路がマイクロプロセッサであることを特徴とする請求項21に 記載の高性能集積回路パッケージ。 24.前記パッケージがボール・グリッド・アレイ・パッケージであることを特 徴とする請求項21に記載の高性能集積回路パッケージ。 25.プリント回路(PC)ボード上に位置決めされたコンピュータ・システム であって、 a)バスと、 b)前記バスに結合されたメモリと、 前記バスおよび前記PCボードに結合された高性能集積回路パッケージとを備 え、前記パッケージが、 表面と底面とを有する第1の誘電層と、 第1の誘電層の表面に取り付けられた表部の金属化ダイ・パッドと、 第1の電源信号を受信するためにPCボードに電気的に結合される、第1の誘 電層の底面に取り付けられ表部の金属化ダイ・パッドに電気的に結合された底部 金属化パッドと、 前記表部の金属化ダイ・パッドの一部を露出させるように金属化ダイ・パッド 上に位置決めされ、前記表部の金属化ダイ・パッドの露出部分に結合された第1 の電源信号ボンド・パッドと第2の電源信号ボンド・パッドとを有する集積回路 ダイと、 表部の金属化ダイ・パッドを囲み、第2の電源信号ボンド・パッドに結合され た表部の第1の金属リングと、 第2の電源信号を受信するためにPCボードに電気的に結合される、底部金属 化パッドを囲み表部の第1の金属リングに電気的に結合された底部の第1の金属 リングと を含むことを特徴とするコンピュータ・システム。 26.集積回路ダイがさらに、第3の電源信号ボンド・パッドを有し、パッケー ジがさらに、 a)表部の第1の金属リングを囲み、第3の電源信号ボンド・パッドに結合さ れた表部の第2の金属リングと、 b)第3の電源信号を受信するためにPCボードに電気的に結合される、底部 の第1の金属リングを囲み表部の第2の金属リングに電気的に結合された底部の 第2の金属リングとを備えることを特徴とする請求項25に記載のコンピュータ ・システム。 27.集積回路ダイがさらに、第1の非電源信号ボンド・パッドを有し、パッケ ージがさらに、表部の第2の金属リングを囲む第1のボンド・フィンガの列を備 え、前記第1のボンド・フィンガの列が、PCボードから第1の非電源信号を受 信するために前記第1の非電源信号ボンド・パッドに結合された第1のボンド・ フィンガを有することを特徴とする請求項26に記載のコンピュータ・システム 。 28.集積回路ダイがさらに、第4の電源信号ボンド・パッドを有し、パッケー ジがさらに、 a)金属化ダイ・パッド、表部の金属リング、第1のボンド・フィンガの列を 露出させるように第1の誘電層の表面上に位置決めされた第2の誘電層と、 b)金属化ダイ・パッド、表部の金属リング、第1のボンド・フィンガの列を 露出させるように第2の誘電層上に位置決めされた第3の誘電層と、 c)第3の誘電層上に位置決めされ、第4の電源信号を受信するために前記第 4の電源信号ボンド・パッドに結合された第2のボンド・フィンガを有する、第 2のボンド・フィンガの列とを備えることを特徴とする請求項27に記載のコン ピュータ・システム。 29.パッケージがさらに、第2の誘電層と第3の誘電層との間に位置決めされ 、前記第4の電源信号を前記第2のボンド・フィンガに結合する、金属化平面を 備えることを特徴とする請求項28に記載のコンピュータ・システム。 30.集積回路ダイがさらに、第2の非電源信号ボンド・パッドを有し、第2の ボンド・フィンガの列がさらに、PCボードから第2の非電源信号を受信するた めに前記第2の非電源信号ボンド・パッドに結合された第3のボンド・フィンガ を有することを特徴とする請求項29に記載のコンピュータ・システム。 31.前記集積回路がマイクロプロセッサであることを特徴とする請求項30に 記載のコンピュータ・システム。 32.前記パッケージがボール・グリッド・アレイ・パッケージであることを特 徴とする請求項31に記載のコンピュータ・システム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734545B1 (en) * 1995-11-29 2004-05-11 Hitachi, Ltd. BGA type semiconductor device and electronic equipment using the same
US6020637A (en) * 1997-05-07 2000-02-01 Signetics Kp Co., Ltd. Ball grid array semiconductor package
US6499054B1 (en) * 1999-12-02 2002-12-24 Senvid, Inc. Control and observation of physical devices, equipment and processes by multiple users over computer networks
US6601125B1 (en) * 2000-03-17 2003-07-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Minimizing signal stub length for high speed busses
US6496383B1 (en) * 2000-08-09 2002-12-17 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit carrier arrangement for reducing non-uniformity in current flow through power pins
US6448639B1 (en) * 2000-09-18 2002-09-10 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Substrate having specific pad distribution
US6608375B2 (en) 2001-04-06 2003-08-19 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor apparatus with decoupling capacitor
US20030057544A1 (en) * 2001-09-13 2003-03-27 Nathan Richard J. Integrated assembly protocol
US20030059976A1 (en) * 2001-09-24 2003-03-27 Nathan Richard J. Integrated package and methods for making same
TW536765B (en) * 2001-10-19 2003-06-11 Acer Labs Inc Chip package structure for array type bounding pad
US20030153119A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Nathan Richard J. Integrated circuit package and method for fabrication
US6903458B1 (en) 2002-06-20 2005-06-07 Richard J. Nathan Embedded carrier for an integrated circuit chip
US7723210B2 (en) * 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US7173342B2 (en) * 2002-12-17 2007-02-06 Intel Corporation Method and apparatus for reducing electrical interconnection fatigue
US6998719B2 (en) * 2003-07-30 2006-02-14 Telairity Semiconductor, Inc. Power grid layout techniques on integrated circuits
EP1673807B1 (en) 2003-10-10 2019-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Electronic Device
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7489519B1 (en) * 2008-04-15 2009-02-10 International Business Machines Corporation Power and ground ring snake pattern to prevent delamination between the gold plated ring and mold resin for wirebond PBGA
JP2010192680A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Elpida Memory Inc 半導体装置
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
US11329013B2 (en) * 2020-05-28 2022-05-10 Nxp Usa, Inc. Interconnected substrate arrays containing electrostatic discharge protection grids and associated microelectronic packages

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4587548A (en) * 1982-04-26 1986-05-06 Amp Incorporated Lead frame with fusible links
US4608592A (en) * 1982-07-09 1986-08-26 Nec Corporation Semiconductor device provided with a package for a semiconductor element having a plurality of electrodes to be applied with substantially same voltage
US4513355A (en) * 1983-06-15 1985-04-23 Motorola, Inc. Metallization and bonding means and method for VLSI packages
US4560826A (en) * 1983-12-29 1985-12-24 Amp Incorporated Hermetically sealed chip carrier
US5066831A (en) * 1987-10-23 1991-11-19 Honeywell Inc. Universal semiconductor chip package
US5016085A (en) * 1988-03-04 1991-05-14 Hughes Aircraft Company Hermetic package for integrated circuit chips
US4972253A (en) * 1988-06-27 1990-11-20 Digital Equipment Corporation Programmable ceramic high performance custom package
FR2647962B1 (fr) * 1989-05-30 1994-04-15 Thomson Composants Milit Spatiau Circuit electronique en boitier avec puce sur zone quadrillee de plots conducteurs
US5502278A (en) * 1989-05-30 1996-03-26 Thomson Composants Militaires Et Spatiaux Encased electronic circuit with chip on a grid zone of conductive contacts
US5036163A (en) * 1989-10-13 1991-07-30 Honeywell Inc. Universal semiconductor chip package
JPH03258101A (ja) * 1990-03-08 1991-11-18 Nec Corp 回路基板
US5285352A (en) * 1992-07-15 1994-02-08 Motorola, Inc. Pad array semiconductor device with thermal conductor and process for making the same
US5468994A (en) * 1992-12-10 1995-11-21 Hewlett-Packard Company High pin count package for semiconductor device
US5444298A (en) * 1993-02-04 1995-08-22 Intel Corporation Voltage converting integrated circuit package
US5545923A (en) * 1993-10-22 1996-08-13 Lsi Logic Corporation Semiconductor device assembly with minimized bond finger connections
US5473190A (en) * 1993-12-14 1995-12-05 Intel Corporation Tab tape
JP3509274B2 (ja) * 1994-07-13 2004-03-22 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US5483099A (en) * 1994-08-31 1996-01-09 Intel Corporation Standardized power and ground design for pin grid array packages
US5581122A (en) * 1994-10-25 1996-12-03 Industrial Technology Research Institute Packaging assembly with consolidated common voltage connections for integrated circuits
JP2716005B2 (ja) * 1995-07-04 1998-02-18 日本電気株式会社 ワイヤボンド型半導体装置
TW353223B (en) * 1995-10-10 1999-02-21 Acc Microelectronics Corp Semiconductor board providing high signal pin utilization
US5650660A (en) * 1995-12-20 1997-07-22 Intel Corp Circuit pattern for a ball grid array integrated circuit package
US5672911A (en) * 1996-05-30 1997-09-30 Lsi Logic Corporation Apparatus to decouple core circuits power supply from input-output circuits power supply in a semiconductor device package
US5691568A (en) * 1996-05-31 1997-11-25 Lsi Logic Corporation Wire bondable package design with maxium electrical performance and minimum number of layers
US5825084A (en) * 1996-08-22 1998-10-20 Express Packaging Systems, Inc. Single-core two-side substrate with u-strip and co-planar signal traces, and power and ground planes through split-wrap-around (SWA) or split-via-connections (SVC) for packaging IC devices
US5841191A (en) * 1997-04-21 1998-11-24 Lsi Logic Corporation Ball grid array package employing raised metal contact rings

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