JPH1054877A - 液体イオンチェンバ電極装置 - Google Patents
液体イオンチェンバ電極装置Info
- Publication number
- JPH1054877A JPH1054877A JP9134469A JP13446997A JPH1054877A JP H1054877 A JPH1054877 A JP H1054877A JP 9134469 A JP9134469 A JP 9134469A JP 13446997 A JP13446997 A JP 13446997A JP H1054877 A JPH1054877 A JP H1054877A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- ion chamber
- liquid
- electrode assembly
- liquid ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 17
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 3
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 35
- 238000000429 assembly Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J47/00—Tubes for determining the presence, intensity, density or energy of radiation or particles
- H01J47/02—Ionisation chambers
- H01J47/028—Ionisation chambers using a liquid dielectric
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/185—Measuring radiation intensity with ionisation chamber arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】走行時間が短く、イオン収集効率が高く、低電
圧で作動する電極アセンブリを提供する。 【解決手段】本発明は、最少バイアス電圧でイオン収集
および磁場を最大化する、LIC影像機のための電極ア
センブリを提供する。この最適化を達成するために、イ
オン収集は狭い領域に閉じこめられる。この制限された
イオン収集領域により、高い中性化効率および速い追い
やり時間を得ることができる。さらに、約1ミリメート
ルの電極分離で、100ボルト以下のパルス電圧を使用す
ることができる。低電圧は信頼性を向上し、システムの
寿命を延ばし、安全へのリスクを低くする。
圧で作動する電極アセンブリを提供する。 【解決手段】本発明は、最少バイアス電圧でイオン収集
および磁場を最大化する、LIC影像機のための電極ア
センブリを提供する。この最適化を達成するために、イ
オン収集は狭い領域に閉じこめられる。この制限された
イオン収集領域により、高い中性化効率および速い追い
やり時間を得ることができる。さらに、約1ミリメート
ルの電極分離で、100ボルト以下のパルス電圧を使用す
ることができる。低電圧は信頼性を向上し、システムの
寿命を延ばし、安全へのリスクを低くする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に液体イオ
ンチェンバ影像機に関し、特に、改良された電極設計に
関する。
ンチェンバ影像機に関し、特に、改良された電極設計に
関する。
【0002】
【従来の技術】液体イオンチェンバ(LIC)影像機
が、放射線フィルムを使用する伝統的なX線影像機の代
わりに、又は相補的に、日常的に使用されている。この
LICの構成において、影像機は256行×256列の電極か
ら成るため、全部で65,356の結像サイトをもつ。電極ス
トリップの各組は、プリント回路基板(PCB)に組み
込まれており、2つのPCBは約1ミリメートルの間隔
があけられている。2つのPCBのボリューム間には、
典型的には2,2,4-トリメチルペンタンである電離液が入
れられている。 作動中、行の電極に対して20ミリ秒の
高電圧パルスを連続的に印加するために、高電圧スイッ
チングシステムが使用される。各パルス間に、256列の
電極からの電離電流が同時に計測される。この構成にお
いて十分な電離電流を得るためには、300〜500ボルトの
分極電圧が必要とされる。20ミリ秒のパルス長では、完
全な影像を得るのに約5秒かかる。影像収集の間、患者
は放射線にさらされることから、影像時間を短くするほ
ど、患者が受ける放射線は少なくなる。しかし影像時間
は、電極への高電圧パルス長を減少させ、短い時間で十
分なアウトプットができるように電極構造を設計するこ
とによってのみ短くできる。
が、放射線フィルムを使用する伝統的なX線影像機の代
わりに、又は相補的に、日常的に使用されている。この
LICの構成において、影像機は256行×256列の電極か
ら成るため、全部で65,356の結像サイトをもつ。電極ス
トリップの各組は、プリント回路基板(PCB)に組み
込まれており、2つのPCBは約1ミリメートルの間隔
があけられている。2つのPCBのボリューム間には、
典型的には2,2,4-トリメチルペンタンである電離液が入
れられている。 作動中、行の電極に対して20ミリ秒の
高電圧パルスを連続的に印加するために、高電圧スイッ
チングシステムが使用される。各パルス間に、256列の
電極からの電離電流が同時に計測される。この構成にお
いて十分な電離電流を得るためには、300〜500ボルトの
分極電圧が必要とされる。20ミリ秒のパルス長では、完
全な影像を得るのに約5秒かかる。影像収集の間、患者
は放射線にさらされることから、影像時間を短くするほ
ど、患者が受ける放射線は少なくなる。しかし影像時間
は、電極への高電圧パルス長を減少させ、短い時間で十
分なアウトプットができるように電極構造を設計するこ
とによってのみ短くできる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図1は、LICマトリ
クスの小領域の断面図である。電極1が高電圧電極であ
り、電極2が計測装置に接続された電離電流収集電極で
ある。電離液3が電極2から電極1を分離している。こ
の構成において、領域4および5が、独立したイオンチ
ェンバであるとされる。しかし、個々のイオンチェンバ
は間隔をあけて分離しているだけで、物的障壁はなく、
隣り合ったイオンチェンバによりイオンが収集されてし
まうのを妨げるものはない。
クスの小領域の断面図である。電極1が高電圧電極であ
り、電極2が計測装置に接続された電離電流収集電極で
ある。電離液3が電極2から電極1を分離している。こ
の構成において、領域4および5が、独立したイオンチ
ェンバであるとされる。しかし、個々のイオンチェンバ
は間隔をあけて分離しているだけで、物的障壁はなく、
隣り合ったイオンチェンバによりイオンが収集されてし
まうのを妨げるものはない。
【0004】作動中、影像工程の間使用される高エネル
ギーX線は、電離液3内で陽イオンおよび陰イオン生成
を引き起こす。分極電圧を印加すると、イオンは電極1
および2、つまりそのイオンと反対のサインを呈する電
極へと動く。電極の表面で中性化されたイオンにより、
電流パルスが形成される。次にこの電流パルスは増幅さ
れ、その領域内の電離を測定するために使用される。こ
のように、電場の結果としてイオンは漸次液体の外に追
いやられる。
ギーX線は、電離液3内で陽イオンおよび陰イオン生成
を引き起こす。分極電圧を印加すると、イオンは電極1
および2、つまりそのイオンと反対のサインを呈する電
極へと動く。電極の表面で中性化されたイオンにより、
電流パルスが形成される。次にこの電流パルスは増幅さ
れ、その領域内の電離を測定するために使用される。こ
のように、電場の結果としてイオンは漸次液体の外に追
いやられる。
【0005】イオンを液体の外に追いやる(つまりイオ
ンを中性化する)時間は、走行時間と呼ばれている。走
行時間Tは、イオンドリフト速度で割られている電極間
の距離dを割ったものと等しい。ドリフト速度はイオン
の移動度μに電場Eを乗じたものにほぼ等しい。走行時
間は次の式で与えられる。 (1)T≒d/[μE] 電場が弱くなるか、電極間の距離が大きくなるかする
と、ドリフト速度は遅くなり、走行時間は長くなる。走
行時間が長いと、影像を得るのが遅くなり、同時に患者
への放射線量が増加する。
ンを中性化する)時間は、走行時間と呼ばれている。走
行時間Tは、イオンドリフト速度で割られている電極間
の距離dを割ったものと等しい。ドリフト速度はイオン
の移動度μに電場Eを乗じたものにほぼ等しい。走行時
間は次の式で与えられる。 (1)T≒d/[μE] 電場が弱くなるか、電極間の距離が大きくなるかする
と、ドリフト速度は遅くなり、走行時間は長くなる。走
行時間が長いと、影像を得るのが遅くなり、同時に患者
への放射線量が増加する。
【0006】電場が強くなると、パルス当たりの捕獲さ
れるイオン数が増加する一方、走行時間は短くなる。残
念なことに、電圧を上げると、影像機に関連した安全へ
のリスクも増大する。さらに、高電圧電極を連続的にパ
ルスする必要のある高電圧スイッチング回路は、放射線
にさらされることと関連して、寿命が短くなる傾向があ
る。この高い故障率が、LIC機器を信頼性のないもの
にし、コストを高くしている。このため、電極に印加す
る電圧を増加させることなく、電場を強くする方法が所
望される。 電極間の場は、2つの部分としてみること
ができる。第一に、電極の平行な部分の間に一様な場が
あり、第二に、電極の端部に付随したフリンジ場があ
る。一様な場の部分では、電場Eは、(2)のように、
電極に印加された電圧Vおよび電極の間隔dと線形的な
関係にある。 (2)E=V/d フリンジ場は一様ではなく、離れた点に電荷がある場の
ようなものである。この場は、電極に非常に近づき、電
極からの距離が短くなると共に減少するというように、
距離と反比例に減少する。どちらの構成の電場でも、あ
らゆる印加された電圧に対する最も強い場は、小さな空
間距離を使用することにより達成される。
れるイオン数が増加する一方、走行時間は短くなる。残
念なことに、電圧を上げると、影像機に関連した安全へ
のリスクも増大する。さらに、高電圧電極を連続的にパ
ルスする必要のある高電圧スイッチング回路は、放射線
にさらされることと関連して、寿命が短くなる傾向があ
る。この高い故障率が、LIC機器を信頼性のないもの
にし、コストを高くしている。このため、電極に印加す
る電圧を増加させることなく、電場を強くする方法が所
望される。 電極間の場は、2つの部分としてみること
ができる。第一に、電極の平行な部分の間に一様な場が
あり、第二に、電極の端部に付随したフリンジ場があ
る。一様な場の部分では、電場Eは、(2)のように、
電極に印加された電圧Vおよび電極の間隔dと線形的な
関係にある。 (2)E=V/d フリンジ場は一様ではなく、離れた点に電荷がある場の
ようなものである。この場は、電極に非常に近づき、電
極からの距離が短くなると共に減少するというように、
距離と反比例に減少する。どちらの構成の電場でも、あ
らゆる印加された電圧に対する最も強い場は、小さな空
間距離を使用することにより達成される。
【0007】先述のように、走行時間が短く、イオン収
集効率が高く、低電圧で作動するLIC電極アセンブリ
が所望されることが明らかである。
集効率が高く、低電圧で作動するLIC電極アセンブリ
が所望されることが明らかである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、最小のバイア
ス電圧でイオン収集および電場を最大化する、LIC影
像機のための電極アセンブリを提供する。この最適化を
達成するために、イオンの収集は小さい領域に制限され
る。この制限されたイオン収集領域により、高い中性化
効率および速い追いやり時間が得られる。さらに、電極
の分離は約0.1ミリメートルであり、100ボルト以下のパ
ルス電圧を使用することができる。低電圧は信頼性を向
上し、システムの寿命を延ばし、安全へのリスクを低く
する。
ス電圧でイオン収集および電場を最大化する、LIC影
像機のための電極アセンブリを提供する。この最適化を
達成するために、イオンの収集は小さい領域に制限され
る。この制限されたイオン収集領域により、高い中性化
効率および速い追いやり時間が得られる。さらに、電極
の分離は約0.1ミリメートルであり、100ボルト以下のパ
ルス電圧を使用することができる。低電圧は信頼性を向
上し、システムの寿命を延ばし、安全へのリスクを低く
する。
【0009】本発明の一実施例において、適当な厚さの
一連のスペーサを形成するように型どられた絶縁固体層
が2つの電極アセンブリの間に配置され、そのスペーサ
は、イオンが画素間を移動するのを防ぐための高電圧電
極の間に配置される。結果としてできたスペーサ層は、
後に電離液で満たされる、一連の薄くて幅の広い溝を含
む。
一連のスペーサを形成するように型どられた絶縁固体層
が2つの電極アセンブリの間に配置され、そのスペーサ
は、イオンが画素間を移動するのを防ぐための高電圧電
極の間に配置される。結果としてできたスペーサ層は、
後に電離液で満たされる、一連の薄くて幅の広い溝を含
む。
【0010】その他の実施例において、単一のPCB板
上に共面電極構造が形成されており、この構造は場のプ
ロファイルの結果として、イオンを閉じこめる。この構
造を最適化するために、それぞれの共面電極は一連のフ
ィンガーから成る。アノード電極のフィンガーは、フリ
ンジ場効果を最適化するために、カソード電極のフィン
ガーと組み合わせられる。このフリンジ場により追いや
られる電離液のボリュームは、電極間の距離に限定さ
れ、液内への距離とほぼ等しい距離に広がっている。走
行時間内にこのボリュームを超えて急速にボリュームが
増加することにより、残りの液は効果的に不使用とな
り、このため物理的に閉じこめる必要がない。画素間の
クロストーク(cross-talk)を排除する目的で、この実
施例の変更においては、共面電極アセンブリ内で、分離
した電極または画素のそれぞれ近い分離領域に電離液を
閉じこめるために、溝を付けたプレートまたはくぼみの
あるプレートが使用されている。
上に共面電極構造が形成されており、この構造は場のプ
ロファイルの結果として、イオンを閉じこめる。この構
造を最適化するために、それぞれの共面電極は一連のフ
ィンガーから成る。アノード電極のフィンガーは、フリ
ンジ場効果を最適化するために、カソード電極のフィン
ガーと組み合わせられる。このフリンジ場により追いや
られる電離液のボリュームは、電極間の距離に限定さ
れ、液内への距離とほぼ等しい距離に広がっている。走
行時間内にこのボリュームを超えて急速にボリュームが
増加することにより、残りの液は効果的に不使用とな
り、このため物理的に閉じこめる必要がない。画素間の
クロストーク(cross-talk)を排除する目的で、この実
施例の変更においては、共面電極アセンブリ内で、分離
した電極または画素のそれぞれ近い分離領域に電離液を
閉じこめるために、溝を付けたプレートまたはくぼみの
あるプレートが使用されている。
【0011】本発明のその他の実施例において、複合電
極アセンブリを形成するために、多くの分離した電極プ
レートが互いに積み重なっている。互いに積み重ねるこ
とのできるプレートの数は、電離源の空間的範囲によっ
てのみ制限される。それぞれの配列の画素が隣り合った
配列の画素に一致するようにプレートを積み重ねること
により、システムのSN比は劇的に向上する。単にそれ
ぞれ電極プレートの画素を互いにオフセットにすること
によっても、システムの空間解像度を向上させることが
できる。
極アセンブリを形成するために、多くの分離した電極プ
レートが互いに積み重なっている。互いに積み重ねるこ
とのできるプレートの数は、電離源の空間的範囲によっ
てのみ制限される。それぞれの配列の画素が隣り合った
配列の画素に一致するようにプレートを積み重ねること
により、システムのSN比は劇的に向上する。単にそれ
ぞれ電極プレートの画素を互いにオフセットにすること
によっても、システムの空間解像度を向上させることが
できる。
【0012】本発明の性質および利点は、発明の詳細な
説明の記載の以下の部分および図面を参照することによ
りさらに理解できるだろう。
説明の記載の以下の部分および図面を参照することによ
りさらに理解できるだろう。
【0013】
【発明の実施の形態】従来技術に従った電極アセンブリ
の断面図が、図2(A)に示されている。典型的な影像
機は、頂部電極プレート200がスペーサ204により底部電
極プレート202から離されているという、この構成の配
列を使用する。一般的に、電極プレート200および202
は、それぞれ256行の電極を有し、2つの配列の電極は
互いに垂直に伸びているため、全部で65,356の結像サイ
トまたは画素をもつことになる。電極プレート200およ
び202は、典型的にはFR−4のようなプリント回路基
板(PCB)物質から形成される。スペーサ204は、電
極プレート200および202を密閉し、2枚の電極プレート
の周囲に沿って伸びている。組立後、電離液206が電極
プレート200および202並びにスペーサ204によって画成
されるボリュームだけ入れられる。アセンブリのボリュ
ームよりも電離液206が多すぎると、2枚の電極プレー
トは中央がやや弓なりになる(図2(B))。もう1つ
の極端な例を挙げると、電離液206のボリュームが十分
でないと、2枚の電極プレートはやや凹状になる(図2
(C))。このため、全領域を通じて2枚の電極プレー
トを正確な間隔を空けて保持することは困難である。こ
の構成において、スペーサ204は典型的には2枚の電極
プレートを1ミリメートル離すように設計されており、
これにより電極は、ボリューム内の液体が位置を変えた
ときにショートしないように保証される。
の断面図が、図2(A)に示されている。典型的な影像
機は、頂部電極プレート200がスペーサ204により底部電
極プレート202から離されているという、この構成の配
列を使用する。一般的に、電極プレート200および202
は、それぞれ256行の電極を有し、2つの配列の電極は
互いに垂直に伸びているため、全部で65,356の結像サイ
トまたは画素をもつことになる。電極プレート200およ
び202は、典型的にはFR−4のようなプリント回路基
板(PCB)物質から形成される。スペーサ204は、電
極プレート200および202を密閉し、2枚の電極プレート
の周囲に沿って伸びている。組立後、電離液206が電極
プレート200および202並びにスペーサ204によって画成
されるボリュームだけ入れられる。アセンブリのボリュ
ームよりも電離液206が多すぎると、2枚の電極プレー
トは中央がやや弓なりになる(図2(B))。もう1つ
の極端な例を挙げると、電離液206のボリュームが十分
でないと、2枚の電極プレートはやや凹状になる(図2
(C))。このため、全領域を通じて2枚の電極プレー
トを正確な間隔を空けて保持することは困難である。こ
の構成において、スペーサ204は典型的には2枚の電極
プレートを1ミリメートル離すように設計されており、
これにより電極は、ボリューム内の液体が位置を変えた
ときにショートしないように保証される。
【0014】図3(A)〜(C)は、スペーサフィルム
300が底部電極プレート310および頂部電極プレート320
の間に挟まれ、そのことにより2枚の電極プレートの間
の距離を在来の影像機アセンブリよりもはるかに小さく
できる、本発明の1つの実施例を示している。底部電極
プレート310は、在来の技術を使って形成され、基材325
から成り、基材325はその上に高電圧電極330の配列が形
成されている。底部電極プレート310は、在来の影像機
アセンブリにおいて電極プレートを製造するのに使用さ
れるような標準的なフォトリソグラフ技術を使用して標
準FR−4板上に組み立てることができる。
300が底部電極プレート310および頂部電極プレート320
の間に挟まれ、そのことにより2枚の電極プレートの間
の距離を在来の影像機アセンブリよりもはるかに小さく
できる、本発明の1つの実施例を示している。底部電極
プレート310は、在来の技術を使って形成され、基材325
から成り、基材325はその上に高電圧電極330の配列が形
成されている。底部電極プレート310は、在来の影像機
アセンブリにおいて電極プレートを製造するのに使用さ
れるような標準的なフォトリソグラフ技術を使用して標
準FR−4板上に組み立てることができる。
【0015】底部電極プレート310の形成後、スペーサ
フィルム300は底部電極プレート310に適用される。スペ
ーサフィルム300は様々な物質から形成することがで
き、底部電極プレート310上に直接付設することもでき
るし、シートとして適用することもできる。好適な物質
は、ソルダマスクドライフィルム(solder mask dry fi
lm)である。ソルダマスクドライフィルムは、底部電極
プレート310を形成するのに使用されるのと同じ物質と
共に使用するように設計されており、完全な接着性を与
えるため、本発明の適用では理想的である。さらに、こ
のようなフィルムは適当な厚さ(例えば100および200マ
イクロメートル)を得ることができ、かなり高い許容範
囲の下で製造され、2枚の電極プレートが均一な分離距
離を保つのを保証する。
フィルム300は底部電極プレート310に適用される。スペ
ーサフィルム300は様々な物質から形成することがで
き、底部電極プレート310上に直接付設することもでき
るし、シートとして適用することもできる。好適な物質
は、ソルダマスクドライフィルム(solder mask dry fi
lm)である。ソルダマスクドライフィルムは、底部電極
プレート310を形成するのに使用されるのと同じ物質と
共に使用するように設計されており、完全な接着性を与
えるため、本発明の適用では理想的である。さらに、こ
のようなフィルムは適当な厚さ(例えば100および200マ
イクロメートル)を得ることができ、かなり高い許容範
囲の下で製造され、2枚の電極プレートが均一な分離距
離を保つのを保証する。
【0016】スペーサフィルム300が底部電極プレート3
10に適用された後、そこに一連の溝340が形成され、こ
の溝340は高電圧電極330と一致する。スペーサフィルム
300のパターニングに続いて、基材355および電極360の
配列から成る第二の電極320が、スペーサフィルム300に
接着される。電極360は、高電圧電極330に対して直角に
配置される。電極パッケージの組立後、溝340は電離液
で満たされる。電離液を溝340に入れる好適な方法は、
差圧および毛細管作用圧の使用によるものである。
10に適用された後、そこに一連の溝340が形成され、こ
の溝340は高電圧電極330と一致する。スペーサフィルム
300のパターニングに続いて、基材355および電極360の
配列から成る第二の電極320が、スペーサフィルム300に
接着される。電極360は、高電圧電極330に対して直角に
配置される。電極パッケージの組立後、溝340は電離液
で満たされる。電離液を溝340に入れる好適な方法は、
差圧および毛細管作用圧の使用によるものである。
【0017】図4は、第一の実施例に従った電極アセン
ブリの一部分の断面図である。この図の要素は一定の比
で描かれておらず、高電圧電極330のスペーサフィルム3
00の厚さに対する幅の縦横比は大きい。一実施例におい
て、高電圧電極330は約0.5ミリメートルの幅であり、ス
ペーサフィルム300は約100マイクロメートルの厚さであ
る。
ブリの一部分の断面図である。この図の要素は一定の比
で描かれておらず、高電圧電極330のスペーサフィルム3
00の厚さに対する幅の縦横比は大きい。一実施例におい
て、高電圧電極330は約0.5ミリメートルの幅であり、ス
ペーサフィルム300は約100マイクロメートルの厚さであ
る。
【0018】製造の際、小さな溝400が高電圧電極330と
スペーサフィルム300との間に形成される。溝400は、溝
340内に満たされた電離液410がスペーサフィルム300の
下にしみ出すのを防ぐ。典型的には、スペーサフィルム
300の接着性は、高電圧電極330に対してよりも、基板で
ある頂部電極プレート320に対しての方がはるかによ
い。
スペーサフィルム300との間に形成される。溝400は、溝
340内に満たされた電離液410がスペーサフィルム300の
下にしみ出すのを防ぐ。典型的には、スペーサフィルム
300の接着性は、高電圧電極330に対してよりも、基板で
ある頂部電極プレート320に対しての方がはるかによ
い。
【0019】この実施例において、電離液410内に形成
されたイオンは最初に、電極330と360との間の一様な場
に支配される。どの電極アセンブリにおいても、電極の
端部と関連したフリンジ場の要素があるが、本発明の実
施例において、電極330はフィルム(絶縁体)300により
閉じこめられており、このためフリンジ場の効果は事実
上無効になる。フリンジ場は、1つの電極がオフになっ
ている一方、他方の電極がオンになっているとき、隣接
した電極間のイオン収集にのみ作用する。この実施例に
おいて、電極330は同時にバイアスされることはない
が、スペーサフィルム300はイオンが電極付近に収集さ
れるのを防ぎ、フリンジ場効果を減少させる。
されたイオンは最初に、電極330と360との間の一様な場
に支配される。どの電極アセンブリにおいても、電極の
端部と関連したフリンジ場の要素があるが、本発明の実
施例において、電極330はフィルム(絶縁体)300により
閉じこめられており、このためフリンジ場の効果は事実
上無効になる。フリンジ場は、1つの電極がオフになっ
ている一方、他方の電極がオンになっているとき、隣接
した電極間のイオン収集にのみ作用する。この実施例に
おいて、電極330は同時にバイアスされることはない
が、スペーサフィルム300はイオンが電極付近に収集さ
れるのを防ぎ、フリンジ場効果を減少させる。
【0020】本発明の第二の実施例において、フリンジ
場を使用して、イオン閉じこめが達成される。上述のよ
うに、フリンジ場は電極の端部と関連している。この実
施例において、電極は平行な形状、つまり、単一平面上
に配置され、このため隣り合った電極のフリンジ場は重
なることになる。フリンジ場は電極の端部において生じ
るため、図5に示したような“フィンガー”構造を使用
することにより、この実施例は端部の数を最大にする。
場を使用して、イオン閉じこめが達成される。上述のよ
うに、フリンジ場は電極の端部と関連している。この実
施例において、電極は平行な形状、つまり、単一平面上
に配置され、このため隣り合った電極のフリンジ場は重
なることになる。フリンジ場は電極の端部において生じ
るため、図5に示したような“フィンガー”構造を使用
することにより、この実施例は端部の数を最大にする。
【0021】図5は、単一の連続した行の電極505およ
び3つの電極の組510、511および512のみを示した、電
極プレートの小部分を図示している。陰のついた部分51
5は、この図に図示された3つの画素を示している。作
動中、電圧パルスが電極505に印加され、1画素当たり
の電離電流は電極の組510、511および512より計測され
る。この実施例において、電離液(図示せず)を電極プ
レート上のとびとびの領域に閉じこめるのではなく、電
極プレート全体を単純に電離液バスの中に配置すること
ができる。実際の閉じこめは、電極の設計およびバイア
スパルス長により与えられる。
び3つの電極の組510、511および512のみを示した、電
極プレートの小部分を図示している。陰のついた部分51
5は、この図に図示された3つの画素を示している。作
動中、電圧パルスが電極505に印加され、1画素当たり
の電離電流は電極の組510、511および512より計測され
る。この実施例において、電離液(図示せず)を電極プ
レート上のとびとびの領域に閉じこめるのではなく、電
極プレート全体を単純に電離液バスの中に配置すること
ができる。実際の閉じこめは、電極の設計およびバイア
スパルス長により与えられる。
【0022】図6は、どのようにしてこれらの読み取り
電極の組が、バイア・ホール(図示せず)を通って回路
基板のもう一方の側に接続した列を形成するのかが図示
されている。
電極の組が、バイア・ホール(図示せず)を通って回路
基板のもう一方の側に接続した列を形成するのかが図示
されている。
【0023】図7および8は、2つの異なった電極形状
を図示しており、それぞれは単一の画素を表している。
図7の電極710が、約200マイクロメーターの間隔があけ
られた3つのフィンガーを有している。電極810もま
た、図7で示したサイズと同じサイズの画素を表してい
るが、約50マイクロメーターの間隔があけられ、2倍の
フィンガーを有している。フィンガーの間隔および画素
当たりのフィンガーの数のため、図7に示した形状は図
8に図示した形状よりも、イオン収集のためのボリュー
ムがはるかに大きいことに注目する。しかし、フリンジ
場は均一ではなく、距離と共に急速に弱くなってしまう
ため、同じ電圧に対して図7に示した形状の送信時間
は、図8に示した形状の関連したものよりもはるかに遅
い。このため、収集量と送信時間との間に、トレードオ
フの関係がある。収集量が減少すると、SN比はより悪
くなる。送信時間と間隔との間の非線形関係のために、
好適実施例においては、システムを最適化するためにモ
デリング(modeling)が使用されている。
を図示しており、それぞれは単一の画素を表している。
図7の電極710が、約200マイクロメーターの間隔があけ
られた3つのフィンガーを有している。電極810もま
た、図7で示したサイズと同じサイズの画素を表してい
るが、約50マイクロメーターの間隔があけられ、2倍の
フィンガーを有している。フィンガーの間隔および画素
当たりのフィンガーの数のため、図7に示した形状は図
8に図示した形状よりも、イオン収集のためのボリュー
ムがはるかに大きいことに注目する。しかし、フリンジ
場は均一ではなく、距離と共に急速に弱くなってしまう
ため、同じ電圧に対して図7に示した形状の送信時間
は、図8に示した形状の関連したものよりもはるかに遅
い。このため、収集量と送信時間との間に、トレードオ
フの関係がある。収集量が減少すると、SN比はより悪
くなる。送信時間と間隔との間の非線形関係のために、
好適実施例においては、システムを最適化するためにモ
デリング(modeling)が使用されている。
【0024】上述のように、この形状において、電離液
は小領域に閉じこめられるのではなく、電極プレート全
体が単一ボリュームの液体の中に配置される。この実施
例の2つの欠点は、液体のボリュームが増えると、直ち
に収集るのされないイオンが生成される機会もまた増え
ることになることである。このため、画素により目的の
ボリューム外の収集することができるイオンの潜在的な
源が生成される。これは、SN比を減少させるクロスト
ークを導く。
は小領域に閉じこめられるのではなく、電極プレート全
体が単一ボリュームの液体の中に配置される。この実施
例の2つの欠点は、液体のボリュームが増えると、直ち
に収集るのされないイオンが生成される機会もまた増え
ることになることである。このため、画素により目的の
ボリューム外の収集することができるイオンの潜在的な
源が生成される。これは、SN比を減少させるクロスト
ークを導く。
【0025】図9は、本発明の図5〜8に示されたもの
と同じ共面電極形状を利用した本発明の実施例の図示で
ある。この実施例において、電離液は、高電圧電極930
に合わせて伸びている複数の領域である溝910に閉じこ
められている。
と同じ共面電極形状を利用した本発明の実施例の図示で
ある。この実施例において、電離液は、高電圧電極930
に合わせて伸びている複数の領域である溝910に閉じこ
められている。
【0026】図10は、図9で示したのと同じ電極アセ
ンブリの3次元図である。この電極アセンブリは、2つ
のFR−4基板900および905の上に組み込まれている。
第一の電極は、一連の電極920を形成するために、第一
に基板900に深い溝910をエッチングし、次にその深い溝
の選択された領域に金属を付着させることにより形成さ
れる。電極930は、基板905上に接着される。基板900お
よび905は、互いに接着され、それらの間に形成された
イオンチェンバ910内は電離液940で満たされる。
ンブリの3次元図である。この電極アセンブリは、2つ
のFR−4基板900および905の上に組み込まれている。
第一の電極は、一連の電極920を形成するために、第一
に基板900に深い溝910をエッチングし、次にその深い溝
の選択された領域に金属を付着させることにより形成さ
れる。電極930は、基板905上に接着される。基板900お
よび905は、互いに接着され、それらの間に形成された
イオンチェンバ910内は電離液940で満たされる。
【0027】本発明の好適実施例において、先に説明し
たタイプの1つまたは2つ以上の電極構造が互いに積み
重ねられている。積み重ねられた電極プレートは、2つ
の潜在的な利点を与える。第一に、それぞれの電極プレ
ートの画素が隣接したプレートの画素に重なるようにプ
レートを積み重ねると、SN比が大きくなる。例えば、
4枚の電極プレートを互いに積み重ねると、騒音が2倍
になるだけで4倍の信号が生じ、従ってSN比が2倍向
上する。第二の利点は、1配列からの画素が、隣接した
配列における画素からオフセットするように電極配列を
積み重ねることにより達成することができる。この形状
で、システムの空間解像度は劇的に向上する。最後に、
これらの2つの方法を結合することができる。例えば、
8配列を互いに積み重ね、4配列を他の4配列から2分
の1画素の幅でオフセットすることにより、SN比また
は空間解像度が2倍向上し得る。
たタイプの1つまたは2つ以上の電極構造が互いに積み
重ねられている。積み重ねられた電極プレートは、2つ
の潜在的な利点を与える。第一に、それぞれの電極プレ
ートの画素が隣接したプレートの画素に重なるようにプ
レートを積み重ねると、SN比が大きくなる。例えば、
4枚の電極プレートを互いに積み重ねると、騒音が2倍
になるだけで4倍の信号が生じ、従ってSN比が2倍向
上する。第二の利点は、1配列からの画素が、隣接した
配列における画素からオフセットするように電極配列を
積み重ねることにより達成することができる。この形状
で、システムの空間解像度は劇的に向上する。最後に、
これらの2つの方法を結合することができる。例えば、
8配列を互いに積み重ね、4配列を他の4配列から2分
の1画素の幅でオフセットすることにより、SN比また
は空間解像度が2倍向上し得る。
【0028】図11は、図4〜9に図示されたような4
つの個々の配列から成る複合電極配列の断面図である。
この形状において、3つの基板1115が基板の両側に配置
された電極を有しており、このため2つの共面電極構造
を支持するための単一基板が使用されている。外側の基
板1120が片側配列であり、基板1120の内側表面上にのみ
配列を有している。共面配列を基板基板1115の両側に配
置することにより、4つの配列の複合を達成する一方
で、実際の電極プレートの数を5から3に減らすことが
できる。さらにこの形状は、それぞれの配列について電
離液1125の分離層が必要ないため、液層の数を4から2
に減らす。プレートおよび液層の減少は、製造される複
合構造を極端に小さくし、軽くすることができる。加え
て、基板1115は液層を支持する必要はなく、単に電極配
列を支持するのに使用されているので、基板1115を非常
に薄くすることができる。複合配列はまた、本発明の他
の実施例を使用して形成することもできる。例えば、図
3〜4に図示されたような一連の独立した一様な場の配
列である。しかし、この形状では隣り合った配列と同じ
電離液を共有することができないため、これら複合配列
は共面配列を使用したものほど薄くはない。
つの個々の配列から成る複合電極配列の断面図である。
この形状において、3つの基板1115が基板の両側に配置
された電極を有しており、このため2つの共面電極構造
を支持するための単一基板が使用されている。外側の基
板1120が片側配列であり、基板1120の内側表面上にのみ
配列を有している。共面配列を基板基板1115の両側に配
置することにより、4つの配列の複合を達成する一方
で、実際の電極プレートの数を5から3に減らすことが
できる。さらにこの形状は、それぞれの配列について電
離液1125の分離層が必要ないため、液層の数を4から2
に減らす。プレートおよび液層の減少は、製造される複
合構造を極端に小さくし、軽くすることができる。加え
て、基板1115は液層を支持する必要はなく、単に電極配
列を支持するのに使用されているので、基板1115を非常
に薄くすることができる。複合配列はまた、本発明の他
の実施例を使用して形成することもできる。例えば、図
3〜4に図示されたような一連の独立した一様な場の配
列である。しかし、この形状では隣り合った配列と同じ
電離液を共有することができないため、これら複合配列
は共面配列を使用したものほど薄くはない。
【0029】当業者は理解するであろうが、本発明はそ
の思想および本質的な性質から逸脱することなく、他の
特異的な形状で実施することができる。例えば、本発明
の一様な場の電極構造を分離させるために、さまざまな
物質を使用することができる。同様に、共面電極フリン
ジ場配列の1画素当たりのフィンガーの数、それぞれの
画素の大きさ、および配列当たりの画素の数は、使用者
の要求により変化させることができる。従って、本発明
の好適な実施例の開示は、特許請求の範囲に記載される
本発明の範囲の例示であり、これを制限するわけではな
い。
の思想および本質的な性質から逸脱することなく、他の
特異的な形状で実施することができる。例えば、本発明
の一様な場の電極構造を分離させるために、さまざまな
物質を使用することができる。同様に、共面電極フリン
ジ場配列の1画素当たりのフィンガーの数、それぞれの
画素の大きさ、および配列当たりの画素の数は、使用者
の要求により変化させることができる。従って、本発明
の好適な実施例の開示は、特許請求の範囲に記載される
本発明の範囲の例示であり、これを制限するわけではな
い。
【図1】図1は、従来技術の形状におけるLICマトリ
クスの小領域の断面図である。
クスの小領域の断面図である。
【図2】図2(A)は、従来技術に従った256×256配列
の断面図である。図2(B)は、図2(A)に示した2
つの配列間の液体によりやや過度に圧力がかかって配列
を図示している。図2(C)は、図2(A)に示した2
つの配列間の液体による圧力が不足した配列を図示して
いる。
の断面図である。図2(B)は、図2(A)に示した2
つの配列間の液体によりやや過度に圧力がかかって配列
を図示している。図2(C)は、図2(A)に示した2
つの配列間の液体による圧力が不足した配列を図示して
いる。
【図3】図3(A)は、従来技術に従ったバイアス電極
プレートを図示している。図3(B)は、本発明に従っ
たスペーサフィルムを図示している。図3(C)は、従
来技術に従った読み取り電極プレートを図示している。
プレートを図示している。図3(B)は、本発明に従っ
たスペーサフィルムを図示している。図3(C)は、従
来技術に従った読み取り電極プレートを図示している。
【図4】図4は、スペーサフィルムが頂部と底部の電極
配列を分離し、同時に電離液を分離した領域へと閉じこ
めるために使用される、本発明の実施例の断面図であ
る。
配列を分離し、同時に電離液を分離した領域へと閉じこ
めるために使用される、本発明の実施例の断面図であ
る。
【図5】図5は、本発明に従った共面電極アセンブリを
図示している。
図示している。
【図6】図6は、行の間のバイア・ホールを通して連結
された共面電極アセンブリの複数の列を図示している。
された共面電極アセンブリの複数の列を図示している。
【図7】図7は、収集量は多いが、走行時間の遅い共面
電極アセンブリからの単一画素を図示している。
電極アセンブリからの単一画素を図示している。
【図8】図8は、収集量は少ないが、走行時間の速い共
面電極アセンブリからの単一画素を図示している。
面電極アセンブリからの単一画素を図示している。
【図9】図9は、本発明のその他の実施例における単一
のイオンチェンバの断面図である。
のイオンチェンバの断面図である。
【図10】図10は、図9に示したのと同じ電極アセン
ブリの3次元図である。
ブリの3次元図である。
【図11】図11は、本発明に従った複合電極アセンブ
リの断面図である。
リの断面図である。
300…フィルムスペーサ 325…基材 330…高電圧電極 355…基材 360…電極 400…溝 410…電離液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レツァ・マジディ・アーイ アメリカ合衆国カリフォルニア州ロス・ア ルトス、エ ヴァ・アヴェニュー 1255 (72)発明者 ウィリ・フェンクル スイス、チューリッヒ、ツェーハー8004、 エルナ シュトラッセ 22 (72)発明者 ハインリッヒ・リーム スイス、ヴェッティンゲン、ツェーハー 5430、ア ーエム・ゴッテスグラーベン 7 (72)発明者 ザルヴァトル・プロヴァンカル スイス、ゲーベンストルフ、ツェーハー 5412、ド ルフシュトラッセ 33 (72)発明者 ロルフ・シュタエーエリン スイス、シュリーレン、ツェーハー8952、 ググス ブエルシュトラッセ 6
Claims (22)
- 【請求項1】液体イオンチェンバ電極アセンブリであっ
て、 第一の電極配列、 第二の電極配列、および前記第一および第二の電極配列
の間に挟まれ、電離液を含んだ複数の開口部を有するフ
ィルムスペーサ、から成る、ところの液体イオンチェン
バ電極アセンブリ。 - 【請求項2】請求項1に記載の液体イオンチェンバ電極
アセンブリであって、 前記第一および第二の電極配列は、絶縁物質のシートお
よび電極の配列から成る、ところの液体イオンチェンバ
電極アセンブリ。 - 【請求項3】請求項2に記載の液体イオンチェンバ電極
アセンブリであって、 前記絶縁物質はFR−4板である、ところの液体イオン
チェンバ電極アセンブリ。 - 【請求項4】請求項1に記載の液体イオンチェンバ電極
アセンブリであって、 前記電離液はイソオクタンである、ところの液体イオン
チェンバ電極アセンブリ。 - 【請求項5】請求項1に記載の液体イオンチェンバ電極
アセンブリであって、 前記フィルムスペーサは、ソルダマスクドライフィルム
である、ところの液体イオンチェンバ電極アセンブリ。 - 【請求項6】請求項5に記載の液体イオンチェンバ電極
アセンブリであって、 前記ソルダマスクドライフィルムは、前記第一および前
記第二の電極配列に接着されている、ところの液体イオ
ンチェンバ電極アセンブリ。 - 【請求項7】請求項2に記載の液体イオンチェンバ電極
アセンブリであって、 前記開口部は伸張した溝であって、該溝は前記第一の電
極配列の前記電極と一致して伸びている、ところの液体
イオンチェンバ電極アセンブリ。 - 【請求項8】請求項1に記載の液体イオンチェンバ電極
アセンブリであって、 前記フィルムスペーサは、250マイクロメートル以下の
厚さである、ところの液体イオンチェンバ電極アセンブ
リ。 - 【請求項9】液体イオンチェンバ電極アセンブリであっ
て、 第一および第二の軸線を持つ、絶縁物質から成る第一の
シート、 前記第一のシートに適用された、第一の厚さの第一の複
数の電極ストリップ、 前記第一の複数の電極ストリップ間に挟まれた、第二の
厚さの複数の絶縁物質ストリップ、 第一および第二の表面をもつ、絶縁物質から成る第二の
シート、 前記第二のシートの前記第一の表面に適用された、第二
の複数の電極ストリップ、および液体、から成り、 前記第一の複数の電極ストリップは、前記第一の軸線に
平行であり、 前記第二の厚さは、前記第一の厚さよりも厚く、 前記第二の複数の電極ストリップをもつ前記第二のシー
トの前記第一の表面は、密閉可能なように前記複数の絶
縁物質ストリップに接続し、前記第二の複数の電極スト
リップは前記第一のシートの前記第二の軸線に平行であ
り、 前記液体の一部分は、前記第一の複数の電極ストリッ
プ、前記複数の絶縁物質ストリップ、前記第二の複数の
電極ストリップおよび前記第二のシートにより画成され
る囲い内に密閉される、ところの液体イオンチェンバ電
極アセンブリ。 - 【請求項10】液体イオンチェンバ共面電極アセンブリ
であって、 基板に接着された第一の電極配列、 前記基板に接着された第二の電極配列、 前記基板に接着された密閉プレート、および前記基板お
よび前記密閉プレートにより画成されるボリューム内に
閉じこめられた電離液、から成る、ところの液体イオン
チェンバ共面電極アセンブリ。 - 【請求項11】請求項10に記載の液体イオンチェンバ
共面電極アセンブリであって、 前記第一の電極配列は第一の複数の電極ストリップを含
み、 前記第二の電極配列は第二の複数の電極ストリップを含
み、該第二の複数の電極ストリップは複数の画素を画成
するために分かれている、ところの液体イオンチェンバ
共面電極アセンブリ。 - 【請求項12】請求項11に記載の液体イオンチェンバ
共面電極アセンブリであって、 第一の複数の付加物が前記第一の複数の電極から伸張
し、 第二の複数の付加物が前記第二の複数の分離した電極か
ら伸張し、 前記第一および第二の複数の付加物は散在している、と
ころの液体イオンチェンバ共面電極アセンブリ。 - 【請求項13】請求項10に記載の液体イオンチェンバ
共面電極アセンブリであって、 前記密閉プレートは複数の領域を有し、該領域は前記第
一の電極配列の近くの領域に電離液を閉じこめる、とこ
ろの液体イオンチェンバ共面電極アセンブリ。 - 【請求項14】液体イオンチェンバ電極アセンブリであ
って、 第一および第二の表面をもつ第一の基板、 前記第一の基板の前記第一の表面に接着された第一の複
数の連続した電極ストリップ、 前記第一の基板に密閉可能なように接着された第二の基
板、および電離液、から成り、 前記第一の基板は、前記第一の表面の第一の軸線に沿っ
て伸びている複数の溝を有し、 前記電極ストリップは、前記第一の軸線に対して垂直に
伸びており、 前記第二の基板は、前記第一の表面の前記第一の軸線に
対して垂直に伸びている第二の複数の連続した電極スト
リップを有し、該第二の複数の連連続した電極ストリッ
プは、前記複数の溝の近くにあり、 前記電離液は、前記複数の溝内に閉じこめられている、
ところの液体イオンチェンバ電極アセンブリ。 - 【請求項15】液体イオンチェンバ電極アセンブリであ
って、 第一の基板の第一の表面に接着した第一の電極配列、 第二の基板に接着した第二の電極配列、 前記第一および第二の電極配列間に挟まれた第一のフィ
ルムスペーサ、 前記第一の基板の第二の表面に接着した第三の電極配
列、 第三の基板に接着した第四の電極配列、および前記第三
および第四の電極配列間に挟まれた第二のフィルムスペ
ーサ、から成り、 前記第一のスペーサは、第一の電離液を含んだ第一の複
数の開口部を有し、 前記第二のスペーサは、第二の電離液を含んだ第二の複
数の開口部を有する、ところの液体イオンチェンバ電極
アセンブリ。 - 【請求項16】請求項15に記載の液体イオンチェンバ
電極アセンブリであって、 前記第一および第二の電離液は等しい、ところの液体イ
オンチェンバ電極アセンブリ。 - 【請求項17】請求項15に記載の液体イオンチェンバ
電極アセンブリであって、 前記第一および第二のスペーサは、250マイクロメート
ル以下の厚さである、ところの液体イオンチェンバ電極
アセンブリ。 - 【請求項18】液体イオンチェンバ複合電極アセンブリ
であって、 少なくとも2つの共面電極配列を含み、該共面電極配列
のそれぞれは、単一基板に接着した第一および第二の電
極配列を含み、 電離液は前記電極配列の近くの領域に閉じこめられ、 前記共面電極配列は、前記イオンチェンバ複合電極アセ
ンブリを形成するために、互いに積み重なっている、と
ころの液体イオンチェンバ複合電極アセンブリ。 - 【請求項19】請求項18に記載の液体イオンチェンバ
複合電極アセンブリであって、 前記共面電極配列のそれぞれは複数の画素を閉じこめ、
前記共面電極配列のそれぞれの画素は、隣り合った前記
共面電極配列のそれぞれの画素を覆っている、ところの
液体イオンチェンバ複合電極アセンブリ。 - 【請求項20】請求項18に記載の液体イオンチェンバ
複合電極アセンブリであって、 前記共面電極配列のそれぞれは複数の画素を閉じこめ、
前記共面電極配列のそれぞれの画素は、隣り合った前記
共面電極配列のそれぞれの画素からオフセットしてい
る、ところの液体イオンチェンバ複合電極アセンブリ。 - 【請求項21】請求項18に記載の液体イオンチェンバ
複合電極アセンブリであって、 少なくとも2つの共面電極配列が、単一ボリュームの電
離液を利用している、ところの液体イオンチェンバ複合
電極アセンブリ。 - 【請求項22】請求項18に記載の液体イオンチェンバ
複合電極アセンブリであって、 少なくとも2つの共面電極配列が単一基板上に配置さ
れ、前記基板の第一および第二の両方の表面を利用して
いる、ところの液体イオンチェンバ複合電極アセンブ
リ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/649,888 US5631470A (en) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | Liquid ion chamber electrode apparatus |
| US649888 | 1996-05-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1054877A true JPH1054877A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=24606640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9134469A Pending JPH1054877A (ja) | 1996-05-13 | 1997-05-09 | 液体イオンチェンバ電極装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5631470A (ja) |
| EP (1) | EP0807955A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1054877A (ja) |
| CA (1) | CA2204794A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024063384A (ja) * | 2022-10-26 | 2024-05-13 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 検出器及び検出器の製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2222792A1 (es) * | 2003-02-10 | 2005-02-01 | Universidad De Santiago De Compostela | Detector de radiacion de imagen por barrido mediante transferencia de carga. |
| ES2246685B1 (es) * | 2004-02-10 | 2006-12-01 | Universidade De Santiago De Compostela | Matriz de detectores liquidos para la medida de dosis/fluencia de radiacion ionizante. |
| WO2006126075A2 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Ion Beam Applications, S.A. | Device and method for quality assurance and online verification of radiation therapy |
| DE102011018714A1 (de) * | 2011-04-26 | 2012-10-31 | PTW-Freiburg Physikalisch-Technische Werkstätten Dr. Pychlau GmbH | Strahlungsdetektor |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8500875A (nl) * | 1985-03-26 | 1986-10-16 | Ver Nl Kanker Inst | Beelddetector voor hoogenergetische fotonenbundels. |
| US5025376A (en) * | 1988-09-30 | 1991-06-18 | University Of Florida | Radiation teletherapy imaging system having plural ionization chambers |
| US5019711A (en) * | 1989-03-21 | 1991-05-28 | The Regents Of The University Of Michigan | Scanning-liquid ionization chamber imager/dosimeter for megavoltage photons |
| DE4423338A1 (de) * | 1994-06-20 | 1995-12-21 | Betaray Kubisiak Gmbh | Detektor für eine Meßvorrichtung |
-
1996
- 1996-05-13 US US08/649,888 patent/US5631470A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-08 CA CA002204794A patent/CA2204794A1/en not_active Abandoned
- 1997-05-09 JP JP9134469A patent/JPH1054877A/ja active Pending
- 1997-05-13 EP EP97303235A patent/EP0807955A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024063384A (ja) * | 2022-10-26 | 2024-05-13 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 検出器及び検出器の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0807955A2 (en) | 1997-11-19 |
| EP0807955A3 (en) | 2000-04-19 |
| US5631470A (en) | 1997-05-20 |
| CA2204794A1 (en) | 1997-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6781132B2 (en) | Collimated radiation detector assembly, array of collimated radiation detectors and collimated radiation detector module | |
| US6037595A (en) | Radiation detector with shielding electrode | |
| US4663529A (en) | Thermal imaging device and a method of manufacturing a thermal imaging device | |
| US6002134A (en) | Cross-strip semiconductor detector with cord-wood construction | |
| DE69419775T2 (de) | Bildsensormatrix für infrarote strahlung mit kompositsensoren die jedes pixel formen | |
| AU778579B2 (en) | A method and an apparatus for radiography and a radiation detector | |
| CN1181500A (zh) | 热电红外传感器器件 | |
| US5714841A (en) | Plasma-addressed electro-optical display with embedded electrodes | |
| JPH05216415A (ja) | プラズマアドレス電気光学装置 | |
| JPH1054877A (ja) | 液体イオンチェンバ電極装置 | |
| JPS5853471B2 (ja) | 放射線検出器及びその製造方法 | |
| CN1183845A (zh) | 具有蚀刻玻璃隔离片的等离子体液晶显示器 | |
| JPS592135B2 (ja) | ヒヨウジパネル | |
| WO1987007430A1 (en) | Multiple sample radioactivity detector | |
| JP4107754B2 (ja) | 半導体放射線検出器 | |
| JPH0658403B2 (ja) | 放射能分布測定装置 | |
| JPS54152998A (en) | Matrix electrode structure | |
| EP2317538B1 (en) | Method for fabricating an amplification gap of an avalanche particle detector | |
| EP0160821B1 (de) | Vorrichtung zur Auslese eines zweidimensionalen Ladungsbildes mittels eines Arrays | |
| IL41127A (en) | Solid state imaging apparatus employing charge transfer de devices | |
| EP0773577A1 (en) | Three terminal ion chambers | |
| EP0345049B1 (en) | Thermal imaging device | |
| CN116153759B (zh) | 一种横向堆叠结构的无门化离子迁移管 | |
| JPH1152058A (ja) | 2次元放射線検出器 | |
| JPS6028099B2 (ja) | ガス放電型表示装置 |