JPH1054964A

JPH1054964A - 光制御デバイス

Info

Publication number: JPH1054964A
Application number: JP9103308A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Nishimoto; 裕西本
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-04-21
Filing date: 1997-04-21
Publication date: 1998-02-24
Anticipated expiration: 2017-04-21
Also published as: JP2850899B2

Abstract

(57)【要約】【課題】温度ドリフトを抑圧するための導体膜の抵抗
に与えられていた制限を無くすとともに、温度ドリフト
及びＣＤドリフトも抑圧し、さらに低い駆動電圧が得ら
れる光制御デバイスを提供する。【解決手段】ＬｉＮｂＯ₃ 基板（１）の表面に形成さ
れた２本のチャネル型光導波路（２ａ）（２ｂ）からな
る光回路（５）と、光導波路（２ａ）（２ｂ）の上にバ
ッファ層（３）を介して電極（４ａ）（４ｂ）が形成さ
れている。また、電極（４ａ）（４ｂ）の近傍に導体膜
（６）が形成されている。導体膜（６）は電極（４ａ）
（４ｂ）間を導通させておらず、電極（４ａ）（４ｂ）
の近傍で絶縁されている部分（７）がある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光波の変調、光路
の切替え、光波長のフィルタリングを行う光制御デバイ
スに関し、特に焦電効果を有する基板に形成された光導
波路を用いて制御を行う導波型光制御デバイスに関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】光通信システムの実用化に伴い、更に大
容量で多機能の高度なシステムが求められており、より
高速の光信号の発生や光伝走路の切り替え、交換等の新
たな機能の付加が必要とされている。光伝走路の切り替
えやネットワークの交換機能を得る手段としては、光ス
イッチが使用されている。現在実用化されている光スイ
ッチは、プリズム、ミラー、ファイバ等を機械的に移動
させて光路を切り替えるものであり、低速であること、
形状が大きくマトリクス化に不適等の欠点がある。

【０００３】これを解決する手段としても光導波路を用
いた導波型の光スイッチの開発が進められており、高
速、多素子の集積化が可能、高信頼等の特徴がある。特
にニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃ ）結晶等の強誘電体
材料を用いたものは、光吸収が小さく低損失であるこ
と、大きな電気光学効果を有しているため高効率である
こと等の特徴があり、方向性結合器型光スイッチ、マッ
ハツェンダ型やバランスブリッジ型光スイッチ、全反射
型光スイッチ等の種々の方式の光制御デバイスが報告さ
れている。

【０００４】近年、ＬｉＮｂＯ₃ 電気光学結晶基板中に
形成された方向性結合器を用いた導波路型光スイッチの
高密度集積化の研究開発が盛んに行われており、西本裕
らの文献、電子情報通信学会、ＯＱＥ８８−１４７に
よれば、Ｚ板のＬｉＮｂＯ₃基板を用いて方向性結合器
型光スイッチを６４素子集積した８×８マトリクス光ス
イッチを得ている。一方、外部光変調器のような単一の
光スイッチ素子からなるデバイスの研究開発も盛んに進
められている。このような光導波路デバイスの特性項目
には、動作の安定性、スイッチング電圧（電力）、クロ
ストーク、消光比、損失、切り替え速度などがある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した特性項目の中
でも、動作の安定性やスイッチング電圧（電力）の低減
は最も重要な課題である。ここで従来の技術を図５、図
６及び図７に示し、解決しようとする課題を説明する。
図５は、焦電効果を有するＬｉＮｂＯ₃ やＬｉＴｉＯ₃
基板（１）に形成された２本の光導波路（２ａ）（２
ｂ）からなる方向性結合器（５）を用いた導波型光制御
デバイスの構造を示す断面図である。

【０００６】図５に示すように、光学的に透明な膜体で
あるバッファ層（３）は、導波光を制御するための外部
制御信号が印加される電極（４ａ）（４ｂ）による導波
光の吸収を防ぐための光学的バッファ層として用いら
れ、光学的バッファ層（３）には通常はＳｉＯ₂ が用い
られる。これは、ＳｉＯ₂ が光をほとんど吸収しないこ
とやＬｉＮｂＯ₃ 基板やＬｉＴｉＯ₃ 基板に比べて屈折
率が十分に小さいことによる。電極（４ａ）（４ｂ）
は、通常は高速動作が行えるように体積抵抗率が小さい
金属などが用いられ、光導波路（２ａ）（２ｂ）の近傍
に電極（４ａ）（４ｂ）が配置される。このような構成
を有した光スイッチ、光変調器などさまざまな光導波路
型光制御デバイスの検討が進められているが、焦電効果
を有するために温度変動があると電荷発生し、その電荷
が局在するため動作点電圧が変動する温度ドリフトとい
う信頼性問題がある。

【０００７】これを解決する方法として、図６に示すよ
うな光制御デバイスが提案されている。この従来の光制
御デバイスは、佐脇らの文献、特開昭６２−７３２０７
号公報、及び特開昭６２−１７３４２８号公報によれ
ば、焦電効果を有する基板（１）に形成された少なくと
も１対の電極（４ａ）（４ｂ）の間を導体膜（６）で導
通させることが行われている。これにより温度発生時に
従来は局在した電荷が均一化されるため、温度ドリフト
が抑圧されることが報告されている。

【０００８】しかし、電極間のリーク電流による動作不
良を避けるために導体膜（６）による電極（４ａ）（４
ｂ）の抵抗を１０⁷ 〜１０¹⁰Ωにする必要がある。従っ
て、これを実現する抵抗値の制御を行うために温度管理
が厳しい熱処理などの製造工程を加える必要があり、製
造工程が煩雑化し、またデバイス歩留まりも劣化する欠
点がある。また、電極（４ａ）（４ｂ）間が電気的に導
通しているため、デバイスを動作させるために電極（４
ａ）（４ｂ）間に外部から電位差を与えると、導体膜
（６）の膜中、導体膜（６）の表面や導体膜（６）と接
している層との界面を不純物などのキャリアが容易に移
動する。キャリアの移動が発生すると電極（４ａ）（４
ｂ）間で外部からの印加電圧をキャンセルすることにな
る。すなわち、ＤＣ電圧を連続印加した場合に光出力−
印加電圧特性がシフトしていくというＤＣドリフトと呼
ばれる信頼性問題が発生する欠点がある。

【０００９】一方、電極間を導体膜で導通させている場
合に駆動電圧を低減する方法として、清野らの文献、特
開平１−３０２３２５号公報で述べている。それについ
て図７に光制御デバイスの断面構造を示す。つまり、２
本の光導波路（２ａ）（２ｂ）の真上のみにバッファ層
（３）を形成し、そのバッファ層（３）を導体膜（６）
で覆い、導体膜（６）を介して２本の光導波路（２ａ）
（２ｂ）の間に電位差を与える方法が報告されている。

【００１０】しかし、駆動電圧を決める２本の光導波路
（２ａ）（２ｂ）の間に発生する電位差は、電極（４
ａ）（４ｂ）間を導体膜（６）で導通させている場合に
は、導体膜（６）による基板（１）に対して垂直と水平
方向のそれぞれの電圧降下分で決まる。すなわち図７の
構造では、２本の光導波路（２ａ）（２ｂ）の間に発生
する電位差は、ほぼ外部印加電圧から２カ所の垂直方向
の電圧降下を差し引いた値となる。この垂直と水平方向
の電圧降下分が電極（４ａ）（４ｂ）間における導体膜
（６）の垂直と水平方向の長さの割合で単純に決まるこ
とは自明である。

【００１１】従って、この図７の構造における２本の光
導波路（２ａ）（２ｂ）の間に発生する電位差は、バッ
ファ層（３）による垂直と水平方向の電圧降下のうち、
外部印加電圧から２カ所の垂直方向の電圧降下で、２本
の光導波路（２ａ）（２ｂ）の間に発生する電位差がほ
ぼ決まっていた図５及び図６に示した従来の光制御デバ
イスとはほとんど変わらず、駆動電圧の低減が少ない欠
点がある。本発明の目的は、温度ドリフトを抑圧するた
めの導体膜の抵抗に与えられていた制限を無くするとと
もに、温度ドリフトはもちろんのことＤＣドリフトも抑
圧し、さらに低い駆動電圧が得られる光制御デバイスを
与えることにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の光制御デバイス
は、焦電効果を有する基板表面に形成された光導波路
と、前記光導波路の近傍に形成された少なくとも１対の
電極と、少なくとも前記基板と前記電極の間に形成され
た膜体と、前記膜体より導電性が大きく前記１対の電極
の近傍を覆う導体膜とを有し、前記導体膜は前記１対の
電極の近傍で絶縁されていることを特徴とする。

【００１３】本発明の光制御デバイスは、焦電効果を有
する基板表面に形成された光導波路と、前記光導波路の
近傍に形成された少なくとも１対の電極と、少なくとも
前記基板と前記電極の間に形成された膜体と、前記膜体
より導電性が大きく前記１対の電極の近傍を覆う導体膜
とを有し、前記導体膜は前記光導波路の近傍で絶縁され
ていることを特徴とする。

【００１４】本発明の光制御デバイスは、前記導体膜は
少なくとも前記１対の電極間に形成されていることを特
徴とする。

【００１５】本発明の光制御デバイスは、前記１対の電
極間に形成された膜体の厚さが前記１対の電極近傍まで
他の部分に形成された前記膜体の厚さより薄く形成さ
れ、かつ前記導体膜が前記薄く形成された膜体上で絶縁
されていることを特徴とする。

【００１６】本発明の光制御デバイスは、焦電効果を有
する基板表面に形成された光導波路と、前記光導波路近
傍に形成された少なくとも１対の電極と、少なくとも前
記基板と前記電極の間に形成された膜体と、前記基板上
かつ前記１対の電極間に形成され前記膜体より絶縁性が
高い絶縁材と、前記絶縁材上に形成され前記膜体より導
電性の大きい導体膜とを有し、前記導体膜は前記１対の
電極のそれぞれの電極近傍で絶縁されていることを特徴
とする。

【００１７】本発明の光制御デバイスは、焦電効果を有
する基板表面に形成された光導波路と、前記光導波路近
傍に形成された少なくとも１対の電極と、少なくとも前
記基板と前記電極の間に形成された膜体と、前記基板上
かつ前記１対の電極の間に形成され前記膜体より絶縁性
の高い絶縁材と、前記膜体より導電性が大きく前記１対
の電極の近傍を覆う導体膜とを有し、前記導体膜は前記
１対の電極の間で前記絶縁材上に形成され、かつ、前記
電極近傍で絶縁されていることを特徴とする。

【００１８】本発明の光制御デバイスは、焦電効果を有
する基板表面に形成された光導波路と、前記光導波路近
傍に形成された少なくとも１対の電極と、少なくとも前
記基板と前記電極の間に形成された膜体と、前記基板上
かつ前記１対の電極の間に形成され前記膜体より絶縁性
の高い絶縁材と、前記膜体より導電性が大きく前記１対
の電極の近傍を覆う導体膜とを有し、前記導体膜は前記
１対の電極の間で前記絶縁材上に形成され、かつ、前記
光導波路近傍で絶縁されていることを特徴とする。ま
た、本発明において、焦電効果を有する基板とは、雰囲
気の温度変化などにより基板の温度が変動した部分に電
荷が発生するもので、例えば、ＬｉＮｂＯ₃ やＬｉＴｉ
Ｏ₃ よりなる基板である。

【００１９】本発明による光制御デバイスでは、導体膜
が電極間のごく１部で絶縁しているが、このとき、焦電
効果により発生する電荷の局在は起こらず、温度ドリフ
トは発生しないことを見いだした。これにより導体膜の
抵抗に与えられていた制限を無くすことができ、生産歩
留まりが向上する光制御デバイスが得られる。また、そ
の絶縁が電極の近傍で行われているため、外部印加電圧
の降下は絶縁された部分で発生し、導体膜にかかる電圧
は小さくなる。従って、導体膜の膜中、導体膜の表面や
導体膜と接している層との界面を不純物などのキャリア
の移動量が少なくなり、ＤＣドリフトが抑圧できる光制
御デバイスが得られる。

【００２０】さらに、絶縁されたそれぞれの部分を電極
の近傍、すなわち２本の光導波路の近傍に設定している
ため、駆動電圧を決める外部印加電圧に対する２本の光
導波路（２ａ）（２ｂ）の間に発生する電位差を従来構
造より大きくできる。従って、低電圧駆動の光制御デバ
イスが得られる。

【００２１】

【発明の実施の形態】次に本発明の実施例について図面
を参照して説明する。

【００２２】［実施例１］図１は、本発明の一つの実施
例に係わる光制御デバイスの構造を示す断面図である。
図１に示す光制御デバイスは、ＬｉＮｂＯ₃ 基板（１）
の表面に形成された２本のチャネル型光導波路（２ａ）
（２ｂ）からなる光回路（５）と、光導波路（２ａ）
（２ｂ）の上にバッファ層（３）を介して電極（４ａ）
（４ｂ）が形成されている。また電極（４ａ）（４ｂ）
の近傍に導体膜（６）が形成されている。

【００２３】導体膜（６）は電極（４ａ）（４ｂ）間を
導通されておらず、電極（４ａ）（４ｂ）の近傍の箇所
で絶縁されている部分（７）（今後「絶縁部」と呼ぶ）
がある。なお、光回路（５）は方向性結合器、マッハツ
ェンダ型、バランスブリッジ型などである。バッファ層
（３）の役割には、光学的に透明で基板より屈折率が低
い材料を用いることで電極（４ａ）（４ｂ）による導波
光の吸収を防ぐ役割であり、また電極（４ａ）（４ｂ）
にマイクロ波を印加する場合に、バッファ層（３）の誘
電率や厚さなどを利用して電極（４ａ）（４ｂ）を伝搬
するマイクロ波の速度の調整を行う役割などがある。

【００２４】この２つの役割を果たす材料としては、主
にＳｉＯ₂ 系材料が用いられるが、導体膜（６）より導
電性の小さい、すなわち、絶縁性が大きいものであれば
何でもよく、その他にもＩＴＯ（ＩｎＯ₃ −ＳｎＯ
₂ ）、Ａｌ２Ｏ₃ 、ＭｇＦ₂ 、ＳｉＯＮ、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、
燐（Ｐ）、チタン（Ｔｉ）、ボロン（Ｂ）、ゲルマニウ
ム（Ｇｅ）などドーピングしたＳｉＯ₂ が用いられ、そ
の堆積方法にはＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法な
どを用いる。電極（４ａ）（４ｂ）の材料としては、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ、ＷＳｉ、ＩＴＯ、ＺｎＯ系材
料、導電性高分子などの各種の導電性物質が用いられ
る。

【００２５】また、導体膜（６）には、本実施例ではＳ
ｉを用いたが、その他にＡｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ、ＷＳ
ｉなどの金属材料、ＩＴＯ、ＺｎＯ系、導電性高分子、
及びＳｉなどの半導体材料など導電性を有するものが用
いられる。また、本実施例における絶縁部（７）は、導
体膜（６）が無いことで形成されており、バッファ層
（３）により電極（４ａ）（４ｂ）間の絶縁を得てい
る。なお、絶縁部（７）は通常のフォトリソグラヒィ法
を用いて形成した。なお、用いられる基板はＬｉＮｂＯ
₃ 基板に限らず、ＬｉＴｉＯ₃ など焦電効果を有する基
板なら何でもよいことは明らかである。また、絶縁部の
箇数は２箇所でなくそれ以上であっても得られる効果は
同一であることは明らかである。

【００２６】本発明の実施例において、導体膜（６）が
電極（４ａ）（４ｂ）間の絶縁がごく１部のみで行われ
ている場合には、温度ドリフトの原因である焦電効果に
より発生する電荷の局在はおこらず、電荷は基板（１）
の表面に一様に分布し温度ドリフトは発生しないことを
見い出だした。従って、従来構造では電極（４ａ）（４
ｂ）間のリーク電流による動作不良を避けるために、導
体膜（６）による電極（４ａ）（４ｂ）間の抵抗を１０
⁷ 〜１０¹⁰Ωにする必要があり、これを実現するために
導体膜（６）の材料に制約を受けたり、抵抗値の制御を
行うために温度管理が厳しい熱処理などの製造工程を加
える必要があるため、製造工程が煩雑化し、またデバイ
スの歩留まりも劣化していた。本発明を用いれば、導体
膜の材料や抵抗に与えられていた制約を無くすることが
でき、生産歩留まりが向上する光制御デバイスを得るこ
とができる。

【００２７】また、図１の構造では、外部印加電圧の降
下は、導体膜（６）と絶縁部（７）の抵抗値の関係か
ら、導体膜（６）は小さく、絶縁部（７）が大きいこと
は自明である。従って、ＤＣドリフトの発生原因である
印加電圧による不純物などのキャリアの移動が容易にな
される導体膜（６）の膜中、導体膜（６）の表面や導体
膜（６）と接している層との界面における電圧が従来構
造より小さくなる。よって、キャリアの移動が抑圧さ
れ、ＤＣドリフトが小さい光制御デバイスを得ることが
できる。

【００２８】［実施例２］図２（ｂ）は、本発明のもう
一つ実施例に係わる光制御デバイスの構造を示す断面図
である。図２（ｂ）では、２箇所の絶縁部（７）が電極
（４ａ）（４ｂ）の近傍に形成されて、また、電極（４
ａ）（４ｂ）間のバッファ層（３）の１部が他の部分の
バッファ層（３）の厚さに比べて薄くなっている。図２
（ｂ）では、温度ドリフト、ＤＣドリフト、及び低電圧
駆動化に関する効果は、図１に示した実施例と比べてさ
らに低電圧駆動化が得られる。

【００２９】駆動電圧を決める外部電圧印加に対する２
本の光導波路（２ａ）（２ｂ）の間に発生する電位差
は、電極（４ａ）（４ｂ）間を導体膜（６）で導通させ
ている場合には、導体膜（６）による基板（１）に対し
て垂直と水平方向のそれぞれの電圧降下分で決まる。し
かしながら、本発明では、基板（１）に対して水平方向
の導体膜（６）にはほとんど電圧が印加されないため、
基板（１）に対して垂直方向及び水平方向の電圧降下は
バッファ層（３）でなされる。

【００３０】図２（ｂ）では、電極（４ａ）（４ｂ）間
のバッファ層（３）が他の部分のバッファ層（３）の厚
さに比べて薄くなっており、かつ２箇所の絶縁部（７）
が電極（４ａ）（４ｂ）の近傍で薄くなったバッファ層
（３）の上に形成されている。このとき電極（４ａ）
（４ｂ）間のバッファ層（３）の１部が薄くなっている
ため、水平方向の抵抗値は大きくなり、外部印加電圧の
水平方向の電圧降下は大きくなる。この構造により、基
板（１）に対して垂直方向の電圧降下はバッファ層
（３）と比較して抵抗値の小さい導体膜（６）でほぼ決
まり、基板（１）に対して水平方向の電圧降下は抵抗値
の大きい薄くなったバッファ層（３）で決まる。従って
さらに低電圧駆動が得られる。

【００３１】本発明の実施例では、バッファ層（３）に
はＳｉＯ₂ を用い、バッファ層（３）の１部を薄くする
には、通常のフォトリソグラヒィ法を用いてた。また、
基板（１）、光導波路（２ａ）（２ｂ）、導体膜（６）
には図１に示した実施例と同じものを用いた。

【００３２】［実施例３］図３（ｂ）は、本発明のもう
一つ実施例に係わる光制御デバイスの構造を示す断面図
である。図３（ｂ）では、２箇所の絶縁部（７）が電極
（４ａ）（４ｂ）の近傍に形成されて、また、電極（４
ａ）（４ｂ）間のバッファ層の１部が除去され、その部
分にバッファ層（３）より絶縁性の高い材料（８）（今
後「絶縁材」と呼ぶ）が形成されている。バッファ層
（３）の厚さを薄した図２（ｂ）の構造に比べて容易に
基板（１）に対して水平方向の抵抗値を大きくできるた
め、低電圧駆動を簡単に得ることができる。

【００３３】すなわち図３（ｂ）では、電極（４ａ）
（４ｂ）間のバッファ層（３）が除去され、そこに絶縁
材（８）が形成され、かつ２箇所の絶縁部（７）が電極
（４ａ）（４ｂ）の近傍で絶縁材（８）の上に形成され
ている。この構造により、基板（１）に対して垂直方向
の電圧降下はバッファ層（３）と比較して抵抗値の小さ
い導体膜（６）でほぼ決まり、基板（１）に対して水平
方向の電圧降下は抵抗値の大きい絶縁材（８）で決ま
る。従って、比較例である図３（ａ）よりさらに低電圧
駆動が得られる。さらに図３では、バッファ層には燐
（Ｐ）をドーピングしたＳｉＯ₂ （今後「ＰＳＧ」と呼
ぶ）を、絶縁材には何もドーピングしないＳｉＯ₂ （今
後「ＮＳＧ」と呼ぶ）を用いた。ＰＳＧは燐（Ｐ）の濃
度を選ぶことにより、ＮＳＧより抵抗値を５分の１から
１０００万分の１程度まで小さくできる。つまり、基板
（１）に対して水平方向の電位差を限りなく外部印加電
圧と同じ大きさにできる。従って、低電圧駆動が可能に
なる。

【００３４】バッファ層（３）の１部の除去や絶縁材
（８）の形成には、通常のフォトリソグラヒィ法を用い
てた。また、光導波路（２ａ）（２ｂ）、導体膜（６）
の形成には図１に示した実施例と同じ材料と形成方法を
用いた。なお、バッファ層（３）と絶縁材（８）の材料
の組み合わせは、バッファ層（３）と絶縁材（８）が導
体膜（６）より導電性が小さく、かつ絶縁材（８）がバ
ッファ層（３）より絶縁性が大きければ何でもよく、限
定されないのは明らかである。

【００３５】［実施例４］図４（ｂ）は、本発明のもう
一つ実施例に係わる光制御デバイスの構造を示す断面図
である。図４（ｂ）では、電極（４ａ）（４ｂ）のバッ
ファ層（３）が除去されており、かつ２箇所の絶縁部
（７）が電極（４ａ）（４ｂ）の近傍の基板（１）の表
面に形成されている。従って、この構造により基板
（１）に対して垂直方向の電圧降下は、すべて導体膜
（６）で決まり、基板（１）に対して水平方向の電圧降
下は通常はバッファ層（３）よりも抵抗値の大きい基板
（１）で決まる。

【００３６】なお、バッファ層（３）の１部を除去する
には、通常のフォトリソグラヒィ法を用いた。また、基
板（１）、光導波路（２ａ）（２ｂ）、導体膜（６）に
は図１と同一の材料と形成方法を用いた。

【００３７】図４（ｂ）では、基板（１）、光導波路
（２ａ）（２ｂ）、導体膜（６）には図１と同じものを
用いたが、ＬｉＮｂＯ₃ 基板（１）の体積抵抗率は、Ｓ
ｉＯ₂バッファ層（３）の体積抵抗率より２倍から１０
００倍大きい。従って、比較例である図４（ａ）よりさ
らに低電圧駆動が得られる。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、温
度ドリフトを抑圧するための導体膜の抵抗に与えられて
いた制限を無くすとともに、温度ドリフトはもちろんの
ことＤＣドリフトも抑圧し、さらに低い駆動電圧が得ら
れる高信頼で低駆動電圧の光制御デバイスを提供するこ
とができるという効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一つの実施例の光制御デバイスの構造
を示す断面図

【図２】本発明のもう一つの実施例の光制御デバイスの
構造を示す断面図

【図３】本発明のもう一つの実施例の光制御デバイスの
構造を示す断面図

【図４】本発明のもう一つの実施例の光制御デバイスの
構造を示す断面図

【図５】従来例の光制御デバイスの構造を示す断面図

【図６】従来例の光制御デバイスの構造を示す断面図

【図７】従来例の光制御デバイスの構造を示す断面図

【符号の説明】

１基板２ａ、２ｂ光導波路３バッファ層４ａ、４ｂ電極５光回路６導体膜７絶縁部８絶縁材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】焦電効果を有する基板表面に形成された光
導波路と、前記光導波路の近傍に形成された少なくとも
１対の電極と、少なくとも前記基板と前記電極の間に形
成された膜体と、前記１対の電極の近傍を覆い前記膜体
より導電性の大きい導体膜とを有し、前記導体膜は前記
１対の電極のそれぞれの電極近傍で絶縁されていること
を特徴とする光制御デバイス。
【請求項２】焦電効果を有する基板表面に形成された光
導波路と、前記光導波路の近傍に形成された少なくとも
１対の電極と、少なくとも前記基板と前記電極の間に形
成された膜体と、前記１対の電極の近傍を覆い前記膜体
より導電性の大きい導体膜とを有し、前記導体膜は前記
光導波路の近傍で絶縁されていることを特徴とする光制
御デバイス。
【請求項３】請求項１又は２に記載の光制御デバイスに
おいて、前記導体膜は少なくとも前記１対の電極間に形
成されていることを特徴とする光制御デバイス。
【請求項４】請求項１、２又は３に記載の光制御デバイ
スにおいて、前記１対の電極間に形成された膜体の厚さ
が前記１対の電極近傍まで他の部分に形成された前記膜
体の厚さより薄く形成され、かつ前記導体膜が前記薄く
形成された膜体上で絶縁されていることを特徴とする光
制御デバイス。
【請求項５】焦電効果を有する基板表面に形成された光
導波路と、前記光導波路近傍に形成された少なくとも１
対の電極と、少なくとも前記基板と前記電極の間に形成
された膜体と、前記基板上かつ前記１対の電極間に形成
され前記膜体より絶縁性の高い絶縁材と、前記絶縁材上
に形成され前記膜体より導電性の大きい導体膜とを有
し、前記導体膜は前記１対の電極のそれぞれの電極近傍
で絶縁されていることを特徴とする光制御デバイス。
【請求項６】焦電効果を有する基板表面に形成された光
導波路と、前記光導波路近傍に形成された少なくとも１
対の電極と、少なくとも前記基板と前記電極の間に形成
された膜体と、前記基板上かつ前記１対の電極の間に形
成され前記膜体より絶縁性の高い絶縁材と、前記膜体よ
り導電性が大きく前記１対の電極の近傍を覆う導体膜と
を有し、前記導体膜は前記１対の電極の間で前記絶縁材
上に形成され、かつ、前記電極近傍で絶縁されているこ
とを特徴とする光制御デバイス。
【請求項７】焦電効果を有する基板表面に形成された光
導波路と、前記光導波路近傍に形成された少なくとも１
対の電極と、少なくとも前記基板と前記電極の間に形成
された膜体と、前記基板上かつ前記１対の電極の間に形
成され前記膜体より絶縁性の高い絶縁材と、前記膜体よ
り導電性が大きく前記１対の電極の近傍を覆う導体膜と
を有し、前記導体膜は前記１対の電極の間で前記絶縁材
上に形成され、かつ、前記光導波路近傍で絶縁されてい
ることを特徴とする光制御デバイス。