JPH1055506A

JPH1055506A - 磁気ヘッドならびにその製造方法および製造装置

Info

Publication number: JPH1055506A
Application number: JP10361797A
Authority: JP
Inventors: Yoshimi Kawanami; 義実川浪; Koji Takano; 公史高野; Kaoru Umemura; 馨梅村; Yuichi Madokoro; 祐一間所; Satoshi Tomimatsu; 聡富松
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-04-25
Filing date: 1997-04-21
Publication date: 1998-02-24

Abstract

(57)【要約】【課題】狭トラック幅を有する低コストの磁気ヘッド
ならびその製造方法および製造装置を提供すること。【解決手段】磁気ヘッドのヘッド磁極１１、１２のト
ラック幅を決定する一対の溝加工６、７において、上記
一対の溝のパターンを持つマスクを縮小投射するイオン
ビームを形成できる装置を作り、この投射イオンビーム
を照射することによって磁気ヘッドの狭トラック化加工
を行う。この投射イオンビームを用いると、ビームの中
心部が高精度に加工でき、かつ同じ精度を出せる集束イ
オンビームに比較して、全イオンビーム電流が一桁以上
大きくできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録に用いる磁
気ヘッドならびにその製造方法および製造装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気記録の高密度化を図るために
磁気ヘッドのトラック幅を微細化（狭トラック化）する
方法として、特開平３−２９６９０７が知られている。
この従来例では、磁気ヘッドの摺動面に、サブμｍのビ
ーム径を有する集束イオンビームを照射してスパッタ加
工により一対の溝を形成し、この溝によって磁気ヘッド
のトラック幅を規定する。この方法は、直接加工である
ためにプロセスが簡単であり、かつ微細性、制御性に優
れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来方法
では、微細加工のために集束イオンビームの電流を絞ら
なければならず、スループットが低い問題があった。す
なわち、これを製造ラインへ適用するには、生産許容コ
ストに対して、スループットが大きく不足していた。

【０００４】本発明の課題は、狭トラック幅を有する低
コストの磁気ヘッドならびにその製造方法および製造装
置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、磁気ヘッ
ドにおいて媒体との摺動面の一部に設けるほぼ対称な配
置の二つの溝を、マスクを縮小投射するイオンビームに
よって一括加工することにより達成される。

【０００６】上記の課題は、磁気ヘッドにおいて媒体と
の摺動面の一部に設ける一つ以上の溝を、マスクを縮小
投射するイオンビームによって加工することにより達成
される。また、本発明の好ましい態様ではこれらの溝に
非磁性の物質が充填されている。

【０００７】磁気ヘッドを狭トラック化する溝加工にお
いては、トラック幅を決定する一対の溝の内側周辺部分
に高精度が要求されるが、溝の外側周辺部の形状はそれ
ほど問われない。本発明は、この点に着目し、集束イオ
ンビーム装置を応用して、上記一対の溝のパターンを持
つマスクを縮小投射するイオンビームを形成する装置を
作り、この投射イオンビームを照射することによって磁
気ヘッドの狭トラック化加工を行うようにしたものであ
る。

【０００８】この投射イオンビームを用いると、トラッ
ク幅を決定する一対の溝の中央部が、ビームの中心部と
なるので、当該部分が高精度に加工でき、かつ同じ精度
を出せる集束イオンビームに比較して、全イオンビーム
電流が一桁以上大きくできる。

【０００９】一般に投射イオンビームは集束イオンビー
ムに比較して電流密度は低いが、広い領域のパターンを
高い分解能で一括照射できることが知られている。しか
し、投射イオンビームでは、パターンの周辺歪みが大き
く電流密度が一様でないため、加工に用いると周辺部が
余分に掘れてしまう。このような特性は一見不都合に思
えるが、本発明は、投射イオンビームを磁気ヘッドの狭
トラック加工に用いると、上記不都合を長所として活か
せることを発見したものである。すなわち、本発明の基
本的知見は、この投射イオンビームの一括照射可能領域
を数μｍの大きさに限定することによって、集束イオン
ビームより高いエッジ分解能でかつ高いビーム電流を持
つ投射イオンビームを形成できる装置の設計条件を設定
し得ることを見い出したことにある。

【００１０】磁気ヘッドを狭トラック化するために、数
μｍの大きさの一対の溝を形成する場合、溝の辺の内ト
ラック幅を決定する部分には０．１μｍのオーダーの高
精度が要求される。この点で、上記投射イオンビームは
中心部で歪みが１０ｎｍ程度とほとんど無視できるので
必要条件を満足する。一方、溝の周辺部は、掘り込んだ
ことによって磁極からの磁界のもれを少なくする目的を
持つため、深めに掘れた方が良い。上記投射イオンビー
ムでは自然にこの条件を満たしている。溝の周辺の形状
歪みはほとんど問題にならないが、磁極の加工形状を正
確に制御するには、イオンで投射するマスクのパターン
形状をあらかじめ歪みとは逆方向に変形させておくこと
で解決できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面によって詳細に説明する。

【００１２】実施例１図１は、本発明の第１の実施の形態として、投射イオン
ビームの照射によりスパッタ加工中の記録再生分離型薄
膜磁気ヘッドを摺動面側から観察した斜視図である。こ
の磁気ヘッドは、アルミナチタンカーバイドのスライダ
基体１の上に再生ヘッド２、記録ヘッド３、そしてアル
ミナの保護層４を順に積層した後に、これを切断して、
その切断面を研磨して作成する。この切断面が摺動面で
ある。記録ヘッド１は、アルミナのギャップ層１０を介
して対向する二つのパーマロイの磁極１１と１２からな
る。磁極１１、１２を取り巻くコイルは内部にあるので
見えない。再生ヘッド２は、銅の電極２１と２２に接続
された磁気抵抗素子２０をアルミナの絶縁層を介してパ
ーマロイの磁気シールド層２３と２４で挟んだものであ
る。下部磁極１２は上部磁気シールド層２３を兼ねてい
る。投射イオンビームで加工する前のトラック幅は、記
録ヘッド３が１０μｍ、再生ヘッド２が３μｍである。

【００１３】図１の磁気ヘッドでは、投射イオンビーム
１００の照射によるスパッタ加工で、再生ヘッド２の中
心を基準に、大きさ１０μｍ角で深さ２μｍの二つの矩
形溝６と７が形成されている。これにより、記録ヘッド
と再生ヘッドのトラック幅は、凸部５で規定され、とも
に２μｍになっている。加工に用いた投射イオンビーム
１００のイオン種はＧａであり、加速電圧３０ｋＶ、ビ
ーム電流１５ｎＡに設定した時の加工パターンのエッジ
のボケは０．０５μｍである。図１の溝加工に要した時
間は約３０秒である。これは、ビーム径０．１μｍ、ビ
ーム電流１ｎＡのＧａ集束イオンビームで加工した場合
と比較すると、１５倍の加工速度、２倍の加工分解能で
あり、また材料毎のスパッタ率の差が緩和されてより平
坦な加工ができている。

【００１４】本発明による第１の実施形態である、図１
の加工方法によれば、記録再生分離型薄膜磁気ヘッドの
トラック幅を高いスループットで狭くでき、かつ正確に
再生ヘッドと記録ヘッドの中心を揃える効果がある。ま
た、狭く加工したヘッドのエッジがシャープなので、漏
洩磁場を少なくできる効果がある。なお、投射イオンビ
ーム形成に使うマスクの開孔形状を替えることにより、
再生ヘッドと記録ヘッドのトラック幅を変えられること
は自明である。

【００１５】また、図１では、記録ヘッドの磁極と再生
ヘッドの磁気シールドの両方を加工する例を示したが、
磁極のみの加工でもトラック幅を狭くする効果がある。
さらに、マスクの開孔形状を変えることによりトラック
幅と垂直方向に磁極をトリミング加工できることは自明
である。

【００１６】ここで、実施例で用いたヘッドのスライダ
基体であるアルミナチタンカーバイドは非導電性の材料
であるため、イオンビーム加工中に試料がチャージアッ
プして精度良く溝を形成することができなくなるとの見
方もあったが、実際の加工では特に支障はなかった。こ
れはイオンビームの対称性が良いこと、さらにパーマロ
イの磁極がチャージを放電しているためと考えられる。
図１の実施の形態よりさらに高精度の加工を行う場合
は、電子照射によって帯電を中和したり、あらかじめＡ
ｕ蒸着層を付けてチャージを放電させる等の対策が望ま
しい。

【００１７】実施例２次に、図１の加工方法に用いた本発明の磁気ヘッド加工
装置について述べる。

【００１８】図２は、図１の磁気ヘッドの加工に用いた
本発明の磁気ヘッド加工装置の全体構成を表す斜視図で
ある。本装置の主要部分は、投射イオンビーム光学系２
００、試料ホルダ２１０、試料ステージ２１１、レーザ
測長器２１２、レーザ顕微鏡カメラ２２０、ガス源２３
０であり、これらの大部分は図示しない高真空容器内部
に配置されている。これらを制御する回路は、位置検出
コントローラ２４１、イオンビームコントローラ２４
２、ステージコントローラ２４３、測長コントローラ２
４４、ガス源コントローラ２４５、および、これら全体
を制御する制御回路２４０から構成されている。試料で
ある磁気ヘッドはアレイ状につながっており、それらを
束ねてエレクトロワックスで試料ホルダ２１０に固定さ
れている。

【００１９】ここで、磁気ヘッドの狭トラック加工の手
順を説明する。まず、あらかじめ磁気ヘッドアレイ上の
全ての再生ヘッドの中心位置を０．０５μｍの精度で測
定しておく。このために制御回路２４０は、ステージコ
ントローラ２４３にあらかじめ大体の磁気ヘッドの位置
データを与えて試料ステージ２１１を移動させ、そこで
レーザ顕微鏡カメラ２２０によって試料像を取り込み位
置検出コントローラ２４１に送る。位置検出コントロー
ラ２４１は、試料像から再生ヘッドの中心位置のずれを
読み取って制御回路２４０に送る。制御回路２４０は、
この位置ずれと、レーザ測長器２１２で測定したステー
ジ位置座標と、あらかじめ決めてある再生ヘッドの中心
位置と加工パターン中心のオフセットとを加算して磁気
ヘッド毎に割り当てられた内部メモリに蓄える。以上の
ようにして、測定した全ての再生ヘッドの中心のステー
ジ座標をもとに、試料ステージ２１１を移動させ、任意
の磁気ヘッドを投射イオンビーム光学系２００の直下に
置いて投射イオンビームを試料に照射し、これを加工す
る。ここで、制御回路２４０は、投射イオンビームの中
心と各磁気ヘッドの中心との位置ずれの情報をイオンビ
ームコントローラ２４２に与え、投射イオンビームを照
射する位置を補正する。

【００２０】本発明で特徴的なのは、投射イオンビーム
光学系２００により、高スループットの加工ができるこ
とにある。その内部構成を図３に示す。

【００２１】Ｇａの液体金属イオン源２０１から放出さ
れたイオンビーム２０２は照射レンズ系２０３、すなわ
ち４枚の軸対象電極で構成される静電レンズ（加速レン
ズとアインツエルレンズの複合レンズ）によって収束さ
れてマスク２０４に照射される。ここで、照射レンズ系
２０３は、イオンビーム２０２を加速電圧３０ｋＶに加
速して投射レンズ２０６の中心に収束するように調整さ
れている。イオンビーム２０２のうち、マスク２０４の
開口２０５を透過したイオンビーム１００は、投射レン
ズ２０６、すなわち３枚の軸対象電極で構成される静電
レンズ（アインツエルレンズ）によって試料上に照射さ
れる。

【００２２】ここで、投射レンズ２０６は、マスク２０
４のパターンを試料２０７上に倍率１０分の１で縮小投
射するように調整されている。この投射レンズ２０６の
下には、図示しない静電偏向器が備えられており、試料
２０７上でのイオンビーム１００の照射位置を５０μｍ
の範囲で移動できる。また、投射レンズ２０６上には、
図示しないブランキング用偏向器が設置されており、投
射イオンビーム１００の試料２０７上への照射のオン、
オフを切り替える。

【００２３】加工に用いた投射イオンビーム１００のビ
ーム電流は１５ｎＡで、加工パターンのエッジのボケは
０．０５μｍである。加工の位置設定精度は０．０５μ
ｍである。図１の溝加工に要した時間は約３０秒であ
る。なお、磁気ヘッドに投射イオンビームを照射する時
にガス源２３０から塩素ガスを吹き付けると、磁極およ
び磁気シールドが２倍速く加工され加工時間は約１５秒
で済んだ。

【００２４】以上、図２および図３の実施例によれば、
磁気ヘッドのトラック幅を狭くする加工を、正確に位置
決めして高いスループットで行える効果がある。

【００２５】なお、本実施例では、磁気ヘッドの中心位
置を一つずつ読み取ったが、磁気ヘッドアレイ内で各磁
気ヘッドの配置精度が十分高ければ、少なくとも二つの
磁気ヘッドの中心位置を読み取るだけでも良い。また、
磁気ヘッドそのものの位置を読み取る代わりにあらかじ
め磁気ヘッドアレイ上に設けた二つ以上の位置検出用マ
ークの位置を読み取ることでも代用できる。

【００２６】さらに、本実施例では、レーザビームを用
いて、磁気ヘッドの位置を読み取ったが、帯電によるダ
メージに気をつければ、電子ビームやイオンビームを使
って磁気ヘッドの位置を読み取ることでも課題は達成さ
れる。このようなイオンビームには、本実施例の投射イ
オンビーム光学系２００においてマスク２０４を円形開
孔の絞りに変更し、かつレンズ系の強度を設定しなおし
て集束イオンビームを形成して使うことも可能である。

【００２７】また、本実施例では、磁気ヘッドの磁極を
加工するために、磁気ヘッドの摺動面から投射イオンビ
ームによって加工したが、磁気ヘッド製造の前段階（ウ
エハ状のスライダ基体に磁極が積層された状態）におい
て磁極の積層面に垂直な方向から投射イオンビームによ
って加工することも可能である。この場合は各磁気ヘッ
ドへの切断時のマージンを考慮して磁極部分の加工体積
が多くする必要があるので若干スループットは低下する
が本実施例と同様の効果が得られる。

【００２８】実施例３図４は、本発明の第２の実施に形態として、投射イオン
ビーム照射によりスパッタ加工した記録再生分離型薄膜
磁気ヘッドをさらに加工する例を示すものであり、記録
再生分離型薄膜磁気ヘッドを摺動面側から観察した斜視
図である。この加工に用いた投射イオンビーム装置の構
成は、図２および図３に既に示したものと同様で良い。
この加工においては、投射イオンビーム１００を磁気ヘ
ッドに照射しながら、数種類の堆積性ガス１０１を切り
替えて照射する。

【００２９】本実施例で特徴的なことは、同じ投射イオ
ンビーム装置において、磁気ヘッドのトラック幅を狭く
する加工に連続して、漏洩磁界を防ぐ磁気シールド形成
加工をすることである。溝加工後、まずＣＯガス１０１
を吹き付けながら、投射イオンビーム１００を照射し
て、絶縁性のＣ膜を溝６’、７’の中に形成する。その
後ガス１０１をＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ（カッパー・
ヘキサフルオロアセチルアセトネート・トリメチルビニ
ルシレーン）に切り変えて、良導電性のＣｕ膜を形成す
る。それぞれの加工時間は約２秒と約５秒である。

【００３０】Ｃ膜は、磁極１１、１２を通して、磁気抵
抗素子２０が短絡するのを防ぐものである。Ｃｕ膜の形
成時に、試料を赤外線ランプで１００℃程度まで昇温す
ると、膜の導電性がバルクのＣｕと近い値にできた。こ
の良導電性のＣｕ膜により、記録ヘッドを２０ＭＨｚ以
上の高周波で動作させたときに、ヘッドの凸部以外から
の漏洩磁界が９０％以上遮断できた。

【００３１】以上、図４の実施例によれば、トラック幅
が狭く、かつ高周波領域で漏洩磁界の小さい磁気ヘッド
が、同一の装置内で作成できるのでプロセスを簡略化し
コストを下げる効果がある。

【００３２】実施例４図５は、第２の実施形態の製造方法に用いる磁気ヘッド
加工装置の本体部分の構成を表す斜視図である。本装置
の大部分は実施例２の装置と同じであるが、照射レンズ
系２０３’が非軸対象である点が異なる。照射レンズ系
２０３’は２枚の軸対象電極で構成される静電レンズ
（加速レンズ）と２段の４重極レンズで構成されてい
る。この２段の４重極レンズを用いたことで、実施例２
と同じようにイオンビーム２０２’を投射レンズ２０６
の中心に集束する条件下で、マスク２０４上でのイオン
ビームの形状を円から楕円に変えることができる。

【００３３】図５の実施例で特徴的なことは、非軸対称
の照射レンズ系２０３’を用いたことにより、マスク２
０４上の非軸対称の開孔パターン２０５に合わせてイオ
ンビームを照射することが可能となったことである。実
施例１の装置と比較すると、同じ加工パターンに対して
約２倍のイオン電流を試料２０７に照射できた。

【００３４】以上、実施例４によれば、磁気ヘッドのト
ラック幅を狭くする加工において、イオンビームを効率
良く使用して、高いスループットが得られる効果があ
る。

【００３５】実施例５図６（ａ）に投射イオンビームによって溝を加工した後
の本発明の磁気ヘッドの斜視図を示す。本実施例では、
上部記録ヘッド磁極１１と下部記録ヘッド磁極１２の一
部のみを加工し、再生ヘッドには加工を施さない。これ
によって、イオン照射に起因する磁気抵抗素子２０のダ
メージを避けている。溝６、７の深さは約１．０μｍで
ある。図６（ａ）の磁気ヘッドのＡ−Ａ’縦断面を図６
（ｂ）に示す。Ａ−Ａ’断面の構造は溝加工前と同じで
ある。コイル１３に流れる電流によって発生する磁場は
磁極１１、１２の内部を通過し、ギャップ層１０の端部
で外部に漏れる。このもれ磁場により、図示しない媒体
に情報が記録される。

【００３６】溝加工によって形成した摺動面凹部６、７
では記録磁極１１、１２が後退するため、摺動面凸部５
の記録磁極１１、１２の間では磁界が集中する。すなわ
ち、狭いトラック幅が達成できる。図７（ａ）に投射イ
オンビームによって溝を加工した後の本発明の磁気ヘッ
ドの摺動面側正面図を示す。一つの溝の大きさは縦３μ
ｍ、横２μｍで、二つの溝の間隔は１μｍである。図７
（ｂ）にはこの磁気ヘッドのＢ−Ｂ’横断面図を示す。
投射イオンビームで加工した溝のエッジは１０ｎｍ程度
のボケしかなく、磁極１１の凹部５の側壁６−１、７−
１にはスパッタで自然にできる約８０度の角度がつく
が、非常に高精度である。したがって、本磁気ヘッドで
は、０．１μｍ以下の精度でトラック幅Ｔを１．０μｍ
にできた。ここで、加工に用いた投射イオンビームの電
流は５０ｎＡであり、電流密度は４００ｍＡ／ｃｍ²に
近い。加工時間は約３．５秒であった。加工パターンの
周辺で、０．１μｍから０．２μｍの内向き歪みが生じ
たため、溝６、７の外側６−２、７−２に向かうにつれ
てビームの電流密度が高まって６−２、７−２では約
０．２μｍ深く掘れた。しかしこの溝深さの分布によっ
ては、本磁気ヘッドの磁気特性はほとんど変化しなかっ
た。

【００３７】ここで、本発明の磁気ヘッドを、同様の加
工を集束イオンビームで行った場合の磁気ヘッドと比較
してみる。集束イオンビームで加工した磁気ヘッドの摺
動面側の正面図を図８μ（ａ）に示す。まず最初に太く
て電流の大きいビーム（電流１０ｎＡでビーム径１μ
ｍ）で溝６、７の加工を行った。このときのＢ−Ｂ’断
面を図８（ｂ）に示す。トラック幅Ｔは加工領域のエッ
ジの１μｍ程度のボケにより明確でない。実際、磁極凸
部５への磁界集中が十分でないため、実効的なトラック
幅は１μｍより大きくなってしまった。そこでさらに図
８（ａ）の溝８、９をさらに細いビーム（電流１ｎＡで
ビーム径０．１μｍ）で磁極凸部５の両サイドを追加工
した。これにより、図８（ｃ）のようなトラック幅Ｔが
明確な磁極となった。このように集束イオンビームによ
ってもトラック幅の狭い磁極は形成できるが、電流の少
ないイオンビームで加工をするため、スループットが低
い。また、トラック幅の狭い磁極５ができても、その両
サイドに深い溝８−１、９−１が生じるために、前述の
投射イオンビームで加工する場合に比べて、磁界の集中
が悪く、記録用の磁界強度が低下する。そのため、本発
明の磁気ヘッドでは、横方向のもれ磁界の少なく、かつ
トラック幅が狭くできる。

【００３８】なお、本発明の磁気ヘッドでは、磁気抵抗
素子２０が電気的に破壊するのを防ぐため、溝形成直後
に摺動面全体にダイヤモンドライクカーボンの保護膜を
形成することができる。しかし、本実施例のように再生
ヘッドの部分に溝加工を行わない場合には、保護膜を先
につけてから加工することも可能である。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば、微細トラック幅に対応
する磁気ヘッドを実用的なコストで提供できるので、こ
れを搭載する磁気ディスク装置の大記憶容量化、低コス
ト化を可能とする効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る製造方法を示す
磁気ヘッドの磁極部の斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施形態に係る製造方法に用い
る磁気ヘッド加工装置の構成図である。

【図３】図２の磁気ヘッド加工装置の投射イオンビーム
光学系の斜視図である。

【図４】本発明の第２の実施形態に係る製造方法を示す
磁気ヘッドの磁極部の斜視図である。

【図５】本発明の磁気ヘッド加工装置の投射イオンビー
ム光学系の他の実施例を示す斜視図である。

【図６】投射イオンビームで加工後の本発明の磁気ヘッ
ドの斜視図（ａ）および縦断面図（ｂ）である。

【図７】投射イオンビームで加工後の本発明の磁気ヘッ
ドの摺動面側の上面図（ａ）および横断面図（ｂ）であ
る。

【図８】集束イオンビームで加工後の磁気ヘッドの摺動
面側の上面図（ａ）および横断面図（ｂ）、（ｃ）であ
る。

【符号の説明】

１…スライダー基体、２…再生ヘッド、３…記録ヘッ
ド、４…保護層、５…摺動面凸部、６、６’、７、
７’、８、８’、９、９’…摺動面凹部、１０…ギャッ
プ層、１１…上部記録ヘッド磁極、１２…下部記録ヘッ
ド磁極（兼シールド層）、１３…コイル、２０…磁気抵
抗素子、２１、２２…電極、２３…上部磁気シールド
層、２４…下部磁気シールド層、１００…投射イオンビ
ーム、１０１…堆積性ガス、２００…投射イオンビーム
光学系、２０１…液体金属イオン源、２０２…イオンビ
ーム、２０３、２０３’…照射レンズ系、２０４…マス
ク、２０５…マスクの開孔、２０６…投射レンズ、２０
７…試料、２１０…試料ホルダ、２１１…試料ステー
ジ、２１２…レーザ測長器、２２０…レーザ顕微鏡カメ
ラ、２３０…ガス源、２３１…反応性ガス、２４０…制
御回路、２４１…位置検出コントローラ、２４２…イオ
ンビームコントローラ、２４３…ステージコントロー
ラ、２４４…測長コントローラ、２４５…ガス源コント
ローラ、２４６…モニタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者間所祐一東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者富松聡東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体への磁気情報の記録、再生動
作を行う磁気ヘッドにおいて、該磁気ヘッドの該媒体と
の摺動面の一部に一つ以上の溝が設けられており、この
溝はマスクを縮小投射するイオンビームを照射すること
により加工されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】ヘッド磁極のトラック幅が摺動面に設けら
れた一対の溝の間隔で規定されていることを特徴とする
請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】上記溝が、上記イオンビームの照射と同時
にエッチング性ガスまたは堆積性ガスの少なくとも一方
を照射することにより形成されていることを特徴とする
請求項１または請求項２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】上記溝の一部あるいは全部が非磁性材料で
埋められており、該非磁性材料は上記イオンビームの照
射と同時に堆積性ガスを照射することにより形成されて
いることを特徴とする請求項１または請求項３記載の磁
気ヘッド。
【請求項５】磁気ヘッドは記録再生分離型の薄膜磁気ヘ
ッドであり、再生ヘッドの中心位置を基準に上記溝が加
工されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４
のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項６】（１）磁気ヘッドを構成する基体となる基
板上に、磁気抵抗効果を有する薄膜とこれを絶縁層を介
して両側から挟んだ軟磁性部材からなる磁気抵抗効果型
再生ヘッドを形成し、この上に磁極とこれに鎖交する導
電性パターンからなる誘導型記録ヘッドを積層する工程
と、（２）上記両ヘッドを積層した基体を所望の形状に
切断して、媒体対抗面となる断面に上記両ヘッドの構成
部材を露出させる工程と、（３）上記媒体対抗面に露出
した再生ヘッドの中心位置を検出した後、該中心位置を
基準に上記断面へマスクを縮小投射するイオンビームを
照射して、上記記録ヘッドの構成部材を含む上記断面の
一部に凹部を設け、凹部に挟まれた両ヘッドの構成部材
を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項７】マスクのパターンを縮小投射するイオンビ
ームを形成する手段と、磁気ヘッドにおける媒体との摺
動面上の特徴位置を検出する手段と、該磁気ヘッドの特
徴位置を基準に任意の位置に上記イオンビームを照射す
る手段とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造装
置。
【請求項８】上記磁気ヘッドにエッチング性ガスまたは
堆積性ガスの少なくとも一方を吹き付ける手段を有する
ことを特徴とする請求項７記載の磁気ヘッドの製造装
置。
【請求項９】上記マスクのパターンを縮小投射するイオ
ンビームを形成する手段が、液体金属イオン源またはプ
ラズマイオン源と、照射レンズ系と、非軸対称の開孔パ
ターンを持つマスクと、軸対象の投射レンズ系、および
偏向器とで構成されることを特徴とする請求項７記載の
磁気ヘッドの製造装置。
【請求項１０】上記照射レンズ系が非軸対称であること
を特徴とする請求項９記載の磁気ヘッドの製造装置。
【請求項１１】磁気記録媒体への磁気情報の記録、再生
動作を行う磁気ヘッドにおいて、該磁気ヘッドの該媒体
との摺動面の一部に、ヘッド磁極のトラック幅を規定す
る一対の溝が設けられており、該一対の溝は外側程深い
ことを特徴とする磁気ヘッド。