JPH1055533A

JPH1055533A - 強磁性体膜を有する記録媒体

Info

Publication number: JPH1055533A
Application number: JP8227384A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Mizukami; 一郎水上; Kenjiro Kaku; 健二郎賀来
Original assignee: Iwatsu Electric Co Ltd
Current assignee: Iwatsu Electric Co Ltd
Priority date: 1996-08-12
Filing date: 1996-08-12
Publication date: 1998-02-24
Anticipated expiration: 2016-08-12
Also published as: JP4124381B2

Abstract

(57)【要約】【課題】偽造・変造を防止することができる記録担体を
実現するために用いられる磁性体膜を有する記録媒体を
提供する。【解決手段】樹脂基板の表面上の対象とする領域では、
表または裏の少なくともいずれか一方には強磁性体膜が
存在するように該強磁性体膜が設けられており、該強磁
性体膜は前記対象とする領域を通過する一つの直線に沿
って予め定めたパターンの不連続磁気特性を示すように
形成されていることを特徴とする構成を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、証券類用の磁気ス
レッドやセキュリティに用いられる磁性体膜を有する記
録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】記録媒体カードとして、現在国内で最も
多く利用されているプリペイドカードには、ＮＴＴ（日
本電信電話株式会社）の発行するテレホンカードと日本
カードシステムの発行するパチンコ遊技カードなどがあ
る。これらのカードは変造，改ざんをされやすく大きな
社会問題となっている。これらのカードを対象として変
造，改ざんの防止対策として特開平６−２８６３６８号
「記録担体カードとその真偽判定装置」が提案されてい
る。この従来の記録担体カードＡは、図２４（ａ）
（ｂ）（ｃ）で示されるように形成されており、（ａ）
はその平面構成図、（ｂ）（ｃ）はその部分断面図であ
る。記録担体カードＡはカード基板３６上に管理対象情
報を記録する第一の記録領域３７と、該第一の記録領域
とは別の位置にアモルファス強磁性体層３８が配置され
るとともに、必要な個数のパンチ穴４０をあけることを
予定して設けられた第二の記録領域４２とを供えた構成
を有している。３９は印刷層である。また、前記第二の
記録領域４２にはセキュリティコード４１が記録される
構成となっている。これらの構成を有するカードの第二
の記録領域４２に鑚孔されたパンチ穴４０の位置を磁気
的に読み出して、該第一の記録領域３７に記録された管
理情報とその読み出されたパンチ穴４０の位置情報とを
比較して改ざんの有無を判定する方法をとるため、あけ
られたパンチ穴４０に適宜の遮蔽材を埋め込むか貼付す
ることによる改ざんを容易に検出することができ、改ざ
ん防止を図ることができるという優れた利点をもってい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このように、前記従来
例には、悪質な改ざんを防止する対策として、通常では
入手できない組成の磁性膜を用いてその素材特有の磁気
特性を利用することと、カードの第二記録領域に書換え
出来ないように予め書き込んであるセキュリティコード
を利用することが提示されている。一般にプリペイドカ
ードは何種類かの金額の異なったカードが発行されてお
り、これらの金額の異なったカードを使用して低金額カ
ードを高金額カードに見せかける改ざんに対しては前記
の従来例の方法では、セキュリティ性が不充分であると
いう欠点がある。その欠点の第一は、素材特有の磁気特
性を利用する方法ではカードの種類に対応した種類の固
有特性を有する素材を用意しなければならないことであ
り、種類が多くなると製作上困難を伴う。第二はセキュ
リティコードの書き込みであるが、鑚孔される部分以外
の領域に書かれるため、いわゆるハイブリッド法（切り
貼り）と呼ばれる変造方法で変造されるおそれがある。

【０００４】本発明の目的は、これらの偽造・変造を防
止することができる記録担体を実現するために用いられ
る磁性体膜を有する記録媒体を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明による強磁性体膜を有する記録媒体は、樹脂
基板の表面上の対象とする領域では、表または裏の少な
くともいずれか一方には強磁性体膜が存在するように該
強磁性体膜が設けられており、該強磁性体膜は前記対象
とする領域を通過する一つの直線に沿って予め定めたパ
ターンの不連続磁気特性を示すように形成されているこ
とを特徴とする構成を有している。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明によるアモルファス強磁性
体膜の如き強磁性体膜を有する記録媒体は、パンチ穴を
あけることを予定されている領域に貼り付けるかまた
は、カード樹脂基板内に埋め込んで用いる。カードが使
用されると残り度数に応じて穴があけられ、同時にその
領域に配置された本発明による記録媒体にも穴があけら
れる。その記録媒体を形成するアモルファス強磁性体膜
に物理的欠陥（パンチ穴）があるとその部分に磁気変化
があり、外部からの交流あるいは直流磁気バイアス磁気
センサによって穴の位置検出が可能である。

【０００７】本発明によれば対象とする領域を通過する
一つの直線に沿って予め定めた特有の磁気パターンを有
する偽造防止用の強磁性体膜が形成してあり、その磁気
パターンを変えることで種別情報とすることができる。
しかもパンチ穴をあけることを予想される領域全域に亘
って特殊のパターンを形成すれば、一部分の切り貼りに
よる変造の発見は容易である。特有の磁気パターンを持
たせるためには、二種以上の異なる磁気特性を有する磁
性体膜を予め定めたパターンになるように配置するこ
と、磁性体膜の厚さを予め定めたパターンになるように
変化させること、またこれらを組み合わせることによっ
て達成することができる。さらに、ここで磁気パターン
を一般的に模倣が困難な特異なのもとするためには、保
持力（Ｈｃ）、透磁率（μ）、飽和磁束密度（Ｂｍ）、
角形比（Ｂｍ／Ｂｒ）、磁気モーメント（Ｍ）、磁気異
方性などのパラメータを外部励起磁界強度により非線形
とすることにより達成される。この磁気特異性を持たせ
るためには、磁性膜をアモルファスとすることがひとつ
の有効な手段である。

【０００８】パンチ穴があった部分を切りとってつなぎ
合わせるいわゆる「だるまおとし」変造に対しては、偽
造防止用の磁性体膜の幅をパンチ穴径以上で、パンチす
る際の位置誤差あるいは偽造防止用の磁性体膜の貼り付
け位置誤差を考慮し充分に広くしておけば、前記のよう
に変造されたカードから読み出されるパターンはパンチ
穴径だけ短くなりパターン情報の検知出力電圧差から容
易に発見可能である。偽造防止用の強磁性体膜をアモル
ファス膜とした場合、金属種類，合金配合比は特殊であ
り、その磁気特性は固有の物であるから、もし別の強磁
性体膜によって偽造されても簡単に発見することができ
る。

【０００９】〔実施例〕以下本発明の実施例について説
明する。図１は偽造防止用の強磁性体膜を拡大した斜視
図（ａ）と一部断面図（ｂ）である。ここで、１は樹脂
基板であり５μｍ〜２０μｍ厚みのＰＥＴ（ポリエチレ
ンテレフタレート) 、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレー
ト）の薄いフィルムを基材とする。２は非磁性金属層で
ありアルミニウム，銅，チタンなどを１μｍ以下に蒸着
あるいはスパッタしたもので、次工程でその上にスパッ
タする磁性体材料の磁気特性を安定させるために用いら
れるが、本発明においてこの層はあってもなくてもかま
わない。３，４はそれぞれ異なる磁気履歴特性を持った
アモルファス強磁性体膜である。この強磁性体膜３，４
をアモルファスとする場合にはＣｏ−Ｚｒ系あるいはＦ
ｅ−Ｓｉ系などが代表的な組成である。強磁性体膜３，
４の磁気特性をそれぞれ異なるようにするためには、例
えばスパッタリングターゲット材を異なる組成とするの
が一般的であるが、そのほか同一材料であっても製法上
で差異をもたせることもできる。薄膜を形成する方法は
スパッタ以外にもメッキ法，蒸着法によっても可能であ
る。５は接着材であり、熱可塑性樹脂であるポリエチレ
ン，ポリアミド，アクリルのように１００℃程度の熱で
溶融しカード基板上に接着させることができる。また、
紙の中に挿入する際に紙の繊維に溶け込み抜け防止とな
るが、本発明においてはその接着方法はいずれの方法で
もかまわない。また、図には示されていないが、強磁性
体膜を保護する目的で外側に形成する金属層も同様で、
あってもなくてもかまわない。

【００１０】図２は本発明の一実施例で、カード基板上
の第二の記録領域に磁気パターンを有する偽造防止磁性
体膜を貼り付けることを想定した本発明を実施したカー
ドの一部を除去した斜視図（ａ）と一部断面図（ｂ）で
ある。６はカード基板、７は管理情報を記録する第一の
記録領域、８は偽造防止用の磁性体膜による第二の記録
領域、９は印刷層、１０はパンチ穴、１１は磁性体膜８
によって特殊のパターンを形成する磁気パターンであ
る。なお、（ｂ）は第一の記録領域７と第二の記録領域
８とが重ならないように形成した例であるが、これに限
らず記録領域７と８は重ねて形成するようにしても第二
の記録領域８を検出することが可能であり、カード基板
６をはさんで両面又は片面に重なるように形成すること
ができる。

【００１１】図３は本発明による偽造防止用の磁性体膜
８をスレッド状にして紙にすきこみ、安全保護紙２６と
したものである。このようにして作られた安全保護紙２
６は、紙幣，証券，金券などに用いることができる。一
種類の一様な強磁性体膜を用いた従来の方法と比べセキ
ュリティ性を格段に高くすることができる。

【００１２】〔実施例１〕図４（ａ）〜（ｅ）はそれぞ
れ樹脂基板１上に磁気特性の異なった二種類以上の強磁
性体膜３，４を形成し、その強磁性体膜３，４がある一
定の周期をもって配列され、対象とする領域では樹脂基
板１の表と裏において、少なくともいずれか一方で強磁
性体膜が常に樹脂基板１上に存在するように形成された
場合の偽造防止用磁性体膜の構成例である。（ａ）は、
樹脂基板１の表面に膜厚Ｄａで膜幅Ｌａからなる強磁性
体膜３を所定の間隔Ｌｂ毎に形成して磁気パターン化す
るとともに、裏面には膜厚Ｄｂからなる強磁性体膜４を
面一に形成して偽造防止を図るようにした実施例であ
る。（ｂ）は、樹脂基板１の表面に第１層として膜厚Ｄ
ｂからなる強磁性体膜４を面一に形成し、その上部に第
２層として膜厚Ｄａで膜幅Ｌａからなる強磁性体膜３を
所定の間隔Ｌｂ毎に形成して磁気パターン化した実施例
である。（ｃ）は、樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｃで膜
幅Ｌａからなる強磁性体膜３と膜厚Ｄｃで膜幅Ｌｂから
なる強磁性体膜４を交互に配置し磁気パターン化した実
施例である。（ｄ）は、樹脂基板１の表面に膜厚Ｄｄで
膜幅Ｌｃからなる強磁性体膜３を間隔Ｌｄをおいて順に
配置し、裏面には膜厚Ｄｅで膜幅Ｌｄからなる強磁性体
膜４を間隔Ｌｃをおいて膜幅Ｌｃと重複しない逆側の位
置に順に配置してそれぞれ磁気パターン化した実施例で
ある。（ｅ）は、樹脂基板１の表面に膜厚Ｄｆからなる
強磁性体膜３を面一に形成するとともに、強磁性体膜３
の内部に膜厚Ｄｇで膜幅Ｌｆからなる強磁性体膜４を間
隔ＬｅをおいてＬｇ毎に順次埋め込み配置して磁気パタ
ーン化を図った実施例である。これらの各実施例はどの
ような寸法で、どのような位置にパンチ穴があいてもそ
のパンチ穴の位置に強磁性体膜３又は４又は双方が存在
するので、磁気的に検出可能である。また、一つの直線
すなわち例えば図示の断面に沿って固有の磁気パターン
１１を有しているため、切り貼りによる変造を磁気的に
検出することができる。

【００１３】〔実施例２〕図５（ａ）〜（ｆ）はそれぞ
れ実施例１の構造においてさらに、少なくとも一種類の
強磁性体膜３，４が一定の周期をもって厚さを変えて前
記と同様に一つの直線に沿って固有の磁気パターンを形
成した場合の偽造防止用磁性体膜の構成例である。
（ａ）は、樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｈで膜幅Ｌｈを
有する厚膜部と膜厚Ｄｉで膜幅Ｌｉを有する薄膜部を交
互に形成した強磁性体膜３を配置し、裏面には膜厚Ｄｊ
からなる強磁性体膜４を面一に形成し、磁気パターン化
して偽造防止を図るようにした実施例である。（ｂ）
は、樹脂基板１の表面に、第１層として膜厚Ｄｋで膜幅
Ｌｉを有する薄膜部と膜厚Ｄｌで膜幅Ｌｈを有する厚膜
部を交互に形成した強磁性体膜３を配置するとともに、
その上部に第２層として膜厚Ｄｍで膜幅Ｌｊからなる強
磁性体膜４を薄膜部および厚膜部の所定の位置（それぞ
れ中央部）に形成配置して磁気パターン化した実施例で
ある。（ｃ）は、樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｋで膜幅
Ｌｉを有する薄膜部と膜厚Ｄｌで膜幅Ｌｈを有する厚膜
部を交互に形成した強磁性体膜３を配置し、裏面には膜
厚Ｄｍで膜幅Ｌｊからなる強磁性体膜４を薄膜部および
厚膜部に対応する所定の位置（それぞれ裏面の対称中央
部）に形成配置して磁気パターン化した実施例である。
（ｄ）は、樹脂基板１の表面に、第１層として膜厚Ｄｌ
で膜幅Ｌｈを有する厚膜部と膜厚Ｄｋで膜幅Ｌｉを有す
る薄膜部を交互に形成した強磁性体膜３を配置するとと
もに、その上部に第２層として、膜厚Ｄｏで膜幅Ｌｋを
有する第１厚膜部と、膜厚Ｄｎで膜幅Ｌｌを有する第１
薄膜部と、膜厚Ｄｍで膜幅Ｌｍを有する第２薄膜部と、
膜厚Ｄｍ＋Ｄｎで膜幅Ｌｎを有する第２厚膜部とを順次
形成した強磁性体膜４を配置して磁気パターン化した実
施例である。（ｅ）は、樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｌ
で膜幅Ｌｈを有する厚膜部と膜厚Ｄｋで膜幅Ｌｉを有す
る薄膜部を交互に形成した強磁性体膜３を配置し、裏面
には膜厚Ｄｏで膜幅ＬｋまたはＬｐを有する厚膜部と、
膜厚Ｄｎと膜幅ＬｏまたはＬ１を有する薄膜部とからな
り厚膜部と薄膜部を交互に順次形成した強磁性体膜４を
配置して磁気パターン化した実施例である。（ｆ）は、
樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｐで膜幅Ｌｑを有する厚膜
部と、膜厚Ｄｑと膜幅Ｌｒを有する薄膜部を交互に形成
した強磁性体膜３を配置するとともに、強磁性体膜３の
厚膜部内部の中央位置に膜厚Ｄｒで膜幅Ｌｔからなる強
磁性体膜４を両側に膜幅Ｌｓ，Ｌｕをそれぞれ残して順
次埋め込み配置して磁気パターン化を図った実施例であ
る。これらはどのような寸法で、どのような位置にパン
チ穴１０があいても、そのパンチ穴１０の位置に強磁性
体膜３もしくは４又は双方が存在するので、磁気的に検
出可能である。また、固有の磁気パターン１１を有して
いるため、切り貼りによる変造を磁気的に検出すること
ができる。これらの実施例は、実施例１よりもさらに検
出精度が高いので、偽造は一層困難になる。

【００１４】〔実施例３〕図６（ａ）（ｂ）はそれぞれ
樹脂基板１上に一種類の強磁性体膜４を形成し、その強
磁性体膜４が一定の周期をもって厚さが異なる場合の偽
造防止用磁性体膜の例である。（ａ）は、樹脂基板１の
表面に、膜厚Ｄｌで膜幅Ｌｈを有する厚膜部と膜厚Ｄｋ
で膜幅Ｌｉを有する薄膜部を交互に形成した強磁性体膜
４を形成配置して磁気パターン化した実施例である。
（ｂ）は、樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｔで膜幅Ｌｔを
有する第１中膜部と、膜厚Ｄｕで膜幅Ｌｕを有する厚膜
部と、膜厚Ｄｔで膜幅Ｌｖを有する第２中膜部と、膜厚
Ｄｓで膜幅Ｌｗを有する薄膜部とを順次形成した強磁性
体膜４を配置して磁気パターン化した実施例である。こ
れらはどのような寸法で、どのような位置にパンチ穴１
０があいてもそのパンチ穴１０の位置に強磁性体膜４が
存在するので、磁気的に検出可能である。また、例えば
図示の断面上の一つの直線に沿って固有の磁気パターン
１１を有しているため、切り貼りによる変造を磁気的に
検出することができる。なお、これらの実施例以外に
も、磁気パターン化の事例は種々の形をとり得るもので
ある。従って、これらの実施例１乃至３に限定されるも
のではない。

【００１５】以上の各実施例での磁気判別原理は強磁性
体のＢ−Ｈ特性を利用したものである。以下に、その特
性を用いた真偽判定装置について説明する。図７は、前
記情報記録媒体が真正品であるか又は偽造，変造品であ
るかを判定する真偽判定装置例である。この実施例で
は、第一の記録領域７と第二の記録領域８を有し、パン
チ穴１０をプリペイド課金使用残高の目安とするように
作成された磁気カードの真偽を判定する装置例を示して
いる。１３−１は第１の磁気センサであり第一の記録領
域７に記録された情報を読み出すためのものである。１
３−２は第２の磁気センサであり第二の記録領域８のパ
ンチ穴位置あるいは、この領域が不正に切り張りされた
かを検出するものである。１３−３は第３の磁気センサ
であり第二の記録領域８に使用されているアモルファス
強磁性体が真正であるか否かを判定することと、第二の
記録領域８に書き込まれたカード種別を行うためのパタ
ーン情報を読み出すために用いられる。１４は第２の磁
気センサ１３−２に静磁バイアスを印加するための直流
電源である。１５は第３の磁気センサ１３−３に交流磁
気バイアスを印加するための交流電源である。１６は上
記検知カードを水平に搬送するための記録媒体駆動装置
である。１７は各磁気センサの信号を増幅するための信
号増幅器である。

【００１６】図８は各磁気センサの動作原理を説明する
図である。（ａ）は第１の磁気センサ１３−１の動作
で、第一の記録領域７上の磁気コーティングされた磁性
層に書かれた情報を磁性材の保磁力を利用して読み出
し、信号増幅器１７を介して出力するものである（磁気
カードの規格および磁気記録様式については、ＪＩＳＸ
６３０１−７９，ＪＩＳＸ６３０２−７９参照）。ま
た、読み出し回路は一般に用いられているものを使用す
る（例えば「データキャリア」日本工業新聞社発行、竹
田晴見著参照）。

【００１７】（ｂ）は第２の磁気センサ１３−２の動作
を示すものであり、磁気ヘッド１３−２に外部の直流電
源１４により静磁バイアスを印加させ、ヘッドギャップ
から漏洩する磁束が第二の記録領域８に張られたアモル
ファス強磁性体膜３又は４に浸透する。強磁性体膜３又
は４が一様ならば磁束変化はなく信号は検出されない。
もし、パンチ穴１０が穿けられているならば、その部分
に磁束変化を生ずる。アモルファス強磁性体膜３又は４
の比透磁率が高い材料（数千）を使用しておけば磁束変
化も大きくなり、検出が容易になる。不正を行うものが
故意に同一材料で穴を塞ぐ細工を行っても、材料の境目
において磁束変化が生じて細工を行ったことが判明す
る。また、異なった材料で全体を切り張り交換しても、
次に述べる、第３の磁気センサ１３−３によって判別す
ることができる。

【００１８】（ｃ）は第３の磁気センサ１３−３の動作
であり、交流磁気バイアスされた作動型の磁気ヘッドを
使用する。この判別原理はアモルファス強磁性体のＢ−
Ｈ特性を利用したものであり、材料固有の値を持つ。

【００１９】図９は上記真偽判定装置制御部のブロック
図である。１８は第一の記憶領域７からの情報読み取り
回路で、第１の磁気センサ１３−１からの検知信号Ｓ１
をもとにこの領域に記憶されているカード種別情報，パ
ンチ穴位置情報，その他のカード情報を含む各種の情報
を読み出して、カード種別判別回路２２，パンチ穴位置
判別回路２３，その他カード情報判別回路２４にそれぞ
れ出力する。１９はパンチ穴位置検出回路で、第２の磁
気センサ１３−２からの検知信号Ｓ２をもとにパンチ穴
位置情報を読み出して、パンチ穴位置判別回路２３に出
力する。２０は磁気特性判別回路で、検知信号Ｓ３をも
とにアモルファス強磁性体膜３３又は３４の固有の特性
情報を判別して、その判別情報をマイクロコンピュータ
システム２５に出力する。２１はパターン情報読み出し
回路で、検知信号Ｓ３をもとにパターン化されたアモル
ファス強磁性体膜３３又は３４のパターン情報を磁気特
性判別回路２０のバンドパスフィルタを介して読み出し
て、カード種別判別回路２２に出力する。２２はカード
種別判別回路で、第一の記録領域７から情報読み取り回
路１８により読み出された情報と、パターン情報読み出
し回路２１からの情報を取り込んでカード種別情報をマ
イクロコンピュータシステム２５に出力する。２３はパ
ンチ穴位置判別回路で、第一の記録領域７から情報読み
取り回路１８により読み出された情報と、パンチ穴位置
検出回路１９により読み出された情報とを取り込んで、
パンチ穴位置情報をマイクロコンピュータシステム２５
に出力する。２４はその他カード情報判別回路で、第一
の記録領域７から情報読み取り回路１８により読み出さ
れた情報のうちカードに予め記録されている一般書誌的
情報を取り込んで、その他カード情報としてマイクロコ
ンピュータシステム２５に出力する。２５はマイクロコ
ンピュータシステムで、各回路１８〜２４からの情報を
もとに各種制御を行う。

【００２０】次に図９に示す各回路１８〜２５について
更に詳細に説明する。第一の記録領域７から情報を読み
とる情報読み取り回路１８は、前述したように一般に使
用されている磁気記録情報読み出し回路を使用すること
ができるので、説明を省略する。図１０（ａ），（ｂ）
は、パンチ穴位置検出回路１９の一実施例を示すもの
で、（ａ）はパンチ穴位置検知信号波形図であり、
（ｂ）はその回路例である。図１０（ａ）は検知信号Ｓ
２からのパンチ穴検知信号波形で、３個の穴が明いてい
る時はその間隔に対応する時間間隔Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３で
信号が検出される。最初に検出した穴が度数０に近いと
すると、図１０（ｂ）に示すパンチ穴位置検出回路１９
のカウンタ回路１９−１は搬送開始と同時にスタートし
て、Ｔ１時間後にその値はバッファ回路１９−２に一時
記憶される。一度記憶された内容は再度スタートするま
で保持されるようになっている。この値は不正がなけれ
ば第一の記憶領域７に記憶されているべき度数管理情報
と一致しているはずである。

【００２１】図１１（ａ）（ｂ）は、磁気特性判別回路
２０の磁気特性判別の原理を示す波形図とスペクトラム
分布図であり、図１２はその磁気特性判別回路２０の具
体的回路構成の一実施例を示す。図１１（ａ）は異なっ
た磁気特性を持ったアモルファス強磁性体膜がＡ部，Ｂ
部，Ａ部と並んで配置された状態の第二記録領域８を検
知した時の時間軸波形である。Ａ部では三角波が検出さ
れ、Ｂ部ではパルス波形が検出された場合を例示してい
る。図１１（ｂ）は上記波形の各部分のスペクトラム
（周波数成分）分析結果である。Ａ部は一次，二次，三
次の順にその成分電力比が小さくなるが、Ｂ部では二
次，三次，一次の順に小さくなっている。この成分比は
材料によって一定であるから、これらのスペクトラム比
を比べることで材料の真偽を判定することができる。

【００２２】スペクトラム比を判定するには一例とし
て、図１２の回路２０に示すように、励磁周波数によっ
て決まる高調波成分に相当するバンドパスフィルタ２０
−１，２０−２，…，２０−Ｎを準備して各バンドパス
フィルタからの信号レベルが想定されるレベルであるか
否かを判定するＡ部判定用レベル判定回路群２０−１
１，２０−１２，…２０−１Ｎと、Ｂ部判定用レベル判
定回路群２０−２１，２０−２２，…，２０−２Ｎをも
ち、各回路からの一致を取る一致回路２０−３１，２０
−３２によってＡ部，Ｂ部がそれぞれ定められた材料の
磁気特性をもつか否かによって真偽判別を行う。この例
ではバンドパスフィルタによるスペクトラム抽出を示し
たが、Ａ／Ｄ変換器、ＦＥＴ演算あるいはディジタルフ
ィルタによっても同様の効果が得られる。

【００２３】図１３（ａ）（ｂ）は、パターン情報読み
出し回路２１のパターン情報判別の原理を示す波形図で
あり、図１４はそのパターン情報読み出し回路２１の具
体的回路構成の一実施例を示すものであり、一例として
前記磁気特性判別回路２０の中のバンドパスフィルタ出
力を利用することができる。図１３（ａ）（ｂ）により
このパターン情報読み出し回路２１の動作を説明する。
（ａ）は検知信号Ｓ３の元波形であり、（ｂ）は磁気特
性判別回路２０内の特定のバンドパスフィルタの出力
（例えば、バンドパスフィルタ２０−２の出力）Ｆ２で
ある。特定のバンドパスフィルタはＡ部，Ｂ部で使用さ
れる材料の磁気特性で最も顕著に差の出るスペクトラム
を選択する。Ａ部は三角波が検出され、Ｂ部は正弦波状
波形が検出される。もし、パターン情報が材料の厚みの
差によって構成されている場合には、検知信号Ｓ３の波
形は各部振幅差となって現れ、振幅比較により分離が可
能である。（ｂ）はこのような原理によって分離したＡ
部，Ｂ部の振幅波形であり、各部分のパターンピッチが
波形の出現する時間間隔になって現れる。すなわちＡ部
は時間幅Ｔ１およびＴ３の中で振幅波形が現れ、Ｂ部は
時間幅Ｔ２の中で波形が現れない。

【００２４】図１４はこれらの時間間隔を測定するため
のパターン情報読み出し回路２１の例である。一定周期
のクロック信号をカウントするカウンタ回路２１−１と
パターン情報から分離された信号（例えばＦ２）から作
られる信号によって、カウンタ値をバッファ回路２１−
２，２１−３，２１−４に順次に一時記憶させる。バッ
ファ回路は図示のように複数個ありそれぞれのパターン
間隔が記憶される。このようにして予め定められたパタ
ーン情報としてカード種別判別回路２２に出力される。

【００２５】図１５はカード種別判別回路２２の一実施
例である。第一の記録領域７から情報読み取り回路１８
によって読み出された情報によりカード種別判別情報レ
ジスタ２２−１に予め設定されるカード種別判別情報と
パターン情報読み出し回路２１から得られてパターン情
報レジスタ２２−２に設定されたパターン情報との比較
を一致回路２２−３で行い、予め割り付けられている種
別であるか否かを比較して、一致していれば真の情報
を、一致していなければ偽の情報をマイクロコンピュー
タシステム２５等の主制御部に送る。

【００２６】図１６はパンチ穴位置判別回路２３の一実
施例である。第一の記録領域７から情報読み取り回路１
８により読み出された情報によりパンチ穴位置管理情報
レジスタ２３−１に予め設定されるパンチ穴管理情報と
実際にパンチ穴位置検出回路１９によって検出されてパ
ンチ穴位置検出情報レジスタ２３−２に設定されるパン
チ穴位置情報の残高値との一致を一致回路２３−３で取
り、一致していれば真の情報を、一致していなければ偽
の情報をマイクロコンピュータシステム２５等の主制御
部に送る。カード種別判別回路２２，パンチ穴位置判別
回路２３はマイクロコンピュータシステム２５のソフト
ウェアで代行することもできる。この実施例では、第二
の磁気センサ１３−２により、パンチ穴位置を検出した
が、第三の磁気センサ１３−３の感度を上げるか、また
は、パンチ穴１０を大きくすれば、第三の磁気センサ１
３−３の出力にも、パンチ穴１０による信号が検出され
る。

【００２７】その他カード情報判別回路２４について
は、カードの発行年月日，有効期限，発行所等の一般書
誌的情報を判別するものであるが、これらの判別方法
は、テレホンカード等のプリペイドカードで行われてい
る方法と同様に実施できるので、詳細な説明は省略す
る。

【００２８】図１７は第二の磁気センサ１３−２を用い
ない実施例である。この場合、パンチ穴１０による検知
信号の変化は、アモルファス強磁性体の磁気特性を示す
信号と比較して、極めて大きく現れるので、信号の振幅
の違いにより、パンチ穴１０を示す信号とアモルファス
強磁性体の磁気特性を示す信号とを区別することができ
る。この場合、図９に示す真偽判定装置制御部における
パンチ穴位置検出回路１９には検知信号Ｓ３が入力され
る。

【００２９】以上図７乃至図１７により説明した真偽判
別装置を用いて、図４乃至図６に示した実施例１乃至実
施例３からの検出信号波形がどのような形で検出され、
真偽の判定出力として用いられるかについて説明する。
まず、図１８に示すように、強磁性体膜３の検出信号波
形は区間Ｌａにおいて（ａ）に示すような三角波出力
（波高値：Ｖａ，−Ｖａ）となって取り出される。ま
た、強磁性体膜４の検出信号波形は区間Ｌａにおいて
（ｂ）に示すようなプラス又はマイナスの極性をとるパ
ルス波出力（波高値：Ｖｂ，−Ｖｂ）となって検出され
る。従って、強磁性体膜３および４が同時に検出される
場合の検出信号波形は、区間Ｌａにおいて（ｃ）に示す
ように、三角波とパルス波との合成波形（波高値：（Ｖ
ａ＋Ｖｂ），（−Ｖａ＋Ｖｂ））となって検出される。
なお、以下に示す実施例の説明においては、出力信号波
形が複雑にならずに容易に理解できるように、強磁性体
膜３または４の膜厚ＤａまたはＤｂは、例えば実施例１
においてはＤａ＝Ｄｂとし、その三角波出力の波高値Ｖ
ａとパルス波出力の波高値ＶｂはＶａ＝Ｖｂとして説明
する。実施例２，３についても同様である。実際には強
磁性体膜３と４の材質に差異がある場合や同じ材質でも
膜厚に若干でも差異があれば、それらの磁気特性は差異
となって検出されるので、その検出信号出力もＶａ＝Ｖ
ｂとはならないことは容易に理解し得よう。従って、本
発明はこれらの材質の差異やパターン化および膜厚の差
異に基づく検出出力の変化を利用して、偽造が極めて困
難な記録媒体を構築するものである。

【００３０】次に、図４の実施例１の検出信号波形は、
図１９（ａ）乃至（ｄ）の波形となって検出される。ま
ず、図４の（ａ）の構成例においては、図１９（ａ）の
検出波形となる。Ｌａの区間においては強磁性体膜３と
４の波形が同時に検出されるため、前述のようにＤａ＝
Ｄｂとした場合図示のように、３と４の合成波形（Ｖａ
＋Ｖｂ）と−（Ｖａ＋Ｖｂ）となって検出される。Ｌｂ
の区間においては、強磁性体膜３は存在せず強磁性体膜
４のみが形成されているため、パルス波形Ｖｂと−Ｖｂ
となって検出される。図４の（ｂ）の構成例において
は、強磁性体膜３，４は２層構成となっているが、検出
波形は図４（ａ）と同様に図１９（ａ）の波形として検
出される。図４の（ｃ）の構成例においては、強磁性体
膜３と４が交互に検出されることになるため、例えば膜
厚Ｄｃ＝Ｄａ＝Ｄｂとした場合、図１９（ｂ）の検出波
形となる。すなわちＬａ区間においては、強磁性体膜３
のみが対象となるので三角波Ｖａと−Ｖａが検出され、
Ｌｂ区間においては強磁性体膜４のみが対象となるので
パルス波Ｖｂと−Ｖｂが検出される。図４の（ｄ）の構
成例においては、強磁性体膜３が膜幅Ｌｃを有し強磁性
体膜４の膜幅Ｌｄであるため、例えば膜厚Ｄｄ＝Ｄａ，
膜厚Ｄｅ＝Ｄｂとした場合、その検出波形は図１９
（ｃ）として検出される。すなわち、Ｌｃ区間において
は三角波Ｖａと−Ｖａが検出され、Ｌｄ区間においては
パルス波Ｖｂと−Ｖｂが検出される。図４の（ｅ）の構
成例においては、強磁性体膜３の膜厚Ｄｆが厚く２Ｄａ
となっており、その中に膜厚Ｄｇの強磁性体膜４が埋め
込まれる構成となっているため、その検出波形は図１９
（ｄ）として検出される。すなわち、例えば膜厚Ｄｆ
は、図４（ａ）の膜厚Ｄａ×２となり、膜厚Ｄｇが図４
（ａ）の膜厚Ｄｂと同じとした場合、Ｌｅ区間の波形は
大きな三角波２Ｖａと−２Ｖａが検出され、Ｌｆ区間に
おいては、合成波形（Ｖａ＋Ｖｂ）と−（Ｖａ＋Ｖｂ）
となって検出され、Ｌｇ区間においてはＬｅ区間と同様
に大きな三角波２Ｖａと−２Ｖａが検出される。

【００３１】次に、図５の実施例２の検出信号波形は、
図２０（ａ）乃至（ｄ）の波形となって検出される。ま
ず、図５の（ａ）の構成例においては、例えば、膜厚Ｄ
ｈ＝２Ｄｉとし、Ｄｈ＝Ｄａ，Ｄｊ＝Ｄｂとした場合
は、図２０の（ａ）の検出波形となる。Ｌｈの区間にお
いては、強磁性体膜３と４の波形が同時に検出されるた
め、図示のように３と４の合成波形（Ｖａ＋Ｖｂ）と−
（Ｖａ＋Ｖｂ）となって検出される。Ｌｉの区間におい
ては、強磁性体膜３の膜厚ＤｉはＬｈ区間Ｄｈの１／２
となるため、３と４の合成した波形は（（Ｖａ／２）＋
Ｖｂ））と−（（Ｖａ／２）＋Ｖｂ））なって検出され
る。図５（ｂ）の構成例においては、例えば膜厚Ｄｌ＝
２Ｄｋで、膜厚Ｄｍ＝Ｄｊ／２とし、Ｄｌ＝Ｄｅ，Ｄｌ
＝Ｄｂとした場合には、図２０（ｂ）の検出波形とな
る。強磁性体膜３と４は２層構成となっているが、Ｌｉ
の区間においては、Ｖａ／２と−Ｖａ／２が検出され、
そのうちの中央部Ｌｊ区間は（Ｖａ＋Ｖｂ）／２と−
（Ｖａ＋Ｖｂ）／２の波形が検出される。また、Ｌｈの
区間においては、Ｖａと−Ｖａが検出され、そのうちの
中央部Ｌｊ区間の波形は（（Ｖａ＋（Ｖａ／２））と−
（（Ｖａ＋（Ｖａ／２））となって検出される。図５
（ｃ）の構成例においては、強磁性体膜４は３と逆側に
配置されるが、その検出信号波形は図５（ｂ）と同様
に、図２０（ｂ）の波形として検出される。図５（ｄ）
の構成例においては、例えば膜厚Ｄｌ＝２Ｄｋ，膜厚Ｄ
ｏ＝２Ｄｎとし、Ｄｌ＝Ｄａ，Ｄｏ＝Ｄｂとした場合に
は、図２０（ｃ）の検出波形となる。強磁性体膜３と４
は２層構成となっているが、Ｌｈの区間のうちＬｋ区間
には、（Ｖａ＋Ｖｂ）と−（Ｖａ＋Ｖｂ）が検出され、
Ｌｌ区間には（（Ｖａ＋（Ｖｂ／２））と−（（Ｖａ＋
（Ｖｂ／２））の波形が検出される。Ｌｉの区間におい
ては、Ｌｍ区間で（（Ｖａ＋Ｖｂ）／２））と−（（Ｖ
ａ＋Ｖｂ）／２））の波形が検出され、Ｌｎ区間で
（（Ｖａ／２）＋Ｖｂ））と−（（Ｖａ／２）＋Ｖ
ｂ））の波形が検出される。図５（ｅ）の構成例におい
ては、強磁性体膜４は３と逆側に配置されているが、そ
の検出信号波形は、図５（ｄ）と実質的に同様に図２０
（ｃ）の波形として検出される。図５（ｆ）の構成例に
おいては、強磁性体膜３の膜厚Ｄｐが厚く２Ｄａとなっ
ており、その中に膜厚Ｄｒの強磁性体膜４が埋め込まれ
た構成となっているため、その検出波形は図２０（ｄ）
として検出される。すなわち、例えば膜厚Ｄｐ＝２Ｄａ
とし、膜厚Ｄｒ＝Ｄｂとした場合、Ｌｑ区間のうちＬｓ
区間は２Ｖａの波形が検出され、Ｌｔ区間では（Ｖａ＋
Ｖｂ）と−（Ｖａ＋Ｖｂ）の波形、Ｌｕ区間では−２Ｖ
ａの波形が検出される。一方、Ｌｎ区間においては、Ｖ
ａと−Ｖａの波形が検出される。

【００３２】次に、図６の実施例３の検出信号波形は、
図２１（ａ）（ｂ）の波形として検出される。この実施
例３は、強磁性体膜４を用いた一層構成による単純な構
成で実現するもので、予め定められた一定のパターンの
みで検出しようというものである。図６（ａ）の構成例
においては、例えば、Ｄｌ＝Ｄｂ，Ｄｋ＝Ｄｌ／２とし
た場合、検出波形は図２１（ａ）として検出される。Ｌ
ｈ区間においては、Ｖｂと−Ｖｂとなって検出され、Ｌ
ｉ区間においてはＶｂ／２と−Ｖｂ／２の波形となって
検出される。図６（ｂ）の構成例においては、例えばＤ
ｔ＝Ｄｂ，Ｄｓ＝Ｄｔ／２，Ｄｕ＝１．５Ｄｂとした場
合、検出波形は図２１（ｂ）として検出される。Ｌｖお
よびＬｘ区間においては、Ｖｂと−Ｖｂの波形、Ｌｗ区
間においては、１．５Ｖｂと−１．５Ｖｂの波形、Ｌｙ
区間においては、Ｖｂ／２と−Ｖｂ／２の波形が検出さ
れる。

【００３３】以上、図４（ａ）〜（ｅ）に示す実施例１
の構成例においては、図１９（ａ）〜（ｄ）に示すよう
に、いずれも強磁性体膜３又は４によって磁気パターン
化されている。このため例えば図４（ａ）において区間
Ｌａにパンチ穴１０が形成され、この部分を他の担体カ
ードから切り取って埋め込んでも、磁気パターンの異な
る膜は、図１９（ａ）の区間Ｌａの出力信号波形とは異
なる波形となって検出されるため変造カードであること
を極めて容易に判別することができる。すなわち、あけ
られた穴部の特殊な磁気パターンが判らない限り、その
穴に同じパターンの膜を埋め込むことは不可能であり、
変造することは極めて困難となる。また、仮に、磁気パ
ターンが何らかの理由で知られた場合でも、他のカード
から同じ特殊パターンの一部を取りかつそれをパターン
を一致させて埋め込むことは、これも極めて困難であ
り、いずれにしても本発明の記録媒体はセキュリティ性
が十分なカードとして実現することができる。なお、図
４（ｂ）〜（ｅ）の例についても同様に変造の検出が容
易に行える。

【００３４】また、図５（ａ）〜（ｆ）に示す実施例２
の構成例の場合には、特殊な磁気パターンを形成する他
に、強磁性体膜３または４およびその両方の厚みの変化
を利用してそれぞれの膜を形成するものであるため、実
施例１よりも更に変造検出精度の向上した実施例であ
る。例えば、図５（ｃ）において区間Ｌｉにパンチ穴１
０が形成され、この部分を他の担体カードから切り取っ
て埋め込んでも、磁気パターンの異なる膜は図２０
（ｂ）の区間Ｌｉの出力信号波形とは異なる波形となっ
て検出されるため変造カードであることを高精度で容易
に判別することが可能である。なお、同様に図５
（ａ），（ｂ），（ｄ）〜（ｆ）の変造検出も容易であ
る。更に、図６（ａ），（ｂ）に示す実施例３の構成例
の場合には、一種類の強磁性体膜４を用いて、特殊な磁
気パターンを形成するとともに、その膜厚の変化を組み
合わせて、簡易な構成でかつ高精度で変造が検出できる
ようにしている。例えば、図６（ｂ）において、区間Ｌ
ｕにパンチ穴１０が形成され、この部分を他の担体カー
ドから切り取って埋め込んでも、磁気パターンの異なる
膜は図２１（ｂ）の区間Ｌｖと出力信号波形とは異なる
波形となって検出される。このため、簡易な構成であっ
ても高精度で変造を判別することができる。以上、各実
施例１乃至３におけるいずれの場合においても、変造は
極めて困難であり、本発明記録媒体によれば確実に変造
を検出することができる。

【００３５】〔比較例〕次に、本発明の実施例１乃至実
施例３と比較して、図２２（ａ）〜（ｅ）に示す例はど
のような検出信号波形となるかについて図２３（ａ）〜
（ｄ）に基づいて説明する。図２２（ａ）の場合、樹脂
基板１上に１種類の強磁性体膜３が全面に均一に形成さ
れている。この場合には図２３（ａ）に示すように、検
出信号波形は一様に波高値：Ｖａ，−Ｖａの三角波であ
れば三角波の繰り返し出力又はパルス波であればパルス
波の繰り返し出力となって取り出される。従って、例え
ば区間Ｌａにパンチ穴１０が形成され、使用度数が検出
される場合、この穴を他の同様な担体カードの同様な部
分を切り取って、貼り合わせたり埋め込んだりした場
合、固有の磁気パターンを有していないため、正規のカ
ードと同様に波形が検出されるので変造が可能である。
図２２（ｂ）の例は、樹脂基板１の表裏に強磁性体膜３
および４を全面に均一にそれぞれ形成されている。この
場合には図２３（ｂ）に示すように、検出信号波形は一
様に波高値：（Ｖａ＋Ｖｂ），−（Ｖａ＋Ｖｂ）の繰り
返し出力となって検出される。従って、この場合も例え
ば区間Ｌａにパンチ穴１０が形成された場合、固有な磁
気パターンを有していないため、図２２（ａ）と同様に
して切り貼りによる変造が可能である。図２２（ｃ）の
例は、樹脂基板１上の区間Ｌａに１種類の強磁性体膜３
を一定のパターンを有して形成され、それ以外の区間ｘ
には強磁性体膜３又は４は存在していない。この場合に
は、図２３（ｃ）に示すように、区間Ｌａの検出信号波
形は波高値：Ｖａ，−Ｖａの出力となって検出され、区
間ｘの検出信号波形は何も出力されない。従って、強磁
性体膜３または４が存在しない領域ｘの位置にパンチ穴
１０があいた場合、この区間ｘでは磁気的な検出ができ
ない区間であるため磁気的に穴を読み取れず、この穴を
他の同様な担体カードの樹脂基板１を切り取って塞げ
ば、変造が可能となってしまう。

【００３６】図２２（ｄ）の例は、樹脂基板１の区間Ｌ
ａに図２２（ｃ）と同様に１種類の強磁性体膜３をパタ
ーン化して形成され、その上を金属層２で覆った構成と
なっている。この場合には、図２３（ｃ）と同様に検出
信号波形が取り出される。従って、この場合も図２２
（ｃ）の例と全く同様に変造が可能となってしまう。図
２２（ｅ）の例は、樹脂基板１の表側の区間Ｌａに強磁
性体膜３が一定のパターンを有して形成され、それ以外
の区間には強磁性体膜３が存在しない構成となり、裏側
の区間Ｌｅに強磁性体膜４を一定のパターンを有して形
成され、それ以外の区間は強磁性体膜３，４が存在しな
い構成となっている。この場合の検出信号波形は、図２
３（ｄ）に示すように区間Ｌａでは、波高値：Ｖａ，−
Ｖａが検出され、区間ｌｅでは波高値：Ｖｂ，−Ｖｂが
検出される。一方区間ｚにおいては、表裏ともに強磁性
体膜３，４が存在しないため検出信号波形は何も出力さ
れない。従って、強磁性体膜３又は４が存在しない領域
ｚの位置にパンチ穴があいた場合、この区間ｚは磁気的
な検出ができない区間であるため磁気的に穴を読み取れ
ず、この穴を他の同様な担体カードの樹脂基板１を切り
取って塞げば、変造が可能となる。以上説明したよう
に、強磁性体膜３又は４が存在しない場合、磁気パター
ン化されていない場合には変造され易いが、本発明はそ
れらが用いられ更に組み合わせられているので変造が困
難である。

【００３７】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明は、
プリペイドカードや証券類の偽造を防ぐために、異なっ
た磁気特性の磁性膜を交互に形成あるいは、厚みを変え
て磁気パターンを予め書き込んである偽造防止磁性体膜
をある領域に貼り付け、用いるカード類の種別パターン
と使用素材の正真性を検出することで簡単にかつ安全性
の高い情報記録媒体を提供できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いる偽造防止用磁性体膜の拡大斜視
図（ａ）と一部断面図（ｂ）である。

【図２】本発明による偽造防止用磁性体膜を貼り付けた
カードの一部を除去した斜視図（ａ）と一部断面図
（ｂ）である。

【図３】本発明を証券類に適用した実施例を示す斜視図
である。

【図４】実施例１による偽造防止用磁性体膜の構造例を
示す断面図（ａ）〜（ｅ）である。

【図５】実施例２による偽造防止用磁性体膜の構造例を
示す断面図（ａ）〜（ｆ）である。

【図６】実施例３による偽造防止用磁性体膜の構造例を
示す断面図（ａ）（ｂ）である。

【図７】本発明による偽造防止用磁性膜を対象とする装
置例の検知回路部の具体例を示す接続構成図である。

【図８】図７の具体例に用いられる第１，第２，第３の
磁気センサの構成と動作を説明するための側面略図
（ａ）（ｂ）（ｃ）である。

【図９】本発明による偽造防止用磁性膜を対象とする真
偽判定装置例における判別回路部の具体例を示すブロッ
ク図である。

【図１０】図９におけるパンチ穴位置判別回路の具体例
を示すブロック図（ｂ）とその動作を説明するための波
形図（ａ）である。

【図１１】図９における磁気特性判別回路の動作を説明
するための波形図（ａ）とスペクトラム特性図（ｂ）で
ある。

【図１２】図９における磁気特性判別回路の構成例を示
すブロック図である。

【図１３】図９におけるパターン情報読み出し回路の動
作を説明するための波形図（ａ）（ｂ）である。

【図１４】図９におけるパターン情報読み出し回路の構
成例を示すブロック図である。

【図１５】図９におけるカード種別判別回路の構成例を
示すブロック図である。

【図１６】図９におけるパンチ穴位置判別回路の構成例
を示すブロック図である。

【図１７】本発明による真偽防止用磁性膜の検知回路部
の他の具体例を示す接続構成図である。

【図１８】図４に示す偽造防止用磁性膜からの検知出力
例を説明するための波形図（ａ）（ｂ）（ｃ）である。

【図１９】図４に示す偽造防止用磁性膜からの検知出力
例を示す波形図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）である。

【図２０】図５に示す偽造防止用磁性膜からの検知出力
例を示す波形図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）である。

【図２１】図６に示す偽造防止用磁性膜からの検知出力
例を示す波形図（ａ）（ｂ）である。

【図２２】比較例による偽造防止用磁性体膜の構造例を
示す断面図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）である。

【図２３】図２２に示す比較例からの検知出力を示す波
形図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）である。

【図２４】従来の記録担体カードの構造例を示す平面模
式図（ａ）と断面図（ｂ）（ｃ）である。

【符号の説明】

１樹脂基板２金属層３強磁性体膜４強磁性体膜５接着材６カード基板７第一の記録領域８本発明による偽造防止用磁性体膜（第二の記録領
域）９印刷層１０パンチ穴１１磁気パターン１２従来技術による強磁性体膜を含む第二の記録領域１３−１第一の磁気センサ１３−２第二の磁気センサ１３−３第三の磁気センサ１４直流電源１５交流電源１６記録媒体駆動装置１７ａ，１７ｂ，１７ｃ信号増幅器１８情報読み取り回路１９パンチ穴検出回路１９−１カウンタ回路１９−２バッファ回路２０磁気特性判別回路２０−１，２０−２，…２０−Ｎバンドパスフィルタ２０−１１，２０−１２，…，２０−１Ｎ，２０−２
１，２０−２２，…２０−２Ｎレベル判定回路２０−３１，２０−３２一致回路２１パターン情報読み出し回路２１−１カウンタ回路２１−２，２１−３，２１−４バッファ回路２２カード種別判別回路２２−１カード種別判別情報レジスタ２２−２パターン情報レジスタ２２−３一致回路２３パンチ穴位置判別回路２３−１パンチ穴位置管理情報レジスタ２３−２パンチ穴検出情報レジスタ２３−３一致回路２４その他カード情報判別回路２５マイクロコンピュータシステム２６安全保護紙Ａ記録担体カード３６カード基板３７第一の記録領域３８アモルファス強磁性体層３９印刷層４０バンチ穴４１セキュリティコード４２第二記録領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂基板の表面上の対象とする領域で
は、表または裏の少なくともいずれか一方には強磁性体
膜が存在するように該強磁性体膜が設けられており、該
強磁性体膜は前記対象とする領域を通過する一つの直線
に沿って予め定めたパターンの不連続磁気特性を示すよ
うに形成されていることを特徴とする強磁性体膜を有す
る記録媒体。
【請求項２】前記強磁性体膜として一種類の強磁性体
膜が用いられており、該一種類の強磁性体膜は前記樹脂
基板の片面側では前記直線に沿って予め定めたパターン
で厚みが異なるように形成されていることを特徴とする
請求項１に記載の強磁性体膜を有する記録媒体。
【請求項３】前記強磁性体膜として二種類の強磁性体
膜が設けられ、該二種類の強磁性体膜の少なくとも一方
は前記直線に沿って予め定めたパターンをなす不連続形
状または不均一厚みを有するように形成されていること
を特徴とする請求項１に記載の強磁性体膜を有する記録
媒体。
【請求項４】前記二種類の強磁性体膜が前記樹脂基板
の片面に形成されていることを特徴とする請求項３に記
載の強磁性体膜を有する記録媒体。
【請求項５】前記二種類の強磁性体膜が前記樹脂基板
の両面にそれぞれ分離されて形成されていることを特徴
とする請求項３に記載の強磁性体膜を有する記録媒体。