JPH1055930A - 機能性磁器及び磁器電子部品の製造方法 - Google Patents
機能性磁器及び磁器電子部品の製造方法Info
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- JPH1055930A JPH1055930A JP22465796A JP22465796A JPH1055930A JP H1055930 A JPH1055930 A JP H1055930A JP 22465796 A JP22465796 A JP 22465796A JP 22465796 A JP22465796 A JP 22465796A JP H1055930 A JPH1055930 A JP H1055930A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】不純物の混入や主成分の粒径変化がなく、生産
性を害することがないように添加剤を主成分に高分散さ
せ、組成を均一にできるセラミック材料を得、これによ
り半導体磁器の素地の結晶粒径のバラツキを小さく、誘
電体磁器の低温焼結化を図り、性能及び精度の良い磁器
電子部品を提供する。 【構成】セラミック原料粉末を用いて仮焼粉体を得る仮
焼工程と、この仮焼粉体を用いた成形体の焼成により機
能性磁器を製造する工程を有する機能性磁器の製造方法
において、セラミック原料粉末又はその仮焼粉体に対す
る添加剤の添加を添加剤のゾルの添加により行なう。そ
のゾルの添加は高分散、組成の均一化の手段であり、こ
れら高分散、組成の均一化により磁器の結晶粒径や焼結
温度を制御し、この磁器を用いた電子部品の電気特性を
制御する。 【効果】上記目的を達成する。
性を害することがないように添加剤を主成分に高分散さ
せ、組成を均一にできるセラミック材料を得、これによ
り半導体磁器の素地の結晶粒径のバラツキを小さく、誘
電体磁器の低温焼結化を図り、性能及び精度の良い磁器
電子部品を提供する。 【構成】セラミック原料粉末を用いて仮焼粉体を得る仮
焼工程と、この仮焼粉体を用いた成形体の焼成により機
能性磁器を製造する工程を有する機能性磁器の製造方法
において、セラミック原料粉末又はその仮焼粉体に対す
る添加剤の添加を添加剤のゾルの添加により行なう。そ
のゾルの添加は高分散、組成の均一化の手段であり、こ
れら高分散、組成の均一化により磁器の結晶粒径や焼結
温度を制御し、この磁器を用いた電子部品の電気特性を
制御する。 【効果】上記目的を達成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体磁器や誘電体磁
器等の機能性磁器及びこれを用いた例えばセラミックコ
ンデンサ等の磁器電子部品の製造方法に関する。
器等の機能性磁器及びこれを用いた例えばセラミックコ
ンデンサ等の磁器電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックコンデンサ、共振器やバリス
タ等には半導体セラミック材料や誘電体セラミック材料
の焼成体である半導体磁器や誘電体磁器等の機能性磁器
を用いることが行われている。例えば半導体磁器コンデ
ンサは、半導体セラミック材料に有機バインダーを加え
て造粒し、この造粒物を圧縮成形した後、還元性雰囲気
中で焼成して半導体セラミック焼成体である半導体磁器
板を作成し、その両面に焼付け塗膜等により電極を形成
したものである。
タ等には半導体セラミック材料や誘電体セラミック材料
の焼成体である半導体磁器や誘電体磁器等の機能性磁器
を用いることが行われている。例えば半導体磁器コンデ
ンサは、半導体セラミック材料に有機バインダーを加え
て造粒し、この造粒物を圧縮成形した後、還元性雰囲気
中で焼成して半導体セラミック焼成体である半導体磁器
板を作成し、その両面に焼付け塗膜等により電極を形成
したものである。
【０００３】この半導体磁器用材料として用いられる例
えばＳｒＴｉＯ3 系半導体セラミック材料は、次のよう
にして製造される。まず、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣ
Ｏ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）等の誘電体原料粉末を
ＳｒＴｉＯ3 となるような比率で配合し、その配合物を
水とともにボールミルにより撹拌混合する。ついで、得
られたスラリーを乾燥させ、それから大気中、９５０℃
〜１３００℃で焼成する、いわゆる仮焼を行なう。次
に、この得られた仮焼粉末に対して、ＳｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3 等の焼結助剤及びの原子価制御剤の添加剤を添加
し、その配合物を上記と同様にして撹拌混合する。そし
てこの混合物を用いて上記のように成形体を得てこれを
還元雰囲気中で焼成することにより半導体磁器が得られ
るが、これを上記の半導体磁器コンデンサの磁器として
使用した場合には、その静電容量等の電気的特性は、組
成、結晶粒径及び粒界構造により大きく影響される。ま
た、誘電体セラミック材料を製造する場合には、炭酸バ
リウム（ＢａＣＯ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化
ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）等の誘電体原料粉末をＢａ
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 となるような比率で配合し、以下、
上述のＳｒＴｉＯ3 の場合と同様に、ボールミルによる
混合、仮焼を行ってＢａＴｉＯ3 を製造し、これらに添
加剤を添加し、上記の原料粉末の場合と同様に攪拌混合
し、再度仮焼して誘電体セラミック材料が得られる。そ
してこの誘電体セラミック材料を用いて上記のように成
形体を得てこれを焼成して誘電体磁器が得られるが、こ
れを磁器コンデンサの磁器として使用した場合には、そ
のその静電容量等の電気的特性は、上記の半導体磁器コ
ンデンサの磁器の場合と同様に、磁器の組成、結晶粒径
及び粒界構造により大きく影響される。
えばＳｒＴｉＯ3 系半導体セラミック材料は、次のよう
にして製造される。まず、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣ
Ｏ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）等の誘電体原料粉末を
ＳｒＴｉＯ3 となるような比率で配合し、その配合物を
水とともにボールミルにより撹拌混合する。ついで、得
られたスラリーを乾燥させ、それから大気中、９５０℃
〜１３００℃で焼成する、いわゆる仮焼を行なう。次
に、この得られた仮焼粉末に対して、ＳｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3 等の焼結助剤及びの原子価制御剤の添加剤を添加
し、その配合物を上記と同様にして撹拌混合する。そし
てこの混合物を用いて上記のように成形体を得てこれを
還元雰囲気中で焼成することにより半導体磁器が得られ
るが、これを上記の半導体磁器コンデンサの磁器として
使用した場合には、その静電容量等の電気的特性は、組
成、結晶粒径及び粒界構造により大きく影響される。ま
た、誘電体セラミック材料を製造する場合には、炭酸バ
リウム（ＢａＣＯ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化
ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）等の誘電体原料粉末をＢａ
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 となるような比率で配合し、以下、
上述のＳｒＴｉＯ3 の場合と同様に、ボールミルによる
混合、仮焼を行ってＢａＴｉＯ3 を製造し、これらに添
加剤を添加し、上記の原料粉末の場合と同様に攪拌混合
し、再度仮焼して誘電体セラミック材料が得られる。そ
してこの誘電体セラミック材料を用いて上記のように成
形体を得てこれを焼成して誘電体磁器が得られるが、こ
れを磁器コンデンサの磁器として使用した場合には、そ
のその静電容量等の電気的特性は、上記の半導体磁器コ
ンデンサの磁器の場合と同様に、磁器の組成、結晶粒径
及び粒界構造により大きく影響される。
【０００４】このように磁器の結晶粒径を制御すること
が重要であるが、その結晶粒径のバラツキを小さくする
ことが重要である。この結晶粒径のバラツキは、ＳｒＴ
ｉＯ3 やＢａＴｉＯ3 等の主成分に対して上記の添加剤
を加える場合、添加剤の粒子径が大きいことや、凝集が
多い等の原因によって主成分と添加剤の分散状態のムラ
が発生し易く、これらの混合物の材料をそのまま用いて
得られる焼成体には結晶の偏析が生じ易い。この問題を
解決するために、従来、 主成分と添加剤を従来のよ
うに混合した後にビーズミル等の分散機にて高分散処理
する方法、 添加剤を粉砕して主成分に添加する方法
等が行われている。
が重要であるが、その結晶粒径のバラツキを小さくする
ことが重要である。この結晶粒径のバラツキは、ＳｒＴ
ｉＯ3 やＢａＴｉＯ3 等の主成分に対して上記の添加剤
を加える場合、添加剤の粒子径が大きいことや、凝集が
多い等の原因によって主成分と添加剤の分散状態のムラ
が発生し易く、これらの混合物の材料をそのまま用いて
得られる焼成体には結晶の偏析が生じ易い。この問題を
解決するために、従来、 主成分と添加剤を従来のよ
うに混合した後にビーズミル等の分散機にて高分散処理
する方法、 添加剤を粉砕して主成分に添加する方法
等が行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
の方法では、ビーズの磨耗粉等の不純物の混入、主成分
の粉体粒子径の変化をもたらし、上記の方法では工程
数の増加による生産性の低下等の弊害があり、これらの
問題がなく、添加剤を主成分に高分散させることができ
る分散方法の開発が望まれ、これにより機能性磁器の素
地の結晶の偏析が生ぜず、その粒径のバラツキが小さく
なる機能性磁器の製造方法及びこの機能性磁器を用いた
高性能、高精度の磁器電子部品の製造方法の開発が望ま
れている。
の方法では、ビーズの磨耗粉等の不純物の混入、主成分
の粉体粒子径の変化をもたらし、上記の方法では工程
数の増加による生産性の低下等の弊害があり、これらの
問題がなく、添加剤を主成分に高分散させることができ
る分散方法の開発が望まれ、これにより機能性磁器の素
地の結晶の偏析が生ぜず、その粒径のバラツキが小さく
なる機能性磁器の製造方法及びこの機能性磁器を用いた
高性能、高精度の磁器電子部品の製造方法の開発が望ま
れている。
【０００６】本発明の第１の目的は、不純物の混入がな
く、主成分やその原料の粉体粒子径に変化を与えず、し
かも添加剤を高分散させ、組成を均一にするようにした
セラミック材料を用いることができる機能性磁器の製造
方法を提供することにある。本発明の第２の目的は、工
程数の増加による生産性の低下等の弊害がなく、しかも
添加剤を高分散させ、組成を均一にするようにしたセラ
ミック材料を用いることができる機能性磁器の製造方法
を提供することにある。本発明の第３の目的は、特に半
導体磁器の結晶粒径のバラツキを小さくすることができ
る機能性磁器の製造方法を提供することにある。本発明
の第４の目的は、特に誘電体磁器において低温焼結化で
きる機能性磁器の製造方法を提供することにある。本発
明の第５の目的は、特に半導体磁器コンデンサにおいて
静電容量等の電気特性のバラツキを少なくすることがで
きたり、あるいは絶縁破壊電圧を高くする等の電気特性
の性能及び精度の優れた磁器電子部品の製造方法を提供
することにある。本発明の第６の目的は、特に誘電体磁
器コンデンサにおいて品質係数Ｑ値や絶縁特性等の電気
特性の性能及び精度の優れた磁器電子部品の製造方法を
提供することにある。
く、主成分やその原料の粉体粒子径に変化を与えず、し
かも添加剤を高分散させ、組成を均一にするようにした
セラミック材料を用いることができる機能性磁器の製造
方法を提供することにある。本発明の第２の目的は、工
程数の増加による生産性の低下等の弊害がなく、しかも
添加剤を高分散させ、組成を均一にするようにしたセラ
ミック材料を用いることができる機能性磁器の製造方法
を提供することにある。本発明の第３の目的は、特に半
導体磁器の結晶粒径のバラツキを小さくすることができ
る機能性磁器の製造方法を提供することにある。本発明
の第４の目的は、特に誘電体磁器において低温焼結化で
きる機能性磁器の製造方法を提供することにある。本発
明の第５の目的は、特に半導体磁器コンデンサにおいて
静電容量等の電気特性のバラツキを少なくすることがで
きたり、あるいは絶縁破壊電圧を高くする等の電気特性
の性能及び精度の優れた磁器電子部品の製造方法を提供
することにある。本発明の第６の目的は、特に誘電体磁
器コンデンサにおいて品質係数Ｑ値や絶縁特性等の電気
特性の性能及び精度の優れた磁器電子部品の製造方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）、少なくともセラミック原料粉末
を用いて仮焼粉体を得る仮焼工程と、該仮焼工程を経て
得られた粉体を用いて得られたセラミック材料を用いた
成形体の焼成体からなる機能性磁器を得る工程を有する
機能性磁器の製造方法において、上記セラミック原料粉
末に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程を
有することにより上記仮焼粉体を得て該仮焼粉体を含有
する上記セラミック材料を得るか又は上記仮焼粉体に添
加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程を有する
ことにより上記セラミック材料を得る機能性磁器の製造
方法を提供するものである。また、本発明は、（２）、
セラミック原料粉末に添加剤の一部若しくは全部のゾル
を添加する工程又は仮焼粉体に添加剤の一部若しくは全
部のゾルを添加する工程は添加剤を高分散させたセラミ
ック材料を得るために必要な工程である上記（１）に記
載の機能性磁器の製造方法、（３）、セラミック材料が
半導体セラミック材料であり、機能性磁器が半導体磁器
であり、添加剤を高分散させることは該半導体セラミッ
ク材料の組成を均一化させることであり、該組成の均一
化により該半導体磁器の素地の結晶核生成数を増加させ
ることにより結晶粒径のバラツキを制御する上記（２）
の機能性磁器の製造方法、（４）、セラミック材料が誘
電体セラミック材料であり、機能性磁器が誘電体磁器で
あり、添加剤を高分散させることは該誘電体セラミック
材料の組成を均一化させることであり、該組成の均一化
ににより焼結温度を低温側に制御にする上記（２）の機
能性磁器の製造方法、（５）、セラミック原料粉末から
仮焼粉体を得る仮焼工程と、該仮焼工程を経て得られた
粉体を用いて得られたセラミック材料を用いた成形体の
焼成体からなる機能性磁器を得る工程を有し、上記セラ
ミック原料粉末に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添
加する工程を有することにより上記仮焼粉体を得て該仮
焼粉体を含有する上記セラミック材料を得るか又は上記
仮焼粉体に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する
工程を有することにより上記セラミック材料を得、上記
セラミック原料粉末に添加剤の一部若しくは全部のゾル
を添加する工程又は仮焼粉体に添加剤の一部若しくは全
部のゾルを添加する工程は添加剤を高分散させたセラミ
ック材料を得るために必要な工程である機能性磁器の製
造方法により得られる機能性磁器を用いた磁器電子部品
の製造方法において、セラミック材料が半導体セラミッ
ク材料であり、機能性磁器が半導体磁器であり、添加剤
を高分散させることは該半導体セラミック材料の組成を
均一化させることであり、該組成の均一化により該半導
体磁器を用いた半導体磁器コンデンサの電気特性を制御
する磁器電子部品の製造方法、（６）、電気特性の制御
は静電容量のバラツキを小さくする側に制御すること及
び絶縁破壊電圧を高くする側に制御することの少なくと
も一方である上記（５）の磁器電子部品の製造方法、
（７）、セラミック原料粉末から仮焼粉体を得る仮焼工
程と、該仮焼工程を経て得られた粉体を用いて得られた
セラミック材料を用いた成形体の焼成体からなる機能性
磁器を得る工程を有し、上記セラミック原料粉末に添加
剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程を有するこ
とにより上記仮焼粉体を得て該仮焼粉体を含有する上記
セラミック材料を得るか又は上記仮焼粉体に添加剤の一
部若しくは全部のゾルを添加する工程を有することによ
り上記セラミック材料を得、上記セラミック原料粉末に
添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程又は仮
焼粉体に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工
程は添加剤を高分散させたセラミック材料を得るために
必要な工程である機能性磁器の製造方法により得られる
機能性磁器を用いた磁器電子部品の製造方法において、
セラミック材料が誘電体セラミック材料であり、機能性
磁器が誘電体磁器であり、添加剤を高分散させることは
該誘電体セラミック材料の組成を均一化させることであ
り、該組成の均一化ににより該誘電体磁器を用いた誘電
体磁器コンデンサの電気特性を制御する磁器電子部品の
製造方法、（８）、電気特性の制御は品質係数Ｑ値及び
絶縁特性の少なくとも一方の制御である上記（７）の磁
器電子部品の製造方法を提供するものである。上記の
「機能性磁器の製造方法」を上記に準じて、「機能性磁
器の製造における添加剤の分散方法」、「機能性磁器の
製造におけるセラミック材料の製造方法」、又は「機能
性磁器用セラミック材料の製造方法」としてもよい。
決するために、（１）、少なくともセラミック原料粉末
を用いて仮焼粉体を得る仮焼工程と、該仮焼工程を経て
得られた粉体を用いて得られたセラミック材料を用いた
成形体の焼成体からなる機能性磁器を得る工程を有する
機能性磁器の製造方法において、上記セラミック原料粉
末に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程を
有することにより上記仮焼粉体を得て該仮焼粉体を含有
する上記セラミック材料を得るか又は上記仮焼粉体に添
加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程を有する
ことにより上記セラミック材料を得る機能性磁器の製造
方法を提供するものである。また、本発明は、（２）、
セラミック原料粉末に添加剤の一部若しくは全部のゾル
を添加する工程又は仮焼粉体に添加剤の一部若しくは全
部のゾルを添加する工程は添加剤を高分散させたセラミ
ック材料を得るために必要な工程である上記（１）に記
載の機能性磁器の製造方法、（３）、セラミック材料が
半導体セラミック材料であり、機能性磁器が半導体磁器
であり、添加剤を高分散させることは該半導体セラミッ
ク材料の組成を均一化させることであり、該組成の均一
化により該半導体磁器の素地の結晶核生成数を増加させ
ることにより結晶粒径のバラツキを制御する上記（２）
の機能性磁器の製造方法、（４）、セラミック材料が誘
電体セラミック材料であり、機能性磁器が誘電体磁器で
あり、添加剤を高分散させることは該誘電体セラミック
材料の組成を均一化させることであり、該組成の均一化
ににより焼結温度を低温側に制御にする上記（２）の機
能性磁器の製造方法、（５）、セラミック原料粉末から
仮焼粉体を得る仮焼工程と、該仮焼工程を経て得られた
粉体を用いて得られたセラミック材料を用いた成形体の
焼成体からなる機能性磁器を得る工程を有し、上記セラ
ミック原料粉末に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添
加する工程を有することにより上記仮焼粉体を得て該仮
焼粉体を含有する上記セラミック材料を得るか又は上記
仮焼粉体に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する
工程を有することにより上記セラミック材料を得、上記
セラミック原料粉末に添加剤の一部若しくは全部のゾル
を添加する工程又は仮焼粉体に添加剤の一部若しくは全
部のゾルを添加する工程は添加剤を高分散させたセラミ
ック材料を得るために必要な工程である機能性磁器の製
造方法により得られる機能性磁器を用いた磁器電子部品
の製造方法において、セラミック材料が半導体セラミッ
ク材料であり、機能性磁器が半導体磁器であり、添加剤
を高分散させることは該半導体セラミック材料の組成を
均一化させることであり、該組成の均一化により該半導
体磁器を用いた半導体磁器コンデンサの電気特性を制御
する磁器電子部品の製造方法、（６）、電気特性の制御
は静電容量のバラツキを小さくする側に制御すること及
び絶縁破壊電圧を高くする側に制御することの少なくと
も一方である上記（５）の磁器電子部品の製造方法、
（７）、セラミック原料粉末から仮焼粉体を得る仮焼工
程と、該仮焼工程を経て得られた粉体を用いて得られた
セラミック材料を用いた成形体の焼成体からなる機能性
磁器を得る工程を有し、上記セラミック原料粉末に添加
剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程を有するこ
とにより上記仮焼粉体を得て該仮焼粉体を含有する上記
セラミック材料を得るか又は上記仮焼粉体に添加剤の一
部若しくは全部のゾルを添加する工程を有することによ
り上記セラミック材料を得、上記セラミック原料粉末に
添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程又は仮
焼粉体に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工
程は添加剤を高分散させたセラミック材料を得るために
必要な工程である機能性磁器の製造方法により得られる
機能性磁器を用いた磁器電子部品の製造方法において、
セラミック材料が誘電体セラミック材料であり、機能性
磁器が誘電体磁器であり、添加剤を高分散させることは
該誘電体セラミック材料の組成を均一化させることであ
り、該組成の均一化ににより該誘電体磁器を用いた誘電
体磁器コンデンサの電気特性を制御する磁器電子部品の
製造方法、（８）、電気特性の制御は品質係数Ｑ値及び
絶縁特性の少なくとも一方の制御である上記（７）の磁
器電子部品の製造方法を提供するものである。上記の
「機能性磁器の製造方法」を上記に準じて、「機能性磁
器の製造における添加剤の分散方法」、「機能性磁器の
製造におけるセラミック材料の製造方法」、又は「機能
性磁器用セラミック材料の製造方法」としてもよい。
【０００８】本発明において、半導体セラミック原料粉
末としては、例えばＳｒＴｉＯ3 系半導体セラミック材
料の場合には、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）、酸
化チタン（ＴｉＯ2 ）等のＳｒＴｉＯ3 系原料粉末が挙
げられる。ＳｒＴｉＯ3 系原料粉末とは、ＳｒＴｉＯ3
を主成分としているもので、例えばＳｒの一部をＣａ、
Ｂａ等の物質を用いてもかまわなく、また、Ｔｉの一部
をＺｒ等の物質を用いてもかまわない。また、誘電体セ
ラミック原料粉末としては、例えばＢａＴｉＯ3 系半導
体セラミック材料の場合には、炭酸ストロンチウム（Ｂ
ａＣＯ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）等のＢａＴｉＯ3
系原料粉末が挙げられる。ＢａＴｉＯ3 系原料粉末と
は、ＢａＴｉＯ3 を主成分としているもので、例えばＢ
ａの一部をＣａ等の物質を用いてもかまわなく、また、
Ｔｉの一部をＺｒ等の物質を用いてもかまわない。これ
らの原料粉末は、混合されるが、その混合方法としては
湿式混合が挙げられ、これには水を加えて水とともにボ
ールミルで攪拌混合することが挙げられる。得られた混
合粉末のスラリーはスプレードライヤーにて乾燥させ、
造粒させるが、これは噴霧ノズルを回転させ、その回転
数で乾燥粒子の粒径を制御することができるものであ
る。このように、セラミック原料粉末を混合した後、そ
の混合粉末の粉体を仮焼し、セラミック材料を合成す
る。この仮焼工程を経て得られる仮焼物を例えばＺｒＯ
2 等の分散媒とともにボールミルで解砕することによっ
てセラミック材料の粉体が得られる。
末としては、例えばＳｒＴｉＯ3 系半導体セラミック材
料の場合には、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）、酸
化チタン（ＴｉＯ2 ）等のＳｒＴｉＯ3 系原料粉末が挙
げられる。ＳｒＴｉＯ3 系原料粉末とは、ＳｒＴｉＯ3
を主成分としているもので、例えばＳｒの一部をＣａ、
Ｂａ等の物質を用いてもかまわなく、また、Ｔｉの一部
をＺｒ等の物質を用いてもかまわない。また、誘電体セ
ラミック原料粉末としては、例えばＢａＴｉＯ3 系半導
体セラミック材料の場合には、炭酸ストロンチウム（Ｂ
ａＣＯ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）等のＢａＴｉＯ3
系原料粉末が挙げられる。ＢａＴｉＯ3 系原料粉末と
は、ＢａＴｉＯ3 を主成分としているもので、例えばＢ
ａの一部をＣａ等の物質を用いてもかまわなく、また、
Ｔｉの一部をＺｒ等の物質を用いてもかまわない。これ
らの原料粉末は、混合されるが、その混合方法としては
湿式混合が挙げられ、これには水を加えて水とともにボ
ールミルで攪拌混合することが挙げられる。得られた混
合粉末のスラリーはスプレードライヤーにて乾燥させ、
造粒させるが、これは噴霧ノズルを回転させ、その回転
数で乾燥粒子の粒径を制御することができるものであ
る。このように、セラミック原料粉末を混合した後、そ
の混合粉末の粉体を仮焼し、セラミック材料を合成す
る。この仮焼工程を経て得られる仮焼物を例えばＺｒＯ
2 等の分散媒とともにボールミルで解砕することによっ
てセラミック材料の粉体が得られる。
【０００９】本発明においては、このようにして得られ
るセラミック材料に添加剤のゾルを加え、ボールミル等
で水等の媒体とともに攪拌混合し、さらに乾燥させて添
加剤を含有したセラミック材料にしてもよいが、このセ
ラミック材料を得る際の上述した原料粉末を混合する際
に添加剤のゾルを加え、ボールミル等で水等の媒体とと
もに攪拌混合し、以下上述したことと同様に造粒、仮焼
を行って、添加剤とともに仮焼を行って得たセラミック
材料とすることもできる。このような添加剤のゾルとし
ては、半導体セラミック材料の場合には、ＳｉＯ2 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 等の焼結助剤や、Ｙ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 等の原
子価制御剤等の添加剤をゾル状にしたものであり、誘電
体セラミック材料の場合には、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 等の
添加剤をゾル状にしたものである。ここで、ゾルとは、
液体中にコロイド粒子が分散したもののことである。添
加剤はその一部をゾルとして加え、他を粉末として加え
てもそれなりの効果を有するが、さらにこれとの組み合
わせを含めて、添加剤を複数使用する場合には、個々の
添加剤のゾルとして加えても良く、複数の添加剤のゾル
として加えてもよい。
るセラミック材料に添加剤のゾルを加え、ボールミル等
で水等の媒体とともに攪拌混合し、さらに乾燥させて添
加剤を含有したセラミック材料にしてもよいが、このセ
ラミック材料を得る際の上述した原料粉末を混合する際
に添加剤のゾルを加え、ボールミル等で水等の媒体とと
もに攪拌混合し、以下上述したことと同様に造粒、仮焼
を行って、添加剤とともに仮焼を行って得たセラミック
材料とすることもできる。このような添加剤のゾルとし
ては、半導体セラミック材料の場合には、ＳｉＯ2 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 等の焼結助剤や、Ｙ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 等の原
子価制御剤等の添加剤をゾル状にしたものであり、誘電
体セラミック材料の場合には、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 等の
添加剤をゾル状にしたものである。ここで、ゾルとは、
液体中にコロイド粒子が分散したもののことである。添
加剤はその一部をゾルとして加え、他を粉末として加え
てもそれなりの効果を有するが、さらにこれとの組み合
わせを含めて、添加剤を複数使用する場合には、個々の
添加剤のゾルとして加えても良く、複数の添加剤のゾル
として加えてもよい。
【００１０】このように添加剤のゾルをＳｒＣＯ3 やＢ
ａＣＯ3 等の主成分の粉末に加え、あるいはこれら主成
分の原料粉末に加えて上述したようにボールミル等で攪
拌混合すると、主成分の粉体あるいはその原料粉末と、
添加剤の粉体同士を水とともにボールミル等で攪拌混合
する場合に比べ、添加剤成分を主成分や原料粉末に対し
て均一に混ぜる、いわゆる高分散させることができ、得
られる上述した添加剤を含有したセラミック材料、添加
剤とともに仮焼して得たセラミック材料の組成を均一に
することができる。セラミック材料の組成が均一になれ
ば、半導体磁器の場合にはその材料を用いた焼成体は焼
結過程での異常粒成長する結晶核を均一にでき、この結
晶核の密度で結晶粒径が決まるため、添加剤のゾルの添
加による高分散化により結晶粒径を均一にし、そのバラ
ツキを小さくすることができる。また、誘電体磁器の場
合には、組成が均一なセラミック材料を用いて焼成を行
なうと、低温焼結が可能となる。
ａＣＯ3 等の主成分の粉末に加え、あるいはこれら主成
分の原料粉末に加えて上述したようにボールミル等で攪
拌混合すると、主成分の粉体あるいはその原料粉末と、
添加剤の粉体同士を水とともにボールミル等で攪拌混合
する場合に比べ、添加剤成分を主成分や原料粉末に対し
て均一に混ぜる、いわゆる高分散させることができ、得
られる上述した添加剤を含有したセラミック材料、添加
剤とともに仮焼して得たセラミック材料の組成を均一に
することができる。セラミック材料の組成が均一になれ
ば、半導体磁器の場合にはその材料を用いた焼成体は焼
結過程での異常粒成長する結晶核を均一にでき、この結
晶核の密度で結晶粒径が決まるため、添加剤のゾルの添
加による高分散化により結晶粒径を均一にし、そのバラ
ツキを小さくすることができる。また、誘電体磁器の場
合には、組成が均一なセラミック材料を用いて焼成を行
なうと、低温焼結が可能となる。
【００１１】上述のようにして得られた添加剤を含有し
たセラミック材料、添加剤とともに仮焼して得たセラミ
ック材料は、通常行われている方法により用いられ、磁
器が得られるが、例えば有機バインダー等を加えて造粒
し、この造粒物を成形した後、焼成してセラミック焼成
体である磁器を作成する。また、積層セラミックコンデ
ンサ用の磁器を製造するときは、これらの材料が通常行
われてい方法により用いられるが、例えばこれらの材料
に有機バインダー等を加えてスラリーを作り、これを用
いてドクタプレード法等によりセラミックグリーンシー
トを作製し、さらに電極材料ペースト膜を形成して積層
し、これを圧着し、焼成して積層体磁器とする。これら
磁器には外部電極を焼付け塗膜等により形成してセラミ
ックコンデンサ等のそれぞれの電子部品が得られる。
たセラミック材料、添加剤とともに仮焼して得たセラミ
ック材料は、通常行われている方法により用いられ、磁
器が得られるが、例えば有機バインダー等を加えて造粒
し、この造粒物を成形した後、焼成してセラミック焼成
体である磁器を作成する。また、積層セラミックコンデ
ンサ用の磁器を製造するときは、これらの材料が通常行
われてい方法により用いられるが、例えばこれらの材料
に有機バインダー等を加えてスラリーを作り、これを用
いてドクタプレード法等によりセラミックグリーンシー
トを作製し、さらに電極材料ペースト膜を形成して積層
し、これを圧着し、焼成して積層体磁器とする。これら
磁器には外部電極を焼付け塗膜等により形成してセラミ
ックコンデンサ等のそれぞれの電子部品が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下の実施例で説明する。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。 実施例１ 半導体磁器コンデンサの磁器の例を説明する。原料であ
るＳｒＣＯ3 、ＴｉＯ2 をＳｒ／Ｔｉ＝０．９９９とな
るように秤量し、この原料粉末に対して原子価制御剤と
してＹ2 Ｏ3 の粉末を０．０５〜０．５ｍｏｌ％加え、
原料粉末に対して３倍の水とともに攪拌混合し、バット
にて１５０℃、８時間乾燥後大気中にて１０００〜１３
００℃、２〜５時間仮焼を行った。さらに上記の仮焼粉
体に対して焼結助剤のＳｉＯ2 のゾル及びＡｌ2 Ｏ3 の
ゾルを各化合物について０．０５〜０．５ｍｏｌ％加
え、仮焼粉体に対して３倍の水とともにウレタンボール
をメディアとしたボールミルで１５〜２４時間湿式混合
を行い、得られたスラリーをスプレードライヤーにて乾
燥した。これにより得られた材料に対して、バインダー
としてポリビニルアルコールを１０〜１５重量％加えて
造粒を行い、この造粒体を約１トン／ｃｍ2 の圧力で加
圧成形を行ない、直径８ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、密度３
ｇ／ｃｍ3 の円板の成形体を得た。次にこの円板を１４
００℃でＨ2 ガスとＮ2 ガスの体積比が５％と９５％の
還元雰囲気中で還元焼成し、焼成体の円板の磁器を得
た。
るＳｒＣＯ3 、ＴｉＯ2 をＳｒ／Ｔｉ＝０．９９９とな
るように秤量し、この原料粉末に対して原子価制御剤と
してＹ2 Ｏ3 の粉末を０．０５〜０．５ｍｏｌ％加え、
原料粉末に対して３倍の水とともに攪拌混合し、バット
にて１５０℃、８時間乾燥後大気中にて１０００〜１３
００℃、２〜５時間仮焼を行った。さらに上記の仮焼粉
体に対して焼結助剤のＳｉＯ2 のゾル及びＡｌ2 Ｏ3 の
ゾルを各化合物について０．０５〜０．５ｍｏｌ％加
え、仮焼粉体に対して３倍の水とともにウレタンボール
をメディアとしたボールミルで１５〜２４時間湿式混合
を行い、得られたスラリーをスプレードライヤーにて乾
燥した。これにより得られた材料に対して、バインダー
としてポリビニルアルコールを１０〜１５重量％加えて
造粒を行い、この造粒体を約１トン／ｃｍ2 の圧力で加
圧成形を行ない、直径８ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、密度３
ｇ／ｃｍ3 の円板の成形体を得た。次にこの円板を１４
００℃でＨ2 ガスとＮ2 ガスの体積比が５％と９５％の
還元雰囲気中で還元焼成し、焼成体の円板の磁器を得
た。
【００１４】得られた円板の磁器の素地を鏡面研磨後化
学エッチングし、その表面を光学顕微鏡２００倍で写真
撮影した。図１にその顕微鏡写真の模写図を示す。この
写真から、実際の素地結晶粒径に換算して１μｍ以上の
結晶粒子を粒成長粒子としてこれらの粒子の長径（例え
ば図１のＤ1 、Ｄ2 、Ｄ3 等）を測定し、素地結晶粒径
のバラツキの標準偏差σを算出した。その結果を表１に
素地粒径バラツキ（σ／ｘ）（基準化した標準偏差）で
示した。また、この円板の磁器の素地表面に金属酸化物
ペーストを塗布し、１１５０℃にて２時間熱拡散させ結
晶粒界を絶縁化させて半導体磁器を作製した後、その表
面に銀ペーストを塗布し８００℃で１時間焼付けを行
い、半導体コンデンサを作製し、これを１０００個作製
し、これらについて見掛け誘電率（ε）、誘電体損失
（％）、絶縁破壊電圧（Ｖ）、絶縁抵抗（ＭΩ）を測定
し、さらに静電容量のバラツキ（％）を求め、これらの
結果を表１に示す。なお、見掛け誘電率（ε）、誘電体
損失（％）は２５℃にて周波数１ＫＨｚ、電圧１Ｖで測
定した値であり、絶縁抵抗（ＭΩ）は温度２５℃にて２
５Ｖの直流電圧を印加した、１．５秒後の値であり、絶
縁破壊電圧（Ｖ）は円板の磁器を用いて得たコンデンサ
の両極板間に１ｍＡの電流が流れる時の電圧である。静
電容量のバラツキ（％）はそのコンデンサを用いて測定
した静電容量の標準偏差σを基準化した標準偏差の百分
率σ／ｘ×１００（％）で表した。
学エッチングし、その表面を光学顕微鏡２００倍で写真
撮影した。図１にその顕微鏡写真の模写図を示す。この
写真から、実際の素地結晶粒径に換算して１μｍ以上の
結晶粒子を粒成長粒子としてこれらの粒子の長径（例え
ば図１のＤ1 、Ｄ2 、Ｄ3 等）を測定し、素地結晶粒径
のバラツキの標準偏差σを算出した。その結果を表１に
素地粒径バラツキ（σ／ｘ）（基準化した標準偏差）で
示した。また、この円板の磁器の素地表面に金属酸化物
ペーストを塗布し、１１５０℃にて２時間熱拡散させ結
晶粒界を絶縁化させて半導体磁器を作製した後、その表
面に銀ペーストを塗布し８００℃で１時間焼付けを行
い、半導体コンデンサを作製し、これを１０００個作製
し、これらについて見掛け誘電率（ε）、誘電体損失
（％）、絶縁破壊電圧（Ｖ）、絶縁抵抗（ＭΩ）を測定
し、さらに静電容量のバラツキ（％）を求め、これらの
結果を表１に示す。なお、見掛け誘電率（ε）、誘電体
損失（％）は２５℃にて周波数１ＫＨｚ、電圧１Ｖで測
定した値であり、絶縁抵抗（ＭΩ）は温度２５℃にて２
５Ｖの直流電圧を印加した、１．５秒後の値であり、絶
縁破壊電圧（Ｖ）は円板の磁器を用いて得たコンデンサ
の両極板間に１ｍＡの電流が流れる時の電圧である。静
電容量のバラツキ（％）はそのコンデンサを用いて測定
した静電容量の標準偏差σを基準化した標準偏差の百分
率σ／ｘ×１００（％）で表した。
【００１５】比較例１ 実施例１において、焼結助剤のゾルの代わりにＳｉＯ2
及びＡｌ2 Ｏ3 を粉末のままで加えた以外は同様にして
原料粉末、原子価制御剤及び焼結助剤からなるスラリー
を得た。また、このスラリーを用いた以外は実施例１と
同様にして円板の磁器を作製し、これについても実施例
１と同様にして測定した結果を表１に示す。
及びＡｌ2 Ｏ3 を粉末のままで加えた以外は同様にして
原料粉末、原子価制御剤及び焼結助剤からなるスラリー
を得た。また、このスラリーを用いた以外は実施例１と
同様にして円板の磁器を作製し、これについても実施例
１と同様にして測定した結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１の結果から、添加剤の一部、すなわち
原子価制御剤Ｙ2 Ｏ3 と焼結助剤ＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ
3 の内、後者をゾルとして添加し、前者を粉末で添加し
た実施例と、これら添加剤の全部を粉末で添加した比較
例の場合では、実施例の素地粒径のバラツキが比較例に
比べ約４３％小さく、そのため絶縁破壊電圧が約５５％
高くなり、実施例の静電容量のバラツキが比較例に比べ
約３１％小さくなることが分かる。これらより、本願発
明に、「添加剤のゾルを用いて添加剤を高分散させたセ
ラミック材料を用いて得た磁器の素地結晶の粒径のバラ
ツキを基準化した標準偏差で０．６より大きくなく、該
磁器を用いたコンデンサの静電容量のバラツキを基準化
した標準偏差の百分率で５％より大きくなく、該コンデ
ンサの絶縁破壊電圧を３００Ｖより小さくなくした」の
限定を加えても良く、さらに各数値限定を「添加剤を粉
末の状態で混合して得られたセラミック材料を用いて得
た磁器に比べて素地結晶の粒径のバラツキを基準化した
標準偏差で少なくとも４０％小さく、該磁器を用いたコ
ンデンサの静電容量のバラツキを基準化した標準偏差の
百分率で少なくとも３０％小さく、該コンデンサの絶縁
破壊電圧を少なくとも５０％大きくできる」としてもよ
く、その際、これらの１種又は任意の２種以上の限定で
も良い。なお、これら数値は実施例の結果を同効の範囲
まで拡大したものである。磁器は半導体磁器としてもよ
い。これらに限らず上述したことはいずれも限定事項に
加えることができる。
原子価制御剤Ｙ2 Ｏ3 と焼結助剤ＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ
3 の内、後者をゾルとして添加し、前者を粉末で添加し
た実施例と、これら添加剤の全部を粉末で添加した比較
例の場合では、実施例の素地粒径のバラツキが比較例に
比べ約４３％小さく、そのため絶縁破壊電圧が約５５％
高くなり、実施例の静電容量のバラツキが比較例に比べ
約３１％小さくなることが分かる。これらより、本願発
明に、「添加剤のゾルを用いて添加剤を高分散させたセ
ラミック材料を用いて得た磁器の素地結晶の粒径のバラ
ツキを基準化した標準偏差で０．６より大きくなく、該
磁器を用いたコンデンサの静電容量のバラツキを基準化
した標準偏差の百分率で５％より大きくなく、該コンデ
ンサの絶縁破壊電圧を３００Ｖより小さくなくした」の
限定を加えても良く、さらに各数値限定を「添加剤を粉
末の状態で混合して得られたセラミック材料を用いて得
た磁器に比べて素地結晶の粒径のバラツキを基準化した
標準偏差で少なくとも４０％小さく、該磁器を用いたコ
ンデンサの静電容量のバラツキを基準化した標準偏差の
百分率で少なくとも３０％小さく、該コンデンサの絶縁
破壊電圧を少なくとも５０％大きくできる」としてもよ
く、その際、これらの１種又は任意の２種以上の限定で
も良い。なお、これら数値は実施例の結果を同効の範囲
まで拡大したものである。磁器は半導体磁器としてもよ
い。これらに限らず上述したことはいずれも限定事項に
加えることができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、添加剤をそのゾルを用
いて主成分の粉末やその原料粉末と混合するようにした
ので、不純物の混入がなく、主成分やその原料の粉体粒
子径に変化を与えず、しかも添加剤を高分散させ、組成
を均一にするようにしたセラミック材料が得られ、その
結果これを用いて得られる特に半導体磁器の結晶粒径の
バラツキを小さくすることができ、また、特に誘電体磁
器において低温焼結化でき、さらにこれらにより特に半
導体磁器コンデンサにおいて静電容量等の電気特性のバ
ラツキを少なくすることができたり、あるいは絶縁破壊
電圧を高くする等の電気特性の性能及び精度の優れた磁
器電子部品を提供するができ、また、特に誘電体磁器コ
ンデンサにおいて品質係数Ｑ値や絶縁特性等の電気特性
の性能及び精度の優れた磁器電子部品を提供することが
でき、しかも特に面倒な複雑な工程を設けることなく、
ほぼ通常の工程といってよい方法で機能性磁器やこれを
用いた磁器電子部品を製造することができ、その製造も
容易であり生産性を害するということもない。また、こ
のように不純物の混入がないことや、主成分やその原料
の粉体粒子径に変化を与えないことは、添加剤の高分散
を行なっても、そのセラミック材料を用いた結晶粒径の
制御が容易に安定してできるという特に半導体磁器を得
るのに極めて有効な製造方法を提供できる。
いて主成分の粉末やその原料粉末と混合するようにした
ので、不純物の混入がなく、主成分やその原料の粉体粒
子径に変化を与えず、しかも添加剤を高分散させ、組成
を均一にするようにしたセラミック材料が得られ、その
結果これを用いて得られる特に半導体磁器の結晶粒径の
バラツキを小さくすることができ、また、特に誘電体磁
器において低温焼結化でき、さらにこれらにより特に半
導体磁器コンデンサにおいて静電容量等の電気特性のバ
ラツキを少なくすることができたり、あるいは絶縁破壊
電圧を高くする等の電気特性の性能及び精度の優れた磁
器電子部品を提供するができ、また、特に誘電体磁器コ
ンデンサにおいて品質係数Ｑ値や絶縁特性等の電気特性
の性能及び精度の優れた磁器電子部品を提供することが
でき、しかも特に面倒な複雑な工程を設けることなく、
ほぼ通常の工程といってよい方法で機能性磁器やこれを
用いた磁器電子部品を製造することができ、その製造も
容易であり生産性を害するということもない。また、こ
のように不純物の混入がないことや、主成分やその原料
の粉体粒子径に変化を与えないことは、添加剤の高分散
を行なっても、そのセラミック材料を用いた結晶粒径の
制御が容易に安定してできるという特に半導体磁器を得
るのに極めて有効な製造方法を提供できる。
【図１】本発明の方法の一実施例により得られた焼成体
の顕微鏡写真の模写図である。
の顕微鏡写真の模写図である。
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくともセラミック原料粉末を用いて
仮焼粉体を得る仮焼工程と、該仮焼工程を経て得られた
粉体を用いて得られたセラミック材料を用いた成形体の
焼成体からなる機能性磁器を得る工程を有する機能性磁
器の製造方法において、上記セラミック原料粉末に添加
剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程を有するこ
とにより上記仮焼粉体を得て該仮焼粉体を含有する上記
セラミック材料を得るか又は上記仮焼粉体に添加剤の一
部若しくは全部のゾルを添加する工程を有することによ
り上記セラミック材料を得る機能性磁器の製造方法。 - 【請求項２】 セラミック原料粉末に添加剤の一部若し
くは全部のゾルを添加する工程又は仮焼粉体に添加剤の
一部若しくは全部のゾルを添加する工程は添加剤を高分
散させたセラミック材料を得るために必要な工程である
請求項１に記載の機能性磁器の製造方法。 - 【請求項３】 セラミック材料が半導体セラミック材料
であり、機能性磁器が半導体磁器であり、添加剤を高分
散させることは該半導体セラミック材料の組成を均一化
させることであり、該組成の均一化により該半導体磁器
の素地の結晶核生成数を増加させることにより結晶粒径
のバラツキを制御する請求項２の機能性磁器の製造方
法。 - 【請求項４】 セラミック材料が誘電体セラミック材料
であり、機能性磁器が誘電体磁器であり、添加剤を高分
散させることは該誘電体セラミック材料の組成を均一化
させることであり、該組成の均一化ににより焼結温度を
低温側に制御にする請求項２の機能性磁器の製造方法。 - 【請求項５】 セラミック原料粉末から仮焼粉体を得る
仮焼工程と、該仮焼工程を経て得られた粉体を用いて得
られたセラミック材料を用いた成形体の焼成体からなる
機能性磁器を得る工程を有し、上記セラミック原料粉末
に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程を有
することにより上記仮焼粉体を得て該仮焼粉体を含有す
る上記セラミック材料を得るか又は上記仮焼粉体に添加
剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程を有するこ
とにより上記セラミック材料を得、上記セラミック原料
粉末に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程
又は仮焼粉体に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加
する工程は添加剤を高分散させたセラミック材料を得る
ための工程である機能性磁器の製造方法により得られる
機能性磁器を用いた磁器電子部品の製造方法において、
セラミック材料が半導体セラミック材料であり、機能性
磁器が半導体磁器であり、添加剤を高分散させることは
該半導体セラミック材料の組成を均一化させることであ
り、該組成の均一化により該半導体磁器を用いた半導体
磁器コンデンサの電気特性を制御する磁器電子部品の製
造方法。 - 【請求項６】 電気特性の制御は静電容量のバラツキを
小さくする側に制御すること及び絶縁破壊電圧を高くす
る側に制御することの少なくとも一方である請求項５に
記載の磁器電子部品の製造方法。 - 【請求項７】 セラミック原料粉末から仮焼粉体を得る
仮焼工程と、該仮焼工程を経て得られた粉体を用いて得
られたセラミック材料を用いた成形体の焼成体からなる
機能性磁器を得る工程を有し、上記セラミック原料粉末
に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程を有
することにより上記仮焼粉体を得て該仮焼粉体を含有す
る上記セラミック材料を得るか又は上記仮焼粉体に添加
剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程を有するこ
とにより上記セラミック材料を得、上記セラミック原料
粉末に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加する工程
又は仮焼粉体に添加剤の一部若しくは全部のゾルを添加
する工程は添加剤を高分散させたセラミック材料を得る
ための工程である機能性磁器の製造方法により得られる
磁器電子部品の製造方法において、セラミック材料が誘
電体セラミック材料であり、機能性磁器が誘電体磁器で
あり、添加剤を高分散させることは該誘電体セラミック
材料の組成を均一化させることであり、該組成の均一化
ににより該誘電体磁器を用いた誘電体磁器コンデンサの
電気特性を制御する磁器電子部品の製造方法。 - 【請求項８】 電気特性の制御は品質係数Ｑ値及び絶縁
特性の少なくとも一方の制御である請求項７に記載の磁
器電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22465796A JP3220846B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 半導体磁器及び半導体磁器電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22465796A JP3220846B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 半導体磁器及び半導体磁器電子部品の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1055930A true JPH1055930A (ja) | 1998-02-24 |
| JP3220846B2 JP3220846B2 (ja) | 2001-10-22 |
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ID=16817168
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22465796A Expired - Fee Related JP3220846B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 半導体磁器及び半導体磁器電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3220846B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001326132A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐還元性誘電体組成物及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP2002252138A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐還元性誘電体セラミック及びその製造方法、それを用いた積層セラミックコンデンサ |
| US7609504B2 (en) | 2005-04-01 | 2009-10-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | High-dielectric constant metal-ceramic-polymer composite material and method for producing embedded capacitor using the same |
-
1996
- 1996-08-08 JP JP22465796A patent/JP3220846B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2002252138A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐還元性誘電体セラミック及びその製造方法、それを用いた積層セラミックコンデンサ |
| US7609504B2 (en) | 2005-04-01 | 2009-10-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | High-dielectric constant metal-ceramic-polymer composite material and method for producing embedded capacitor using the same |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3220846B2 (ja) | 2001-10-22 |
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