JPH1055990A - 半導体ウェ−ハおよびその製造方法 - Google Patents
半導体ウェ−ハおよびその製造方法Info
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- JPH1055990A JPH1055990A JP22759896A JP22759896A JPH1055990A JP H1055990 A JPH1055990 A JP H1055990A JP 22759896 A JP22759896 A JP 22759896A JP 22759896 A JP22759896 A JP 22759896A JP H1055990 A JPH1055990 A JP H1055990A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面が超高平坦度・超高光沢度の鏡面で、裏
面が任意の光沢度の半導体ウェーハを得る。ウェーハ表
面の周辺部のダレを防ぎ、表面からリップルを除去した
半導体ウェーハを得る。超高平坦度・超高光沢度の表面
でかつ高光沢度の裏面を有するウェーハの製造での研磨
除去量を低減する。 【解決手段】 ラップ後のシリコンウェーハをＨＦ／Ｈ
ＮＯ3／ＣＨ3ＣＯＯＨ溶液に浸漬する。酸エッチング後
のウェーハの一面にライトポリッシングを施す。ウェー
ハの一面を、他の面を基準としてワックスレスでメカノ
ケミカル研磨を施す。０．０５〜０．６μｍだけ研磨除
去する。この後、ウェーハの反対側の面には鏡面研磨
（ワックス／ワックスレス）を施す。この結果、表面が
鏡面で裏面が任意の光沢度のウェーハを得られる。
面が任意の光沢度の半導体ウェーハを得る。ウェーハ表
面の周辺部のダレを防ぎ、表面からリップルを除去した
半導体ウェーハを得る。超高平坦度・超高光沢度の表面
でかつ高光沢度の裏面を有するウェーハの製造での研磨
除去量を低減する。 【解決手段】 ラップ後のシリコンウェーハをＨＦ／Ｈ
ＮＯ3／ＣＨ3ＣＯＯＨ溶液に浸漬する。酸エッチング後
のウェーハの一面にライトポリッシングを施す。ウェー
ハの一面を、他の面を基準としてワックスレスでメカノ
ケミカル研磨を施す。０．０５〜０．６μｍだけ研磨除
去する。この後、ウェーハの反対側の面には鏡面研磨
（ワックス／ワックスレス）を施す。この結果、表面が
鏡面で裏面が任意の光沢度のウェーハを得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、片面を鏡面研磨
した半導体ウェーハおよびその片面鏡面研磨半導体ウェ
ーハの製造方法に関する。
した半導体ウェーハおよびその片面鏡面研磨半導体ウェ
ーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、片面鏡面研磨シリコンウェー
ハの製造にあっては、シリコン単結晶のブロックインゴ
ットをスライシングし、そのソーマーク等をラッピング
で除去している。そして、このラッピングでの加工ひず
み（ダメージ）はエッチングで除去している。エッチン
グ後、シリコンウェーハは、研磨機を用いてその片面
（表面）がポリッシュされて片面鏡面ウェーハが作製さ
れる。図５にはこの従来の製法を示している。さらに、
この鏡面ウェーハはデバイス工程等に供される。そし
て、このデバイス工程で要求されるウェーハは、その表
面がデバイス形成面として超高平坦度かつ超高光沢度の
鏡面研磨面であって、その裏面は所定の高平坦度・高光
沢度を有する必要がある。ウェーハ裏面が低光沢度の状
態では、デバイス工程でセンサが働かないおそれがある
からである。また、ウェーハ裏面を鏡面化すると、表面
との判別が困難となるからである。
ハの製造にあっては、シリコン単結晶のブロックインゴ
ットをスライシングし、そのソーマーク等をラッピング
で除去している。そして、このラッピングでの加工ひず
み（ダメージ）はエッチングで除去している。エッチン
グ後、シリコンウェーハは、研磨機を用いてその片面
（表面）がポリッシュされて片面鏡面ウェーハが作製さ
れる。図５にはこの従来の製法を示している。さらに、
この鏡面ウェーハはデバイス工程等に供される。そし
て、このデバイス工程で要求されるウェーハは、その表
面がデバイス形成面として超高平坦度かつ超高光沢度の
鏡面研磨面であって、その裏面は所定の高平坦度・高光
沢度を有する必要がある。ウェーハ裏面が低光沢度の状
態では、デバイス工程でセンサが働かないおそれがある
からである。また、ウェーハ裏面を鏡面化すると、表面
との判別が困難となるからである。
【０００３】ところで、上記従来のエッチング工程で
は、シリコンウェーハ表裏面の平坦度または光沢度のい
ずれかが犠牲になる。通常使用されるＨＦ／ＨＮＯ3液
によるエッチングの場合、シリコンウェーハ表裏面の平
坦度とその光沢度とが、図６に示すように、逆相関の関
係を呈するからである。エッチング面で高平坦度を得る
と、そのエッチング面の光沢度は低くなる関係である。
また、エッチング可能なウェーハ枚数は、図７に示すよ
うに、光沢度が高くなるにつれて、少なくなる関係にあ
る。
は、シリコンウェーハ表裏面の平坦度または光沢度のい
ずれかが犠牲になる。通常使用されるＨＦ／ＨＮＯ3液
によるエッチングの場合、シリコンウェーハ表裏面の平
坦度とその光沢度とが、図６に示すように、逆相関の関
係を呈するからである。エッチング面で高平坦度を得る
と、そのエッチング面の光沢度は低くなる関係である。
また、エッチング可能なウェーハ枚数は、図７に示すよ
うに、光沢度が高くなるにつれて、少なくなる関係にあ
る。
【０００４】よって、この高光沢度を得るための条件で
のエッチングを行うと、ウェーハの周辺部に周辺ダレが
発生するという不都合があった。周辺ダレとは、ウェー
ハの周辺部のＬＴＶ（Ｌｏｃａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ
Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が基準値を満たさないことであ
る。図８はこのエッチング量と残るダメージ量との関係
を示している。ラップダメージは５μｍ以上のエッチン
グで除去することができる。また、このエッチングはあ
る程度以上行わないと、光沢度を高めることができな
い。また、図９はエッチング量とウェーハの周辺部に発
生する周辺ダレ量との関係を示している。
のエッチングを行うと、ウェーハの周辺部に周辺ダレが
発生するという不都合があった。周辺ダレとは、ウェー
ハの周辺部のＬＴＶ（Ｌｏｃａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ
Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が基準値を満たさないことであ
る。図８はこのエッチング量と残るダメージ量との関係
を示している。ラップダメージは５μｍ以上のエッチン
グで除去することができる。また、このエッチングはあ
る程度以上行わないと、光沢度を高めることができな
い。また、図９はエッチング量とウェーハの周辺部に発
生する周辺ダレ量との関係を示している。
【０００５】そこで、この対策として、ラップドウェー
ハに対してアルカリエッチングを施し、さらに、その凹
凸面（ウェーハ裏面）に３μｍ程度の研磨を施す技術が
提案されている（特開平６−３４９７９５号公報）。こ
の裏面研磨により所定の平坦度・光沢度を得るとするも
のである。なお、この場合、ウェーハ表面には鏡面研磨
が施される。
ハに対してアルカリエッチングを施し、さらに、その凹
凸面（ウェーハ裏面）に３μｍ程度の研磨を施す技術が
提案されている（特開平６−３４９７９５号公報）。こ
の裏面研磨により所定の平坦度・光沢度を得るとするも
のである。なお、この場合、ウェーハ表面には鏡面研磨
が施される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
アルカリエッチングと裏面研磨との組合せによる製法に
あっては、アルカリによるエッチングでその裏面凹凸が
急峻であるため、裏面研磨での除去量が大きいという課
題があった。
アルカリエッチングと裏面研磨との組合せによる製法に
あっては、アルカリによるエッチングでその裏面凹凸が
急峻であるため、裏面研磨での除去量が大きいという課
題があった。
【０００７】
【発明の目的】この発明の目的は、表面が超高平坦度・
超高光沢度の鏡面で、裏面が所定の高光沢度の半導体ウ
ェーハを得ることである。この発明の目的は、半導体ウ
ェーハ表面の周辺部のダレを防ぎ、かつ、表面からリッ
プル（魔境観察で観察されるウェーハ面のうねり）を除
去した半導体ウェーハを提供することである。また、こ
の発明の目的は、超高平坦度・超高光沢度の表面でかつ
高光沢度の裏面を有する半導体ウェーハの製造する際の
研磨除去量を低減することである。また、この発明の目
的は、裏面に任意の光沢度を得ることができる半導体ウ
ェーハの製法を提供することである。
超高光沢度の鏡面で、裏面が所定の高光沢度の半導体ウ
ェーハを得ることである。この発明の目的は、半導体ウ
ェーハ表面の周辺部のダレを防ぎ、かつ、表面からリッ
プル（魔境観察で観察されるウェーハ面のうねり）を除
去した半導体ウェーハを提供することである。また、こ
の発明の目的は、超高平坦度・超高光沢度の表面でかつ
高光沢度の裏面を有する半導体ウェーハの製造する際の
研磨除去量を低減することである。また、この発明の目
的は、裏面に任意の光沢度を得ることができる半導体ウ
ェーハの製法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、表面に鏡面研磨が施されるとともに、裏面にライト
ポリッシングが施された半導体ウェーハであって、上記
ライトポリッシングは、酸エッチング後の半導体ウェー
ハの一方の面を、その面を基準にして（すなわち表面基
準にして）０．０５〜０．６μｍの量だけメカノケミカ
ル研磨した半導体ウェーハである。
は、表面に鏡面研磨が施されるとともに、裏面にライト
ポリッシングが施された半導体ウェーハであって、上記
ライトポリッシングは、酸エッチング後の半導体ウェー
ハの一方の面を、その面を基準にして（すなわち表面基
準にして）０．０５〜０．６μｍの量だけメカノケミカ
ル研磨した半導体ウェーハである。
【０００９】請求項２に記載の発明は、ラップ後の半導
体ウェーハを酸エッチングするエッチング工程と、この
エッチング工程の後、半導体ウェーハの一面にライトポ
リッシングを施す研磨工程と、この研磨工程の後、この
半導体ウェーハの他の面を鏡面研磨する鏡面研磨工程
と、を含む半導体ウェーハの製造方法である。
体ウェーハを酸エッチングするエッチング工程と、この
エッチング工程の後、半導体ウェーハの一面にライトポ
リッシングを施す研磨工程と、この研磨工程の後、この
半導体ウェーハの他の面を鏡面研磨する鏡面研磨工程
と、を含む半導体ウェーハの製造方法である。
【００１０】請求項３に記載の発明は、上記ライトポリ
ッシングでは、高い平坦度を得るための酸エッチングを
施した半導体ウェーハについて、その一面を、他の面を
基準として０．０５〜０．６μｍの量だけメカノケミカ
ル研磨を施す請求項２に記載の半導体ウェーハの製造方
法である。
ッシングでは、高い平坦度を得るための酸エッチングを
施した半導体ウェーハについて、その一面を、他の面を
基準として０．０５〜０．６μｍの量だけメカノケミカ
ル研磨を施す請求項２に記載の半導体ウェーハの製造方
法である。
【００１１】請求項４に記載の発明は、上記エッチング
工程では、フッ酸と硝酸と酢酸との混酸を水で希釈した
４成分素による酸エッチングを施す請求項２または請求
項３のいずれかに記載の半導体ウェーハの製造方法であ
る。
工程では、フッ酸と硝酸と酢酸との混酸を水で希釈した
４成分素による酸エッチングを施す請求項２または請求
項３のいずれかに記載の半導体ウェーハの製造方法であ
る。
【００１２】
【作用】請求項１に記載の発明では、半導体ウェーハの
表面は鏡面であり、以降のデバイス工程でこの面にデバ
イスが形成される。このデバイス工程では半導体ウェー
ハの裏面を光学的に検知して処理が行われるが、この半
導体ウェーハの裏面はライトポリッシングにより高光沢
度に形成されており、光学的検知過程での誤動作等を回
避することができる。
表面は鏡面であり、以降のデバイス工程でこの面にデバ
イスが形成される。このデバイス工程では半導体ウェー
ハの裏面を光学的に検知して処理が行われるが、この半
導体ウェーハの裏面はライトポリッシングにより高光沢
度に形成されており、光学的検知過程での誤動作等を回
避することができる。
【００１３】請求項２〜４に記載の発明では、ラップ後
の半導体ウェーハを酸エッチングする。ＨＦ／ＨＮＯ3
／ＣＨ3ＣＯＯＨ溶液にウェーハを浸漬する。この１回
のエッチングで高平坦度の表裏面を形成する。また、こ
のエッチング液での処理枚数が増える。そして、この酸
エッチング後の半導体ウェーハの一面にライトポリッシ
ングを施す。ライトポリッシングは、高い平坦度を得る
ための酸エッチングを施した半導体ウェーハの一面を、
他の面を基準として例えばワックスレスでメカノケミカ
ル研磨を施すことで０．０５〜０．６μｍの量だけ除去
するものである。さらには、ライトポリッシング後の半
導体ウェーハの他の面（反対側の面）には通常の条件で
の鏡面研磨を施す。この場合の鏡面研磨は、ワックス研
磨でも、ワックスレス枚葉研磨のいずれでも良い。前者
では裏面からのワックス除去が簡単であり、後者では、
裏面の真空吸着などが容易となる。そして、この結果、
表面が鏡面で、裏面が高光沢度の半導体ウェーハを得る
ことができる。また、エッチング量が減り、１本のイン
ゴットから得られるウェーハの枚数が多くなる。
の半導体ウェーハを酸エッチングする。ＨＦ／ＨＮＯ3
／ＣＨ3ＣＯＯＨ溶液にウェーハを浸漬する。この１回
のエッチングで高平坦度の表裏面を形成する。また、こ
のエッチング液での処理枚数が増える。そして、この酸
エッチング後の半導体ウェーハの一面にライトポリッシ
ングを施す。ライトポリッシングは、高い平坦度を得る
ための酸エッチングを施した半導体ウェーハの一面を、
他の面を基準として例えばワックスレスでメカノケミカ
ル研磨を施すことで０．０５〜０．６μｍの量だけ除去
するものである。さらには、ライトポリッシング後の半
導体ウェーハの他の面（反対側の面）には通常の条件で
の鏡面研磨を施す。この場合の鏡面研磨は、ワックス研
磨でも、ワックスレス枚葉研磨のいずれでも良い。前者
では裏面からのワックス除去が簡単であり、後者では、
裏面の真空吸着などが容易となる。そして、この結果、
表面が鏡面で、裏面が高光沢度の半導体ウェーハを得る
ことができる。また、エッチング量が減り、１本のイン
ゴットから得られるウェーハの枚数が多くなる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例を図面
を参照して説明する。図１〜図４はこの発明に係る半導
体ウェーハの製造方法の一実施例を説明するための図で
ある。
を参照して説明する。図１〜図４はこの発明に係る半導
体ウェーハの製造方法の一実施例を説明するための図で
ある。
【００１５】まず、この発明方法にあっては、ＣＺ法に
より引き上げられたシリコンインゴットからスライスさ
れたシリコンウェーハに、面取り、ラップ処理を施した
後、図１に示すように、酸エッチングを施したものとす
る。この酸エッチングは、ラップした後のシリコンウェ
ーハを、例えばＨＦ／ＨＮＯ3／ＣＨ3ＣＯＯＨ／Ｈ2Ｏ
（＝１：６：５：１）溶液中に所定時間浸漬して行う。
このエッチング液の液温は５０度とする。この結果、高
平坦度の表裏面を有するシリコンウェーハが形成される
こととなる。
より引き上げられたシリコンインゴットからスライスさ
れたシリコンウェーハに、面取り、ラップ処理を施した
後、図１に示すように、酸エッチングを施したものとす
る。この酸エッチングは、ラップした後のシリコンウェ
ーハを、例えばＨＦ／ＨＮＯ3／ＣＨ3ＣＯＯＨ／Ｈ2Ｏ
（＝１：６：５：１）溶液中に所定時間浸漬して行う。
このエッチング液の液温は５０度とする。この結果、高
平坦度の表裏面を有するシリコンウェーハが形成される
こととなる。
【００１６】次いで、酸エッチング後のシリコンウェー
ハの一面（ウェーハ裏面）についてライトポリッシング
を施す。このライトポリッシングは以下のようにして施
される。すなわち、シリコンウェーハを枚葉式研磨装置
の上定盤にワックスレス状態で固定した後、下定盤に固
定された研磨布をこのウェーハ裏面に当接させ（すなわ
ち表面基準）、ＳｉＯ2（コロイダルシリカ）等の微細
な研磨粒子を含有するアルカリ性研磨液を供給しつつ、
各定盤を相対回転させ、メカノケミカル研磨を行うもの
である。このメカノケミカル研磨は、ウェーハ表面に対
する鏡面研磨での仕上げ研磨に相当する。図２にはこの
ライトポリッシングの前後でのウェーハ裏面状態を断面
で示している。
ハの一面（ウェーハ裏面）についてライトポリッシング
を施す。このライトポリッシングは以下のようにして施
される。すなわち、シリコンウェーハを枚葉式研磨装置
の上定盤にワックスレス状態で固定した後、下定盤に固
定された研磨布をこのウェーハ裏面に当接させ（すなわ
ち表面基準）、ＳｉＯ2（コロイダルシリカ）等の微細
な研磨粒子を含有するアルカリ性研磨液を供給しつつ、
各定盤を相対回転させ、メカノケミカル研磨を行うもの
である。このメカノケミカル研磨は、ウェーハ表面に対
する鏡面研磨での仕上げ研磨に相当する。図２にはこの
ライトポリッシングの前後でのウェーハ裏面状態を断面
で示している。
【００１７】ライトポリッシングでのシリコン層の平均
除去量は、要求される光沢度に対応させて０．０５〜
０．６μｍとする。例えばエッチング後の光沢度が１０
％のときのシリコンウェーハについてライトポリッシン
グにより０．１μｍを除去すると、その光沢度は約７０
〜８０％となる。図３にはこのライトポリッシングでの
研磨時間（研磨量）と光沢度との関係を示している。こ
の関係は、エッチング条件（エッチャントの組成、温度
等）、ライトポリッシュ条件（研磨布・圧力等）により
種々に変化するものである。なお、この場合のライトポ
リッシングしたウェーハは、エッチング後のシリコンウ
ェーハの光沢度が１０％であったものを用いている。
除去量は、要求される光沢度に対応させて０．０５〜
０．６μｍとする。例えばエッチング後の光沢度が１０
％のときのシリコンウェーハについてライトポリッシン
グにより０．１μｍを除去すると、その光沢度は約７０
〜８０％となる。図３にはこのライトポリッシングでの
研磨時間（研磨量）と光沢度との関係を示している。こ
の関係は、エッチング条件（エッチャントの組成、温度
等）、ライトポリッシュ条件（研磨布・圧力等）により
種々に変化するものである。なお、この場合のライトポ
リッシングしたウェーハは、エッチング後のシリコンウ
ェーハの光沢度が１０％であったものを用いている。
【００１８】次の表は、酸エッチング後のウェーハ表面
光沢度に対するライトポリッシングでの好適な研磨量の
範囲を示している。すなわち、光沢度が６０％程度以上
であって鏡面にならない範囲での研磨除去量を示してい
る。例えば酸エッチングで光沢度が１０％のときのウェ
ーハを、ライトポリッシングで０．１μｍ未満の除去量
ではウェーハの光沢度は６０％未満であり、０．５μｍ
を越えて除去すると鏡面化してしまうのである。酸エッ
チングで得られた光沢度により、また、目標とする光沢
度により、この除去量を決定するものとする。
光沢度に対するライトポリッシングでの好適な研磨量の
範囲を示している。すなわち、光沢度が６０％程度以上
であって鏡面にならない範囲での研磨除去量を示してい
る。例えば酸エッチングで光沢度が１０％のときのウェ
ーハを、ライトポリッシングで０．１μｍ未満の除去量
ではウェーハの光沢度は６０％未満であり、０．５μｍ
を越えて除去すると鏡面化してしまうのである。酸エッ
チングで得られた光沢度により、また、目標とする光沢
度により、この除去量を決定するものとする。
【００１９】
【表】
【００２０】ライトポリッシング装置では、例えば研磨
布の下に１ｍｍの厚さの発泡樹脂製のシートを取り付け
ている。このため、研磨布を下定盤上面に直接貼付した
場合より沈み込みが大きくなり、ウェーハの凸部分が研
磨布により強く押し込まれ、メカノケミカル反応が促進
されて、凸部が優先的に研磨除去されるものである。し
たがって、異常突起部分も研磨布に強く押し込まれて研
磨除去されることとなる。
布の下に１ｍｍの厚さの発泡樹脂製のシートを取り付け
ている。このため、研磨布を下定盤上面に直接貼付した
場合より沈み込みが大きくなり、ウェーハの凸部分が研
磨布により強く押し込まれ、メカノケミカル反応が促進
されて、凸部が優先的に研磨除去されるものである。し
たがって、異常突起部分も研磨布に強く押し込まれて研
磨除去されることとなる。
【００２１】ライトポリッシング時のシリコン層の好適
な平均除去量は、上述の表に示すように、０．０５〜
０．６μｍである。この場合、０．０５μｍ未満では裏
面（ポリッシング面）が表面（後の鏡面）に転写されて
微小うねりが生じる。また、０．６μｍを越えると、鏡
面が形成されてしまい、デバイス工程で吸着の問題を生
じるからである。
な平均除去量は、上述の表に示すように、０．０５〜
０．６μｍである。この場合、０．０５μｍ未満では裏
面（ポリッシング面）が表面（後の鏡面）に転写されて
微小うねりが生じる。また、０．６μｍを越えると、鏡
面が形成されてしまい、デバイス工程で吸着の問題を生
じるからである。
【００２２】また、この場合の研磨布に対する当接圧力
は５０〜４００ｇｆ／ｃｍ2程度、研磨液のｐＨ濃度は
１０〜１１、コロイダルシリカ粒子の平均粒径は０．１
μｍ程度が好ましい。これらの範囲を外れると、いずれ
の場合もウェーハ裏面の研磨むらや異常突起がつぶれて
パーティクルとなり、スクラッチが生じる可能性がある
からである。
は５０〜４００ｇｆ／ｃｍ2程度、研磨液のｐＨ濃度は
１０〜１１、コロイダルシリカ粒子の平均粒径は０．１
μｍ程度が好ましい。これらの範囲を外れると、いずれ
の場合もウェーハ裏面の研磨むらや異常突起がつぶれて
パーティクルとなり、スクラッチが生じる可能性がある
からである。
【００２３】さらに、このシリコンウェーハの非ライト
ポリッシング面（反対側の面）には、通常の鏡面研磨が
施される。これにより、表面が鏡面で裏面が高光沢度の
シリコンウェーハが得られる。
ポリッシング面（反対側の面）には、通常の鏡面研磨が
施される。これにより、表面が鏡面で裏面が高光沢度の
シリコンウェーハが得られる。
【００２４】図４には、エッチング液での累計処理枚数
と光沢度との関係を示している。これはこのエッチング
液の寿命を示すものである。このときのエッチング液の
組成は、ＨＦ／ＨＮＯ3／ＣＨ3ＣＯＯＨ／Ｈ2Ｏ（＝
１：６：５：１）であり、その液温は５０度とする。口
径が８インチで結晶方位が〈１００〉のシリコンウェー
ハでエッチング取代は（２０μｍ×２）とする。なお、
ライトポリッシュでの目標の光沢度は１００％である。
図中、○はエッチング後の光沢度、●はさらにライトポ
リッシュ後の光沢度である。このようにエッチング液の
寿命は延びる。
と光沢度との関係を示している。これはこのエッチング
液の寿命を示すものである。このときのエッチング液の
組成は、ＨＦ／ＨＮＯ3／ＣＨ3ＣＯＯＨ／Ｈ2Ｏ（＝
１：６：５：１）であり、その液温は５０度とする。口
径が８インチで結晶方位が〈１００〉のシリコンウェー
ハでエッチング取代は（２０μｍ×２）とする。なお、
ライトポリッシュでの目標の光沢度は１００％である。
図中、○はエッチング後の光沢度、●はさらにライトポ
リッシュ後の光沢度である。このようにエッチング液の
寿命は延びる。
【００２５】
【発明の効果】この発明によれば、ラップダメージ除去
目的のエッチングだけでも高平坦度・裏面高光沢度の半
導体ウェーハを作製することができる。また、半導体ウ
ェーハでのエッチング量が減少する。よって、エッチン
グ処理時間が短縮される。また、１枚のシリコンウェー
ハからのエッチング量も低減される。よって、１本のシ
リコンインゴットから作製することができるシリコンウ
ェーハの枚数が増える。
目的のエッチングだけでも高平坦度・裏面高光沢度の半
導体ウェーハを作製することができる。また、半導体ウ
ェーハでのエッチング量が減少する。よって、エッチン
グ処理時間が短縮される。また、１枚のシリコンウェー
ハからのエッチング量も低減される。よって、１本のシ
リコンインゴットから作製することができるシリコンウ
ェーハの枚数が増える。
【図１】この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの製
造方法を実施した場合の各工程を示す断面図である。
造方法を実施した場合の各工程を示す断面図である。
【図２】この発明の一実施例に係るライトポリッシング
前後のウェーハ裏面を示す断面図である。
前後のウェーハ裏面を示す断面図である。
【図３】この発明の一実施例に係るライトポリッシング
での研磨量（研磨時間）と光沢度との関係を示すグラフ
である。
での研磨量（研磨時間）と光沢度との関係を示すグラフ
である。
【図４】この発明の一実施例に係るエッチング後のウェ
ーハ裏面の光沢度と累計処理枚数との関係を示すグラフ
である。
ーハ裏面の光沢度と累計処理枚数との関係を示すグラフ
である。
【図５】従来の半導体ウェーハの製造方法を説明するた
めの工程図である。
めの工程図である。
【図６】ＨＦ／ＨＮＯ3溶液でのエッチングにおける半
導体ウェーハの平坦度と光沢度との関係を示すグラフで
ある。
導体ウェーハの平坦度と光沢度との関係を示すグラフで
ある。
【図７】高光沢度を得るためのエッチング液でのウェー
ハ処理枚数とその光沢度との関係を示すグラフである。
ハ処理枚数とその光沢度との関係を示すグラフである。
【図８】半導体ウェーハのエッチング量と残ダメージ量
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図９】半導体ウェーハのエッチング量と周辺ダレ量と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に鏡面研磨が施されるとともに、裏
面にライトポリッシングが施された半導体ウェーハであ
って、 上記ライトポリッシングは、酸エッチング後の半導体ウ
ェーハの一方の面を、その面を基準にして０．０５〜
０．６μｍの量だけメカノケミカル研磨した半導体ウェ
ーハ。 - 【請求項２】 ラップ後の半導体ウェーハを酸エッチン
グするエッチング工程と、 このエッチング工程の後、半導体ウェーハの一面にライ
トポリッシングを施す研磨工程と、 この研磨工程の後、この半導体ウェーハの他の面を鏡面
研磨する鏡面研磨工程と、を含む半導体ウェーハの製造
方法。 - 【請求項３】 上記ライトポリッシングでは、高い平坦
度を得るための酸エッチングを施した半導体ウェーハに
ついて、その一面を、他の面を基準として０．０５〜
０．６μｍの量だけメカノケミカル研磨を施す請求項２
に記載の半導体ウェーハの製造方法。 - 【請求項４】 上記エッチング工程では、フッ酸と硝酸
と酢酸との混酸を水で希釈した３成分素による酸エッチ
ングを施す請求項２または請求項３のいずれかに記載の
半導体ウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22759896A JP3430499B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 半導体ウェ−ハおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22759896A JP3430499B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 半導体ウェ−ハおよびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1055990A true JPH1055990A (ja) | 1998-02-24 |
| JP3430499B2 JP3430499B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=16863448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22759896A Ceased JP3430499B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 半導体ウェ−ハおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3430499B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1996
- 1996-08-09 JP JP22759896A patent/JP3430499B2/ja not_active Ceased
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