JPH1056342A - アンプ - Google Patents

アンプ

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Publication number
JPH1056342A
JPH1056342A JP11045997A JP11045997A JPH1056342A JP H1056342 A JPH1056342 A JP H1056342A JP 11045997 A JP11045997 A JP 11045997A JP 11045997 A JP11045997 A JP 11045997A JP H1056342 A JPH1056342 A JP H1056342A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
amplifier
transistors
transistor
voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP11045997A
Other languages
English (en)
Inventor
Suchiyuaato Kuraaku Deibuitsuto
スチュアート クラーク デイヴィット
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Plessey Semiconductors Ltd
Original Assignee
Plessey Semiconductors Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Plessey Semiconductors Ltd filed Critical Plessey Semiconductors Ltd
Publication of JPH1056342A publication Critical patent/JPH1056342A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 トランジスタの初期電圧が低くても、高いゲ
インを実現するアンプを提供する。 【解決手段】 例えばオペアンプ等のアンプにおいて、
低い供給電圧にかかわらずゲインの高い差動段が設けら
れている。従来の入力段Q1〜Q4に、他の入力段Q1
1〜Q15を付加し、このようにして形成した一対の電
圧緩衝回路を差動対とし、出力トランジスタQ5,Q1
5を差動対として配置することにより、PNPトランジ
スタQ3,Q13,Q17の初期電圧が低くても、高い
ゲインを実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はアンプに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】本発明は特に、送受信器(transc
eiver)中において各RFチャンネル周波数の合成
用に使用される位相ロック回路中のオペアンプに関する
ものであり、主にWLAN(Wireless Loc
al Area Network)用の送受信器に用い
られるものに関する。
【0003】後者の一つの応用として、ホストコンピュ
ータと通信を行うラップトップコンピュータなどのポー
タブル端末機や売り上げ端末機があり、この場合、例え
ばPCMCIA(Personal Computer
Memory CardInternational
Association)サイズのカードなどの標準
PC拡張カード内に送受信器が搭載される。しかし、こ
のカードは標準供給電圧が3.0ボルト±10%である
ため、要求される大きな出力電流を供給するに必要な十
分に大きなゲインを達成し、”レール・ツー・レール”
のスイングを適切なコストのままで達成することが困難
である。
【0004】図5に例としてオペアンプの典型的な入力
段を示す。この入力段は高入力インピーダンス、低出力
インピーダンスの電圧緩衝回路である。
【0005】電流ミラーQ3,Q4は、トランジスタQ
1,Q2よりなる差動対のコレクタ負荷となる。ここで
ダイオードとして接続されているトランジスタQ4は標
準電流を形成する。電流I1 は前記差動対にバイアスを
掛ける。入力段の出力Vは、電流源I2 がバイアスする
ドライバ段Q5に供給される。
【0006】図5の入力段のゲイン(V/δ:ここでδ
は差動入力電圧、Vは回路がバランスされている場合の
差動対の出力における電圧である。)は、図6に示した
アンバランス回路の例を参照することにより推定するこ
とができる(電流がI/2であることに注意)。
【0007】
【数1】
【0008】
【数2】
【0009】なお、kはボルツマン定数、Tは絶対温
度、qは電子の電荷である。
【0010】図5において、交流信号に対しては、RL
はトランジスタQ2とトランジスタQ3のコレクタイン
ピーダンスの並列結合よりなるとみなすことができるこ
とがわかる。トランジスタQ2のコレクタインピーダン
スは次式で与えられる。
【0011】
【数3】
【0012】ここで、VA(N) はNPNトランジスタ
の初期電圧である。トランジスタQ3のコレクタインピ
ーダンスは次式で与えられる。
【0013】
【数4】
【0014】ここで、VA(P) はPNPトランジスタ
の初期電圧である。PNPトランジスタの初期電圧はN
PNトランジスタの35ボルトと比較して小さい(約1
0ボルト)。PNPトランジスタQ3の初期電圧の例を
図7に示す。
【0015】従って、RL は各コレクタインピーダンス
の並列結合(つまり積/和)となり、次式で表される。
【0016】
【数5】
【0017】VA (eff)は従って図5に示した差動
入力段の実効初期電圧である。すなわち、
【0018】
【数6】
【0019】
【発明が解決しようとする課題】VA (P)よりさらに
小さいこのVA (eff)の値は、可能なGain A
vdの値全体を小さく制限してしまう。
【0020】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下のような
特徴を有するアンプを提供する。該アンプは、第1の出
力電極を有した第1のトランジスタの制御電極に出力が
接続された比較的高入力インピーダンス・低出力インピ
ーダンスを有する第1の電圧緩衝回路と、第1の出力電
極を有した第2のトランジスタの制御電極に出力が接続
された比較的高入力インピーダンス・低出力インピーダ
ンスを有する第2の電圧緩衝回路とを備えており、前記
2つの電圧緩衝回路は差動対として配置され、前記各入
力はアンプの入力を形成し、前記第1および第2のトラ
ンジスタは差動対として配置され、前記2つのトランジ
スタの第2の出力電極は互いに接続され、前記第1の出
力電極のうちの少なくとも一つがアンプの出力として接
続されている。
【0021】このような配置により、PNPトランジス
タが用いられている場合においても、低い双極供給電圧
のもとで高いゲインを達成することが可能となる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明を各添付図面の参照
により例示して説明する。まず、図1を参照する。局所
的オシレータを形成しているこの位相ロック回路は、W
LAN用に使用される送受信器中において各RF周波数
チャンネルの合成に用いられるものであり、ホスト計算
機への送信を行う可般端末機内に装着されるPCMCI
Aサイズのカードに収納されるものである。
【0023】各RFチャンネル(約2.4〜2.5GH
z)は電圧制御オシレータ(VCO)1の出力において
合成される。この電圧制御オシレータ1は、その制御電
圧をオペアンプ2から供給され、オペアンプ2には3次
フィルタ(third order filter)3
が反転入力端子にフィードバックモードで接続されてい
る。
【0024】オペアンプ2の反転入力は、位相検出器5
により制御される電荷ポンプ(charge pum
p)4に接続されている。位相検出器5は標準オシレー
タ6の位相と、電圧制御オシレータ1の出力をカウンタ
7においてNで除したものの位相とを比較する。このカ
ウンタ7における除算率は、回路を別の出力周波数にロ
ックさせるために増減させることもできる。
【0025】電荷ポンプ4はオペアンプ2の反転入力に
パルスを供給する。このパルスは位相エラーに従ってそ
のパルス幅と極性が変化するが、振幅は常に同一の値を
とる。適切な電荷ポンプ4がGB−B−2 249 4
43号公報に記載されている。なお、非反転入力端子は
標準電位に保持される。
【0026】上記の回路において、反転入力端子に流入
するオフセット電流を極力小さくして反転入力端子を実
質的アースに極力近くするためには、反転入力端子にお
いて電荷ポンプ4から供給されるパルスが回路フィルタ
付近の出力より供給される電流によりできるだけ打ち消
される必要があり、このため、オペアンプ2には高いゲ
インが要求される。
【0027】電荷ポンプ4が生成供給する電流の周波数
は例えば1MHzとすることができ、パルス持続時間は
0から700nsの間で変化させることができ、振幅は
例えば1mA(正/負)とすることができる。
【0028】なお、位相ロック回路の適切な同調幅を持
たせるためには、オペアンプ2の出力は、前記の3ボル
ト±10%の制限のために2.7ボルト程度の低い値と
なる供給電圧の間をほぼレール・ツー・レールにスイン
グできる必要がある。
【0029】本発明に従えば、周知の入力段の部品Q1
からQ5およびI1 と同等な部品Q11からQ15およ
びバイアス電流源I11により示されるもう一つの入力段
が、図5に示した従来の入力段に付加される。
【0030】差動入力はトランジスタQ1とトランジス
タQ12のベースに接続され、トランジスタQ5とトラ
ンジスタQ15は互いに接続されてコレクタ負荷に電流
ミラーQ16,17を有した形の差動対を形成する。ト
ランジスタQ16はダイオードとして接続されており、
トランジスタQ17は出力を形成する。
【0031】
【数7】
【0032】上式中の出力V0 はオペアンプ2の出力で
はなくオペアンプ2の入力段の出力である。オペアンプ
2は入力段のほかにドライバ段と出力段を有する。
【0033】本発明の入力段の全ゲインは以下のように
して計算することができる。まず、A段についてのゲイ
ン(Gain Avd)は次式により与えられる。
【0034】
【数8】
【0035】従って、
【0036】
【数9】
【0037】B段についてのゲイン(Gain Av
d)は、同様に次式により与えられる。
【0038】
【数10】
【0039】従って、
【0040】
【数11】
【0041】C段についてのゲイン(Gain Av
d)は次式により与えられる。
【0042】
【数12】
【0043】従って、
【0044】
【数13】
【0045】ここでVB1=VB2=VB であり、VOA=V
1 ,VOB=V2 であることを思い出すと、入力段の全ゲ
インAV(total) は次式となる。
【0046】
【数14】
【0047】なお、この解析においてはA,B,C段に
おける各出力コレクタへの負荷は等しいものと仮定して
いる。
【0048】電圧緩衝回路Q1〜Q4およびQ11〜Q
14を差動対Q5,Q15,Q16,Q17への入力に
組み入れることは、この第1段によって約104 のゲイ
ンが達成できることを意味する。これに比して、図5の
入力段のゲインは102 程度である。
【0049】
【発明の効果】図3のグラフは電圧ゲインにおける本発
明の効果を示している。下の曲線は図1の従来の入力
段、上の曲線はこの改良された入力段を示す。
【0050】PNPトランジスタQ3,Q13,Q17
は、トランジスタQ1,Q2,Q11,Q12,および
Q5,Q15よりなる各差動対のコレクタ回路中におい
てその影響を受けるため、コレクタアーム中のインピー
ダンスを抑制して前記各差動段によるゲインを制限する
が、PNPトランジスタQ3,Q13,Q17の低い初
期電圧に起因する低いVA (eff)の値は、上述の改
良されたゲインにより補われる。
【0051】そして、適切な設計のドライバ段と出力段
と接続すれば、出力電圧をほとんどレール・ツー・レー
ルにスイングさせることが可能となる。
【0052】図4に適切なドライバ段(Q18,Q1
9)および出力段(Q20)を示す。この出力は、電圧
制御オシレータ1のバリキャップ(varicap)を
駆動する。
【0053】実用においては、図2の回路は各PNPト
ランジスタにエミッタ縮退を持たせることができ、トラ
ンジスタQ5,Q15のベースに保護回路を持たせてト
ランジスタQ2,Q11が逆バイアス状態(Vce(飽
和)を越えることもあり、逆モード動作が発生する。)
に入ることを防止することができる。各電流源にはバン
ドギャップを用いたトランジスタを使用してもよい。ま
た、補償キャパシタンスをいくつか取り付けてもよい。
【0054】なお、本発明の範囲を逸脱することなく種
々の変形例をつくり出すことができることはいうまでも
ない。従って例えば、本発明を位相ロック回路以外に使
用されるオペアンプや、フィードバックを有しないアン
プなどに適用することも可能である。同様に、アンプは
ここに示したような単出力のものでなく差動出力を有す
るものとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従って構成された合成器の位相ロック
回路のブロック回路図である。
【図2】図1の位相ロック回路のオペアンプの回路の一
部を示す回路図である。
【図3】図5の回路と図2の回路の電圧ゲインを示すグ
ラフである。
【図4】ドライバ段(Q18,Q19)および出力段
(Q20)を示す図である。
【図5】従来の入力段を示す回路図である。
【図6】共通エミッタモードのシングルトランジスタア
ンプを示す回路図である。
【図7】図5の回路の1トランジスタの初期電圧を示す
グラフである。
【符号の説明】
1 電圧制御オシレータ 2 オペアンプ 3 3次フィルタ 4 電荷ポンプ 5 位相検出器 6 標準オシレータ 7 カウンタ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の出力電極を有した第1のトランジ
    スタの制御電極に出力が接続された比較的高入力インピ
    ーダンス・低出力インピーダンスを有する第1の電圧緩
    衝回路と、 第1の出力電極を有した第2のトランジスタの制御電極
    に出力が接続された比較的高入力インピーダンス・低出
    力インピーダンスを有する第2の電圧緩衝回路とを備
    え、 前記2つの電圧緩衝回路は差動対として配置され、前記
    各入力はアンプの入力を形成し、前記第1および第2の
    トランジスタは差動対として配置され、前記2つのトラ
    ンジスタの第2の出力電極は互いに接続され、前記第1
    の出力電極のうちの少なくとも一つがアンプの出力とし
    て接続されていることを特徴とするアンプ。
  2. 【請求項2】 各電圧緩衝回路は、コレクタ電極に電流
    ミラーを有したトランジスタの差動対を有することを特
    徴とする請求項1記載のアンプ。
  3. 【請求項3】 前記電流ミラーがPNPトランジスタに
    よりなることを特徴とする請求項2記載のアンプ。
  4. 【請求項4】 コレクタが前記第1および第2のトラン
    ジスタの前記第1の出力電極を形成し、エミッタが前記
    各トランジスタの前記第2の出力電極を形成することを
    特徴とする請求項1から3のうちのいずれか1項に記載
    のアンプ。
  5. 【請求項5】 図3から図5を参照して明細書中に説明
    されたものと実質的に同一であるアンプ。
  6. 【請求項6】 請求項1から5のうちのいずれか1項に
    記載のアンプをループアンプとして備えた位相ロック回
    路。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の位相ロック回路をRFチ
    ャンネル合成用に備えた送受信器。
JP11045997A 1996-04-25 1997-04-11 アンプ Pending JPH1056342A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9608623A GB2312579A (en) 1996-04-25 1996-04-25 A differential amplifier with I/P buffer differential amplifiers including current mirrors
GB9608623.6 1996-04-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1056342A true JPH1056342A (ja) 1998-02-24

Family

ID=10792666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11045997A Pending JPH1056342A (ja) 1996-04-25 1997-04-11 アンプ

Country Status (3)

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EP (1) EP0803976A3 (ja)
JP (1) JPH1056342A (ja)
GB (1) GB2312579A (ja)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS564905A (en) * 1979-06-27 1981-01-19 Toshiba Corp Voltage-current converting circuit
DE3234901C2 (de) * 1982-09-21 1984-09-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verstärker mit gleichspannungsgekoppelten Transistorstufen
US4528515A (en) * 1983-02-07 1985-07-09 Tektronix, Inc. High frequency differential amplifier with adjustable damping factor
US4691174A (en) * 1986-09-19 1987-09-01 Tektronix, Inc. Fast recovery amplifier
US4667146A (en) * 1986-10-10 1987-05-19 Tektronix, Inc. Voltage-controlled push-pull current source
US4714896A (en) * 1986-10-15 1987-12-22 Tektronix, Inc. Precision differential amplifier having fast overdrive recovery
US4847519A (en) * 1987-10-14 1989-07-11 Vtc Incorporated Integrated, high speed, zero hold current and delay compensated charge pump
GB2249443B (en) * 1990-10-31 1994-06-08 Gen Electric Co Plc Charge pump circuit

Also Published As

Publication number Publication date
EP0803976A2 (en) 1997-10-29
GB9608623D0 (en) 1996-07-03
EP0803976A3 (en) 1997-11-05
GB2312579A (en) 1997-10-29

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