JPH1056424A - 広帯域ｆｍ変調装置 - Google Patents
広帯域ｆｍ変調装置Info
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- JPH1056424A JPH1056424A JP8213557A JP21355796A JPH1056424A JP H1056424 A JPH1056424 A JP H1056424A JP 8213557 A JP8213557 A JP 8213557A JP 21355796 A JP21355796 A JP 21355796A JP H1056424 A JPH1056424 A JP H1056424A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型でかつ安価な広帯域ＦＭ変調装置を提供
することである。 【解決手段】 第１のＶＣＳＥＬ２は、第１のバイアス
回路４から第１のバイアス電流６が供給されてＣＷ光を
出射する。一方、第２のＶＣＳＥＬ３は、第２のバイア
ス回路５から第２のバイアス電流７が供給されるととも
に、変調信号８により強度変調され、周波数チャープし
ている光信号を出射する。このとき、第１のバイアス電
流６の値および第２のバイアス電流７の値を独立に設定
することにより、第１および第２のＶＣＳＥＬ２および
３は、互いに異なる発振周波数で発振する。ここで、第
１および第２のＶＣＳＥＬ２および３は、同一基板上に
同一構成で隣接して形成されているため、バイアス電流
あるいは周囲温度に対する発振周波数の変化は、互いに
揃ったものとなる。また、動作時の発熱においても、相
互の熱的干渉により双方の温度は等しく保たれる。従っ
て、第１および第２のＶＣＳＥＬ２および３の温度安定
化を行うこと無しに、相対的な発振周波数差を一定に保
持することができる。
することである。 【解決手段】 第１のＶＣＳＥＬ２は、第１のバイアス
回路４から第１のバイアス電流６が供給されてＣＷ光を
出射する。一方、第２のＶＣＳＥＬ３は、第２のバイア
ス回路５から第２のバイアス電流７が供給されるととも
に、変調信号８により強度変調され、周波数チャープし
ている光信号を出射する。このとき、第１のバイアス電
流６の値および第２のバイアス電流７の値を独立に設定
することにより、第１および第２のＶＣＳＥＬ２および
３は、互いに異なる発振周波数で発振する。ここで、第
１および第２のＶＣＳＥＬ２および３は、同一基板上に
同一構成で隣接して形成されているため、バイアス電流
あるいは周囲温度に対する発振周波数の変化は、互いに
揃ったものとなる。また、動作時の発熱においても、相
互の熱的干渉により双方の温度は等しく保たれる。従っ
て、第１および第２のＶＣＳＥＬ２および３の温度安定
化を行うこと無しに、相対的な発振周波数差を一定に保
持することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＦＭ変調装置に関し、
より特定的には、半導体レーザを用いた広帯域ＦＭ変調
装置に関する。
より特定的には、半導体レーザを用いた広帯域ＦＭ変調
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザを用いたＦＭ変調装置は、
半導体レーザを強度変調した場合に生じる発振周波数の
周波数チャープ特性を利用して、変調信号であるＡＭ信
号から数ＧＨｚ以上の周波数偏移を有するＦＭ信号を得
る装置である。この種のＦＭ変調装置は、ＩＯＯＣ（Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｉ
ｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｏｐｔｉ
ｃａｌ Ｆｉｂｅｒ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）９
５，ＰＤ２−７で既に報告されている。
半導体レーザを強度変調した場合に生じる発振周波数の
周波数チャープ特性を利用して、変調信号であるＡＭ信
号から数ＧＨｚ以上の周波数偏移を有するＦＭ信号を得
る装置である。この種のＦＭ変調装置は、ＩＯＯＣ（Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｉ
ｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｏｐｔｉ
ｃａｌ Ｆｉｂｅｒ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）９
５，ＰＤ２−７で既に報告されている。
【０００３】図６は、半導体レーザを用いた従来のＦＭ
変調装置の構成の一例を示す図である。図６において、
半導体レーザ１２０には、一定のバイアス電流１２１に
重畳して変調信号１００が入力される。従って、半導体
レーザ１２０の出力信号光は、変調信号１００の振幅変
化に応じて強度変調される。また、半導体レーザ１２０
の出力信号光は、発振周波数ν1 が、変調信号１００の
振幅変化に応じて、周波数チャープしている。このよう
な半導体レーザ１２０の出力信号光は、信号光の偏波面
を保持する偏波保持ファイバ１３１を介して、光カプラ
１３２の一方入力端に入力される。この光カプラ１３２
の他方入力端には、安定化された絶対周波数ν0 を有す
る基準光源１１０のＣＷ光（無変調光）が、信号光の偏
波面を保持する偏波保持ファイバ１３０を介して入力さ
れる。光カプラ１３２は、半導体レーザ１２０の出力信
号光と、基準光源１１０のＣＷ光とを合波する。光カプ
ラ１３２から出力される合波光は、受光素子１３３にお
いて光ヘテロダイン検波され、電気信号として取り出さ
れる。この検波出力には、強度変調成分の他に上述の周
波数チャープ成分が、基準光源１１０の発振周波数ν0
と半導体レーザ１２０の発振周波数ν1 との差の周波数
ｆ（＝｜ν1 −ν0 ｜）を中心に現れる。この検波出力
から帯域フィルタ１４０で周波数チャープ成分のみをろ
波することにより、ＦＭ信号１５０が得られる。
変調装置の構成の一例を示す図である。図６において、
半導体レーザ１２０には、一定のバイアス電流１２１に
重畳して変調信号１００が入力される。従って、半導体
レーザ１２０の出力信号光は、変調信号１００の振幅変
化に応じて強度変調される。また、半導体レーザ１２０
の出力信号光は、発振周波数ν1 が、変調信号１００の
振幅変化に応じて、周波数チャープしている。このよう
な半導体レーザ１２０の出力信号光は、信号光の偏波面
を保持する偏波保持ファイバ１３１を介して、光カプラ
１３２の一方入力端に入力される。この光カプラ１３２
の他方入力端には、安定化された絶対周波数ν0 を有す
る基準光源１１０のＣＷ光（無変調光）が、信号光の偏
波面を保持する偏波保持ファイバ１３０を介して入力さ
れる。光カプラ１３２は、半導体レーザ１２０の出力信
号光と、基準光源１１０のＣＷ光とを合波する。光カプ
ラ１３２から出力される合波光は、受光素子１３３にお
いて光ヘテロダイン検波され、電気信号として取り出さ
れる。この検波出力には、強度変調成分の他に上述の周
波数チャープ成分が、基準光源１１０の発振周波数ν0
と半導体レーザ１２０の発振周波数ν1 との差の周波数
ｆ（＝｜ν1 −ν0 ｜）を中心に現れる。この検波出力
から帯域フィルタ１４０で周波数チャープ成分のみをろ
波することにより、ＦＭ信号１５０が得られる。
【０００４】なお、ＦＭ信号１５０の中心周波数ｆを安
定化するために、周波数安定化部１２３は、受光素子１
３３の検波出力から相対周波数差を検出した後、半導体
レーザ１２０のバイアス電流１２１を可変することによ
り、発振周波数ν1 を制御する。また、半導体レーザ１
２０の発振波長ν1 は、周囲温度に依存して変動するた
め、温度安定化部１２２により周囲温度の安定化が図ら
れる。同様に、基準光源１１０の発振周波数ν0 は、周
囲温度に依存して変動するため、温度安定化部１１２に
より周囲温度の安定化が図られる。さらに、絶対周波数
安定化部１１３は、基準光源１１０に含まれる発光素子
の発振周波数の変動を検知して、当該発光素子のバイア
ス電流をフィードバック制御することにより、基準光源
１１０の発振周波数を安定化させている。
定化するために、周波数安定化部１２３は、受光素子１
３３の検波出力から相対周波数差を検出した後、半導体
レーザ１２０のバイアス電流１２１を可変することによ
り、発振周波数ν1 を制御する。また、半導体レーザ１
２０の発振波長ν1 は、周囲温度に依存して変動するた
め、温度安定化部１２２により周囲温度の安定化が図ら
れる。同様に、基準光源１１０の発振周波数ν0 は、周
囲温度に依存して変動するため、温度安定化部１１２に
より周囲温度の安定化が図られる。さらに、絶対周波数
安定化部１１３は、基準光源１１０に含まれる発光素子
の発振周波数の変動を検知して、当該発光素子のバイア
ス電流をフィードバック制御することにより、基準光源
１１０の発振周波数を安定化させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、半導体
レーザを用いた従来のＦＭ変調装置においては、基準光
源１１０と半導体レーザ１２０との相対的な発振周波数
差を一定に保つために、基準光源１１０の発振周波数を
絶対周波数で安定化させ、半導体レーザ１２０の発振周
波数を基準光源１１０との相対周波数差で安定化させて
いる。しかしながら、基準光源１１０を安定化するに
は、０．０１℃の精度での温度制御と、エタロンを用い
た周波数検出および当該周波数検出に基づく電流制御に
よる絶対周波数の安定化とが必要である。同様に、半導
体レーザ１２０においても、温度制御と、基準光源１１
０との相対周波数差検出および当該周波数差検出に基づ
く電流制御による周波数安定化とが必要である。このた
め、これらの光源の発振周波数を安定化するための制御
系の回路規模が大きくなり、実現が困難となる等の問題
点があった。
レーザを用いた従来のＦＭ変調装置においては、基準光
源１１０と半導体レーザ１２０との相対的な発振周波数
差を一定に保つために、基準光源１１０の発振周波数を
絶対周波数で安定化させ、半導体レーザ１２０の発振周
波数を基準光源１１０との相対周波数差で安定化させて
いる。しかしながら、基準光源１１０を安定化するに
は、０．０１℃の精度での温度制御と、エタロンを用い
た周波数検出および当該周波数検出に基づく電流制御に
よる絶対周波数の安定化とが必要である。同様に、半導
体レーザ１２０においても、温度制御と、基準光源１１
０との相対周波数差検出および当該周波数差検出に基づ
く電流制御による周波数安定化とが必要である。このた
め、これらの光源の発振周波数を安定化するための制御
系の回路規模が大きくなり、実現が困難となる等の問題
点があった。
【０００６】また、光ヘテロダイン検波を行う場合、受
光素子において基準光と信号光との偏波状態を一致させ
る必要があるため、偏波補償回路や偏波保持ファイバが
必要となる。しかしながら、偏波補償を行う場合には、
回路規模が膨大となる。また、偏波保持ファイバを用い
た場合には、その光学接続、経済性等の点で問題が生じ
る。
光素子において基準光と信号光との偏波状態を一致させ
る必要があるため、偏波補償回路や偏波保持ファイバが
必要となる。しかしながら、偏波補償を行う場合には、
回路規模が膨大となる。また、偏波保持ファイバを用い
た場合には、その光学接続、経済性等の点で問題が生じ
る。
【０００７】さらに、検波出力からＦＭ信号をろ波する
場合には、帯域フィルタ１４０の群遅延特性によってＦ
Ｍ信号が歪むため、高品質なＦＭ変調が困難となる等の
問題点を有していた。
場合には、帯域フィルタ１４０の群遅延特性によってＦ
Ｍ信号が歪むため、高品質なＦＭ変調が困難となる等の
問題点を有していた。
【０００８】それ故に、本発明の目的は、小型でかつ安
価な広帯域ＦＭ変調装置を提供することである。本発明
の他の目的は、高品質なＦＭ変調信号が得られる広帯域
ＦＭ変調装置を提供することである。
価な広帯域ＦＭ変調装置を提供することである。本発明
の他の目的は、高品質なＦＭ変調信号が得られる広帯域
ＦＭ変調装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明は、同一基板上に隣接して形成された２つの半導体
レーザと、２つの半導体レーザの各々にバイアス電流を
供給するバイアス回路と、２つの半導体レーザの出射光
を受光面上で合波し、合波光を光−電気変換する受光素
子とを備え、２つの半導体レーザの少なくとも一方を、
電気変調信号によって変調することを特徴とする。
発明は、同一基板上に隣接して形成された２つの半導体
レーザと、２つの半導体レーザの各々にバイアス電流を
供給するバイアス回路と、２つの半導体レーザの出射光
を受光面上で合波し、合波光を光−電気変換する受光素
子とを備え、２つの半導体レーザの少なくとも一方を、
電気変調信号によって変調することを特徴とする。
【００１０】以上のように、第１の発明によれば、基準
光源および変調用光源として、同一基板上に隣接して形
成された２つの半導体レーザを用いているので、バイア
ス電流あるいは周囲温度に対する発振周波数の変化は、
各光源について互いに揃ったものとなる。また、動作時
の発熱においても、相互の熱的干渉により双方の光源の
温度は等しく保たれる。従って、２つの半導体レーザの
温度安定化を行うこと無しに、相対的な発振周波数差を
一定に保持することができる。また、偏波補償ファイバ
や偏波補償を用いることなしに容易に光ヘテロダイン検
波が行える。
光源および変調用光源として、同一基板上に隣接して形
成された２つの半導体レーザを用いているので、バイア
ス電流あるいは周囲温度に対する発振周波数の変化は、
各光源について互いに揃ったものとなる。また、動作時
の発熱においても、相互の熱的干渉により双方の光源の
温度は等しく保たれる。従って、２つの半導体レーザの
温度安定化を行うこと無しに、相対的な発振周波数差を
一定に保持することができる。また、偏波補償ファイバ
や偏波補償を用いることなしに容易に光ヘテロダイン検
波が行える。
【００１１】第２の発明は、同一基板上に隣接して形成
された２つの半導体レーザと、２つの半導体レーザの各
々にバイアス電流を供給するバイアス回路と、２つの半
導体レーザの出射光を受光面上で合波し、合波光を光−
電気変換する受光素子とを備え、２つの半導体レーザの
各々を、極性の相反する電気変調信号で変調することを
特徴とする。
された２つの半導体レーザと、２つの半導体レーザの各
々にバイアス電流を供給するバイアス回路と、２つの半
導体レーザの出射光を受光面上で合波し、合波光を光−
電気変換する受光素子とを備え、２つの半導体レーザの
各々を、極性の相反する電気変調信号で変調することを
特徴とする。
【００１２】上記のように、第２の発明によれば、各半
導体レーザを極性の相反する変調信号で強度変調するこ
とにより、検波時に互いの極性で強度変調成分を相殺す
るようにしている。これによって、帯域フィルタによっ
て検波出力からＦＭ信号をろ波すること無しに、広帯域
のＦＭ信号が得られるので、帯域フィルタの郡遅延特性
などによる品質劣化が避けられるとともに、回路規模を
小さくすることができる。
導体レーザを極性の相反する変調信号で強度変調するこ
とにより、検波時に互いの極性で強度変調成分を相殺す
るようにしている。これによって、帯域フィルタによっ
て検波出力からＦＭ信号をろ波すること無しに、広帯域
のＦＭ信号が得られるので、帯域フィルタの郡遅延特性
などによる品質劣化が避けられるとともに、回路規模を
小さくすることができる。
【００１３】第３の発明は、第１または第２の発明にお
いて、２つの半導体レーザは、互いに等しい共振器長を
有しており、２つの半導体レーザには、それぞれ独立に
設定されたバイアス電流が供給されることを特徴とす
る。
いて、２つの半導体レーザは、互いに等しい共振器長を
有しており、２つの半導体レーザには、それぞれ独立に
設定されたバイアス電流が供給されることを特徴とす
る。
【００１４】上記のように、第３の発明によれば、共振
器長が等しい２つの半導体レーザに対し、独立に設定さ
れたバイアス電流を供給することで、各半導体レーザの
発振周波数を異ならせるようにしている。
器長が等しい２つの半導体レーザに対し、独立に設定さ
れたバイアス電流を供給することで、各半導体レーザの
発振周波数を異ならせるようにしている。
【００１５】第４の発明は、第１または第２の発明にお
いて、２つの半導体レーザは、互いに異なる共振器長を
有しており、２つの半導体レーザには、共通のバイアス
電流が供給されることを特徴とする。
いて、２つの半導体レーザは、互いに異なる共振器長を
有しており、２つの半導体レーザには、共通のバイアス
電流が供給されることを特徴とする。
【００１６】上記のように、第４の発明によれば、共振
器長が異なる２つの半導体レーザに対し、共通のバイア
ス電流を供給するようにしているので、バイアス回路の
回路規模を小さくでき、小型でかつ安価なＦＭ変調装置
が得られる。
器長が異なる２つの半導体レーザに対し、共通のバイア
ス電流を供給するようにしているので、バイアス回路の
回路規模を小さくでき、小型でかつ安価なＦＭ変調装置
が得られる。
【００１７】第５の発明は、第１〜第４のいずれかの発
明において、２つの半導体レーザと受光素子との間に配
置され、当該２つの半導体レーザの各々から出射される
出射光を合波する合波部をさらに備えている。
明において、２つの半導体レーザと受光素子との間に配
置され、当該２つの半導体レーザの各々から出射される
出射光を合波する合波部をさらに備えている。
【００１８】上記のように、第５の発明によれば、２つ
の半導体レーザと受光素子との間に合波部を配置するこ
とにより、受光素子に入射する合波光の入射角を狭くす
ることができる。これによって、受光素子の受光径を大
きくすること無しに合波光を検波できるため、より一層
広帯域なＦＭ変調装置を実現できる。
の半導体レーザと受光素子との間に合波部を配置するこ
とにより、受光素子に入射する合波光の入射角を狭くす
ることができる。これによって、受光素子の受光径を大
きくすること無しに合波光を検波できるため、より一層
広帯域なＦＭ変調装置を実現できる。
【００１９】第６の発明は、第１〜第５のいずれかの発
明において、２つの半導体レーザと受光素子との間に、
反射防止機構を設けたことを特徴とする。
明において、２つの半導体レーザと受光素子との間に、
反射防止機構を設けたことを特徴とする。
【００２０】上記のように、第６の発明によれば、各半
導体レーザと受光素子との間に反射防止機構を設けるこ
とにより、受光素子の反射光が各半導体レーザへ戻る量
を軽減でき、反射戻り光によって半導体レーザの発振特
性が変動するのを防止することができる。
導体レーザと受光素子との間に反射防止機構を設けるこ
とにより、受光素子の反射光が各半導体レーザへ戻る量
を軽減でき、反射戻り光によって半導体レーザの発振特
性が変動するのを防止することができる。
【００２１】第７の発明は、第６の発明において、反射
防止機構として、受光素子の受光面に対して２つの半導
体レーザの出射面を傾けて配置したことを特徴とする。
防止機構として、受光素子の受光面に対して２つの半導
体レーザの出射面を傾けて配置したことを特徴とする。
【００２２】第８の発明は、第６または第７の発明にお
いて、反射防止機構として、２つの半導体レーザの出射
面および／または受光素子の受光面に、無反射コーティ
ングを施したことを特徴とする。
いて、反射防止機構として、２つの半導体レーザの出射
面および／または受光素子の受光面に、無反射コーティ
ングを施したことを特徴とする。
【００２３】第９の発明は、第６〜第８のいずれかの発
明において、反射防止機構として、２つの半導体レーザ
の出射面と受光素子の受光面との間にアイソレータを配
置したことを特徴とする。
明において、反射防止機構として、２つの半導体レーザ
の出射面と受光素子の受光面との間にアイソレータを配
置したことを特徴とする。
【００２４】第１０の発明は、第１〜第９のいずれかの
発明において、半導体レーザとして、垂直共振器型面発
光レーザを用いたことを特徴とする。
発明において、半導体レーザとして、垂直共振器型面発
光レーザを用いたことを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施形態について説明する。なお、記載の簡単化のため
に、以下では、垂直共振器型面発光レーザをＶＣＳＥＬ
（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ
Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ）と標記する。
実施形態について説明する。なお、記載の簡単化のため
に、以下では、垂直共振器型面発光レーザをＶＣＳＥＬ
（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ
Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ）と標記する。
【００２６】図１は、本発明の第１の実施形態に係るＦ
Ｍ変調装置の構成を示す図である。図１を参照して、本
実施形態のＦＭ変調装置は、同一基板上に第１および第
２のＶＣＳＥＬ２および３が形成されて構成されるＶＣ
ＳＥＬアレイ１と、第１のＶＣＳＥＬ２に第１のバイア
ス電流６を供給するための第１のバイアス回路４と、第
２のＶＣＳＥＬ３に第２のバイアス電流７を供給するた
めの第２のバイアス回路５と、第２のバイアス電流７に
重畳する変調信号８を発生するための信号源９と、第１
および第２のＶＣＳＥＬ２および３からの入射光を光−
電気変換する受光素子１０と、受光素子１０の検波出力
をろ波するための帯域フィルタ１１とを備えている。
Ｍ変調装置の構成を示す図である。図１を参照して、本
実施形態のＦＭ変調装置は、同一基板上に第１および第
２のＶＣＳＥＬ２および３が形成されて構成されるＶＣ
ＳＥＬアレイ１と、第１のＶＣＳＥＬ２に第１のバイア
ス電流６を供給するための第１のバイアス回路４と、第
２のＶＣＳＥＬ３に第２のバイアス電流７を供給するた
めの第２のバイアス回路５と、第２のバイアス電流７に
重畳する変調信号８を発生するための信号源９と、第１
および第２のＶＣＳＥＬ２および３からの入射光を光−
電気変換する受光素子１０と、受光素子１０の検波出力
をろ波するための帯域フィルタ１１とを備えている。
【００２７】図２は、上記第１の実施形態のＦＭ変調装
置の断面構造を示す図である。図２を参照して、ＶＣＳ
ＥＬアレイ１は、半導体基板１ａと、この半導体基板１
ａの一方面上に形成された共通電極１ｂと、半導体基板
１ａの他方面上に離隔して形成された電極１ｃおよび１
ｄとを備えている。半導体基板１ａ、共通電極１ｂおよ
び電極１ｃは、協働して、第１のＶＣＳＥＬ２を構成し
ている。また、半導体基板１ａ、共通電極１ｂおよび電
極１ｄは、協働して、第２のＶＣＳＥＬ３を構成してい
る。すなわち、第１および第２のＶＣＳＥＬ２および３
は、同一基板上に隣接して形成されている。受光素子１
０は、半導体基板１０ａと、この半導体基板１０ａの一
方面上に形成されたアノード電極１０ｂと、半導体基板
１０ａの他方面上に形成されたカソード電極１０ｃとを
備えている。ＶＣＳＥＬアレイ１と受光素子１０は、所
定の距離を隔てて対向するように配置される。このと
き、受光素子１０は、その受光面１０ｄが第１および第
２のＶＣＳＥＬ２および３からの出射光を均等に受ける
位置に配置される。また、ＶＣＳＥＬアレイ１と受光素
子１０との間には、導電性の熱硬化樹脂１２ａおよび１
２ｂが設けられる。熱硬化樹脂１２ａは、第１のバイア
ス回路４からの第１のバイアス電流６を電極１ｃへと導
く。熱硬化樹脂１２ｂは、第２のバイアス回路５からの
第２のバイアス電流７および信号源９からの変調信号８
を電極１ｄへと導く。
置の断面構造を示す図である。図２を参照して、ＶＣＳ
ＥＬアレイ１は、半導体基板１ａと、この半導体基板１
ａの一方面上に形成された共通電極１ｂと、半導体基板
１ａの他方面上に離隔して形成された電極１ｃおよび１
ｄとを備えている。半導体基板１ａ、共通電極１ｂおよ
び電極１ｃは、協働して、第１のＶＣＳＥＬ２を構成し
ている。また、半導体基板１ａ、共通電極１ｂおよび電
極１ｄは、協働して、第２のＶＣＳＥＬ３を構成してい
る。すなわち、第１および第２のＶＣＳＥＬ２および３
は、同一基板上に隣接して形成されている。受光素子１
０は、半導体基板１０ａと、この半導体基板１０ａの一
方面上に形成されたアノード電極１０ｂと、半導体基板
１０ａの他方面上に形成されたカソード電極１０ｃとを
備えている。ＶＣＳＥＬアレイ１と受光素子１０は、所
定の距離を隔てて対向するように配置される。このと
き、受光素子１０は、その受光面１０ｄが第１および第
２のＶＣＳＥＬ２および３からの出射光を均等に受ける
位置に配置される。また、ＶＣＳＥＬアレイ１と受光素
子１０との間には、導電性の熱硬化樹脂１２ａおよび１
２ｂが設けられる。熱硬化樹脂１２ａは、第１のバイア
ス回路４からの第１のバイアス電流６を電極１ｃへと導
く。熱硬化樹脂１２ｂは、第２のバイアス回路５からの
第２のバイアス電流７および信号源９からの変調信号８
を電極１ｄへと導く。
【００２８】次に、第１の実施形態のＦＭ変調装置の動
作を説明する。まず、第１のＶＣＳＥＬ２は、第１のバ
イアス回路４から第１のバイアス電流６が供給されてＣ
Ｗ光を出射する。一方、第２のＶＣＳＥＬ３は、第２の
バイアス回路５から第２のバイアス電流７が供給される
とともに、変調信号８により強度変調され、周波数チャ
ープしている光信号を出射する。このとき、第１のバイ
アス電流６の値および第２のバイアス電流７の値を独立
に設定することにより、第１および第２のＶＣＳＥＬ２
および３は、互いに異なる発振周波数で発振する。
作を説明する。まず、第１のＶＣＳＥＬ２は、第１のバ
イアス回路４から第１のバイアス電流６が供給されてＣ
Ｗ光を出射する。一方、第２のＶＣＳＥＬ３は、第２の
バイアス回路５から第２のバイアス電流７が供給される
とともに、変調信号８により強度変調され、周波数チャ
ープしている光信号を出射する。このとき、第１のバイ
アス電流６の値および第２のバイアス電流７の値を独立
に設定することにより、第１および第２のＶＣＳＥＬ２
および３は、互いに異なる発振周波数で発振する。
【００２９】ここで、第１および第２のＶＣＳＥＬ２お
よび３は、同一基板上に同一構成で隣接して形成されて
いるため、バイアス電流あるいは周囲温度に対する発振
周波数の変化は、互いに揃ったものとなる。また、動作
時の発熱においても、相互の熱的干渉により双方の温度
は等しく保たれる。従って、第１および第２のＶＣＳＥ
Ｌ２および３の温度安定化を行うこと無しに、相対的な
発振周波数差を一定に保持することができる。
よび３は、同一基板上に同一構成で隣接して形成されて
いるため、バイアス電流あるいは周囲温度に対する発振
周波数の変化は、互いに揃ったものとなる。また、動作
時の発熱においても、相互の熱的干渉により双方の温度
は等しく保たれる。従って、第１および第２のＶＣＳＥ
Ｌ２および３の温度安定化を行うこと無しに、相対的な
発振周波数差を一定に保持することができる。
【００３０】次に、第１および第２のＶＣＳＥＬ２およ
び３の出射光は、受光素子１０の受光面１０ｄ上で合波
される。ところで、ＶＣＳＥＬの偏波は、発振領域にお
いては直線偏波しており、偏向はＶＣＳＥＬを構成する
素子の結晶方位によってのみ定まっている。従って、同
一基板上に隣接して形成した同一構成の第１および第２
のＶＣＳＥＬ２および３の偏波特性は揃ったものとな
る。この偏波面の揃った出射光を受光素子１０の受光面
１０ｄ上で合波し光−電気変換することによって、偏波
保持ファイバや偏波補償回路を用いること無しに、容易
に光ヘテロダイン検波することができる。この検波出力
には、強度変調成分の他に、周波数チャープ成分が第１
のＶＣＳＥＬ２と第２のＶＣＳＥＬ３との相対的な発振
周波数差である周波数を中心に現れる。この検波出力か
ら、周波数チャープ成分のみを帯域フィルタ１１でろ波
することにより、ＦＭ信号１５０を取り出すことができ
る。
び３の出射光は、受光素子１０の受光面１０ｄ上で合波
される。ところで、ＶＣＳＥＬの偏波は、発振領域にお
いては直線偏波しており、偏向はＶＣＳＥＬを構成する
素子の結晶方位によってのみ定まっている。従って、同
一基板上に隣接して形成した同一構成の第１および第２
のＶＣＳＥＬ２および３の偏波特性は揃ったものとな
る。この偏波面の揃った出射光を受光素子１０の受光面
１０ｄ上で合波し光−電気変換することによって、偏波
保持ファイバや偏波補償回路を用いること無しに、容易
に光ヘテロダイン検波することができる。この検波出力
には、強度変調成分の他に、周波数チャープ成分が第１
のＶＣＳＥＬ２と第２のＶＣＳＥＬ３との相対的な発振
周波数差である周波数を中心に現れる。この検波出力か
ら、周波数チャープ成分のみを帯域フィルタ１１でろ波
することにより、ＦＭ信号１５０を取り出すことができ
る。
【００３１】図３は、本発明の第２の実施形態に係るＦ
Ｍ変調装置の構成を示す図である。図３において、本実
施形態のＦＭ変調装置は、第１および第２の信号源９お
よび９’を備えている。第１の信号源から出力される第
１の変調信号８は、第１のバイアス回路４から出力され
る第１のバイアス電流６に重畳されて、第１のＶＣＳＥ
Ｌ２に供給される。第２の信号源から出力される第２の
変調信号８’は、第２のバイアス回路５から出力される
第２のバイアス電流７に重畳されて、第２のＶＣＳＥＬ
３に供給される。なお、第２の変調信号８’は、第１の
変調信号８と相反する極性を有している。ここでは、第
１の変調信号８を（ｖ（ｔ））と表記し、第２の変調信
号８’を（−ｖ（ｔ））と表記することとする。また、
第２の実施形態では、第１の実施形態で用いた帯域フィ
ルタ１１が削除されている。
Ｍ変調装置の構成を示す図である。図３において、本実
施形態のＦＭ変調装置は、第１および第２の信号源９お
よび９’を備えている。第１の信号源から出力される第
１の変調信号８は、第１のバイアス回路４から出力され
る第１のバイアス電流６に重畳されて、第１のＶＣＳＥ
Ｌ２に供給される。第２の信号源から出力される第２の
変調信号８’は、第２のバイアス回路５から出力される
第２のバイアス電流７に重畳されて、第２のＶＣＳＥＬ
３に供給される。なお、第２の変調信号８’は、第１の
変調信号８と相反する極性を有している。ここでは、第
１の変調信号８を（ｖ（ｔ））と表記し、第２の変調信
号８’を（−ｖ（ｔ））と表記することとする。また、
第２の実施形態では、第１の実施形態で用いた帯域フィ
ルタ１１が削除されている。
【００３２】第２の実施形態における上記以外の構成
は、前述した第１の実施形態（図１および図２参照）と
同様であり、相当する部分には同一の参照番号を付し、
その説明を省略する。
は、前述した第１の実施形態（図１および図２参照）と
同様であり、相当する部分には同一の参照番号を付し、
その説明を省略する。
【００３３】次に、第２の実施形態のＦＭ変調装置の動
作を説明する。まず、第１のＶＣＳＥＬ２は、第１のバ
イアス回路４から第１のバイアス電流６が供給されると
ともに、第１の変調信号８（ｖ（ｔ））により強度変調
され、周波数チャープ｜Δν（ｔ）｜している光信号を
出射する。同様に、第２のＶＣＳＥＬ３は、第２のバイ
アス回路５から第２のバイアス電流７が供給されるとと
もに、第２の変調信号８’（−ｖ（ｔ））により強度変
調され、周波数チャープ｜Δν（ｔ）｜している光信号
を出射する。このとき、第１のバイアス電流６の値およ
び第２のバイアス電流７の値を独立に設定することによ
り、第１および第２のＶＣＳＥＬ２およ３は、互いに異
なる発振周波数で発振する。また、本実施形態において
も、第１の実施形態と同様の理由により、第１および第
２のＶＣＳＥＬ２および３の温度安定化を行うこと無し
に、相対的な発振周波数差を一定に保持することができ
る。また、この出射光を受光素子１０の受光面上で合波
し、光−電気変換することによって、偏波保持ファイバ
や偏波補償回路を用いること無しに、容易に光ヘテロダ
イン検波することができる。
作を説明する。まず、第１のＶＣＳＥＬ２は、第１のバ
イアス回路４から第１のバイアス電流６が供給されると
ともに、第１の変調信号８（ｖ（ｔ））により強度変調
され、周波数チャープ｜Δν（ｔ）｜している光信号を
出射する。同様に、第２のＶＣＳＥＬ３は、第２のバイ
アス回路５から第２のバイアス電流７が供給されるとと
もに、第２の変調信号８’（−ｖ（ｔ））により強度変
調され、周波数チャープ｜Δν（ｔ）｜している光信号
を出射する。このとき、第１のバイアス電流６の値およ
び第２のバイアス電流７の値を独立に設定することによ
り、第１および第２のＶＣＳＥＬ２およ３は、互いに異
なる発振周波数で発振する。また、本実施形態において
も、第１の実施形態と同様の理由により、第１および第
２のＶＣＳＥＬ２および３の温度安定化を行うこと無し
に、相対的な発振周波数差を一定に保持することができ
る。また、この出射光を受光素子１０の受光面上で合波
し、光−電気変換することによって、偏波保持ファイバ
や偏波補償回路を用いること無しに、容易に光ヘテロダ
イン検波することができる。
【００３４】ここで、相反する極性の第１の変調信号８
（ｖ（ｔ））および第２の変調信号８’（−ｖ（ｔ））
で強度変調された第１および第２のＶＣＳＥＬ２および
３の強度変調成分は、次式（１）に示すごとく、光ヘテ
ロダイン検波時に互いの極性によって相殺される。 ｖ（ｔ）＋（−ｖ（ｔ））＝０ …（１）
（ｖ（ｔ））および第２の変調信号８’（−ｖ（ｔ））
で強度変調された第１および第２のＶＣＳＥＬ２および
３の強度変調成分は、次式（１）に示すごとく、光ヘテ
ロダイン検波時に互いの極性によって相殺される。 ｖ（ｔ）＋（−ｖ（ｔ））＝０ …（１）
【００３５】また、第１および第２の変調信号８および
８’は極性が相反するため、各々の変調信号で強度変調
された第１のＶＣＳＥＬ２の周波数チャープ｜Δν
（ｔ）｜および第２のＶＣＳＥＬ３の周波数チャープ｜
Δν（ｔ）｜の符号も相反する。従って、光ヘテロダイ
ン検波出力には、第１および第２のＶＣＳＥＬ２および
３の相対的な発振周波数差である周波数を中心に、第１
のＶＣＳＥＬ２の周波数チャープ（Δν（ｔ））と第２
のＶＣＳＥＬ３の周波数チャープ（−Δν（ｔ））の差
分の周波数偏移｜２Δν｜＝｜Δν−（−Δν）｜を有
する広帯域のＦＭ信号１５０のみが現れる。このよう
に、本実施形態のＦＭ変調装置においては、帯域フィル
タによって検波出力からＦＭ信号をろ波すること無し
に、広帯域のＦＭ信号が得られるので、帯域フィルタの
郡遅延特性などによる品質劣化が避けられるとともに、
回路規模を小さくすることができる。
８’は極性が相反するため、各々の変調信号で強度変調
された第１のＶＣＳＥＬ２の周波数チャープ｜Δν
（ｔ）｜および第２のＶＣＳＥＬ３の周波数チャープ｜
Δν（ｔ）｜の符号も相反する。従って、光ヘテロダイ
ン検波出力には、第１および第２のＶＣＳＥＬ２および
３の相対的な発振周波数差である周波数を中心に、第１
のＶＣＳＥＬ２の周波数チャープ（Δν（ｔ））と第２
のＶＣＳＥＬ３の周波数チャープ（−Δν（ｔ））の差
分の周波数偏移｜２Δν｜＝｜Δν−（−Δν）｜を有
する広帯域のＦＭ信号１５０のみが現れる。このよう
に、本実施形態のＦＭ変調装置においては、帯域フィル
タによって検波出力からＦＭ信号をろ波すること無し
に、広帯域のＦＭ信号が得られるので、帯域フィルタの
郡遅延特性などによる品質劣化が避けられるとともに、
回路規模を小さくすることができる。
【００３６】なお、第１および第２の実施形態において
は、第１および第２のバイアス電流６および７の値を独
立に設定することにより、第１および第２のＶＣＳＥＬ
２および３を、それぞれ異なる発振周波数で発振させて
いた。これに対し、例えば、ＶＣＳＥＬの形成時にＶＣ
ＳＥＬの結晶成長厚さの傾斜を利用して共振器長を異な
らせることにより、隣接した２つのＶＣＳＥＬの発振周
波数を変えることができる。この場合には、ＶＣＳＥＬ
２およびＶＣＳＥＬ３に、任意のバイアス電流を共通に
供給することで、相対的な発振周波数差を容易に得るこ
とができる。
は、第１および第２のバイアス電流６および７の値を独
立に設定することにより、第１および第２のＶＣＳＥＬ
２および３を、それぞれ異なる発振周波数で発振させて
いた。これに対し、例えば、ＶＣＳＥＬの形成時にＶＣ
ＳＥＬの結晶成長厚さの傾斜を利用して共振器長を異な
らせることにより、隣接した２つのＶＣＳＥＬの発振周
波数を変えることができる。この場合には、ＶＣＳＥＬ
２およびＶＣＳＥＬ３に、任意のバイアス電流を共通に
供給することで、相対的な発振周波数差を容易に得るこ
とができる。
【００３７】また、第１および第２の実施形態のＦＭ変
調装置においては、受光素子１０の受光面上で出射光を
合波するために、受光径を十分に大きくする必要があ
る。しかしながら、受光素子１０の受光径を大きくした
場合には、受光素子１０の浮遊容量が増加するため、そ
の周波数帯域が狭くなる。このため、ＦＭ変調装置の広
帯域化が困難となる等の課題を有している。
調装置においては、受光素子１０の受光面上で出射光を
合波するために、受光径を十分に大きくする必要があ
る。しかしながら、受光素子１０の受光径を大きくした
場合には、受光素子１０の浮遊容量が増加するため、そ
の周波数帯域が狭くなる。このため、ＦＭ変調装置の広
帯域化が困難となる等の課題を有している。
【００３８】図４は、本発明の第３の実施形態に係るＦ
Ｍ変調装置の構成を示す図である。図４において、本実
施形態のＦＭ変調装置は、第１および第２のＶＣＳＥＬ
２および３と受光素子１０との間に、例えば光学レンズ
により構成される合波部１３が配置されている。第３の
実施形態におけるその他の構成は、前述した第１の実施
形態（図１および図２参照）と同様であり、相当する部
分には同一の参照番号を付し、その説明を省略する。
Ｍ変調装置の構成を示す図である。図４において、本実
施形態のＦＭ変調装置は、第１および第２のＶＣＳＥＬ
２および３と受光素子１０との間に、例えば光学レンズ
により構成される合波部１３が配置されている。第３の
実施形態におけるその他の構成は、前述した第１の実施
形態（図１および図２参照）と同様であり、相当する部
分には同一の参照番号を付し、その説明を省略する。
【００３９】次に、第３の実施形態のＦＭ変調装置の動
作を説明する。合波部１３は、第１および第２のＶＣＳ
ＥＬ２および３の各々の出射光を集光し、受光面上で合
波することにより、受光素子１０に入射する合波光の入
射角を狭くすることができる。従って、受光素子１０の
受光径を大きくすることなしに合波光を検波できるた
め、より一層広帯域なＦＭ変調装置を実現できる。
作を説明する。合波部１３は、第１および第２のＶＣＳ
ＥＬ２および３の各々の出射光を集光し、受光面上で合
波することにより、受光素子１０に入射する合波光の入
射角を狭くすることができる。従って、受光素子１０の
受光径を大きくすることなしに合波光を検波できるた
め、より一層広帯域なＦＭ変調装置を実現できる。
【００４０】また、ＶＣＳＥＬは受光素子からの反射戻
り光に対して発振特性が変動するため、戻り光がある場
合には、ＦＭ変調装置の品質が劣化する恐れがある。こ
の場合には、ＶＣＳＥＬと受光素子との間に反射防止機
構を設けることにより、ＦＭ変調装置の品質を保持する
ことができる。
り光に対して発振特性が変動するため、戻り光がある場
合には、ＦＭ変調装置の品質が劣化する恐れがある。こ
の場合には、ＶＣＳＥＬと受光素子との間に反射防止機
構を設けることにより、ＦＭ変調装置の品質を保持する
ことができる。
【００４１】図５は、ＶＣＳＥＬアレイと受光素子との
物理的な配置と戻り光との関係を説明するための図であ
る。なお、図５（ａ）はＶＣＳＥＬアレイと受光素子と
を正面から見た図であり、図５（ｂ）および図５（ｃ）
はＶＣＳＥＬアレイと受光素子とを側面から見た図であ
る。同図（ｂ）に示すように、ＶＣＳＥＬアレイ１の出
射面と受光素子１０の受光面１０ｄとが対向し、水平に
配置されている場合には、ＶＣＳＥＬアレイ１に到達す
る戻り光量が最も多くなる。一方、同図（ｃ）に示すよ
うに、反射防止機構として、ＶＣＳＥＬアレイ１の出射
面と受光素子１０の受光面との間に角度θを与えること
により、ＶＣＳＥＬアレイ１に到達する戻り光量を軽減
することができる。
物理的な配置と戻り光との関係を説明するための図であ
る。なお、図５（ａ）はＶＣＳＥＬアレイと受光素子と
を正面から見た図であり、図５（ｂ）および図５（ｃ）
はＶＣＳＥＬアレイと受光素子とを側面から見た図であ
る。同図（ｂ）に示すように、ＶＣＳＥＬアレイ１の出
射面と受光素子１０の受光面１０ｄとが対向し、水平に
配置されている場合には、ＶＣＳＥＬアレイ１に到達す
る戻り光量が最も多くなる。一方、同図（ｃ）に示すよ
うに、反射防止機構として、ＶＣＳＥＬアレイ１の出射
面と受光素子１０の受光面との間に角度θを与えること
により、ＶＣＳＥＬアレイ１に到達する戻り光量を軽減
することができる。
【００４２】なお、ＶＣＳＥＬの出射面および受光素子
の受光面に反射防止膜をコーティングし反射戻り光を減
衰させる、或いは、ＶＣＳＥＬと受光素子の間に、アイ
ソレータを配置し反射戻り光を排除することによって、
反射防止機構を構成することもできる。
の受光面に反射防止膜をコーティングし反射戻り光を減
衰させる、或いは、ＶＣＳＥＬと受光素子の間に、アイ
ソレータを配置し反射戻り光を排除することによって、
反射防止機構を構成することもできる。
【００４３】以上説明した各実施形態においては、光源
として垂直共振器型面発光レーザを用いたが、本発明
は、その他の形式の半導体レーザを光源として用いるこ
とも可能である。
として垂直共振器型面発光レーザを用いたが、本発明
は、その他の形式の半導体レーザを光源として用いるこ
とも可能である。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＦＭ変調装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】図１に示すＦＭ変調装置の断面構造を示す図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るＦＭ変調装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係るＦＭ変調装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図５】ＶＣＳＥＬアレイと受光素子との物理的な配置
と戻り光との関係を説明するための図である。
と戻り光との関係を説明するための図である。
【図６】半導体レーザを用いた従来のＦＭ変調装置の構
成の一例を示す図である。
成の一例を示す図である。
１…ＶＣＳＥＬアレイ ２…第１のＶＣＳＥＬ ３…第２のＶＣＳＥＬ ４…第１のバイアス回路 ５…第２のバイアス回路 ６…第１のバイアス電流 ７…第２のバイアス電流 ８…第１の変調信号 ８’…第２の変調信号 ９…第１の信号源 ９’…第２の信号源 １０…受光素子 １１…帯域フィルタ １２ａ，１２ｂ…熱硬化樹脂 １３…合波部 １５０…ＦＭ信号
Claims (10)
- 【請求項１】 同一基板上に隣接して形成された２つの
半導体レーザと、 前記２つの半導体レーザの各々にバイアス電流を供給す
るバイアス回路と、 前記２つの半導体レーザの出射光を受光面上で合波し、
合波光を光−電気変換する受光素子とを備え、 前記２つの半導体レーザの少なくとも一方を、電気変調
信号によって変調することを特徴とする、ＦＭ変調装
置。 - 【請求項２】 同一基板上に隣接して形成された２つの
半導体レーザと、 前記２つの半導体レーザの各々にバイアス電流を供給す
るバイアス回路と、 前記２つの半導体レーザの出射光を受光面上で合波し、
合波光を光−電気変換する受光素子とを備え、 前記２つの半導体レーザの各々を、極性の相反する電気
変調信号で変調することを特徴とする、ＦＭ変調装置。 - 【請求項３】 前記２つの半導体レーザは、互いに等し
い共振器長を有しており、 前記２つの半導体レーザには、それぞれ独立に設定され
たバイアス電流が供給されることを特徴とする、請求項
１または２に記載のＦＭ変調装置。 - 【請求項４】 前記２つの半導体レーザは、互いに異な
る共振器長を有しており、 前記２つの半導体レーザには、共通のバイアス電流が供
給されることを特徴とする、請求項１または２に記載の
ＦＭ変調装置。 - 【請求項５】 前記２つの半導体レーザと前記受光素子
との間に配置され、当該２つの半導体レーザの各々から
出射される出射光を合波する合波部をさらに備える、請
求項１〜４のいずれかに記載のＦＭ変調装置。 - 【請求項６】 前記２つの半導体レーザと前記受光素子
との間に、反射防止機構を設けたことを特徴とする、請
求項１〜５のいずれかに記載のＦＭ変調装置。 - 【請求項７】 前記反射防止機構として、前記受光素子
の受光面に対して前記２つの半導体レーザの出射面を傾
けて配置したことを特徴とする、請求項６に記載のＦＭ
変調装置。 - 【請求項８】 前記反射防止機構として、前記２つの半
導体レーザの出射面および／または前記受光素子の受光
面に、無反射コーティングを施したことを特徴とする、
請求項６または７に記載のＦＭ変調装置。 - 【請求項９】 前記反射防止機構として、前記２つの半
導体レーザの出射面と前記受光素子の受光面との間にア
イソレータを配置したことを特徴とする、請求項６〜８
のいずれかに記載のＦＭ変調装置。 - 【請求項１０】 前記半導体レーザとして、垂直共振器
型面発光レーザを用いたことを特徴とする、請求項１〜
９のいずれかに記載のＦＭ変調装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8213557A JPH1056424A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | 広帯域ｆｍ変調装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8213557A JPH1056424A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | 広帯域ｆｍ変調装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056424A true JPH1056424A (ja) | 1998-02-24 |
| JPH1056424A5 JPH1056424A5 (ja) | 2004-08-19 |
Family
ID=16641188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8213557A Pending JPH1056424A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | 広帯域ｆｍ変調装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1056424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512621B1 (en) | 1997-08-28 | 2003-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | FM modulator |
-
1996
- 1996-08-13 JP JP8213557A patent/JPH1056424A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512621B1 (en) | 1997-08-28 | 2003-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | FM modulator |
| US6687465B2 (en) | 1997-08-28 | 2004-02-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | FM modulator |
| US6909855B2 (en) | 1997-08-28 | 2005-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | FM modulator |
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