JPH1059985A - ヘキサメチルシクロトリシロキサンの蒸留方法 - Google Patents
ヘキサメチルシクロトリシロキサンの蒸留方法Info
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- JPH1059985A JPH1059985A JP9145185A JP14518597A JPH1059985A JP H1059985 A JPH1059985 A JP H1059985A JP 9145185 A JP9145185 A JP 9145185A JP 14518597 A JP14518597 A JP 14518597A JP H1059985 A JPH1059985 A JP H1059985A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
- B01D3/34—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping with one or more auxiliary substances
-
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
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- C07F7/21—Cyclic compounds having at least one ring containing silicon, but no carbon in the ring
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 慣用の蒸留装置を用いてヘキサメチルシクロ
トリシロキサンの粗混合物からマクロモノマーを合成す
るために使用するのに適した、ヘキサメチルシクロトリ
シロキサンの分離を可能にする方法を提供すること。 【解決手段】 ヘキサメチルシクロトリシロキサンと高
級シクロポリシロキサンの粗混合物を蒸留する方法であ
って、(I)前記粗混合物を125〜150℃の通常沸
点を有する補助溶剤と混合する工程と、(II)工程
(I)から得られる混合物をリボイラー、分別カラムお
よび凝縮機を含む装置で蒸留し、前記補助溶剤に溶けた
ヘキサメチルシクロトリシロキサンの溶液を前記高級シ
クロポリシロキサンから分離し、前記凝縮機における固
体ヘキサメチルシクロトリシロキサンの析出を実質的に
防止する工程とを有する。
トリシロキサンの粗混合物からマクロモノマーを合成す
るために使用するのに適した、ヘキサメチルシクロトリ
シロキサンの分離を可能にする方法を提供すること。 【解決手段】 ヘキサメチルシクロトリシロキサンと高
級シクロポリシロキサンの粗混合物を蒸留する方法であ
って、(I)前記粗混合物を125〜150℃の通常沸
点を有する補助溶剤と混合する工程と、(II)工程
(I)から得られる混合物をリボイラー、分別カラムお
よび凝縮機を含む装置で蒸留し、前記補助溶剤に溶けた
ヘキサメチルシクロトリシロキサンの溶液を前記高級シ
クロポリシロキサンから分離し、前記凝縮機における固
体ヘキサメチルシクロトリシロキサンの析出を実質的に
防止する工程とを有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、蒸留する前に粗混
合物に炭化水素補助溶剤を添加することにより、蒸留装
置の凝縮部における固体ヘキサメチルシクロトリシロキ
サンの析出を大幅に減少させるかまたは完全になくす、
粗混合物(crude blend) からヘキサメチルシクロトリシ
ロキサンを蒸留する方法を提供する。
合物に炭化水素補助溶剤を添加することにより、蒸留装
置の凝縮部における固体ヘキサメチルシクロトリシロキ
サンの析出を大幅に減少させるかまたは完全になくす、
粗混合物(crude blend) からヘキサメチルシクロトリシ
ロキサンを蒸留する方法を提供する。
【0002】
【従来の技術】ヘキサメチルシクロトリシロキサンは、
シリコーン業界では環状トリマーまたはD3 として知ら
れているが、アニオン重合した後官能性シランで封止す
ると、非常に狭い分子量分布を持つ「マクロモノマー」
といわれるものを製造する。このマクロモノマーは、各
種有機系とのグラフトまたはブロックインターポリマー
の合成に有用性が見出される。しかしながら、出発材料
として有効であるためには、ヘキサメチルシクロトリシ
ロキサンは、この生成物を含む粗供給物中に見出される
オクタメチルシクロテトラシロキサンその他の不純物と
分離されなければならない。
シリコーン業界では環状トリマーまたはD3 として知ら
れているが、アニオン重合した後官能性シランで封止す
ると、非常に狭い分子量分布を持つ「マクロモノマー」
といわれるものを製造する。このマクロモノマーは、各
種有機系とのグラフトまたはブロックインターポリマー
の合成に有用性が見出される。しかしながら、出発材料
として有効であるためには、ヘキサメチルシクロトリシ
ロキサンは、この生成物を含む粗供給物中に見出される
オクタメチルシクロテトラシロキサンその他の不純物と
分離されなければならない。
【0003】商業的製造では、ヘキサメチルシクロトリ
シロキサンを含む粗混合物は、例えば、ジメチルジクロ
ロシランの加水分解から典型的には有機溶剤の存在下に
得られる副生成物として得られる。この方法の主たる目
的は水酸基末端ポリジメチルシロキサンおよびオクタメ
チルシクロテトラシロキサンの生成であるが、著量のヘ
キサメチルシクロテトラシロキサンおよび少量のより重
合度の高いシクロポリシロキサンが、より酸性の加水分
解条件下では生成する。加水分解法から得られる揮発物
質の粗混合物は蒸留して、オクタメチルシクロテトラシ
ロキサン、高級シクロポリシロキサンその他の不純物か
らヘキサメチルシクロトリシロキサンを分離しなければ
ならない。同様に、粗混合物がポリジメチルシロキサン
またはポリジメチルシロキサンの混合物の塩基触媒均衡
化反応(base-catalyzed equilibration)から得られる場
合、これも蒸留してヘキサメチルシクロトリシロキサン
をより高級のポリシロキサン(higher cyclopolysiloxan
e)およびその他の不純物から分離しなければならない。
シロキサンを含む粗混合物は、例えば、ジメチルジクロ
ロシランの加水分解から典型的には有機溶剤の存在下に
得られる副生成物として得られる。この方法の主たる目
的は水酸基末端ポリジメチルシロキサンおよびオクタメ
チルシクロテトラシロキサンの生成であるが、著量のヘ
キサメチルシクロテトラシロキサンおよび少量のより重
合度の高いシクロポリシロキサンが、より酸性の加水分
解条件下では生成する。加水分解法から得られる揮発物
質の粗混合物は蒸留して、オクタメチルシクロテトラシ
ロキサン、高級シクロポリシロキサンその他の不純物か
らヘキサメチルシクロトリシロキサンを分離しなければ
ならない。同様に、粗混合物がポリジメチルシロキサン
またはポリジメチルシロキサンの混合物の塩基触媒均衡
化反応(base-catalyzed equilibration)から得られる場
合、これも蒸留してヘキサメチルシクロトリシロキサン
をより高級のポリシロキサン(higher cyclopolysiloxan
e)およびその他の不純物から分離しなければならない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような操作を、リ
ボイラー、カラムおよび凝縮機を含む慣用の分別蒸留装
置を用いて行うと、固体ヘキサメチルシクロトリシロキ
サン (融点64℃) が凝縮機中に析出しはじめ、ついには
歩留まりをなくしまたは著しく低下させる。勿論、凝縮
機を変更してこの問題に対処することができる。同様
に、蒸留をより高圧(および高い凝縮機温度) で実施し
て上記弊害を最小限にすることができる。しかしなが
ら、いずれの処置も余分な経費を必要とし、既存の装置
条件に適合しない。
ボイラー、カラムおよび凝縮機を含む慣用の分別蒸留装
置を用いて行うと、固体ヘキサメチルシクロトリシロキ
サン (融点64℃) が凝縮機中に析出しはじめ、ついには
歩留まりをなくしまたは著しく低下させる。勿論、凝縮
機を変更してこの問題に対処することができる。同様
に、蒸留をより高圧(および高い凝縮機温度) で実施し
て上記弊害を最小限にすることができる。しかしなが
ら、いずれの処置も余分な経費を必要とし、既存の装置
条件に適合しない。
【0005】従って、慣用の蒸留装置を用いて上記粗混
合物からマクロモノマーを合成するために使用するのに
適した、ヘキサメチルシクロトリシロキサンの分離を可
能にする方法が求められている。
合物からマクロモノマーを合成するために使用するのに
適した、ヘキサメチルシクロトリシロキサンの分離を可
能にする方法が求められている。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に従えば、ジメチ
ルジクロロシランの加水分解から得られる前記粗混合物
の揮発性副生成物および不純物からヘキサメチルシクロ
トリシロキサンを分離する蒸留方法が開発された。さら
に、本方法は、特殊な反応条件や慣用の装置の変更を必
要とせず、また得られるヘキサメチルシクロトリシロキ
サン溶液を上記マクロモノマー合成に直接に使用でき
る。
ルジクロロシランの加水分解から得られる前記粗混合物
の揮発性副生成物および不純物からヘキサメチルシクロ
トリシロキサンを分離する蒸留方法が開発された。さら
に、本方法は、特殊な反応条件や慣用の装置の変更を必
要とせず、また得られるヘキサメチルシクロトリシロキ
サン溶液を上記マクロモノマー合成に直接に使用でき
る。
【0007】従って、本発明は、粗混合物を蒸留する方
法であって、(I)前記粗混合物を125〜150℃の
通常沸点を有する補助溶剤と混合する工程と、(II)
工程(I)から得られる混合物をリボイラー、分別カラ
ムおよび凝縮機を含む装置で蒸留する工程を含む。結果
として、慣用の装置の凝縮機における固体ヘキサメチル
シクロトリシロキサンの不所望な析出は、本発明により
ヘキサメチルシクロトリシロキサンの粗混合物(A)を
炭化水素補助溶剤(B)の存在において蒸留する場合に
は、実質的に防止される。
法であって、(I)前記粗混合物を125〜150℃の
通常沸点を有する補助溶剤と混合する工程と、(II)
工程(I)から得られる混合物をリボイラー、分別カラ
ムおよび凝縮機を含む装置で蒸留する工程を含む。結果
として、慣用の装置の凝縮機における固体ヘキサメチル
シクロトリシロキサンの不所望な析出は、本発明により
ヘキサメチルシクロトリシロキサンの粗混合物(A)を
炭化水素補助溶剤(B)の存在において蒸留する場合に
は、実質的に防止される。
【0008】好ましい態様において、粗混合物(A)は
ジメチルジクロロシランの加水分解から得られる揮発性
副生成物である。ヘキサメチルシクロトリシロキサンお
よび加水分解を促進するために使用した低沸点有機溶剤
(例えば、ヘキサン、ヘプタン)の他に、粗混合物
(A)はオクタメチルシクロテトラシロキサンおよび重
合度(DP)が5のシクロポリシロキサンを含む。また
典型的には痕跡量のシラノール官能性シロキサン、塩化
水素酸および低沸点塩素化炭化水素化合物を含む。
ジメチルジクロロシランの加水分解から得られる揮発性
副生成物である。ヘキサメチルシクロトリシロキサンお
よび加水分解を促進するために使用した低沸点有機溶剤
(例えば、ヘキサン、ヘプタン)の他に、粗混合物
(A)はオクタメチルシクロテトラシロキサンおよび重
合度(DP)が5のシクロポリシロキサンを含む。また
典型的には痕跡量のシラノール官能性シロキサン、塩化
水素酸および低沸点塩素化炭化水素化合物を含む。
【0009】本方法では、粗混合物(A)は125〜1
50℃、好ましくは130〜140℃の通常沸点〔101.
3Pa(1気圧)〕を有する補助溶剤(B)と混合する。次
いで得られる混合物をリボイラー、分別カラムおよび凝
縮機を含む装置で蒸留する。蒸留をバッチ式で行う場
合、最初の塔頂留分は加水分解反応からの低沸点有機溶
剤と共に、塩化水素酸および大部分の上記痕跡不純物を
含む。ヘキサメチルシクロトリシロキサン(通常沸点1
34℃)および炭化水素補助溶剤(B)の沸点はお互い
に近いので、第2の塔頂留分は実質的にこれら2つの成
分の混合物からなる。オクタメチルシクロテトラシロキ
サンおよび高級シクロポリシロキサンはリボイラー(ポ
ット)中で濃縮される。
50℃、好ましくは130〜140℃の通常沸点〔101.
3Pa(1気圧)〕を有する補助溶剤(B)と混合する。次
いで得られる混合物をリボイラー、分別カラムおよび凝
縮機を含む装置で蒸留する。蒸留をバッチ式で行う場
合、最初の塔頂留分は加水分解反応からの低沸点有機溶
剤と共に、塩化水素酸および大部分の上記痕跡不純物を
含む。ヘキサメチルシクロトリシロキサン(通常沸点1
34℃)および炭化水素補助溶剤(B)の沸点はお互い
に近いので、第2の塔頂留分は実質的にこれら2つの成
分の混合物からなる。オクタメチルシクロテトラシロキ
サンおよび高級シクロポリシロキサンはリボイラー(ポ
ット)中で濃縮される。
【0010】上記蒸留は連続操作でも行うことができ
る。この場合、2つの蒸留装置を用いることが好まし
い。この場合、粗混合物(A)は第1の蒸留装置のカラ
ムに供給して有機溶剤、塩化水素酸および他の不純物の
殆どを第1凝縮機を介して塔頂流として取出す。第1リ
ボイラーからの高沸点流(high boiler stream)を補助溶
剤(B)の流れと共に第2蒸留装置のカラムに供給す
る。第2装置からの塔頂流第1凝縮機を通り、実質的に
ヘキサメチルシクロトリシロキサンおよび補助溶剤
(B)の混合物からなる。第2装置からの塔底流は、バ
ッチ式蒸留の場合のように、オクタメチルシクロテトラ
シロキサンおよび高級シクロポリシロキサンの混合物で
ある。
る。この場合、2つの蒸留装置を用いることが好まし
い。この場合、粗混合物(A)は第1の蒸留装置のカラ
ムに供給して有機溶剤、塩化水素酸および他の不純物の
殆どを第1凝縮機を介して塔頂流として取出す。第1リ
ボイラーからの高沸点流(high boiler stream)を補助溶
剤(B)の流れと共に第2蒸留装置のカラムに供給す
る。第2装置からの塔頂流第1凝縮機を通り、実質的に
ヘキサメチルシクロトリシロキサンおよび補助溶剤
(B)の混合物からなる。第2装置からの塔底流は、バ
ッチ式蒸留の場合のように、オクタメチルシクロテトラ
シロキサンおよび高級シクロポリシロキサンの混合物で
ある。
【0011】本発明では、補助溶剤(B)の量は、ヘキ
サメチルシクロトリシロキサン/補助溶剤塔頂留分(ま
たは塔頂流)中のヘキサメチルシクロトリシロキサンの
濃度が30〜50重量%、好ましくは40%であるよう
に調整することが好ましい。この濃度が30重量%未満
であるかと、凝縮機中の固体ヘキサメチルシクロトリシ
ロキサンの析出の防止ち用いるのに必要以上のエネルギ
ーが消費され、本方法の効率が悪くなる。また、低濃度
のヘキサメチルシクロトリシロキサンを含む混合物はマ
クロモノマーの合成に伝動的でない。一方、蒸留を通常
大気圧で行いかつ塔頂のヘキサメチルシクロトリシロキ
サンのレベルが50重量%より多い場合には、凝縮機
(例えば、連続蒸留の場合には第2凝縮機)中に固体ヘ
キサメチルシクロトリシロキサンの析出が見られる。
サメチルシクロトリシロキサン/補助溶剤塔頂留分(ま
たは塔頂流)中のヘキサメチルシクロトリシロキサンの
濃度が30〜50重量%、好ましくは40%であるよう
に調整することが好ましい。この濃度が30重量%未満
であるかと、凝縮機中の固体ヘキサメチルシクロトリシ
ロキサンの析出の防止ち用いるのに必要以上のエネルギ
ーが消費され、本方法の効率が悪くなる。また、低濃度
のヘキサメチルシクロトリシロキサンを含む混合物はマ
クロモノマーの合成に伝動的でない。一方、蒸留を通常
大気圧で行いかつ塔頂のヘキサメチルシクロトリシロキ
サンのレベルが50重量%より多い場合には、凝縮機
(例えば、連続蒸留の場合には第2凝縮機)中に固体ヘ
キサメチルシクロトリシロキサンの析出が見られる。
【0012】本発明では、補助溶剤(B)は粗混合物
(A)の全ての成分との反応性が不活性でなければなら
ない。また、炭化水素補助溶剤(B)は125〜150
℃の通常沸点を有しなければならない。通常沸点が12
5℃未満(例えば、トルエンの通常沸点115℃)の場
合、補助溶剤は別のフラクションとして蒸発し、蒸留が
続くと凝縮機中に固体ヘキサメチルシクロトリシロキサ
ンの析出が見られる。同様に、通常沸点が150℃超の
場合、補助溶剤はリボイラー中に濃縮し、やはり固体ヘ
キサメチルシクロトリシロキサンが凝縮機中に析出す
る。こうして、炭化水素補助溶剤(B)は芳香族化合
物、例えば、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレ
ンおよびエチルベンゼン、また脂肪族炭化水素、例え
ば、n−オクタン、n−ノナン、メチルオクタンおよび
ヒクロオクタンから選択する。また、このような補助溶
剤の2または3以上の混合物も得られる沸点が上記範囲
内にある限り使用できるものである。コストの観点から
補助溶剤(B)はキシレンアイソマーの工業等級混合物
が好ましい。
(A)の全ての成分との反応性が不活性でなければなら
ない。また、炭化水素補助溶剤(B)は125〜150
℃の通常沸点を有しなければならない。通常沸点が12
5℃未満(例えば、トルエンの通常沸点115℃)の場
合、補助溶剤は別のフラクションとして蒸発し、蒸留が
続くと凝縮機中に固体ヘキサメチルシクロトリシロキサ
ンの析出が見られる。同様に、通常沸点が150℃超の
場合、補助溶剤はリボイラー中に濃縮し、やはり固体ヘ
キサメチルシクロトリシロキサンが凝縮機中に析出す
る。こうして、炭化水素補助溶剤(B)は芳香族化合
物、例えば、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレ
ンおよびエチルベンゼン、また脂肪族炭化水素、例え
ば、n−オクタン、n−ノナン、メチルオクタンおよび
ヒクロオクタンから選択する。また、このような補助溶
剤の2または3以上の混合物も得られる沸点が上記範囲
内にある限り使用できるものである。コストの観点から
補助溶剤(B)はキシレンアイソマーの工業等級混合物
が好ましい。
【0013】本方法のバッチ式または連続式蒸留から得
られるヘキサメチルシクロトリシロキサンと補助溶剤
(B)の混合物は、米国特許第5,399,649号に
教示されているような、アルキルリチウム開始剤の存在
において反応させて狭い分子量分布を持つマクロモノマ
ーを製造するために使用することができる。以下の実施
例は特許請求の範囲に記載した本発明の方法をさらに説
明する。これらの実施例中の「部」および「%」は断ら
ない限り重量基準である。
られるヘキサメチルシクロトリシロキサンと補助溶剤
(B)の混合物は、米国特許第5,399,649号に
教示されているような、アルキルリチウム開始剤の存在
において反応させて狭い分子量分布を持つマクロモノマ
ーを製造するために使用することができる。以下の実施
例は特許請求の範囲に記載した本発明の方法をさらに説
明する。これらの実施例中の「部」および「%」は断ら
ない限り重量基準である。
【0014】以下の実施例において、GC分析はHewlet
t Packerd 5890A ガスクロマトグラフ(温度:オーブン
50℃、インジェクター150℃、検出器300℃、初
期時間5分間、温度速度15℃/分、ガス流量変化性)
で行った。ヘプタンまたはキシレン中のD3 のパーセン
ト量は、ヘキサメチルシクロトリシロキサン(D3 )の
50%ヘプタンまたはキシレン溶液を調整し、GCピー
ク面積を計算して決定した。オクタメチルシクロテトラ
シロキサン(D4 )の応答因子はD3 のそれと同様であ
ると見做した。ゲル透過クロマトグラフィー(GPC)
分析は、Waters(商標)150℃クロマトグラフ(流量
1.2ml/分、注入量200 μL)でトルエンを用い、ポリスチ
レン標準にて行った。例1 3リットルの3つ首フラスコに磁石攪拌棒、ゴム隔壁
(採取用)、18インチ(457mm)ガラス蒸留カラ
ム、およびフィンガー凝縮器付共沸蒸留ヘッドを装着し
た。カラムにはガラス螺旋体〔内径1/4インチ(6.
1mm)、ScientificGlass Apparatus, Bloomfield, N
J〕を入れた。フラスコに下記の略組成を持つ酸性粗混
合物1480gを充填した。
t Packerd 5890A ガスクロマトグラフ(温度:オーブン
50℃、インジェクター150℃、検出器300℃、初
期時間5分間、温度速度15℃/分、ガス流量変化性)
で行った。ヘプタンまたはキシレン中のD3 のパーセン
ト量は、ヘキサメチルシクロトリシロキサン(D3 )の
50%ヘプタンまたはキシレン溶液を調整し、GCピー
ク面積を計算して決定した。オクタメチルシクロテトラ
シロキサン(D4 )の応答因子はD3 のそれと同様であ
ると見做した。ゲル透過クロマトグラフィー(GPC)
分析は、Waters(商標)150℃クロマトグラフ(流量
1.2ml/分、注入量200 μL)でトルエンを用い、ポリスチ
レン標準にて行った。例1 3リットルの3つ首フラスコに磁石攪拌棒、ゴム隔壁
(採取用)、18インチ(457mm)ガラス蒸留カラ
ム、およびフィンガー凝縮器付共沸蒸留ヘッドを装着し
た。カラムにはガラス螺旋体〔内径1/4インチ(6.
1mm)、ScientificGlass Apparatus, Bloomfield, N
J〕を入れた。フラスコに下記の略組成を持つ酸性粗混
合物1480gを充填した。
【0015】ヘプタンアイソマー:85%、D3 :1
0.5%、D4 :3.5%、−SiOH:痕跡量。 このフラスコに試薬球o−キシレン300gを入れた。
得られた溶液の蒸留を13.97 〜14.23kPa(105 〜107 To
rr)の圧力で行った。それから下記フラクションを集め
た。
0.5%、D4 :3.5%、−SiOH:痕跡量。 このフラスコに試薬球o−キシレン300gを入れた。
得られた溶液の蒸留を13.97 〜14.23kPa(105 〜107 To
rr)の圧力で行った。それから下記フラクションを集め
た。
【0016】フラクションNo.1(72 ℃以下)1267g、GC
組成:D3 24.1g(1.9%) ,残部ヘプタン。 フラクションNo.2(72 〜84℃)275g 、GC組成:D3 13
1g(47%) ,D45.84g(2.12%) ,キシレン138g(50%) 。 フラスコ中の残部229g、GC組成:D3 31.8g(14%),D
487g(38.3%) ,キシレン110g(48%) 。
組成:D3 24.1g(1.9%) ,残部ヘプタン。 フラクションNo.2(72 〜84℃)275g 、GC組成:D3 13
1g(47%) ,D45.84g(2.12%) ,キシレン138g(50%) 。 フラスコ中の残部229g、GC組成:D3 31.8g(14%),D
487g(38.3%) ,キシレン110g(48%) 。
【0017】蒸留中にカラムまたはフィンガー凝縮機に
固体D3 の析出は見られなかった。D3 /キシレン溶液
(即ち、フラクションNo.2)を用いて、米国特許第5,39
9,649 号に従ってブチルリチウム開始剤の存在において
反応させて1つのSiOH末端基を有するマクロモノマーを
製造した。マクロモノマーは数平均分子量(Mn)10,3
10、GPCで測定した多分散度(PD)1.07を有
した。例2 1004gの粗混合物および125gの工業等級キシレン混
合物を用いて、例1の蒸留手順を繰り返した。蒸留は例
1と同じ圧力で行い、下記フラクションが得られた。
固体D3 の析出は見られなかった。D3 /キシレン溶液
(即ち、フラクションNo.2)を用いて、米国特許第5,39
9,649 号に従ってブチルリチウム開始剤の存在において
反応させて1つのSiOH末端基を有するマクロモノマーを
製造した。マクロモノマーは数平均分子量(Mn)10,3
10、GPCで測定した多分散度(PD)1.07を有
した。例2 1004gの粗混合物および125gの工業等級キシレン混
合物を用いて、例1の蒸留手順を繰り返した。蒸留は例
1と同じ圧力で行い、下記フラクションが得られた。
【0018】フラクションNo.1(72 ℃以下)845g 、GC
組成:D3 15.64g(1.8%),D4 痕跡量、残部ヘプタン。 フラクションNo.2(72 〜84℃)183.2g 、GC組成:D3
102.3g(55.8%) ,D43.26g(1.78%) ,キシレン77.1g(4
2.1%)。 フラスコ中の残部87.4g 、GC組成:D3 14.4g(16.5
%),D453.4g(61.4%) ,キシレン19g(21.8%)。
組成:D3 15.64g(1.8%),D4 痕跡量、残部ヘプタン。 フラクションNo.2(72 〜84℃)183.2g 、GC組成:D3
102.3g(55.8%) ,D43.26g(1.78%) ,キシレン77.1g(4
2.1%)。 フラスコ中の残部87.4g 、GC組成:D3 14.4g(16.5
%),D453.4g(61.4%) ,キシレン19g(21.8%)。
【0019】蒸留中にカラムまたはフィンガー凝縮機に
固体D3 の析出は見られなかった。D3 /キシレン溶液
(即ち、フラクションNo.2)を用いて、ブチルリチウム
開始剤の存在において反応させて1つのSiOH末端基を有
するマクロモノマーを製造した。マクロモノマーは数平
均分子量(Mn)8,430、GPCで測定した多分散度
1.07を有した。例3(比較例) 492gの粗混合物を用いて、例1の蒸留手順を繰り返
した。この場合、補助溶剤は101gの工業等級トルエ
ンであった。蒸留は例1と同じ圧力で行い、下記フラク
ションが得られた。
固体D3 の析出は見られなかった。D3 /キシレン溶液
(即ち、フラクションNo.2)を用いて、ブチルリチウム
開始剤の存在において反応させて1つのSiOH末端基を有
するマクロモノマーを製造した。マクロモノマーは数平
均分子量(Mn)8,430、GPCで測定した多分散度
1.07を有した。例3(比較例) 492gの粗混合物を用いて、例1の蒸留手順を繰り返
した。この場合、補助溶剤は101gの工業等級トルエ
ンであった。蒸留は例1と同じ圧力で行い、下記フラク
ションが得られた。
【0020】フラクションNo.1(41 ℃以下)356.3g 、G
C組成:トルエン33.03g(9.27%) 、D3 0.18g(0.05%)。 フラクションNo.2(41 〜55℃)86.2g、GC組成:トルエ
ン47.5g(55.09%) 、D 3 1.63g(1.90%)。 フラクションNo.3(55 〜67℃)25.1g、GC組成:トルエ
ン22g(87.87%) 、D32.74g(10.92%) 。
C組成:トルエン33.03g(9.27%) 、D3 0.18g(0.05%)。 フラクションNo.2(41 〜55℃)86.2g、GC組成:トルエ
ン47.5g(55.09%) 、D 3 1.63g(1.90%)。 フラクションNo.3(55 〜67℃)25.1g、GC組成:トルエ
ン22g(87.87%) 、D32.74g(10.92%) 。
【0021】フラスコ中の残部87.4g 、GC組成:D3
14.4g(16.5%),D453.4g(61.4%) ,キシレン19g(21.8
%)。 この例では、GCの測定値は不正確な領域のパーセント
値であった。フラクションNo.3を得た後、カラムの頂部
が固体D3 で閉塞したので、蒸留は停止した。高温空気
送付でカラムを加熱して蒸留の継続を試みたが、数分後
にカラムは再び閉塞した。この時点で、フラスコ中に9
5gの残留物が残っていた。
14.4g(16.5%),D453.4g(61.4%) ,キシレン19g(21.8
%)。 この例では、GCの測定値は不正確な領域のパーセント
値であった。フラクションNo.3を得た後、カラムの頂部
が固体D3 で閉塞したので、蒸留は停止した。高温空気
送付でカラムを加熱して蒸留の継続を試みたが、数分後
にカラムは再び閉塞した。この時点で、フラスコ中に9
5gの残留物が残っていた。
Claims (6)
- 【請求項1】 ヘキサメチルシクロトリシロキサンとよ
り高級のシクロポリシロキサンとの粗混合物を蒸留する
方法であって、(I)前記粗混合物を125〜150℃
の通常沸点を有する補助溶剤と混合する工程と、(I
I)工程(I)から得られる混合物をリボイラー、分別
カラムおよび凝縮機を含む装置で蒸留し、前記補助溶剤
に溶けたヘキサメチルシクロトリシロキサンの溶液を前
記高級シクロポリシロキサンから分離し、前記凝縮機に
おける固体ヘキサメチルシクロトリシロキサンの析出を
実質的に防止する工程とを有することを特徴とするヘキ
サメチルシクロトリシロキサンの蒸留方法。 - 【請求項2】 前記補助溶剤をo−キシレン、m−キシ
レン、p−キシレン、エチルベンゼン、シクロオクタ
ン、n−オクタン、n−ノナンおよびメチルオクタンか
らなる群から選択する請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 前記補助溶剤がキシレンアイソマーの混
合物である請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 前記混合工程および前記蒸留工程を連続
的に実施する請求項1,2または3記載の方法。 - 【請求項5】 前記粗混合物をジメチルジクロロシラン
の加水分解から得る請求項1〜4のいずれか1項に記載
の方法。 - 【請求項6】 前記粗混合物を少なくとも1種のポリジ
メチルシロキサンの塩基均衡化反応から得る請求項1〜
4のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/657,210 US5660690A (en) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | Method for distilling hexamethylcyclotrisiloxane |
| US08/657210 | 1996-06-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1059985A true JPH1059985A (ja) | 1998-03-03 |
Family
ID=24636271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9145185A Withdrawn JPH1059985A (ja) | 1996-06-03 | 1997-06-03 | ヘキサメチルシクロトリシロキサンの蒸留方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5660690A (ja) |
| EP (1) | EP0811649B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1059985A (ja) |
| DE (1) | DE69702884T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1045770A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-02-17 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | ヘキサメチルシクロトリシロキサンの分離方法 |
| DE19914966A1 (de) * | 1999-04-01 | 2000-10-05 | Basf Ag | Verfahren zur kontinuierlich betriebenen destillativen Abtrennung eines höherschmelzenden Stoffes |
| CN102565263B (zh) * | 2011-12-30 | 2014-05-28 | 蓝星化工新材料股份有限公司江西星火有机硅厂 | 六甲基环三硅氧烷的一种定量分析方法 |
| CN110818900B (zh) * | 2019-12-12 | 2021-10-22 | 浙江润禾有机硅新材料有限公司 | 一种连续催化合成分离高纯度低粘度二甲基硅油的方法和生产系统 |
| CN115894547A (zh) * | 2022-12-19 | 2023-04-04 | 鲁西化工集团股份有限公司硅化工分公司 | 一种利用烃类化合物净化硅氧烷的方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1645671A1 (de) * | 1951-01-28 | 1970-09-24 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Reinigung von Organopolysiloxanoelen |
| US2618648A (en) * | 1951-08-28 | 1952-11-18 | Gen Electric | Preparation of hexamethylcyclotrisiloxane |
| WO1983003244A1 (en) * | 1982-03-18 | 1983-09-29 | Gen Electric | Purification of silicon halides |
| US4689420A (en) * | 1985-11-19 | 1987-08-25 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of cyclopolydiorganosiloxanes |
| JPS63190891A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-08 | Toray Silicone Co Ltd | ヘキサメチルジシロキサンの精製方法 |
| JP2541060B2 (ja) * | 1991-11-20 | 1996-10-09 | 信越化学工業株式会社 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
| JP2826939B2 (ja) * | 1993-05-28 | 1998-11-18 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | ジオルガノポリシロキサンの製造方法 |
| JPH07181737A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電子写真トナー用バインダー |
-
1996
- 1996-06-03 US US08/657,210 patent/US5660690A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-03 EP EP97303755A patent/EP0811649B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 DE DE69702884T patent/DE69702884T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-03 JP JP9145185A patent/JPH1059985A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| EP0811649A3 (en) | 1998-08-19 |
| US5660690A (en) | 1997-08-26 |
| DE69702884D1 (de) | 2000-09-28 |
| DE69702884T2 (de) | 2001-03-22 |
| EP0811649B1 (en) | 2000-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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