JPH1062981A - パターン形成用ペースト - Google Patents
パターン形成用ペーストInfo
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- JPH1062981A JPH1062981A JP8231331A JP23133196A JPH1062981A JP H1062981 A JPH1062981 A JP H1062981A JP 8231331 A JP8231331 A JP 8231331A JP 23133196 A JP23133196 A JP 23133196A JP H1062981 A JPH1062981 A JP H1062981A
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- photosensitive resin
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- acrylate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネルの障壁等のよう
に幅に対する厚みのアルペクト比の大きいパターンを高
い精度で形成するためのパターン形成用ペーストを提供
する。 【解決手段】 少なくとも１種の無機粉体と感光性樹脂
成分を含むパターン形成用ペーストにおいて、無機粉体
の８０重量％以上が感光性樹脂成分の屈折率との差が
０．２以内であるような屈折率を示すものとする。
に幅に対する厚みのアルペクト比の大きいパターンを高
い精度で形成するためのパターン形成用ペーストを提供
する。 【解決手段】 少なくとも１種の無機粉体と感光性樹脂
成分を含むパターン形成用ペーストにおいて、無機粉体
の８０重量％以上が感光性樹脂成分の屈折率との差が
０．２以内であるような屈折率を示すものとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン形成用ペ
ーストに係り、特に幅に対する厚みのアルペクト比の大
きいパターンを形成するためのパターン形成用ペースト
に関する。
ーストに係り、特に幅に対する厚みのアルペクト比の大
きいパターンを形成するためのパターン形成用ペースト
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路や画像表示装置等の電子
装置における電極、抵抗体、誘電体等のパターン形成、
あるいは、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）にお
ける障壁パターンの形成は、より高い精度が要求されて
いる。
装置における電極、抵抗体、誘電体等のパターン形成、
あるいは、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）にお
ける障壁パターンの形成は、より高い精度が要求されて
いる。
【０００３】例えば、上記のＰＤＰにおける障壁は、表
示放電空間をできるだけ大きくして高輝度の発光を可能
とするために、ガラス基板に対して垂直に切り立ち、か
つ、幅が狭く十分な高さを有することが要求される。特
に、高精細のＰＤＰでは、例えば、幅３０〜５０μｍに
対して厚みが１００μｍ程度であるような高アスペクト
比の障壁が必要とされる。
示放電空間をできるだけ大きくして高輝度の発光を可能
とするために、ガラス基板に対して垂直に切り立ち、か
つ、幅が狭く十分な高さを有することが要求される。特
に、高精細のＰＤＰでは、例えば、幅３０〜５０μｍに
対して厚みが１００μｍ程度であるような高アスペクト
比の障壁が必要とされる。
【０００４】従来、上記の障壁のような高アスペクト比
のパターン形成として、感光性のパターン形成用ペース
トを基板に塗布し、この塗布膜を所定のマスクを介して
露光・現像し、その後、焼成して有機成分を除去するこ
とによりパターンを形成する方法が知られている。
のパターン形成として、感光性のパターン形成用ペース
トを基板に塗布し、この塗布膜を所定のマスクを介して
露光・現像し、その後、焼成して有機成分を除去するこ
とによりパターンを形成する方法が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＰＤＰ
の障壁のような高さの大きいパターンを形成する場合、
従来のパターン形成用ペーストからなる塗布膜では、そ
の厚みが大きいため光透過性が低く、塗布膜の露光時に
おいて照射された光が塗布膜内で散乱を生じ、形成され
たパターンの基部に太りがみられ、高いアスペクト比で
エッジ精度の高いパターンを形成することが困難である
という問題があった。
の障壁のような高さの大きいパターンを形成する場合、
従来のパターン形成用ペーストからなる塗布膜では、そ
の厚みが大きいため光透過性が低く、塗布膜の露光時に
おいて照射された光が塗布膜内で散乱を生じ、形成され
たパターンの基部に太りがみられ、高いアスペクト比で
エッジ精度の高いパターンを形成することが困難である
という問題があった。
【０００６】このような問題を解消するために、パター
ンの太りを考慮して予めマスクの幅を狭くしたり、露光
後の現像において異方性現像を行う等の対応がなされて
いるが、いずれも作業が煩雑であり、また、アスペクト
比やエッジ精度の点で不充分なものであった。
ンの太りを考慮して予めマスクの幅を狭くしたり、露光
後の現像において異方性現像を行う等の対応がなされて
いるが、いずれも作業が煩雑であり、また、アスペクト
比やエッジ精度の点で不充分なものであった。
【０００７】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、プラズマディスプレイパネルの障壁等
のように幅に対する厚みのアルペクト比の大きいパター
ンを高い精度で形成するためのパターン形成用ペースト
を提供することを目的とする。
れたものであり、プラズマディスプレイパネルの障壁等
のように幅に対する厚みのアルペクト比の大きいパター
ンを高い精度で形成するためのパターン形成用ペースト
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のパターン形成用ペーストは、少なく
とも１種の無機粉体と感光性樹脂成分を含み、前記感光
性樹脂成分の屈折率との差が０．２以内であるような屈
折率を有する無機粉体が前記無機粉体の８０重量％以上
を占めるような構成とした。
るために、本発明のパターン形成用ペーストは、少なく
とも１種の無機粉体と感光性樹脂成分を含み、前記感光
性樹脂成分の屈折率との差が０．２以内であるような屈
折率を有する無機粉体が前記無機粉体の８０重量％以上
を占めるような構成とした。
【０００９】このような本発明のパターン形成用ペース
トでは、含有される無機粉体のうち８０重量％以上は、
その屈折率が感光性樹脂成分の屈折率と０．２以内の差
であり、パターン形成時の露光における照射光の散乱が
抑えられ、したがって、照射光の透過性が高いものとな
る。
トでは、含有される無機粉体のうち８０重量％以上は、
その屈折率が感光性樹脂成分の屈折率と０．２以内の差
であり、パターン形成時の露光における照射光の散乱が
抑えられ、したがって、照射光の透過性が高いものとな
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の最良の実施形態に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１１】本発明のパターン形成用ペーストは、少な
くとも１種の無機粉体と感光性樹脂成分を含むものであ
る。
くとも１種の無機粉体と感光性樹脂成分を含むものであ
る。
【００１２】本発明のパターン形成用ペーストを構成す
る無機粉体は、その８０重量％以上が、感光性樹脂成分
の屈折率との差が０．２以内、好ましくは０．１５以内
となる屈折率を有するもので占められる。感光性樹脂成
分の屈折率との差が上記の範囲を超える場合、あるい
は、感光性樹脂成分の屈折率との差が上記の範囲である
無機粉体の割合が８０重量％未満であると、パターン形
成用ペーストに照射された光がペースト内で散乱を生
じ、露光時の照射光の透過性が不十分となり好ましくな
い。
る無機粉体は、その８０重量％以上が、感光性樹脂成分
の屈折率との差が０．２以内、好ましくは０．１５以内
となる屈折率を有するもので占められる。感光性樹脂成
分の屈折率との差が上記の範囲を超える場合、あるい
は、感光性樹脂成分の屈折率との差が上記の範囲である
無機粉体の割合が８０重量％未満であると、パターン形
成用ペーストに照射された光がペースト内で散乱を生
じ、露光時の照射光の透過性が不十分となり好ましくな
い。
【００１３】使用する無機粉体としては、軟化温度が３
５０〜６５０℃である無機粉体が好ましい。無機粉体の
軟化温度が６５０℃を超えると焼成温度を高くする必要
があり、例えば、基板の耐熱性が低い場合には焼成段階
で基板に熱変形を生じることになり好ましくない。ま
た、無機粉体の軟化温度が３５０℃未満では、パターン
形成用ペーストの樹脂成分が完全に分解、揮発する前に
無機粉体が融着するため、空隙を生じやすく好ましくな
い。使用可能な無機粉体の具体例としては、ガラスフリ
ットやセラミックス粉体等を挙げることができ、焼成収
縮を制御したり、軟化温度を調整したり、熱膨張係数を
ガラス基板に合わせたりするために、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、
ＢａＯ等の無機粉体が用いられる。
５０〜６５０℃である無機粉体が好ましい。無機粉体の
軟化温度が６５０℃を超えると焼成温度を高くする必要
があり、例えば、基板の耐熱性が低い場合には焼成段階
で基板に熱変形を生じることになり好ましくない。ま
た、無機粉体の軟化温度が３５０℃未満では、パターン
形成用ペーストの樹脂成分が完全に分解、揮発する前に
無機粉体が融着するため、空隙を生じやすく好ましくな
い。使用可能な無機粉体の具体例としては、ガラスフリ
ットやセラミックス粉体等を挙げることができ、焼成収
縮を制御したり、軟化温度を調整したり、熱膨張係数を
ガラス基板に合わせたりするために、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、
ＢａＯ等の無機粉体が用いられる。
【００１４】また、上記の無機粉体としてのガラスフリ
ットの平均粒径は０．１〜１０μｍの範囲が好ましく、
セラミックス粉体の平均粒径は０．０２〜１０μｍの範
囲が好ましい。
ットの平均粒径は０．１〜１０μｍの範囲が好ましく、
セラミックス粉体の平均粒径は０．０２〜１０μｍの範
囲が好ましい。
【００１５】このような無機粉体は、パターン形成用ペ
ーストに５０〜９５重量％、好ましくは６０〜８５重量
％の範囲で含有させることができる。
ーストに５０〜９５重量％、好ましくは６０〜８５重量
％の範囲で含有させることができる。
【００１６】本発明のパターン形成用ペーストを構成す
る感光性樹脂成分は、アルカリ現像型バインダーポリマ
ー、モノマー、開始剤を含有するネガ型もしくはノボラ
ック系のポジ型であり、６５０℃以下の低温における焼
成によって揮発、分解して、パターン中に炭化物を残存
させることのないものである。
る感光性樹脂成分は、アルカリ現像型バインダーポリマ
ー、モノマー、開始剤を含有するネガ型もしくはノボラ
ック系のポジ型であり、６５０℃以下の低温における焼
成によって揮発、分解して、パターン中に炭化物を残存
させることのないものである。
【００１７】アルカリ現像型バインダーポリマーとして
は、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸の二量体
（例えば、東亜合成化学（株）製Ｍ−５６００）、イタ
コン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢
酸、これらの酸無水物の１種以上と、メチルアクリレー
ト、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチ
ルメタクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プ
ロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イ
ソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、
ｎ−ブチルメタクリレート、sec-ブチルアクリレート、
sec-ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、
イソブチルメタクリレート、tert−ブチルアクリレー
ト、tert−ブチルメタクリレート、ｎ−ペンチルアクリ
レート、ｎ−ペンチルメタクリレート、ｎ−ヘキシルア
クリレート、ｎ−ヘキシルメタクリレート、２−エチル
ヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレ
ート、ｎ−オクチルアクリレート、ｎ−オクチルメタク
リレート、ｎ−デシルアクリレート、ｎ−デシルメタク
リレート、スチレン、α−メチルスチレン、１−ビニル
−２−ピロリドンの１種以上と、からなるコポリマー等
が挙げられる。
は、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸の二量体
（例えば、東亜合成化学（株）製Ｍ−５６００）、イタ
コン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢
酸、これらの酸無水物の１種以上と、メチルアクリレー
ト、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチ
ルメタクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プ
ロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イ
ソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、
ｎ−ブチルメタクリレート、sec-ブチルアクリレート、
sec-ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、
イソブチルメタクリレート、tert−ブチルアクリレー
ト、tert−ブチルメタクリレート、ｎ−ペンチルアクリ
レート、ｎ−ペンチルメタクリレート、ｎ−ヘキシルア
クリレート、ｎ−ヘキシルメタクリレート、２−エチル
ヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレ
ート、ｎ−オクチルアクリレート、ｎ−オクチルメタク
リレート、ｎ−デシルアクリレート、ｎ−デシルメタク
リレート、スチレン、α−メチルスチレン、１−ビニル
−２−ピロリドンの１種以上と、からなるコポリマー等
が挙げられる。
【００１８】また、上記のコポリマーにグリシジル基ま
たは水酸基を有するエチレン性不飽和化合物を付加させ
たポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。
たは水酸基を有するエチレン性不飽和化合物を付加させ
たポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。
【００１９】尚、上記のアルカリ現像型バインダーポリ
マーに非アルカリ現像型のポリマーを混合してもよい。
非アルカリ現像型のポリマーとしては、ポリビニルアル
コール、ポリビニルブチラール、アクリル酸エステル重
合体、メタクリル酸エステル重合体、ポリスチレン、α
−メチルスチレン重合体、１−ビニル−２−ピロリドン
重合体、および、これらの共重合体等を挙げることがで
きる。
マーに非アルカリ現像型のポリマーを混合してもよい。
非アルカリ現像型のポリマーとしては、ポリビニルアル
コール、ポリビニルブチラール、アクリル酸エステル重
合体、メタクリル酸エステル重合体、ポリスチレン、α
−メチルスチレン重合体、１−ビニル−２−ピロリドン
重合体、および、これらの共重合体等を挙げることがで
きる。
【００２０】感光性樹脂成分を構成する反応性モノマー
としては、少なくとも１つの重合可能な炭素−炭素不飽
和結合を有する化合物を用いることができる。具体的に
は、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブト
キシエチルアクリレート、ブトキシエチレングリコール
アクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロ
ペンタニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレ
ート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレ
ート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシプロピルアクリレート、イソボニルアクリレート、
イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレー
ト、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリ
レート、メトキシエチレングリコールアクリレート、フ
ェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレー
ト、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレング
リコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジア
クリレート、１，５−ペンタンジオールジアクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，３
−プロパンジオールアクリレート、１，４−シクロヘキ
サンジオールジアクリレート、２，２−ジメチロールプ
ロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレート、
トリプロピレングリコールジアクリレート、グリセロー
ルトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアク
リレート、ポリオキシエチル化トリメチロールプロパン
トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレ
ート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリ
エチレングリコールジアクリレート、ポリオキシプロピ
ルトリメチロールプロパントリアクリレート、ブチレン
グリコールジアクリレート、１，２，４−ブタントリオ
ールトリアクリレート、２，２，４−トリメチル−１，
３−ペンタンジオールジアクリレート、ジアリルフマレ
ート、１，１０−デカンジオールジメチルアクリレー
ト、ペンタエリスリトールヘキサアクリレート、およ
び、上記のアクリレートをメタクリレートに変えたも
の、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
１−ビニル−２−ピロリドン等が挙げられる。本発明で
は、上記の反応性モノマーを１種または２種以上の混合
物として、あるいは、その他の化合物との混合物として
使用することができる。
としては、少なくとも１つの重合可能な炭素−炭素不飽
和結合を有する化合物を用いることができる。具体的に
は、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブト
キシエチルアクリレート、ブトキシエチレングリコール
アクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロ
ペンタニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレ
ート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレ
ート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシプロピルアクリレート、イソボニルアクリレート、
イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレー
ト、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリ
レート、メトキシエチレングリコールアクリレート、フ
ェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレー
ト、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレング
リコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジア
クリレート、１，５−ペンタンジオールジアクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，３
−プロパンジオールアクリレート、１，４−シクロヘキ
サンジオールジアクリレート、２，２−ジメチロールプ
ロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレート、
トリプロピレングリコールジアクリレート、グリセロー
ルトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアク
リレート、ポリオキシエチル化トリメチロールプロパン
トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレ
ート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリ
エチレングリコールジアクリレート、ポリオキシプロピ
ルトリメチロールプロパントリアクリレート、ブチレン
グリコールジアクリレート、１，２，４−ブタントリオ
ールトリアクリレート、２，２，４−トリメチル−１，
３−ペンタンジオールジアクリレート、ジアリルフマレ
ート、１，１０−デカンジオールジメチルアクリレー
ト、ペンタエリスリトールヘキサアクリレート、およ
び、上記のアクリレートをメタクリレートに変えたも
の、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
１−ビニル−２−ピロリドン等が挙げられる。本発明で
は、上記の反応性モノマーを１種または２種以上の混合
物として、あるいは、その他の化合物との混合物として
使用することができる。
【００２１】感光性樹脂成分を構成する光重合開始剤と
しては、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチ
ル、４，４−ビス（ジメチルアミン）ベンゾフェノン、
４，４−ビス（ジエチルアミン）ベンゾフェノン、α−
アミノ・アセトフェノン、４，４−ジクロロベンゾフェ
ノン、４−ベンゾイル−４−メチルジフェニルケトン、
ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２−ジエトキシ
アセトフォノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルア
セトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフ
ェノン、ｐ−tert−ブチルジクロロアセトフェノン、チ
オキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロ
チオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジ
エチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、ベ
ンジルメトキシエチルアセタール、ベンゾインメチルエ
ーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、
２−tert−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラ
キノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベン
ズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロ
ン、４−アジドベンジルアセトフェノン、２，６−ビス
（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサン、２，６−
ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘ
キサノン、２−フェニル−１，２−ブタジオン−２−
（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−
プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキ
シム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−
（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−
３−エトキシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイ
ル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−［４−
（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プ
ロパン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンス
ルホニルクロライド、ｎ−フェニルチオアクリドン、
４，４−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジス
ルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニ
ルホスフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリ
ブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシ
ン、メチレンブルー等の光還元性の色素とアスコルビン
酸、トリエタノールアミン等の還元剤の組み合わせ等が
挙げられる。本発明では、これらの光重合開始剤を１種
または２種以上使用することができる。
しては、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチ
ル、４，４−ビス（ジメチルアミン）ベンゾフェノン、
４，４−ビス（ジエチルアミン）ベンゾフェノン、α−
アミノ・アセトフェノン、４，４−ジクロロベンゾフェ
ノン、４−ベンゾイル−４−メチルジフェニルケトン、
ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２−ジエトキシ
アセトフォノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルア
セトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフ
ェノン、ｐ−tert−ブチルジクロロアセトフェノン、チ
オキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロ
チオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジ
エチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、ベ
ンジルメトキシエチルアセタール、ベンゾインメチルエ
ーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、
２−tert−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラ
キノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベン
ズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロ
ン、４−アジドベンジルアセトフェノン、２，６−ビス
（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサン、２，６−
ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘ
キサノン、２−フェニル−１，２−ブタジオン−２−
（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−
プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキ
シム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−
（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−
３−エトキシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイ
ル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−［４−
（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プ
ロパン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンス
ルホニルクロライド、ｎ−フェニルチオアクリドン、
４，４−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジス
ルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニ
ルホスフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリ
ブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシ
ン、メチレンブルー等の光還元性の色素とアスコルビン
酸、トリエタノールアミン等の還元剤の組み合わせ等が
挙げられる。本発明では、これらの光重合開始剤を１種
または２種以上使用することができる。
【００２２】また、感光性樹脂成分としてポジ型レジス
トも使用できる。具体的なポジ型レジストとしては、Ｏ
ＦＰＲシリーズ（東京応化工業（株）製）、ＰＦＲ３０
０３（日本合成ゴム（株）製）、ＮＰＲ９１００（ナガ
セ電子化学（株）製）、ＡＺ−１３５０（ヘキスト
（株）製）等のノボラック系レジストを挙げることがで
きる。
トも使用できる。具体的なポジ型レジストとしては、Ｏ
ＦＰＲシリーズ（東京応化工業（株）製）、ＰＦＲ３０
０３（日本合成ゴム（株）製）、ＮＰＲ９１００（ナガ
セ電子化学（株）製）、ＡＺ−１３５０（ヘキスト
（株）製）等のノボラック系レジストを挙げることがで
きる。
【００２３】上記の感光性樹脂成分の揮発、分解温度が
６５０℃を超えると、露光・現像後に樹脂成分を除去す
る際の焼成温度が高くなり、例えば、基板の耐熱性が低
い場合、基板に熱変形が生じることになり好ましくな
い。一方、感光性樹脂成分の揮発、分解温度の下限は特
に制限はないが、揮発、分解温度が低くなるほど完全に
揮発または分解する樹脂の種類が少なくなり材料選択の
幅が狭くなるので、例えば、感光性樹脂成分の揮発、分
解温度の下限を３００℃程度に設定することが好まし
い。
６５０℃を超えると、露光・現像後に樹脂成分を除去す
る際の焼成温度が高くなり、例えば、基板の耐熱性が低
い場合、基板に熱変形が生じることになり好ましくな
い。一方、感光性樹脂成分の揮発、分解温度の下限は特
に制限はないが、揮発、分解温度が低くなるほど完全に
揮発または分解する樹脂の種類が少なくなり材料選択の
幅が狭くなるので、例えば、感光性樹脂成分の揮発、分
解温度の下限を３００℃程度に設定することが好まし
い。
【００２４】このような感光性樹脂成分のパターン形成
用ペースト中の含有量は、５〜５０重量％、好ましくは
１０〜４０重量％の範囲とすることができる。
用ペースト中の含有量は、５〜５０重量％、好ましくは
１０〜４０重量％の範囲とすることができる。
【００２５】本発明のパターン形成用ペーストは、上述
の無機粉体と感光性樹脂成分とを溶剤に混合し、ロール
ミルにより混練してペースト状の塗布液とするか、ある
いは、ボールミル等により混練してスラリー状の塗布液
として得ることができる。また、本発明のパターン形成
用ペーストには、添加剤として、増感剤、重合停止剤、
連鎖移動剤、レベリング剤、分散剤、可塑剤、安定剤等
が必要に応じて用いられる。パターン形成用ペーストに
用いる溶剤としては、例えば、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケト
ン、トルエン、キシレン、シクロヘキサノン等のアノン
類、塩化メチレン、３−メトキシブチルアセテート、エ
チレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレング
リコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコール
モノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノア
ルキルエーテルアセテート類、α−もしくはβ−テルピ
ネオール等のテルペン類等が挙げられる。
の無機粉体と感光性樹脂成分とを溶剤に混合し、ロール
ミルにより混練してペースト状の塗布液とするか、ある
いは、ボールミル等により混練してスラリー状の塗布液
として得ることができる。また、本発明のパターン形成
用ペーストには、添加剤として、増感剤、重合停止剤、
連鎖移動剤、レベリング剤、分散剤、可塑剤、安定剤等
が必要に応じて用いられる。パターン形成用ペーストに
用いる溶剤としては、例えば、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケト
ン、トルエン、キシレン、シクロヘキサノン等のアノン
類、塩化メチレン、３−メトキシブチルアセテート、エ
チレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレング
リコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコール
モノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノア
ルキルエーテルアセテート類、α−もしくはβ−テルピ
ネオール等のテルペン類等が挙げられる。
【００２６】
【実施例】次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説
明する。 （実施例１）まず、下記の組成の感光性樹脂を調製し
た。調製した感光性樹脂の屈折率は１．５４であった。
明する。 （実施例１）まず、下記の組成の感光性樹脂を調製し
た。調製した感光性樹脂の屈折率は１．５４であった。
【００２７】 （感光性樹脂の組成） ・α−メチルスチレン／スチレン／メタクリル酸共重合体…１００重量部 ・オキシエチレン化トリメチロールプロパントリアクリレート … ７０重量部 ・重合開始剤（チバガイギ（株）製イルガキュア３６９）… １０重量部 また、下記の組成を有する３種のガラスフリット（ガラ
スフリットＡ〜Ｃ、平均粒径＝４μｍ）を作製した。
スフリットＡ〜Ｃ、平均粒径＝４μｍ）を作製した。
【００２８】 （ガラスフリットＡの組成（屈折率１．６３）） ・ＳｉＯ2 … ３３重量部 ・Ｋ2 Ｏ … ９重量部 ・ＰｂＯ … ５８重量部 （ガラスフリットＢの組成（屈折率１．６７）） ・ＳｉＯ2 … ４７重量部 ・ＺｎＯ … ８重量部 ・Ａｌ2 Ｏ3 … ８重量部 ・ＢａＯ … ６重量部 ・Ｂ2 Ｏ3 … １８重量部 ・Ｌｉ2 Ｏ … １１重量部 （ガラスフリットＣの組成（屈折率１．９０）） ・Ｂ2 Ｏ3 … ８２重量部 ・ＳｉＯ2 … ５重量部 ・ＺｎＯ … １１重量部 ・Ａｌ2 Ｏ3 … ３重量部 さらに、セラミックス粉体としてアルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）粉体（屈折率＝１．５２）および酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2 ）粉体（屈折率＝２．１０）を準備した。
3 ）粉体（屈折率＝１．５２）および酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2 ）粉体（屈折率＝２．１０）を準備した。
【００２９】次いで、上記の感光性樹脂、ガラスフリッ
ト、セラミックス粉体を用いて下記の組成のパターン形
成用ペースト（試料１〜７）を調製した。尚、各試料に
使用したガラスフリット、ガラスフリットの含有量（Ｘ
重量部）、および使用したセラミックス粉体およびセラ
ミックス粉体の含有量（Ｙ重量部）は、下記の表１に示
した。
ト、セラミックス粉体を用いて下記の組成のパターン形
成用ペースト（試料１〜７）を調製した。尚、各試料に
使用したガラスフリット、ガラスフリットの含有量（Ｘ
重量部）、および使用したセラミックス粉体およびセラ
ミックス粉体の含有量（Ｙ重量部）は、下記の表１に示
した。
【００３０】 （パターン形成用ペーストの組成） ・感光性樹脂 … ２０重量部 ・ガラスフリット … Ｘ重量部 ・セラミックス粉体 … Ｙ重量部 ・エチルセロソルブ … ２０重量部 上記の各パターン形成用ペースト（試料１〜７）をブレ
ードコート法によりガラス基板上に塗布し乾燥して、厚
み１５０μｍの塗膜を形成した。次いで、線幅２５μｍ
のスリットを有するマスクを介して紫外線を照射して露
光した後、１％Ｎａ2 ＣＯ3 水溶液を使用して現像を行
った。次いで、ピーク温度５８０℃にて焼成（ピーク温
度保持時間１０分）してパターンを形成した。このパタ
ーンの線幅、および、線幅に対する厚みのアスペクト比
を下記の表１に示した。
ードコート法によりガラス基板上に塗布し乾燥して、厚
み１５０μｍの塗膜を形成した。次いで、線幅２５μｍ
のスリットを有するマスクを介して紫外線を照射して露
光した後、１％Ｎａ2 ＣＯ3 水溶液を使用して現像を行
った。次いで、ピーク温度５８０℃にて焼成（ピーク温
度保持時間１０分）してパターンを形成した。このパタ
ーンの線幅、および、線幅に対する厚みのアスペクト比
を下記の表１に示した。
【００３１】
【表１】 表１に示されるように、感光性樹脂成分の屈折率（１．
５４）との差が０．２以内であるような屈折率の無機粉
体（ガラスフリットおよびアルミナ粉体）が全無機粉体
の８０重量％以上を占めるパターン形成用ペースト（試
料１〜４）では、形成されたパターンの線幅が４５〜５
５μｍであり、かつ、線幅に対する厚みのアスペクト比
が１．８〜２．２であり、良好なパターンであった。特
に、感光性樹脂成分の屈折率（１．５４）との差が０．
１以内であるような屈折率の無機粉体が全無機粉体の８
０重量％以上を占めるパターン形成用ペースト（試料
１）では、深度が更に大きいパターンの形成が可能であ
った。
５４）との差が０．２以内であるような屈折率の無機粉
体（ガラスフリットおよびアルミナ粉体）が全無機粉体
の８０重量％以上を占めるパターン形成用ペースト（試
料１〜４）では、形成されたパターンの線幅が４５〜５
５μｍであり、かつ、線幅に対する厚みのアスペクト比
が１．８〜２．２であり、良好なパターンであった。特
に、感光性樹脂成分の屈折率（１．５４）との差が０．
１以内であるような屈折率の無機粉体が全無機粉体の８
０重量％以上を占めるパターン形成用ペースト（試料
１）では、深度が更に大きいパターンの形成が可能であ
った。
【００３２】これに対して、感光性樹脂成分の屈折率
（１．５４）との差が０．２以内であるような屈折率の
無機粉体（ガラスフリットＡ、Ｂ）が全無機粉体に占め
る割合が８０重量％未満であるパターン形成用ペースト
（試料５、６）、および、無機粉体の８０重量％以上
が、その屈折率と感光性樹脂成分の屈折率（１．５４）
との差が０．２を超えるもの（ガラスフリットＣ）であ
るパターン形成用ペースト（試料７）では、いずれも照
射された紫外線が散乱され、形成されたパターンの線幅
が８５〜１２０μｍで、線幅に対する厚みのアスペクト
比が０．８〜１．２と小さく、深度の大きい良好なパタ
ーン形成が困難であった。 （実施例２）ポジ型感光性樹脂（東京応化工業（株）製
ＯＦＰＲ−５０００ 屈折率１．５７）と、実施例１で
使用したガラスフリットＢ（屈折率１．６７）およびア
ルミナ粉体（屈折率１．５２）を用いて下記の組成のパ
ターン形成用ペーストを調製した。
（１．５４）との差が０．２以内であるような屈折率の
無機粉体（ガラスフリットＡ、Ｂ）が全無機粉体に占め
る割合が８０重量％未満であるパターン形成用ペースト
（試料５、６）、および、無機粉体の８０重量％以上
が、その屈折率と感光性樹脂成分の屈折率（１．５４）
との差が０．２を超えるもの（ガラスフリットＣ）であ
るパターン形成用ペースト（試料７）では、いずれも照
射された紫外線が散乱され、形成されたパターンの線幅
が８５〜１２０μｍで、線幅に対する厚みのアスペクト
比が０．８〜１．２と小さく、深度の大きい良好なパタ
ーン形成が困難であった。 （実施例２）ポジ型感光性樹脂（東京応化工業（株）製
ＯＦＰＲ−５０００ 屈折率１．５７）と、実施例１で
使用したガラスフリットＢ（屈折率１．６７）およびア
ルミナ粉体（屈折率１．５２）を用いて下記の組成のパ
ターン形成用ペーストを調製した。
【００３３】 （パターン形成用ペーストの組成） ・ポジ型感光性樹脂 …１００重量部 ・ガラスフリットＢ … ７０重量部 ・アルミナ粉体 … １０重量部 このパターン形成用ペーストを使用し実施例１と同様に
してガラス基板上に厚み１５０μｍの塗膜を形成した。
次いで、線幅２５μｍのスリットを有するマスクを介し
て紫外線を照射して露光した後、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド（東京応化工業（株）製）を使
用して現像を行い、純水を使用して洗浄した。次いで、
ピーク温度５８０℃にて焼成（ピーク温度保持時間１０
分）してパターンを形成した。このパターンの線幅は５
０μｍ、線幅に対する厚みのアスペクト比は２．２であ
り、良好なパターンであった。
してガラス基板上に厚み１５０μｍの塗膜を形成した。
次いで、線幅２５μｍのスリットを有するマスクを介し
て紫外線を照射して露光した後、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド（東京応化工業（株）製）を使
用して現像を行い、純水を使用して洗浄した。次いで、
ピーク温度５８０℃にて焼成（ピーク温度保持時間１０
分）してパターンを形成した。このパターンの線幅は５
０μｍ、線幅に対する厚みのアスペクト比は２．２であ
り、良好なパターンであった。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述したように、少なくとも１種の
無機粉体と感光性樹脂成分を含むパターン形成用ペース
トにおいて、無機粉体の８０重量％以上が感光性樹脂成
分の屈折率との差が０．２以内であるような屈折率を有
するので、パターン形成時の露光における照射光の散乱
が抑えられて透過性が大幅に向上し、プラズマディスプ
レイパネルの障壁等のように、幅に対する厚みのアルペ
クト比の大きいパターン（深度の大きいパターン）を高
い精度で形成することが可能となる。
無機粉体と感光性樹脂成分を含むパターン形成用ペース
トにおいて、無機粉体の８０重量％以上が感光性樹脂成
分の屈折率との差が０．２以内であるような屈折率を有
するので、パターン形成時の露光における照射光の散乱
が抑えられて透過性が大幅に向上し、プラズマディスプ
レイパネルの障壁等のように、幅に対する厚みのアルペ
クト比の大きいパターン（深度の大きいパターン）を高
い精度で形成することが可能となる。
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも１種の無機粉体と感光性樹脂
成分を含み、前記感光性樹脂成分の屈折率との差が０．
２以内であるような屈折率を有する無機粉体が前記無機
粉体の８０重量％以上を占めることを特徴とするパター
ン形成用ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8231331A JPH1062981A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | パターン形成用ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8231331A JPH1062981A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | パターン形成用ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1062981A true JPH1062981A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16921970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8231331A Pending JPH1062981A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | パターン形成用ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1062981A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000290040A (ja) * | 1999-02-01 | 2000-10-17 | Toray Ind Inc | ディスプレイ用部材およびその製造方法 |
| JP2008242461A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 感光性ペースト組成物 |
-
1996
- 1996-08-13 JP JP8231331A patent/JPH1062981A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000290040A (ja) * | 1999-02-01 | 2000-10-17 | Toray Ind Inc | ディスプレイ用部材およびその製造方法 |
| JP2008242461A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 感光性ペースト組成物 |
| US8092982B2 (en) | 2007-03-26 | 2012-01-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Photosensitive paste composition, barrier rib prepared using the composition and plasma display panel comprising the barrier rib |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060404 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060411 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060801 |