JPH1064009A - 複合型磁気ヘッド - Google Patents
複合型磁気ヘッドInfo
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- JPH1064009A JPH1064009A JP23595896A JP23595896A JPH1064009A JP H1064009 A JPH1064009 A JP H1064009A JP 23595896 A JP23595896 A JP 23595896A JP 23595896 A JP23595896 A JP 23595896A JP H1064009 A JPH1064009 A JP H1064009A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 消去ヘッドからの漏れ磁束を抑えてビットア
シンメトリー特性の向上が図れ、かつ良好な消去効率が
得らえる複合型磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 消去用ギャップ４における第４の消去用
コア辺部８ｄ側に、高飽和磁束密度の薄膜磁性材１１を
設けたので、ギャップ近傍での磁気飽和が抑制される。
Ｅヘッド５のギャップデプスＤe がＲ／Ｗヘッド３のギ
ャップデプスＤrに比して浅い状態で、Ｅギャップ４か
らの消去磁界を高い値に維持して、Ｅヘッド５の起磁力
を小さくできる。このため、記録磁束の総和に比して消
去磁束の総和が小さくなってＥヘッド５からＲ／Ｗヘッ
ド３に漏れ出す漏れ磁束が相対的に少なくなるので、信
号のひずみが小さくなってビットアシンメトリーによる
信号エラーが少なくなる。
シンメトリー特性の向上が図れ、かつ良好な消去効率が
得らえる複合型磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 消去用ギャップ４における第４の消去用
コア辺部８ｄ側に、高飽和磁束密度の薄膜磁性材１１を
設けたので、ギャップ近傍での磁気飽和が抑制される。
Ｅヘッド５のギャップデプスＤe がＲ／Ｗヘッド３のギ
ャップデプスＤrに比して浅い状態で、Ｅギャップ４か
らの消去磁界を高い値に維持して、Ｅヘッド５の起磁力
を小さくできる。このため、記録磁束の総和に比して消
去磁束の総和が小さくなってＥヘッド５からＲ／Ｗヘッ
ド３に漏れ出す漏れ磁束が相対的に少なくなるので、信
号のひずみが小さくなってビットアシンメトリーによる
信号エラーが少なくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フロッピーディス
クドライブ（ＦＤＤ）に用いられる複合型磁気ヘッドに
関する。
クドライブ（ＦＤＤ）に用いられる複合型磁気ヘッドに
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＤＤに用いられる磁気ヘッドでは、オ
フトラック時に隣接トラックの信号を読み取らないよう
に、記録再生用ギャップ（以下、Ｒ／Ｗギャップとい
う。）に対してディスク（磁気記録媒体）の移動方向の
前側または後側に消去用ギャップ（以下、Ｅギャップと
いう。）を配置し、記録再生用ヘッド（以下、Ｒ／Ｗヘ
ッドという。）で信号を記録する際に、同時に消去用ヘ
ッド（以下、Ｅヘッドという、）に直流電流を流し、Ｅ
ギャップにて直流消去を行い、記録されたトラックの両
側に一定幅のガードバンドを作る方法が採用されてい
る。
フトラック時に隣接トラックの信号を読み取らないよう
に、記録再生用ギャップ（以下、Ｒ／Ｗギャップとい
う。）に対してディスク（磁気記録媒体）の移動方向の
前側または後側に消去用ギャップ（以下、Ｅギャップと
いう。）を配置し、記録再生用ヘッド（以下、Ｒ／Ｗヘ
ッドという。）で信号を記録する際に、同時に消去用ヘ
ッド（以下、Ｅヘッドという、）に直流電流を流し、Ｅ
ギャップにて直流消去を行い、記録されたトラックの両
側に一定幅のガードバンドを作る方法が採用されてい
る。
【０００３】しかしながら、現行のＦＤＤ用磁気ヘッド
では、Ｒ／ＷギャップとＥギャップとの間のギャップ間
隔は0.17〜0.35mmと小さいため、Ｅヘッドの直流電流で
発生した磁束がＲ／Ｗヘッドへ漏れ出し（すなわち、Ｒ
／ＷヘッドとＥヘッドとが干渉し）、記録信号が一種の
直流バイアスがかけられた状態になり、ディスクに記録
された記録信号がひずむ虞があった。上述したようなＲ
／ＷヘッドとＥヘッドとの干渉を防止するため、種々の
シールド方向が提案されているが、ギャップ間隔が小さ
いため完全にはシールドすることは困難であった。
では、Ｒ／ＷギャップとＥギャップとの間のギャップ間
隔は0.17〜0.35mmと小さいため、Ｅヘッドの直流電流で
発生した磁束がＲ／Ｗヘッドへ漏れ出し（すなわち、Ｒ
／ＷヘッドとＥヘッドとが干渉し）、記録信号が一種の
直流バイアスがかけられた状態になり、ディスクに記録
された記録信号がひずむ虞があった。上述したようなＲ
／ＷヘッドとＥヘッドとの干渉を防止するため、種々の
シールド方向が提案されているが、ギャップ間隔が小さ
いため完全にはシールドすることは困難であった。
【０００４】また、ＦＤＤ用磁気ヘッドでは、ギャップ
長が大きくなるに従い、後述する図９に示すように、磁
界の強さが大きくなる特性を有すると共に、以下に示す
ような種々の特性（ギャップ損失、記録効率等）を有
し、かつこの特性に応じて次のような対処をしている。
この各種の特性及びその特性に応じた対処手段を、便宜
的に、《ギャップ損失》、《記録効率》、《ギャップ長
−磁界の強さ、ギャップデプス−磁界の強さ》の項目に
分けて、以下に、説明する。
長が大きくなるに従い、後述する図９に示すように、磁
界の強さが大きくなる特性を有すると共に、以下に示す
ような種々の特性（ギャップ損失、記録効率等）を有
し、かつこの特性に応じて次のような対処をしている。
この各種の特性及びその特性に応じた対処手段を、便宜
的に、《ギャップ損失》、《記録効率》、《ギャップ長
−磁界の強さ、ギャップデプス−磁界の強さ》の項目に
分けて、以下に、説明する。
【０００５】《ギャップ損失》Ｒ／Ｗギャップは、記録
だけでなく再生も行うため、再生時にＲ／Ｗギャップ長
Bgに応じて次式（１）で示される損失（ギャップ損失）
Lgが生じる。
だけでなく再生も行うため、再生時にＲ／Ｗギャップ長
Bgに応じて次式（１）で示される損失（ギャップ損失）
Lgが生じる。
【０００６】
【数１】
【０００７】そして、上記式（１）のギャップ損失Lgを
生じることに対処し、Ｒ／Ｗギャップ長Bgを、使用する
記録再生信号の最短波長の１／４以下の寸法に設定して
いる。
生じることに対処し、Ｒ／Ｗギャップ長Bgを、使用する
記録再生信号の最短波長の１／４以下の寸法に設定して
いる。
【０００８】また、Ｅギャップは、消去を行うだけで、
再生は行わないため、Ｅギャップ長は、前記Ｒ／Ｗギャ
ップ長Bgよりも大きい寸法に設定されている。この場
合、Ｒ／Ｗギャップ長Bgよりも大きい寸法に設定するに
しても、余り大きくすると、トラック幅方向の磁束の漏
れが大きくなり、ガードバンド幅が不確実になってしま
うので、この磁気ヘッドでは、ガードバンド幅が不確実
にならないようにＥギャップ長を設定している。
再生は行わないため、Ｅギャップ長は、前記Ｒ／Ｗギャ
ップ長Bgよりも大きい寸法に設定されている。この場
合、Ｒ／Ｗギャップ長Bgよりも大きい寸法に設定するに
しても、余り大きくすると、トラック幅方向の磁束の漏
れが大きくなり、ガードバンド幅が不確実になってしま
うので、この磁気ヘッドでは、ガードバンド幅が不確実
にならないようにＥギャップ長を設定している。
【０００９】《記録効率》また、磁気ヘッドの記録効率
（以下、適宜、ヘッド効率という。）αは、式（２）で
示される。
（以下、適宜、ヘッド効率という。）αは、式（２）で
示される。
【００１０】
【数２】
【００１１】ここで、式（２）中、ギャップの単位長あ
たりの磁気抵抗Rgは、式（３）で示されるように、ギャ
ップ断面積Agに逆比例する。また、コアの単位長あたり
の磁気抵抗Rcは、式（４）で示されるように、コアの比
透磁率μとコア断面積Acの積μ・Acに逆比例する。
たりの磁気抵抗Rgは、式（３）で示されるように、ギャ
ップ断面積Agに逆比例する。また、コアの単位長あたり
の磁気抵抗Rcは、式（４）で示されるように、コアの比
透磁率μとコア断面積Acの積μ・Acに逆比例する。
【００１２】
【数３】
【００１３】
【数４】
【００１４】前記ヘッド効率αを上げるには、理論上
は、磁気抵抗Rcを小さくする（すなわち積μ・Acを大き
くする。）か、またはギャップの単位長あたりの磁気抵
抗Rgを大きくする（すなわち、ギャップ断面積Agを小さ
くする。）ことで対処できる。しかし、コアの比透磁率
μは、材料により制約を受け、かつコア断面積Acはギャ
ップ間隔が小さいことから一定以上大きくすることが出
来ず、積μ・Acを一定値以上に大きくすることはできな
い。このため、ギャップ断面積Agを小さくすることで対
処することになる。この場合、ギャップ断面積Agは、次
式（５）で示される。 ギャップ断面積Ag＝トラック幅×ギャップ深さ … （５） 式（５）中、ギャップ断面積Agを規定するトラック幅に
ついては、ガードバンド幅が決まっていることから、変
更することは困難である。このため、ヘッド効率αの向
上を図る上で断面積Agを小さくさせるために、ギャップ
深さ（以下、適宜、ギャップデプスという。）を浅く
（小さく）する方法を採用せざるを得ないというのが実
情であった。なお、ギャップデプスを浅くするにして
も、浅くし過ぎた場合には、記録や再生時にギャップ近
傍が飽和し、磁界の大きさが一定値以下に抑えられる傾
向がある。なお、浅くし過ぎた場合としては、例えば後
述する図１０のギャップ深さ＝10μｍ，50μｍ,100μｍ
のうち10μｍが該当することになる。この磁気ヘッドで
は、磁界の大きさが一定値以下に抑えられないようにギ
ャップデプスを設定している。また、製造に伴いギャッ
プデプスがばらつくと、ヘッド効率αがばらつくことに
なる。そして、このヘッド効率αのばらつきは、ギャッ
プデプスが浅い程、同じ大きさのばらつき量であっても
変化率が大きくなるため顕著になる。
は、磁気抵抗Rcを小さくする（すなわち積μ・Acを大き
くする。）か、またはギャップの単位長あたりの磁気抵
抗Rgを大きくする（すなわち、ギャップ断面積Agを小さ
くする。）ことで対処できる。しかし、コアの比透磁率
μは、材料により制約を受け、かつコア断面積Acはギャ
ップ間隔が小さいことから一定以上大きくすることが出
来ず、積μ・Acを一定値以上に大きくすることはできな
い。このため、ギャップ断面積Agを小さくすることで対
処することになる。この場合、ギャップ断面積Agは、次
式（５）で示される。 ギャップ断面積Ag＝トラック幅×ギャップ深さ … （５） 式（５）中、ギャップ断面積Agを規定するトラック幅に
ついては、ガードバンド幅が決まっていることから、変
更することは困難である。このため、ヘッド効率αの向
上を図る上で断面積Agを小さくさせるために、ギャップ
深さ（以下、適宜、ギャップデプスという。）を浅く
（小さく）する方法を採用せざるを得ないというのが実
情であった。なお、ギャップデプスを浅くするにして
も、浅くし過ぎた場合には、記録や再生時にギャップ近
傍が飽和し、磁界の大きさが一定値以下に抑えられる傾
向がある。なお、浅くし過ぎた場合としては、例えば後
述する図１０のギャップ深さ＝10μｍ，50μｍ,100μｍ
のうち10μｍが該当することになる。この磁気ヘッドで
は、磁界の大きさが一定値以下に抑えられないようにギ
ャップデプスを設定している。また、製造に伴いギャッ
プデプスがばらつくと、ヘッド効率αがばらつくことに
なる。そして、このヘッド効率αのばらつきは、ギャッ
プデプスが浅い程、同じ大きさのばらつき量であっても
変化率が大きくなるため顕著になる。
【００１５】Ｒ／ＦヘッドとＥヘッドとを組み合わせた
複合型磁気ヘッドでは、Ｒ／ＦヘッドとＥヘッドのギャ
ップデプスを独立してコントロールすることは困難であ
るため、特性のばらつきが性能に直接結びつくＲ／Ｗヘ
ッドのギャップデプスをコントロールするのが一般的で
ある。この場合、ＥヘッドのギャップデプスがＲ／Ｗヘ
ッドのギャップデプスよりもばらつき幅が大きくなるた
め、Ｅヘッドの効率変化をＲ／Ｗヘッドの効率変化と同
等以下にするため、ＥヘッドのギャップデプスをＲ／Ｗ
ヘッドのギャップデプスより大きく設定するのが一般的
である。例えば、Ｒ／Ｗヘッドのギャップデプスを20〜
40μｍ、Ｅヘッドのギャップデプスを50〜100 μｍとし
ている。
複合型磁気ヘッドでは、Ｒ／ＦヘッドとＥヘッドのギャ
ップデプスを独立してコントロールすることは困難であ
るため、特性のばらつきが性能に直接結びつくＲ／Ｗヘ
ッドのギャップデプスをコントロールするのが一般的で
ある。この場合、ＥヘッドのギャップデプスがＲ／Ｗヘ
ッドのギャップデプスよりもばらつき幅が大きくなるた
め、Ｅヘッドの効率変化をＲ／Ｗヘッドの効率変化と同
等以下にするため、ＥヘッドのギャップデプスをＲ／Ｗ
ヘッドのギャップデプスより大きく設定するのが一般的
である。例えば、Ｒ／Ｗヘッドのギャップデプスを20〜
40μｍ、Ｅヘッドのギャップデプスを50〜100 μｍとし
ている。
【００１６】《ギャップ長−磁界の強さ、ギャップデプ
ス−磁界の強さ》ギャップからの磁界の強さ（ディスク
の保持力で規格化されている。）と起磁力との関係につ
いて、ギャップ長をパラメータとして有限要素法により
求めたところ、図９に示すグラフが得られた。図９から
明らかなように、ギャップ長が大きくなると、磁界の強
さは大きくなる。
ス−磁界の強さ》ギャップからの磁界の強さ（ディスク
の保持力で規格化されている。）と起磁力との関係につ
いて、ギャップ長をパラメータとして有限要素法により
求めたところ、図９に示すグラフが得られた。図９から
明らかなように、ギャップ長が大きくなると、磁界の強
さは大きくなる。
【００１７】また、磁界の強さと起磁力との関係につい
て、ギャップデプスをパラメータとして有限要素法によ
り求めたところ、図１０に示すグラフが得られた。そし
て、図１０から明らかなように、ギャップデプスが大き
くなると、所望の大きさの磁界発生に必要な起磁力の大
きさが大きくなる。なお、図１０中、縦軸の磁界の強さ
は、ディスク（磁気記録媒体）の保持力を1.0 （基準
値）として示した相対値である。
て、ギャップデプスをパラメータとして有限要素法によ
り求めたところ、図１０に示すグラフが得られた。そし
て、図１０から明らかなように、ギャップデプスが大き
くなると、所望の大きさの磁界発生に必要な起磁力の大
きさが大きくなる。なお、図１０中、縦軸の磁界の強さ
は、ディスク（磁気記録媒体）の保持力を1.0 （基準
値）として示した相対値である。
【００１８】上述したようなＦＤＤ用磁気ヘッドの一例
として、図６ないし図８に示す複合型磁気ヘッド１があ
る。この複合型磁気ヘッド１は、図６及び図７に示すよ
うに、Ｒ／Ｗギャップ２を有するＲ／Ｗヘッド３と、Ｅ
ギャップ４を有するＥヘッド５とを組み合わせた構造に
なっている。
として、図６ないし図８に示す複合型磁気ヘッド１があ
る。この複合型磁気ヘッド１は、図６及び図７に示すよ
うに、Ｒ／Ｗギャップ２を有するＲ／Ｗヘッド３と、Ｅ
ギャップ４を有するＥヘッド５とを組み合わせた構造に
なっている。
【００１９】Ｒ／Ｗヘッド３は、略矩形環状をなすよう
に互いに連接される第１、第２、第３、第４の辺部（以
下、第１、第２、第３、第４のＲ／Ｗコア辺部とい
う。）６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄからなる、略0.5 Ｔのフ
ェライト製の記録再生側コア（以下、Ｒ／Ｗコアとい
う。）６と、このＲ／Ｗコア６の第３のＲ／Ｗコア辺部
６ｃに嵌装される記録再生用コイル（以下、Ｒ／Ｗコイ
ルという。）７とから大略構成されており、第１、第４
のＲ／Ｗコア辺部６ａ，６ｄの間にＲ／Ｗギャップ２を
形成している。
に互いに連接される第１、第２、第３、第４の辺部（以
下、第１、第２、第３、第４のＲ／Ｗコア辺部とい
う。）６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄからなる、略0.5 Ｔのフ
ェライト製の記録再生側コア（以下、Ｒ／Ｗコアとい
う。）６と、このＲ／Ｗコア６の第３のＲ／Ｗコア辺部
６ｃに嵌装される記録再生用コイル（以下、Ｒ／Ｗコイ
ルという。）７とから大略構成されており、第１、第４
のＲ／Ｗコア辺部６ａ，６ｄの間にＲ／Ｗギャップ２を
形成している。
【００２０】Ｅヘッド５は、略矩形環状をなすように互
いに連接される第１、第２、第３、第４の辺部（以下、
第１、第２、第３、第４のＥコア辺部という。）８ａ，
８ｂ，８ｃ，８ｄからなる、略0.5 Ｔのフェライト製の
消去側コア（以下、Ｅコアという。）８と、このＥコア
８の第３のＥコア辺部８ｃに嵌装される消去用コイル
（以下、Ｅコイルという。）９とから大略構成されてお
り、第１、第４のＥコア辺部８ａ，８ｄの間に、図８に
示すように、Ｅギャップ４を形成している。Ｒ／Ｗヘッ
ド３と、Ｅヘッド５とは、第１のＲ／Ｗコア辺部６ａ及
び第１のＥコア辺部８ａを接合して組み合わせられてい
る。そして、Ｒ／Ｗギャップ２と、Ｅギャップ４との間
のギャップ間隔は0.17〜0.35mmに設定されている。ま
た、第３のＲ／Ｗコア辺部６ｃの側縁部から第３のＥコ
ア辺部８ｃの側縁部までの長さ（以下、適宜、複合型磁
気ヘッド１の幅寸法という。）Ｗは、３〜６mmに設定さ
れている。
いに連接される第１、第２、第３、第４の辺部（以下、
第１、第２、第３、第４のＥコア辺部という。）８ａ，
８ｂ，８ｃ，８ｄからなる、略0.5 Ｔのフェライト製の
消去側コア（以下、Ｅコアという。）８と、このＥコア
８の第３のＥコア辺部８ｃに嵌装される消去用コイル
（以下、Ｅコイルという。）９とから大略構成されてお
り、第１、第４のＥコア辺部８ａ，８ｄの間に、図８に
示すように、Ｅギャップ４を形成している。Ｒ／Ｗヘッ
ド３と、Ｅヘッド５とは、第１のＲ／Ｗコア辺部６ａ及
び第１のＥコア辺部８ａを接合して組み合わせられてい
る。そして、Ｒ／Ｗギャップ２と、Ｅギャップ４との間
のギャップ間隔は0.17〜0.35mmに設定されている。ま
た、第３のＲ／Ｗコア辺部６ｃの側縁部から第３のＥコ
ア辺部８ｃの側縁部までの長さ（以下、適宜、複合型磁
気ヘッド１の幅寸法という。）Ｗは、３〜６mmに設定さ
れている。
【００２１】そして、この複合型磁気ヘッド１では、デ
ィスク（図示省略）をディスク走行面１０に接触摺動さ
せ、Ｒ／Ｗコイル７に記録電流ｉW （交流）を供給し記
録磁束Hwを発生させ、Ｒ／Ｗギャップ２からの記録磁界
によりディスクに信号を記録する。同時にＥコイル９に
は、消去電流ｉe （直流）を供給して消去磁束Heを発生
させ、Ｅギャップ４からの消去磁界により、記録された
信号の両側を直流消去しガードバンドを作ることにな
る。
ィスク（図示省略）をディスク走行面１０に接触摺動さ
せ、Ｒ／Ｗコイル７に記録電流ｉW （交流）を供給し記
録磁束Hwを発生させ、Ｒ／Ｗギャップ２からの記録磁界
によりディスクに信号を記録する。同時にＥコイル９に
は、消去電流ｉe （直流）を供給して消去磁束Heを発生
させ、Ｅギャップ４からの消去磁界により、記録された
信号の両側を直流消去しガードバンドを作ることにな
る。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した複
合型磁気ヘッド１では、上述したようにＲ／Ｗヘッド３
のギャップデプスＤr をＥヘッド５のギャップデプスＤ
e に比して浅くなるように設定しているため、Ｒ／Ｗヘ
ッド３の効率がＥヘッド５の効率より高いものとなり、
Ｒ／Ｗコイル７に流す記録電流と、Ｅコイル９に流す消
去電流との関係は、次式（６）に示される記録電流、消
去電流で規定されることになる。
合型磁気ヘッド１では、上述したようにＲ／Ｗヘッド３
のギャップデプスＤr をＥヘッド５のギャップデプスＤ
e に比して浅くなるように設定しているため、Ｒ／Ｗヘ
ッド３の効率がＥヘッド５の効率より高いものとなり、
Ｒ／Ｗコイル７に流す記録電流と、Ｅコイル９に流す消
去電流との関係は、次式（６）に示される記録電流、消
去電流で規定されることになる。
【００２３】 （Ｒ／Ｗコイル７巻数）×（記録電流）≦（Ｅコイル９巻数）×（消去電流） … （６） このことを、記録磁束Hwと消去磁束Heで示せば、次式
（７）で表されることになる。
（７）で表されることになる。
【００２４】 Σ記録磁束Hw≦Σ消去磁束He … （７）
【００２５】したがって、Ｅヘッド５からＲ／Ｗヘッド
３に漏れ出す漏れ磁束Her は、消去電流ｉe が直流であ
るため、一方向の磁束になり、これにより漏れ磁束Her
を受ける記録磁束Hwが正逆同じ量とならず、一方向の磁
化反転に対し、反対方向の磁化反転が対称とならず、デ
ィスクに記録される信号がひずむことになる。このひず
みは、一般的にビットアシンメトリーと呼ばれ、再生時
の信号エラーの要因のひとつとなる。
３に漏れ出す漏れ磁束Her は、消去電流ｉe が直流であ
るため、一方向の磁束になり、これにより漏れ磁束Her
を受ける記録磁束Hwが正逆同じ量とならず、一方向の磁
化反転に対し、反対方向の磁化反転が対称とならず、デ
ィスクに記録される信号がひずむことになる。このひず
みは、一般的にビットアシンメトリーと呼ばれ、再生時
の信号エラーの要因のひとつとなる。
【００２６】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、消去ヘッドからの漏れ磁束を抑えてビットアシンメ
トリー特性の向上が図れ、かつ良好な消去効率を得るこ
とができる複合型磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
で、消去ヘッドからの漏れ磁束を抑えてビットアシンメ
トリー特性の向上が図れ、かつ良好な消去効率を得るこ
とができる複合型磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、記録再生用ギャップを有する記録再生用
磁気ヘッドと消去用ギャップを有する消去用磁気ヘッド
とを組み合わせた複合型磁気ヘッドにおいて、前記消去
用磁気ヘッドにおける前記消去用ギャップの両対向面の
うち少なくとも一方に高飽和磁束密度を持つ薄膜を形成
すると共に、前記消去用磁気ヘッドのギャップデプスを
前記記録再生用磁気ヘッドのギャップデプスに比して浅
く設定し、かつ消去用磁気ヘッドの起磁力を記録再生用
磁気ヘッドの起磁力に比して小さくなるように設定した
ことを特徴とする。
成するために、記録再生用ギャップを有する記録再生用
磁気ヘッドと消去用ギャップを有する消去用磁気ヘッド
とを組み合わせた複合型磁気ヘッドにおいて、前記消去
用磁気ヘッドにおける前記消去用ギャップの両対向面の
うち少なくとも一方に高飽和磁束密度を持つ薄膜を形成
すると共に、前記消去用磁気ヘッドのギャップデプスを
前記記録再生用磁気ヘッドのギャップデプスに比して浅
く設定し、かつ消去用磁気ヘッドの起磁力を記録再生用
磁気ヘッドの起磁力に比して小さくなるように設定した
ことを特徴とする。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態の複
合型磁気ヘッドを図１ないし図３に基づいて説明する。
なお、図６ないし図８に示す部材、部分と同等の部材、
部分についての説明、図示は、適宜、省略する。
合型磁気ヘッドを図１ないし図３に基づいて説明する。
なお、図６ないし図８に示す部材、部分と同等の部材、
部分についての説明、図示は、適宜、省略する。
【００２９】この一実施の形態の複合型磁気ヘッド１
は、図６ないし図８の複合型磁気ヘッド１に比して、図
１ないし図３に示すように、Ｅギャップ４における第４
のＥコア辺部８ｄ側に、0.2 〜6.0 μｍの1.0 〜1.2 Ｔ
のFe−Al−Si（センダスト）や1.4 〜1.6 ＴのFeTN等の
高飽和磁束密度の薄膜磁性材１１を設けていること、Ｅ
ヘッド５のギャップデプスＤe をＲ／Ｗヘッド３のギャ
ップデプスＤr に比して浅く設定したこと、及びＥヘッ
ド５の起磁力（コイル巻数×電流）をＲ／Ｗヘッド３の
起磁力（コイル巻数×電流）に比して小さくなるように
設定したことが異なっている。
は、図６ないし図８の複合型磁気ヘッド１に比して、図
１ないし図３に示すように、Ｅギャップ４における第４
のＥコア辺部８ｄ側に、0.2 〜6.0 μｍの1.0 〜1.2 Ｔ
のFe−Al−Si（センダスト）や1.4 〜1.6 ＴのFeTN等の
高飽和磁束密度の薄膜磁性材１１を設けていること、Ｅ
ヘッド５のギャップデプスＤe をＲ／Ｗヘッド３のギャ
ップデプスＤr に比して浅く設定したこと、及びＥヘッ
ド５の起磁力（コイル巻数×電流）をＲ／Ｗヘッド３の
起磁力（コイル巻数×電流）に比して小さくなるように
設定したことが異なっている。
【００３０】この複合型磁気ヘッド１では、Ｅギャップ
４における第４のＥコア辺部８ｄ側に高飽和磁束密度の
薄膜磁性材１１を形成しているため、ギャップ近傍の飽
和を起こさない。このため、上述したようにＥヘッド５
のギャップデプスＤe をＲ／Ｗヘッド３のギャップデプ
スＤr に比して浅く設定していても、Ｅギャップ４から
の消去磁束は低下することがないので、この分、Ｅヘッ
ド５の起磁力を小さくすることができる。
４における第４のＥコア辺部８ｄ側に高飽和磁束密度の
薄膜磁性材１１を形成しているため、ギャップ近傍の飽
和を起こさない。このため、上述したようにＥヘッド５
のギャップデプスＤe をＲ／Ｗヘッド３のギャップデプ
スＤr に比して浅く設定していても、Ｅギャップ４から
の消去磁束は低下することがないので、この分、Ｅヘッ
ド５の起磁力を小さくすることができる。
【００３１】したがって、Ｒ／Ｗヘッド３と、Ｅヘッド
５のコイル巻数と電流の関係が、次式（８）で示される
ようになり、 （Ｒ／Ｗコイルの巻数）×（記録電流）＞（Ｅコイルの巻数）×（消去電流） … （８） ひいては、次式（９）で示されるように、記録磁束Hwの
総和を消去磁束Heの総和に比して大きくすることが可能
となる。 Σ記録磁束Hw＞Σ消去磁束He … （９）
５のコイル巻数と電流の関係が、次式（８）で示される
ようになり、 （Ｒ／Ｗコイルの巻数）×（記録電流）＞（Ｅコイルの巻数）×（消去電流） … （８） ひいては、次式（９）で示されるように、記録磁束Hwの
総和を消去磁束Heの総和に比して大きくすることが可能
となる。 Σ記録磁束Hw＞Σ消去磁束He … （９）
【００３２】このため、Ｅヘッド５からＲ／Ｗヘッド３
に漏れ出す（回り込む）漏れ磁束He r を相対的に小さく
することができるため、ディスクに記録される信号のひ
ずみが小さくなり、ひいてはビットアシンメトリーによ
る信号エラーを小さくすることができる。
に漏れ出す（回り込む）漏れ磁束He r を相対的に小さく
することができるため、ディスクに記録される信号のひ
ずみが小さくなり、ひいてはビットアシンメトリーによ
る信号エラーを小さくすることができる。
【００３３】上記実施の形態では、Ｅギャップ４におけ
る第４のＥコア辺部８ｄ側に、高飽和磁束密度の薄膜磁
性材１１を設けた場合を例にしたが、さらにＥギャップ
４における第１のＥコア辺部８ａ側に高飽和磁束密度の
薄膜磁性材（図示省略）を設けるように構成してもよ
い。
る第４のＥコア辺部８ｄ側に、高飽和磁束密度の薄膜磁
性材１１を設けた場合を例にしたが、さらにＥギャップ
４における第１のＥコア辺部８ａ側に高飽和磁束密度の
薄膜磁性材（図示省略）を設けるように構成してもよ
い。
【００３４】
【実施例】次に、本発明について、次のような検証を行
い、良好な結果を得ることができた。この検証例を以下
に説明する。まず、ギャップ長＝3.0 μｍ、ギャップデ
プス＝10μｍとして、高飽和磁束密度の薄膜磁性材を設
けない複合型磁気ヘッド、Ｅギャップ４（図３参照）に
おける第４のＥコア辺部８ｄ側にセンダスト製の高飽和
磁束密度の薄膜磁性材１１を形成した図１ないし図３の
複合型磁気ヘッド１、及びＥギャップ４における第１の
Ｅコア辺部８ａ側、第４のＥコア辺部８ｄ側の両面にセ
ンダスト製の高飽和磁束密度の薄膜磁性材１１を形成し
た複合型磁気ヘッド１を対象にして、ギャップからの磁
界の強さと起磁力との関係について、有限要素法により
求めた。そして、図４に示すグラフ（それぞれ、実線
Ａ，Ｂ，Ｃで示す。）が得られた。この結果、ギャップ
デプスが10μｍと浅くても、実線Ｂ，Ｃに示すように、
センダスト製の高飽和磁束密度の薄膜磁性材１１を設け
ることにより、ギャップ近傍において、磁気飽和を起こ
すことがなく、小さい起磁力から大きな起磁力の範囲で
有効な磁界強度を得ることを検証できた。ここで、有効
な磁界強度とは、相対値1.0以上の磁界の強さであり、
この場合には、ディスク（磁気記録媒体）の保持力以上
となり、消去できることになる。
い、良好な結果を得ることができた。この検証例を以下
に説明する。まず、ギャップ長＝3.0 μｍ、ギャップデ
プス＝10μｍとして、高飽和磁束密度の薄膜磁性材を設
けない複合型磁気ヘッド、Ｅギャップ４（図３参照）に
おける第４のＥコア辺部８ｄ側にセンダスト製の高飽和
磁束密度の薄膜磁性材１１を形成した図１ないし図３の
複合型磁気ヘッド１、及びＥギャップ４における第１の
Ｅコア辺部８ａ側、第４のＥコア辺部８ｄ側の両面にセ
ンダスト製の高飽和磁束密度の薄膜磁性材１１を形成し
た複合型磁気ヘッド１を対象にして、ギャップからの磁
界の強さと起磁力との関係について、有限要素法により
求めた。そして、図４に示すグラフ（それぞれ、実線
Ａ，Ｂ，Ｃで示す。）が得られた。この結果、ギャップ
デプスが10μｍと浅くても、実線Ｂ，Ｃに示すように、
センダスト製の高飽和磁束密度の薄膜磁性材１１を設け
ることにより、ギャップ近傍において、磁気飽和を起こ
すことがなく、小さい起磁力から大きな起磁力の範囲で
有効な磁界強度を得ることを検証できた。ここで、有効
な磁界強度とは、相対値1.0以上の磁界の強さであり、
この場合には、ディスク（磁気記録媒体）の保持力以上
となり、消去できることになる。
【００３５】また、ギャップ長＝3.0 μｍ、Ｅギャップ
４における第４のＥコア辺部８ｄ側に１μｍのセンダス
ト製の高飽和磁束密度の薄膜磁性材１１を設けた複合型
磁気ヘッド１を対象として、ギャップデプス＝10μｍ，
50μｍ,100μｍをパラメータとして、ギャップからの磁
界の強さと起磁力との関係について、有限要素法により
求めたところ、図５に示すグラフ（それぞれ、実線Ｄ，
Ｅ，Ｆで示す。）が得られた。この結果、小さい起磁力
から大きな起磁力の範囲で有効な磁界強度を得ることを
検証することができた。
４における第４のＥコア辺部８ｄ側に１μｍのセンダス
ト製の高飽和磁束密度の薄膜磁性材１１を設けた複合型
磁気ヘッド１を対象として、ギャップデプス＝10μｍ，
50μｍ,100μｍをパラメータとして、ギャップからの磁
界の強さと起磁力との関係について、有限要素法により
求めたところ、図５に示すグラフ（それぞれ、実線Ｄ，
Ｅ，Ｆで示す。）が得られた。この結果、小さい起磁力
から大きな起磁力の範囲で有効な磁界強度を得ることを
検証することができた。
【００３６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
た複合型磁気ヘッドであるから、消去用ギャップに高飽
和磁束密度の薄膜磁性材を設けたことにより、ギャップ
近傍の飽和が抑制されるので、消去用ギャップのギャッ
プデプスが記録再生用ギャップのギャップデプスに比し
て浅い状態で、消去用ギャップからの消去磁界を高い値
に維持して、消去用磁気ヘッドの起磁力を小さくでき
る。このため、記録磁束の総和に比して消去磁束の総和
が小さくなり、ひいては消去用磁気ヘッドから記録再生
用磁気ヘッドに漏れ出す漏れ磁束が相対的に小さくな
り、これにより、ディスクに記録される信号のひずみが
小さくなり、ひいてはビットアシンメトリーによる信号
エラーを小さくすることができる。さらに、信号エラー
が小さくなることにより、消去効率が良好なものとな
り、ガードバンド幅を一定にしてそのばらつきを少なく
できる。
た複合型磁気ヘッドであるから、消去用ギャップに高飽
和磁束密度の薄膜磁性材を設けたことにより、ギャップ
近傍の飽和が抑制されるので、消去用ギャップのギャッ
プデプスが記録再生用ギャップのギャップデプスに比し
て浅い状態で、消去用ギャップからの消去磁界を高い値
に維持して、消去用磁気ヘッドの起磁力を小さくでき
る。このため、記録磁束の総和に比して消去磁束の総和
が小さくなり、ひいては消去用磁気ヘッドから記録再生
用磁気ヘッドに漏れ出す漏れ磁束が相対的に小さくな
り、これにより、ディスクに記録される信号のひずみが
小さくなり、ひいてはビットアシンメトリーによる信号
エラーを小さくすることができる。さらに、信号エラー
が小さくなることにより、消去効率が良好なものとな
り、ガードバンド幅を一定にしてそのばらつきを少なく
できる。
【図１】本発明の一実施の形態の複合型磁気ヘッドを示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視の断面図である。
【図３】図２のＢ部の拡大図である。
【図４】高飽和磁束密度の薄膜磁性材の取付を異にした
複合型磁気ヘッドの起磁力−磁界の強さを示す特性図で
ある。
複合型磁気ヘッドの起磁力−磁界の強さを示す特性図で
ある。
【図５】ギャップデプスをパラメータにした複合型磁気
ヘッドの起磁力−磁界の強さを示す特性図である。
ヘッドの起磁力−磁界の強さを示す特性図である。
【図６】複合型磁気ヘッドの従来の一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図７】図６のＡ−Ａ矢視の断面図である。
【図８】図７のＢ部の拡大図である。
【図９】ギャップ長をパラメータにした従来の磁気ヘッ
ドの一例における起磁力−磁界の強さを示す特性図であ
る。
ドの一例における起磁力−磁界の強さを示す特性図であ
る。
【図１０】ギャップデプスをパラメータにした従来の磁
気ヘッドの一例における起磁力−磁界の強さを示す特性
図である。
気ヘッドの一例における起磁力−磁界の強さを示す特性
図である。
１ 複合型磁気ヘッド ２ Ｒ／Ｗギャップ ３ Ｒ／Ｗヘッド ４ Ｅギャップ ５ Ｅヘッド ８ Ｅコア ８ｄ 第４のＥコア辺部 １１ 薄膜磁性材
Claims (1)
- 【請求項１】 記録再生用ギャップを有する記録再生用
磁気ヘッドと消去用ギャップを有する消去用磁気ヘッド
とを組み合わせた複合型磁気ヘッドにおいて、前記消去
用磁気ヘッドにおける前記消去用ギャップの両対向面の
うち少なくとも一方に高飽和磁束密度を持つ薄膜を形成
すると共に、前記消去用磁気ヘッドのギャップデプスを
前記記録再生用磁気ヘッドのギャップデプスに比して浅
く設定し、かつ消去用磁気ヘッドの起磁力を記録再生用
磁気ヘッドの起磁力に比して小さくなるように設定した
ことを特徴とする複合型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23595896A JPH1064009A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 複合型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23595896A JPH1064009A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 複合型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064009A true JPH1064009A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16993741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23595896A Pending JPH1064009A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 複合型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064009A (ja) |
-
1996
- 1996-08-19 JP JP23595896A patent/JPH1064009A/ja active Pending
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