JPH1064665A - 均熱セラミックスヒーター - Google Patents
均熱セラミックスヒーターInfo
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- JPH1064665A JPH1064665A JP24143796A JP24143796A JPH1064665A JP H1064665 A JPH1064665 A JP H1064665A JP 24143796 A JP24143796 A JP 24143796A JP 24143796 A JP24143796 A JP 24143796A JP H1064665 A JPH1064665 A JP H1064665A
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- pattern
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 セラミックスからなる絶縁性基板上に発
熱体を構成する導電体層の回路パターンを蛇行状に形成
してなる均熱セラミックスヒーターにおいて、上記蛇行
状回路パターンの各Ｕ字状折り返し部が互いに直接対向
しないように回路パターンを形成してなることを特徴と
する均熱セラミックスヒーター。 【効果】 本発明によれば、発熱体を形成する回路パタ
ーンにおいて、パターンの折り返し部分同士を向かい合
わせることをなくすことによって、ヒーター面内部での
局部的な温度低下を減少させることができる。このよう
なヒーターを用いることによって、半導体プロセス、特
に大型の処理を必要とする液晶プロセスなどでは、被処
理体各部分での性能のばらつきを小さくすることがで
き、品質向上、大型化に役立つ。
熱体を構成する導電体層の回路パターンを蛇行状に形成
してなる均熱セラミックスヒーターにおいて、上記蛇行
状回路パターンの各Ｕ字状折り返し部が互いに直接対向
しないように回路パターンを形成してなることを特徴と
する均熱セラミックスヒーター。 【効果】 本発明によれば、発熱体を形成する回路パタ
ーンにおいて、パターンの折り返し部分同士を向かい合
わせることをなくすことによって、ヒーター面内部での
局部的な温度低下を減少させることができる。このよう
なヒーターを用いることによって、半導体プロセス、特
に大型の処理を必要とする液晶プロセスなどでは、被処
理体各部分での性能のばらつきを小さくすることがで
き、品質向上、大型化に役立つ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体工業分
野で使用するのに好適な均熱セラミックスヒーターに関
する。
野で使用するのに好適な均熱セラミックスヒーターに関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体プロセスにおいて、特にＣＶＤ
（化学気相堆積法）やスパッタ工程などでは、被加工物
の加熱を必要とする。また、液晶デバイス製造プロセス
におけるエッチング工程では、近年低温で製造できるプ
ロセスが開発されてきてはいるものの、それでも被加工
物に４００℃程度の加熱をすることが必要とされてい
る。
（化学気相堆積法）やスパッタ工程などでは、被加工物
の加熱を必要とする。また、液晶デバイス製造プロセス
におけるエッチング工程では、近年低温で製造できるプ
ロセスが開発されてきてはいるものの、それでも被加工
物に４００℃程度の加熱をすることが必要とされてい
る。
【０００３】従来より、このような被加工物の加熱に
は、カーボンやセラミックスの基材に、発熱体を構成す
る導電体として、ニクロム線やタングステン膜などを埋
め込みや巻きつけによって取り付ける構造とされてい
る。しかしながら、これらのヒーターは、それ自体の厚
さが厚くなってしまったり、均熱性という点でも問題が
多いことから、近年では基材上に導電体で構成される膜
を積層した形のヒーターが多く出てきている。
は、カーボンやセラミックスの基材に、発熱体を構成す
る導電体として、ニクロム線やタングステン膜などを埋
め込みや巻きつけによって取り付ける構造とされてい
る。しかしながら、これらのヒーターは、それ自体の厚
さが厚くなってしまったり、均熱性という点でも問題が
多いことから、近年では基材上に導電体で構成される膜
を積層した形のヒーターが多く出てきている。
【０００４】このようなヒーターは、理想的には、導電
体がヒーター面すべてをカバーする層状のものであり、
その内部に回路を構成する間隙がなく、更には温度の低
下しやすいところと、そうでないところとの膜厚を変化
させることなどによって、ヒーター面内を一様に均熱化
することが望ましい。しかしながら、現実的には面内で
導電体層の厚さを自由にコントロールすることは難し
い。また、ヒーターの回路を形成するためのパターン間
の間隙をなくし、ヒーター面すべてにわたって導電体層
を積層することは、特にヒーターが大型の場合には、小
電圧ではあるが、非常に大きな電流を必要とし、電源や
配線の問題を考えると実用的ではない。このため、発熱
体を構成する回路は、導電体層がある一定の厚さ、幅に
よって形成され、回路パターンは導電体層のない間隙に
よって与えられる。
体がヒーター面すべてをカバーする層状のものであり、
その内部に回路を構成する間隙がなく、更には温度の低
下しやすいところと、そうでないところとの膜厚を変化
させることなどによって、ヒーター面内を一様に均熱化
することが望ましい。しかしながら、現実的には面内で
導電体層の厚さを自由にコントロールすることは難し
い。また、ヒーターの回路を形成するためのパターン間
の間隙をなくし、ヒーター面すべてにわたって導電体層
を積層することは、特にヒーターが大型の場合には、小
電圧ではあるが、非常に大きな電流を必要とし、電源や
配線の問題を考えると実用的ではない。このため、発熱
体を構成する回路は、導電体層がある一定の厚さ、幅に
よって形成され、回路パターンは導電体層のない間隙に
よって与えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発熱体
を構成する回路は、一定幅の回路パターンを施すことに
よって、使用する電源の仕様を自由に決定することがで
きるようになった反面、各導電体層間にできる間隙によ
って、その部分での温度低下が発生し、ヒーター面内の
温度分布が導電体層のパターン状に分布してしまうとい
う問題がある。
を構成する回路は、一定幅の回路パターンを施すことに
よって、使用する電源の仕様を自由に決定することがで
きるようになった反面、各導電体層間にできる間隙によ
って、その部分での温度低下が発生し、ヒーター面内の
温度分布が導電体層のパターン状に分布してしまうとい
う問題がある。
【０００６】特に、従来のヒーターには局部的な温度低
下がみられる。このようにヒーター内で局部的に温度低
下があることは、被処理体の性能のばらつきを生むこと
になり、問題がある。このため、基板のほぼ全範囲にわ
たって均熱が取れるようなセラミックスヒーターが望ま
れていた。
下がみられる。このようにヒーター内で局部的に温度低
下があることは、被処理体の性能のばらつきを生むこと
になり、問題がある。このため、基板のほぼ全範囲にわ
たって均熱が取れるようなセラミックスヒーターが望ま
れていた。
【０００７】従って、本発明は、局部的な温度低下が可
及的に防止され、被処理体を均等に加熱することができ
る均熱セラミックスヒーターを提供することを目的とす
る。
及的に防止され、被処理体を均等に加熱することができ
る均熱セラミックスヒーターを提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明は、上記目的を達成するため、（１）セラミックス
からなる絶縁性基板上に発熱体を構成する導電体層の回
路パターンを蛇行状に形成してなる均熱セラミックスヒ
ーターにおいて、上記蛇行状回路パターンの各Ｕ字状折
り返し部が互いに直接対向しないように回路パターンを
形成してなることを特徴とする均熱セラミックスヒータ
ー、（２）回路パターンが、基板の中央部に縦方向に沿
って少なくとも一つのＵ字状パターンを形成すると共
に、このパターンの両側にそれぞれ横方向に沿って波状
パターンを形成したものである上記（１）記載の均熱セ
ラミックスヒーター、（３）基板が、石英ガラス、窒化
硼素、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムの少なく
とも１種から形成された上記（１）又は（２）記載の均
熱セラミックスヒーター、（４）導電体層が、グラファ
イト、炭化ケイ素、金、銀、銅、白金、ニッケル、タン
タル、モリブデン及びタングステンの少なくとも１種か
ら形成された上記（１），（２）又は（３）記載の均熱
セラミックスヒーター、（５）回路パターンを覆って石
英ガラス、窒化硼素、酸化アルミニウム及び窒化アルミ
ニウムの少なくとも１種からなる絶縁性被覆層を形成し
た上記（１）〜（４）のいずれか１に記載の均熱セラミ
ックスヒーターを提供する。
発明は、上記目的を達成するため、（１）セラミックス
からなる絶縁性基板上に発熱体を構成する導電体層の回
路パターンを蛇行状に形成してなる均熱セラミックスヒ
ーターにおいて、上記蛇行状回路パターンの各Ｕ字状折
り返し部が互いに直接対向しないように回路パターンを
形成してなることを特徴とする均熱セラミックスヒータ
ー、（２）回路パターンが、基板の中央部に縦方向に沿
って少なくとも一つのＵ字状パターンを形成すると共
に、このパターンの両側にそれぞれ横方向に沿って波状
パターンを形成したものである上記（１）記載の均熱セ
ラミックスヒーター、（３）基板が、石英ガラス、窒化
硼素、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムの少なく
とも１種から形成された上記（１）又は（２）記載の均
熱セラミックスヒーター、（４）導電体層が、グラファ
イト、炭化ケイ素、金、銀、銅、白金、ニッケル、タン
タル、モリブデン及びタングステンの少なくとも１種か
ら形成された上記（１），（２）又は（３）記載の均熱
セラミックスヒーター、（５）回路パターンを覆って石
英ガラス、窒化硼素、酸化アルミニウム及び窒化アルミ
ニウムの少なくとも１種からなる絶縁性被覆層を形成し
た上記（１）〜（４）のいずれか１に記載の均熱セラミ
ックスヒーターを提供する。
【０００９】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の均熱セラミックスヒーターは、図１，２に示し
たように、セラミックスからなる絶縁性基板１上に発熱
体を構成する導電体層２の回路パターン３を蛇行状に形
成したものであり、この場合、上記蛇行状回路パターン
３の各Ｕ字状折り返し部３ａが互いに直接対向しないよ
うに回路パターン３を形成したものである。
本発明の均熱セラミックスヒーターは、図１，２に示し
たように、セラミックスからなる絶縁性基板１上に発熱
体を構成する導電体層２の回路パターン３を蛇行状に形
成したものであり、この場合、上記蛇行状回路パターン
３の各Ｕ字状折り返し部３ａが互いに直接対向しないよ
うに回路パターン３を形成したものである。
【００１０】即ち、従来のセラミックスヒーターの回路
パターン３’は、図３に示すように、基板１の中央部に
縦方向に沿って導電体層が形成されない通常５〜１５ｍ
ｍ程度の幅の直線状絶縁部３ｂが形成され、その左右両
側に横方向に沿って間に直線状絶縁部３ｄを介在する波
状のパターン３ｃ，３ｃが形成される態様が多いが、こ
の場合、上記波状のパターン３ｃ，３ｃのＵ字状折り返
し部３ａ，３ａが互いに上記直線状絶縁部３ｂのみを隔
てて直接対向した状態で形成されている。
パターン３’は、図３に示すように、基板１の中央部に
縦方向に沿って導電体層が形成されない通常５〜１５ｍ
ｍ程度の幅の直線状絶縁部３ｂが形成され、その左右両
側に横方向に沿って間に直線状絶縁部３ｄを介在する波
状のパターン３ｃ，３ｃが形成される態様が多いが、こ
の場合、上記波状のパターン３ｃ，３ｃのＵ字状折り返
し部３ａ，３ａが互いに上記直線状絶縁部３ｂのみを隔
てて直接対向した状態で形成されている。
【００１１】本発明者は、この回路パターンのＵ字状折
り返し部３ａ，３ａが互いに直接対向することが、ヒー
ター面内に最も顕著な温度分布を発生させるものである
ことを知見した。つまり、回路パターンを構成する導電
体層は通常５〜１５ｍｍ程度の幅に形成されるが、この
回路パターンの折り返しの部分というのは、電流が最短
距離を通りやすい性質があり、その内周部の方が外周部
よりも電流が多く流れる。発熱体の温度は、電流の２乗
に比例する電力によって決まるため、その外周付近では
温度が低下する傾向がある。設計したヒーター発熱体部
分の回路に、このような折り返し部３ａ，３ａが向かい
合っているものが含まれている場合、パターンの間の間
隙付近では、その両側が温度の低い部分になっているた
め、局部的に温度が低下してしまう。
り返し部３ａ，３ａが互いに直接対向することが、ヒー
ター面内に最も顕著な温度分布を発生させるものである
ことを知見した。つまり、回路パターンを構成する導電
体層は通常５〜１５ｍｍ程度の幅に形成されるが、この
回路パターンの折り返しの部分というのは、電流が最短
距離を通りやすい性質があり、その内周部の方が外周部
よりも電流が多く流れる。発熱体の温度は、電流の２乗
に比例する電力によって決まるため、その外周付近では
温度が低下する傾向がある。設計したヒーター発熱体部
分の回路に、このような折り返し部３ａ，３ａが向かい
合っているものが含まれている場合、パターンの間の間
隙付近では、その両側が温度の低い部分になっているた
め、局部的に温度が低下してしまう。
【００１２】これに対し、図３に示したような折り返し
部３ａ，３ａ同士が直接向かい合うパターンではなく、
図１に示したような、縦のパターンと横のパターンとを
組み合わせて、折り返し部３ａが直接向かい合うことの
ない回路パターンに形成すれば、図３の回路パターン
３’のような不利が解消されるものである。
部３ａ，３ａ同士が直接向かい合うパターンではなく、
図１に示したような、縦のパターンと横のパターンとを
組み合わせて、折り返し部３ａが直接向かい合うことの
ない回路パターンに形成すれば、図３の回路パターン
３’のような不利が解消されるものである。
【００１３】この場合、図１に示したように、基板１の
中央部に縦方向に沿って少なくとも１個のＵ字状パター
ン３ｅを形成すると共に、このＵ字状パターン３ｅの左
右両側に間に直線状絶縁部３ｄを介在する波状のパター
ン３ｃ，３ｃをそれぞれ形成することが好適であり、こ
れにより温度が低下しやすい両波状パターン３ｃ，３ｃ
のＵ字状折り返し部３ａ，３ａ外周のごく近傍で、目標
温度となっているＵ字状パターン３ｅの直線部が存在す
ることになるので、ヒーター面内での局部的な温度低下
が起こりにくくなる。なお、上記両波状パターン３ｃ，
３ｃの折り返し部３ａ，３ａはＵ字状パターン３ｅを介
して間接的には対向しているが、絶縁部のみを介して直
接対向しない限り、導電体層（Ｕ字状パターン３ｅ）を
介して間接的に対向しても、もはや局部的な温度低下は
なくなるものである。即ち、既に述べたように、回路パ
ターンの折り返し部分では、その内周部の方が外周部よ
りも電流が通りやすく、外周部では温度が低下しやす
い。従って、このような回路パターンの折り返し部分同
士を互いに向き合わせることは、これらの間の間隙付近
で局部的な温度低下を招いてしまうが、図１に示したよ
うな態様ではかかる不利は生じ難い。
中央部に縦方向に沿って少なくとも１個のＵ字状パター
ン３ｅを形成すると共に、このＵ字状パターン３ｅの左
右両側に間に直線状絶縁部３ｄを介在する波状のパター
ン３ｃ，３ｃをそれぞれ形成することが好適であり、こ
れにより温度が低下しやすい両波状パターン３ｃ，３ｃ
のＵ字状折り返し部３ａ，３ａ外周のごく近傍で、目標
温度となっているＵ字状パターン３ｅの直線部が存在す
ることになるので、ヒーター面内での局部的な温度低下
が起こりにくくなる。なお、上記両波状パターン３ｃ，
３ｃの折り返し部３ａ，３ａはＵ字状パターン３ｅを介
して間接的には対向しているが、絶縁部のみを介して直
接対向しない限り、導電体層（Ｕ字状パターン３ｅ）を
介して間接的に対向しても、もはや局部的な温度低下は
なくなるものである。即ち、既に述べたように、回路パ
ターンの折り返し部分では、その内周部の方が外周部よ
りも電流が通りやすく、外周部では温度が低下しやす
い。従って、このような回路パターンの折り返し部分同
士を互いに向き合わせることは、これらの間の間隙付近
で局部的な温度低下を招いてしまうが、図１に示したよ
うな態様ではかかる不利は生じ難い。
【００１４】なお、上記Ｕ字状パターン３ｅは、図１に
示すように２個連設したもの、更に１．５個、つまり１
個のＵ字状パターンの一端に逆Ｕ字状パターンの半分を
連設したもの（長細横Ｓ状パターン）など、種々選定さ
れるが、好ましくはＵ字状パターン３ｅの個数はパター
ンの大きさに依存して増減される。
示すように２個連設したもの、更に１．５個、つまり１
個のＵ字状パターンの一端に逆Ｕ字状パターンの半分を
連設したもの（長細横Ｓ状パターン）など、種々選定さ
れるが、好ましくはＵ字状パターン３ｅの個数はパター
ンの大きさに依存して増減される。
【００１５】また、本発明の回路パターン３は、図１に
示したように、横方向両端側（即ち、両波状パターン３
ｃ，３ｃの外側）にそれぞれ直線状パターン３ｆ，３ｆ
を形成することが、同様に両波状パターン３ｃ，３ｃの
外側折り返し部３ａ’，３ａ’の外周部の温度低下を保
証する点で好ましく、更に縦方向両端側（Ｕ字状パター
ン３ｅの折り返し部３ｇ，３ｇ’の外側）にも直線状パ
ターン３ｈ，３ｈを形成することが同様の理由から好ま
しい。
示したように、横方向両端側（即ち、両波状パターン３
ｃ，３ｃの外側）にそれぞれ直線状パターン３ｆ，３ｆ
を形成することが、同様に両波状パターン３ｃ，３ｃの
外側折り返し部３ａ’，３ａ’の外周部の温度低下を保
証する点で好ましく、更に縦方向両端側（Ｕ字状パター
ン３ｅの折り返し部３ｇ，３ｇ’の外側）にも直線状パ
ターン３ｈ，３ｈを形成することが同様の理由から好ま
しい。
【００１６】ここで、上記基板１は石英ガラスにて形成
すると、これが耐熱性、耐熱衝撃性の優れた材質である
ため、急速な温度変化で繰り返し使用しても、クラック
や割れが発生しにくい。また、この基板１としては熱分
解窒化硼素、窒化硼素焼結体、窒化アルミニウムなどで
もよく、耐熱衝撃性としては劣るものの、安価で一般的
に用いられている酸化アルミニウムとしてもよい。
すると、これが耐熱性、耐熱衝撃性の優れた材質である
ため、急速な温度変化で繰り返し使用しても、クラック
や割れが発生しにくい。また、この基板１としては熱分
解窒化硼素、窒化硼素焼結体、窒化アルミニウムなどで
もよく、耐熱衝撃性としては劣るものの、安価で一般的
に用いられている酸化アルミニウムとしてもよい。
【００１７】基板１の厚さとしては、基板１上の導電体
層２との熱膨張率差による反りや、基板１自体のたわみ
が発生しない程度の厚さが必要であるし、またヒーター
を構成する導電体層２からの熱が被加工物加熱面（基板
１の導電体層２側と反対側の面）に有効に伝わるほどの
薄さでなければならないことから、１〜２０ｍｍ程度が
よい。
層２との熱膨張率差による反りや、基板１自体のたわみ
が発生しない程度の厚さが必要であるし、またヒーター
を構成する導電体層２からの熱が被加工物加熱面（基板
１の導電体層２側と反対側の面）に有効に伝わるほどの
薄さでなければならないことから、１〜２０ｍｍ程度が
よい。
【００１８】また、ここに使用される導電体層２の材質
としては、各パターン内での均熱を保てる熱伝導率の高
いもの、あるいは耐熱性のある金、銀、銅、白金、ニッ
ケル、タンタル、モリブデン、タングステン等の金属、
又はグラファイト、炭化ケイ素などが望ましい。なお、
導電体層２の厚さは通常４〜３０μｍ程度である。
としては、各パターン内での均熱を保てる熱伝導率の高
いもの、あるいは耐熱性のある金、銀、銅、白金、ニッ
ケル、タンタル、モリブデン、タングステン等の金属、
又はグラファイト、炭化ケイ素などが望ましい。なお、
導電体層２の厚さは通常４〜３０μｍ程度である。
【００１９】更に、発熱体にゴミが付着したり、パター
ンの間隙に導電物があたってショートしたりするのを防
ぐために、基板１上に積層した導電体層２上に更に絶縁
性被覆層４をオーバーコートするとよい。この被覆層４
を構成する材質としては、基板そのものが持っている特
徴を生かすという点や基板との熱膨張率を整合させると
いう点から、基板と同じ材質のものが好ましい。
ンの間隙に導電物があたってショートしたりするのを防
ぐために、基板１上に積層した導電体層２上に更に絶縁
性被覆層４をオーバーコートするとよい。この被覆層４
を構成する材質としては、基板そのものが持っている特
徴を生かすという点や基板との熱膨張率を整合させると
いう点から、基板と同じ材質のものが好ましい。
【００２０】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されな
い。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されな
い。
【００２１】〔実施例〕６０ｍｍ×６０ｍｍ×厚さ２．
３ｔの角型合成石英基板に、スクリーン印刷法にて、図
１の回路パターンでＡｇ−Ｐｔペーストを２５μｍ印刷
し、これを大気中において８５０℃で焼付けて導電体層
を作成した。導電体層の回路パターンを形成するパター
ンの幅は４．３ｍｍ、各々のパターン間の間隙は０．７
ｍｍとした。
３ｔの角型合成石英基板に、スクリーン印刷法にて、図
１の回路パターンでＡｇ−Ｐｔペーストを２５μｍ印刷
し、これを大気中において８５０℃で焼付けて導電体層
を作成した。導電体層の回路パターンを形成するパター
ンの幅は４．３ｍｍ、各々のパターン間の間隙は０．７
ｍｍとした。
【００２２】次いで、このセラミックスヒーターに電気
配線を施して、被処理体加熱面として使用される導電体
層パターンの施していない方の面について放射温度計に
て温度分布を調べ、各領域とも最高温部分で４００℃程
度になるように加熱し、ヒーター面内での温度の均一性
を調べた。
配線を施して、被処理体加熱面として使用される導電体
層パターンの施していない方の面について放射温度計に
て温度分布を調べ、各領域とも最高温部分で４００℃程
度になるように加熱し、ヒーター面内での温度の均一性
を調べた。
【００２３】この場合のヒーター面内での温度分布を図
４に示す。なお、図４中の数値は温度（℃）を示す。そ
の結果、端部での熱放射により、中央から端部に向かっ
て温度低下が見られるものの、内部においては局部的な
温度低下は見られなかった。
４に示す。なお、図４中の数値は温度（℃）を示す。そ
の結果、端部での熱放射により、中央から端部に向かっ
て温度低下が見られるものの、内部においては局部的な
温度低下は見られなかった。
【００２４】〔比較例〕比較のために、前記実施例と同
じ方法で作成し、図３に示したように、発熱体となる導
電体層をヒーター面全体で１つの領域としたパターンを
形成し、実施例と同様に面内温度の均一性を調べた。
じ方法で作成し、図３に示したように、発熱体となる導
電体層をヒーター面全体で１つの領域としたパターンを
形成し、実施例と同様に面内温度の均一性を調べた。
【００２５】このヒーター面内温度分布測定を図４と同
様のレンジで行った結果を図５に示す。なお、図５中の
数値は温度（℃）を示す。この図からも明らかなよう
に、中央部から外周方向への温度低下の他に、内部にお
いても局部的な温度低下が見られることがわかる。この
局部的な温度低下は、基板中央部付近で最も大きく、図
５において、その上部から下部にかけて均熱性が損なわ
れていることがわかる。
様のレンジで行った結果を図５に示す。なお、図５中の
数値は温度（℃）を示す。この図からも明らかなよう
に、中央部から外周方向への温度低下の他に、内部にお
いても局部的な温度低下が見られることがわかる。この
局部的な温度低下は、基板中央部付近で最も大きく、図
５において、その上部から下部にかけて均熱性が損なわ
れていることがわかる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、発熱体を形成する回路
パターンにおいて、パターンの折り返し部分同士を向か
い合わせることをなくすことによって、ヒーター面内部
での局部的な温度低下を減少させることができる。この
ようなヒーターを用いることによって、半導体プロセ
ス、特に大型の処理を必要とする液晶プロセスなどで
は、被処理体各部分での性能のばらつきを小さくするこ
とができ、品質向上、大型化に役立つ。
パターンにおいて、パターンの折り返し部分同士を向か
い合わせることをなくすことによって、ヒーター面内部
での局部的な温度低下を減少させることができる。この
ようなヒーターを用いることによって、半導体プロセ
ス、特に大型の処理を必要とする液晶プロセスなどで
は、被処理体各部分での性能のばらつきを小さくするこ
とができ、品質向上、大型化に役立つ。
【図１】本発明の一実施例にかかる均熱セラミックスヒ
ーターの回路パターンを示す平面図である。
ーターの回路パターンを示す平面図である。
【図２】本発明の他の実施例にかかる均熱セラミックス
ヒーターの断面図である。
ヒーターの断面図である。
【図３】従来のセラミックスヒーターの回路パターンを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】図１に示す実施例のヒーターの温度分布図であ
る。
る。
【図５】図３に示す従来のヒーターの温度分布図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 導電体層 ３ 回路パターン ３ａ Ｕ字状折り返し部 ３ａ’Ｕ字状折り返し部 ３ｂ 絶縁部 ３ｃ 波状パターン ３ｄ 絶縁部 ３ｅ Ｕ字状パターン ３ｆ 直線状パターン ３ｇ 折り返し部 ３ｇ’折り返し部 ３ｈ 直線状パターン ４ 被覆層
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミックスからなる絶縁性基板上に発
熱体を構成する導電体層の回路パターンを蛇行状に形成
してなる均熱セラミックスヒーターにおいて、上記蛇行
状回路パターンの各Ｕ字状折り返し部が互いに直接対向
しないように回路パターンを形成してなることを特徴と
する均熱セラミックスヒーター。 - 【請求項２】 回路パターンが、基板の中央部に縦方向
に沿って少なくとも一つのＵ字状パターンを形成すると
共に、このパターンの両側にそれぞれ横方向に沿って波
状パターンを形成したものである請求項１記載の均熱セ
ラミックスヒーター。 - 【請求項３】 基板が、石英ガラス、窒化硼素、酸化ア
ルミニウム及び窒化アルミニウムの少なくとも１種から
形成された請求項１又は２記載の均熱セラミックスヒー
ター。 - 【請求項４】 導電体層が、グラファイト、炭化ケイ
素、金、銀、銅、白金、ニッケル、タンタル、モリブデ
ン及びタングステンの少なくとも１種から形成された請
求項１，２又は３記載の均熱セラミックスヒーター。 - 【請求項５】 回路パターンを覆って石英ガラス、窒化
硼素、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムの少なく
とも１種からなる絶縁性被覆層を形成した請求項１乃至
４のいずれか１項記載の均熱セラミックスヒーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24143796A JPH1064665A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 均熱セラミックスヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24143796A JPH1064665A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 均熱セラミックスヒーター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064665A true JPH1064665A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=17074302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24143796A Pending JPH1064665A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 均熱セラミックスヒーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064665A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001342071A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | セラミックスヒータ |
| JP2003257593A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
| JP2013026428A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板加熱用基板保持体 |
| JP2014099313A (ja) * | 2012-11-14 | 2014-05-29 | Bridgestone Corp | ヒータユニット |
| JP2017199565A (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | ＡｇＩＣ株式会社 | 面状発熱体 |
| JP2019522335A (ja) * | 2016-07-27 | 2019-08-08 | ヘレウス ノーブルライト ゲーエムベーハー | 赤外線パネル・ラジエータおよび赤外線パネル・ラジエータを生産するための方法 |
| KR20250032004A (ko) * | 2023-08-30 | 2025-03-07 | 주식회사 제이몬 | 장방형 증착장치 |
-
1996
- 1996-08-23 JP JP24143796A patent/JPH1064665A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001342071A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | セラミックスヒータ |
| JP2003257593A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
| JP2013026428A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板加熱用基板保持体 |
| JP2014099313A (ja) * | 2012-11-14 | 2014-05-29 | Bridgestone Corp | ヒータユニット |
| JP2017199565A (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | ＡｇＩＣ株式会社 | 面状発熱体 |
| JP2019522335A (ja) * | 2016-07-27 | 2019-08-08 | ヘレウス ノーブルライト ゲーエムベーハー | 赤外線パネル・ラジエータおよび赤外線パネル・ラジエータを生産するための方法 |
| KR20250032004A (ko) * | 2023-08-30 | 2025-03-07 | 주식회사 제이몬 | 장방형 증착장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040407 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050202 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050601 |