JPH1064748A - ガスコンデンサ装置 - Google Patents
ガスコンデンサ装置Info
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- JPH1064748A JPH1064748A JP24680296A JP24680296A JPH1064748A JP H1064748 A JPH1064748 A JP H1064748A JP 24680296 A JP24680296 A JP 24680296A JP 24680296 A JP24680296 A JP 24680296A JP H1064748 A JPH1064748 A JP H1064748A
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- capacitor
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- Pending
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンデンサ素子の内部発熱による温度上昇を
低減することを目的とする。 【解決手段】 複数の素体ブロックをコンデンサケース
の内部に収納する。収納された素体ブロック間に、絶縁
性のガスよりも熱伝導性のよい伝熱部材を挿入する。こ
の伝熱部材の上端を、コンデンサケースの上蓋に固着す
る。コンデンサ素子の内部に発生した熱は、伝熱部材を
介してコンデンサケースに伝導され、ここから外部に放
散される。これによりコンデンサ素子の温度上昇は抑制
されるようになる。
低減することを目的とする。 【解決手段】 複数の素体ブロックをコンデンサケース
の内部に収納する。収納された素体ブロック間に、絶縁
性のガスよりも熱伝導性のよい伝熱部材を挿入する。こ
の伝熱部材の上端を、コンデンサケースの上蓋に固着す
る。コンデンサ素子の内部に発生した熱は、伝熱部材を
介してコンデンサケースに伝導され、ここから外部に放
散される。これによりコンデンサ素子の温度上昇は抑制
されるようになる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はガスコンデンサ装置
に関する。
に関する。
【0002】
【従来の技術】コンデンサ装置において、誘電体である
プラスチックフイルムに電極層を蒸着法により形成した
金属化フイルムを巻回してコンデンサ素子を構成し、そ
の複数を集合して素体ブロックとし、その複数をコンデ
ンサケースに収納し、絶縁性のガスを充填した構成が知
られている。
プラスチックフイルムに電極層を蒸着法により形成した
金属化フイルムを巻回してコンデンサ素子を構成し、そ
の複数を集合して素体ブロックとし、その複数をコンデ
ンサケースに収納し、絶縁性のガスを充填した構成が知
られている。
【0003】図3はその従来構成を示し、1は素体ブロ
ックで、これは金属化フイルムを巻回して構成されたコ
ンデンサ素子2の複数を、図4に示すように並設するよ
うにして(場合によっては、絶縁板を書くコンデンサ素
子間に介在させて)集合し、その両側に絶縁板(たとえ
ば繊維強化プラスチック)3をあてがっておいてから、
絶縁性の紐4で緊締して構成されている。そしてこの素
体ブロック1の複数を、コンデンサケース5に収納し、
絶縁性のガスを充填して、ガスコンデンサ装置を構成す
る。6は素体ブロック1と外部回路を接続するのに使用
するブッシングである。
ックで、これは金属化フイルムを巻回して構成されたコ
ンデンサ素子2の複数を、図4に示すように並設するよ
うにして(場合によっては、絶縁板を書くコンデンサ素
子間に介在させて)集合し、その両側に絶縁板(たとえ
ば繊維強化プラスチック)3をあてがっておいてから、
絶縁性の紐4で緊締して構成されている。そしてこの素
体ブロック1の複数を、コンデンサケース5に収納し、
絶縁性のガスを充填して、ガスコンデンサ装置を構成す
る。6は素体ブロック1と外部回路を接続するのに使用
するブッシングである。
【0004】ところでこの種ガスコンデンサ装置におい
ては、コンデンサ素子2がそれ自身が持つ誘電損により
発熱する。そのため長期にわたる使用により熱劣化が進
行し、最終的には絶縁破壊に至ることがある。また誘電
体として使用されるプラスチックフイルムは、ある温度
以上になると、熱融着などが生じ、その結果誘電体とし
ての性能が劣化し、これによっても内部発熱を招き、絶
縁破壊に至ってしまうことがある。
ては、コンデンサ素子2がそれ自身が持つ誘電損により
発熱する。そのため長期にわたる使用により熱劣化が進
行し、最終的には絶縁破壊に至ることがある。また誘電
体として使用されるプラスチックフイルムは、ある温度
以上になると、熱融着などが生じ、その結果誘電体とし
ての性能が劣化し、これによっても内部発熱を招き、絶
縁破壊に至ってしまうことがある。
【0005】したがって運転状態にあるコンデンサ素子
2の温度上昇を極力抑制することが、この種コンデンサ
装置の長期安定性を向上させるための必要不可欠な要件
であるといえる。しかし従来ではガスの循環による冷却
によってコンデンサ素子2を冷却するようにしている
が、この種ガスの熱伝導率は良くないため、十分な冷却
を期待することができなかった。
2の温度上昇を極力抑制することが、この種コンデンサ
装置の長期安定性を向上させるための必要不可欠な要件
であるといえる。しかし従来ではガスの循環による冷却
によってコンデンサ素子2を冷却するようにしている
が、この種ガスの熱伝導率は良くないため、十分な冷却
を期待することができなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、コンデンサ
素子からの熱を効率良く外部に放散させることにより、
コンデンサ素子の熱劣化を少なくすることを目的とす
る。
素子からの熱を効率良く外部に放散させることにより、
コンデンサ素子の熱劣化を少なくすることを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の素体ブ
ロックを収納したコンデンサケースの内部に、絶縁性の
ガスよりも熱伝導性のよい伝熱部材を素体ブロック間に
位置するように配置し、この伝熱部材の上端を、コンデ
ンサケースの上蓋に固着したことを特徴とする。
ロックを収納したコンデンサケースの内部に、絶縁性の
ガスよりも熱伝導性のよい伝熱部材を素体ブロック間に
位置するように配置し、この伝熱部材の上端を、コンデ
ンサケースの上蓋に固着したことを特徴とする。
【0008】コンデンサ素子から発生した熱は、素体ブ
ロックの間にある伝熱部材を伝熱通路としてコンデンサ
ケースの上蓋に伝導され、ここから外部に放散される。
伝熱部材として、絶縁性ガスに比較して熱伝導率が十分
に大きいものをしようすることにより、伝熱部材を使用
しない従来構成に比較してコンデンサ素子の温度上昇を
十分に防止することができる。
ロックの間にある伝熱部材を伝熱通路としてコンデンサ
ケースの上蓋に伝導され、ここから外部に放散される。
伝熱部材として、絶縁性ガスに比較して熱伝導率が十分
に大きいものをしようすることにより、伝熱部材を使用
しない従来構成に比較してコンデンサ素子の温度上昇を
十分に防止することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図1によっ
て説明する。なお図3と同じ符号を付した部分は同一ま
たは対応する部分を示す。本発明にしたがい、複数の素
体ブロック1をコンデンサケース5に収納する場合、そ
の素体ブロック1間に、伝熱部材7を介在させる。そし
て各伝熱部材7の上端をコンデンサケース5の上蓋8の
内面に固着する。この固着は溶接による場合が最も好ま
しいが、ボルトなどを利用して固着するようにしてもよ
い。
て説明する。なお図3と同じ符号を付した部分は同一ま
たは対応する部分を示す。本発明にしたがい、複数の素
体ブロック1をコンデンサケース5に収納する場合、そ
の素体ブロック1間に、伝熱部材7を介在させる。そし
て各伝熱部材7の上端をコンデンサケース5の上蓋8の
内面に固着する。この固着は溶接による場合が最も好ま
しいが、ボルトなどを利用して固着するようにしてもよ
い。
【0010】なおこの伝熱部材7はすべての素体ブロッ
ク1間に介在するようにしてもよいが、図2に示すよう
に平面から見て素体ブロック1を複数列に配置したよう
な場合、各列間にのみ介在させるようにしてもよい。
ク1間に介在するようにしてもよいが、図2に示すよう
に平面から見て素体ブロック1を複数列に配置したよう
な場合、各列間にのみ介在させるようにしてもよい。
【0011】伝熱部材7としては、コンデンサケースに
充填される絶縁性のガス、たとえばSF6ガスに比較し
て熱伝導率の大きいものを使用する。たとえば鉄、銅、
アルミニュームなどが好適である。これらを板状として
使用すればよい。なおたとえば鉄とSF6ガスの熱伝導
率とを比較した場合、前者は後者の約6000倍強であ
る。
充填される絶縁性のガス、たとえばSF6ガスに比較し
て熱伝導率の大きいものを使用する。たとえば鉄、銅、
アルミニュームなどが好適である。これらを板状として
使用すればよい。なおたとえば鉄とSF6ガスの熱伝導
率とを比較した場合、前者は後者の約6000倍強であ
る。
【0012】この構成によれば、コンデンサ素子2の内
部において発生した熱は、素体ブロック1より伝熱部材
7に伝導される。そしてこの伝熱部材を熱通路として上
蓋8に伝導され、ここから外部に放散される。これによ
りコンデンサ素子2に発生した熱は伝熱部材7を介して
効率良く外部に放散され、コンデンサ素子2の内部温度
の上昇は確実に抑制されるようになる。
部において発生した熱は、素体ブロック1より伝熱部材
7に伝導される。そしてこの伝熱部材を熱通路として上
蓋8に伝導され、ここから外部に放散される。これによ
りコンデンサ素子2に発生した熱は伝熱部材7を介して
効率良く外部に放散され、コンデンサ素子2の内部温度
の上昇は確実に抑制されるようになる。
【0013】図5に本発明による内部温度の実験結果を
示す。これは定格が7.59kV,三相,50Hz,3
45KVAのガスコンデンサを対象とし、内部に熱電対
温度計を挿入して、ヒートラン試験を行ない、運転時間
の経過に伴う内部最高温度の上昇値ΔTを測定した。図
中Aは本発明による実施例(伝熱部材7として鉄板を使
用した例)によるものであり、またBは同じ定格のガス
コンデンサを対象とし、伝熱部材を使用しない従来構成
によるものを示す。この結果からも理解されるように、
従来構成のものの温度上昇値は約75℃であり、これに
比較して本発明によるものが約20℃であって、約1/
3に低減している。
示す。これは定格が7.59kV,三相,50Hz,3
45KVAのガスコンデンサを対象とし、内部に熱電対
温度計を挿入して、ヒートラン試験を行ない、運転時間
の経過に伴う内部最高温度の上昇値ΔTを測定した。図
中Aは本発明による実施例(伝熱部材7として鉄板を使
用した例)によるものであり、またBは同じ定格のガス
コンデンサを対象とし、伝熱部材を使用しない従来構成
によるものを示す。この結果からも理解されるように、
従来構成のものの温度上昇値は約75℃であり、これに
比較して本発明によるものが約20℃であって、約1/
3に低減している。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、並
設された複数の素体ブロックの間に、絶縁性のガスより
も熱伝導性のよい伝熱部材を配置することにより、コン
デンサ素子の内部発熱を従来構成に比較して効率良く外
部に放散することがてき、もってコンデンサ素子の誘電
体の熱劣化を低減し、コンデンサの長寿命化を期待する
ことができる効果を奏する。
設された複数の素体ブロックの間に、絶縁性のガスより
も熱伝導性のよい伝熱部材を配置することにより、コン
デンサ素子の内部発熱を従来構成に比較して効率良く外
部に放散することがてき、もってコンデンサ素子の誘電
体の熱劣化を低減し、コンデンサの長寿命化を期待する
ことができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す横断面図である。
【図2】図1の平断面図である。
【図3】従来構成の横断面図である。
【図4】コンデンサ素子の斜面図である。
【図5】本発明の実験結果を示す温度上昇特性図であ
る。
る。
1 素体ブロック 2 コンデンサ素子 5 コンデンサケース 7 伝熱部材 8 上蓋
Claims (1)
- 【請求項1】 金属化フイルムを巻回してなるコンデン
サ素子の複数を並設して素体ブロックを構成し、前記素
体ブロックの複数をコンデンサケースに収納するととも
に、絶縁性のガスを充填してなるガスコンデンサ装置に
おいて、前記ガスよりも熱伝導性が優れている伝熱部材
を、素体ブロック間に位置するように配置し、前記伝熱
部材の上端を、前記コンデンサケースの上蓋に固着して
なるガスコンデンサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24680296A JPH1064748A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | ガスコンデンサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24680296A JPH1064748A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | ガスコンデンサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064748A true JPH1064748A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=17153908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24680296A Pending JPH1064748A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | ガスコンデンサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064748A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100778649B1 (ko) * | 2000-11-09 | 2007-11-27 | 소니 가부시끼 가이샤 | 양극 재료 및 그것을 사용한 전지 |
-
1996
- 1996-08-13 JP JP24680296A patent/JPH1064748A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100778649B1 (ko) * | 2000-11-09 | 2007-11-27 | 소니 가부시끼 가이샤 | 양극 재료 및 그것을 사용한 전지 |
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