JPH1064801A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法Info
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- JPH1064801A JPH1064801A JP8231318A JP23131896A JPH1064801A JP H1064801 A JPH1064801 A JP H1064801A JP 8231318 A JP8231318 A JP 8231318A JP 23131896 A JP23131896 A JP 23131896A JP H1064801 A JPH1064801 A JP H1064801A
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- wafer
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- shot
- exposure shot
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ウエハ面内において、各露光ショット毎、出来
る限りパターン線幅を均一化し得る露光方法を提供す
る。 【解決手段】本発明の露光方法は、ウエハの所定の位置
から各露光ショットの位置までの距離の関数として各露
光ショットにおける露光量を制御することを特徴とす
る。ウエハの所定の位置をウエハの中心を占める露光シ
ョットの中心とし、各露光ショットの位置を露光ショッ
トの中心とし、ウエハの中心を占める露光ショットの中
心から各露光ショットの中心までの距離をｒとしたと
き、前記関数はｒのｎ次の多項式で表されることが好ま
しい。
る限りパターン線幅を均一化し得る露光方法を提供す
る。 【解決手段】本発明の露光方法は、ウエハの所定の位置
から各露光ショットの位置までの距離の関数として各露
光ショットにおける露光量を制御することを特徴とす
る。ウエハの所定の位置をウエハの中心を占める露光シ
ョットの中心とし、各露光ショットの位置を露光ショッ
トの中心とし、ウエハの中心を占める露光ショットの中
心から各露光ショットの中心までの距離をｒとしたと
き、前記関数はｒのｎ次の多項式で表されることが好ま
しい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
におけるフォトリソグラフィ工程にて用いられる露光装
置及び露光方法に関する。
におけるフォトリソグラフィ工程にて用いられる露光装
置及び露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、各種の製
造プロセスでフォトリソグラフィ技術が用いられてい
る。即ち、ウエハ若しくはウエハ上に形成された各種薄
膜や層をパターニングする際、ウエハ若しくはウエハ上
に形成された各種薄膜や層の上にレジスト材料を成膜す
る。そして、露光装置を用いてかかるレジスト材料を露
光し、露光装置内のフォトマスクに形成されたパターン
をレジスト材料に転写した後、レジスト材料を現像する
ことによって、レジスト材料をパターニングする。次い
で、パターニングされたレジスト材料をエッチング用マ
スクとして、ウエハ若しくはウエハ上に形成された各種
薄膜や層をパターニングする。尚、以下、このようにし
て得られたウエハ若しくはウエハ上に形成された各種薄
膜や層に形成されたパターン、あるいは又、レジスト材
料に形成されたパターンを、単にパターンと呼ぶ。ま
た、パターン線幅とは、かかるパターンの幅を指す。
造プロセスでフォトリソグラフィ技術が用いられてい
る。即ち、ウエハ若しくはウエハ上に形成された各種薄
膜や層をパターニングする際、ウエハ若しくはウエハ上
に形成された各種薄膜や層の上にレジスト材料を成膜す
る。そして、露光装置を用いてかかるレジスト材料を露
光し、露光装置内のフォトマスクに形成されたパターン
をレジスト材料に転写した後、レジスト材料を現像する
ことによって、レジスト材料をパターニングする。次い
で、パターニングされたレジスト材料をエッチング用マ
スクとして、ウエハ若しくはウエハ上に形成された各種
薄膜や層をパターニングする。尚、以下、このようにし
て得られたウエハ若しくはウエハ上に形成された各種薄
膜や層に形成されたパターン、あるいは又、レジスト材
料に形成されたパターンを、単にパターンと呼ぶ。ま
た、パターン線幅とは、かかるパターンの幅を指す。
【０００３】従来の露光装置あるいは露光方法において
は、ウエハ面内では一定の露光量にてレジスト材料を露
光する。また、ステップ・アンド・リピート方式の露光
装置においては、露光ショット毎に露光量を変化させる
ことは可能であるが、従来の技術では、露光ショット位
置を行及び列の一次関数で表し、あるいは又、露光ショ
ットの露光順序を一次関数として表し、かかる一次関数
に基づき露光量を設定している。
は、ウエハ面内では一定の露光量にてレジスト材料を露
光する。また、ステップ・アンド・リピート方式の露光
装置においては、露光ショット毎に露光量を変化させる
ことは可能であるが、従来の技術では、露光ショット位
置を行及び列の一次関数で表し、あるいは又、露光ショ
ットの露光順序を一次関数として表し、かかる一次関数
に基づき露光量を設定している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハ面内
で各露光ショットにおいて一定の露光量にてレジスト材
料を露光した場合、得られたパターン線幅と設計パター
ン線幅との間に差異が生じる。尚、以下、このような差
異を、便宜上、パターン線幅差異と呼ぶ。そして、従来
の技術においては、レジスト材料の塗布や現像のウエハ
面内での均一性を向上させることによってパターン線幅
差異を低減させる試みがなされている。しかしながら、
パターン線幅は、パターンに依存して、即ち、例えばパ
ターンの粗密に依存して、設計パターン線幅よりも広い
場合もあれば狭い場合もある。従って、或るフォトマス
クに対してレジスト材料の現像条件を最適化したとして
も、通常、他のフォトマスクに対してレジスト材料の現
像条件が最適化されたことにならない。また、露光ショ
ット位置を行及び列の一次関数で表し、あるいは又、露
光ショットの露光順序を一次関数として表し、かかる一
次関数に基づき露光量を設定しても、パターン線幅差異
の発生を抑制することは出来ない。尚、露光ショット毎
の露光量を制御することによってパターン線幅差異の発
生を抑制するという試みは、本発明者らが調べた限りで
は知られていない。
で各露光ショットにおいて一定の露光量にてレジスト材
料を露光した場合、得られたパターン線幅と設計パター
ン線幅との間に差異が生じる。尚、以下、このような差
異を、便宜上、パターン線幅差異と呼ぶ。そして、従来
の技術においては、レジスト材料の塗布や現像のウエハ
面内での均一性を向上させることによってパターン線幅
差異を低減させる試みがなされている。しかしながら、
パターン線幅は、パターンに依存して、即ち、例えばパ
ターンの粗密に依存して、設計パターン線幅よりも広い
場合もあれば狭い場合もある。従って、或るフォトマス
クに対してレジスト材料の現像条件を最適化したとして
も、通常、他のフォトマスクに対してレジスト材料の現
像条件が最適化されたことにならない。また、露光ショ
ット位置を行及び列の一次関数で表し、あるいは又、露
光ショットの露光順序を一次関数として表し、かかる一
次関数に基づき露光量を設定しても、パターン線幅差異
の発生を抑制することは出来ない。尚、露光ショット毎
の露光量を制御することによってパターン線幅差異の発
生を抑制するという試みは、本発明者らが調べた限りで
は知られていない。
【０００５】従って、本発明の目的は、ウエハ面内にお
いて、各露光ショット毎、出来る限りパターン線幅を均
一化し得る露光装置及び露光方法を提供することにあ
る。
いて、各露光ショット毎、出来る限りパターン線幅を均
一化し得る露光装置及び露光方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の露光装置は、ウエハの所定の位置から各露
光ショットの位置までの距離の関数として各露光ショッ
トにおける露光量を制御することを特徴とする。
めの本発明の露光装置は、ウエハの所定の位置から各露
光ショットの位置までの距離の関数として各露光ショッ
トにおける露光量を制御することを特徴とする。
【０００７】あるいは又、上記の目的を達成するための
本発明の露光方法は、ウエハの所定の位置から各露光シ
ョットの位置までの距離の関数として各露光ショットに
おける露光量を制御することを特徴とする。
本発明の露光方法は、ウエハの所定の位置から各露光シ
ョットの位置までの距離の関数として各露光ショットに
おける露光量を制御することを特徴とする。
【０００８】本発明の露光装置若しくは露光方法におい
て、ウエハの所定の位置は、ウエハ上の任意の位置とす
ることができるが、ウエハの所定の位置から各露光ショ
ット位置までの距離を計算する上で、ウエハの中心を占
める露光ショットの中心とすることが最も好ましい。ま
た、各露光ショット位置は、各露光ショットの中心とす
ることが好ましい。そして、ウエハの中心を占める露光
ショットの中心から各露光ショットの中心までの距離を
ｒとしたとき、前記関数は、任意の形式で表すことがで
きるが、ｒのｎ次の多項式で表すことが最も好ましい。
て、ウエハの所定の位置は、ウエハ上の任意の位置とす
ることができるが、ウエハの所定の位置から各露光ショ
ット位置までの距離を計算する上で、ウエハの中心を占
める露光ショットの中心とすることが最も好ましい。ま
た、各露光ショット位置は、各露光ショットの中心とす
ることが好ましい。そして、ウエハの中心を占める露光
ショットの中心から各露光ショットの中心までの距離を
ｒとしたとき、前記関数は、任意の形式で表すことがで
きるが、ｒのｎ次の多項式で表すことが最も好ましい。
【０００９】更には、本発明の露光装置若しくは露光方
法として、従来の密着方式、プロキシミティ方式、反射
型投影方式、縮小レンズ投影方式の露光装置を挙げるこ
とができ、あるいは又、別の範疇では、ウエハスキャン
方式、ラスタースキャン方式、ステップ・アンド・リピ
ート方式を挙げることができるが、中でも、露光装置若
しくは露光方式はステップ・アンド・リピート方式であ
ることが望ましい。本発明の露光装置若しくは露光方法
においては、従来の遮光領域と光透過領域から構成され
たフォトマスク、位相シフト方式フォトマスク、半遮光
領域と光透過領域から構成されたハーフトーン方式フォ
トマスク等、如何なるフォトマスクも用いることができ
る。更には、ＦＬＥＸ方式やリング照明を採用すること
もできる。
法として、従来の密着方式、プロキシミティ方式、反射
型投影方式、縮小レンズ投影方式の露光装置を挙げるこ
とができ、あるいは又、別の範疇では、ウエハスキャン
方式、ラスタースキャン方式、ステップ・アンド・リピ
ート方式を挙げることができるが、中でも、露光装置若
しくは露光方式はステップ・アンド・リピート方式であ
ることが望ましい。本発明の露光装置若しくは露光方法
においては、従来の遮光領域と光透過領域から構成され
たフォトマスク、位相シフト方式フォトマスク、半遮光
領域と光透過領域から構成されたハーフトーン方式フォ
トマスク等、如何なるフォトマスクも用いることができ
る。更には、ＦＬＥＸ方式やリング照明を採用すること
もできる。
【００１０】本発明者らは、ウエハ面内で各露光ショッ
トにつき一定の露光量にてレジスト材料を露光した場合
に得られるパターン線幅の変動を詳細に調べた。その結
果、露光ショットのそれぞれにおけるパターン線幅変動
は、ウエハの中心を占める露光ショットの中心から概ね
同心円上に分布し、しかも、ウエハの中心を占める露光
ショットからウエハの周辺部の露光ショットに向かって
増加又は減少する傾向にあることが判明した。本発明の
露光装置若しくは露光方法においては、ウエハの所定の
位置から露光ショット位置までの距離の関数として各露
光ショットにおける露光量を制御することによって、ウ
エハ面内における各露光ショットにて得られるパターン
線幅と設計パターン線幅との間に発生する差異を低減す
ることができる。
トにつき一定の露光量にてレジスト材料を露光した場合
に得られるパターン線幅の変動を詳細に調べた。その結
果、露光ショットのそれぞれにおけるパターン線幅変動
は、ウエハの中心を占める露光ショットの中心から概ね
同心円上に分布し、しかも、ウエハの中心を占める露光
ショットからウエハの周辺部の露光ショットに向かって
増加又は減少する傾向にあることが判明した。本発明の
露光装置若しくは露光方法においては、ウエハの所定の
位置から露光ショット位置までの距離の関数として各露
光ショットにおける露光量を制御することによって、ウ
エハ面内における各露光ショットにて得られるパターン
線幅と設計パターン線幅との間に発生する差異を低減す
ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、実施例に基づき本発
明を説明する。
明を説明する。
【００１２】（実施例１）実施例１においては、ステッ
プ・アンド・リピート方式の露光装置及び露光方法を用
いた。直径２００ｍｍのウエハに２２ｍｍ×２２ｍｍの
露光ショットが、図１に模式的に示すように配列されて
いる条件で、露光を行った。尚、ウエハの中心を占める
露光ショットの中心と、ウエハの中心とは一致してい
る。従って、以下においては、ウエハの中心を占める露
光ショットの中心という代わりに、ウエハの中心という
場合がある。そして、或る半導体装置のゲート電極を形
成するためのフォトリソグラフィ工程に対して、本発明
の露光方法を適用した。
プ・アンド・リピート方式の露光装置及び露光方法を用
いた。直径２００ｍｍのウエハに２２ｍｍ×２２ｍｍの
露光ショットが、図１に模式的に示すように配列されて
いる条件で、露光を行った。尚、ウエハの中心を占める
露光ショットの中心と、ウエハの中心とは一致してい
る。従って、以下においては、ウエハの中心を占める露
光ショットの中心という代わりに、ウエハの中心という
場合がある。そして、或る半導体装置のゲート電極を形
成するためのフォトリソグラフィ工程に対して、本発明
の露光方法を適用した。
【００１３】別の試験で、ウエハの中心から各露光ショ
ット位置までの距離の関数として各露光ショットにおけ
る最適露光量を求めた結果を図２に丸印及び実線で示
す。内、図２の横軸は、ウエハの中心からの露光ショッ
トの中心までの距離（ｒ：単位ｍｍ）を表し、縦軸は、
最適露光量（Ｅopt：単位ｍＪ／ｃｍ2）を表す。この試
験においては、多数のウエハにおいて、ｘ軸及びｙ軸上
に位置する各露光ショットの露光量を変化させ、現像後
のレジスト材料のパターン線幅を測定し、設計パターン
線幅との差が最も少なくなる露光量（最適露光量）を求
めてグラフ化した。尚、ｘ軸とは、ウエハの中心を通
り、露光ショットの一辺に平行な線分を意味し、ｙ軸と
は、ウエハの中心を通り、ｘ軸とは直角方向に延びる線
分を意味する。図２から判るように、ウエハの中心部に
位置する露光ショットにおける最適露光量が２３０ｍＪ
／ｃｍ2であるのに対して、ウエハの外周部に位置する
露光ショットにおける最適露光量は２２１〜２２３ｍＪ
／ｃｍ2であり、しかも、最適露光量はウエハの中心か
ら周辺に向かって単調に減少している。
ット位置までの距離の関数として各露光ショットにおけ
る最適露光量を求めた結果を図２に丸印及び実線で示
す。内、図２の横軸は、ウエハの中心からの露光ショッ
トの中心までの距離（ｒ：単位ｍｍ）を表し、縦軸は、
最適露光量（Ｅopt：単位ｍＪ／ｃｍ2）を表す。この試
験においては、多数のウエハにおいて、ｘ軸及びｙ軸上
に位置する各露光ショットの露光量を変化させ、現像後
のレジスト材料のパターン線幅を測定し、設計パターン
線幅との差が最も少なくなる露光量（最適露光量）を求
めてグラフ化した。尚、ｘ軸とは、ウエハの中心を通
り、露光ショットの一辺に平行な線分を意味し、ｙ軸と
は、ウエハの中心を通り、ｘ軸とは直角方向に延びる線
分を意味する。図２から判るように、ウエハの中心部に
位置する露光ショットにおける最適露光量が２３０ｍＪ
／ｃｍ2であるのに対して、ウエハの外周部に位置する
露光ショットにおける最適露光量は２２１〜２２３ｍＪ
／ｃｍ2であり、しかも、最適露光量はウエハの中心か
ら周辺に向かって単調に減少している。
【００１４】得られた最適露光量（Ｅopt）の曲線を、
ウエハの中心から露光ショットの中心までの距離をｒと
したとき、ｒのｎ次（実施例１においては４次）の多項
式として、最小自乗法にて求めた。求めた多項式は下記
の式（１）のとおりとなった。
ウエハの中心から露光ショットの中心までの距離をｒと
したとき、ｒのｎ次（実施例１においては４次）の多項
式として、最小自乗法にて求めた。求めた多項式は下記
の式（１）のとおりとなった。
【００１５】
【数１】
【００１６】ウエハの所定の位置から露光ショット位置
までの距離の関数として各露光ショットにおける露光量
を制御した。即ち、各露光ショットの中心からウエハの
中心までの距離ｒを求め、式（１）からＥopt（ｒ）を
計算し、かかる最適露光量Ｅo pt（ｒ）に基づき各露光
ショットにおいて露光を行った。各露光ショットにおけ
る最適露光量Ｅopt（ｒ）の計算値（単位：ｍＪ／ｃ
ｍ2）を図３に示す。
までの距離の関数として各露光ショットにおける露光量
を制御した。即ち、各露光ショットの中心からウエハの
中心までの距離ｒを求め、式（１）からＥopt（ｒ）を
計算し、かかる最適露光量Ｅo pt（ｒ）に基づき各露光
ショットにおいて露光を行った。各露光ショットにおけ
る最適露光量Ｅopt（ｒ）の計算値（単位：ｍＪ／ｃ
ｍ2）を図３に示す。
【００１７】これらの各露光ショットにおける最適露光
量Ｅopt（ｒ）の計算値に基づき、レジスト材料の露光
を行い、現像後のレジスト材料の線幅を測定した結果、
設計パターン線幅０．３５μｍに対して、３σ＝０．０
１２μｍが得られた。尚、比較のために、全ての露光シ
ョットにおいて、ウエハの中心に位置する露光ショット
における最適露光量によりレジスト材料の露光を行い、
現像後のレジスト材料の線幅を測定した結果、設計パタ
ーン線幅０．３５μｍに対して、３σ＝０．０２５μｍ
が得られた。以上の結果から、本発明の露光方法を採用
することによって、パターン線幅のばらつきは、従来の
技術と比較して半分以下となることが判った。
量Ｅopt（ｒ）の計算値に基づき、レジスト材料の露光
を行い、現像後のレジスト材料の線幅を測定した結果、
設計パターン線幅０．３５μｍに対して、３σ＝０．０
１２μｍが得られた。尚、比較のために、全ての露光シ
ョットにおいて、ウエハの中心に位置する露光ショット
における最適露光量によりレジスト材料の露光を行い、
現像後のレジスト材料の線幅を測定した結果、設計パタ
ーン線幅０．３５μｍに対して、３σ＝０．０２５μｍ
が得られた。以上の結果から、本発明の露光方法を採用
することによって、パターン線幅のばらつきは、従来の
技術と比較して半分以下となることが判った。
【００１８】（実施例２）実施例２においても、ステッ
プ・アンド・リピート方式の露光装置及び露光方法を用
いた。実施例２が実施例１と相違する点は、パターンが
異なる点にある。
プ・アンド・リピート方式の露光装置及び露光方法を用
いた。実施例２が実施例１と相違する点は、パターンが
異なる点にある。
【００１９】実施例１と同様に、別の試験で、ウエハの
中心から各露光ショット位置までの距離の関数として各
露光ショットにおける最適露光量を求めた結果を図２に
四角印及び点線で示す。図２から判るように、ウエハの
中心部に位置する露光ショットにおける最適露光量が２
２２ｍＪ／ｃｍ2であるのに対して、ウエハの外周部に
位置する露光ショットにおける最適露光量は２４４〜２
４５ｍＪ／ｃｍ2であり、しかも、最適露光量はウエハ
の中心から周辺に向かって単調に増加している。
中心から各露光ショット位置までの距離の関数として各
露光ショットにおける最適露光量を求めた結果を図２に
四角印及び点線で示す。図２から判るように、ウエハの
中心部に位置する露光ショットにおける最適露光量が２
２２ｍＪ／ｃｍ2であるのに対して、ウエハの外周部に
位置する露光ショットにおける最適露光量は２４４〜２
４５ｍＪ／ｃｍ2であり、しかも、最適露光量はウエハ
の中心から周辺に向かって単調に増加している。
【００２０】得られた最適露光量（Ｅopt）の曲線を、
ウエハの中心から露光ショットの中心までの距離をｒと
したとき、ｒのｎ次（実施例２においては４次）の多項
式として、最小自乗法にて求めた。求めた多項式は下記
の式（２）のとおりとなった。
ウエハの中心から露光ショットの中心までの距離をｒと
したとき、ｒのｎ次（実施例２においては４次）の多項
式として、最小自乗法にて求めた。求めた多項式は下記
の式（２）のとおりとなった。
【００２１】
【数２】
【００２２】ウエハの所定の位置から露光ショット位置
までの距離の関数として各露光ショットにおける露光量
を制御した。即ち、各露光ショットの中心からウエハの
中心までの距離ｒを求め、式（２）からＥopt（ｒ）を
計算し、かかる最適露光量Ｅo pt（ｒ）に基づき各露光
ショットにおいて露光を行った。各露光ショットにおけ
る最適露光量Ｅopt（ｒ）の計算値（単位：ｍＪ／ｃ
ｍ2）を図４に示す。
までの距離の関数として各露光ショットにおける露光量
を制御した。即ち、各露光ショットの中心からウエハの
中心までの距離ｒを求め、式（２）からＥopt（ｒ）を
計算し、かかる最適露光量Ｅo pt（ｒ）に基づき各露光
ショットにおいて露光を行った。各露光ショットにおけ
る最適露光量Ｅopt（ｒ）の計算値（単位：ｍＪ／ｃ
ｍ2）を図４に示す。
【００２３】これらの各露光ショットにおける最適露光
量Ｅopt（ｒ）の計算値に基づき、レジスト材料の露光
を行い、現像後のレジスト材料の線幅を測定した結果、
設計パターン線幅０．３５μｍに対して、３σ＝０．０
１５μｍが得られた。尚、比較のために、全ての露光シ
ョットにおいて、ウエハの中心に位置する露光ショット
における最適露光量によりレジスト材料の露光を行い、
現像後のレジスト材料の線幅を測定した結果、設計パタ
ーン線幅０．３５μｍに対して、３σ＝０．０５３μｍ
が得られた。以上の結果から、本発明の露光方法を採用
することによって、パターン線幅のばらつきは、従来の
技術と比較して１／３以下となることが判った。
量Ｅopt（ｒ）の計算値に基づき、レジスト材料の露光
を行い、現像後のレジスト材料の線幅を測定した結果、
設計パターン線幅０．３５μｍに対して、３σ＝０．０
１５μｍが得られた。尚、比較のために、全ての露光シ
ョットにおいて、ウエハの中心に位置する露光ショット
における最適露光量によりレジスト材料の露光を行い、
現像後のレジスト材料の線幅を測定した結果、設計パタ
ーン線幅０．３５μｍに対して、３σ＝０．０５３μｍ
が得られた。以上の結果から、本発明の露光方法を採用
することによって、パターン線幅のばらつきは、従来の
技術と比較して１／３以下となることが判った。
【００２４】以上、本発明を、好ましい実施例に基づき
説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。実施例にて得られたＥoptは、露光装置や形
成すべきパターンに依存するので、試験によって決定す
ればよい。
説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。実施例にて得られたＥoptは、露光装置や形
成すべきパターンに依存するので、試験によって決定す
ればよい。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハ面内において、
各露光ショット毎、出来る限りパターン線幅を均一化す
ることができ、ウエハ面内におけるパターン線幅のばら
つきを減少させることができる。その結果、例えばトラ
ンジスタ素子の閾値電圧Ｖthのばらつきを減少させるこ
とができ、設計した速度の半導体装置を高い収率で製造
することが可能となる。また、半導体装置のデザインル
ール中で考慮すべきパターン線幅のばらつきの値を小さ
く設定することができる結果、半導体チップの縮小化を
図ることができる。更には、半導体装置の生産段階にお
いて、パターン線幅のばらつきに起因した不良を低減す
ることができ、半導体装置の製造コストの低減を図るこ
とができる。
各露光ショット毎、出来る限りパターン線幅を均一化す
ることができ、ウエハ面内におけるパターン線幅のばら
つきを減少させることができる。その結果、例えばトラ
ンジスタ素子の閾値電圧Ｖthのばらつきを減少させるこ
とができ、設計した速度の半導体装置を高い収率で製造
することが可能となる。また、半導体装置のデザインル
ール中で考慮すべきパターン線幅のばらつきの値を小さ
く設定することができる結果、半導体チップの縮小化を
図ることができる。更には、半導体装置の生産段階にお
いて、パターン線幅のばらつきに起因した不良を低減す
ることができ、半導体装置の製造コストの低減を図るこ
とができる。
【図１】露光ショットの配列を模式的に示す図である。
【図２】実施例１及び実施例２において、ウエハの中心
を占める露光ショットの中心から各露光ショット位置ま
での距離の関数として各露光ショットにおける最適露光
量を求めた結果を示すグラフである。
を占める露光ショットの中心から各露光ショット位置ま
での距離の関数として各露光ショットにおける最適露光
量を求めた結果を示すグラフである。
【図３】実施例１において、各露光ショットにおける最
適露光量Ｅopt（ｒ）の計算値を示す図である。
適露光量Ｅopt（ｒ）の計算値を示す図である。
【図４】実施例２において、各露光ショットにおける最
適露光量Ｅopt（ｒ）の計算値を示す図である。
適露光量Ｅopt（ｒ）の計算値を示す図である。
Claims (6)
- 【請求項１】ウエハの所定の位置から各露光ショットの
位置までの距離の関数として各露光ショットにおける露
光量を制御することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】ウエハの所定の位置はウエハの中心を占め
る露光ショットの中心であり、各露光ショットの位置は
露光ショットの中心であり、ウエハの中心を占める露光
ショットの中心から各露光ショットの中心までの距離を
ｒとしたとき、前記関数はｒのｎ次の多項式で表される
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】露光装置はステップ・アンド・リピート方
式であることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。 - 【請求項４】ウエハの所定の位置から各露光ショットの
位置までの距離の関数として各露光ショットにおける露
光量を制御することを特徴とする露光方法。 - 【請求項５】ウエハの所定の位置はウエハの中心を占め
る露光ショットの中心であり、各露光ショットの位置は
露光ショットの中心であり、ウエハの中心を占める露光
ショットの中心から各露光ショットの中心までの距離を
ｒとしたとき、前記関数はｒのｎ次の多項式で表される
ことを特徴とする請求項４に記載の露光方法。 - 【請求項６】露光方式はステップ・アンド・リピート方
式であることを特徴とする請求項５に記載の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8231318A JPH1064801A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | 露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8231318A JPH1064801A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | 露光装置及び露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064801A true JPH1064801A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16921762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8231318A Pending JPH1064801A (ja) | 1996-08-13 | 1996-08-13 | 露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064801A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999046807A1 (en) * | 1998-03-09 | 1999-09-16 | Nikon Corporation | Scanning exposure method, scanning exposure apparatus and its manufacturing method, and device and its manufacturing method |
| US6730925B1 (en) | 1999-11-16 | 2004-05-04 | Nikon Corporation | Method and apparatus for projection exposure and device manufacturing method |
| JP2007184378A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Canon Inc | 露光装置における露光量および／または焦点合わせのための基板の位置を求める方法および装置 |
| JP2007208245A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-08-16 | Canon Inc | 露光量のおよびフォーカス位置のオフセット量を求める方法、プログラムおよびデバイス製造方法 |
| JPWO2005112088A1 (ja) * | 2004-05-14 | 2008-03-27 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
-
1996
- 1996-08-13 JP JP8231318A patent/JPH1064801A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7771905B2 (en) | 2006-01-05 | 2010-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and program for calculating exposure dose and focus position in exposure apparatus, and device manufacturing method |
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