JPH1064925A - 化合物半導体薄膜とその製造方法及び太陽電池 - Google Patents
化合物半導体薄膜とその製造方法及び太陽電池Info
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- JPH1064925A JPH1064925A JP8219580A JP21958096A JPH1064925A JP H1064925 A JPH1064925 A JP H1064925A JP 8219580 A JP8219580 A JP 8219580A JP 21958096 A JP21958096 A JP 21958096A JP H1064925 A JPH1064925 A JP H1064925A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｇａ濃度の少ない高品質な膜でかつ太陽光ス
ペクトルにマッチしたバンドギャップをもつ光吸収層を
得る。Iａ族を加えた条件でＣｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5がｐ
形化するためのＩｎとＧａの固溶率の条件範囲に関する
詳細については明らかでなく、さらに基板から拡散、混
入しているＮａ等の不純物元素によってＣｕ(Ｉｎ,Ｇ
ａ)3Ｓｅ5の物性値がどのように変化しているかについ
てはわかっていないので、その詳細を検討することが重
要な課題である。 【解決手段】 Ｉａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ
1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａ y)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半
導体薄膜（但し、０．１６≦ｘ≦０．３４、０．０５≦
ｙ≦０．５５、０≦ｚ≦１．０）を太陽電池の光吸収層
に適用する。
ペクトルにマッチしたバンドギャップをもつ光吸収層を
得る。Iａ族を加えた条件でＣｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5がｐ
形化するためのＩｎとＧａの固溶率の条件範囲に関する
詳細については明らかでなく、さらに基板から拡散、混
入しているＮａ等の不純物元素によってＣｕ(Ｉｎ,Ｇ
ａ)3Ｓｅ5の物性値がどのように変化しているかについ
てはわかっていないので、その詳細を検討することが重
要な課題である。 【解決手段】 Ｉａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ
1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａ y)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半
導体薄膜（但し、０．１６≦ｘ≦０．３４、０．０５≦
ｙ≦０．５５、０≦ｚ≦１．０）を太陽電池の光吸収層
に適用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体薄膜
とその製造方法及び太陽電池に関する。
とその製造方法及び太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池の光吸収層として用いられるI
族、III族、VI族元素からなる半導体薄膜は光吸収係数
が大きく、薄膜化が可能な太陽電池材料として注目を集
めている。例えばＣｕ(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2薄膜を光吸収層
に用いた太陽電池は理論上の変換効率が高く、光照射等
による効率の劣化がないという利点を有していることが
報告されている。現在高い変換効率を示す太陽電池に用
いられているＣｕ(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2薄膜はＧａ／（Ｉｎ
＋Ｇａ）比が０．２〜０．３程度であり、バンドギャッ
プにして１．２eV程度になっている。
族、III族、VI族元素からなる半導体薄膜は光吸収係数
が大きく、薄膜化が可能な太陽電池材料として注目を集
めている。例えばＣｕ(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2薄膜を光吸収層
に用いた太陽電池は理論上の変換効率が高く、光照射等
による効率の劣化がないという利点を有していることが
報告されている。現在高い変換効率を示す太陽電池に用
いられているＣｕ(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2薄膜はＧａ／（Ｉｎ
＋Ｇａ）比が０．２〜０．３程度であり、バンドギャッ
プにして１．２eV程度になっている。
【０００３】一方、この高効率Ｃｕ(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2薄
膜の表面にはＩｎ,Ｇａ過剰相であるＣｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3
Ｓｅ5が存在していると言われ、Ｃｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5
の結晶構造、及びその膜物性について研究報告されてい
る。例えば１９９５年のプログレス イン フォトボル
タイック、第３巻、第６(Progress in Photovoltaics,V
ol.3,No.6,1995)においてショック(W.Schock)等はソー
ラーセルズ ベーストオン ＣｕＩｎＳｅ2 アンド
リレーテッド コンパウンズ：マテリアルアンド プロ
シーディング(Solar Cells Based on CuInSe2 and Rela
ted Compounds:Material and Device Properties and P
rocessing)という題で、Ｉｎ，Ｇａ過剰組成のＣｕＩｎ
Ｓｅ2薄膜表面にはＣｕＩｎ3Ｓｅ5相が存在し、Ｉｎを
Ｇａで置換したＣｕＧａＳｅ2薄膜やＳｅをＳで置換し
たＣｕＩｎＳ2薄膜ではＣｕＩｎ5Ｓｅ8相やＣｕＩｎ5Ｓ
ｅ8相に変化することを報告している。しかしIII族元素
やVI族元素の固溶率の違いによる結晶構造の変化につい
ての詳細は明らかでない。その他Ｃｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ
5の物性に関する報告例として、１９９５年の刊行物ア
プライド フィジックス レター（Applied Physics Le
tters,Vol.67,No.6,1995）で我々はプリパレーション
アンド キャラクタライゼーション オブ Ｃｕ(Ｉｎ
1-xＧａx)3Ｓｅ5 シン フィルムス（Preparation and
characterization of Cu(In,Ga)3Se5 thin films）と
いう題で、同じＧａ含有率ではＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）3Ｓ
ｅ5がＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2に比べて大きなバンドギ
ャップを有し、さらにＧａ量ｘの増加に伴いＣｕ（Ｉ
ｎ，Ｇａ）3Ｓｅ5のバンドギャップが増加することを報
告している。また、１９９６年５月に行われた第２５回
ＩＥＥＥ太陽エネルギー変換国際会議(25th IEEE First
World Conference on Pkotovoltaic Energy Conversio
n)においてコントレラス(M.Contreras)等はディフェク
ト カルコパイライト Ｃｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5 ポリ
クリスタラインシン フィルム マテリアルズ(Defect
Chalcopyrite Cu(In,Ga)3Se5 Polycrystalline Thin-Fi
lm Materials)という題で、我々同様、同じＧａ含有率
では欠陥カルコパイライト構造を有するＣｕ(Ｉｎ,Ｇ
ａ)3Ｓｅ5相がカルコパイライト構造のＣｕ(Ｉｎ,Ｇａ)
Ｓｅ2相よりも約２００meV程度バンドギャップ大きくな
ることを報告し、さらにＣｕＩｎ3Ｓｅ5ではｎ型を示し
ていた伝導形がＧａ/(Ｉｎ＋Ｇａ)比の値が０．３以上
になるとｐ形に変化すると報告している。しかしＣｕ
(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5は約１０6Ω-cmと抵抗値が高いた
め、測定上の誤差等を含めその詳細はわからない。
膜の表面にはＩｎ,Ｇａ過剰相であるＣｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3
Ｓｅ5が存在していると言われ、Ｃｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5
の結晶構造、及びその膜物性について研究報告されてい
る。例えば１９９５年のプログレス イン フォトボル
タイック、第３巻、第６(Progress in Photovoltaics,V
ol.3,No.6,1995)においてショック(W.Schock)等はソー
ラーセルズ ベーストオン ＣｕＩｎＳｅ2 アンド
リレーテッド コンパウンズ：マテリアルアンド プロ
シーディング(Solar Cells Based on CuInSe2 and Rela
ted Compounds:Material and Device Properties and P
rocessing)という題で、Ｉｎ，Ｇａ過剰組成のＣｕＩｎ
Ｓｅ2薄膜表面にはＣｕＩｎ3Ｓｅ5相が存在し、Ｉｎを
Ｇａで置換したＣｕＧａＳｅ2薄膜やＳｅをＳで置換し
たＣｕＩｎＳ2薄膜ではＣｕＩｎ5Ｓｅ8相やＣｕＩｎ5Ｓ
ｅ8相に変化することを報告している。しかしIII族元素
やVI族元素の固溶率の違いによる結晶構造の変化につい
ての詳細は明らかでない。その他Ｃｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ
5の物性に関する報告例として、１９９５年の刊行物ア
プライド フィジックス レター（Applied Physics Le
tters,Vol.67,No.6,1995）で我々はプリパレーション
アンド キャラクタライゼーション オブ Ｃｕ(Ｉｎ
1-xＧａx)3Ｓｅ5 シン フィルムス（Preparation and
characterization of Cu(In,Ga)3Se5 thin films）と
いう題で、同じＧａ含有率ではＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）3Ｓ
ｅ5がＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2に比べて大きなバンドギ
ャップを有し、さらにＧａ量ｘの増加に伴いＣｕ（Ｉ
ｎ，Ｇａ）3Ｓｅ5のバンドギャップが増加することを報
告している。また、１９９６年５月に行われた第２５回
ＩＥＥＥ太陽エネルギー変換国際会議(25th IEEE First
World Conference on Pkotovoltaic Energy Conversio
n)においてコントレラス(M.Contreras)等はディフェク
ト カルコパイライト Ｃｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5 ポリ
クリスタラインシン フィルム マテリアルズ(Defect
Chalcopyrite Cu(In,Ga)3Se5 Polycrystalline Thin-Fi
lm Materials)という題で、我々同様、同じＧａ含有率
では欠陥カルコパイライト構造を有するＣｕ(Ｉｎ,Ｇ
ａ)3Ｓｅ5相がカルコパイライト構造のＣｕ(Ｉｎ,Ｇａ)
Ｓｅ2相よりも約２００meV程度バンドギャップ大きくな
ることを報告し、さらにＣｕＩｎ3Ｓｅ5ではｎ型を示し
ていた伝導形がＧａ/(Ｉｎ＋Ｇａ)比の値が０．３以上
になるとｐ形に変化すると報告している。しかしＣｕ
(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5は約１０6Ω-cmと抵抗値が高いた
め、測定上の誤差等を含めその詳細はわからない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上の報告からＣｕ
(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2を太陽電池の光吸収層に適用した場
合、Ｃｕ(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2のバンドギャップを太陽光ス
ペクトルにマッチングさせる必要性があるが、現在高い
変換効率を示す太陽電池に用いられているＣｕ(Ｉｎ,Ｇ
ａ)Ｓｅ2薄膜はＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比が０．２〜０．
３程度であり、バンドギャップにして１．２eV程度にな
っているため、より高い変換効率を得るためにはさらに
Ｇａ濃度を上げ、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≒０．７でバン
ドギャップを１．５eV程度にする必要がある。しかしバ
ンドギャップを広げる目的でＧａ濃度を上げるとＣｕ
(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2の結晶性が低下し、光を吸収して生成
したキャリアを消滅させるような欠陥を多く含むＣｕ
(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2薄膜になり、その結果太陽電池の変換
効率が低下する結果となる。しかし高品質な膜を得るた
めのＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比が０．２〜０．３程度では
太陽光スペクトルとのマッチングを考えた場合、バンド
ギャップが小さく損失が大きくなり、バンドギャップの
値から計算される理論的上の変換効率の最高値も低い値
となる。従って如何にＧａ濃度の少ない高品質な膜でか
つ太陽光スペクトルにマッチした大きなバンドギャップ
をもつ光吸収層を得るかが重要な課題である。
(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2を太陽電池の光吸収層に適用した場
合、Ｃｕ(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2のバンドギャップを太陽光ス
ペクトルにマッチングさせる必要性があるが、現在高い
変換効率を示す太陽電池に用いられているＣｕ(Ｉｎ,Ｇ
ａ)Ｓｅ2薄膜はＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比が０．２〜０．
３程度であり、バンドギャップにして１．２eV程度にな
っているため、より高い変換効率を得るためにはさらに
Ｇａ濃度を上げ、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≒０．７でバン
ドギャップを１．５eV程度にする必要がある。しかしバ
ンドギャップを広げる目的でＧａ濃度を上げるとＣｕ
(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2の結晶性が低下し、光を吸収して生成
したキャリアを消滅させるような欠陥を多く含むＣｕ
(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2薄膜になり、その結果太陽電池の変換
効率が低下する結果となる。しかし高品質な膜を得るた
めのＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比が０．２〜０．３程度では
太陽光スペクトルとのマッチングを考えた場合、バンド
ギャップが小さく損失が大きくなり、バンドギャップの
値から計算される理論的上の変換効率の最高値も低い値
となる。従って如何にＧａ濃度の少ない高品質な膜でか
つ太陽光スペクトルにマッチした大きなバンドギャップ
をもつ光吸収層を得るかが重要な課題である。
【０００５】また、同じＧａ含有量でバンドギャップの
大きなＣｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5を光吸収層に適用させる
ためには従来ｎ形の伝導形を示すと考えられていたＣｕ
Ｉｎ 3Ｓｅ5がＧａを含有することによりｐ形の伝導形に
なる必要性があるが、Iａ族を加えた条件でＣｕ(Ｉｎ,
Ｇａ)3Ｓｅ5がｐ形化するためのＩｎとＧａの固溶率の
範囲に関する詳細については明らかでなく、また基板か
ら拡散、混入しているＮａ等の不純物元素によってＣｕ
(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5がどのような影響を受けるかについ
てはわかっていない。
大きなＣｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5を光吸収層に適用させる
ためには従来ｎ形の伝導形を示すと考えられていたＣｕ
Ｉｎ 3Ｓｅ5がＧａを含有することによりｐ形の伝導形に
なる必要性があるが、Iａ族を加えた条件でＣｕ(Ｉｎ,
Ｇａ)3Ｓｅ5がｐ形化するためのＩｎとＧａの固溶率の
範囲に関する詳細については明らかでなく、また基板か
ら拡散、混入しているＮａ等の不純物元素によってＣｕ
(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5がどのような影響を受けるかについ
てはわかっていない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題を解
決するためにIａ族元素を含有する［Ｃｕ2(ＳzＳ
ｅ1- z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物
半導体薄膜を提供する。但し、０．１６≦ｘ≦０．３
４、０．０５≦ｙ≦０．５５、０≦ｚ≦１．０である。
決するためにIａ族元素を含有する［Ｃｕ2(ＳzＳ
ｅ1- z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物
半導体薄膜を提供する。但し、０．１６≦ｘ≦０．３
４、０．０５≦ｙ≦０．５５、０≦ｚ≦１．０である。
【０００７】Iａ族元素としてＬｉ、Ｎａ、Ｋのうち少
なくとも一種類を用いることが好ましい。
なくとも一種類を用いることが好ましい。
【０００８】また、Iａ族元素の含有率は１mol％を上限
とすることが好ましい。本発明はIａ族元素の蒸着源と
してＬｉ化合物、Ｎａ化合物、Ｋ化合物のうち少なくと
も一種類を用いた製造方法を提供する。
とすることが好ましい。本発明はIａ族元素の蒸着源と
してＬｉ化合物、Ｎａ化合物、Ｋ化合物のうち少なくと
も一種類を用いた製造方法を提供する。
【０００９】ここでＬｉ化合物としてＬｉ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ
2、Ｌｉ2Ｓ、Ｌｉ2Ｓｅ、Ｌｉ2Ｔｅ、ＬｉＦ、ＬｉＣ
ｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩのうち少なくとも一種類を用いて
製造することが好ましい。
2、Ｌｉ2Ｓ、Ｌｉ2Ｓｅ、Ｌｉ2Ｔｅ、ＬｉＦ、ＬｉＣ
ｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩのうち少なくとも一種類を用いて
製造することが好ましい。
【００１０】また、Ｎａ化合物としてＮａ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ
2、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2Ｓｅ、Ｎａ2Ｔｅ、ＮａＦ、ＮａＣ
ｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩのうち少なくとも一種類を用いて
製造することが好ましい。
2、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2Ｓｅ、Ｎａ2Ｔｅ、ＮａＦ、ＮａＣ
ｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩのうち少なくとも一種類を用いて
製造することが好ましい。
【００１１】さらに、Ｋ化合物としてＫ2Ｏ、Ｋ2Ｏ2、
Ｋ2Ｓ、Ｋ2Ｓｅ、Ｋ2Ｔｅ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、Ｋ
Ｉのうち少なくとも一種類を用いて製造することが好ま
しい。
Ｋ2Ｓ、Ｋ2Ｓｅ、Ｋ2Ｔｅ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、Ｋ
Ｉのうち少なくとも一種類を用いて製造することが好ま
しい。
【００１２】また、本発明は［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］
x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1- x化合物の構成元
素に対して、各構成元素の単体あるいは化合物のうち少
なくとも一種類を用いた製造方法を提供する。
x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1- x化合物の構成元
素に対して、各構成元素の単体あるいは化合物のうち少
なくとも一種類を用いた製造方法を提供する。
【００１３】さらに、上記化合物を不活性ガスあるいは
VIｂ族元素蒸気のうち少なくとも一種類を用いた雰囲気
中で熱処理することが好ましい。
VIｂ族元素蒸気のうち少なくとも一種類を用いた雰囲気
中で熱処理することが好ましい。
【００１４】また、本発明は上記化合物半導体薄膜を光
吸収層に用いた太陽電池を提供する。
吸収層に用いた太陽電池を提供する。
【００１５】前記した本発明によれば、Iａ族を含有し
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1- yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜（但し０．１６≦ｘ≦０．
３４、０．０５≦ｙ≦０．５５、０≦ｚ≦１．０）を用
いることによりIａ族元素を添加することにより半導体
薄膜の導電率が向上し、さらにIａ族を添加しない半導
体薄膜に比べて広範囲での限定されたｘ、ｙの値に対し
て太陽電池の光吸収層として機能する伝導形を得ること
が可能となる。ここで０．１６≦ｘ≦０．３４とするこ
とで同じＧａ含有量のＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2よりも
大きなバンドギャップを有する単一相Ｃｕ（Ｉｎ,Ｇ
ａ）3Ｓｅ5薄膜を得ることができ、少ないＧａ含有量で
より太陽光スペクトルにマッチしたバンドギャップを有
する化合物半導体薄膜を得ることが可能となる。さらに
０．０５≦ｙ≦０．５５とすることにより太陽電池の光
吸収層として機能する伝導形（ｐ形）を有するＣｕ（Ｉ
ｎ,Ｇａ）3Ｓｅ5薄膜を得ることが可能となり、同じバ
ンドギャップでｙ≧０．５のＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2
膜より結晶性に優れ、より太陽光スペクトルにマッチし
たバンドギャップを有する化合物半導体薄膜を得ること
が可能となる。
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1- yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜（但し０．１６≦ｘ≦０．
３４、０．０５≦ｙ≦０．５５、０≦ｚ≦１．０）を用
いることによりIａ族元素を添加することにより半導体
薄膜の導電率が向上し、さらにIａ族を添加しない半導
体薄膜に比べて広範囲での限定されたｘ、ｙの値に対し
て太陽電池の光吸収層として機能する伝導形を得ること
が可能となる。ここで０．１６≦ｘ≦０．３４とするこ
とで同じＧａ含有量のＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2よりも
大きなバンドギャップを有する単一相Ｃｕ（Ｉｎ,Ｇ
ａ）3Ｓｅ5薄膜を得ることができ、少ないＧａ含有量で
より太陽光スペクトルにマッチしたバンドギャップを有
する化合物半導体薄膜を得ることが可能となる。さらに
０．０５≦ｙ≦０．５５とすることにより太陽電池の光
吸収層として機能する伝導形（ｐ形）を有するＣｕ（Ｉ
ｎ,Ｇａ）3Ｓｅ5薄膜を得ることが可能となり、同じバ
ンドギャップでｙ≧０．５のＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2
膜より結晶性に優れ、より太陽光スペクトルにマッチし
たバンドギャップを有する化合物半導体薄膜を得ること
が可能となる。
【００１６】また、Iａ族元素としてＬｉ、Ｎａ、Ｋの
うち少なくとも一種類を用いることによりＣｕ（Ｉｎ,
Ｇａ）3Ｓｅ5薄膜の結晶成長を促進し、導電率を向上さ
せることが可能となる。
うち少なくとも一種類を用いることによりＣｕ（Ｉｎ,
Ｇａ）3Ｓｅ5薄膜の結晶成長を促進し、導電率を向上さ
せることが可能となる。
【００１７】さらに、［Ｃｕ2(Ｓ,Ｓｅ)］x［(Ｉｎ1-y
Ｇａy)2(Ｓ,Ｓｅ)3］1-x化合物半導体薄膜中に占めるI
ａ族元素の割合は１mol％を上限とすることにより、
［Ｃｕ2(Ｓ,Ｓｅ)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(Ｓ,Ｓｅ)3］
1-x薄膜の組成を変化させること無くIａ族元素を混入す
ることが可能となる。
Ｇａy)2(Ｓ,Ｓｅ)3］1-x化合物半導体薄膜中に占めるI
ａ族元素の割合は１mol％を上限とすることにより、
［Ｃｕ2(Ｓ,Ｓｅ)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(Ｓ,Ｓｅ)3］
1-x薄膜の組成を変化させること無くIａ族元素を混入す
ることが可能となる。
【００１８】Iａ族元素の蒸着源としてＬｉ化合物、Ｎ
ａ化合物、Ｋ化合物のうち少なくとも一種類を用いて製
造することにより安定した状態でIａ族元素を［Ｃｕ
2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］
1-x化合物半導体薄膜中に混入させることが可能にな
り、前記化合物半導体薄膜の結晶成長促進と導電率を向
上させるのに有効な手段となる。
ａ化合物、Ｋ化合物のうち少なくとも一種類を用いて製
造することにより安定した状態でIａ族元素を［Ｃｕ
2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］
1-x化合物半導体薄膜中に混入させることが可能にな
り、前記化合物半導体薄膜の結晶成長促進と導電率を向
上させるのに有効な手段となる。
【００１９】Ｌｉ化合物としてＬｉ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ2、Ｌ
ｉ2Ｓ、Ｌｉ2Ｓｅ、Ｌｉ2Ｔｅ、ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、Ｌ
ｉＢｒ、ＬｉＩのうち少なくとも一種類を用いて、また
Ｎａ化合物としてＮａ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ2、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2
Ｓｅ、Ｎａ2Ｔｅ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、Ｎａ
Ｉのうち少なくとも一種類を用いて、またＫ化合物とし
てＫ2Ｏ、Ｋ2Ｏ2、Ｋ2Ｓ、Ｋ2Ｓｅ、Ｋ2Ｔｅ、ＫＦ、Ｋ
Ｃｌ、ＫＢｒ、ＫＩのうち少なくとも一種類を用いて製
造することにより安定した状態でIａ族元素を［Ｃｕ
2(Ｓ,Ｓｅ)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(Ｓ,Ｓｅ)3］1-x化合
物半導体薄膜中に混入させることが可能になり、有効に
前記化合物半導体薄膜の結晶成長を促進させ、導電率を
向上させることが可能となる。
ｉ2Ｓ、Ｌｉ2Ｓｅ、Ｌｉ2Ｔｅ、ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、Ｌ
ｉＢｒ、ＬｉＩのうち少なくとも一種類を用いて、また
Ｎａ化合物としてＮａ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ2、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2
Ｓｅ、Ｎａ2Ｔｅ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、Ｎａ
Ｉのうち少なくとも一種類を用いて、またＫ化合物とし
てＫ2Ｏ、Ｋ2Ｏ2、Ｋ2Ｓ、Ｋ2Ｓｅ、Ｋ2Ｔｅ、ＫＦ、Ｋ
Ｃｌ、ＫＢｒ、ＫＩのうち少なくとも一種類を用いて製
造することにより安定した状態でIａ族元素を［Ｃｕ
2(Ｓ,Ｓｅ)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(Ｓ,Ｓｅ)3］1-x化合
物半導体薄膜中に混入させることが可能になり、有効に
前記化合物半導体薄膜の結晶成長を促進させ、導電率を
向上させることが可能となる。
【００２０】また、［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-y
Ｇａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物の構成元素に対し
て、各構成元素の単体あるいは化合物のうち少なくとも
一種類を用いて製造することにより蒸着源に多様な選択
性をもち自由度が広がるほか、精密かつ容易に組成制御
が可能となる。
Ｇａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物の構成元素に対し
て、各構成元素の単体あるいは化合物のうち少なくとも
一種類を用いて製造することにより蒸着源に多様な選択
性をもち自由度が広がるほか、精密かつ容易に組成制御
が可能となる。
【００２１】さらに、上記化合物を不活性ガスあるいは
VIｂ族元素蒸気のうち少なくとも一種類を用いた雰囲気
中で熱処理することにより［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］
x［(Ｉｎ1 -yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物薄膜に存
在する欠陥を低減させ、より高品質な薄膜作製が可能と
なる。
VIｂ族元素蒸気のうち少なくとも一種類を用いた雰囲気
中で熱処理することにより［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］
x［(Ｉｎ1 -yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物薄膜に存
在する欠陥を低減させ、より高品質な薄膜作製が可能と
なる。
【００２２】上記化合物半導体薄膜を太陽電池の光吸収
層に用いることにより高効率な薄膜太陽電池作製が可能
となる。
層に用いることにより高効率な薄膜太陽電池作製が可能
となる。
【００２３】さらに、太陽電池の光吸収層として０．１
６≦ｘ≦０．３４、０．０５≦ｙ＜０．５５、０≦ｚ≦
１．０の［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(Ｓ
zＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜を用いることにより
高効率な薄膜太陽電池作製が可能となる。
６≦ｘ≦０．３４、０．０５≦ｙ＜０．５５、０≦ｚ≦
１．０の［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(Ｓ
zＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜を用いることにより
高効率な薄膜太陽電池作製が可能となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００２５】（実施例１）本実施例におけるIａ族元素
を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)
2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜について述べ
る。図１にＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）3Ｓｅ5薄膜作製に用いた
真空容器の概略図を示す。図１の排気口７を備えた真空
容器１の内部に、基板ホルダー２と基板を加熱するタン
タルヒーター３を設け、約１μmのＭｏ膜５をコートし
たアルミナ基板４上にIａ族の蒸着源であるＮａ2Ｓ１２
を蒸着レート１００Å/min.で１０分間Ｍｏ膜上に蒸着
を行った。さらにその上にｘ＝０．２５、ｙ＝０．２、
ｚ＝０のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜６を約２μ
m形成する。Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜の堆積
に際し、Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜の主成分で
あるＣｕの蒸着源８と、Ｉｎの蒸着源９、Ｇａの蒸着源
１０、Ｓｅの蒸着源１１を用意し、各元素の同時蒸着を
行った。このとき、それぞれの蒸着源が入ったルツボの
温度を１１５０℃、８５０℃、９００℃、２００℃一定
で加熱し、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの蒸着レートが化学
量論比組成となるＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜が
得られるレートになっている。ここで基板温度は５００
℃一定とした。
を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)
2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜について述べ
る。図１にＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）3Ｓｅ5薄膜作製に用いた
真空容器の概略図を示す。図１の排気口７を備えた真空
容器１の内部に、基板ホルダー２と基板を加熱するタン
タルヒーター３を設け、約１μmのＭｏ膜５をコートし
たアルミナ基板４上にIａ族の蒸着源であるＮａ2Ｓ１２
を蒸着レート１００Å/min.で１０分間Ｍｏ膜上に蒸着
を行った。さらにその上にｘ＝０．２５、ｙ＝０．２、
ｚ＝０のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜６を約２μ
m形成する。Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜の堆積
に際し、Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜の主成分で
あるＣｕの蒸着源８と、Ｉｎの蒸着源９、Ｇａの蒸着源
１０、Ｓｅの蒸着源１１を用意し、各元素の同時蒸着を
行った。このとき、それぞれの蒸着源が入ったルツボの
温度を１１５０℃、８５０℃、９００℃、２００℃一定
で加熱し、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの蒸着レートが化学
量論比組成となるＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜が
得られるレートになっている。ここで基板温度は５００
℃一定とした。
【００２６】表１にＮａ元素を添加したＣｕ（Ｉｎ0.8
Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜とＮａ元素を添加していないＣｕ
（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜の導電率を示す。
Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜とＮａ元素を添加していないＣｕ
（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜の導電率を示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】この表よりＮａ2Ｓを同時に蒸着したＣｕ
（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜はＮａ2Ｓを同時蒸着し
なかった膜よりも約２桁導電率が増加し、太陽電池の光
吸収層に適した導電率を有していることがわかる。すな
わち、Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜にIａ族であ
るＮａを加えることによってＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）Ｓ
ｅ2の導電率を向上させることが可能となる。
（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜はＮａ2Ｓを同時蒸着し
なかった膜よりも約２桁導電率が増加し、太陽電池の光
吸収層に適した導電率を有していることがわかる。すな
わち、Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜にIａ族であ
るＮａを加えることによってＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）Ｓ
ｅ2の導電率を向上させることが可能となる。
【００２９】次に上記２種類のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）
3Ｓｅ5薄膜を太陽電池の光吸収層に適用するため、太陽
電池の作製を行った。図２に太陽電池の構成を示す。以
下にそれぞれの作製法について述べる。アルミナ基板４
の上に裏面電極であるＭｏ膜５をスパッタ法により約１
μm形成し、この上にＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄
膜５を約２μm形成する。さらにこの上に溶液析出法に
よりＣｄＳ薄膜１４を約５００Åの厚さで形成し、この
上にスパッタ法によりＺｎＯ薄膜１５を０.５μm、ＩＴ
Ｏ薄膜１６を１μmの厚さで形成した。さらに、ＩＴＯ
膜上とＭｏ薄膜の上に取り出し電極として真空蒸着法に
よりＡｕ電極１７を０.５μmの厚さで形成した。
3Ｓｅ5薄膜を太陽電池の光吸収層に適用するため、太陽
電池の作製を行った。図２に太陽電池の構成を示す。以
下にそれぞれの作製法について述べる。アルミナ基板４
の上に裏面電極であるＭｏ膜５をスパッタ法により約１
μm形成し、この上にＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄
膜５を約２μm形成する。さらにこの上に溶液析出法に
よりＣｄＳ薄膜１４を約５００Åの厚さで形成し、この
上にスパッタ法によりＺｎＯ薄膜１５を０.５μm、ＩＴ
Ｏ薄膜１６を１μmの厚さで形成した。さらに、ＩＴＯ
膜上とＭｏ薄膜の上に取り出し電極として真空蒸着法に
よりＡｕ電極１７を０.５μmの厚さで形成した。
【００３０】図３は上記Ｎａを添加したＣｕ（Ｉｎ0.8
Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜を光吸収層として用いた太陽電池
の分光感度特性を示したものである。分光感度特性の測
定はＡ.Ｍ.１．５、１００mW/cm2の条件下で行った。Ｃ
ｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜上部に形成したＩＴＯ
／ＺｎＯ／ＣｄＳがｎ形の伝導形を示すことから、ｘ＝
０．２５、ｙ＝０．２のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5
薄膜はｐ形の伝導形になっていることが考えられ、太陽
電池の光吸収層に適応することが可能である。なお、Ｎ
ａを添加していないＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜
を光吸収層として用いた同一構造の太陽電池からは分光
感度特性を得ることができなかった。すなわちIａぞく
を含有しなければｘ＝０．２５、ｙ＝０．２の条件では
Ｃｕ（Ｉｎ0 .8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜はｐ形にはならず、
光吸収層として機能しない。
Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜を光吸収層として用いた太陽電池
の分光感度特性を示したものである。分光感度特性の測
定はＡ.Ｍ.１．５、１００mW/cm2の条件下で行った。Ｃ
ｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜上部に形成したＩＴＯ
／ＺｎＯ／ＣｄＳがｎ形の伝導形を示すことから、ｘ＝
０．２５、ｙ＝０．２のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5
薄膜はｐ形の伝導形になっていることが考えられ、太陽
電池の光吸収層に適応することが可能である。なお、Ｎ
ａを添加していないＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜
を光吸収層として用いた同一構造の太陽電池からは分光
感度特性を得ることができなかった。すなわちIａぞく
を含有しなければｘ＝０．２５、ｙ＝０．２の条件では
Ｃｕ（Ｉｎ0 .8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜はｐ形にはならず、
光吸収層として機能しない。
【００３１】次にガラス基板上に作製したｙ＝０．２一
定でｘ＝０．５と０．２５のIａ族元素を含有したＣｕ
（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）Ｓｅ2、Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓ
ｅ5薄膜の透過特性から（ｈν）ｖｓ（αｈν）2をプロ
ットし、算出したバンドギャップの値を表２に示す。
定でｘ＝０．５と０．２５のIａ族元素を含有したＣｕ
（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）Ｓｅ2、Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓ
ｅ5薄膜の透過特性から（ｈν）ｖｓ（αｈν）2をプロ
ットし、算出したバンドギャップの値を表２に示す。
【００３２】
【表２】
【００３３】この表よりｘ＝０．２５の膜の方がｘ＝
０．５の膜よりもバンドギャップが大きくなっているこ
とがわかる。ここでｘ＝０．２５のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ
0.2）3Ｓｅ5の結晶構造は欠陥カルコパイライト構造で
あり、ｘ＝０．５のＣｕ（Ｉｎ0 .8Ｇａ0.2）Ｓｅ2はカ
ルコパイライト構造であることがＸ線回折の結果からわ
かっている。薄膜太陽電池の光吸収層としては太陽光ス
ペクトルとのマッチングを考えた場合、バンドギャップ
が１．４〜１．５ｅＶ程度になることが理想であるか
ら、今回作製した薄膜試料（ｙ＝０．２）では欠陥カル
コパイライト構造を持つ膜の方がより理想的なバンドギ
ャップを有していることがわかる。このことよりｘ＝
０．２５、ｙ＝０．２のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5
薄膜を太陽電池の光吸収層に適用することにより、理想
的な太陽電池作製が可能である。
０．５の膜よりもバンドギャップが大きくなっているこ
とがわかる。ここでｘ＝０．２５のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ
0.2）3Ｓｅ5の結晶構造は欠陥カルコパイライト構造で
あり、ｘ＝０．５のＣｕ（Ｉｎ0 .8Ｇａ0.2）Ｓｅ2はカ
ルコパイライト構造であることがＸ線回折の結果からわ
かっている。薄膜太陽電池の光吸収層としては太陽光ス
ペクトルとのマッチングを考えた場合、バンドギャップ
が１．４〜１．５ｅＶ程度になることが理想であるか
ら、今回作製した薄膜試料（ｙ＝０．２）では欠陥カル
コパイライト構造を持つ膜の方がより理想的なバンドギ
ャップを有していることがわかる。このことよりｘ＝
０．２５、ｙ＝０．２のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5
薄膜を太陽電池の光吸収層に適用することにより、理想
的な太陽電池作製が可能である。
【００３４】次に、欠陥カルコパイライト構造になるI
ａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ 1-z)］x［(Ｉｎ1-y
Ｇａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-xのｘの条件範囲を調べるた
めに、ｘの値をｘ＝０．１から０．５まで変化させた
［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1 -yＧａy)2(ＳzＳ
ｅ1-z)3］1-x薄膜（ｙ＝０．２、ｚ＝０）を作製した。
ａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ 1-z)］x［(Ｉｎ1-y
Ｇａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-xのｘの条件範囲を調べるた
めに、ｘの値をｘ＝０．１から０．５まで変化させた
［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1 -yＧａy)2(ＳzＳ
ｅ1-z)3］1-x薄膜（ｙ＝０．２、ｚ＝０）を作製した。
【００３５】図４に作製した薄膜試料（ｘ＝０．１、
０．３、０．５）のＸ線回折パターンを示す。ｘ＝０．
１の試料からはＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5と（Ｉｎ
0.8Ｇａ0.2）2Ｓｅ3と思われる回折パターンが得られ、
２成分が混在した形で膜形成されているものと思われ
る。これに対しｘ＝０．３の試料からは欠陥カルコパイ
ライト構造のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5相を示す回
折パターンのみが得られ、ｘ＝０．２５と同じ単一相Ｃ
ｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜が形成されていること
がわかる。またｘ＝０．５ではカルコパイライト構造の
Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）Ｓｅ2相のみが形成され、欠陥
カルコパイライト相に特有の１１０、２０２、１１４と
いったピークが観測されていないことがわかる。欠陥カ
ルコパイライト構造のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄
膜はカルコパイライト構造のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）Ｓ
ｅ2薄膜と比べて大きなバンドギャップを有し、ｙ＝
０．２ではより太陽光スペクトルにマッチしたバンドギ
ャップに近い値を持つ。以上の結果からｘ＝０．３にお
いて欠陥カルコパイライト構造を有する単一相のＣｕ
（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜が形成されていることが
わかった。
０．３、０．５）のＸ線回折パターンを示す。ｘ＝０．
１の試料からはＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5と（Ｉｎ
0.8Ｇａ0.2）2Ｓｅ3と思われる回折パターンが得られ、
２成分が混在した形で膜形成されているものと思われ
る。これに対しｘ＝０．３の試料からは欠陥カルコパイ
ライト構造のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5相を示す回
折パターンのみが得られ、ｘ＝０．２５と同じ単一相Ｃ
ｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜が形成されていること
がわかる。またｘ＝０．５ではカルコパイライト構造の
Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）Ｓｅ2相のみが形成され、欠陥
カルコパイライト相に特有の１１０、２０２、１１４と
いったピークが観測されていないことがわかる。欠陥カ
ルコパイライト構造のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄
膜はカルコパイライト構造のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）Ｓ
ｅ2薄膜と比べて大きなバンドギャップを有し、ｙ＝
０．２ではより太陽光スペクトルにマッチしたバンドギ
ャップに近い値を持つ。以上の結果からｘ＝０．３にお
いて欠陥カルコパイライト構造を有する単一相のＣｕ
（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜が形成されていることが
わかった。
【００３６】なお、ｘ＝０．３付近で欠陥カルコパイラ
イト構造となる組成領域を精密に検討を行ったところ、
０．１６≦ｘ≦０．３４の範囲において単一相の欠陥カ
ルコパイライト構造を有するＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3
Ｓｅ5薄膜が形成されていることがわかった。このこと
より０．１６≦ｘ≦０．３４の範囲においてカルコパイ
ライト構造Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）Ｓｅ2薄膜よりもバ
ンドギャップの大きな単一相欠陥カルコパイライト構造
のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜を得ることが可能
である。
イト構造となる組成領域を精密に検討を行ったところ、
０．１６≦ｘ≦０．３４の範囲において単一相の欠陥カ
ルコパイライト構造を有するＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3
Ｓｅ5薄膜が形成されていることがわかった。このこと
より０．１６≦ｘ≦０．３４の範囲においてカルコパイ
ライト構造Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）Ｓｅ2薄膜よりもバ
ンドギャップの大きな単一相欠陥カルコパイライト構造
のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜を得ることが可能
である。
【００３７】次に、光吸収層としての機能を有するIａ
族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1- z)］x［(Ｉｎ1-yＧ
ａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-xのｙの条件範囲を調べるた
め、ｙの値をｙ＝０〜１．０まで０．１刻みで変化させ
てＣｕ（Ｉｎ1-yＧａy）3Ｓｅ5薄膜（ｘ＝０．２５、ｚ
＝０）を作製した。
族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1- z)］x［(Ｉｎ1-yＧ
ａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-xのｙの条件範囲を調べるた
め、ｙの値をｙ＝０〜１．０まで０．１刻みで変化させ
てＣｕ（Ｉｎ1-yＧａy）3Ｓｅ5薄膜（ｘ＝０．２５、ｚ
＝０）を作製した。
【００３８】図５にｙ（＝Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ））の値
に対する導電率の変化を示す。この図よりｙ＝０．６以
上になると導電率が低下していることがわかる。また、
Ｎａ添加してガラス基板上に作製したＣｕ（Ｉｎ1-yＧ
ａy）3Ｓｅ5薄膜の透過特性から（ｈν）ｖｓ（αｈ
ν）2をプロットし、算出したバンドギャップを図６に
示す。この図よりｙ＝０．５付近でバンドギャップが
１．５ｅＶ程度になり、太陽電池の光吸収層としては最
適なバンドギャップであることがわかる。また、Ｇａの
含まない（ｙ＝０）ＣｕＩｎ3Ｓｅ5薄膜を用いて同じ構
造の太陽電池を作製すると量子効率が得られないことか
らＧａを含まない（ｙ＝０）ＣｕＩｎ3Ｓｅ5薄膜はｎ形
の伝導形を示し、Ｇａを含むことによって太陽電池の光
吸収層としての機能を果たし、ｐ形に変化することがわ
かる。上記の導電率、伝導形の変化と併せて考えると
０．０５≦ｙ≦０．５５の範囲において比較的導電率が
よく、最適なバンドギャップを有する光吸収層（ｐ形）
Ｃｕ（Ｉｎ1-yＧａy）3Ｓｅ5薄膜作製が可能となる。
に対する導電率の変化を示す。この図よりｙ＝０．６以
上になると導電率が低下していることがわかる。また、
Ｎａ添加してガラス基板上に作製したＣｕ（Ｉｎ1-yＧ
ａy）3Ｓｅ5薄膜の透過特性から（ｈν）ｖｓ（αｈ
ν）2をプロットし、算出したバンドギャップを図６に
示す。この図よりｙ＝０．５付近でバンドギャップが
１．５ｅＶ程度になり、太陽電池の光吸収層としては最
適なバンドギャップであることがわかる。また、Ｇａの
含まない（ｙ＝０）ＣｕＩｎ3Ｓｅ5薄膜を用いて同じ構
造の太陽電池を作製すると量子効率が得られないことか
らＧａを含まない（ｙ＝０）ＣｕＩｎ3Ｓｅ5薄膜はｎ形
の伝導形を示し、Ｇａを含むことによって太陽電池の光
吸収層としての機能を果たし、ｐ形に変化することがわ
かる。上記の導電率、伝導形の変化と併せて考えると
０．０５≦ｙ≦０．５５の範囲において比較的導電率が
よく、最適なバンドギャップを有する光吸収層（ｐ形）
Ｃｕ（Ｉｎ1-yＧａy）3Ｓｅ5薄膜作製が可能となる。
【００３９】なお、ここでは［Ｃｕ2(Ｓ,Ｓｅ)］x［(Ｉ
ｎ1-yＧａy)2(Ｓ,Ｓｅ)3］1-x化合物半導体薄膜をｚ＝
０のＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）3Ｓｅ5薄膜に限定しているが、
Ｓの入った薄膜試料に対しても同様な結果が得られてい
る。
ｎ1-yＧａy)2(Ｓ,Ｓｅ)3］1-x化合物半導体薄膜をｚ＝
０のＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）3Ｓｅ5薄膜に限定しているが、
Ｓの入った薄膜試料に対しても同様な結果が得られてい
る。
【００４０】（実施例２）次に、第２の実施例における
Iａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ
1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜につい
て述べる。薄膜作製の条件は第１の実施例とほぼ同様で
あるが、Iａ族の蒸着源としてＮａ2Ｓ１２の代わりにＬ
ｉ2Ｓを用意し、蒸着レート１００Å/min.でＭｏ膜上に
１０分間蒸着を行い、その後ｘ＝０．２５、ｙ＝０．
２、ｚ＝０のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜形成を
行い、実施例２と同様の構造の太陽電池を作製したとこ
ろ、実施例２と同様な結果を得ることができた。すなわ
ちIａ族の蒸着源はＮａ化合物に限られるものではな
い。
Iａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ
1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜につい
て述べる。薄膜作製の条件は第１の実施例とほぼ同様で
あるが、Iａ族の蒸着源としてＮａ2Ｓ１２の代わりにＬ
ｉ2Ｓを用意し、蒸着レート１００Å/min.でＭｏ膜上に
１０分間蒸着を行い、その後ｘ＝０．２５、ｙ＝０．
２、ｚ＝０のＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜形成を
行い、実施例２と同様の構造の太陽電池を作製したとこ
ろ、実施例２と同様な結果を得ることができた。すなわ
ちIａ族の蒸着源はＮａ化合物に限られるものではな
い。
【００４１】その他Ｋ化合物、あるいはそれぞれの混合
物を用いても同様の結果を得ることができた。
物を用いても同様の結果を得ることができた。
【００４２】（実施例３）次に、第３の実施例における
Iａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ
1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜につい
て述べる。薄膜作製の条件は第１の実施例とほぼ同様で
あるが、Iａ族の蒸着源であるＮａ2Ｓ１２において蒸着
レート１００Å/min.と２００Å/min.で１０分間蒸着を
行い、引き続きｘ＝０．２５、ｙ＝０．２、ｚ＝０のＣ
ｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜形成を行った。
Iａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ
1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜につい
て述べる。薄膜作製の条件は第１の実施例とほぼ同様で
あるが、Iａ族の蒸着源であるＮａ2Ｓ１２において蒸着
レート１００Å/min.と２００Å/min.で１０分間蒸着を
行い、引き続きｘ＝０．２５、ｙ＝０．２、ｚ＝０のＣ
ｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜形成を行った。
【００４３】作製したＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄
膜をＥＰＭＡにより組成分析した結果、１００Å/min.
でＮａ2Ｓを蒸着した膜からはＮａはほとんど検出され
ず、２００Å/min.でＮａ2Ｓを蒸着した膜からはＮａが
１．５mol％検出された。
膜をＥＰＭＡにより組成分析した結果、１００Å/min.
でＮａ2Ｓを蒸着した膜からはＮａはほとんど検出され
ず、２００Å/min.でＮａ2Ｓを蒸着した膜からはＮａが
１．５mol％検出された。
【００４４】これら２枚の薄膜に対し、実施例１と同様
の構造の太陽電池を作製した。その結果、２００Å/mi
n.でＮａ2Ｓを蒸着した膜の太陽電池の方が低い収集効
率を示した。これはＮａがＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓ
ｅ5薄膜に多く混入したためにＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3
Ｓｅ5の組成が変化して、その結果太陽電池特性が劣化
したものと考えられる。従ってＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）
3Ｓｅ5の組成を変化させない程度のＮａ含有量が望まし
く、１mol％を上限とすることで最適組成を有するＣｕ
（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜を太陽電池の光吸収層に
適用することが可能となる。
の構造の太陽電池を作製した。その結果、２００Å/mi
n.でＮａ2Ｓを蒸着した膜の太陽電池の方が低い収集効
率を示した。これはＮａがＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓ
ｅ5薄膜に多く混入したためにＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3
Ｓｅ5の組成が変化して、その結果太陽電池特性が劣化
したものと考えられる。従ってＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）
3Ｓｅ5の組成を変化させない程度のＮａ含有量が望まし
く、１mol％を上限とすることで最適組成を有するＣｕ
（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜を太陽電池の光吸収層に
適用することが可能となる。
【００４５】（実施例４）次に、第４の実施例における
Iａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ
1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜につい
て述べる。薄膜作製の条件は第１の実施例とほぼ同様で
あるが、Ｎａ化合物としてＮａ2Ｏ2を用いて実施例１と
同様の構造の太陽電池を作製した。その結果、実施例１
とほぼ同様の結果を得ることができた。
Iａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ
1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜につい
て述べる。薄膜作製の条件は第１の実施例とほぼ同様で
あるが、Ｎａ化合物としてＮａ2Ｏ2を用いて実施例１と
同様の構造の太陽電池を作製した。その結果、実施例１
とほぼ同様の結果を得ることができた。
【００４６】その他、Ｎａ化合物としてＮａ2Ｏ、Ｎａ2
Ｓ、Ｎａ2Ｓｅ、Ｎａ2Ｔｅ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢ
ｒ、ＮａＩ、Ｌｉ化合物としてＬｉ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ2、Ｌ
ｉ2Ｓ、Ｌｉ2Ｓｅ、Ｌｉ2Ｔｅ、ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、Ｌ
ｉＢｒ、ＬｉＩ、またＫ化合物としてＫ2Ｏ、Ｋ2Ｏ2、
Ｋ2Ｓ、Ｋ2Ｓｅ、Ｋ2Ｔｅ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、Ｋ
Ｉのうち少なくとも一種類を用いてもほぼ同様な結果を
得ることができたが、Ｎａ 2Ｓを用いた場合にその効果
がより顕著であった。
Ｓ、Ｎａ2Ｓｅ、Ｎａ2Ｔｅ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢ
ｒ、ＮａＩ、Ｌｉ化合物としてＬｉ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ2、Ｌ
ｉ2Ｓ、Ｌｉ2Ｓｅ、Ｌｉ2Ｔｅ、ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、Ｌ
ｉＢｒ、ＬｉＩ、またＫ化合物としてＫ2Ｏ、Ｋ2Ｏ2、
Ｋ2Ｓ、Ｋ2Ｓｅ、Ｋ2Ｔｅ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、Ｋ
Ｉのうち少なくとも一種類を用いてもほぼ同様な結果を
得ることができたが、Ｎａ 2Ｓを用いた場合にその効果
がより顕著であった。
【００４７】（実施例５）次に、第５の実施例における
Iａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ
1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜につい
て述べる。薄膜作製の条件は第１の実施例とほぼ同様で
あるが、Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5の蒸着源として
Ｃｕ蒸着源８、Ｉｎ蒸着源９、Ｇａ蒸着源１０、Ｓｅ蒸
着源１１の代わりにＣｕ2Ｓｅ、Ｉｎ2Ｓｅ3、Ｇａ2Ｓｅ
3を用いてそれぞれの共蒸着によりＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ
0.2）3Ｓｅ5薄膜形成を試みた。この場合も基板温度は
約５００℃である。
Iａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ
1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜につい
て述べる。薄膜作製の条件は第１の実施例とほぼ同様で
あるが、Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5の蒸着源として
Ｃｕ蒸着源８、Ｉｎ蒸着源９、Ｇａ蒸着源１０、Ｓｅ蒸
着源１１の代わりにＣｕ2Ｓｅ、Ｉｎ2Ｓｅ3、Ｇａ2Ｓｅ
3を用いてそれぞれの共蒸着によりＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ
0.2）3Ｓｅ5薄膜形成を試みた。この場合も基板温度は
約５００℃である。
【００４８】Ｘ線回折による分析結果、実施例１で作製
したＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜と同様の配向性
を示すＸ線回折パターンが得られた。また、この膜を用
いて実施例１と同様の構造の太陽電池を作製したとこ
ろ、実施例１と同程度の収集効率を得ることができた。
すなわち、Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜形成は各
々独立した各構成元素からの共蒸着に限られるものでは
ない。
したＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜と同様の配向性
を示すＸ線回折パターンが得られた。また、この膜を用
いて実施例１と同様の構造の太陽電池を作製したとこ
ろ、実施例１と同程度の収集効率を得ることができた。
すなわち、Ｃｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜形成は各
々独立した各構成元素からの共蒸着に限られるものでは
ない。
【００４９】（実施例６）次に、第６の実施例における
Iａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ
1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜につい
て述べる。薄膜作製の条件は第１の実施例とほぼ同様で
あるが、作製したＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5をＳｅ
雰囲気中４００℃、３０分間熱処理を行った。その結
果、熱処理を行わなかった試料よりもわずかながら太陽
電池特性を向上させることができた。これはＣｕ（Ｉｎ
0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜形成時に生成した欠陥を熱処理
を行うことにより低減させることができたことによるも
のと考えられる。
Iａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ
1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜につい
て述べる。薄膜作製の条件は第１の実施例とほぼ同様で
あるが、作製したＣｕ（Ｉｎ0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5をＳｅ
雰囲気中４００℃、３０分間熱処理を行った。その結
果、熱処理を行わなかった試料よりもわずかながら太陽
電池特性を向上させることができた。これはＣｕ（Ｉｎ
0.8Ｇａ0.2）3Ｓｅ5薄膜形成時に生成した欠陥を熱処理
を行うことにより低減させることができたことによるも
のと考えられる。
【００５０】その他、熱処理雰囲気として不活性ガスあ
るいはVIｂ族元素蒸気のうち少なくとも一種類を用いて
も同様な効果を得ることができた。
るいはVIｂ族元素蒸気のうち少なくとも一種類を用いて
も同様な効果を得ることができた。
【００５１】
【発明の効果】本発明により、太陽電池の光吸収層に適
した伝導形、バンドギャップを有する高品質なIａ族元
素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)
2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜を作製すること
ができ、変換効率の高い太陽電池を作製することが可能
である。
した伝導形、バンドギャップを有する高品質なIａ族元
素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)
2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半導体薄膜を作製すること
ができ、変換効率の高い太陽電池を作製することが可能
である。
【図１】本発明の一実施例におけるIａ族元素を含有し
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜形成装置の断面を示す図
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜形成装置の断面を示す図
【図２】本発明の一実施例におけるIａ族元素を含有し
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜を用いた太陽電池の断面を
示す図
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜を用いた太陽電池の断面を
示す図
【図３】本発明の一実施例におけるIａ族元素を含有し
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜を用いた太陽電池の分光感
度特性を示す図
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜を用いた太陽電池の分光感
度特性を示す図
【図４】本発明の一実施例におけるIａ族元素を含有し
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜のＸ線回折パターンを示す
図
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜のＸ線回折パターンを示す
図
【図５】本発明の一実施例におけるIａ族元素を含有し
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜の導電率を示す図
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜の導電率を示す図
【図６】本発明の一実施例におけるIａ族元素を含有し
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜のバンドギャップを示す図
た［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ
1-z)3］1-x化合物半導体薄膜のバンドギャップを示す図
１ 真空容器 ２ 基板ホルダー ３ タンタルヒーター ４ アルミナ基板 ５ Ｍｏ薄膜 ６ Ｃｕ(Ｉｎ,Ｇａ)3Ｓｅ5薄膜 ７ 排気口 ８ Ｃｕ源 ９ Ｉｎ源 １０ Ｇａ源 １１ Ｓｅ源 １２ Ｎａ2Ｓ源 １３ シャッター １４ ＣｄＳ薄膜 １５ ＺｎＯ薄膜 １６ ＩＴＯ薄膜 １７ Ａｕ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 隆博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 Iａ族元素を含有した［Ｃｕ2(ＳzＳｅ
1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａy)2(ＳzＳｅ1-z)3］1-x化合物半
導体薄膜。但し、０．１６≦ｘ≦０．３４、０．０５≦
ｙ≦０．５５、０≦ｚ≦１．０である。 - 【請求項２】 Iａ族元素がＬｉ、Ｎａ、Ｋよりなる群
から選ばれた少なくとも一種類である請求項１記載の化
合物半導体薄膜。 - 【請求項３】 Iａ族元素の含有率が１mol％を上限とす
る請求項１記載の化合物半導体薄膜。 - 【請求項４】 Iａ族元素の蒸着源がＬｉ化合物、Ｎａ
化合物、Ｋ化合物よりなる群から選ばれた少なくとも一
種類である請求項２記載の化合物半導体薄膜の製造方
法。 - 【請求項５】 Ｌｉ化合物がＬｉ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ2、Ｌｉ2
Ｓ、Ｌｉ2Ｓｅ、Ｌｉ2Ｔｅ、ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢ
ｒ、ＬｉＩよりなる群のうち少なくとも一種類である請
求項４記載の化合物半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 Ｎａ化合物がＮａ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ2、Ｎａ2
Ｓ、Ｎａ2Ｓｅ、Ｎａ2Ｔｅ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢ
ｒ、ＮａＩよりなる群のうち少なくとも一種類である請
求項４記載の化合物半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項７】 Ｋ化合物がＫ2Ｏ、Ｋ2Ｏ2、Ｋ2Ｓ、Ｋ2
Ｓｅ、Ｋ2Ｔｅ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩよりなる
群のうち少なくとも一種類である請求項４記載の化合物
半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項８】 ［Ｃｕ2(ＳzＳｅ1-z)］x［(Ｉｎ1-yＧａ
y)2(ＳzＳｅ1-z)3］1- x化合物の構成元素に対して、前
記構成元素の単体あるいは化合物よりなる群のうち少な
くとも一種類を用いて形成する請求項１記載の化合物半
導体薄膜の製造方法。 - 【請求項９】 不活性ガスあるいはVIｂ族元素蒸気より
なる群のうち少なくとも一種類を用いた雰囲気中で熱処
理する工程を含む請求項１記載の化合物半導体薄膜の製
造方法。 - 【請求項１０】 光吸収層が請求項１〜３記載の化合物
半導体薄膜よりなる太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21958096A JP3520683B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 化合物半導体薄膜とその製造方法及び太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21958096A JP3520683B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 化合物半導体薄膜とその製造方法及び太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064925A true JPH1064925A (ja) | 1998-03-06 |
| JP3520683B2 JP3520683B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=16737762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21958096A Expired - Fee Related JP3520683B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 化合物半導体薄膜とその製造方法及び太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3520683B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008078619A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-04-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、光電変換素子の製造方法及び光電変換素子 |
| JP2009076842A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-09 | Lg Electronics Inc | 太陽電池の薄膜組成用インクとその製造方法、これを利用したｃｉｇｓ薄膜型太陽電池、及びその製造方法 |
| JP2010232608A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Honda Motor Co Ltd | カルコパイライト型太陽電池の製造方法 |
| JP2013084921A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-05-09 | Fujifilm Corp | 光電変換素子および太陽電池 |
| KR101283106B1 (ko) * | 2011-11-21 | 2013-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
-
1996
- 1996-08-21 JP JP21958096A patent/JP3520683B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008078619A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-04-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、光電変換素子の製造方法及び光電変換素子 |
| JP2009076842A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-09 | Lg Electronics Inc | 太陽電池の薄膜組成用インクとその製造方法、これを利用したｃｉｇｓ薄膜型太陽電池、及びその製造方法 |
| US8597973B2 (en) | 2007-09-18 | 2013-12-03 | Lg Electronics Inc. | Ink for forming thin film of solar cells and method for preparing the same, CIGS thin film solar cell using the same and manufacturing method thereof |
| JP2010232608A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Honda Motor Co Ltd | カルコパイライト型太陽電池の製造方法 |
| JP2013084921A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-05-09 | Fujifilm Corp | 光電変換素子および太陽電池 |
| KR101283106B1 (ko) * | 2011-11-21 | 2013-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3520683B2 (ja) | 2004-04-19 |
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