JPH1064973A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH1064973A JPH1064973A JP22110496A JP22110496A JPH1064973A JP H1064973 A JPH1064973 A JP H1064973A JP 22110496 A JP22110496 A JP 22110496A JP 22110496 A JP22110496 A JP 22110496A JP H1064973 A JPH1064973 A JP H1064973A
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- semiconductor manufacturing
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 40
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、多角形搬送室の冷却用に供されていた
外面を冷却用以外の用途に使用し、枚葉式の半導体製造
の機能を向上する。 【解決手段】 カセット室１Ａ，１Ｂ・・・と反応室２
Ａ，２Ｂ・・・との間でウェーハ３を搬送するウェーハ
搬送機構４を搬送室５内に設置し、前記ウェーハ搬送機
構４の旋回範囲内の内側に冷却台６を設けることを特徴
とする。
外面を冷却用以外の用途に使用し、枚葉式の半導体製造
の機能を向上する。 【解決手段】 カセット室１Ａ，１Ｂ・・・と反応室２
Ａ，２Ｂ・・・との間でウェーハ３を搬送するウェーハ
搬送機構４を搬送室５内に設置し、前記ウェーハ搬送機
構４の旋回範囲内の内側に冷却台６を設けることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハの冷却を
行う半導体製造枚葉装置に関するものである。
行う半導体製造枚葉装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来装置の１例を示す説明用平面
図である。この従来例は、多角形の搬送室５の、例えば
２つの外面に２つのカセット室１Ａ，１Ｂを連設し、他
の２つの外面に２つの反応室２Ａ，２Ｂを連設すると共
に、その他の２つの外面に２つの冷却室７Ａ，７Ｂを取
付けた構成になっている。４はウェーハを搬送するウェ
ーハ搬送機構、９は旋回軸、１０はウェーハ保持具であ
る。
図である。この従来例は、多角形の搬送室５の、例えば
２つの外面に２つのカセット室１Ａ，１Ｂを連設し、他
の２つの外面に２つの反応室２Ａ，２Ｂを連設すると共
に、その他の２つの外面に２つの冷却室７Ａ，７Ｂを取
付けた構成になっている。４はウェーハを搬送するウェ
ーハ搬送機構、９は旋回軸、１０はウェーハ保持具であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、多角形搬送室５の少なくとも１つの外面に冷却室を
連設しているので、搬送室５の１つ以上の外面が冷却用
に供されていて、別の膜生成など他用途に使えないとい
う課題がある。
は、多角形搬送室５の少なくとも１つの外面に冷却室を
連設しているので、搬送室５の１つ以上の外面が冷却用
に供されていて、別の膜生成など他用途に使えないとい
う課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明装置は、上記従来
技術の課題を解決するため、カセット室１Ａ，１Ｂ・・
・と反応室２Ａ，２Ｂ・・・との間でウェーハ３を搬送
するウェーハ搬送機構４を搬送室５内に設置し、前記ウ
ェーハ搬送機構４の旋回範囲内の内側に冷却台６を設け
ることを特徴とする。
技術の課題を解決するため、カセット室１Ａ，１Ｂ・・
・と反応室２Ａ，２Ｂ・・・との間でウェーハ３を搬送
するウェーハ搬送機構４を搬送室５内に設置し、前記ウ
ェーハ搬送機構４の旋回範囲内の内側に冷却台６を設け
ることを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本
発明装置の実施形態を示す説明用平面図及び本発明にお
ける旋回面の高さと冷却台の高さ関係を示す図である。
本形態は、多角形搬送室５の、例えば２つの外面に２つ
のカセット室１Ａ，１Ｂを連設し、例えば他の２つの外
面に２つの反応室２Ａ，２Ｂを連設せしめ、前記カセッ
ト室１Ａ，１Ｂと反応室２Ａ，２Ｂとの間でウェーハ３
を搬送するウェーハ搬送機構４を前記搬送室５内に設置
し、前記ウェーハ搬送機構４の旋回範囲内Ｒの内側で、
冷却時に旋回面より高い位置に例えば２つの冷却台６を
設けると共に、前記ウェーハ搬送機構４又は冷却台６に
例えばウェーハ搬送機構４に昇降軸８を垂設する構成と
する。
発明装置の実施形態を示す説明用平面図及び本発明にお
ける旋回面の高さと冷却台の高さ関係を示す図である。
本形態は、多角形搬送室５の、例えば２つの外面に２つ
のカセット室１Ａ，１Ｂを連設し、例えば他の２つの外
面に２つの反応室２Ａ，２Ｂを連設せしめ、前記カセッ
ト室１Ａ，１Ｂと反応室２Ａ，２Ｂとの間でウェーハ３
を搬送するウェーハ搬送機構４を前記搬送室５内に設置
し、前記ウェーハ搬送機構４の旋回範囲内Ｒの内側で、
冷却時に旋回面より高い位置に例えば２つの冷却台６を
設けると共に、前記ウェーハ搬送機構４又は冷却台６に
例えばウェーハ搬送機構４に昇降軸８を垂設する構成と
する。
【０００６】上記の構成においてその動作を説明する。
ウェーハ搬送機構４のウェーハ保持具１０を旋回軸９を
中心に旋回してカセット室１Ａ，１Ｂのいずれか一方の
カセット室、例えば１Ａに向け、ウェーハ保持具１０を
伸長させてカセット室１Ａ内に挿入し、しかる後昇降軸
８により少しだけ上動させてウェーハ３をウェーハ保持
具１０上に移載してから、ウェーハ保持具１０を縮小し
旋回して反応室２Ａ，２Ｂのいずれか一方の反応室、例
えば２Ａに向け、ウェーハ保持具１０を伸長させてウェ
ーハ３を反応室２Ａに搬入し、しかる後、昇降軸８によ
り少しだけ下動してウェーハ３を反応室２Ａ内のサセプ
タ上に載せ、サセプタ上のウェーハを加熱しながら反応
ガスを流通させることによりウェーハ３上に膜を生成さ
せる。
ウェーハ搬送機構４のウェーハ保持具１０を旋回軸９を
中心に旋回してカセット室１Ａ，１Ｂのいずれか一方の
カセット室、例えば１Ａに向け、ウェーハ保持具１０を
伸長させてカセット室１Ａ内に挿入し、しかる後昇降軸
８により少しだけ上動させてウェーハ３をウェーハ保持
具１０上に移載してから、ウェーハ保持具１０を縮小し
旋回して反応室２Ａ，２Ｂのいずれか一方の反応室、例
えば２Ａに向け、ウェーハ保持具１０を伸長させてウェ
ーハ３を反応室２Ａに搬入し、しかる後、昇降軸８によ
り少しだけ下動してウェーハ３を反応室２Ａ内のサセプ
タ上に載せ、サセプタ上のウェーハを加熱しながら反応
ガスを流通させることによりウェーハ３上に膜を生成さ
せる。
【０００７】ウェーハ保持具１０を伸長させて反応室２
Ａ内に挿入し、しかる後、少しだけ上動させて高温のウ
ェーハ３をウェーハ保持具１０上に移動してからウェー
ハ保持具１０を縮小し旋回して冷却台７Ａ，７Ｂのいず
れか一方の、例えば冷却台７Ａ上方位置で停止させ、ウ
ェーハ保持具１０を昇降軸８により下動させて高温のウ
ェーハ３を冷却台７Ａ上に移載して冷却する。冷却した
ウェーハ３はウェーハ保持具１０に移し替え、カセット
室１Ａの空の収納溝に収納する。他の反応室２Ｂは一方
の反応室２Ａとは異なる反応生成膜の生成に供される。
反応室２Ａでウェーハ３に膜を生成し、反応室２Ｂで該
ウェーハ３の膜上に別の膜を生成したり、別々のウェー
ハに別々の膜を生成したりすることができる。両反応室
２Ａ，２Ｂで膜生成されたウェーハを冷却台７Ａ，７Ｂ
により冷却することができる。なお、昇降軸を冷却台６
に設けてこれによりウェーハの移し替えを行ってもよ
い。
Ａ内に挿入し、しかる後、少しだけ上動させて高温のウ
ェーハ３をウェーハ保持具１０上に移動してからウェー
ハ保持具１０を縮小し旋回して冷却台７Ａ，７Ｂのいず
れか一方の、例えば冷却台７Ａ上方位置で停止させ、ウ
ェーハ保持具１０を昇降軸８により下動させて高温のウ
ェーハ３を冷却台７Ａ上に移載して冷却する。冷却した
ウェーハ３はウェーハ保持具１０に移し替え、カセット
室１Ａの空の収納溝に収納する。他の反応室２Ｂは一方
の反応室２Ａとは異なる反応生成膜の生成に供される。
反応室２Ａでウェーハ３に膜を生成し、反応室２Ｂで該
ウェーハ３の膜上に別の膜を生成したり、別々のウェー
ハに別々の膜を生成したりすることができる。両反応室
２Ａ，２Ｂで膜生成されたウェーハを冷却台７Ａ，７Ｂ
により冷却することができる。なお、昇降軸を冷却台６
に設けてこれによりウェーハの移し替えを行ってもよ
い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように本発明に
よれば、従来、多角形搬送室の冷却用に供されていた外
面を冷却用以外の用途に使用することができ、枚葉式の
半導体製造の機能を向上することができる。
よれば、従来、多角形搬送室の冷却用に供されていた外
面を冷却用以外の用途に使用することができ、枚葉式の
半導体製造の機能を向上することができる。
【図１】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明装置の実施形
態を示す説明用平面図及び本発明における旋回面の高さ
と冷却台の高さ関係を示す図である。
態を示す説明用平面図及び本発明における旋回面の高さ
と冷却台の高さ関係を示す図である。
【図２】従来装置の１例を示す説明用平面図である。
１Ａ，１Ｂ カセット室 ２Ａ，２Ｂ 反応室 ３ ウェーハ ４ ウェーハ搬送機構 ５ 搬送室 ６ 冷却台 ７Ａ，７Ｂ 冷却室 ８ 昇降軸 ９ 旋回軸 １０ ウェーハ保持具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠山 克二 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 カセット室と反応室との間でウェーハを
搬送するウェーハ搬送機構を搬送室内に設置し、前記ウ
ェーハ搬送機構の旋回範囲内の内側に冷却台を設けるこ
とを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22110496A JPH1064973A (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22110496A JPH1064973A (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064973A true JPH1064973A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16761557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22110496A Pending JPH1064973A (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064973A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524897A (ja) * | 2000-02-25 | 2003-08-19 | ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド | ウェーハ処理システム |
| CN100411095C (zh) * | 2005-08-12 | 2008-08-13 | Ips有限公司 | 用于真空处理装置的腔室以及具有该腔室的装置 |
| JP2010171344A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
| JP2012192573A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Ricoh Co Ltd | 液滴吐出ヘッドの製造装置、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、及び印刷装置 |
-
1996
- 1996-08-22 JP JP22110496A patent/JPH1064973A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524897A (ja) * | 2000-02-25 | 2003-08-19 | ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド | ウェーハ処理システム |
| CN100411095C (zh) * | 2005-08-12 | 2008-08-13 | Ips有限公司 | 用于真空处理装置的腔室以及具有该腔室的装置 |
| JP2010171344A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
| JP2012192573A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Ricoh Co Ltd | 液滴吐出ヘッドの製造装置、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、及び印刷装置 |
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