JPH1065476A - LC low pass filter - Google Patents

LC low pass filter

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JPH1065476A
JPH1065476A JP24113696A JP24113696A JPH1065476A JP H1065476 A JPH1065476 A JP H1065476A JP 24113696 A JP24113696 A JP 24113696A JP 24113696 A JP24113696 A JP 24113696A JP H1065476 A JPH1065476 A JP H1065476A
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JP
Japan
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capacitor
thin film
conductive layer
spiral
electrode
Prior art date
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Application number
JP24113696A
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Japanese (ja)
Inventor
Michiya Arakawa
美智也 荒川
Takeshi Ito
伊藤  剛
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 共振用コンデンサをインダクタに並列接続す
るようにして減衰極を急峻とする手段にあって、部品点
数を増加することなく、容易に共振用コンデンサを形成
し得るようにする。 【解決手段】 中心に向けてとぐろ状に巻回したスパイ
ラルインダクタL1 ,L2 が形成され、その上に被覆し
た誘電薄膜10上に、接続路17a,17bをスパイラ
ルインダクタL1 ,L2 の中心から外方へ延出するよう
に形成したものにあって、前記接続路17a,17b
に、スパイラルインダクタL1 ,L2 の外側巻回部と前
記誘電薄膜10を介して対向するコンデンサ電極となる
張出し導体部x,xを延成し、これにより、インダクタ
1 ,L2 と並列接続される共振用コンデンサCx ,C
x を構成して、自己共振するようにした。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a means for connecting a resonance capacitor in parallel with an inductor so as to sharpen an attenuation pole, and to easily connect a resonance capacitor without increasing the number of parts. So that it can be formed. SOLUTION: Spiral inductors L 1 , L 2 wound in a coiling shape toward the center are formed, and connection paths 17a, 17b are formed on the dielectric thin film 10 covered thereon by spiral inductors L 1 , L 2 . The connection paths 17a and 17b are formed so as to extend outward from the center.
In addition, extending conductor portions x, x serving as capacitor electrodes facing the outer winding portions of the spiral inductors L 1 , L 2 via the dielectric thin film 10 are extended, so that they are parallel to the inductors L 1 , L 2. Connected resonance capacitors C x , C
x was configured to self-resonate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話や自動車
電話等の各種無線通信機器に使用されるLCローパスフ
ィルタに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an LC low-pass filter used for various wireless communication devices such as a mobile phone and a car phone.

【0002】[0002]

【従来の技術】ローパスフィルタは、特定周波数以下の
低周波信号を通過させて、所定以上の高調波信号を除去
する濾波機能を生ずるものであり、インダクタと、コン
デンサを組み合わせてなるLCローパスフィルタが知ら
れている。このLCローパスフィルタは、複数のコンデ
ンサC1 ,C2 ,C3 を並列に形成して一端をアース接
続し、各コンデンサC1 ,C2 ,C3 の他端間に夫々イ
ンダクタL1 ,L2 を位置させて、各インダクタL1
2 を直列接続するようにして構成される(図8参
照)。
2. Description of the Related Art A low-pass filter provides a filtering function of passing a low-frequency signal of a specific frequency or lower and removing a harmonic signal of a predetermined frequency or more. An LC low-pass filter comprising a combination of an inductor and a capacitor is used. Are known. In this LC low-pass filter, a plurality of capacitors C 1 , C 2 , C 3 are formed in parallel, one end is connected to ground, and inductors L 1 , L 2 are respectively connected between the other ends of the capacitors C 1 , C 2 , C 3. 2 and each inductor L 1 ,
The L 2 configured so as to serially connect (see FIG. 8).

【0003】従来のLCローパスフィルタは、誘電体シ
ート上に導電層を印刷法でメタライズして、一体焼成し
たものや、チップインダクタやチップコンデンサの部品
を個別に実装して構成したものが一般的である。一方、
近年では、電子機器の小型化、高密度化、低価格化に対
する要望が高まっている。そして、これらの要求に対応
するためにはインダクタやコンデンサの個別の部品を小
型化する必要があった。ところで、上述した従来のLC
ローパスフィルタにあって、誘電体シート上に、メタラ
イズ印刷し、一体焼成したものは、容量密度に限界があ
るため、一層の小型化は困難であった。また、従来のメ
タライズ印刷焼成法では、メタライズ中の不純物や面粗
さのため高周波領域での損失の増大が問題となってい
た。さらに、チップインダクタ等を、外付する構成にあ
っては、部品点数が増大し、製造が面倒になると共に、
やはり小型化の障害となっていた、
A conventional LC low-pass filter is generally formed by metalizing a conductive layer on a dielectric sheet by a printing method and firing it integrally, or by separately mounting components of a chip inductor and a chip capacitor. It is. on the other hand,
In recent years, there has been an increasing demand for miniaturization, higher density, and lower price of electronic devices. In order to meet these demands, it was necessary to reduce the size of individual components such as inductors and capacitors. By the way, the above-mentioned conventional LC
In the case of a low-pass filter, a metal sheet printed on a dielectric sheet and baked integrally has a limit in capacity density, so that further miniaturization has been difficult. Further, in the conventional metallization printing and firing method, an increase in loss in a high frequency region due to impurities and surface roughness during metallization has been a problem. Furthermore, in a configuration in which a chip inductor or the like is externally attached, the number of parts increases, and manufacturing becomes troublesome.
After all, it was an obstacle to miniaturization,

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】この種、ローパスフィ
ルタにあっては、図9で示すように、低周波側の通過域
から高周波側の阻止域に移行する減衰域の勾配(減衰極
から必要減衰量に至るまでの勾配)を急峻にすることに
より、選択性の良い、特性の優れたものを実現すること
ができ、このため、減衰極xを急峻にして減衰域の勾配
を大きくするために、種々の方法が採用されている。
In this type of low-pass filter, as shown in FIG. 9, a gradient of an attenuation region (a required region from an attenuation pole to a transition region from a low-frequency side pass band to a high-frequency side stop band). By steepening the gradient up to the amount of attenuation, it is possible to realize a material having excellent selectivity and excellent characteristics. Therefore, it is necessary to increase the gradient of the attenuation region by increasing the attenuation pole x. Various methods have been adopted.

【0005】この従来方法としては、ローパスフィルタ
の減衰極を急峻にするためには、チェビシェフ型のロー
パスフィルタの設計法に従って、通過帯域のリップル量
を大きくする方法が良く知られている。しかるに、この
方法にあっては、通過帯域のリップル量を大きくするた
めに、通過帯域幅が狭くなるという欠点がある。
As a conventional method, a method of increasing the amount of ripple in a pass band in accordance with a Chebyshev type low-pass filter design method for steepening the attenuation pole of the low-pass filter is well known. However, this method has a drawback that the pass band width is narrowed in order to increase the amount of ripple in the pass band.

【0006】一方、他の一般的方法としては、図8のイ
ンダクタL1 ,L2 と並列となる共振用コンデンサCX
を外付部材を介して形成し、これにより減衰極を形成す
るものがある。ところが、かかるコンデンサは、通常外
付けとしているため、部品点数が多くなり、フィルタの
小型化に対応できないという問題点がある。
On the other hand, as another general method, a resonance capacitor C X in parallel with the inductors L 1 and L 2 shown in FIG.
Is formed via an external member, thereby forming an attenuation pole. However, since such a capacitor is usually provided externally, the number of components is increased, and there is a problem that the filter cannot be reduced in size.

【0007】本発明は、上述のように、共振用コンデン
サをインダクタに並列接続するようにして減衰極を急峻
とする手段にあって、部品点数を増加することなく、簡
易に共振用コンデンサを形成し得る構成を提供しようと
するものである。
According to the present invention, as described above, the resonance capacitor is connected in parallel to the inductor so as to sharpen the attenuation pole, and the resonance capacitor can be easily formed without increasing the number of components. It is intended to provide a configuration that can be performed.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、中心に向けて
とぐろ状に巻回したスパイラルインダクタを備える導電
層を備え、該導電層上に被覆した誘電薄膜上に、接続路
をスパイラルインダクタの中心から外方へ延出するよう
に形成して、該接続路の端部とスパイラルインダクタの
中心とを電気的に接続するようにしたLCローパスフィ
ルタにおいて、前記接続路にスパイラルインダクタの一
部と前記誘電薄膜を介して対向するコンデンサ電極とな
る張出し導体部を延成したことを特徴とするものであ
る。
According to the present invention, there is provided a conductive layer having a spiral inductor wound in a coil shape toward the center, and a connection path of the spiral inductor is formed on a dielectric thin film coated on the conductive layer. In an LC low-pass filter formed so as to extend outward from the center and electrically connect an end of the connection path to the center of the spiral inductor, a part of the spiral inductor is connected to the connection path. An overhanging conductor portion serving as an opposing capacitor electrode is extended through the dielectric thin film.

【0009】この構成にあって、前記接続路に、スパイ
ラルインダクタの一部とで共振用コンデンサを形成する
張出し導体部を延成することにより、インダクタと共振
用コンデンサとが並列接続されて、自己共振する。そし
てこの自己共振周波数は、張出し導体部の幅、形状によ
り選定される。
In this configuration, by extending a projecting conductor portion forming a resonance capacitor with a part of the spiral inductor in the connection path, the inductor and the resonance capacitor are connected in parallel, and Resonate. The self-resonant frequency is selected according to the width and shape of the overhanging conductor.

【0010】かかる、構成を用いて、入力側コンデン
サ,中間コンデンサ及び出力側コンデンサが並列に形成
されると共に、夫々の一端がアース接続され、各コンデ
ンサの他端間に二つのスパイラルインダクタが位置し
て、両スパイラルインダクタが直列接続される回路構成
を次のように構成し得る。
With this configuration, the input-side capacitor, the intermediate capacitor, and the output-side capacitor are formed in parallel, one end of each is grounded, and two spiral inductors are located between the other ends of the capacitors. Thus, a circuit configuration in which both spiral inductors are connected in series can be configured as follows.

【0011】すなわち、絶縁基板上に第一の導電層を形
成し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、そ
の上面に第二の導電層を形成してなり、その積層構造の
半面部をコンデンサ形成領域とし、他半面部をインダク
タ形成領域とし、前記インダクタ形成領域にあっては、
一方の導電層に、中心に向けてとぐろ状に巻回したスパ
イラルインダクタを二つ並成し、前記コンデンサ形成領
域にあっては、一方の導電層の、その中間部に、中間デ
ンデンサの電極を形成して、両スパイラルインダクタの
外側巻回部と接続すると共に、該コンデンサ電極の両側
にアース電極を形成し、さらに、他方の導電層の、その
両側部に、入力側と、出力側のコンデンサの電極を夫々
形成し、かつ該電極から、二つのスパイラルインダクタ
の中心の直上位置まで、接続路を延出すると共に、他方
の導電層の、両コンデンサ電極の中間部に、アース電極
を形成し、さらに、前記誘電薄膜に形成した導通孔を介
して、前記接続路の延出端と、スパイラルインダクタの
中心とを電気的に接続するようにし、これにより、前記
誘電薄膜を介してコンデンサ電極と、アース電極を対峙
させて、入力側コンデンサ,中間コンデンサ及び出力側
コンデンサを並列に形成して一端をアース接続し、各コ
ンデンサの他端間に夫々スパイラルインダクタを位置さ
せて、両スパイラルインダクタを直列接続するようにし
て構成すると共に、前記接続路にスパイラルインダクタ
の一部と前記誘電薄膜を介して対向するコンデンサ電極
となる張出し導体部を延成したことを特徴とするもので
ある。
That is, a first conductive layer is formed on an insulating substrate, a dielectric thin film is further laminated on the insulating substrate, and a second conductive layer is formed on an upper surface thereof. The half surface portion is a capacitor formation region, the other half surface portion is an inductor formation region, and in the inductor formation region,
In one conductive layer, two spiral inductors wound in a coiling shape toward the center are arranged in parallel, and in the capacitor forming region, an electrode of an intermediate capacitor is provided in an intermediate portion of one conductive layer. And connected to the outer windings of the two spiral inductors, ground electrodes are formed on both sides of the capacitor electrode, and the input and output capacitors of the other conductive layer are formed on both sides thereof. And a connection path is extended from the electrode to a position immediately above the center of the two spiral inductors, and a ground electrode is formed in the other conductive layer in the middle of the two capacitor electrodes. Further, the extension end of the connection path and the center of the spiral inductor are electrically connected to each other through a conductive hole formed in the dielectric thin film, and thereby, The input capacitor, the intermediate capacitor and the output capacitor are formed in parallel with the capacitor electrode and the ground electrode facing each other, one end is connected to ground, and the spiral inductor is located between the other ends of each capacitor. An inductor is connected in series, and an extension conductor portion serving as a capacitor electrode facing a part of the spiral inductor via the dielectric thin film is extended in the connection path.

【0012】かかる構成にあって、絶縁基板上に第一の
導電層を形成し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積
層して、その上面に第二の導電層を形成するだけで、L
Cローパスフィルタが構成されることとなる。尚、上述
の一方の導電層とは、第一,第二の導電層のうちいずれ
でも良く、従って他方の導電層とは、第一,第二の導電
層のうち残余の導電層となる。
In such a configuration, a first conductive layer is formed on an insulating substrate, a dielectric thin film is further laminated on the insulating substrate, and a second conductive layer is formed on the upper surface thereof. L
A C low-pass filter is configured. The above-mentioned one conductive layer may be any of the first and second conductive layers, and therefore, the other conductive layer is the remaining conductive layer of the first and second conductive layers.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】図1〜5は本発明に係るLCロー
パスフィルタ1を示す。このLCローパスフィルタ1
は、入力側コンデンサC1 ,中間コンデンサC2 及び出
力側コンデンサC3 が並列に形成されると共に、夫々の
一端がアース接続され、コンデンサC1,C2 の他端間
にスパイラルインダクタL1 が、コンデンサC2 ,C3
の他端間にスパイラルインダクタL2 が位置して、両ス
パイラルインダクタL1 ,L2 が直列接続され、図8の
等価回路を構成するようにしたものである。
1 to 5 show an LC low-pass filter 1 according to the present invention. This LC low pass filter 1
The input capacitor C 1 , the intermediate capacitor C 2 and the output capacitor C 3 are formed in parallel, one end of each is connected to ground, and a spiral inductor L 1 is connected between the other ends of the capacitors C 1 and C 2. , Capacitors C 2 , C 3
Located spiral inductor L 2 is between the other end of both spiral inductor L 1, L 2 are connected in series, in which so as to constitute an equivalent circuit of FIG.

【0014】ここでアルミナ基板からなる絶縁基板2
は、厚が0.635mmである。この絶縁基板2には第
一の導電層3が銅メッキ法により形成される。また該絶
縁基板2上には、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からな
る誘電薄膜4がスピンコ−ト法等により積層される。さ
らに、該誘電薄膜4上には第二の導電層10が銅メッキ
法により形成される。前記第一の導電層3の銅被膜の厚
は5μmである。また前記誘電薄膜4は厚が3μmであ
り、さらに第二の導電層10の銅被膜の厚は5μmであ
る。
Here, an insulating substrate 2 made of an alumina substrate
Has a thickness of 0.635 mm. A first conductive layer 3 is formed on the insulating substrate 2 by a copper plating method. A dielectric thin film 4 made of an organic insulating film such as a polyimide resin is laminated on the insulating substrate 2 by a spin coating method or the like. Further, a second conductive layer 10 is formed on the dielectric thin film 4 by a copper plating method. The thickness of the copper film of the first conductive layer 3 is 5 μm. The thickness of the dielectric thin film 4 is 3 μm, and the thickness of the copper film of the second conductive layer 10 is 5 μm.

【0015】この各絶縁基板2,誘電薄膜4は、いずれ
も、例えば3mm角の正方形状等、十分小さなものとす
ることができ、その総厚は、0.7mm以下の極薄状と
なっている。
Each of the insulating substrate 2 and the dielectric thin film 4 can be made sufficiently small such as, for example, a square of 3 mm square, and the total thickness thereof is an extremely thin shape of 0.7 mm or less. I have.

【0016】そしてこの積層構造の半面部をコンデンサ
形成領域F1 とし、他半面部をインダクタ形成領域F2
としている。
A half surface of the laminated structure is defined as a capacitor formation region F 1 , and the other half is defined as an inductor formation region F 2.
And

【0017】このインダクタ形成領域F2 にあっては、
前記第一の導電層3には、外側から、中心に向けて、と
ぐろ状に巻回したスパイラルインダクタL1 ,L2 が二
つ並成される。
In the inductor forming region F 2 ,
On the first conductive layer 3, two spiral inductors L 1 and L 2 wound in a coiling shape from the outside toward the center are arranged in parallel.

【0018】一方、前記コンデンサ形成領域F1 にあっ
ては、第一の導電層3の、その中間部に、中間デンデン
サC2 の電極6を形成して、その内側中心位置で、両ス
パイラルインダクタL1 ,L2 の外側巻回部7a,7b
と接続するようにしている。また、該コンデンサ電極6
の両側にアース電極8a,8bを形成している。このア
ース電極8a,8bは、前記スパイラルインダクタL
1 ,L2 の周囲にも形成され、さらにスパイラルインダ
クタL1 ,L2 間にはアース電極層8cが延出されてい
る。すなわち、二つのスパイラルインダクタL1 ,L2
と、中間コンデンサC2 の電極6を除く全面に、アース
電極層8が形成されている。
Meanwhile, the In the capacitor formation region F 1, the first conductive layer 3, the intermediate portion thereof, to form the electrode 6 of the intermediate Dendensa C 2, at its inner central position, both the spiral inductor L 1, L 2 of the outer winding portion 7a, 7b
I try to connect with. The capacitor electrode 6
Are formed on both sides of the ground electrode 8a, 8b. The ground electrodes 8a and 8b are connected to the spiral inductor L
1, to the periphery of L 2 is formed, is further extended ground electrode layer 8c it is in between the spiral inductor L 1, L 2. That is, the two spiral inductors L 1 and L 2
If, on the entire surface excluding the electrodes 6 of the intermediate capacitor C 2, the grounding electrode layer 8 is formed.

【0019】さらに、誘電薄膜4上に形成される第二の
導電層10の、その両側部に、入力側コンデンサC1
と、出力側コンデンサC3 の電極16a,16bを夫々
形成し、かつ該電極から、二つのスパイラルインダクタ
1 ,L2 の中心の直上位置まで、接続路17a,17
bを延出している。この接続路17a,17bは、本発
明の要部を構成し、図4で拡大して示すように、該接続
路17a,17bから、張出し導体部x,xが夫々延成
される。この張出し導体部xは、スパイラルインダクタ
1 ,L2 の外側巻回部7a,7bと、誘電薄膜4を介
して上下で対向している。このため、張出し導体部x,
xがコンデンサ電極となり、外側巻回部7a,7b、誘
電薄膜4及び張出し導体部x,xにより、共振用コンデ
ンサCx が構成されることとなる。
Further, on both sides of the second conductive layer 10 formed on the dielectric thin film 4, an input-side capacitor C 1 is provided.
When, the output side capacitor C 3 of the electrode 16a, 16b to respectively form, and from the electrodes, to a position directly above the center of the two spiral inductors L 1, L 2, the connecting channel 17a, 17
b is extended. The connection paths 17a and 17b constitute a main part of the present invention, and as shown in an enlarged manner in FIG. 4, projecting conductor portions x and x extend from the connection paths 17a and 17b, respectively. The overhanging conductor portion x is spiral inductor L 1, L 2 of the outer winding portion 7a, and 7b, they are opposed to each other in the up and down through the dielectric thin film 4. For this reason, the overhanging conductor portions x,
x is a capacitor electrode, the outer winding portion 7a, 7b, the dielectric thin film 4 and the overhang conductor portions x, through x, so that the resonance capacitor C x is configured.

【0020】このように、第二の導電層10は、接続路
17a,17bを除いて、前記コンデンサ形成領域F1
のみに形成され、このコンデンサ形成領域F1 の、両コ
ンデンサ電極16a,16bの中間部に、アース電極1
8を形成するようにしている。
As described above, the second conductive layer 10, except for the connection paths 17a and 17b, forms the capacitor forming region F 1.
Only it is formed, the capacitor formation region F 1, the two capacitor electrodes 16a, the intermediate portion of the 16b, the ground electrode 1
8 is formed.

【0021】さらに、前記誘電薄膜4には、スパイラル
インダクタL1 ,L2 の中心の直上位置で、導通孔2
0,20が形成され、該導通孔20,20を介して、前
記接続路177a,17bの延出端と、スパイラルイン
ダクタL1 ,L2 の中心とを電気的に接続するようにし
ている。さらには、前記アース電極18には、導通孔2
1,21が形成され、前記アース電極8a,8bとの接
続を確保するようにしている。さらには、前記絶縁基板
2の下面にも、図5で示すように、アース電極25が形
成されている。
Furthermore, wherein the dielectric thin film 4, at a position directly above the center of the spiral inductors L 1, L 2, through hole 2
The extended ends of the connection paths 177a and 17b and the centers of the spiral inductors L 1 and L 2 are electrically connected to each other through the conduction holes 20 and 20. Further, the ground electrode 18 has a conductive hole 2
1, 21 are formed to ensure connection with the ground electrodes 8a, 8b. Further, a ground electrode 25 is formed on the lower surface of the insulating substrate 2 as shown in FIG.

【0022】しかして、これにより、前記誘電薄膜4を
介してコンデンサ電極16aとアース電極8aとが、コ
ンデンサ電極6とアース電極18とが、コンデンサ電極
16bとアース電極8bとが夫々対峙して、入力側コン
デンサC1 ,中間コンデンサC2 及び出力側コンデンサ
3 が並列に配設されることとなる。また、各コンデン
サの夫々の一端がアース接続される。そして、入力側コ
ンデンサC1 と中間コンデンサC2 の他端間にスパイラ
ルインダクタL1 が位置し、中間コンデンサC2 と出力
側コンデンサC3 の他端間にスパイラルインダクタL2
が位置すると共に、両スパイラルインダクタL1 ,L2
が直列接続する。
Thus, the capacitor electrode 16a and the earth electrode 8a, the capacitor electrode 6 and the earth electrode 18, and the capacitor electrode 16b and the earth electrode 8b face each other through the dielectric thin film 4, respectively. The input side capacitor C 1 , the intermediate capacitor C 2 and the output side capacitor C 3 are arranged in parallel. One end of each capacitor is grounded. Then, the input-side capacitor C 1 and the spiral inductor L 1 between the other end of the intermediate capacitor C 2 is located, the spiral inductor L 2 between the other end of the intermediate capacitor C 2 and the output side capacitor C 3
Are located, and both spiral inductors L 1 , L 2
Are connected in series.

【0023】さらに一方、外側巻回部7a,7b、誘電
薄膜4及び張出し導体部x,xにより構成される共振用
コンデンサCx ,Cx が、インダクタL1 ,L2 と並列
接続される。そしてこれにより、自己共振を生じさせる
ことができ、減衰極が形成されて、減衰域にあって、共
振周波数と、出力との関係が急峻な勾配となる。この自
己共振周波数は、張出し導体部x,xの形状を変えて、
共振用コンデンサCx,Cx の容量値を選定することに
より、随意に設定することとなる。而して、図8で示
す、等価回路が構成されることとなる。
On the other hand, resonance capacitors C x and C x composed of the outer winding portions 7a and 7b, the dielectric thin film 4 and the overhanging conductor portions x and x are connected in parallel with the inductors L 1 and L 2 . As a result, self-resonance can be generated, an attenuation pole is formed, and the relationship between the resonance frequency and the output has a steep gradient in the attenuation region. This self-resonant frequency changes the shape of the overhanging conductor portions x, x,
It is arbitrarily set by selecting the capacitance values of the resonance capacitors C x and C x . Thus, an equivalent circuit shown in FIG. 8 is formed.

【0024】かかる構成にあっては、絶縁基板2上に、
銅メッキ法により、第一の導電層3を形成し、次に、ス
ピンコート法で、誘電薄膜4を形成し、さらに銅メッキ
法により第二の導電層10を形成し、これにより各層を
順次形成することにより、小型のLCローパスフィルタ
を容易に製造することができる。従って、第二の導電層
10の形成時に、張出し導体部x,xを同時的に形成す
るだけで、その減衰域の幅を調整でき、選択性の良い、
ローパスフィルタを、他の構成を付加することなく形成
できることとなる。
In such a configuration, on the insulating substrate 2,
A first conductive layer 3 is formed by a copper plating method, then a dielectric thin film 4 is formed by a spin coating method, and a second conductive layer 10 is further formed by a copper plating method. By forming, a small LC low-pass filter can be easily manufactured. Therefore, when the second conductive layer 10 is formed, the width of the attenuation region can be adjusted only by simultaneously forming the overhanging conductor portions x, x, and the selectivity is high.
The low-pass filter can be formed without adding another configuration.

【0025】ここで、前記張出し導体部x,xを形成し
た本発明のLCローパスフィルタの周波数特性を図6で
示し、同様の構成で、しかも張出し導体部x,xのみが
形成されない対比品のLCローパスフィルタの周波数特
性を図7で示す。ここで、前記張出し導体部x,xの幅
及び突出度は、幅0.15mm、突出度0.5mmであ
る。
Here, FIG. 6 shows the frequency characteristics of the LC low-pass filter of the present invention in which the overhanging conductor portions x, x are formed. FIG. 7 shows the frequency characteristics of the LC low-pass filter. Here, the width and the degree of protrusion of the overhanging conductor parts x, x are 0.15 mm in width and 0.5 mm in degree of protrusion.

【0026】この周波数特性から、張出し導体部x,x
の形成により、減衰域の幅が狭くなり、減衰量が大き
く、選択性のよいローパスフィルタを提供し得ることが
理解される。
From these frequency characteristics, it can be seen that the overhanging conductor portions x, x
It can be understood that the formation of (1) reduces the width of the attenuation region, increases the amount of attenuation, and provides a low-pass filter with good selectivity.

【0027】上記の構成に代えて、絶縁基板2上に形成
される第一の導電層3に、コンデンサ電極16a,16
bとアース電極18を形成し、誘電薄膜4上に形成され
る第二導電層10に、スパイラルインダクタL1 ,L
2 ,コンデンサ電極6,アース電極8a,8bを形成す
るようにしても良い。すなわち、第一の導電層3,10
の形成内容は、互換可能である。
Instead of the above configuration, the first conductive layer 3 formed on the insulating substrate 2 has the capacitor electrodes 16a, 16
b and ground electrode 18, and spiral inductors L 1 , L
2 , the capacitor electrode 6 and the ground electrodes 8a and 8b may be formed. That is, the first conductive layers 3 and 10
Are interchangeable.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明は、中心に向けてとぐろ状に巻回
したスパイラルインダクタを備える導電層を備え、該導
電層上に被覆した誘電薄膜上に、接続路をスパイラルイ
ンダクタの中心から外方へ延出するように形成したもの
にあって、前記接続路に、スパイラルインダクタの一部
と前記誘電薄膜を介して対向するコンデンサ電極となる
張出し導体部を延成し、これにより、インダクタと並列
接続される共振用コンデンサを構成して、自己共振する
ようにしたものであるから、単にインダクタと接続する
ための接続路を形成する際に、張出し導体部を同時的に
形成するだけで、減衰域の出力勾配を急峻にでき、減衰
量が大きく、選択性のよいローパスフィルタを提供し得
る。また、かかる構成にあっては、張出し導体部の形状
を選定するだけで、共振周波数を設定でき、調整が容易
となる。さらには、共振用コンデンサのための外付部材
を要しないから、構造が簡易となり、小型化に対応でき
る。
According to the present invention, there is provided a conductive layer having a spiral inductor wound around the center of the spiral inductor, and a connection path is formed on a dielectric thin film coated on the conductive layer from the center of the spiral inductor. In the connection path, a projecting conductor portion serving as a capacitor electrode facing a part of the spiral inductor via the dielectric thin film is extended in the connection path, whereby the inductor is connected in parallel with the inductor. Since the self-resonant capacitor is configured by forming a resonance capacitor to be connected, when forming a connection path for connecting to the inductor, attenuation It is possible to provide a low-pass filter having a high selectivity, a large attenuation, and a high selectivity. Further, in such a configuration, the resonance frequency can be set simply by selecting the shape of the overhanging conductor portion, and the adjustment becomes easy. Further, since an external member for the resonance capacitor is not required, the structure is simplified, and the size can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】LCローパスフィルタ1の絶縁基板2と誘電薄
膜4を分離して示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an insulating substrate 2 and a dielectric thin film 4 of an LC low-pass filter 1 separately.

【図2】LCローパスフィルタ1の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the LC low-pass filter 1. FIG.

【図3】誘電薄膜4の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a dielectric thin film 4;

【図4】張出し導体部を示す、一部切欠拡大平面図であ
る。
FIG. 4 is a partially cutaway enlarged plan view showing an overhanging conductor portion.

【図5】LCローパスフィルタ1の縦断側面図である。FIG. 5 is a vertical sectional side view of the LC low-pass filter 1.

【図6】本発明のLCローパスフィルタの周波数特性を
示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing frequency characteristics of the LC low-pass filter of the present invention.

【図7】対比品のLCローパスフィルタの周波数特性を
示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing a frequency characteristic of an LC low-pass filter of a comparative product.

【図8】等価回路図である。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram.

【図9】ローパスフィルタの減衰域を示す波形図であ
る。
FIG. 9 is a waveform diagram showing an attenuation range of a low-pass filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 LCローパスフィルタ 2 絶縁基板 3 第一の導電層 4 誘電薄膜 8a,8b アース電極 10 第二の導電層 16a,16b コンデンサ電極 17a,17b 接続路 18 アース電極 20 導通孔 L1 ,L2 インダクタ C1 ,C2 ,C3 コンデンサ x 張出し導体部1 LC low-pass filter 2 insulating substrate 3 first conductive layer 4 dielectric film 8a, 8b ground electrode 10 the second conductive layer 16a, 16b capacitor electrodes 17a, 17b connecting channel 18 ground electrode 20 through hole L 1, L 2 inductor C 1 , C 2 , C 3 capacitor x overhanging conductor

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】中心に向けてとぐろ状に巻回したスパイラ
ルインダクタを備える導電層を備え、該導電層上に被覆
した誘電薄膜上に、接続路をスパイラルインダクタの中
心から外方へ延出するように形成して、該接続路の端部
とスパイラルインダクタの中心とを電気的に接続するよ
うにしたLCローパスフィルタにおいて、 前記接続路にスパイラルインダクタの一部と前記誘電薄
膜を介して対向するコンデンサ電極となる張出し導体部
を延成したことを特徴とするLCローパスフィルタ。
A conductive layer having a spiral inductor wound in a coiling shape toward the center is provided, and a connection path extends outward from the center of the spiral inductor on a dielectric thin film coated on the conductive layer. The LC low-pass filter is formed so as to electrically connect the end of the connection path to the center of the spiral inductor, and faces the connection path with a part of the spiral inductor via the dielectric thin film. An LC low-pass filter characterized by extending a projecting conductor portion serving as a capacitor electrode.
【請求項2】絶縁基板上に第一の導電層を形成し、さら
に、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、その上面に第
二の導電層を形成してなり、その積層構造の半面部をコ
ンデンサ形成領域とし、他半面部をインダクタ形成領域
とし、前記インダクタ形成領域にあっては、一方の導電
層に、中心に向けてとぐろ状に巻回したスパイラルイン
ダクタを二つ並成し、前記コンデンサ形成領域にあって
は、一方の導電層の、その中間部に、中間デンデンサの
電極を形成して、両スパイラルインダクタの外側巻回部
と接続すると共に、該コンデンサ電極の両側にアース電
極を形成し、さらに、他方の導電層の、その両側部に、
入力側と、出力側のコンデンサの電極を夫々形成し、か
つ該電極から、二つのスパイラルインダクタの中心の直
上位置まで、接続路を延出すると共に、他方の導電層
の、両コンデンサ電極の中間部に、アース電極を形成
し、さらに、前記誘電薄膜に形成した導通孔を介して、
前記接続路の延出端と、スパイラルインダクタの中心と
を電気的に接続するようにし、これにより、前記誘電薄
膜を介してコンデンサ電極と、アース電極を対峙させ
て、入力側コンデンサ,中間コンデンサ及び出力側コン
デンサを並列に形成して一端をアース接続し、各コンデ
ンサの他端間に夫々スパイラルインダクタを位置させ
て、両スパイラルインダクタを直列接続するようにして
構成すると共に、 前記接続路にスパイラルインダクタの一部と前記誘電薄
膜を介して対向するコンデンサ電極となる張出し導体部
を延成したことを特徴とするLCローパスフィルタ。
A first conductive layer formed on an insulating substrate, a dielectric thin film laminated on the insulating substrate, and a second conductive layer formed on an upper surface thereof; The half surface portion is a capacitor forming region, the other half surface portion is an inductor forming region, and in the inductor forming region, two spiral inductors wound in a spiral shape toward the center are arranged in one conductive layer. In the capacitor forming region, an electrode of an intermediate capacitor is formed at an intermediate portion of one of the conductive layers to be connected to outer winding portions of both spiral inductors, and grounds are provided on both sides of the capacitor electrode. Forming an electrode, and further, on both sides of the other conductive layer,
The input side and the output side of the capacitor electrode are formed respectively, and the connection path is extended from the electrode to a position immediately above the center of the two spiral inductors, and the other conductive layer is provided between the two capacitor electrodes. In the part, a ground electrode is formed, and further, through a conduction hole formed in the dielectric thin film,
The extended end of the connection path is electrically connected to the center of the spiral inductor, whereby the capacitor electrode and the ground electrode face each other via the dielectric thin film, and the input side capacitor, the intermediate capacitor and Output side capacitors are formed in parallel, one end is grounded, the spiral inductors are located between the other ends of the capacitors, and both spiral inductors are connected in series. An LC low-pass filter characterized by extending a projecting conductor portion serving as a capacitor electrode opposed to a part of the LC thin film via the dielectric thin film.
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