JPH1067510A - Silica - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はシリカに関し、さら
に詳しく言うと、焼成処理後においても高い比表面積を
有するとともに高強度を保持して、たとえば半導体の樹
脂封止剤フィラーとして好適に利用することのできるシ
リカに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to silica, and more particularly, to a silica having a high specific surface area and a high strength even after a sintering treatment, and suitably used as a filler for a resin sealant of a semiconductor, for example. Silica that can be used.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】たとえ
ば半導体の樹脂封止剤フィラーとして、天然シリカの粉
砕品あるいは溶融シリカが用いられている。2. Description of the Related Art For example, pulverized natural silica or fused silica is used as a resin sealing filler for a semiconductor.
【０００３】ところで、このような半導体の樹脂封止剤
フィラーにおいては、比表面積の高いことおよび高強度
であることが望まれる。Incidentally, it is desired that such a resin sealing agent filler for a semiconductor has a high specific surface area and a high strength.
【０００４】すなわち、樹脂封止剤フィラーの比表面積
および強度が低いと、表面処理に使用されるシランカッ
プリング剤、あるいはエポキシ樹脂組成物などのマトリ
ックス樹脂組成物と、樹脂封止剤フィラーとの接着性が
充分ではなくなって、所期の性能を有する半導体を得る
ことができない。[0004] That is, if the specific surface area and strength of the resin sealant filler are low, the silane coupling agent used for the surface treatment or the matrix resin composition such as an epoxy resin composition and the resin sealant filler are not mixed. Adhesion is not sufficient, and a semiconductor having the expected performance cannot be obtained.
【０００５】しかしながら、従来より用いられている天
然シリカの粉砕品あるいは溶融シリカにおいては、焼成
処理後の比表面積が低く、また強度も充分ではないとい
う問題がある。[0005] However, conventionally used pulverized natural silica or fused silica has a problem that the specific surface area after the calcination treatment is low and the strength is not sufficient.
【０００６】一方、金属触媒用担体としてのシリカゲル
の表面処理法として、加圧下で、水およびアルコールの
存在下に熱処理する方法が知られている（日本化学会
誌、１９８５，（６），１０１６〜１０２３頁参
照。）。On the other hand, as a surface treatment method of silica gel as a metal catalyst carrier, a method of heat treatment under pressure in the presence of water and alcohol is known (Journal of the Chemical Society of Japan, 1985, (6), 1016- See page 1023).
【０００７】ところが、この方法によって得られるシリ
カを、樹脂封止剤フィラーに用いた場合には、依然とし
て表面処理に使用されるシランカップリング剤、あるい
はエポキシ樹脂組成物などのマトリックス樹脂組成物と
シリカとの充分な接着性を達成することはできない。However, when the silica obtained by this method is used as a filler for a resin sealant, the silica is still mixed with a silane coupling agent used for surface treatment or a matrix resin composition such as an epoxy resin composition. Cannot achieve sufficient adhesion to
【０００８】したがって、焼成処理後の比表面積が高く
て、しかも高強度を保持するシリカが望まれているのが
実状である。[0008] Therefore, in reality, silica having a high specific surface area after the calcination treatment and maintaining high strength is desired.
【０００９】本発明は前記の事情に基いてなされたもの
である。The present invention has been made based on the above circumstances.
【００１０】本発明の目的は、焼成処理後においても高
い比表面積を有するとともに高強度を保持して、たとえ
ば半導体の樹脂封止剤フィラーとして好適に利用するこ
とのできるシリカを提供することにある。An object of the present invention is to provide a silica which has a high specific surface area even after a sintering treatment and maintains a high strength, and can be suitably used, for example, as a resin sealant filler for a semiconductor. .
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明者が鋭意検討を重ねた結果、焼成処理を行な
った後においても高い比表面積を有するとともに高強度
を保持する特定のシリカは、たとえば半導体の樹脂封止
剤フィラーとして用いた場合に、表面処理に使用される
シランカップリング剤、あるいはエポキシ樹脂組成物な
どのマトリックス樹脂組成物との充分な接着性を有する
こと、および特定のシリカを特定の条件下に加圧および
加熱処理すると、前述の利点を有する特定のシリカを効
率良く容易に製造することができることを見い出して、
本発明に到達した。Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have conducted intensive studies, and as a result, it has been found that a specific silica having a high specific surface area and a high strength is maintained even after firing treatment. Has sufficient adhesion to a matrix resin composition such as a silane coupling agent used for surface treatment or an epoxy resin composition when used as a resin sealant filler for semiconductors, and It has been found that when silica is subjected to pressure and heat treatment under specific conditions, specific silica having the aforementioned advantages can be efficiently and easily produced,
The present invention has been reached.
【００１２】前記課題を解決するための手段は、９５０
〜１０８０℃の温度で焼成処理した後の比表面積が５０
ｍ2 ／ｇを超え、３００ｍ2 ／ｇ以下であることを特徴
とするシリカである。Means for solving the above-mentioned problem is 950
The specific surface area after firing at a temperature of
It is a silica characterized by exceeding m 2 / g and not more than 300 m 2 / g.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】本発明のシリカは、たとえばケイ
酸エステルからゾルゲル法により得られる未処理シリカ
を焼成した後、粉砕して得ることができる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The silica of the present invention can be obtained, for example, by calcining untreated silica obtained from a silicate ester by a sol-gel method and then pulverizing the calcined silica.
【００１４】焼成温度は、９５０〜１０８０℃である。The firing temperature is 950 to 1080 ° C.
【００１５】この焼成温度が９５０℃未満であると、充
分な機械的強度を有するシリカが得られないことがあ
る。一方、１０８０℃より高くしても、それに相当する
効果は奏されず、却って高比表面積かつ高強度のシリカ
を得ることができないことがある。If the firing temperature is lower than 950 ° C., silica having sufficient mechanical strength may not be obtained. On the other hand, if the temperature is higher than 1080 ° C., the corresponding effect is not exerted, and silica having a high specific surface area and high strength may not be obtained.
【００１６】本発明のシリカの形状は、粉砕形、球状お
よび棒状のいずれであってもよい。The silica of the present invention may be in any of a pulverized form, a spherical form and a rod form.
【００１７】粉砕形の場合、その粒度分布には特に制限
はなく、用途に応じて適宜に設定することができるが、
たとえば半導体の樹脂封止剤フィラーに用いるときに
は、粒度分布に適当な幅があり、平均径８〜１５μｍで
あることが好ましい。また、球状あるいは棒状の場合に
も、平均径、平均長さ等については特に制限はなく、用
途に応じて適宜に設定することができるが、たとえば球
状シリカを半導体の樹脂封止剤フィラーに用いるときに
は、その平均径が、１〜５０μｍφであることが好まし
く、棒状シリカを半導体の樹脂封止剤フィラーに用いる
ときには、平均長さ１〜５０μｍ、平均径１〜５μｍφ
であることが好ましい。In the case of the pulverized form, the particle size distribution is not particularly limited and can be appropriately set according to the application.
For example, when used as a resin sealant filler for semiconductors, it is preferable that the particle size distribution has an appropriate width and the average diameter is 8 to 15 μm. In addition, even in the case of a spherical or rod-shaped, the average diameter, the average length, and the like are not particularly limited and can be appropriately set depending on the application. For example, spherical silica is used as a resin sealant filler for a semiconductor. In some cases, the average diameter is preferably 1 to 50 μmφ, and when rod-like silica is used as a semiconductor resin filler filler, the average length is 1 to 50 μm and the average diameter is 1 to 5 μmφ.
It is preferred that
【００１８】本発明のシリカを、たとえば半導体の樹脂
封止剤フィラーに用いると、表面処理に使用されるシラ
ンカップリング剤、あるいはエポキシ樹脂組成物などの
マトリックス樹脂組成物との充分な接着性を発揮して、
接着不良に起因する機械的強度の低下を改善することが
できる。When the silica of the present invention is used, for example, as a filler for a resin sealant of a semiconductor, sufficient adhesion to a matrix resin composition such as a silane coupling agent used for surface treatment or an epoxy resin composition can be obtained. Demonstrate,
It is possible to improve a decrease in mechanical strength due to poor adhesion.
【００１９】また、本発明のシリカは、たとえば触媒担
体、各種充填材などにも好適に利用可能である。The silica of the present invention can be suitably used, for example, as a catalyst carrier, various fillers, and the like.
【００２０】そして、このような利点を有する本発明の
シリカは、次に詳述する方法により効率良く製造するこ
とができる。The silica of the present invention having such advantages can be efficiently produced by the method described in detail below.
【００２１】本発明において、使用に供される前記未処
理シリカは、ケイ酸エステルからゾルゲル法により得ら
れるものである。In the present invention, the untreated silica to be used is obtained from a silicate ester by a sol-gel method.
【００２２】具体的には、ケイ酸エステルを加水分解し
てゾル液を調製し、次いで、このゾル液の加熱処理によ
り得られるゼリー状ゲルを以後の操作に供すれば、粉砕
形シリカを得ることができるし、前記ゾル液を疎水性媒
体中に乳化分散させた後に以後の操作に供すれば、球状
あるいは棒状のシリカを得ることができる。Specifically, a sol is prepared by hydrolyzing a silicate ester, and then the jelly-like gel obtained by heat treatment of the sol is subjected to the subsequent operations to obtain ground silica. Alternatively, if the sol is emulsified and dispersed in a hydrophobic medium and then subjected to subsequent operations, spherical or rod-shaped silica can be obtained.
【００２３】前記ケイ酸エステルとしては、たとえばテ
トラメトキシシランを好適に使用することができる。As the silicate ester, for example, tetramethoxysilane can be suitably used.
【００２４】また、球状あるいは棒状シリカを得る際に
使用される前記疎水性媒体としては、たとえば１−ブタ
ノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノー
ル、ベンゼン、トルエン、キシレンなどが挙げられる。The hydrophobic medium used for obtaining spherical or rod-shaped silica includes, for example, 1-butanol, tert-butyl alcohol, 1-pentanol, benzene, toluene, xylene and the like.
【００２５】本発明においては、次いで、前記未処理シ
リカを、圧力容器内の水中で、２〜１６ｋｇ／ｃｍ2 の
圧力下に、２〜１００時間、温度１００〜２００℃で加
熱処理する。In the present invention, the untreated silica is then heat-treated in water in a pressure vessel under a pressure of 2 to 16 kg / cm 2 for 2 to 100 hours at a temperature of 100 to 200 ° C.
【００２６】使用に供される前記圧力容器は、前記の条
件の加圧処理および加熱処理に耐えることのできるもの
であれば、特に制限はなく、たとえばオートクレーブを
好適に使用することができる。The pressure vessel to be used is not particularly limited as long as it can withstand the pressure treatment and the heat treatment under the above conditions. For example, an autoclave can be suitably used.
【００２７】前記圧力容器内に投入される水は、純度の
高いものであることが望ましく、たとえば超純水を好適
に使用することができる。The water charged into the pressure vessel is desirably of high purity, for example, ultrapure water can be suitably used.
【００２８】前記圧力容器内における前記未処理シリカ
と前記水との割合は、通常、前記水５０重量部に対して
前記未処理シリカが５０重量部以下である。前記水５０
重量部に対する前記未処理シリカの割合が５０重量部を
超えると、焼成後に高い比表面積を有するシリカが得ら
れないことがある。The ratio between the untreated silica and the water in the pressure vessel is usually 50 parts by weight or less of the untreated silica with respect to 50 parts by weight of the water. The water 50
If the ratio of the untreated silica to 50 parts by weight exceeds 50 parts by weight, silica having a high specific surface area after firing may not be obtained.
【００２９】本発明においては、通常、以下の条件下
に、前記圧力容器内の水中で、前記未処理シリカの処理
が進行する。In the present invention, the treatment of the untreated silica usually proceeds in water in the pressure vessel under the following conditions.
【００３０】すなわち、前記圧力容器内の圧力は、通
常、２〜１６ｋｇ／ｃｍ2 、好ましくは４〜１０ｋｇ／
ｃｍ2 である。この圧力が２ｋｇ／ｃｍ2 未満である
と、焼成後に高い比表面積を有するシリカが得られない
ことがある。一方、１６ｋｇ／ｃｍ2 を超えてもそれに
相当する効果は奏されないことがある。That is, the pressure in the pressure vessel is usually 2 to 16 kg / cm 2 , preferably 4 to 10 kg / cm 2 .
cm 2 . If the pressure is less than 2 kg / cm 2 , silica having a high specific surface area after firing may not be obtained. On the other hand, even if it exceeds 16 kg / cm 2 , the corresponding effect may not be exhibited.
【００３１】また、前記加熱温度は、通常、１００〜２
００℃、好ましくは１７０〜１９０℃である。この温度
が１００℃より低いと処理に長時間を要したり、焼成後
に高い比表面積を有するシリカが得られなかったりする
ことがある。一方、２００℃を超えても、それに相当す
る効果は奏されず、エネルギー効率の点で不利になる。The heating temperature is usually from 100 to 2
The temperature is 00 ° C, preferably 170 to 190 ° C. If the temperature is lower than 100 ° C., it may take a long time for the treatment, or silica having a high specific surface area may not be obtained after firing. On the other hand, even if the temperature exceeds 200 ° C., the corresponding effect is not exhibited, and this is disadvantageous in terms of energy efficiency.
【００３２】処理時間は、通常、２〜１００時間、好ま
しくは１２〜１８時間である。この処理時間が２時間未
満であると、充分な処理が行なえず、焼成後に高い比表
面積を有する所望のシリカが得られないことがある。一
方、１００時間より長くても、それに相当する効果は奏
されず、却って生産効率が低下することがある。The processing time is usually 2 to 100 hours, preferably 12 to 18 hours. If the treatment time is less than 2 hours, sufficient treatment cannot be performed, and desired silica having a high specific surface area after firing may not be obtained. On the other hand, if the time is longer than 100 hours, the corresponding effect is not exhibited, and the production efficiency may be reduced.
【００３３】本発明においては、以上の処理を行なった
後、通常、水と湿潤シリカとを濾別する。In the present invention, after the above treatment, water and wet silica are usually separated by filtration.
【００３４】濾別により得られた湿潤シリカは、通常、
乾燥させた後に、焼成処理に供される。The wet silica obtained by filtration is usually
After being dried, it is subjected to a baking treatment.
【００３５】焼成温度は、通常、９５０〜１０８０℃、
好ましくは１０００〜１０７３℃である。この温度が９
５０℃より低いと、充分な機械的強度を有するシリカが
得られないことがある。一方、１０８０℃より高くして
も、それに相当する効果は奏されないことがあり、エネ
ルギー効率の点で不利になる。The firing temperature is usually 950 to 1080 ° C.
Preferably it is 1000-1073 degreeC. This temperature is 9
If the temperature is lower than 50 ° C., silica having sufficient mechanical strength may not be obtained. On the other hand, if the temperature is higher than 1080 ° C., a corresponding effect may not be obtained, and this is disadvantageous in terms of energy efficiency.
【００３６】前記焼成処理には、たとえば電気炉を好適
に使用することができる。For the baking treatment, for example, an electric furnace can be suitably used.
【００３７】このようにして得られるシリカは、たとえ
ばその形状が粉砕形であれば、ボールミル等を使用して
粉砕してもよいし、球状あるいは棒状であれば、そのま
ま使用に供することができる。The silica thus obtained may be pulverized using a ball mill or the like if the shape is pulverized, or may be used as it is if it is spherical or rod-shaped.
【００３８】いずれにせよ、本発明のシリカは、温度９
５０〜１０８０℃で焼成した後の比表面積が５０ｍ2 ／
ｇを超え、３００ｍ2 ／ｇ以下、好ましくは５０ｍ2 ／
ｇを超え、２７０ｍ2 ／ｇ以下である。In any case, the silica of the present invention has a temperature of 9
The specific surface area after firing at 50 to 1080 ° C. is 50 m 2 /
beyond the g, 300m 2 / g or less, preferably 50m 2 /
g and 270 m 2 / g or less.
【００３９】この比表面積が著しく低いと、たとえば半
導体の樹脂封止剤フィラーに用いた場合に、表面処理に
使用されるシランカップリング剤、あるいはエポキシ樹
脂組成物などのマトリックス樹脂組成物との充分な接着
性が得られないことがある。When the specific surface area is extremely low, for example, when the specific surface area is used as a filler for a resin sealant of a semiconductor, the silane coupling agent used for the surface treatment or a matrix resin composition such as an epoxy resin composition can be sufficiently used. High adhesion may not be obtained.
【００４０】本発明においては、ゾルゲル法によりケイ
酸エステルから得られる未処理シリカを原料に用いるこ
とにより、焼成後においても高い比表面積および高強度
を有する本発明のシリカを、効率良く製造することが可
能である。In the present invention, by using untreated silica obtained from a silicate ester by a sol-gel method as a raw material, it is possible to efficiently produce the silica of the present invention having a high specific surface area and high strength even after firing. Is possible.
【００４１】[0041]
【実施例】次に、本発明の実施例および比較例を示し、
本発明について、さらに具体的に説明する。Next, Examples and Comparative Examples of the present invention will be described.
The present invention will be described more specifically.
【００４２】（実施例１）２０ｌのフラスコに超純水４
８１０ｇを入れて、温度１５℃の水浴中で、撹拌下にテ
トラメトキシシラン５０７４ｇを３時間かけて滴下した
後、１時間熟成させて加水分解液（以下、ゾル液と称す
る。）を得た。EXAMPLE 1 Ultrapure water 4 was placed in a 20-liter flask.
After adding 810 g, 5074 g of tetramethoxysilane was added dropwise over 3 hours with stirring in a water bath at a temperature of 15 ° C., and the mixture was aged for 1 hour to obtain a hydrolyzed solution (hereinafter referred to as a sol solution).
【００４３】得られたゾル液を、ロータリーエバポレー
ター用の２０ｌフラスコに移し、このフラスコをエバポ
レーターに取り付けた。The obtained sol was transferred to a 20-liter flask for a rotary evaporator, and the flask was attached to the evaporator.
【００４４】オイルバスを加熱してゾル液をゲル化した
後、乾燥させた。このときのオイルバスの温度は１８０
℃であった。また、得られた乾燥シリカの含水率は約１
０％であり、比表面積は７０８ｍ2 ／ｇであった。The sol was gelled by heating the oil bath and then dried. The oil bath temperature at this time is 180
° C. The water content of the obtained dried silica is about 1
0% and the specific surface area was 708 m 2 / g.
【００４５】次いで、この乾燥シリカ１．２ｋｇと超純
水１．４ｋｇとを容量１９９０ｍｌのオートクレーブに
充分混合して投入した。Next, 1.2 kg of the dried silica and 1.4 kg of ultrapure water were sufficiently mixed and charged into a 1990 ml autoclave.
【００４６】その後、オートクレーブを１８０℃に加熱
したオイルバスに投入し、１８時間処理した。このと
き、オートクレーブの圧力計は５．０ｋｇ／ｃｍ2 を示
した。Thereafter, the autoclave was placed in an oil bath heated to 180 ° C. and treated for 18 hours. At this time, the pressure gauge of the autoclave indicated 5.0 kg / cm 2 .
【００４７】この操作を２回行なって乾燥シリカ２．４
ｋｇを処理した。This operation was performed twice to obtain dried silica 2.4.
kg was processed.
【００４８】処理後、超純水とシリカとを濾別して、得
られたシリカを電気炉を用いて、温度１０００℃にて４
時間焼成して、焼成シリカ１．７ｋｇを得た。After the treatment, ultrapure water and silica are separated by filtration, and the obtained silica is heated at a temperature of 1000 ° C. for 4 hours using an electric furnace.
After calcining for an hour, 1.7 kg of calcined silica was obtained.
【００４９】この焼成シリカの比表面積は１６９ｍ2 ／
ｇであった。The specific surface area of this calcined silica is 169 m 2 /
g.
【００５０】この焼成シリカ１．７ｋｇを、容量７．３
ｌのアルミナポットミルに入れ、次いで、アルミナボー
ル（２５ｍｍφ）約２．９ｌを投入して粉砕を開始し
た。1.7 kg of this calcined silica was charged to a capacity of 7.3.
Then, about 2.9 liters of alumina balls (25 mmφ) were charged, and pulverization was started.
【００５１】粉砕終了後、１．６ｋｇのシリカを得た。After the completion of the pulverization, 1.6 kg of silica was obtained.
【００５２】得られたシリカの比表面積は１８０ｍ2 ／
ｇであった。The specific surface area of the obtained silica was 180 m 2 /
g.
【００５３】また、このシリカの粒度分布は次の通りで
あった。The particle size distribution of this silica was as follows.
【００５４】なお、比表面積の測定には比表面積自動測
定装置（マイクロメリティックス社製；「フローソーブ
２３００形」）を使用するとともに、粒度分布の測定に
はレーザー粒度分布測定装置（シーラス社製；「ＣＩＬ
ＡＳ ７１５形」 ）を使用した。The specific surface area was measured by using an automatic specific surface area measuring device (manufactured by Micromeritics Co., Ltd .; "Flowsorb 2300"), and the particle size distribution was measured by a laser particle size distribution measuring device (manufactured by Cirrus Co., Ltd.). "CIL
AS 715 ") was used.
【００５５】 （実施例２）ケイ酸エステルのゾル液を疎水性媒体中に
乳化分散させて得られた湿潤した球状シリカ４０ｇと超
純水１４０ｇとを容量２００ｍｌのオートクレーブに充
分混合して投入した。[0055] Example 2 40 g of wet spherical silica obtained by emulsifying and dispersing a silicate sol solution in a hydrophobic medium and 140 g of ultrapure water were sufficiently mixed and charged into an autoclave having a capacity of 200 ml.
【００５６】その後、オートクレーブを１８０℃に加熱
したオイルバスに投入し、２時間処理した。このとき、
オートクレーブの圧力計は１０ｋｇ／ｃｍ2 を示した。Thereafter, the autoclave was placed in an oil bath heated to 180 ° C. and treated for 2 hours. At this time,
The pressure gauge of the autoclave indicated 10 kg / cm 2 .
【００５７】処理後、超純水とシリカとを濾別して、得
られた湿潤シリカを、温度１８０℃のオイルバス中で、
ロータリーエバポレーターを用いて乾燥させて乾燥球状
シリカ１０ｇを得た。After the treatment, ultrapure water and silica are separated by filtration, and the obtained wet silica is placed in an oil bath at a temperature of 180 ° C.
Drying was performed using a rotary evaporator to obtain 10 g of dry spherical silica.
【００５８】この乾燥球状シリカの比表面積は４７０ｍ
2 ／ｇであった。The specific surface area of the dried spherical silica is 470 m.
2 / g.
【００５９】次いで、電気炉を用いて、この乾燥球状シ
リカを、温度１０００℃にて４時間焼成して、焼成シリ
カ８ｇを得た。Next, the dried spherical silica was calcined at a temperature of 1000 ° C. for 4 hours using an electric furnace to obtain 8 g of calcined silica.
【００６０】この焼成シリカの比表面積は７０ｍ2 ／ｇ
であった。The specific surface area of this calcined silica is 70 m 2 / g.
Met.
【００６１】また、得られたシリカの粒度分布は次の通
りであった。The particle size distribution of the obtained silica was as follows.
【００６２】 （実施例３）前記実施例２において、オートクレーブで
の加熱時間を２時間から１５時間に変えたほかは、前記
実施例２と同様にして実施した。[0062] Example 3 Example 2 was carried out in the same manner as in Example 2 except that the heating time in the autoclave was changed from 2 hours to 15 hours.
【００６３】得られた乾燥球状シリカは１０ｇであり、
その比表面積は２９２ｍ2 ／ｇであった。The dry spherical silica obtained was 10 g,
Its specific surface area was 292 m 2 / g.
【００６４】また、得られたシリカは８ｇであり、その
比表面積は２５３ｍ2 ／ｇであった。The obtained silica was 8 g, and its specific surface area was 253 m 2 / g.
【００６５】さらに、得られたシリカの粒度分布は次の
通りであった。Further, the particle size distribution of the obtained silica was as follows.
【００６６】 （実施例４）前記実施例２において、球状シリカに代え
て棒状シリカを用いるとともに、オートクレーブでの加
熱時間を２時間から１８時間に変えたほかは、前記実施
例２と同様にして実施した。[0066] (Example 4) Example 2 was carried out in the same manner as in Example 2 except that rod-shaped silica was used instead of spherical silica, and the heating time in the autoclave was changed from 2 hours to 18 hours.
【００６７】得られた乾燥棒状シリカは１５ｇであり、
その比表面積は２５２ｍ2 ／ｇであった。The dry bar-like silica obtained was 15 g,
Its specific surface area was 252 m 2 / g.
【００６８】また、得られたシリカは１３ｇであり、Ｓ
ＥＭ観察を行なった結果、長さ５０μｍ、直径１０μｍ
であり、その比表面積は２００ｍ2 ／ｇであった。The amount of the obtained silica was 13 g,
As a result of EM observation, the length was 50 μm and the diameter was 10 μm.
And the specific surface area was 200 m 2 / g.
【００６９】（比較例１）前記実施例１において、オー
トクレーブを用いた加熱処理を行なわなかったほかは、
前記実施例１と同様にしてシリカ１．７ｋｇを得た。Comparative Example 1 In Example 1, except that the heat treatment using an autoclave was not performed,
1.7 kg of silica was obtained in the same manner as in Example 1.
【００７０】焼成シリカの比表面積は１．４ｍ2 ／ｇで
あった。The specific surface area of the calcined silica was 1.4 m 2 / g.
【００７１】また、粉砕処理を行なって得られたシリカ
の比表面積は３．１ｍ2 ／ｇであり、粒度分布は次の通
りであった。The specific surface area of the silica obtained by the pulverization treatment was 3.1 m 2 / g, and the particle size distribution was as follows.
【００７２】 （比較例２）前記実施例１において、オートクレーブを
用いた加熱処理を行なわないとともに、電気炉による焼
成温度を１０００℃から１０７３℃に変えたほかは、前
記実施例１と同様にしてシリカ１．７ｋｇを得た。[0072] (Comparative Example 2) In the same manner as in Example 1 except that the heat treatment using the autoclave was not performed and the firing temperature in the electric furnace was changed from 1000 ° C to 1073 ° C, the silica 1. 7 kg were obtained.
【００７３】焼成シリカの比表面積は０．７ｍ2 ／ｇで
あった。The specific surface area of the calcined silica was 0.7 m 2 / g.
【００７４】また、粉砕処理を行なって得られたシリカ
の比表面積は２．５ｍ2 ／ｇであり、粒度分布は次の通
りであった。The specific surface area of the silica obtained by the pulverization treatment was 2.5 m 2 / g, and the particle size distribution was as follows.
【００７５】 （比較例３）前記実施例２において、オートクレーブを
用いた加熱処理を行なわなかったほかは、前記実施例２
と同様にして球状シリカ１０ｇを得た。[0075] (Comparative Example 3) In Example 2, except that the heat treatment using the autoclave was not performed.
In the same manner as in the above, 10 g of spherical silica was obtained.
【００７６】使用した乾燥球状シリカの比表面積は７０
９ｍ2 ／ｇであった。The specific surface area of the dried spherical silica used was 70
It was 9 m 2 / g.
【００７７】また、得られた球状シリカの比表面積は
０．６ｍ2 ／ｇであり、粒度分布は次の通りであった。The specific surface area of the obtained spherical silica was 0.6 m 2 / g, and the particle size distribution was as follows.
【００７８】 （比較例４）前記実施例４において、オートクレーブを
用いた加熱処理を行なわなかったほかは、前記実施例４
と同様にして棒状シリカを得た。[0078] (Comparative Example 4) In Example 4, except that the heat treatment using the autoclave was not performed.
In the same manner as above, rod-shaped silica was obtained.
【００７９】得られた乾燥棒状シリカは１５ｇであり、
その比表面積は６４５ｍ2 ／ｇであった。The dry bar-shaped silica obtained was 15 g,
Its specific surface area was 645 m 2 / g.
【００８０】また、得られたシリカは１３ｇであり、Ｓ
ＥＭ観察を行なった結果、長さ５０μｍ、直径１０μｍ
であり、その比表面積は２．８ｍ2 ／ｇであった。The obtained silica was 13 g, and S
As a result of EM observation, the length was 50 μm and the diameter was 10 μm.
And the specific surface area was 2.8 m 2 / g.
【００８１】（評価）実施例１〜実施例４および比較例
１〜比較例４の結果から明らかなように、前記実施例１
〜実施例４により得られた請求項１に記載のシリカは、
焼成後の比表面積が著しく向上していることを確認し
た。(Evaluation) As is clear from the results of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4, the results of Example 1 were obtained.
~ The silica according to claim 1 obtained by Example 4,
It was confirmed that the specific surface area after firing was significantly improved.
【００８２】[0082]
【発明の効果】本発明によると、特定の焼成温度で焼成
した後の比表面積が特定の範囲にあるので、たとえば半
導体の樹脂封止剤フィラーに使用した場合に、表面処理
に使用されるシランカップリング剤、あるいはエポキシ
樹脂組成物などのマトリックス樹脂組成物との接着性の
低下がなくて、機械的強度の向上を図ることが可能であ
り、またたとえば触媒担体、各種充填材などにも好適に
利用可能である等の利点を有する工業的に有用なシリカ
を提供することができる。According to the present invention, since the specific surface area after firing at a specific firing temperature is within a specific range, for example, when used as a resin sealant filler for a semiconductor, silane used for surface treatment is used. It is possible to improve the mechanical strength without reducing the adhesiveness with a coupling agent or a matrix resin composition such as an epoxy resin composition, and it is also suitable for a catalyst carrier, various fillers, and the like. Industrially useful silica which has advantages such as being usable in the present invention can be provided.
Claims (1)
た後の比表面積が５０ｍ2 ／ｇを超え、３００ｍ2 ／ｇ
以下であることを特徴とするシリカ。1. The specific surface area after firing at a temperature of 950 to 1080 ° C. exceeds 50 m 2 / g and is 300 m 2 / g.
Silica characterized by the following.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21641897A JP3216875B2 (en) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | Silica and method for producing silica |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21641897A JP3216875B2 (en) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | Silica and method for producing silica |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1071428A Division JP2721390B2 (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Method for producing silica |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH1067510A true JPH1067510A (en) | 1998-03-10 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21641897A Expired - Fee Related JP3216875B2 (en) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | Silica and method for producing silica |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3216875B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2244129A2 (en) | 2002-10-02 | 2010-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Silicia fine particle, toner, two-component developer and image forming method |
| JP2015099623A (en) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | Hoya株式会社 | Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk and manufacturing method of magnetic disk |
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-
1997
- 1997-08-11 JP JP21641897A patent/JP3216875B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP3216875B2 (en) | 2001-10-09 |
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