JPH1067586A - パワーモジュール用回路基板およびその製造方法 - Google Patents
パワーモジュール用回路基板およびその製造方法Info
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- JPH1067586A JPH1067586A JP8244075A JP24407596A JPH1067586A JP H1067586 A JPH1067586 A JP H1067586A JP 8244075 A JP8244075 A JP 8244075A JP 24407596 A JP24407596 A JP 24407596A JP H1067586 A JPH1067586 A JP H1067586A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 近年のパワーモジュール用セラミックス回路
基板に要求される３０ｋｇ／ｍｍ2 以上のピール強度と
３０サイクル以上のヒートサイクル特性とを併せ持つパ
ワーモジュール用回路基板とその製造方法を提供するこ
と。 【構成】 Ｎと結合してセラミックを構成する主要金属
成分と表層に残存するＢＮ中のＢとの比が、けい光Ｘ線
の強度比でＢ／Ａｌ比が５０×１０-6以下、またはＢ／
Ｓｉ比が５０×１０-6以下である窒化物系セラミック基
板の少なくとも一方に導電回路を形成してパワーモジュ
ール用回路基板となす。
基板に要求される３０ｋｇ／ｍｍ2 以上のピール強度と
３０サイクル以上のヒートサイクル特性とを併せ持つパ
ワーモジュール用回路基板とその製造方法を提供するこ
と。 【構成】 Ｎと結合してセラミックを構成する主要金属
成分と表層に残存するＢＮ中のＢとの比が、けい光Ｘ線
の強度比でＢ／Ａｌ比が５０×１０-6以下、またはＢ／
Ｓｉ比が５０×１０-6以下である窒化物系セラミック基
板の少なくとも一方に導電回路を形成してパワーモジュ
ール用回路基板となす。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高強度セラミックスと
金属との複合体からなる回路基板およびその製造方法に
関し、さらに詳しくは、集積回路や半導体部品の実装に
好適な高ヒートサイクル性を有するパワーモジュール用
回路基板およびその製造方法に関するものである。
金属との複合体からなる回路基板およびその製造方法に
関し、さらに詳しくは、集積回路や半導体部品の実装に
好適な高ヒートサイクル性を有するパワーモジュール用
回路基板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、パワートランジスタ、ＩＧＢ
Ｔ、ＩＰＭ、パワーモジュールなど熱が大量に発生する
電力用デバイス用の実装基板としては、導電回路を有す
るセラミック回路基板が広く用いられており、特に近年
では、高熱伝導率を有するＡｌＮセラミック回路基板の
応用に注目が集められ、良質なＡｌＮセラミック回路基
板を製造するために、セラミック基板の製造・通電回路
の形成などの様々な工夫がなされている。この一例とし
て、ＡｌＮセラミック基板の製造においては、緻密な基
板を得るために数％のイットリア（Ｙ2 Ｏ3 ）に代表さ
れる希土類酸化物、およびカルシアに代表されるアルカ
リ土類酸化物が焼結助剤として添加されているように、
現在市販の高熱伝導性を有するＡｌＮセラミック基板に
は、２〜８ｗｔ％程度のＹ2 Ｏ3 が添加されている。ま
た、ＡｌＮセラミック基板を量産する場合、数枚または
数十枚の基板を重ねて一度に焼結が行われるが、その際
基板と基板との間の接着を防止するため、分離材として
窒化ホウ素（ＢＮ）などが広く用いられてきた。
Ｔ、ＩＰＭ、パワーモジュールなど熱が大量に発生する
電力用デバイス用の実装基板としては、導電回路を有す
るセラミック回路基板が広く用いられており、特に近年
では、高熱伝導率を有するＡｌＮセラミック回路基板の
応用に注目が集められ、良質なＡｌＮセラミック回路基
板を製造するために、セラミック基板の製造・通電回路
の形成などの様々な工夫がなされている。この一例とし
て、ＡｌＮセラミック基板の製造においては、緻密な基
板を得るために数％のイットリア（Ｙ2 Ｏ3 ）に代表さ
れる希土類酸化物、およびカルシアに代表されるアルカ
リ土類酸化物が焼結助剤として添加されているように、
現在市販の高熱伝導性を有するＡｌＮセラミック基板に
は、２〜８ｗｔ％程度のＹ2 Ｏ3 が添加されている。ま
た、ＡｌＮセラミック基板を量産する場合、数枚または
数十枚の基板を重ねて一度に焼結が行われるが、その際
基板と基板との間の接着を防止するため、分離材として
窒化ホウ素（ＢＮ）などが広く用いられてきた。
【０００３】一方、セラミック基板の表面への導電回路
の形成においては、基板の表面に導電性ペーストを印刷
し、高温での焼成によって導電回路を形成するメタライ
ズ法（特開平２−１４９４８５号）や、予め空気中にお
いて約１０００℃の温度でＡｌＮセラミック基板を処理
し、基板の表面にアルミナを生成させた後、酸素を含有
する銅板を使用して不活性雰囲気中で加熱するか、ある
いは無酸素銅を使用して酸化性雰囲気中で加熱すること
により、界面でＣｕ2 ＯとＣｕとの共晶溶液を発生さ
せ、表面にアルミナが形成されているＡｌＮセラミック
回路基板と銅板とを接合し、導電回路を形成する直接接
合法（特開平３−９３６８７号）や、さらには基板表面
にろう材を回路形状に塗布し、このろう材の上に銅パー
ツを載置し、これを加熱することによって基板と銅パー
ツとを接合して導電回路を形成するろう接法等が一般的
に用いられてきた。尚、特に電力用回路基板の製造時に
おける導電回路の形成の場合には主に上記直接接合法や
ろう接法が用いられていた。また、ＡｌＮセラミック回
路基板の表面には、粒界構成相成分のしみ出しによって
形成された粒界構成相成分の高い表面層が存在し、その
表面には離型材などの不純物が残留して窒化アルミニウ
ムと導電回路との接合を阻害するため、メタライズ法で
導電回路を形成するときには、ラッピングおよびホーニ
ングなどの方法で粒界構成相成分を除去する必要がある
といった発明が特開平２−２５８６８６に開示されてい
る。
の形成においては、基板の表面に導電性ペーストを印刷
し、高温での焼成によって導電回路を形成するメタライ
ズ法（特開平２−１４９４８５号）や、予め空気中にお
いて約１０００℃の温度でＡｌＮセラミック基板を処理
し、基板の表面にアルミナを生成させた後、酸素を含有
する銅板を使用して不活性雰囲気中で加熱するか、ある
いは無酸素銅を使用して酸化性雰囲気中で加熱すること
により、界面でＣｕ2 ＯとＣｕとの共晶溶液を発生さ
せ、表面にアルミナが形成されているＡｌＮセラミック
回路基板と銅板とを接合し、導電回路を形成する直接接
合法（特開平３−９３６８７号）や、さらには基板表面
にろう材を回路形状に塗布し、このろう材の上に銅パー
ツを載置し、これを加熱することによって基板と銅パー
ツとを接合して導電回路を形成するろう接法等が一般的
に用いられてきた。尚、特に電力用回路基板の製造時に
おける導電回路の形成の場合には主に上記直接接合法や
ろう接法が用いられていた。また、ＡｌＮセラミック回
路基板の表面には、粒界構成相成分のしみ出しによって
形成された粒界構成相成分の高い表面層が存在し、その
表面には離型材などの不純物が残留して窒化アルミニウ
ムと導電回路との接合を阻害するため、メタライズ法で
導電回路を形成するときには、ラッピングおよびホーニ
ングなどの方法で粒界構成相成分を除去する必要がある
といった発明が特開平２−２５８６８６に開示されてい
る。
【０００４】さらに特開平２−１４９４８５号にはＡｌ
Ｎセラミック回路基板の表面に析出した粒界構成相成分
は接合表面を粗くし、セラミック基板と導電体との接合
強度を低下させるとともに、熱伝導性を損ねるため、液
体溶媒による表面の粒界構成相成分を除去する方法につ
いて開示している。さらにまた、特開平３−９３６８７
号には、ＡｌＮセラミック回路基板の表面に析出した粒
界構成相成分が酸化処理の影響をほとんど受けずにＡｌ
Ｎセラミック基板の表面に残留し、表面被覆層（直接接
合法においては酸化アルミニウム層）とセラミック基板
との接着力低下を招くため、酸性溶液を用いて化学的な
表面処理を施して粒界構成相成分を除去した後、表面被
覆層を形成する方法について開示されている。これら上
記の接合方法を用いても、近年パワーモジュール用セラ
ミック回路基板に要求されるピール強度やヒートサイク
ル性はそれぞれ１０ｋｇ／ｃｍ前後や１００回未満程度
が実力値であった。本出願人は先にこれらの問題を解決
するために、特開平６−５３６２４号でセラミック基板
の抗折強度、セラミック基板中の酸素とイットリウムと
の重量比、セラミック基板の表面に残存する窒化ホウ素
の量、および接合温度が接合強度に強い影響を及ぼすこ
とを見いだし、ピール強度が３０ｋｇ／ｍｍ2 以上を有
する高強度窒化アルミニウム回路基板を提供することが
できた。
Ｎセラミック回路基板の表面に析出した粒界構成相成分
は接合表面を粗くし、セラミック基板と導電体との接合
強度を低下させるとともに、熱伝導性を損ねるため、液
体溶媒による表面の粒界構成相成分を除去する方法につ
いて開示している。さらにまた、特開平３−９３６８７
号には、ＡｌＮセラミック回路基板の表面に析出した粒
界構成相成分が酸化処理の影響をほとんど受けずにＡｌ
Ｎセラミック基板の表面に残留し、表面被覆層（直接接
合法においては酸化アルミニウム層）とセラミック基板
との接着力低下を招くため、酸性溶液を用いて化学的な
表面処理を施して粒界構成相成分を除去した後、表面被
覆層を形成する方法について開示されている。これら上
記の接合方法を用いても、近年パワーモジュール用セラ
ミック回路基板に要求されるピール強度やヒートサイク
ル性はそれぞれ１０ｋｇ／ｃｍ前後や１００回未満程度
が実力値であった。本出願人は先にこれらの問題を解決
するために、特開平６−５３６２４号でセラミック基板
の抗折強度、セラミック基板中の酸素とイットリウムと
の重量比、セラミック基板の表面に残存する窒化ホウ素
の量、および接合温度が接合強度に強い影響を及ぼすこ
とを見いだし、ピール強度が３０ｋｇ／ｍｍ2 以上を有
する高強度窒化アルミニウム回路基板を提供することが
できた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】パワーモジュール用セ
ラミック回路基板においては、基板の上には半導体や集
積回路の他、粗大な電極も接続されることからセラミッ
ク回路基板に大きな力が加えられるため、よりピール強
度や高ヒートサイクル性の優れた回路基板の開発が望ま
れていた。上述の本出願人による高強度窒化アルミニウ
ム回路基板においては、表面層に残存する窒化ホウ素の
Ｘ線回折強度（ＩＢＮ）と窒化アルミニウムのＸ線回折
強度（ＩＡｌＮ）との比が６×１０-2以下である窒化ア
ルミニウム基板に活性金属ろう材を介在させて銅板と接
合させたものは、ピール強度が３０ｋｇ／ｍｍ2 以上と
なることを開示した。しかしながら近年のパワーモジュ
ール用セラミックス回路基板に要求される特性は、上記
ピール強度が３０ｋｇ／ｍｍ2 以上でなおヒートサイク
ル特性も現在の３０サイクル以上のものを併せて要求し
ているが、両方の特性を満たす銅張り基板としては製造
できないでいたため、本発明はこれらの問題を解決でき
るパワーモジュール用回路基板を開発することを目的と
する。
ラミック回路基板においては、基板の上には半導体や集
積回路の他、粗大な電極も接続されることからセラミッ
ク回路基板に大きな力が加えられるため、よりピール強
度や高ヒートサイクル性の優れた回路基板の開発が望ま
れていた。上述の本出願人による高強度窒化アルミニウ
ム回路基板においては、表面層に残存する窒化ホウ素の
Ｘ線回折強度（ＩＢＮ）と窒化アルミニウムのＸ線回折
強度（ＩＡｌＮ）との比が６×１０-2以下である窒化ア
ルミニウム基板に活性金属ろう材を介在させて銅板と接
合させたものは、ピール強度が３０ｋｇ／ｍｍ2 以上と
なることを開示した。しかしながら近年のパワーモジュ
ール用セラミックス回路基板に要求される特性は、上記
ピール強度が３０ｋｇ／ｍｍ2 以上でなおヒートサイク
ル特性も現在の３０サイクル以上のものを併せて要求し
ているが、両方の特性を満たす銅張り基板としては製造
できないでいたため、本発明はこれらの問題を解決でき
るパワーモジュール用回路基板を開発することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために鋭意研究した結果、セラミック基板の種類
と、それらの基板表面に残存するＢＮの量との相関関係
をさらに追及したところ、Ｂ／Ａｌ比やＢ／Ｓｉ比によ
ってヒートサイクル特性に相違があることを見いだし本
発明法を提供することができた。すなわち本発明の第１
は、ＡｌＮまたはＳｉ3 Ｎ4 のような窒化物を主成分と
するセラミック基板を用いる回路基板において、Ｎと結
合してセラミックを構成する主要金属成分と表層に残存
するＢＮ中のＢとの比が、けい光Ｘ線の強度比でＢ／Ａ
ｌ比が５０×１０-6以下、またはＢ／Ｓｉ比が５０×１
０-6以下であるセラミック基板の少なくとも一方に導電
回路を形成していることを特徴とするパワーモジュール
用回路基板に関する。本発明の第２は、上記回路基板
は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうち少なくとも１種の活性金属
を含むろう材を介在させて接合したものに導電回路を形
成させたことを特徴とする請求項１記載のパワーモジュ
ール用回路基板に関する。本発明の第３は、上記回路基
板は、セラミック基板表面を一部酸化させた後に直接接
合せしめたものに導電回路を形成させたことを特徴とす
る請求項１〜２記載のパワーモジュール用回路基板に関
する。本発明の第４は、セラミック基板の少なくとも一
方の主面に導電回路を有してなるパワーモジュール用回
路基板の製造方法であって、表層に残存するＢＮとの比
が、けい光Ｘ線の強度比でＢ／Ａｌ比が５０×１０-6以
下、またはＢ／Ｓｉ比が５０×１０-6以下であるセラミ
ック基板の少なくとも一方の主面にＴｉ、ＺｒおよびＨ
ｆからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の単
体、またはその水素化物や酸化物を含むろう材を介在さ
せて導電回路を形成し、これを真空およびアルゴン雰囲
気中において加熱することにより導電回路を構成する金
属とＡｌＮまたはＳｉ3 Ｎ4 のような窒化物を主成分と
するセラミックス基板とを接合することを特徴とするパ
ワーモジュール用回路基板に関する。
するために鋭意研究した結果、セラミック基板の種類
と、それらの基板表面に残存するＢＮの量との相関関係
をさらに追及したところ、Ｂ／Ａｌ比やＢ／Ｓｉ比によ
ってヒートサイクル特性に相違があることを見いだし本
発明法を提供することができた。すなわち本発明の第１
は、ＡｌＮまたはＳｉ3 Ｎ4 のような窒化物を主成分と
するセラミック基板を用いる回路基板において、Ｎと結
合してセラミックを構成する主要金属成分と表層に残存
するＢＮ中のＢとの比が、けい光Ｘ線の強度比でＢ／Ａ
ｌ比が５０×１０-6以下、またはＢ／Ｓｉ比が５０×１
０-6以下であるセラミック基板の少なくとも一方に導電
回路を形成していることを特徴とするパワーモジュール
用回路基板に関する。本発明の第２は、上記回路基板
は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうち少なくとも１種の活性金属
を含むろう材を介在させて接合したものに導電回路を形
成させたことを特徴とする請求項１記載のパワーモジュ
ール用回路基板に関する。本発明の第３は、上記回路基
板は、セラミック基板表面を一部酸化させた後に直接接
合せしめたものに導電回路を形成させたことを特徴とす
る請求項１〜２記載のパワーモジュール用回路基板に関
する。本発明の第４は、セラミック基板の少なくとも一
方の主面に導電回路を有してなるパワーモジュール用回
路基板の製造方法であって、表層に残存するＢＮとの比
が、けい光Ｘ線の強度比でＢ／Ａｌ比が５０×１０-6以
下、またはＢ／Ｓｉ比が５０×１０-6以下であるセラミ
ック基板の少なくとも一方の主面にＴｉ、ＺｒおよびＨ
ｆからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の単
体、またはその水素化物や酸化物を含むろう材を介在さ
せて導電回路を形成し、これを真空およびアルゴン雰囲
気中において加熱することにより導電回路を構成する金
属とＡｌＮまたはＳｉ3 Ｎ4 のような窒化物を主成分と
するセラミックス基板とを接合することを特徴とするパ
ワーモジュール用回路基板に関する。
【０００７】
【作用】本発明で使用可能なセラミックス基板は、Ａｌ
Ｎ基板のみならずＳｉ3 Ｎ4 基板のように窒化物を主成
分とする基板であり、また接合する回路用金属としては
銅板である。本発明においては上記ＡｌＮ基板またはＳ
ｉ3 Ｎ4 基板の製造工程における分離材除去工程におい
て予備焼成、ホーニング時間、ホーニング圧力、ホーニ
ングスプレーガン数を適当に変更してＢＮ量を変化させ
たものを用いて銅板を以下の接合手段で接合した。上記
ＡｌＮ基板とＳｉ3 Ｎ4 基板の両面に、銅板（０．３ｍ
ｍｔ、０．２５ｍｍｔ）をＴｉを含む活性金属ろう材
（Ａｇ７１．０％、Ｃｕ１６．５％、Ｔｉ２．５％）を
介在させて真空中８５０℃で焼成して接合した（以下、
活性金属ろう接合という）ものをエッチング処理を施し
て所定の回路を有する回路基板を得る。あるいは他の接
合法として、ＡｌＮ基板を大気中で焼成して基板表面を
表層酸化し、所定の銅パターンを直接接合して所定の回
路を有する回路基板を得る（以下、直接接合法とい
う）。
Ｎ基板のみならずＳｉ3 Ｎ4 基板のように窒化物を主成
分とする基板であり、また接合する回路用金属としては
銅板である。本発明においては上記ＡｌＮ基板またはＳ
ｉ3 Ｎ4 基板の製造工程における分離材除去工程におい
て予備焼成、ホーニング時間、ホーニング圧力、ホーニ
ングスプレーガン数を適当に変更してＢＮ量を変化させ
たものを用いて銅板を以下の接合手段で接合した。上記
ＡｌＮ基板とＳｉ3 Ｎ4 基板の両面に、銅板（０．３ｍ
ｍｔ、０．２５ｍｍｔ）をＴｉを含む活性金属ろう材
（Ａｇ７１．０％、Ｃｕ１６．５％、Ｔｉ２．５％）を
介在させて真空中８５０℃で焼成して接合した（以下、
活性金属ろう接合という）ものをエッチング処理を施し
て所定の回路を有する回路基板を得る。あるいは他の接
合法として、ＡｌＮ基板を大気中で焼成して基板表面を
表層酸化し、所定の銅パターンを直接接合して所定の回
路を有する回路基板を得る（以下、直接接合法とい
う）。
【０００８】一般に、窒化物セラミック基板を予備焼成
するときに分離材として使用する窒化ホウ素は、窒化物
セラミック基板の表面層のＡｌＮ結晶粒あるいはＳｉ3
Ｎ4結晶粒のような粒界に残存することが多く、窒化ホ
ウ素の残存量が多いと基板の表面粗さが適当なものを用
いても十分な接合強度を得ることができない。上記の場
合には、用いた窒化アルミニウムまたは窒化珪素と窒化
ホウ素との反応性が乏しいため粒子同士の接合強度が低
く、しかも窒化ホウ素自体がへき開性の強い物質であ
り、窒化ホウ素自体の強度が低いためである。本出願人
による特開平６−５３６２４号公報で開示したように、
高接合強度を得るための一要因として、窒化ホウ素の残
存量としては理学電機製Ｘ線回折装置を用いてターゲッ
トをＣｕ、加速電圧および加速電流をそれぞれ５０ｋＶ
および３０ｍＡとした条件で、セラミック基板の表面を
回折した場合、窒化アルミニウムの（１００）、（００
２）、（１０１）面の平均回折強度をＩＡｌＮとの比
（ＩＢＮ／ＩＡｌＮ）が６×１０-2以下であればピール
強度が３０ｋｇ／ｃｍ以上となることを見いだした。し
かしながらヒートサイクル耐性については、従来の３０
サイクル前後でも実用品としては十分であったが、パワ
ーモジュール用回路基板としては、上記接合強度の他、
ヒートサイクル耐性についてもより高ヒートサイクルの
ものが望まれるようになり、本発明者はＢ／Ａｌの比ま
たはＢ／Ｓｉの比がけい光Ｘ線で５０×１０-6以下にな
るとヒートサイクル耐性が急激に向上することを見いだ
した。以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制限され
るものではない。
するときに分離材として使用する窒化ホウ素は、窒化物
セラミック基板の表面層のＡｌＮ結晶粒あるいはＳｉ3
Ｎ4結晶粒のような粒界に残存することが多く、窒化ホ
ウ素の残存量が多いと基板の表面粗さが適当なものを用
いても十分な接合強度を得ることができない。上記の場
合には、用いた窒化アルミニウムまたは窒化珪素と窒化
ホウ素との反応性が乏しいため粒子同士の接合強度が低
く、しかも窒化ホウ素自体がへき開性の強い物質であ
り、窒化ホウ素自体の強度が低いためである。本出願人
による特開平６−５３６２４号公報で開示したように、
高接合強度を得るための一要因として、窒化ホウ素の残
存量としては理学電機製Ｘ線回折装置を用いてターゲッ
トをＣｕ、加速電圧および加速電流をそれぞれ５０ｋＶ
および３０ｍＡとした条件で、セラミック基板の表面を
回折した場合、窒化アルミニウムの（１００）、（００
２）、（１０１）面の平均回折強度をＩＡｌＮとの比
（ＩＢＮ／ＩＡｌＮ）が６×１０-2以下であればピール
強度が３０ｋｇ／ｃｍ以上となることを見いだした。し
かしながらヒートサイクル耐性については、従来の３０
サイクル前後でも実用品としては十分であったが、パワ
ーモジュール用回路基板としては、上記接合強度の他、
ヒートサイクル耐性についてもより高ヒートサイクルの
ものが望まれるようになり、本発明者はＢ／Ａｌの比ま
たはＢ／Ｓｉの比がけい光Ｘ線で５０×１０-6以下にな
るとヒートサイクル耐性が急激に向上することを見いだ
した。以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制限され
るものではない。
【０００９】
【実施例１】まずセラミックス基板として焼結後、５３
×２９×０．６３５ｍｍのＡｌＮ基板を１４組（１組４
０枚）用意し、これら各基板のホーニング処理条件（時
間・圧力・スプレーガン数）を適当に変更してＢＮ量を
変化させ、表１に示す値のＢ／Ａｌ比の基板を得た。な
お、ホーニングとはセラミック基板を重ね焼きする際
に、基板どうしが接着しないように、離型材として用い
たＢＮ等を除去する工程である。これらのうち半分の７
組に、Ａｇ７１．０ｗｔ％、Ｃｕ１６．５ｗｔ％、Ｔｉ
２．５ｗｔ％含有する活性金属ろうペースト材を用いて
０．３ｍｍ、０．２５ｍｍ厚の銅板を真空中、８５０℃
で焼成して接合したものを、エッチング処理を施して所
定回路を形成した。他の７組については、大気中で焼成
して表層酸化を行った後、予め所定の回路状に形成して
ある銅パターンを表面に、裏面には平板からなる銅板を
不活性雰囲気中で１０６３℃で直接接合させた。得られ
た接合体を用いて、以下のようにしてヒートサイクル耐
性を求めた。ヒートサイクル条件として＋１２５℃ ３
０分、−４０℃ ３０分を１サイクルとして、このヒー
トサイクルを所定回数行った回路基板から回路を除去し
て白基板状態に戻したサンプルを検顕鏡で観察して、３
０、５０、７０、１００サイクルにおけるクラック発生
状況を１０個ごとに調べ、クラック発生状況により〇、
△、×の３種類に分けたものを表１に併せて示した。
×２９×０．６３５ｍｍのＡｌＮ基板を１４組（１組４
０枚）用意し、これら各基板のホーニング処理条件（時
間・圧力・スプレーガン数）を適当に変更してＢＮ量を
変化させ、表１に示す値のＢ／Ａｌ比の基板を得た。な
お、ホーニングとはセラミック基板を重ね焼きする際
に、基板どうしが接着しないように、離型材として用い
たＢＮ等を除去する工程である。これらのうち半分の７
組に、Ａｇ７１．０ｗｔ％、Ｃｕ１６．５ｗｔ％、Ｔｉ
２．５ｗｔ％含有する活性金属ろうペースト材を用いて
０．３ｍｍ、０．２５ｍｍ厚の銅板を真空中、８５０℃
で焼成して接合したものを、エッチング処理を施して所
定回路を形成した。他の７組については、大気中で焼成
して表層酸化を行った後、予め所定の回路状に形成して
ある銅パターンを表面に、裏面には平板からなる銅板を
不活性雰囲気中で１０６３℃で直接接合させた。得られ
た接合体を用いて、以下のようにしてヒートサイクル耐
性を求めた。ヒートサイクル条件として＋１２５℃ ３
０分、−４０℃ ３０分を１サイクルとして、このヒー
トサイクルを所定回数行った回路基板から回路を除去し
て白基板状態に戻したサンプルを検顕鏡で観察して、３
０、５０、７０、１００サイクルにおけるクラック発生
状況を１０個ごとに調べ、クラック発生状況により〇、
△、×の３種類に分けたものを表１に併せて示した。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【実施例２】セラミック基板として焼結後５３×２９×
０．６３５ｍｍのＳｉ3 Ｎ4 基板を５組（１組５０枚）
用意し、これら各基板のホーニング処理条件（時間・圧
力・スプレーガン数）を適当に変更してＢＮ量を変化さ
せ、表１に示す値のＢ／Ｓｉ比の基板を得た。これらの
基板に、Ａｇ７１．０ｗｔ％、Ｃｕ１６．５ｗｔ％、Ｔ
ｉ２．５ｗｔ％含有する活性金属ろうペースト材を用い
て０．３ｍｍ、０．２５ｍｍ厚の銅板を真空中、８５０
℃で焼成して接合したものを、エッチング処理を施して
所定回路を形成した。得られた接合体を用いて、実施例
１と同様の条件でヒートサイクル耐性の試験を、５０、
１００、１５０、２００、２５０、３００サイクル毎に
行い、クラック発生状況を調べ、その結果を表１に併せ
て示した。これらの結果から実施例１においてはＢ／Ａ
ｌ比が５０×１０-6以下である場合には、活性金属ろう
接合では７０サイクル迄使用可能であり３０×１０-6以
下では１００サイクル迄クラックの発生が見られなかっ
たのと同様に、直接接合でもほぼ同じ傾向であった。一
方、実施例２における活性金属ろう接合では、Ｂ／Ｓｉ
比が５０×１０-6以下であると２００サイクル迄クラッ
クの発生が見られなかった。
０．６３５ｍｍのＳｉ3 Ｎ4 基板を５組（１組５０枚）
用意し、これら各基板のホーニング処理条件（時間・圧
力・スプレーガン数）を適当に変更してＢＮ量を変化さ
せ、表１に示す値のＢ／Ｓｉ比の基板を得た。これらの
基板に、Ａｇ７１．０ｗｔ％、Ｃｕ１６．５ｗｔ％、Ｔ
ｉ２．５ｗｔ％含有する活性金属ろうペースト材を用い
て０．３ｍｍ、０．２５ｍｍ厚の銅板を真空中、８５０
℃で焼成して接合したものを、エッチング処理を施して
所定回路を形成した。得られた接合体を用いて、実施例
１と同様の条件でヒートサイクル耐性の試験を、５０、
１００、１５０、２００、２５０、３００サイクル毎に
行い、クラック発生状況を調べ、その結果を表１に併せ
て示した。これらの結果から実施例１においてはＢ／Ａ
ｌ比が５０×１０-6以下である場合には、活性金属ろう
接合では７０サイクル迄使用可能であり３０×１０-6以
下では１００サイクル迄クラックの発生が見られなかっ
たのと同様に、直接接合でもほぼ同じ傾向であった。一
方、実施例２における活性金属ろう接合では、Ｂ／Ｓｉ
比が５０×１０-6以下であると２００サイクル迄クラッ
クの発生が見られなかった。
【００１２】
【発明の効果】上述のように従来ヒートサイクル耐性に
ついては、ＡｌＮ基板で３０サイクル程度のものが、本
発明品のようにＢ／Ａｌ比やＢ／Ｓｉ比を制御すること
によって７０サイクル以上に向上した。また、Ｓｉ3 Ｎ
4 基板では１００サイクル程度のものが２００サイクル
以上に向上した。以上によりパワモジュール回路基板の
信頼性を大幅に向上させた。
ついては、ＡｌＮ基板で３０サイクル程度のものが、本
発明品のようにＢ／Ａｌ比やＢ／Ｓｉ比を制御すること
によって７０サイクル以上に向上した。また、Ｓｉ3 Ｎ
4 基板では１００サイクル程度のものが２００サイクル
以上に向上した。以上によりパワモジュール回路基板の
信頼性を大幅に向上させた。
フロントページの続き (72)発明者 高原 昌也 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 ＡｌＮまたはＳｉ3 Ｎ4 のように窒化物
を主成分とするセラミック基板を用いる回路基板におい
て、表層に残存するＢＮとの比が、けい光Ｘ線の強度比
でＢ／Ａｌ比が５０×１０-6以下、またはＢ／Ｓｉ比が
５０×１０-6以下であるセラミック基板の少なくとも一
方に導電回路を形成していることを特徴とするパワーモ
ジュール用回路基板。 - 【請求項２】 上記回路基板は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのう
ち少なくとも１種の活性金属を含むろう材を介在させて
接合したものに導電回路を形成させたことを特徴とする
請求項１記載のパワーモジュール用回路基板。 - 【請求項３】 上記回路基板は、セラミック基板表面を
一部酸化させた後に直接接合せしめたものに導電回路を
形成させたことを特徴とする請求項１〜２記載のパワー
モジュール用回路基板。 - 【請求項４】 セラミック基板の少なくとも一方の主面
に導電回路を有してなるパワーモジュール用回路基板の
製造方法であって、表層に残存するＢＮとの比が、けい
光Ｘ線の強度比でＢ／Ａｌ比が５０×１０-6以下、また
はＢ／Ｓｉ比が５０×１０-6以下であるセラミック基板
の少なくとも一方の主面にＴｉ、ＺｒおよびＨｆからな
る群より選ばれる少なくとも１種の元素の単体、または
その水素化物や酸化物を含むろう材を介在させて導電回
路を形成し、これを真空およびアルゴン雰囲気中におい
て加熱することにより導電回路を構成する金属とＡｌＮ
またはＳｉ3 Ｎ4 のような窒化物を主成分とするセラミ
ックス基板とを接合することを特徴とするパワーモジュ
ール用回路基板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8244075A JPH1067586A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | パワーモジュール用回路基板およびその製造方法 |
| US08/917,328 US6013357A (en) | 1996-08-27 | 1997-08-25 | Power module circuit board and a process for the manufacture thereof |
| DE69734341T DE69734341T2 (de) | 1996-08-27 | 1997-08-27 | Leiterplatte für Leistungsmodul |
| EP97810602A EP0833383B1 (en) | 1996-08-27 | 1997-08-27 | Power module circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8244075A JPH1067586A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | パワーモジュール用回路基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1067586A true JPH1067586A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=17113370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8244075A Pending JPH1067586A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | パワーモジュール用回路基板およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6013357A (ja) |
| EP (1) | EP0833383B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1067586A (ja) |
| DE (1) | DE69734341T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569514B2 (en) | 2000-09-22 | 2003-05-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic circuit board and method of manufacturing the same |
| WO2005098942A1 (ja) * | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Mitsubishi Materials Corporation | Ａi／ａiｎ接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール並びにａi／ａiｎ接合体の製造方法 |
| JP2011216577A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Hitachi Metals Ltd | 窒化珪素基板の製造方法及び窒化珪素基板並びにそれを使用した回路基板 |
| JP2015164184A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-09-10 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質基板およびこれを備える回路基板ならびに電子装置 |
| JP2016011218A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質基板およびこれを備える回路基板ならびに電子装置 |
| WO2024203965A1 (ja) * | 2023-03-24 | 2024-10-03 | 株式会社 東芝 | セラミックス基板、セラミックス回路基板、半導体装置、スラリーの製造方法、及び、離型剤塗布方法 |
| CN119751084A (zh) * | 2024-12-16 | 2025-04-04 | 扬州小天光子科技有限公司 | 一种即烧型氮化硅基板工艺 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6726996B2 (en) | 2001-05-16 | 2004-04-27 | International Business Machines Corporation | Laminated diffusion barrier |
| CN107369741A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-11-21 | 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 | 带一体式金属围坝的led支架模组及其制备方法 |
| CN112811912B (zh) * | 2021-01-20 | 2021-11-02 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种高性能氮化硅陶瓷基片的批量化烧结方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1415522A (en) * | 1972-04-06 | 1975-11-26 | Lucas Industries Ltd | Method of manufacturing hot pressed cermaic material based on silicon nitride |
| DE3376829D1 (en) * | 1982-06-29 | 1988-07-07 | Toshiba Kk | Method for directly bonding ceramic and metal members and laminated body of the same |
| DE3789628T3 (de) * | 1986-02-20 | 1998-04-02 | Toshiba Kawasaki Kk | Gesinterter Körper aus Aluminiumnitrid mit leitender metallisierter Schicht. |
| EP0282285B1 (en) * | 1987-03-13 | 1990-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A method of metallization for a nitride ceramic member |
| US4883704A (en) * | 1987-03-30 | 1989-11-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit substrate comprising nitride type ceramics, method for preparing it, and metallizing composition for use in it |
| US4920640A (en) * | 1988-01-27 | 1990-05-01 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Hot pressing dense ceramic sheets for electronic substrates and for multilayer electronic substrates |
| JPH01203270A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造法 |
| JP2755594B2 (ja) * | 1988-03-30 | 1998-05-20 | 株式会社 東芝 | セラミックス回路基板 |
| JP2628510B2 (ja) * | 1988-04-08 | 1997-07-09 | 新日本製鐵株式会社 | ＢＮ−ＡｌＮ系複合焼結体の製造方法 |
| JPH02149485A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-08 | Toshiba Corp | セラミック基板の製造方法 |
| JP2774560B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1998-07-09 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウムメタライズ基板 |
| JPH0393687A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-18 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
| JPH0413507A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆Ｓｉ↓３Ｎ↓４焼結体製ドリル |
| JPH04119975A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-21 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック基板と金属板との接合用治具 |
| JP2555231B2 (ja) * | 1991-05-21 | 1996-11-20 | 富士通株式会社 | 窒化アルミニウム多層回路基板の製造方法 |
| JPH05218229A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-27 | Toshiba Corp | セラミック回路基板 |
| JP2736949B2 (ja) * | 1992-07-28 | 1998-04-08 | 同和鉱業株式会社 | 高強度窒化アルミニウム回路基板およびその製造方法 |
| US5439856A (en) * | 1992-09-08 | 1995-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High thermal conductive silicon nitride sintered body and method of producing the same |
-
1996
- 1996-08-27 JP JP8244075A patent/JPH1067586A/ja active Pending
-
1997
- 1997-08-25 US US08/917,328 patent/US6013357A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-27 DE DE69734341T patent/DE69734341T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-27 EP EP97810602A patent/EP0833383B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569514B2 (en) | 2000-09-22 | 2003-05-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic circuit board and method of manufacturing the same |
| WO2005098942A1 (ja) * | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Mitsubishi Materials Corporation | Ａi／ａiｎ接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール並びにａi／ａiｎ接合体の製造方法 |
| JPWO2005098942A1 (ja) * | 2004-04-05 | 2008-03-06 | 三菱マテリアル株式会社 | Ａｌ／ＡｌＮ接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール並びにＡｌ／ＡｌＮ接合体の製造方法 |
| US7532481B2 (en) | 2004-04-05 | 2009-05-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Al/AlN joint material, base plate for power module, power module, and manufacturing method of Al/AlN joint material |
| KR101108454B1 (ko) * | 2004-04-05 | 2012-01-31 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | Ａｌ／ＡｌＮ 접합체, 전력 모듈용 기판 및 전력 모듈, 그리고 Ａｌ／ＡｌＮ 접합체의 제조 방법 |
| US8164909B2 (en) | 2004-04-05 | 2012-04-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Al/AlN joint material, base plate for power module, power module, and manufacturing method of Al/AlN joint material |
| JP2011216577A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Hitachi Metals Ltd | 窒化珪素基板の製造方法及び窒化珪素基板並びにそれを使用した回路基板 |
| JP2015164184A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-09-10 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質基板およびこれを備える回路基板ならびに電子装置 |
| JP2016011218A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質基板およびこれを備える回路基板ならびに電子装置 |
| WO2024203965A1 (ja) * | 2023-03-24 | 2024-10-03 | 株式会社 東芝 | セラミックス基板、セラミックス回路基板、半導体装置、スラリーの製造方法、及び、離型剤塗布方法 |
| CN119751084A (zh) * | 2024-12-16 | 2025-04-04 | 扬州小天光子科技有限公司 | 一种即烧型氮化硅基板工艺 |
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| EP0833383A3 (en) | 1998-07-29 |
| US6013357A (en) | 2000-01-11 |
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